DE404295T1 - Kondensatoren fuer integrierte schaltungen. - Google Patents

Kondensatoren fuer integrierte schaltungen.

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DE404295T1
DE404295T1 DE199090303064T DE90303064T DE404295T1 DE 404295 T1 DE404295 T1 DE 404295T1 DE 199090303064 T DE199090303064 T DE 199090303064T DE 90303064 T DE90303064 T DE 90303064T DE 404295 T1 DE404295 T1 DE 404295T1
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layer
electrodes
forming
dielectric
capacitor according
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DE199090303064T
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English (en)
Inventor
William L. Colorado Springs Colorado 80906 Larson
Original Assignee
Ramtron Corp., Colorado Springs, Col.
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Publication date
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L28/40—Capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
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    • Y10T29/43—Electric condenser making
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Claims (20)

  1. R835-1-T 91 DE/EP 16. Juli 1991
    Tu/lo
    Patentansprüche
    ,Q 1. Verfahren zur Herstellung eines Kondensators auf einem Substrat für eine integrierte Schaltung, gekennzeichnet durch
    die Ausbildung erster und zweiter durch ein dielektrisches Material voneinander getrennter
    .c Elektroden und durch die Ausbildung von Mehrfach-
    schichten für eine der Elektroden, wobei eine der Mehrfachschichten eine an die dielektrische Schicht angrenzende Plattenschicht umfaßt.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
    daß die eine Elektrode ausgebildet wird durch
    Einrichtung einer Adhäsionsschicht und
    Einrichtung einer an die dielektrische Schicht angrenzenden und oberhalb der Adhäsionsschicht
    angeordneten Plattenschicht.
    25
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
    daß die Einrichtungsschritte die Einrichtung einer unteren Schicht und einer darüberliegenden Plattenschicht umfassen und dann die Rückwirkung der
    unteren Schicht zur Ausbildung der Adhäsionsschicht..
  4. 4. Verfahren zu Herstellung eines mehrschichtigen Elektrodenkondensators auf einerr^ integrierten
    Schaltkreis, das die Schritte umfaßt:
    35
    Herstellen einer ersten mehrschichtigen Elektrode
    durch die Schritte (a) eine Adhäsionsschicht auf einem Substrat auszubilden, (b) eine Diffusionsbar-
    riere auf der Adhäsionsschicht auszubilden, (c)
    einen elektrischen Leiter auf der Diffusionsbarriere auszubilden und (d) eine Platten- und eine Kristallisationsschicht auf dem elektrischen Leiter auszubilden;
    Herstellen einer zweiten mehrschichtigen Elektrode durch (a) Ausbilden einer zweiten Plattenschicht auf dem Dielektrikum, (b) Ausbilden einer zweiten Diffusionsbarriere auf der zweiten Elektrode und (c) Ausbilden einer zweiten elektrischen Leitungs
    schicht auf der zweiten Diffusionsbarriere.
  5. 5. Kondensator für einen integrierten Schaltkreis mit: ersten und zweiten Elektroden und einem zwischen den Elektroden angeordnetem Dielektrikum, wobei
    eine der Elektroden eine an dem Dielektrikum angrenzende Plattenschicht und eine weitere Schicht aufweist.
  6. 6. Kondensator nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die weitere Schicht eine Diffusionsbarriere umfaßt.
  7. 7. Kondensator nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die weitere Schicht eine elektrische Kontaktschicht umfaßt.
  8. 8. Kondensator nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die weitere Schicht eine Adhäsionsschicht umfaßt.
  9. 9. Kondensator nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die eine Elektrode eine Plattenschicht und zwei weitere Schichten umfaßt.
  10. 10. Kondensator nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet,
    daß die eine Elektrode wenigstens drei charakteristische Schichten umfaßt.
  11. 11. Kondensator nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet,
    daß die andere der Elektroden eine zweite Plattenschicht und eine zweite weitere Schicht umfaßt.
  12. 12. Kondensator nach Anspruch 10, dadurch gekennzeich- A
    net,
    daß eine der Elektroden die Plattenschicht, eine elektrisch leitende Schicht, eine Adhäsionsschicht IQ und Diffusionsbarriere, umfaßt.
  13. 13. Kondensator nach Anspruch 5 mit:
    einer Adhäsionsschicht auf einem Substrat;
    einer Diffusionsbarriere und einem elektrischen . c Kontakt, die beide zwischen der Plattenschicht und
    dem Substrat angeordnet sind.
  14. 14. Kondensator nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die weitere Schicht der einen Elektrode eine
    elektrische Kontaktschicht und eine Diffusionsbar-20
    riere umfaßt.
  15. 15. Kondensator nach Anspruch 14, gekennzeichnet durch eine Adhäsionsschicht.
  16. 16. Kondensator nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet,
    daß die weitere Schicht Titan oder Titanstickstoff aufweist.
  17. 17. Kondensator für eine integrierte Schaltung mit:
    30
    ersten und zweiten Elektroden; und
    einem zwischen den Elektroden angeordnetem Dielektrikum, wobei eine der Elektroden eine an das ' Dielektrikum grenzende Plattenschicht und eine
    weitere Schicht aufweist, wobei die weitere Schicht * 35
    eine Schicht aus Titan und eine Schicht aus Titanstickstoff umfaßt.
  18. 18. Kondensator nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet,
    daß die weitere Schicht des weiteren eine Schicht aus Aluminium aufweist.
  19. 19. Verfahren zur Herstellung eines Kondensators auf
    einer integrierten Schaltung, das die Schritte umfaßt:
    Ausbilden durch ein dielektrisches Material IQ getrennter erster und zweiter Elektroden, wobei
    eine der Elektroden hergestellt wird durch (a) Ausbilden wenigstens einer Schicht, (b) Ausbilden einer Plattenschicht -auf der einen Schicht und (c) Oxidieren der einen Elektrode, wobei die wenigstens
    &eegr; _ eine Schicht oxidiert ist und die Plattenschicht an
    die dielektrische Schicht angrenzt.
  20. 20. Verfahren nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, daß die andere der Elektroden hergestellt wird
    durch die Schritte: (a) Ausbilden einer zweiten 20
    Plattenschicht, (b) Ausbilden wenigstens einer weiteren Schicht und (c) Oxidieren der anderen Elektrode, wobei die weitere Schicht oxidiert ist und die zweite Plattenschicht an die dielektrische
    Schicht angrenzt.
    25
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