DE1764251A1 - Temperaturkompensierte Z-Diode - Google Patents

Temperaturkompensierte Z-Diode

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DE1764251A1 DE19681764251 DE1764251A DE1764251A1 DE 1764251 A1 DE1764251 A1 DE 1764251A1 DE 19681764251 DE19681764251 DE 19681764251 DE 1764251 A DE1764251 A DE 1764251A DE 1764251 A1 DE1764251 A1 DE 1764251A1
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Description

Deutsche ITT Industries GmbH * U. Dolega-1
78 -Freiburg, Hans-Bunte-Str. 19 29. April 1968
Pat.Mo/Pu
IM/Reg. 290 - Fl 561
DEUTSCHE ITT INDUSTRIES GESEIISCHAi1T MIT BESCHRÄNKTER HAFTUNG FREIBURG i.Br.
Temperaturkompensierte Z-Diode
Zusatz zu Patent (Patentanmeldung P 15 89 707.1-33 ).
Die Hauptanmeldung p 15 89 707.1-33 betrifft eine temperaturkompensierte Z-Diode in Form einer Halbleiterfeetkörpe^schaltungJ die aus mehreren nichtlinearen und gegebenenfalls linearen, in einem gemeinsamen Halbleiterkörper des einen leitungstyps angeordneten, durch aufgebrachte Metallisierungen untereinander verbundenen Einzelelementen besteht und die mit zwei äußeren Anschlüssen versehen ist, wobei als Einzelelemente mehr als zwei Transistorstrukturen dienen, wobei der Halbleiterkörper die gemeinsame Kollektorzone aller Transistorstrukturen darstellt, i wobei ferner die Basis-Emitter-pn-Übergänge der Transistorstrukturen bezüglich der Richtung des im Betrieb fließenden Gesamtstroms derart in Reihe geschaltet sind, daß ein Teil der Basis-Emitter-pn-Übergänge in Sperrichtung bis ins Abbruchgebiet als Z-Dioden und die restlichen in Flußrichtung als Flußdioden betrieben sind, wobei ferner zur Erniedrigung des dynamischen Innenwiderstands die Transistorwirkung von mindestens einem Teil der als Flußdioden betriebenen Transistorstrukturen herangezogen ist und der Halbleiterkörper mit dem ersten äußeren Anschluß, sowie entweder die Basis der letzten als Z-Diode wirkenden Transistorstruktur oder der Emitter der letzten als Flußdiode wirkenden Transistorstruktur mit dem zweiten äußeren Anschluß verbunden ist. 209819/0784
. 4. a. lo/j
IM/Reg. 290 - Pl 561 ' U. Dolega-1
Diese temperaturkompensierte Z-Diode der Hauptanmeld.ung ist in hohem Maße temperaturkompensiert, und zwar aufgrund der sich ergänzenden Wirkungen des negativen Temperaturkoeffizienten der als Plußdioden wirkenden Transistorstrukturen und der mit positivem Temperaturkoeffizienten versehenen als Z-Dioden wirkenden Transistorstrukturen.
Bei der Massenfertigung solcher temperaturkompensierter Jk Z-Dioden tritt die Schwierigkeit auf, daß von Bauelement zu ; Bauelement die Güte der Temperaturkompensation schwankt. Dies ist darauf zurückzuführen, daß bei der Fertigung die technologischen Parameter schwanken. Insbesondere schwankt von Bauelement zu Bauelement die Abbruchspannung der als Z-Dioden wirkenden Transistorstrukturen; ferner schwanken aber auch die Werte der diffundierten Widerstände, damit die Stromdichten in den in Plußrichtung betriebenen Basis-Emitter-pn-Übergängen und-hierdurch die negativen Temperaturkoeffizienten dieser in Plußrichtung betriebenen pn-Übergänge.
Dieses Problem kann nach der Hauptanmeldung dadurch gelöst werden, daß die Zahl der als Plußdioden wirkenden Transistorstruk-" türen so gewählt wird, daß eine optimale Temperaturkompensation des jeweiligen Bauelements erreicht wird. Diese Lösungsmöglichkeit ist jedoch relativ aufwendig, da die -überflüssigen als Plüfldioden wirkenden Transistorstrukturen nicht verwendet werden können, jedoch auf dem Halbleiterkörper unnötig viel Platz beanspruchen. Außerdem ist dieser Abgleich nur in ganzzahligen Stufen des Temperaturkoeffizienten der Plußdioden möglich.
Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, die zusätzlichen und nicht verwendeten, als Plußdioden wirkenden Transistorstrukturen einzusparen und durch eine andere Abgleichmöglichkeit zu ersetzen. Zur lösung dieser Aufgabe wurde bereits von der älteren Anmeldung ρ 16 39 173.H-33 vorgeschlagen, in den die gemein-
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same Kollektorzone darstellenden Halbleiterkörper eine weitere Transistarstruktur einzubringen, deren Kollektor aus einem Teil der -gemeinsamen Kollektorzone besteht, ferner Basis und Emitter der weiteren Transistorstruktur mit einem Wirkwiderstand und ebenso Basis und Kollektor mit einem weiteren Wirkwiderstand zu überbrücken, den Emitter bei η-leitender Kollektorzone am positivsten Punkt der in Reihe geschalteten, als Fluß- oder Z-Dioden wirkenden Transistorstrukturen, dagegen bei p-leitender Kollektorzone am negativsten Punkt der Reihenschaltung anzuschließen und im Falle eines erforderlichen Abgleichs des Temperaturkoeffizienten den optimalen Widerstands- ™ wert mindestens eines der Wirkwiderstände durch mindestens teilweises Kurzschließen einzustellen.
Nach diesem älteren Vorschlag kann also die zusätzliche Transistorstruktur nur am Ende der Reihenschaltung von Fluß- und Z-Dioden angeschlossen werden. Man ist daher beim Entwurf der Halbleiterfestkörperschaltung durch diese Bedingung in der freien Wahl der Parameter, beispielsweise der geometrischen Anordnung, gehindert. Dies kann insbesondere bei der Aufteilung der zur Verfugung stehenden Fläche ins Gewicht fallen.
Demgegenüber schlägt die Erfindung eine andere Lösungsmöglichkeit ä für die obengenannte Aufgabe vor. Diese Lösung besteht erfindungsgemäß darin, daß in den die gemeinsame Kollektorzone darstellenden Halbleiterkörper eine weitere Transistorstruktur eingebracht ist, deren Kollektor aus einem Teil der gemeinsamen Kollektorzone besteht, daß Basis und Emitter der weiteren Transistorstruktur mit einem Wirkwiderstand überbrückt sind, daß an der Basis der Transistorstruktur ein weiterer Wirkwiderstand angeschlossen ist, daß das basisferne Ende dieses Wirkwiderstandes und der Emitter der weiteren Transistorstruktur an beliebiger Trennstelle in die Reihenschaltung der als Fluß- oder Z-Dioden wirkenden Transistorstrukturen derart eingefügt ist, daß der Emitter der weiteren Transistorstruktur bei η-leitender Kollek-
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torzone am negativeren der beiden Anschlußpunkte der Trennstelle, dagegen bei p-leitender Kollektorzone am positiveren der beiden Anschlußpunkte der Trenhsteile angeschlossen ist, Und daß im Falle eines erforderlichen Abgleiche des Temperaturkoeffizienten der optimale Widerstandswert mindestens eines der Wirkwiderstände durch mindestens teilweises Kurzschließen eingestellt ist.
Diese Lösungsmöglichkeit ist besonders dann von Vorteil, wenn das Verhältnis B von Kollektorgleichstrom zu Basisgleichstrom der weiteren Transistorstruktur groß gegen eins ist. Man wählt zweckmäßigerweise das Verhältnis B größer als zehn. Die Wirkwiderstände können in der gemeinsamen Kollektorzone als den dem Leitungstyp des Halbleiterkörpers entgegengesetzten Leitungstyp besitzende Zonen oder auf dem Halbleiterkörper als aufgebrachte Widerstandsschichten angeordnet sein. Das mindestens teilweise Kurzschließen der Wirkwiderstände erfolgt vorteilhafterweise mittels aufgedampfter Metallschichten, und zwar so, daß zunächst eine vollständig kurzschließende Metallschicht aufgedampft wird, in der durch nachträgliches Unterbrechen öffnungen erzeugt werden, die Teile der darunterliegenden Wirkwiderstände freilegen.
Die Erfindung wird nun anhand der in der Zeichnung dargestellten Figuren näher beschrieben und erläutert.
Fig. 1 zeigt das elektrische Ersatzschaltbild der weiteren Transistorstruktur und der Wirkwiderstände nach der Erfindung.
Fig. 2 zeigt eine Ausbildungsform der Erfindung, bei der die weitere Transistorstruktur und die Wirkwiderstände an das Ausführungsbeispiel nach Fig. 13 der Hauptanmeldung angeschlossen sind.
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BAD ORIGINAL
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In Fig. 1 ist die gegenüber den im gemeinsamen Halbleiter- · körper eingebrachten Transistorstrukturen nach der Hauptanmeldung zusätzliche Transistorstruktur T zusammen mit dem aus den Wirkwiderständen R1 und R2 bestehenden Spannungsteiler als elektrisches Ersatzschaltbild dargestellt. Der Wirkwiderstand R2 ist an der Basis der Transistorstruktur T angeschlossen und besteht aus den Teilwiderständen R21 > Rp2* R23' R2n* "^er ^^r^"* widerstand R1 liegt zwischen Basis und Emitter der Transistorstruktur T. Für diese Schaltungsanordnung gelten in guter Näherung die beiden folgenden Beziehungen:
s R2
• U = UEB (1 + fTj~ )
,, R2^
wobei U .die am Spannungsteiler R1 , R2 abfallende Spannung und U-gTj die Basis-Emitter-Spannung der Transistorstruktur T bezeichnen. Mit ^U und^ü-gg sind die'Spannungsänderungen der Spannungsteile rspannung U, bzw. der Basis-Emitter-Spannung bezeichnet, die von einer mit Λ9*bezeichneten Temperaturänderung hervorgerufen werden. Da nun aber die temperaturbezogene und temperaturbedingte Spannungsänderung der Basis-Emitter-Spannung U-g-n etwa -2 mV/ C beträgt, kann durch Verändern der Widerstandswerte der Wirkwider- f stände R und/oder R2 die temperaturbedingte und temperaturbezogene Spanniingsänderung der Spannungsteilerspannung U eingestellt werden. Der eben geschilderte Sachverhalt ist an sich bekannt, und zwar aus der deutschen Auslegeschrift 1 258 903. Die angegebenen Beziehungen gelten insbesondere dann, wenn das Verhältnis B von Kollektorgleichstrom zu Basisgleichstrom der weiteren Iransistorstruktur T groß gegen eins, insbesondere größer als zehn ist. Dann fließt nämlich im Wirkwiderstand R2 praktisch derselbe Strom wie im Wirkwiderstand R1, da der zur Basis fließende Strom gegenüber diesen Strömen vernachlässigbar ist.
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In Pig. 2 ist der in Pig. 1 gezeigte Schaltungsteil mit einer als temperaturkompensierte Z-Diode wirkenden Anordnung zusammengeschaltet. Diese Anordnung entspricht im wesentlichen der in Pig. 13 der Hauptanmeldung gezeigten Anordnung. Die Reihenschaltung der als Fluß-, bzw. als Z-Dioden wirkenden Transistorstrukturen ist an einer beliebigen Trennstelle aufgetrennt und an dieser Stelle der Schaltungsteil nach Pig. 1 eingefügt. Die Einfügung ist so vorgenommen, daß der Emitter der zusätzlichen Transistorstruktur T am negativeren Punkt der Trennstelle angeschlossen ist, während das basisferne Ende des Wirkwiderstandes Rp am positiveren Punkt der Trennstelle angeschlossen ist. Der Kollektor der weiteren Transistorstruktur T fällt mit der gemeinsamen Kollektorzone nß der Transistorstrukturen zusammen.
Ein etwa erforderlicher Peinabgleich des Temperaturkoeffizienten der gesamten temperaturkompensierten Z-Diode wird durch mindestens teilweises Kurzschließen eines der beiden Wirkwiderßtände R1 und R2 erreicht. Dieses Kurzschließen geschieht vorteilhaft dadurch, daß zunächst eine geschlossene Metallschicht auf den jeweiligen gesamten Widerstand aufgebracht wird und daß anschließend diese Metallschicht wieder teilweise von dem entsprechenden Widerstand entfernt wird. Diese Art des Abgleiches hat den Vorteil, daß die Metallschicht schon in einem frühen Stadium des Fertigungsprozesses aufgebracht werden kann. Wird dagegen die kurzschließende Metallschicht erst nach Fertigstellung und Messung der temperaturkompensierten Z-Diode aufgebracht, so bilden inzwischen entstandene Metalloxydschichten unerwünschte Kontaktwiderstände, die den beabsichtigten Peinabgleich ungenau machen.
Die freie Wahl der Trennstelle, an der die zusätzliche Transistorstruktur T und die Wirkwiderstände R1 und R2 eingefügt werden, erbringt zusätzlich noch den weiteren Vorteil, daß die zusätzliche
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Transistörstruktur T und die Wirkwiderstände R^ und R2 an derjenigen Stelle angeordnet werden können, wo die Wirkwiderstände der Erniedrigung einer Schwingneigung der gesamten Schaltungsanordnung dienen können.
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Claims (6)

IM/Reg. 290 - Tl 561 Patentansprüche
1. Temperaturkompensierte Z-Diode in Form einer Halbleiterfeat-= körperschaltung, die aus mehreren nichtlinearen und gegebenenfalls linearen, in einem gemeinsamen Halbleiterkörper des einen leitungstyps angeordneten, durch aufgebrachte Metallisierungen untereinander verbundenen Einzelelementen besteht und die mit zwei äußeren Anschlüssen versehen ist, wobei als Einzelelemente mehr als zwei Transistorstrukturen dienen, der Halbleiterkörper die gemeinsame Kollektorzone aller Transistorstrukturen darstellt, die Basis^Emitter-pn-Übergänge der Transistorstrukturen bezüglich der Richtung des im Betrieb fließenden Gesamt-Stroms derart in Reihe geschaltet sind, daß ein Teil der Basis-Emit ter-pn-Übergänge in Sperrichtung bis ins Abbruchgebiet als Z-Dioden und die restlichen in Flußrichtung als Flußdioden betrieben sind, wobei ferner zur Erniedrigung des dynamischen ■ Innenwiderstands die Transistorwirkung von mindestens einem Teil der als Flußdioden betriebenen Transistorstrukturen herangezogen ist und der Halbleiterkörper mit dem ersten äußeren Anschluß sowie entweder die Basis der letzten als Z-Diode wirkenden Transistors truktur oder der Emitter der letzten als Flußdiode wirkenden Transistorstruktur mit dem zweiten äußeren Anschluß
verbunden ist, nach Patent · (Patentanmeldung
P 15 89 707.1-33), dadurch gekennzeichnet, daß in den die gemeinsame Kollektorzone (n„) darstellenden Halbleiterkörper eine weitere Transistorstruktur (T) eingebracht ist, deren Kollektor aus einem Teil der gemeinsamen Kollektorzone (n^) besteht, daß Basis und Emitter der weiteren Transistorstruktur mit einem Wirkwiderstand (R1) überbrückt sind, daß an der Basis der Transistorstruktur (T) ein weiterer V/irkwiderstand (R2) angeschlossen ist, daß das basisferne Ende dieses Wirkwiderstandes (Rp) und der Emitter der weiteren Transistorstruktur (T) an beliebiger Trennstelle in die Reihenschaltung der als Fluß-' oder Z-Dioden wirkenden Transistorstrukturen derart eingefügt ist, daß der Emitter der weiteren Transistorstruktur (T) bei η-leitender Kollektorzone am negativeren der beiden An-
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ORIGINAL INSPECTED
IM/Reg. 290 - El 561 ü. Dolega-1
schlußpunkte der Trennstelle, dagegen bei p-leitender Kollektorzone am positiveren der beiden Anschlußpunkte der Trennstelle angeschlossen ist, und daß im Falle eines erforderlichen Abgleichs des Temperaturkoeffizienten der optimale Widerstandswert mindestens eines der Wirkwiderstände (R1, Rp) durch mindestens teilweises Kurzschließen eingestellt ist.
2. Temperaturkompensierte Z-Diode nach Anspruch 1, dadurch μ gekennzeichnet, daß das Verhältnis B von Kollektorgleichstrom zu Basisgleichstrom der weiteren !Dränsistorstruktur (T) groß gegen eins ist.
3. Temperaturkompensierte Z-Diode nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Verhältnis B größer als zehn ist.
4. Temperaturkompensierte Z-Diode nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Wirkwiderstände (R.., Rp) in der gemeinsamen Kollektorzone (Hq) als den dem Leitungstyp des Halbleiterkörpers entgegengesetzten Leitungstyp besitzende Zonen oder auf dem Halbleiterkörper als aufgebrachte Widerstandsschichten angeordnet sind. I
5. Temperaturkompensierte Z-Diode nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der optimale Widerstandswert der Wirkwiderstände durch mindestens teilweises Kurzschließen mittels aufgedampfter Metallschichten ei ngestellt ist.
6. Temperaturkompensierte Z-Diode nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Kurzschlüsse durch Aufdampfen einer vollständig kurzschließenden Metallschicht und durch nachträgliches Unterbrechen der Metallschicht erzeugt sind.
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176425t
IM/Reg. 290 - Pl 561 · U.
Temperaturkompensierte Z-Diode nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die v/eitere
Transistorstruktur (T) und die Wirkwiderstände (R1, R2) dort in die Reihenschaltung der Transistorstrukturen eingefügt
werden, wo die Wirkwiderstände der Erniedrigung der Schwingneigung dienen.
209819/0784
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FR1599179D FR1599179A (de) 1967-12-09 1968-12-09
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2356386A1 (de) * 1972-11-13 1974-05-22 Sony Corp Schaltung zur potentialverschiebung
DE2645182A1 (de) * 1976-10-07 1978-04-13 Itt Ind Gmbh Deutsche Temperaturkompensierte z-diodenanordnung

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE756061A (fr) * 1969-09-11 1971-03-11 Philips Nv Dispositif semi-conducteur
US3703651A (en) * 1971-07-12 1972-11-21 Kollmorgen Corp Temperature-controlled integrated circuits
US3723776A (en) * 1971-12-27 1973-03-27 Us Navy Temperature compensated zener diode circuit
US3881179A (en) * 1972-08-23 1975-04-29 Motorola Inc Zener diode structure having three terminals
JPS5240017B2 (de) * 1972-10-16 1977-10-08
US3875539A (en) * 1973-11-26 1975-04-01 Amp Inc High voltage ripple reduction circuit
DE2452107C3 (de) * 1974-11-02 1979-08-23 Deutsche Itt Industries Gmbh, 7800 Freiburg Temperaturkompensierte Z-Diodenanordnung
DE2532847C2 (de) * 1975-07-23 1982-08-19 Deutsche Itt Industries Gmbh, 7800 Freiburg Integrierte Schaltung mit Zenerdiodenkennlinie
US4075649A (en) * 1975-11-25 1978-02-21 Siemens Corporation Single chip temperature compensated reference diode and method for making same
US4311926A (en) * 1977-08-11 1982-01-19 Gte Laboratories Incorporated Emitter coupled logic programmable logic arrays
US4529998A (en) * 1977-12-14 1985-07-16 Eaton Corporation Amplified gate thyristor with non-latching amplified control transistors across base layers
JPS6048765B2 (ja) * 1977-12-19 1985-10-29 日本電気株式会社 定電圧半導体集積回路
US4319257A (en) * 1980-01-16 1982-03-09 Harris Corporation Low thermal coefficient semiconductor device
DE3416404A1 (de) * 1984-05-04 1985-11-07 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Monolithisch integrierte planare halbleiteranordnung und verfahren zu dessen herstellung
US5068702A (en) * 1986-03-31 1991-11-26 Exar Corporation Programmable transistor
DE19526902A1 (de) * 1995-07-22 1997-01-23 Bosch Gmbh Robert Monolithisch integrierte planare Halbleiteranordnung

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2356386A1 (de) * 1972-11-13 1974-05-22 Sony Corp Schaltung zur potentialverschiebung
DE2645182A1 (de) * 1976-10-07 1978-04-13 Itt Ind Gmbh Deutsche Temperaturkompensierte z-diodenanordnung

Also Published As

Publication number Publication date
DE1764251B2 (de) 1979-09-27
DE1589707A1 (de) 1970-05-06
GB1245531A (en) 1971-09-08
GB1245668A (en) 1971-09-08
DE1639173B2 (de) 1971-09-23
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DE1639173C3 (de) 1979-03-15
DE1639173A1 (de) 1971-04-08
US3567965A (en) 1971-03-02
DE1589707B2 (de) 1971-02-04
GB1230879A (de) 1971-05-05
DE1764251C3 (de) 1980-06-19
FR1599179A (de) 1970-07-15

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