DE60313705T2 - Methode zur Erzeugung einer Struktur mittels eines lithographisch hergestellten Musters - Google Patents

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Description

  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bilden einer Struktur unter Verwendung eines von einem Stempel übertragenen Musters gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1. Ein derartiges Verfahren ist aus US-B-6 350 360 bekannt.
  • Beim herkömmlichen Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung ist häufig die Fotolithographie als Technik zum Übertragen eines Musters zur Bildung einer fein detaillierten Struktur verwendet worden. Bei der Miniaturisierung des Musters ist jedoch einerseits die Mustergröße durch die Wellenlänge des zur Belichtung verwendeten Lichts beschränkt und andererseits ein Mechanismus zum Steuern der Maskenposition mit hoher Genauigkeit erforderlich, was zu dem Nachteil hoher Gerätekosten führt. Eine Technik zum Bilden eines feinen Musters bei niedrigen Kosten ist in US-A-5 772 905 offenbart worden. Gemäß dieser Technik wird ein gestufter Stempel, der die gleichen Vorsprünge und Aussparungen wie das auf dem Substrat zu bildende gewünschte Muster aufweist, auf eine Fotolackfilmschicht gepresst, die auf der Oberfläche eines gegenständlichen Substrats gebildet ist, um dadurch ein vorbestimmtes Muster zu übertragen. Diese in der oben genannten US-A-5 772 905 beschriebene Nanoprägetechnik wird als eine Technik angesehen, die es möglich macht, ein Muster zu bilden, das nicht größer als 25 Nanometer ist.
  • Sogar bei der Prägetechnik, die als eine Technik angesehen wird, die zur Ausbildung eines feinen Musters fähig ist, müssen jedoch, wie bei der Fotolithographie, mehrere Musterstempel angefertigt werden, um eine Struktur zu bilden, die aus mehreren Mustern zusammengestellt ist. Außerdem müssen die Positionen der Muster einander angepasst werden, wodurch die Herstellungskosten unvermeidlich erhöht werden.
  • US-B-6 350 360 offenbart ein Verfahren zum Bilden einer Struktur unter Verwendung eines von einem Stempel übertragenen Musters, mit:
    einem Schritt des Formens eines Widerstandsschichtmusters mit n physischen Stufen (n: eine ganze Zahl) auf der Oberfläche eines gegenständlichen Substrats mittels eines Stempels mit mehreren physischen Stufen; und
    einem Schritt des Bildens zumindest eines neuen Bereichs des Widerstandsschichtmusters, wo das gegenständliche Substrat freiliegt, durch Entfernen der Widerstandsschicht des Widerstandsschichtmusters bis zur Höhe der ersten physischen Stufe von der Oberfläche des gegenständlichen Substrats aus; und Formen zumindest eines neuen Bereichs, wo das gegenständliche Substrat freiliegt, durch Entfernen der Widerstandsschicht bis zur Höhe der zweiten physischen Stufe von der Oberfläche des gegenständlichen Substrats des Widerstandsmusters;
    wobei der Schritt des Bildens zumindest eines neuen Bereichs bis zu n mal wiederholt wird.
  • Angesichts der oben beschriebenen technischen Probleme ist es die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Stempel zum gemeinsamen Übertragen mehrerer Muster bereitzustellen.
  • Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren wie beansprucht gelöst.
  • Andere Ziele, Merkmale und Vorteile der Erfindung werden aus der folgenden Beschreibung der Ausführungsformen der Erfindung im Zusammenhang mit den beigefügten Zeichnungen ersichtlich.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 ist eine perspektivische Ansicht einer Stempelstruktur.
  • 2A bis 2H sind Diagramme zum Erläutern eines Prozesses von Schritten zur Herstellung eines für die Erfindung verwendeten Stempels.
  • 3A bis 3D sind Diagramme zum Erläutern eines weiteren Prozesses der Schritte zur Herstellung eines Stempels.
  • 4A bis 4F sind Diagramme zum Erläutern noch eines weiteren Prozesses der Schritte zur Herstellung eines Stempels.
  • 5 ist ein Diagramm zum Erläutern eines Defekts, der zum Zeitpunkt der Musterübertragung auftritt.
  • 6A bis 6C sind Diagramme zum Erläutern eines Musterübertragungsverfahrens.
  • 7A bis 7E sind Diagramme zum Erläutern eines Musterübertragungsverfahrens gemäß der Erfindung.
  • 8A bis 8E sind Diagramme zum Erläutern des Prozesses von Schritten zum Bilden eines gestuften Kanals oder einer gestuften Nut.
  • 9A bis 9H sind Diagramme zum Erläutern des Prozesses von Schritten zum Bilden einer Struktur gemäß der Erfindung.
  • BESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Nachstehend wird eine Veranschaulichung der Erfindung erläutert. Die Erläuterung dieses Beispiels behandelt die Struktur und ein Verfahren zum Herstellen eines für die Erfindung verwendeten Stempels.
  • 1 ist eine perspektivische Ansicht eines bei dem Verfahren gemäß der Erfindung verwendeten Stempels. Ein Stempel 101 hat eine Struktur, die mit Vorsprüngen 105, 106, 107, 108 verschiedener Formen auf einer der Oberflächen eines Stempelsubstrats 102 gebildet ist. Die Vorsprünge 105 und 106 haben beide eine einfache Form mit unterschiedlichen Höhen. Der niedrigere Vorsprung 105 ist aus einem ersten Material allein zusammengesetzt, während der Abschnitt des höheren Vorsprungs 106, der die gleiche Höhe wie der Vorsprung 105 hat, aus dem ersten Material 103 zusammengesetzt ist, während der Abschnitt des höheren Vorsprungs 106, der höher als der Vorsprung 105 ist, aus einem zweiten Material 104 zusammengesetzt ist. Die Vorsprünge 107, 108 sind beide aus Abschnitten gebildet, bei denen unterschiedliche Höhen kombiniert sind. Wie bei dem Vorsprung 106 ist der Abschnitt von jedem der Vorsprünge 107, 108, der die gleiche Höhe wie der Vorsprung 105 hat, aus dem ersten Material 103 zusammengesetzt, während der Abschnitt von diesen, der höher als der Vorsprung 105 ist, aus dem zweiten Material 104 zusammengesetzt ist. Eines der Merkmale dieser Ausführungsform liegt darin, dass der Stempel ein Substrat und mehrere Elemente (Vorsprung 106) einer Stapelstruktur umfasst, die mehrere auf dem Substrat gebildete Stufen aufweist, wobei jedes der Elemente aus zumindest zwei Arten von unterschiedlichen Materialien zusammengesetzt ist. Außerdem sind die angrenzenden der Schichten jedes Elements aus Materialien gebildet, die unterschiedliche Ätzraten gegenüber einem vorbestimmten Ätzverfahren haben.
  • In dem Fall, in dem ein Siliciumsubstrat als Stempelmaterial verwendet wird, sind die Fotolithographie und die Ätztechnik, die im Allgemeinen beim Halbleiterfertigungsprozess verwendet werden, beim Herstellen einer unregelmäßigen Form anwendbar.
  • 2A bis 2H sind Diagramme zum Erläutern des Prozesses zur Herstellung eines Stempels. Als Erstes wird, wie in 2A gezeigt, ein Siliciumoxidfilm 202 mit einer Dicke von 1,5 Mikrometern auf einer Oberfläche eines Einkristall-Siliciumsubstrats 201 mit einer Dicke von 500 Mikrometern gebildet. Ferner wird ein Siliciumfilm 203 mit einer Dicke von 1,0 Mikrometern über der gesamten Oberfläche des Siliciumoxidfilms 202 gebildet.
  • Als Nächstes wird, wie in 2B gezeigt, die Oberfläche des Mehrkristall-Siliciumfilms 203 mit einem ultraviolett-erweichten Fotolack 204 beschichtet.
  • Als nächster Schritt wird, wie in 2C gezeigt, ultraviolettes Licht mittels einer Ultraviolettlampe 206 durch eine Fotomaske 205 mit einem vorbestimmten Muster auf den Fotolack 204 gestrahlt, so dass der Fotolack an den bestrahlten Positionen erweicht wird, um dadurch Abschnitte 207 mit erweichtem Fotolack zu bilden. Der Fotolack 204 wird entwickelt, und die Abschnitte 207 mit erweichtem Fotolack werden entfernt. Somit werden, wie in 2D gezeigt, freigelegte Bereiche 208 auf der Oberfläche des Siliciumfilms 203 gebildet. Die Breite jedes freigelegten Bereichs 208 beträgt 3,0 Mikrometer.
  • Als Nächstes werden die freigelegten Bereiche 208 des Mehrkristall-Siliciumfilms 203 mit Cl2 (Chlor)-Gas trockengeätzt. Nur der Mehrkri stall-Siliciumfilm 203 wird selektiv geätzt, und der darunter liegende Siliciumoxidfilm 202 wird im Wesentlichen nicht geätzt. Im Ergebnis wird eine in 2E gezeigte Struktur erzeugt.
  • Der verbleibende Fotolack 204 wird in seiner Gesamtheit entfernt, und ein anderer Fotolack 204 wird zur Belichtung und Entwicklung mit einer (nicht gezeigten) Fotomaske mit einem zweiten Muster auf die Oberfläche der Mehrkristall-Siliciumfilme 203 und des Siliciumoxidfilms 202 geschichtet. Auf diese Weise wird eine Struktur erhalten, bei der der Siliciumoxidfilm 202 in den freigelegten Bereichen 208 freiliegt, wie in 2F gezeigt. Die Breite jedes freigelegten Bereichs 208 beträgt 1,0 Mikrometer.
  • Die freigelegten Bereiche 208 werden mit CHF3/O2-Gas trockengeätzt. Nur der Siliciumoxidfilm 202 wird selektiv geätzt, während das darunter liegende Einkristall-Siliciumsubstrat 201 im Wesentlichen nicht geätzt wird. Somit wird eine in 2G gezeigte Struktur erhalten.
  • Der verbleibende Teil des Fotolacks 204 wird vollständig entfernt. Es wird ein Stempel 101 mit einer in 2H gezeigten Struktur erzeugt.
  • Überdies wird Cl2-Gas als Ätzgas für den Mehrkristall-Siliciumfilm 203 verwendet. Nichtsdestoweniger kann alternativ ein solches Gas wie CF4/O2, HBr oder Cl2/HBr/O2 mit gleicher Wirkung verwendet werden. Diese Gase haben, wie das Cl2-Gas, eine viel niedrigere Ätzrate gegenüber dem Siliciumoxidfilm als gegenüber dem Mehrkristall-Siliciumfilm. Somit kann der Mehrkristall-Siliciumfilm allein selektiv geätzt werden. Außerdem kann als Alternative zu dem oben als Ätzgas für den Siliciumoxidfilm 202 beschriebenen CHF3/O2-Gas irgendeines von solchen Gasen wie CF4/H2, CHF/O2, C2F6 und C3F8 alternativ mit gleicher Wirkung verwendet werden. Diese Gase haben, wie das CHF3/O2-Gas eine viel niedrigere Ätzrate gegenüber dem Mehrkristall-Siliciumfilm als gegenüber dem Siliciumoxidfilm, und deshalb kann nur der Siliciumoxidfilm selektiv geätzt werden.
  • Die Verwendung eines Ätzprozesses, der fähig ist, Selektivität zwischen den angrenzenden Materialien von Vorsprüngen mit einer Stapelstruktur vorzuweisen, macht es möglich, die Höhe jeder Stufe gemäß der Dicke jedes Materials zu steuern. In anderen Worten können durch gleichmäßiges Regulieren der Dicke jedes Materials die Abmessungen ohne Rücksicht auf irgendwelche Veränderungen der Ätzbedingungen stabil gesteuert werden.
  • Nachstehend werden eine andere Struktur eines Stempels und ein Verfahren zur Herstellung des Stempels beschrieben.
  • Der oben beschriebene Stempel kann selbstverständlich zur Musterübertragung verwendet werden. Nach wiederholten Musterübertragungsvorgängen kann jedoch durch die Degenerierung des Stempels ein Musterübertragungsfehler verursacht werden. Aus diesem Grund können die Kosten manchmal dadurch effektiv gesenkt werden, dass als neuer Stempel die Struktur verwendet wird, die durch Duplizieren eines Musters des ersten Stempels erhalten wird, der die Originalplatte bildet.
  • 3A bis 3D zeigen ein Verfahren zur Herstellung eines Stempels, das als Originalplatte den gemäß dem ersten Verfahren erhaltenen Stempel verwendet. Als Erstes wird, wie in 3A gezeigt, die gesamte Oberfläche des Stempels 101, der ein gestuftes Muster aufweist, mit einem Metallnickelfilm 301 durch Sputtern gebildet. Als Nächstes wird, wie in 3B gezeigt, die Oberfläche des Metallnickelfilms 301 galvanisiert, um dadurch einen nickelplattierten Film 302 zu bilden. Als Nächstes wird, wie in 3C gezeigt, die Stempelplatte 101 von dem nickelplattierten Film 302 getrennt. Auf diese Weise kann ein Stempel 303 mit einer nickelplattierten Schicht hergestellt werden, wie in 3D gezeigt. Dieses Verfahren kann den Stempel 303 reproduzieren, der Vorsprünge eines gestuften Musters aufweist, das umgekehrt zu jenem des Stempels 101 ist, der die Originalplatte bildet.
  • 4A bis 4F zeigen ein anderes Verfahren zur Herstellung eines Stempels, das als Originalplatte den gemäß dem ersten Verfahren erzeugten Stempel verwendet. Als Erstes wird der Stempel 101, der die Originalplatte bildet, in Kontakt mit einem Epoxydharzsubstrat 401 etwa bis zur Glasübergangstemperatur des Epoxydharzsubstrats 401 erwärmt, um dadurch das Substrat zu erweichen. Auf diese Weise wird das Epoxydharzsubstrat 401 verformt, wie in 4A gezeigt. Die gesamte Anordnung wird dann auf 25°C abgekühlt, wonach der Stempel 101 und das Epoxydharzsubstrat 401 voneinander getrennt werden, wie in 4B gezeigt. Als Nächstes wird die Oberfläche des Epoxydharzsubstrats 401, das ein gestuftes Muster aufweist, mit einem Nickelmetallfilm 402 durch Sputtern gebildet, wodurch die in 4C gezeigte Struktur erzeugt wird. Wie in 4D gezeigt, wird die Oberfläche des Nickelmetallfilms 402 mit einem nickelplattierten Film 403 durch Galvanisieren gebildet. Wie in 4E gezeigt, werden der nickelplattierte Film 403 und das Epoxydharzsubstrat 401 voneinander getrennt, wodurch ein Stempel 404 erzeugt wird, wie in 4F gezeigt. Der durch dieses Verfahren gefertigte Stempel 404 hat Vorsprünge des gestuften Musters des Stempels 101, das so, wie es ist, von der Originalplatte erzeugt wird.
  • Nachstehend wird ein Beispiel für die Erfindung erläutert. Dieses Beispiel betrifft Fehler bei der Verwendung eines Verfahrens zur Musterübertragung.
  • Bei der Prägetechnik wird ein Muster unter Verwendung eines Stempels durch derartige Schritte übertragen, dass die Substratoberfläche, auf die das Muster übertragen werden soll, im Voraus mit einem Fotolackfilm gebildet wird und der Stempel gegen den Fotolackfilm gepresst wird, um dadurch den Fotolack zu verformen. Auf diese Weise wird das gestufte Muster, das auf der Oberfläche des Stempels gebildet ist, auf den Fotolack übertragen. In dem Fall, in dem der Fotolack 502, der auf der Oberfläche des gegenständlichen Substrats 501 gebildet ist, nicht ausreichend verformt wird, wenn der Stempel 101 gegen den Fotolack 502 gepresst wird, wie in 5 gezeigt, können jedoch mit dem Stempel 101 Lücken 503 zurückgelassen werden, die in einem Musterfehler resultieren.
  • Ein Musterübertragungsverfahren zum Vermeiden dieses Problems wird unter Bezugnahme auf 6A bis 6C erläutert. Zuerst wird, wie in 6A gezeigt, die Oberfläche des Stempels 101 mit einem gestuften Muster mit einem Fotolack 601 rotationsbeschichtet, so dass der Fotolack 601 in die Aussparungen des Stempels 101 gefüllt wird. Als Nächstes wird, wie in 6B gezeigt, der Fotolack 601 in Kontakt mit einem gegenständlichen Substrat 602 gebracht, und dann wird der Fotolack 601 durch eine Wärmebehandlung gehärtet. Die gesamte Anordnung wird auf 25°C abgekühlt, wonach der Stempel 101 getrennt wird. Auf diese Weise wird der Fotolack 601 auf die Oberfläche des gegenständlichen Substrats 602 übertragen, wodurch die in 6C gezeigte Struktur erzeugt wird. Gemäß diesem Verfahren kann das gestufte Muster auf die gleiche Weise erzeugt werden, wie wenn der Stempel in Kontakt mit dem im Voraus auf die Oberfläche des Substrats geschichteten Fotolack gehalten wird, während gleichzeitig das Auftreten eines Musterfehlers unterdrückt wird, welcher andernfalls durch eine unzureichende Fotolackdeformierung verursacht werden könnte.
  • Nachstehend wird eine Ausführungsform der Erfindung gemäß Anspruch 1 erläutert. Bei dieser Ausführungsform wird die Oberfläche eines gegenständlichen Substrats unter Verwendung eines übertragenen Musters belichtet, das mittels eines Stempels übertragen wird.
  • Unter Bezugnahme auf 7A bis 7E wird der Prozess von Schritten zum Übertragen eines Musters erläutert. Wie in 7A gezeigt, wird ein Glassubstrat 701 mit einem darauf geschichteten Fotolack 702 gefertigt. Wie in 7B gezeigt, wird ein Stempel 101 in Kontakt mit dem Fotolack 702 gebracht, während gleichzeitig die gesamte Anordnung auf die Glasübergangstemperatur des Fotolacks 702 erwärmt wird. Auf diese Weise wird das gestufte Muster des Stempels 101 durch die Deformierung des Fotolacks 702 übertragen. Als Nächstes wird die gesamte Anordnung auf 25°C abgekühlt, wonach der Stempel 101 entfernt wird. Wie in 7C gezeigt, wird ein Fotolackmuster mit freigelegten Bereichen 703 auf der Oberfläche des Glassubstrats 701 erhalten. Das Glassubstrat 701 wird unter Verwendung der freigelegten Bereiche 703 verarbeitet. In dem Fall, in dem die Dicke des Fotolacks 702 größer als die Höhe der Vorsprünge des Stempels 101 in 7A ist, werden Restfotolackbereiche 704 in den Aussparungen des Fotolacks 702 gebildet, wie in 7D gezeigt. Deshalb wird der Fotolack 702 dem Prozess des reaktiven Ionenätzens (im Folgenden als RIE bezeichnet) mit anisotropem Charakteristikum unterzogen, wie in 7E gezeigt, wodurch es möglich gemacht wird, ein Fotolackmuster mit der gleichen Struktur wie in 7C zu bilden.
  • Zur weiteren Veranschaulichung wird eine Erläuterung der Schritte zur Verarbeitung einer Nut mit einem komplizierten Querschnitt in der Oberfläche eines Glassubstrats unter Verwendung des wie oben beschrieben erhaltenen Fotolackmusters gegeben. 8A bis 8E sind Diagramme zum Erläutern der Schritte zum Bilden einer Nut in der Oberfläche des Glassubstrats. 8A zeigt einen Zustand unmittel bar nach dem Bilden eines Fotolackmusters mit einem freigelegten Bereich 703 des Glassubstrats 701 durch den oben beschriebenen Musterübertragungsprozess. Durch Trockenätzen der dem freigelegten Bereich 703 entsprechenden Oberfläche des Glassubstrats 701 mit CF4/H2-Gas wird nur der dem freigelegten Bereich 703 entsprechende Teil des Glassubstrats 701 in die Struktur geätzt, wie in 8B gezeigt. Das anschließende Fotolackätzen durch RIE bis zur vollständigen Entfernung der gesamten niedrigstufigen Abschnitte des Fotolacks 702 entfernt den Fotolack und vergrößert die freigelegten Bereiche 703, wie in 8C gezeigt. Unter dieser Bedingung wird das Trockenätzen mit CF4/H2-Gas wieder ausgeführt. Nur die freigelegten Bereiche 703 werden geätzt, um die in 8D gezeigte Struktur zu bilden. Danach wird der Fotolack 702 entfernt, um ein kanalförmiges Glassubstrat zu erzeugen, wie in 8E gezeigt. Anstelle des bei dieser Ausführungsform verwendeten CF4/H2-Gases können solche Gase wie SF6, CF4, CHF3, CF4/O2, HBr, Cl2 und Cl/HBr/O2 mit gleicher Wirkung verwendet werden.
  • Mehrere Fotolackmuster zum Bilden einer Nut mit einer komplizierten Form des Querschnitts können in einem einzelnen Musterübertragungsprozess gebildet werden. Deshalb kann verglichen mit der herkömmlichen Fotolithographie oder Prägetechnik die Anzahl der Teile und die Anzahl der Schritte, die erforderlich sind, für niedrigere Herstellungskosten reduziert werden. Außerdem kann, da die Positionsanpassung zwischen den Mustern beseitigt ist, eine Form mit einer hohen Abmessungsgenauigkeit leicht erhalten werden.
  • Nachstehend wird eine weitere Ausführungsform der Erfindung erläutert. Diese Ausführungsform verkörpert die Schritte zur Herstellung eines Lichtwellenleiters unter Verwendung eines übertragenen Musters.
  • Zuerst wird, wie in 9A gezeigt, ein Überzugselement 904 auf der Oberfläche eines Glasepoxydsubstrats 901 gebildet und zwei Stunden lang auf 150°C gehalten, wodurch das Überzugselement 904 thermisch abgebunden wird. Das Überzugselement 904 ist aus einer Mischung von cycloaliphatischem Epoxydharz, Methylnadicanhydrid und einem Katalysator auf Imidazolbasis hergestellt. Nach Beschichten eines ultraviolett-erweichten Fotolacks 702 auf der Oberfläche des Überzugselements 904 wird das Muster unter Verwendung des Stempels gemäß der Erfindung übertragen. Auf diese Weise wird eine Struktur erhalten, wie sie in 9B gezeigt ist. Als Nächstes werden, wie in 9C gezeigt, Kernelemente 902 auf der Oberfläche des Fotolacks 702 und des freigelegten Bereichs 703 gebildet, wonach die Kernelemente 902 thermisch abgebunden werden, indem sie zwei Stunden lang auf 150°C gehalten werden. Die Kernelemente 902 sind aus einer Mischung von verflüssigtem Epoxydharz vom Bisphenol-A-Typ, Phenol-Novolac-Harz und Triphenylphosphin als Material hergestellt. Die gesamte Oberfläche, die mit den Kernelementen 902 gebildet ist, wird durch eine (nicht gezeigte) ultraviolette Lampe mit ultraviolettem Licht bestrahlt. Dann wird das ultraviolette Licht durch die Kernelemente 902 auch auf den Fotolack 702 gestrahlt. Bei dem Prozess werden, wie in 9D gezeigt, die Teile des Fotolacks 702, die sich in Kontakt mit den Kernelementen 902 befinden, belichtet, wodurch sie Abschnitte 903 mit erweichtem Fotolack bilden. Der Fotolack 702 wird entwickelt, um die Abschnitte 903 mit erweichtem Fotolack zu entfernen. Gleichzeitig werden die Kernelemente 902, die auf der Oberfläche der Abschnitte 903 mit erweichtem Fotolack gebildet worden sind, entfernt, wodurch die in 9E gezeigte Struktur gebildet wird. Bis die niedrigstufigen Abschnitte des Fotolacks 702 vollständig entfernt sind, wird das Fotolackätzen durch RIE ausgeführt. Wie in 9F gezeigt, werden die an das Kernelement 902 angrenzenden Abschnitte des Fotolacks 702 entfernt, um dadurch neue freigelegte Bereiche 703 zu bilden. Wie in 9G gezeigt, werden Überzugselemente 904 auf der Oberfläche des Fotolacks 702, der freigelegten Bereiche 703 und des Kernelements 902 gebildet, wonach die Überzugselemente 904 thermisch gesetzt werden, indem sie für zwei Stunden bei 150°C gehalten werden. Unter dieser Bedingung wird der Fotolack 702 nach Bestrahlung mit ultravioletten Licht, bis der gesamte Fotolack 702 erweicht ist, durch das Lift-off-Verfahren oder durch Entwicklung entfernt. Auf diese Weise wird, wie in 9H gezeigt, ein Lichtwellenleiter erhalten, der einen derartigen Aufbau hat, dass der Kern durch das Überzugselement umgeben ist. Anders als bei dieser Ausführungsform, die ein Epoxydmaterial für den Lichtwellenleiter verwendet, kann selbstverständlich ein solches Material wie Polyimid, Acryl oder Silicium mit gleicher Wirkung verwendet werden.
  • Wie oben unter Bezugnahme auf die Beispiele und die Ausführungsformen gemäß Anspruch 1 beschrieben, macht es die Verwendung eines Stempels, der zumindest zwei Stufen an der Seitenwandfläche jedes Vorsprungs der Stempeloberfläche aufweist, möglich, ein Muster zum Bilden einer Kanalstruktur mit einer komplizierten Form des Querschnitts und eine Struktur aus mehreren Materialien gemeinsam zu übertragen. Im Vergleich zur herkömmlichen Lithographie und Prägetechnik können somit die Herstellungskosten gesenkt werden.
  • Es wird daher aus der vorhergehenden Beschreibung klar, dass gemäß dieser Erfindung mehrere Muster gemeinsam übertragen werden können, so dass die Selbstausrichtung zwischen den Mustern erreicht werden kann, wodurch es möglich gemacht wird, eine Struktur mit einer hohen Abmessungsgenauigkeit zu bilden.
  • Es sollte von Fachleuten weiterhin verstanden werden, dass, obwohl die vorhergehende Beschreibung über Ausführungsformen der Erfin dung erfolgt ist, die Erfindung nicht auf diese beschränkt ist und verschiedene Änderungen und Modifikationen durchgeführt werden können, ohne dass von dem Umfang der Erfindung, der durch die beigefügten Ansprüche definiert ist, abgewichen wird.

Claims (1)

  1. Verfahren zum Bilden einer Struktur unter Verwendung eines von einem Stempel übertragenen Musters, mit: einem Schritt des Formens eines Widerstandsschichtmusters mit n physischen Stufen (n, m: ganze Zahlen) auf der Oberfläche eines gegenständlichen Substrats (901) mittels eines Stempels mit mehren physischen Stufen; und einem Schritt des Bildens zumindest eines neuen Bereichs des Widerstandsschichtmusters, wo das gegenständliche Substrat freiliegt, durch Entfernen der Widerstandsschicht (702) des Widerstandsschichtmusters bis zur Höhe der ersten physischen Stufe von der Oberfläche des gegenständlichen Substrats aus; und Formen zumindest eines neuen Bereichs, wo das gegenständliche Substrat freiliegt, durch Entfernen der Widerstandsschicht bis zur Höhe der zweiten physischen Stufe von der Oberfläche des gegenständlichen Substrats des Widerstandsmusters (703), wobei der Schritt des Bildens zumindest eines neuen Bereichs bis zu n mal wiederholt wird, gekennzeichnet durch einen Schritt des Bildens ersten strukturierten Materials auf der Oberfläche des zurückgenommenen Bereichs des Widerstandsschichtmusters, wo das gegenständliche Substrat freiliegt (902); und einen Schritt des Bildens zumindest eines neuen strukturierten Materials auf der Oberfläche des zurückgenommenen Bereichs des Widerstandsschichtmusters einschließlich der Oberfläche des strukturierten Materials (902), das unmittelbar vorher gebildet wurde, wobei der Schritt des Bildens eines strukturierten Materials aufweist: Verwenden eines durchscheinenden Materials als strukturiertes Material der m-ten physischen Stufe, wobei m ≤ n gilt, und mit den Schritten: Bilden des durchscheinenden Materials auf der Oberfläche des Widerstandsschichtmusters (902) und dem Bereich, wo das gegenständliche Substrat freiliegt; Erweichen der Oberfläche der Widerstandsschicht, die mit dem durchscheinenden Material in Kontakt steht, durch Bestrahlen mit Licht der gesamten Oberfläche des durchscheinenden Materials; Entfernen des erweichten Bereichs (903) und des durchscheinenden Materials, das in Kontakt mit dem erweichten Bereich steht, durch Entwickeln der Widerstandsschicht (702); und Bilden zumindest einen neuen Bereichs (703), in dem das gegenständliche Substrat frei liegt, durch Entfernen der Widerstandsschicht bis zur Höhe der m-ten physikalischen Stufe des Widerstandsschichtmusters von der Oberfläche des gegenständlichen Substrats.
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