KR100834511B1 - 임프린팅용 스탬퍼 제조방법 - Google Patents

임프린팅용 스탬퍼 제조방법 Download PDF

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Abstract

임프린팅용 스탬퍼 및 그 제조방법이 개시된다. 회로패턴 및 비아홀에 상응하는 양각의 패턴이 돌출 형성되는 임프린팅용 스탬퍼를 제조하는 방법으로서, (a) 에칭대상층에 에칭방지층이 적층된 기판의 에칭대상층을 선택적으로 에칭하여, 비아홀에 상응하는 제1 단턱이 함입되도록 하는 단계, (b) 에칭대상층을 선택적으로 에칭하여, 회로패턴에 상응하는 제2 단턱이 함입되고 제1 단턱의 단부가 에칭방지층에 접하도록 하는 단계, (c) 제1 단턱 및 제2 단턱에 몰딩재가 충전되도록 몰딩재를 기판에 적층시키는 단계, 및 (d) 몰딩재를 기판으로부터 분리하는 단계를 포함하는 임프린팅용 스탬퍼 제조방법은, 임프린팅용 스탬퍼를 다단의 패턴을 갖도록 제작함으로써, 임프린팅 공정에 사용되는 스탬퍼의 갯수 및 임프린팅 공정의 수를 줄여 시간 및 비용을 절감할 수 있다.
임프린팅, 스탬퍼, 에칭방지층

Description

임프린팅용 스탬퍼 제조방법{Manufacturing method of stamper for imprinting}
도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 임프린팅용 스탬퍼 제조방법을 나타낸 순서도.
도 2a는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 임프린팅용 스탬퍼 제조공정을 나타낸 흐름도.
도 2b는 본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따른 임프린팅용 스탬퍼 제조공정을 나타낸 흐름도.
도 3은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 임프린팅용 스탬퍼를 나타낸 단면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1 : 광원 9 : 글래스 기판
10 : 실리콘 기판 12 : 포토 레지스트
14, 15 : 마스크 20, 21 : 제1 단턱
22, 23 : 제2 단턱 30 : 몰딩재
본 발명은 임프린팅용 스탬퍼 제조방법에 관한 것이다.
인쇄회로기판 제조방법 중 임프린팅 방법은, 회로패턴에 상응하는 양각의 패턴이 표면에 돌출 형성된 스탬퍼(stamper)를 절연기판에 압착(imprint)함으로써, 절연기판 상에 회로패턴에 해당하는 음각의 패턴이 함입되도록 하고, 음각의 패턴 내에 도전성 물질을 충전시킴으로써 회로패턴 기판을 제조하는 방법이다.
이와 같이, 임프린팅 방법에는 회로패턴에 상응하는 양각의 패턴이 형성된 스탬퍼가 사용되며, 스탬퍼에는 회로패턴 뿐만 아니라 층간 도통을 위한 비아홀(via hole)도 형성될 수 있도록 2단의 돌출부가 형성된다. 즉, 스탬퍼의 표면으로부터 제1 단의 높이로 회로패턴에 상응하는 양각 패턴이 돌출되며, 그보다 더 높은 제2 단의 높이로 비아홀에 상응하는 양각 패턴이 돌출 형성되는 것이다.
임프린팅용 스탬퍼에 2단의 양각 패턴을 형성하기 위해, 종래에는 여러 개의 1단의 높이를 갖는 여러 개의 스탬퍼를 이용하여 정합을 맞춘 후 차례대로 성형함으로써 다단의 높이를 갖는 음각 패턴을 형성하거나, 회로패턴에 상응하는 1단의 양각 패턴을 갖는 스탬퍼를 사용하여 1차로 임프린팅한 후 레이저 가공 등으로 비아홀을 성형하여 다단의 높이를 갖는 음각 패턴을 형성하는 방법 등이 적용되었다.
그러나, 이와 같은 종래기술에 따른 임프린팅 방법에는 여러 벌의 스탬퍼를 구비해야 하므로 비용이 상승하며, 1단의 음각 패턴을 형성한 후 정합(alignment) 및 추가 임프린팅 공정을 거쳐야 하는 문제, 또는 추가적인 레이저 성형 공정이 필요하다는 문제 등, 시간 및 비용상의 문제가 있다.
본 발명은 공정을 단축하고, 스탬퍼의 제조비용과 시간을 절감할 수 있는 임프린팅용 스탬퍼 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 회로패턴 및 비아홀에 상응하는 양각의 패턴이 돌출 형성되는 임프린팅(imprinting)용 스탬퍼(stamper)를 제조하는 방법으로서, (a) 에칭대상층에 에칭방지층이 적층된 기판의 에칭대상층을 선택적으로 에칭하여, 비아홀에 상응하는 제1 단턱이 함입되도록 하는 단계, (b) 에칭대상층을 선택적으로 에칭하여, 회로패턴에 상응하는 제2 단턱이 함입되고 제1 단턱의 단부가 에칭방지층에 접하도록 하는 단계, (c) 제1 단턱 및 제2 단턱에 몰딩재가 충전되도록 몰딩재를 기판에 적층시키는 단계, 및 (d) 몰딩재를 기판으로부터 분리하는 단계를 포함하는 임프린팅용 스탬퍼 제조방법이 제공된다.
본 발명의 일측면에서는 에칭 대상층에 비아홀에 상응하는 제1 단턱을 함입시킨 후, 다시 회로패턴에 상응하는 제2 단턱을 함입시키면서 제1 단턱의 단부가 에칭방지층에 접하도록 하는 것을 특징으로 한다. 여기서, 제1 단턱과 제2 단턱의 형성 순서가 서로 바뀌어도 가능하다.
즉, 본 발명의 다른 측면에 따르면, 회로패턴 및 비아홀에 상응하는 양각의 패턴이 돌출 형성되는 임프린팅(imprinting)용 스탬퍼(stamper)를 제조하는 방법으로서, (a) 에칭대상층에 에칭방지층이 적층된 기판의 에칭대상층을 선택적으로 에 칭하여, 회로패턴에 상응하는 제2 단턱이 함입되도록 하는 단계, (b) 제2 단턱을 선택적으로 에칭하여, 비아홀에 상응하는 제1 단턱이 함입되어 그 단부가 에칭방지층에 접하도록 하는 단계, (c) 제1 단턱 및 제2 단턱에 몰딩재가 충전되도록 몰딩재를 기판에 적층시키는 단계, 및 (d) 몰딩재를 기판으로부터 분리하는 단계를 포함하는 임프린팅용 스탬퍼 제조방법이 제공된다.
에칭대상층은 실리콘 기판을 포함하며, 에칭방지층은 글래스(glass) 기판을 포함할 수 있다.
단계 (a)는, (a1) 에칭대상층에 포토 레지스트를 도포하는 단계, (a2) 비아홀의 위치에 상응하여 포토 레지스트를 선택적으로 제거하는 단계, 및 (a3) 기판을 드라이(dry) 에칭하여 제1 단턱을 형성하는 단계를 포함할 수 있으며, 단계 (a2)는, (a4) 비아홀의 위치에 상응하는 패턴이 천공된 제1 마스크를 포토 레지스트 상에 위치시키는 단계, 및 (a5) 제1 마스크에 광을 조사하여 포토 레지스트를 선택적으로 현상시키는 단계를 포함할 수 있다.
단계 (b)는, (b1) 회로패턴이 형성되는 위치에 상응하여 포토 레지스트를 선택적으로 제거하는 단계, 및 (b2) 기판을 드라이(dry) 에칭하여 제2 단턱을 형성하는 단계를 포함할 수 있으며, 단계 (b1)은, (b3) 회로패턴이 형성되는 위치에 상응하는 패턴이 천공된 제2 마스크를 포토 레지스트 상에 위치시키는 단계, 및 (b4) 제2 마스크에 광을 조사하여 포토 레지스트를 선택적으로 현상시키는 단계를 포함할 수 있다.
몰딩재는 도금층을 포함하며, 단계 (c)는, (c1) 기판에 전주 도 금(electroforming)을 하여 도금층이 제1 단턱 및 제2 단턱에 충전되도록 하는 단계를 포함할 수 있다.
몰딩재는 폴리머(polymer)를 포함하며, 단계 (c)는, (c2) 기판에 모노머(monomer)를 도포하는 단계, (c3) 모노머를 중합시켜 폴리머를 형성하는 단계, 및 (c4) 폴리머를 경화시키는 단계를 포함할 수 있다. 단계 (d) 이후에 폴리머의 표면을 도금하는 단계를 더 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 측면에 따르면, 임프린트(imprint)에 의해 절연층에 회로패턴 및 비아홀을 전사하는 임프린팅용 스탬퍼로서, 기판과, 회로패턴에 상응하여 기판으로부터 돌출 형성되는 제1 단턱과, 비아홀에 상응하여 제1 단턱으로부터 돌출 형성되는 제2 단턱을 포함하는 임프린팅용 스탬퍼가 제공된다.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 잇점이 이하의 도면, 특허청구범위 및 발명의 상세한 설명으로부터 명확해 질 것이다.
이하, 본 발명에 따른 임프린팅용 스탬퍼 및 그 제조방법의 바람직한 실시예를 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 임프린팅용 스탬퍼 제조방법을 나타낸 순서도이고, 도 2a는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 임프린팅용 스탬퍼 제조공정을 나타낸 흐름도이고, 도 2b는 본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따른 임프린팅용 스탬퍼 제조공정을 나타낸 흐름도이다. 도 2a 및 도 2b를 참조하면, 광원(1), 글래스 기판(9), 실리콘 기판(10), 포토 레지스트(12), 마스크(14, 15), 제1 단턱(20, 21), 제2 단턱(22, 23), 몰딩재(30)가 도시되어 있다.
본 실시예는 인쇄회로기판을 제조하기 위한 임프린팅 공정에 사용되는 스탬퍼를 다단으로 제작함으로써, 한 번의 임프린팅 공정으로 다단의 음각 패턴이 성형된 구조물을 제조할 수 있도록 하여, 공정을 단축하고 스탬퍼 제조비용과 시간을 절감하는 것을 특징으로 한다.
이를 위해, 드라이 에칭 방법을 이용하여 마스터 몰드(mold)가 되는 실리콘 기판(10)을 다단으로 제작하고, 그 위에 금속을 도금하거나 경화성 고분자를 충전하여 스탬퍼를 다단으로 제작함으로써, 종래에 사용되던 여러 벌의 스탬퍼를 1개의 스탬퍼로 절감한다.
또한, 다단으로 양각의 패턴을 형성하는 과정에서 비아홀에 상응하여 몰드에 형성되는 깊이가 깊은 음각 패턴의 경우에는 에칭 공정에서 그 단부가 평탄하게 형성되지 않을 우려가 있으며, 이는 결국 스탬퍼에서 비아홀에 상응하는 돌출부의 단부가 평탄하지 않게 형성되는 결과를 초래한다.
이를 해결하기 위해 본 실시예에서는 마스터 몰드가 되는 실리콘 기판(10)에 글래스 기판(9) 등의 에칭방지층을 더 적층하고 에칭방지층에 접할 때까지 실리콘 기판(10)을 에칭함으로써 비아홀에 상응하는 음각 패턴의 단부가 평탄하게 형성되도록 한 것을 특징으로 한다.
즉, 본 실시예에 따라 회로패턴 및 비아홀에 상응하는 양각의 패턴이 돌출 형성되는 임프린팅용 스탬퍼를 제조하기 위해서는, 도 2a의 (a)와 같이 에칭대상층인 실리콘 기판(10)에 에칭방지층인 글래스 기판(9)이 적층된 기판을 마스터 몰드로서 사용한다.
먼저, 비아홀에 상응하는 제1 단턱(20)이 함입되도록 실리콘 기판(10)을 선택적으로 에칭한다(100). 이는 도 2a의 (b)와 같이 실리콘 기판(10) 상에 포토 레지스트(12)를 도포하고(102), 도 2a의 (c)와 같이 비아홀이 형성될 위치의 포토 레지스트(12)를 선택적으로 제거한 후(104), 도 2a의 (d)와 같이 실리콘 기판(10)을 드라이 에칭하여 제1 단턱(20)을 형성하는(110) 공정에 의해 수행된다.
드라이 에칭은 직진성이 있으므로, 좁고 깊은 형상의 비아홀의 단부가 평탄하게 되도록 가공할 수 있다. 다만, 드라이 에칭이라 하더라도 비아홀의 깊이가 깊어짐에 따라 단부의 평탄도가 떨어지는, 즉 비아홀의 단부가 둥글게 성형되는 경향이 나타나는데, 이는 전술한 바와 같이 에칭방지층을 더 적층한 실리콘 기판(10)을 사용하여 스탬퍼 제작용 몰드를 형성함으로써 해결될 수 있다.
비아홀이 형성될 위치의 포토 레지스트(12)를 선택적으로 제거하기 위해서는, 도 2a의 (c)에 도시된 것과 같이, 비아홀의 위치가 천공된 마스크(14)를 포토 레지스트(12) 상에 정렬시키고(106) 마스크(14) 상에 광원(1)을 위치시킴으로써, 마스크(14)를 통과한 광에 의해 비아홀이 형성될 위치의 포토 레지스트(12)만이 선택적으로 노광 및 현상되도록 한다(108).
이와 같이 비아홀에 상응하는 음각 패턴, 즉 제1 단턱(20)을 형성한 후에는 회로패턴에 상응하는 제2 단턱(22)을 형성한다. 즉, 제1 단턱(20)이 형성된 실리콘 기판(10)의 표면을 클리닝하고 포토 레지스트(12), 실리콘 가루 등의 이물질을 제거한 후, 실리콘 기판(10)에 다시 선택적으로 에칭을 적용하여 회로패턴에 상응하는 제2 단턱(22)이 함입되도록 한다(120). 이 과정에서 제1 단턱(20)의 형상은 제2 단턱(22)이 함입된 깊이만큼 깊이방향으로 평행이동하게 된다.
전술한 바와 같이 깊이방향으로 이동한 제1 단턱(20)의 단부는 평탄도가 떨어지는 경향이 나타날 수 있으므로, 이를 방지하기 위해 제2 단턱(22)을 형성하는 과정에서 제1 단턱(20)의 단부가 글래스 기판(9)까지 도달하도록, 즉 제1 단턱(20)이 에칭방지층에 접하도록 제2 단턱(22)을 형성하는 것이 좋다(120).
제2 단턱(22)을 형성하는 공정은, 도 2a의 (e)와 같이 제1 단턱(20)이 형성된 기판에 다시 포토 레지스트(12)를 도포하고 회로패턴이 형성될 위치만으로 선택적으로 제거한 후(122), 회로패턴의 위치가 천공된 마스크(15)를 포토 레지스트(12) 상에 정렬시키고(124) 마스크(15) 상에 광원(1)을 위치시킴으로써, 마스크(15)를 통과한 광에 의해 회로패턴이 형성될 위치의 포토 레지스트(12)만이 선택적으로 노광 및 현상되도록 한다(126).
다음으로, 도 2a의 (f)와 같이 실리콘 기판(10)을 드라이 에칭하여 제2 단턱(22)을 형성함과 동시에 제1 단턱(20)을 깊이 방향으로 평행이동 시킨다(128). 이 과정에서 제1 단턱(20)의 단부가 글래스 기판(9)에 접하게 되므로 제1 단턱(20)의 단부가 평탄하게 형성될 수 있다. 이로써, 임프린팅용 스탬퍼 제작을 위한 마스터 몰드가 형성된다.
다음으로, 임프린트용 스탬퍼를 제작하기 위해, 실리콘 기판(10)의 표면에 잔존하는 포토 레지스트(12)와 실리콘 가루 등을 깨끗이 제거한 다음, 도 2a의 (g)와 같이 마스터 몰드에 몰딩재(30)를 적층한다(140). 즉, 실리콘 기판(10)에 형성된 제1 단턱(20) 및 제2 단턱(22)에 몰딩재(30)를 충전시킨다.
마스터 몰드에 몰딩재(30)를 충전하는 방법으로는, 첫째, 실리콘 기판(10)에 전주 도금을 하여 도금층이 제1 단턱(20) 및 제2 단턱(22)에 충전되도록 하는 방법이 있다(142).
전주 도금(electroforming)은, 모형상에 금속을 전착시킨 후 그 전착금속을 분리하여 모형 표면과 반대의 요철을 갖는 제품을 얻거나, 전착금속의 표면에 다시 분리피막 처리를 하고 금속을 전착시켜서 분리함으로써 최초의 모형과 같은 요철을 갖는 제품을 얻는 데에 사용되는 방법으로서, 전기 도금이 가능한 금속이나 합금이면 원칙적으로 전주 도금이 가능하며, 난이도나 가격면에서 구리(Cu), 니켈(Ni)이 주로 사용되고 있다. 전주 도금은 복잡하거나 미세한 형상물의 전사, 복제에 사용되며, 가공 방법으로는 불가능한 시뮬레스 일체 구조물의 제조가 가능하다는 특징이 있다.
둘째, 실리콘 기판(10)에 고분자 모노머를 도포하여 액상의 모노머가 제1 단턱(20) 및 제2 단턱(22)에 충전되도록 한 후(144), 모노머를 중합시켜 고분자 폴리머 형성하고(146), 이를 경화시키는 방법이 있다(148).
이와 같이 도금 또는 고분자 도포 등의 방법으로 마스터 몰드에 몰딩재(30)를 적층한 후에는 도 2a의 (h)와 같이 몰딩재(30)를 기판으로부터 이형시킨다(160). 이로써 인쇄회로기판을 제조하기 위한 임프린팅용 스탬퍼가 완성된다. 본 실시예에 따른 임프린팅용 스탬퍼는 다단의 양각 패턴이 돌출 형성되어 있으며, 비아홀에 상응하는 제1 단의 돌출부의 단부가 평탄하게 형성된다.
한편, 고분자를 충전하여 임프린팅용 스탬퍼를 제작한 경우에는 폴리머의 표면을 도금함으로써(162), 전주 도금에 의해 제조된 스탬퍼와 동등한 수준의 경도 및 강도를 확보할 수 있다.
도 2a에 도시된 실시예에서는 에칭 대상층에 비아홀에 상응하는 제1 단턱을 함입시킨 후, 다시 회로패턴에 상응하는 제2 단턱을 함입시키면서 제1 단턱의 단부가 에칭방지층에 접하도록 한 것을 특징으로 한다. 도 2b는 도 2a와는 달리, 제1 단턱을 회로패턴에 상응하도록 먼저 형성하고, 제1 단턱 중의 일부를 제2 단턱으로 하여 비아홀에 상응하도록 합입시킨 것이다.
이와 같이 제1 단턱을 회로패턴에 상응하도록 형성하고, 그 일부를 드라이 에칭하여 비아홀에 상응하는 제2 단턱을 형성하더라도, 에칭방지층에 접할 때까지 실리콘 기판(10)을 에칭하여 제2 단턱을 형성하게 되면, 도 2a에서와 마찬가지로 비아홀에 상응하는 음각 패턴의 단부가 평탄하게 형성될 수 있다.
본 실시예에서는 도 2a와 차이가 있는 부분만을 설명하며, 도 2a와 공통된 부분에 대한 설명은 생략한다.
즉, 도 2b의 (c)와 같이 비아홀이 형성될 위치의 포토 레지스트(12)를 선택적으로 제거한 후, 도 2b의 (d)와 같이 실리콘 기판(10)을 드라이 에칭하여 회로패턴에 상응하는 제2 단턱(22)을 형성한다.
이와 같이 회로패턴에 상응하는 음각 패턴, 즉 제2 단턱(22)을 형성한 후에 는 비아홀에 상응하는 제1 단턱(20)을 형성한다. 즉, 제2 단턱(22)이 형성된 실리콘 기판(10)의 표면을 클리닝하고 다시 선택적으로 에칭을 적용하여 비아홀에 상응하는 제1 단턱(20)이 함입되도록 한다. 전술한 바와 같이 제1 단턱(20)의 단부의 평탄도가 떨어질 우려가 있어 이를 방지하기 위해서는, 제1 단턱(20)의 단부가 글래스 기판(9)까지 도달하도록, 즉 제1 단턱(20)이 에칭방지층에 접하도록 드라이 에칭을 하는 것이 좋다.
본 실시예에서 제1 단턱(20)을 형성하기 위해서는, 도 2b의 (e)와 같이 제2 단턱(22)이 형성된 기판에 다시 포토 레지스트(12)를 도포하고 비아홀이 형성될 위치만으로 선택적으로 제거한다. 즉, 비아홀의 위치가 천공된 마스크(14)를 포토 레지스트(12) 상에 정렬시키고 마스크(14) 상에 광원(1)을 위치시킴으로써, 마스크(14)를 통과한 광에 의해 비아홀이 형성될 위치의 포토 레지스트(12)만이 선택적으로 노광 및 현상되도록 한다.
다음으로, 도 2b의 (f)와 같이 실리콘 기판(10)을 드라이 에칭하여 제1 단턱(20)을 형성한다. 이 과정에서 제1 단턱(20)의 단부가 글래스 기판(9)에 접하게 되므로 제1 단턱(20)의 단부가 평탄하게 형성될 수 있다. 이로써, 임프린팅용 스탬퍼 제작을 위한 마스터 몰드가 형성된다.
이후의 공정은 도 2a와 마찬가지이므로, 상세한 설명은 생략한다.
도 3은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 임프린팅용 스탬퍼를 나타낸 단면도이다. 도 3을 참조하면, 제1 단턱(21), 제2 단턱(23), 몰딩재(30)가 도시되어 있다.
본 실시예에 따른 스탬퍼 제조방법에 따라 제조된 스탬퍼는, 도 3에 도시된 것과 같이 회로패턴과 비아홀에 각각 상응하는 다단의 양각 패턴이 돌출 형성되며, 또한 비아홀에 상응하는 돌출부, 즉 제1 단턱(21)의 단부가 평탄하게 형성되는 것을 특징으로 한다.
즉, 본 실시예에 따른 임프린팅용 스탬퍼는, 기판 상에 제1 단턱(21)이 돌출되어 있으며, 제1 단턱(21)으로부터 다시 제2 단턱(23)이 돌출되는 구조로 이루어진다. 전술한 것과 같이 마스터 몰드에 몰딩재(30)를 충전하여 스탬퍼를 제조할 경우에는 몰딩재(30)가 기판을 이루게 되며, 제1 단턱(21)과 제2 단턱(23)이 기판과 일체로 형성되게 된다.
본 실시예에 따른 스탬퍼를 사용하여 임프린팅 공정을 수행하게 되면, 제1 단턱(21)은 회로패턴에 해당하는 음각의 패턴을 절연재에 전사하며, 제2 단턱(23)은 비아홀에 해당하는 음각의 패턴을 절연재에 전사하게 된다.
전술한 실시예 외의 많은 실시예들이 본 발명의 특허청구범위 내에 존재한다.
상술한 바와 같이 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 임프린팅용 스탬퍼를 다단의 패턴을 갖도록 제작함으로써, 임프린팅 공정에 사용되는 스탬퍼의 갯수 및 임프린팅 공정의 수를 줄여 시간 및 비용을 절감할 수 있다.

Claims (11)

  1. 회로패턴 및 비아홀에 상응하는 양각의 패턴이 돌출 형성되는 임프린팅(imprinting)용 스탬퍼(stamper)를 제조하는 방법으로서,
    (a) 에칭대상층에 에칭방지층이 적층된 기판의 상기 에칭대상층을 선택적으로 에칭하여, 상기 비아홀에 상응하는 제1 단턱이 함입되도록 하는 단계;
    (b) 상기 에칭대상층을 선택적으로 에칭하여, 상기 회로패턴에 상응하는 제2 단턱이 함입되고 상기 제1 단턱의 단부가 상기 에칭방지층에 접하도록 하는 단계;
    (c) 상기 제1 단턱 및 상기 제2 단턱에 몰딩재가 충전되도록 상기 몰딩재를 상기 기판에 적층시키는 단계; 및
    (d) 상기 몰딩재를 상기 기판으로부터 분리하는 단계를 포함하는 임프린팅용 스탬퍼 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 에칭대상층은 실리콘 기판을 포함하며, 상기 에칭방지층은 글래스(glass) 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린팅용 스탬퍼 제조방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 단계 (a)는,
    (a1) 상기 에칭대상층에 포토 레지스트를 도포하는 단계;
    (a2) 상기 비아홀의 위치에 상응하여 상기 포토 레지스트를 선택적으로 제거하는 단계; 및
    (a3) 상기 기판을 드라이(dry) 에칭하여 상기 제1 단턱을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린팅용 스탬퍼 제조방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 단계 (a2)는,
    (a4) 상기 비아홀의 위치에 상응하는 패턴이 천공된 제1 마스크를 상기 포토 레지스트 상에 위치시키는 단계; 및
    (a5) 상기 제1 마스크에 광을 조사하여 상기 포토 레지스트를 선택적으로 현상시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린팅용 스탬퍼 제조방법.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 단계 (b)는,
    (b1) 상기 회로패턴이 형성되는 위치에 상응하여 상기 포토 레지스트를 선택적으로 제거하는 단계; 및
    (b2) 상기 기판을 드라이(dry) 에칭하여 상기 제2 단턱을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린팅용 스탬퍼 제조방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 단계 (b1)은,
    (b3) 상기 회로패턴이 형성되는 위치에 상응하는 패턴이 천공된 제2 마스크를 상기 포토 레지스트 상에 위치시키는 단계; 및
    (b4) 상기 제2 마스크에 광을 조사하여 상기 포토 레지스트를 선택적으로 현상시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린팅용 스탬퍼 제조방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 몰딩재는 도금층을 포함하며, 상기 단계 (c)는,
    (c1) 상기 기판에 전주 도금(electroforming)을 하여 상기 도금층이 상기 제1 단턱 및 상기 제2 단턱에 충전되도록 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린팅용 스탬퍼 제조방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 몰딩재는 폴리머(polymer)를 포함하며, 상기 단계 (c)는,
    (c2) 상기 기판에 모노머(monomer)를 도포하는 단계;
    (c3) 상기 모노머를 중합시켜 상기 폴리머를 형성하는 단계; 및
    (c4) 상기 폴리머를 경화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린팅용 스탬퍼 제조방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 단계 (d) 이후에 상기 폴리머의 표면을 도금하는 단계를 더 포함하는 임프린팅용 스탬퍼 제조방법.
  10. 삭제
  11. 삭제
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