DE2638086A1 - Integrierte stromversorgung - Google Patents

Integrierte stromversorgung

Info

Publication number
DE2638086A1
DE2638086A1 DE19762638086 DE2638086A DE2638086A1 DE 2638086 A1 DE2638086 A1 DE 2638086A1 DE 19762638086 DE19762638086 DE 19762638086 DE 2638086 A DE2638086 A DE 2638086A DE 2638086 A1 DE2638086 A1 DE 2638086A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
field effect
terminal
effect transistor
transistor
connection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19762638086
Other languages
English (en)
Inventor
Karl-Ulrich Dr Stein
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE19762638086 priority Critical patent/DE2638086A1/de
Priority to FR7724033A priority patent/FR2363219A1/fr
Priority to US05/825,146 priority patent/US4166288A/en
Priority to NL7709032A priority patent/NL7709032A/xx
Priority to IT26790/77A priority patent/IT1084184B/it
Priority to GB35144/77A priority patent/GB1589599A/en
Priority to BE180393A priority patent/BE858063A/xx
Priority to JP10148777A priority patent/JPS5326952A/ja
Publication of DE2638086A1 publication Critical patent/DE2638086A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02—Regulating voltage or current
    • G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
    • G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/24—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the field-effect type only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
    • H01L27/0214—Particular design considerations for integrated circuits for internal polarisation, e.g. I2L
    • H01L27/0218—Particular design considerations for integrated circuits for internal polarisation, e.g. I2L of field effect structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)
  • Rectifiers (AREA)
  • Control Of Electrical Variables (AREA)
  • Emergency Protection Circuit Devices (AREA)

Description

SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT Unser Zeichen
Berlin und München VPA 76*P ?
Integrigrte Stromversorgung
Die Erfindung bezieht sich auf eine integrierte Stromversorgung nach dem Oberbegriff des Patentanspruches 1.
Herkömmliche Stromversorgungen, die beinahe ausschließlich mit diskreten Bauelementen bestückt sind, bestehen zumeist aus Transformatoren, Gleichrichtern und Glättungsschaltungen.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine kostengünstige integrierte Stromversorgung anzugeben, die für eine Reihe von Massenanwendungen für einzelne integrierte Schaltungen geeignet ist.
Diese. Aufgabe wird durch eine wie eingangs bereits erwähnte integrierte Stromversorgung gelöst, die durch die in dem kennzeichnenden Teil des Patentanspruches 1 aufgeführten Merkmale gekennzeichnet ist.
Ein wesentlicher Vorteil besteht darin, daß die erfindungsgemäßen Stromversorgungen als selbstgesteuerte Stromrichter für höhere Spannungen dienen.
Weitere Erläuterungen zur Erfindung gehen aus der Beschreibung und den Figuren hervor.
Die Fig. 1 bis 4 zeigen Schaltbilder von Lambda-Elementen für erfindungsgemäße integrierte Stromversorgungen.
16.7.1976 / vP 17 Htr
809809/0117
-- S 76 P 7 1 0 2 BRD Die Fig. 5 zeigt die I(U)-Kennlinie eines Lambda-Elementes.
Die Fig. 6 zeigt eine erfindungsgemäße Stromversorgung. Die Fig. 7 zeigt eine Schaltung zur Stromrichtung.
Die Lambda-Elemente für erfindungsgemäße Stromversorgungen nach den Fig. 1 bis 4 sind Zweipole, die bei anliegenden negativen Spannungen sperren, bei anliegenden positiven Spannungen einen Durchlaßbereich aufweisen und bei höheren positiven Spannungen wieder sperren« In der Fig. 5 ist die Kennlinie dieser Stromversorgungen dargestellt. In erfindungsgemäßen Stromversorgungen dienen diese Lambda-Elemente als Gleichrichter und als Vorwiderstand. Sie sind in den bekannten Stromversorgungsschaltungen wie beispielsweise Einweg- und Brückenschaltungen als Gleichrichter einsetzbar.
Die /Stromversorgung nach der Fig. 1 besteht aus din beiden Feldeffekttransistoren 1 und 2 und aus einer Diode 3. Vorzugsweise handelt es sich dabei bei den Feldeffekttransistoren 1 und 2 um MOS-Feldeffekttransistören, die zueinander komplementär sind. Beispielsweise handelt es sich bei dem Feldefffekttransistor 1 um einen p-Kanal- und bei dem Feldeffekttransistor 2 um einen n-Kanät-MOS-Feldeffekttransistor vom Normally-On-Leitungstyp. Die Spannung wird an die Anschlüsse 21 und 31 gelegt. Mit dem Anschluß 21 ist der Drainbzw. Sourceanschluß des n-Kanal-Transistors 2 verbunden. In dem Punkt 22 ist der Drain- bzw. Sourceanschluß des Feldeffekttransistors 2 mit dem Source- bzw. Drainbereich des Feldeffekttransistors 1 verbunden. Der Drain- bzw. Sourcebereich des Feldeffekttransistors 1 ist über die Diode 3 mit dem Anschluß 31 verbunden. Der Gateanschluß des Feldeffekttransistors 1 ist mit dem Source- bzw. Drainbereich des Feldeffekttransistors 2 und der Gateanschluß des Feldeffekttransistors 2 mit dem Drain- bzw. Sourcebereich des Feldeffekttransistors 1 verbunden.
Im folgenden soll kurz die Funktion der Stromversorgung nach der Fig. 1 beschrieben werden. Liegt zwischen den Anschlüssen
809809/0117
-y- £ 76 P 7 10 2 BRD
21 und 31 eine negative Spannung an, so fließt zwischen den Anschlüssen 21 und 31 kein- Strom. In diesem Fall sperrt die Diode 3. Bei positiven Spannungen geht die Diode 3 in ihren leitenden Zustand über, das bedeutet, daß zwischen den Anschlüssen 21 und 31 ein Strom zu fließen beginnt, da die Transistoren 1 und 2 vom Normaily-On-Typ sind. Bei einer steigenden Gatespannung am Transistor 1 wird der p-Kanal dieses Transistors langsam abgeschnürt. Dies hat zur Folge, daß auch der Transistor 2 gesperrt wird. Die I(U)-Kennlinie geht also wieder gegen O.
In der Fig. 2 ist eine weitere Realisierung für eine erfindungsgemäße Stromversorgung dargestellt. Die Anordnung besteht wieder aus den beiden Transistoren 1 und 2, die in der gleichen Weise wie die Transistoren 1 und 2 der Fig. 1 verschaltet sind. Einzelheiten der Fig. 2, die bereits im Zusammenhang mit der Fig. 1 beschrieben wurden, tragen die entsprechenden Bezugszeichen. Anstelle der Diode 3 ist bei der Anordnung nach der Fig. 2 ein bipolarer Transistor 32 vorgesehen. Dieser Transistor ist mit seinem Basisanschluß mit dem Drain- bzw. Sourceanschluß des Transistors 1 und mit dem Gateanschluß des Transistors 2 verbunden. Der Emitteranschluß des Transistors 32 ist mit dem Anschluß 31 versehen. Der Kollektoranschluß des Transistors 32 ist mit dem Gateanschluß des Transistors 1 und mit dem Source- bzw. Drainanschluß des Transistors 2 verbunden. Bei negativen Spannungen leiten die Transistoren 1 und 2 und sperrt der Transistor 32. Bei kleinen positiven Spannungen wird der Transistor 32 leitend geschaltet, so daß sich zunächst ein Stromanstieg ergibt. Anschließend gehen dann bei größer werdenden positiven Spannungen die Transistoren 1 und 2 in ihren sperrenden Zustand über, weshalb die Stromspannungs-Kennlinie wieder gegen O geht.
In der Fig. 3 ist eine erfindungsgemäße Stromversorgung mit zwei MOS-Transistoren 11 und 22 dargestellt. Der Transistor 11 besitzt die Einsatzspannung VT11 und der Transistor
22 besitzt die Einsatz spannung v„,22* Der Transistor 11 ist einerseits mit dem Anschluß 21 und andererseits mit dem An-
809809/0117
schluß 31 verbunden. Der Gateanschluß des Transistors 1 ist über einen Widerstand 4 mit dem Anschluß 21 und mit dem Gateanschluß des Transistors 22 verbunden. Außerdem ist der Gateanschluß des Transistors 11 mit dem Source- bzw. Drainanschluß des Transistors 22 verbunden. Der Drain- bzw. Sourceanschluß des Transistors 22 ist mit dem Anschluß 31 verbunden. Die aus dem Widerstand 4 und dem Transistor 22 bestehende Schaltung stellt einen Inverter 5 dar.
Die Funktionsweise dieser Schaltung nach der Fig. 3 soll nun im Zusammenhang mit der Fig. 5 erläutert werden. Bei negativen Spannungen U zwischen den Anschlüssen 21 und 31 sperren die Transistoren 11 und 12. Zwischen den Anschlüssen 21 und 31 fließt daher kein Strom. Bei kleinen positiven Spannungen U wird zunächst bei seiner Einsatzspannung U^11 der Transistor 11 über den Widerstand 4 und seinen Gateanschluß leitend geschaltet. Dies hat zur Folge, daß zwischen den Anschlüssen 21 und 31 ein Strom zu fließen beginnt. Mit steigenden Spannungen U steigt auch der Strom I so lange, bis beim Erreichen der Einsatzspannung V1J^ am Gateanschluß des Transistors 22 der Transistor 22 leitend geschaltet wird. Dies hat zur Folge, daß der Gateanschluß des Transistors 11 mit dem Anschluß 31 kurzgeschlossen wird, weshalb der Transistor 11 in seinen sperrenden Zustand übergeht, und weshalb bei weiterer Erhöhung der Spannung U zwischen den Anschlüssen 21 und 31 der Stromfluß zwischen diesen Anschlüssen wieder verringert wird und gegen O geht.
Bei der Schaltung nach der Fig. 3 besitzen die Transistoren 11 und 22 unterschiedliche Einsatz spannungen V-,,... und
In der Fig. 4 ist eine Schaltung dargestellt, bei der die Transistoren 11 und 12 dieselben Einsatzspannungen besitzen. Um eine ähnliche Kennlinie wie bei der Schaltung nach der Fig. 3 zu erreichen, wird der Transistor 22 im Falle der Schaltung nach der Fig. 4 über einen Spannungsteiler, der aus den Widerständen 41 und 42 besteht, angesteuert.
Vorteilhafterweise werden die Abmessungen der integrierbaren
809809/0117
Schaltelemente und ihre elektrischen Eigenschaften gemäß den jeweils geforderten I(U)-Kennlinien im Rahmen der technologischen Möglichkeiten ausgewählt.
In der Fig, 6 ist eine erfindungsgemäße Stromversorgung im Zusammenhang mit einem an sich bekannten Einweg-Gleichrichter dargestellt. Als Diode 6 dient erfindungsgemäß eines der oben beschriebenen Lambda-Elemente. Von dem Kondensator 7 abgesehen, bei dem es sich um ein externes Bauteil handelt, sind die gesamte Stromversorgungsschaltung und die mit Strom zu versorgende Schaltung 8 auf einem Chip 9 integrierbar.
In der entsprechenden Weise können die oben beschriebenen Lambda-Elemente auch im Zusammenhang mit anderen Gleichrichterschaltungen, beispielsweise mit Zweiweg-Gleichrichtern oder mit Graetz-Gleichrichtern verwendet werden. Es werden dann dort jeweils die vorhandenen Gleichrichter durch die oben beschriebenen Lambda-Elemente ersetzt. Von der jeweils erforderlichen Kapazität abgesehen, sind auch diese Schaltungen voll integrierbar.
Eine besondere Bedeutung kommt den oben beschriebenen Lambda-Elementen in Verbindung mit Schaltungen als selbstgesteüerte Stromrichter für höhere Spannungen zu. Dabei bringt in Hinblick auf hohe Sperr- und Durchlaßspannungen die Serienschaltung von einer Vielzahl von Gliedern Vorteile. Solche Schaltungen eignen sich bei Ausführungsformen in einer ESFI-SOS-Technologie insbesondere für Spannungen über 50 V. In der Fig. 7 ist in schematischer Darstellung das Blockschaltbild einer solchen Schaltung dargestellt. Es besteht aus einer erfindungsgemäßen Reihenschaltung eines Lambda-Elemente s 6 und den Schaltungen 61, 62 bis 63.
8 Patentansprüche
7 Figuren
809809/0117
L e e r s e i \ e

Claims (8)

  1. Patentansprüche
    ( 1.yStromversorgungsschaltung, mit wenigstens einem Gleichrichter und mit wenigstens einem Kondensator, dadurch g e k e η η zeichnet , daß die Stromversorgungsschaltung (6 ) und die mit Strom zu versorgende Schaltung (8) auf einem gemeinsamen Chip (9) integriert sind, daß der Kondensator (7) der Stromversorgungsschaltung außerhalb des Chips (9) angeordnet ist, und daß der Gleichrichter (6) aus einem Lambda-Element besteht.
  2. 2. Stromversorgungsschaltung nach Anspruch 1, dadurch ge kennzeichnet , daß das Lambda-Element (6) aus einem ersten und einem zweiten Feldeffekttransistor (1, 2) und einer Diode (3) die zueinander in Reihe geschaltet sind, besteht, daß der eine Anschluß des ersten Feldeffekttransistors (2) mit einem Anschlußpol (21) des Lambda-Elementes verbunden ist, daß der andere Anschluß des ersten Feldeffekttransistors (2) mit dem einen Anschluß des zweiten Feldeffekttransistors (1) verbunden ist, daß der andere Anschluß des zv/eiten Feldeffekttransistors (1) mit dem einen Anschluß der Diode (3) verbunden ist, daß der andere Anschluß der Diode (3) mit dem anderen Anschlußpol (31) des Lambda-Elementes (6) verbunden ist, daß der Gateanschluß des zweiten Feldeffekttransistors (1) mit dem einen Anschluß des ersten Feldeffekttransistors (2) verbunden ist und daß der Gateanschluß p.es ersten Feldeffekttransistors (2) mit dem anderen Anschluß des zweiten Feldeffekttransistors (1) verbunden ist.
  3. 3. Stromversorgungsschaltung nach Anspruch 1, dadurch ge kennzeichnet , daß das Lambda-Element (6) aus einem ersten Feldeffekttransistor (2), einem zweiten Feldeffekttransistor (1) und einem bipolaren Transistor (32) besteht, wobei der eine Anschluß des Feldeffekttransistors (2) mit dem einen Anschlußpol (21) des Lambda-Elementes (6) verbunden ist, daß der andere Anschluß des ersten Feldeffekttransistors (2) mit dem einen Anschluß des zweiten Feldeffekttransistors (1) verbunden ist, daß der andere Anschluß
    809809/0117 .„.„„„. '
    INSPECTED
    -Pf- </
    des zweiten Feldeffekttransistors (1) mit dem Basisanschluß des bipolaren Transistors (32) verbunden ist, daß der Emitteranschluß des bipolaren Transistors (32) mit dem anderen Anschlußpol (31) des Lambda-Elementes (6) verbunden ist, daß der Gateanschluß des ersten Feldeffekttransistors (2) mit dem anderen Anschluß des zweiten Feldeffekttransistors (1) verbunden ist und daß der Gateanschluß des zweiten Feldeffekttransistors (1) und der Kollektoranschluß des bipolaren Transistors (32) mit dem einen Anschluß des ersten Transistors (2) verbunden sind.
  4. 4. Stromversorgungsschaltung nach Anspruch 1, dadurch ge kennzeichnet , daß das Lambda-Element (6) aus einem ersten Feldeffekttransistor (11), einem zweiten Feldeffekttransistor (22) und einem Lastelement (4) besteht, daß der erste Anschluß des ersten Transistors (11) mit dem ersten Anschlußpol (21) verbunden ist, daß der andere Anschluß des ersten Feldeffekttransistors (11) mit dem anderen Anschlußpol (31) des Lambda-Elementes (6) verbunden ist, daß der erste Anschluß des zweiten Feldeffekttransistors (22)mit dem Qateanschluß des ersten Feldeffekttransistors (11) und mit dem einen Anschluß des Lastelementes (4) verbunden ist, daß der Gateanschluß des zweiten Feldeffekttransistors (22) mit dem anderen Anschluß des Lastelementes (4) und mit dem einen Anschluß des ersten Feldeffekttransistors (11) verbunden ist, daß der andere Anschluß des zweiten Feldeffekttransistors (22) mit dem anderen Anschluß des ersten Feldeffekttransistors (11) verbunden ist, und daß der erste Transistor (11) und der zweite Transistor· (22) unterschiedliche Einsatzspannungen aufweisen.
  5. 5. Stromversorgungsschaltung nach Anspruch 1, dadurch ge kennzeichnet , daß das Lambda-Element (6) aus einem ersten Feldeffekttransistor (11), einem zweiten Feldeffekttransistor (22), einem ersten Lastelement (4), einem zweiten Lastelement (42) und einem dritten Lastelement (41) besteht, daß der eine Anschluß des ersten Feldeffekttransistors (11) mit dem einen Anschlußpol (21) des Lambda-Elementes (6) verbunden ist, daß der andere Anschluß des
    809809/0117
    j: ο 76 P 7 1 0 2 BRD
    ersten Feldeffekttransistors (11) mit dem anderen Anschlußpol (31) des Lambda-Elementes (6) verbunden ist, daß der eine Anschluß des zweiten Feldeffekttransistors (22) mit dem Gateanschluß des ersten Transistors (11) und mit dem einen Anschluß des ersten Lastelementes (4) verbunden ist, daß der Gateanschluß des zweiten Feldeffekttransistors (22) mit dem einen Anschluß des dritten Lastelementes (41) verbunden ist, daß der andere Anschluß des dritten Lastelementes (41) und der andere Anschluß des ersten Lastelementes (4) mit dem ersten Anschluß des ersten Feldeffekttransistors (1) verbunden sind, daß der Gateanschluß des zweiten Feldeffekttransistors (22) mit dem erstenAnschluß des zweiten Lastelementes (42) verbunden ist, daß der andere Anschluß des zweiten Lastelementes (42) und der andere Anschluß des zweiten Feldeffekttransistors (22) mit dem anderen Anschluß des ersten Feldeffekttransistors (11) verbunden sind, und daß der erste Feldeffekttransistor (11) und der zweite Feldeffekttransistor " (22) dieselben Einsatzspannungen aufweisen.
  6. 6. Stromversorgungsschaltung nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet , daß als Lastelemente (4, 41, 42) Feldeffekttransistoren verwendet sind, die als Widerstände geschaltet sind.
  7. 7. Stromversorgungsschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch* gekennzeichne ESFI-(SOS)-Technik ausgeführt sind.
    dadurch* gekennzeichnet , daß sie in einer
  8. 8. Stromversorgungsschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet , .daß ein Lambda-Element (6) vorgesehen ist, das zwischen den Stromversorgungsanschlüssen mit einzelnen Schaltungsgliedern (61, 62, 63) in Reihe geschaltet ist.
    •08809/0117
DE19762638086 1976-08-24 1976-08-24 Integrierte stromversorgung Withdrawn DE2638086A1 (de)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19762638086 DE2638086A1 (de) 1976-08-24 1976-08-24 Integrierte stromversorgung
FR7724033A FR2363219A1 (fr) 1976-08-24 1977-08-04 Sysreme integre d'alimentation en courant
US05/825,146 US4166288A (en) 1976-08-24 1977-08-16 Integrated current supply
NL7709032A NL7709032A (nl) 1976-08-24 1977-08-16 Geintegreerde voedingsschakeling.
IT26790/77A IT1084184B (it) 1976-08-24 1977-08-19 Alimentatore elettrico integrato
GB35144/77A GB1589599A (en) 1976-08-24 1977-08-22 Semiconductor integrated circuits
BE180393A BE858063A (fr) 1976-08-24 1977-08-24 Systeme integre d'alimentation en courant
JP10148777A JPS5326952A (en) 1976-08-24 1977-08-24 Integrated current supplying circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19762638086 DE2638086A1 (de) 1976-08-24 1976-08-24 Integrierte stromversorgung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE2638086A1 true DE2638086A1 (de) 1978-03-02

Family

ID=5986229

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19762638086 Withdrawn DE2638086A1 (de) 1976-08-24 1976-08-24 Integrierte stromversorgung

Country Status (8)

Country Link
US (1) US4166288A (de)
JP (1) JPS5326952A (de)
BE (1) BE858063A (de)
DE (1) DE2638086A1 (de)
FR (1) FR2363219A1 (de)
GB (1) GB1589599A (de)
IT (1) IT1084184B (de)
NL (1) NL7709032A (de)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2402900A1 (fr) * 1977-09-09 1979-04-06 Siemens Ag Circuit integre d'alimentation en courant
EP0021289A1 (de) * 1979-06-19 1981-01-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Konstantstromschaltung
DE4230350A1 (de) * 1992-09-10 1994-03-17 Fraunhofer Ges Forschung Gleichrichterschaltung
US5587298A (en) * 1995-03-02 1996-12-24 Director General Of National Agriculture Research Center, Ministry Of Agriculture, Forestry And Fisheries Bioreactor
US12011571B2 (en) 2020-05-19 2024-06-18 Heraeus Medical Gmbh Device and method for mixing liquids

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH631048B (fr) * 1979-07-13 Ebauches Electroniques Sa Convertisseur de tension alternative en tension continue.
JPS5759475A (en) * 1980-09-26 1982-04-09 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Field effect transistor rectifying circuit with 2-terminal
JPS5866988A (ja) * 1981-10-16 1983-04-21 株式会社日立製作所 Ｃｒｔデイスプレイの画面合成方法
JPS6036696U (ja) * 1983-08-19 1985-03-13 株式会社リコー デイスプレイ装置
JPH0693180B2 (ja) * 1985-04-20 1994-11-16 株式会社リコー ビツトマツプ・デイスプレイ装置
DE10147311C2 (de) * 2001-09-26 2003-07-31 Infineon Technologies Ag Schaltungsanordnung zur Ansteuerung einer Last
GB2590057B (en) 2019-10-10 2022-11-16 Steifpower Tech Company Limited A Field-Effect Transistor (FET) based synchronous rectifier for emulating a diode

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1639177A1 (de) * 1968-02-23 1971-01-14 Itt Ind Gmbh Deutsche Monolithisch integrierte gleichrichterschaltung
DE2427307A1 (de) * 1973-06-14 1975-01-16 Rca Corp Integrierte schaltungsanordnung

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3508084A (en) * 1967-10-06 1970-04-21 Texas Instruments Inc Enhancement-mode mos circuitry
US3541357A (en) * 1968-04-29 1970-11-17 Gen Electric Integrated circuit for alternating current operation
US3509446A (en) * 1968-05-31 1970-04-28 Gen Electric Full-wave rectifying monolithic integrated circuit
US3909700A (en) * 1974-01-18 1975-09-30 Gen Electric Monolithic semiconductor rectifier circuit structure
IT1044690B (it) * 1974-11-11 1980-04-21 Siemens Ag Dispositivo con due transistori a effetto di campo complementari
US4053798A (en) * 1975-02-20 1977-10-11 Matsushita Electronics Corporation Negative resistance device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1639177A1 (de) * 1968-02-23 1971-01-14 Itt Ind Gmbh Deutsche Monolithisch integrierte gleichrichterschaltung
DE2427307A1 (de) * 1973-06-14 1975-01-16 Rca Corp Integrierte schaltungsanordnung

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2402900A1 (fr) * 1977-09-09 1979-04-06 Siemens Ag Circuit integre d'alimentation en courant
EP0021289A1 (de) * 1979-06-19 1981-01-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Konstantstromschaltung
DE4230350A1 (de) * 1992-09-10 1994-03-17 Fraunhofer Ges Forschung Gleichrichterschaltung
US5587298A (en) * 1995-03-02 1996-12-24 Director General Of National Agriculture Research Center, Ministry Of Agriculture, Forestry And Fisheries Bioreactor
US12011571B2 (en) 2020-05-19 2024-06-18 Heraeus Medical Gmbh Device and method for mixing liquids

Also Published As

Publication number Publication date
GB1589599A (en) 1981-05-13
JPS5326952A (en) 1978-03-13
IT1084184B (it) 1985-05-25
US4166288A (en) 1979-08-28
BE858063A (fr) 1977-12-16
NL7709032A (nl) 1978-02-28
FR2363219B1 (de) 1981-11-27
FR2363219A1 (fr) 1978-03-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2921037C2 (de) Isolierschicht-Feldeffekttransistor-Schaltung
DE2121358A1 (de) Strombegrenzende Schaltung für komplementär-symmetrische Inverter
DE19902520A1 (de) Hybrid-Leistungs-MOSFET
DE1246807B (de) Schaltungsanordnung zur Durchfuehrung der logischen Funktionen EXCLUSIV-ODER und EXCLUSIV-NICHTODER
EP0236967B1 (de) Schaltungsanordnung zum Ansteuern eines mit sourceseitiger Last verbundenen Mosfet
DE2623507A1 (de) Schaltungsanordnung fuer binaere schaltvariable
EP0766395A2 (de) Leistungstransistor mit Kurzschlussschutz
DE2638086A1 (de) Integrierte stromversorgung
DE2809966C2 (de) Feldeffekttransistorschaltung mit verbesserten Betriebseigenschaften
DE3238486C2 (de) Integrierte Halbleiterschaltung
DE3008280A1 (de) Komplementaerer verstaerker
DE1764251A1 (de) Temperaturkompensierte Z-Diode
DE4444623A1 (de) Schaltungsanordnung zur Laststromregelung eines Leistungs-MOSFET
DE3243674C2 (de) Bezugsspannungsschaltung
DE2740763A1 (de) Integrierte stromversorgungsschaltung
DE102017126060B4 (de) Ansteuerschaltung für ein transistorbauelement
DE2301855A1 (de) Pegelumsetzer
DE3209070A1 (de) Verfahren und schaltungsanordnung zum schalten elektrischer lasten
DE2641912C3 (de) Schaltungsanordnung zur Übertragung elektrischer Versorgungsleistungen
DE1803175A1 (de) Flip-Flop
EP0254214A1 (de) Integrierbare Schaltung zur Pegelumsetzung
DE69324621T2 (de) Vorrichtung mit Substratisolation
DE69215425T2 (de) Halbleitervorrichtung zum Erzeugen von konstanter Spannung
DE3335475A1 (de) Schalter mit in serie geschalteten feldeffekttransistoren
DE2348984A1 (de) Anordnung mit feldeffekttransistoren

Legal Events

Date Code Title Description
OAM Search report available
OC Search report available
8105 Search report available
8139 Disposal/non-payment of the annual fee