DE1764251C3 - Temperaturkompensierte Z-Diodenanordnung und Verfahren zu deren Herstellung - Google Patents

Temperaturkompensierte Z-Diodenanordnung und Verfahren zu deren Herstellung

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DE1764251C3 DE1764251A DE1764251A DE1764251C3 DE 1764251 C3 DE1764251 C3 DE 1764251C3 DE 1764251 A DE1764251 A DE 1764251A DE 1764251 A DE1764251 A DE 1764251A DE 1764251 C3 DE1764251 C3 DE 1764251C3
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Description

Die Erfindung betrifft Weiterbildungen der in den beiden Hauptpatenten 15 89 707,16 39 173 geschützten Gegenstände entsprechend dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Die temperaturkompensierte Z-Diodenanordnung nach dem ersten Hauptpatent 15 89 707, das den aus »Seienta electrica«, 1963, Seiten 67 bis 91, insbesondere Seiten 79, 85 und 88, und den aus der US-PS 32 44 949 bekannten Stand der Technik voraussetzt, ist in hohem Maße temperaturkompensiert, und zwar aufgrund der sich ergänzenden Wirkung des negativen Temperaturkoeffizienten der als Flußdioden wirkenden Transistorstrukturen und der mit positivem Temperaturkoeffizienten versehenen, als Z-Dioden wirkenden Transistor-Strukturen.
Bei der Massenfertigung solcher temperaturkompensierten Z-Dioden tritt die Schwierigkeit auf, daß von Bauelement zu Bauelement die Güte der Temperaturkompensation schwankt. Dies ist darauf zurückzuführen, daß bei der Fertigung die technologischen Parameter schwanken. Insbesondere schwankt von Bauelement zu Bauelement die Abbruchspannung der als Z-Dioden wirkenden Transistorstrukturen; ferner schwanken aber auch die Werte der diffundierten Widerstände, somit die Stromdichten in den in Flußrichtung betriebenen Basis-Emitter-pn-Übergängen und hierdurch deren negative Temperaturkoeffizienten.
Dieses Problem kann nach dem ersten Hauptpatent dadurch gelöst werden, daß die Zahl der als Flußdioden wirkenden Transistorstrukturen so gewählt wird, daß eine optimale Temperaturkompensation des jeweiligen Bauelements erreicht wird. Diese Lösungsmöglichkeit ist jedoch relativ aufwendig, da die überflüssigen als Flußdioden wirkenden Transistorstrukturen nicht verwendet werden können, jedoch auf dem Halbleiterkörper unnötig viel Platz beanspruchen. Außerdem ist
dieser Abgleich nur in ganzzahligen Stufen des Temperaturkoeffizienten der Flußdioden möglich.
Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, die zusätzlichen und nicht verwendeten, als Flußdioden wirkenden Transistorstrukturen einzusparen und durch eine andere Abgleichmöglichkeit zu ersetzen. Zur Lösung dieser Aufgabe wurde bereits im zweiten Hauptpatent 16 39 173, das den aus den US-PS 29 53 764 und 33 29 921 bekannten Stand der Technik voraussetzt, vorgeschlagen, in den die gemeinsame Kollektorcone darstellenden Halbleiterkörper eine weitere Transistorstruktur einzubringen, deren Kollektor aus einem Teil der gemeinsamen Kollektorzone besteht, ferner Basis und Emitter der weiteren Transistorstruktur mit einem weiteren Wirkwiderstand zu überbrücken, den Emitter bei η-leitender Kollektorzone am positivsten Punkt der in Reihe geschalteten, als Fluß- oder Z-Dioden wirkenden Transistorstrukturen, dagegen bei p-leitender Kollektorzone am negativsten Punkt der Reihenschaltung anzuschließen und im Falle eines erforderlichen Abgleichs des Temperaturkoeffizienten den optimalen Widerstandswert mindestens eines der Wirkwiderstände durch mindestens teilweises Kurzschließen oder durch Entfernen von Teilen der Wirkwiderstände einzustellen.
Nach dem älteren, zweiten Hauptpatent kann also die zusätzliche Transistorstruktur nur am Ende der Reihenschaltung von Fluß- und Z-Dioden angeschlossen werden. Man ist daher beim Entwurf der Halbleiterschaltung durch diese Bedingung in der freien Wahl der Parameter, beispielsweise der geometrischen Anordnung, gehindert Dies kann insbesondere bei der Aufteilung der zur Verfügung stehenden Fläche ins Gewicht fallen.
Die Erfindung schlägt daher eine andere, nämlich die im Kennzeichen des Anspruchs 1 angegebene Lösungsmöglichkeit für die obengenannte Aufgabe vor.
Das teilweise Kurzschließen der Wirkwiderstände erfolgt vorteilhafterweise mittels aufgedampfter Metallschichten, und zwar so, daß zunächst eine vollständig kurzschließende Metallschicht aufgedampft wird, in der durch nachträgliches Unterbrechen öffnungen erzeugt werden, die Teile der darunterliegenden Wirkwiderstände freilegen.
Die Erfindung wird nun anhand der in der Zeichnung dargestellten Figuren näher beschrieben und erläutert.
F i g. 1 zeigt das elektrische Ersatzschaltbild der weiteren Transistorstruktur und der Wirkwiderstände in der speziellen Zusammenschaltung nach der Erfindung;
F i g. 2 zeigt eine Ausbildungsform der Erfindung, bei der die weitere Transistorstruktur und die Wirkwiderstände an das Ausführungsbeispiel nach Fig. 13 des ersten Hauptpatentes angeschlossen sind.
In F i g. 1 ist die gegenüber den im gemeinsamen Halbleiterkörper eingebrachten Transistorstrukturen nach dem ersten Hauptpatent zusätzliche Transistorstruktur T zusammen mit dem aus den Wirkwiderständen R\ und Ri bestehenden Spannungsteiler als elektrisches Ersatzschaltbild dargestellt. Der Wirkwiderstand Ä2 ist im Gegensatz zur Anordnung nach dem zweiten Hauptpate: ; i-xi an der Basis der Transistorstruktur Γ angeschlossen und besteht aus den Teilwiderständen /?2i, Rn, R23, Rin; seine Verbindung mit dem Kollektor fehlt nämlich. Der Wirkwiderstand R\ liegt zwischen Basis und Emitter der Transistorstruktur T. Für diese Schaltungsanordnung gelten in guter Näherung die beiden folgenden Beziehungen:
0 + ΐ)
wobei LJ die am Spannungsteiler R\, R2 abfallende Spannung und Ueb die Basis-Emitter-Spannung der Transistorstruktur Tbezeichnen. Mit Δ U und Δ Ueb sind die Spannungsänderungen der Spannungsteilerspannung U, bzw. der Basis-Emitter-Spannung bezeichnet, die von einer mit Δϋ· bezeichneten Temperaturänderung hervorgerufen werden. Da nun aber die temperaturbezogene und temperaturbedingte Spannungsänderung der Basis-Emitter-Spannung Ueb etwa -2 mV/°C beträgt, kann durch Verändern der Widerstandswerte der Wirkwiderstände Äi und/oder R2 die temperaturbedingte und' temperaturbezogene Spannungsänderung der Spannungsteilerspannung ί/eingestellt werden. Der eben geschilderte Sachverhalt ist an sich bekannt, und zwar aus der DE-AS 12 58 903 und der FR-PS 14 60 634. Die angegebene Beziehungen gelten insbesondere dann,
2ϊ wenn das Verhältnis B von Kollektorgleichstrom zu Basisgleichstrom der weiteren Transistorstruktur T groß gegen eins, insbesondere größer als zehn ist Dann fließt nämlich im Wirkwiderstand Ri praktisch derselbe Strom wie im Wirkwiderstand R\, da der zur Basis fließende Strom gegenüber diesen Strömen vernachlässigbar ist
In F i g. 2 ist der in F i g. 1 gezeigte Schaltungsteil mit einer als temperaturkompensierte Z-Diodenanordnung wirkenden Anordnung zusammengeschaltet. Diese Anordnung entspricht im wesentlichen der in Fig. 13 des ersten Hauplpatents gezeigten Anordnung. Die Reihenschaltung der als Fluß- bzw. als Z-Dioden wirkenden Transistorstrukturen ist an einer beliebigen Trennstelle aufgetrennt und an dieser Stelle der Schaltungsteil nach F i g. 1 eingefügt. Die Einfügung ist so vorgenommen, daß der Emitter der zusätzlichen Transistorstruktur T am negativeren Punkt der Trennstelle angeschlossen ist, während das basisferne Ende des Wirkwiderstandes R2 am positiveren Punkt der Trennstelle angeschlossen ist Der Kollektor der weiteren Transistorstruktur 7TaIIt mit der gemeinsamen Kollektorzone /Jeder Transistorstrukturen zusammen.
Ein etwa erforderlicher Feinabgleich des Temperaturkoeffizienten der gesamten temperaturkompensierten Z-Diodenanordnung wird durch mindestens teilweises Kurzschließen eines der beiden Wirkwiderstände Rt und R2 erreicht. Dieses Kurzschließen geschieht vorteilhaft dadurch, daß zunächst eine geschlossene Metallschicht auf den jeweiligen gesamten Widerstand aufgebracht wird und daß anschließend diese Metallschicht wieder teilweise von dem entsprechenden Widerstand entfernt wird. Diese Art des Abgleichens hat den Vorteil, daß die Metallschicht schon in einem frühen Stadium des Fertigungsprozesses aufgebracht werden kann. Wird dagegen die kurzschließende Metallschicht erst nach Fertigstellung und Messung der temperaturkompensierten Z-Diodenanordnung aufgebracht, so bilden inzwischen entstandene Metalloxydschichten unerwünschte Kontaktwiderstände, die den beaosichtigten Feinabgleich ungenau machen.
Die freie Wahl der Trennstelle, an der die zusätzliche Transistorstruktur Tund die Wirkwiderstände R\ und R2 eingefügt werden, erbringt zusätzlich noch den weiteren
Vorteil, daß die zusätzliche Transistorstruktur Tund die Wirkwiderstände Ri und Ri an derjenigen Stelle angeordnet werden können, wo die Wirkwiderstände der Erniedrigung einer Schwingneigung der gesamten Schaltungsanordnung dienen können.
Hui/u 1 Blatt Zeichnungen

Claims (5)

Patentansprüche:
1. Temperaturkompensierte Z-Diodenanordnung in Form einer Halbleiterschaltung, die aus mehreren nichtlinearen und linearen, in einem gemeinsamen Halbleiterkörper des einen Leitungstyps angeordneten, durch aufgebrachte Metallisierungen untereinander verbundenen Einzelelementen besteht und die mit zwei äußeren Anschlüssen versehen ist, bei der als Einzelelenient mehr als zwei Transistorstrukturen dienen, der Halbleiterkörper die gemeinsame Kollektorzone aller Transistorstrukture.n darstellt, die Basis-Emitter-pn-Übergänge der Transistorstrukturen bezüglich der Richtung des im Betrieb fließenden Gesamtstromes derart in Reihe geschaltet sind, daß ein Teil der Basis-Emitter-pn-Ubergänge in Sperrichtung bis ins Abbruchgebiet als Z-Dioden und die restlichen in Flußrichtung als Flußdioden betrieben sind, und bei der gegebenenfalls der Emitter der letzten als Flußdiode wirkenden Transistorstruktur mit dem zweiten äußeren Anschluß verbunden ist, wobei nach Patent 15 89 707 Wirkwiderstände zum Einstellen des über einzelne pn-Übergänge fließenden Stromes entweder in der gemeinsamen Kollektorzone als den dem Leitungstyp des Halbleiterkörpers entgegengesetzten Leitungstyp besitzende Zone oder auf dem Halbleiterkörper als aufgebrachte Widerstandsschichten angeordnet sind, zur Erniedrigung des dynamischen jo Innenwiderstandes die Transistorwirkung von mindestens einem Teil der als Flußdiode betriebenen Transistorstrukturen herangezogen ist und der Halbleiterkörper mit dem ersten äußeren Anschluß sowie entweder die Basis der letzten als Z-Diode wirkenden Transistorstruktur oder der Emitter der letzten als Flußdiode wirkenden Transistorstruktur mit dem zweiten äußeren Anschluß verbunden ist, wobei ferner nach Patent 16 39 173 in den die gemeinsame Kollektorzone darstellenden Halbleiterkörper eine weitere Transistorstruktur eingebracht ist, deren Kollektor aus einem Teil der gemeinsamen Kollektorzone besteht, Basis und Emitter der weiteren Transistorstruktur mit einem Wirkwiderstand und ebenso Basis und Kollektor mit einem weiteren Wirkwiderstand überbrückt sind, der Emitter bei η-leitender Kollektorzone am positivsten Punkt der in Reihe geschalteten, als Flußoder Z-Dioden wirkenden Transistorstrukturen, dagegen bei p-leitender Kollektorzone am negativ- so sten Punkt der Reihenschaltung angeschlossen ist und im Falle eines erforderlichen Abgleichs des Temperaturkoeffizienten der optimale Widerstandswert mindestens eines der Wirkwiderstände durch mindestens teilweises Kurzschließen oder durch Entfernen von Teilen der Wirkwiderstände mittels Ätzens oder Sandstrahlen eingestellt ist, d a durch gekennzeichnet, daß die Verbindung zwischen dem Kollektor der weiteren Transistorstruktur (T) und dem weiteren Wirkwiderstand (R2) bo aufgetrennt ist und daß das basisferne Ende des weiteren Wirkwiderstandes (R2) und der Emitter der weiteten Transistorstruktur (T)an beliebiger Trennstelle in die Reihenschaltung der als Fluß- oder Z-Dioden wirkenden Transistorstrukturen derart f>5 eingefügt ist, daß der Emitter der weiteren Transistorstruktur (7? bei η-leitender Kollektorzone am negativeren der beiden Anschlußpunkte der Trennstelle, dagegen bei p-leitender Kollektorzone am positiveren der beiden Anschlußpunkte der Trennstelle angeschlossen ist
2. Temperaturkompensierte Z-Diodenanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Verhältnis B von Kollektorgleichstrom zu Bssisgleichstrom der weiteren Transistorstruktur (T) groß gegen eins ist
3. Temperaturkompensierte Z-Diodenanordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Verhältnis B größer als zehn ist
4. Temperaturkompensierte Z-Diodenanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die weitere Transistorstruktur (T) und die Wirkwiderstände (R1, R2) dort in die Reihenschaltung der Transistorstrukturen eingefügt werden, wo die Wirkwiderstände (Ru R2) der Erniedrigung der Schwingneigung dienen.
5. Verfahren zur Herstellung einer temperaturkompensierten Z-Diodenanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet daß das teilweise Kurzschließen durch Aufdampfen einer vollständig kurzschließenden Metallschicht und durch nachträgliches teilweises Entfernen der Metallschicht erfolgt
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Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE756061A (fr) * 1969-09-11 1971-03-11 Philips Nv Dispositif semi-conducteur
US3703651A (en) * 1971-07-12 1972-11-21 Kollmorgen Corp Temperature-controlled integrated circuits
US3723776A (en) * 1971-12-27 1973-03-27 Us Navy Temperature compensated zener diode circuit
US3881179A (en) * 1972-08-23 1975-04-29 Motorola Inc Zener diode structure having three terminals
JPS5240017B2 (de) * 1972-10-16 1977-10-08
JPS5330205Y2 (de) * 1972-11-13 1978-07-28
US3875539A (en) * 1973-11-26 1975-04-01 Amp Inc High voltage ripple reduction circuit
DE2452107C3 (de) * 1974-11-02 1979-08-23 Deutsche Itt Industries Gmbh, 7800 Freiburg Temperaturkompensierte Z-Diodenanordnung
DE2532847C2 (de) * 1975-07-23 1982-08-19 Deutsche Itt Industries Gmbh, 7800 Freiburg Integrierte Schaltung mit Zenerdiodenkennlinie
US4075649A (en) * 1975-11-25 1978-02-21 Siemens Corporation Single chip temperature compensated reference diode and method for making same
DE2645182C2 (de) * 1976-10-07 1983-02-10 Deutsche Itt Industries Gmbh, 7800 Freiburg Temperaturkompensierte Z-Diodenanordnung, Betriebsschaltung hierfür und Verwendung der Anordnung mit dieser Betriebsschaltung
US4311926A (en) * 1977-08-11 1982-01-19 Gte Laboratories Incorporated Emitter coupled logic programmable logic arrays
US4529998A (en) * 1977-12-14 1985-07-16 Eaton Corporation Amplified gate thyristor with non-latching amplified control transistors across base layers
JPS6048765B2 (ja) * 1977-12-19 1985-10-29 日本電気株式会社 定電圧半導体集積回路
US4319257A (en) * 1980-01-16 1982-03-09 Harris Corporation Low thermal coefficient semiconductor device
DE3416404A1 (de) * 1984-05-04 1985-11-07 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Monolithisch integrierte planare halbleiteranordnung und verfahren zu dessen herstellung
US5068702A (en) * 1986-03-31 1991-11-26 Exar Corporation Programmable transistor
DE19526902A1 (de) * 1995-07-22 1997-01-23 Bosch Gmbh Robert Monolithisch integrierte planare Halbleiteranordnung

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Publication number Publication date
DE1589707B2 (de) 1971-02-04
DE1639173A1 (de) 1971-04-08
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DE1639173C3 (de) 1979-03-15
NL6817648A (de) 1969-06-11
GB1230879A (de) 1971-05-05
US3567965A (en) 1971-03-02
DE1639173B2 (de) 1971-09-23
DE1589707A1 (de) 1970-05-06
FR1599179A (de) 1970-07-15
DE1764251B2 (de) 1979-09-27
GB1245668A (en) 1971-09-08
DE1764251A1 (de) 1972-05-04

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