DE3587830T2 - Apparat zur Herstellung von Halbleiteranordnungen. - Google Patents

Apparat zur Herstellung von Halbleiteranordnungen.

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Hidetaka Sagamihara-Shi Kanagawa-Ken Jyo
Reiichiro Sagamihara-Shi Kanagawa-Ken Sensui
Masahiro San Jose Ca 95129 Shibagaki
Noboru Chigasaki-Shi Kanagawa-Ken Suzuki
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Description

  • Die vor liegende Erfindung bezieht sich auf eine Apparatur zur Herstellung von Halbleitereinrichtungen, beispielsweise durch Ätzen, Erwärmen und Spülen von zu behandelnden Materialien, wie etwa Halbleiterwafern.
  • Beim Ätzen von Aluminiumschichten auf Wafern oder zu behandelnden Materialien sind allgemein Chloridgase, wie etwa SiCl&sub4;, CCl&sub4;, BCl&sub3;, Cl&sub2; verwendet worden. Das Ätzen geht durch chemische Reaktionen von A1 mit diesen Ätzgasen vonstatten. Im Falle eines Ätzprozesses, bei dem Wafer einzeln bearbeitet bzw. geätzt werden, muß eine Ätzkammer dauernd unter Vakuum gehalten werden, um Korrosion durch Chlor zu verhindern, das durch die chemischen Reaktionen von in der Umgebungsluft enthaltenem Wasser mit den Ätzgasen erzeugt wird.
  • Weiter tritt nach dem Ätzprozeß, wenn die geätzten Wafer der umgebenden Atmosphäre ausgesetzt sind, Korrosion ein, so daß die geätzten Wafer der Wärmebehandlung oder der Wasserspülung unterzogen werden, wodurch restliche Chloridverbindungen beseitigt werden.
  • Bei Geräten zur Erzeugung von Halbleitereinrichtungen des Standes der Technik wird jedoch die Ätzeinheit unabhängig von Nachbehandlungseinheiten angeordnet, so daß das Problem entsteht, daß ein großer Raum für die Installation der gesamten Apparatur zur Erzeugung von Halbleitereinrichtungen benötigt wird. Weiter tritt das Problem auf, daß die geätzten Wafer korrodieren, weil viel Zeit benötigt wird, um die geätzten Wafer von der Ätzeinheit zur Nachbehandlungseinheit zu transferieren.
  • Kürzlich ist eine vollautomatische Apparatur zur Erzeugung von Halbleitereinrichtungen entwickelt worden, bei der ein Wafer automatisch durch eine Vielzahl von Behandlungskammern für verschiedene Behandlungen im Vakuum von einer Ladekassette bis zu einer Entladekassette transferiert wird, wodurch die Behandlungsdauer verkürzt und das Anhaften von Staub oder Verunreinigungen auf den Wafern verhindert wird.
  • Bei der Apparatur des gerade beschriebenen Typs entsteht jedoch das Problem, daß wenn Wafer mit Staub behaftet sind, ein anormales Ätzen eintritt, so daß die Zuverlässigkeit und die Ausbeute der fertigbearbeiteten Wafer abnimmt. Es wird angenommen, daß aufgrund der Reibung zwischen beweglichen Teilen der Apparatur Staub eingeführt wird, Fremdmaterie in den eingeleiteten Gasen und in den Produkten chemischer Reaktionen mitgeführt werden. Es ist daher besonders wichtig herauszufinden, wo im einzelnen Wafer, die durch eine Vielzahl von Behandlungskammern transferiert werden, mit Staub kontaminiert werden.
  • Bei den Apparaturen zur Herstellung von Halbleitereinrichtungen des Standes der Technik ist es jedoch nur möglich, die an einem Wafer haftende Staubmenge erst dann zu erfassen, wenn das betreffende Wafer aus der letzten Kammer einer Vielzahl von Behandlungskammern entladen worden ist. Das heißt also, daß es unmöglich war, die in einer speziellen Behandlungskammer auf einem Wafer abgesetzte abgesetzte Menge an Staub zu erfassen.
  • Bei Ätzeinrichtungen des Standes der Technik, die Fluoridätzgase anwenden, kommt es beim Entladen des geätzten Wafers aus der Ätzeinrichtung zu Korrosion, und zwar wegen der chemischen Reaktionen zwischen dem Sauerstoff in der umgebenden Atmosphäre und den Ätzchloriden, wie etwa AlCl&sub3;, die nach wie vor auf dem Wafer verbleiben.
  • Um dieses Problem zu überwinden, ist in der Druckschrift EP-A-0 047 002 eine Apparatur zur Erzeugung von Halbleitereinrichtungen vorgeschlagen worden, bei der eine Kassette, die eine Vielzahl von geätzten Wafern enthält, in einen elektrischen Ofen bzw. in einen Behälter mit Industrietrockner geladen wird, so daß die geätzten Wafer gleichzeitig dem Wärmebehandlungsprozeß unterzogen werden.
  • Im einzelnen wird bei anderen Apparaturen des Standes der Technik, wie in Fig. 1 der beigefügten Zeichnungen dargestellt, eine Raumteilungsplatte b mit einer Vielzahl von Löchern in einem Behälter a so angeordnet, daß der Behälter a in eine obere Kammer und eine untere Kammer unterteilt wird. Eine Kassette c, die eine Vielzahl von Wafern d enthält, wird auf der Unterteilungsplatte b plaziert, woraufhin der Behälter a mit einem Deckel e luftdicht geschlossen wird. Die Wafer d werden durch die heiße Luft getrocknet, die von Trocknern f, die auf der Oberseite des Behälters a angeordnet sind, geliefert wird, wobei die heiße Luft durch die Löcher der Raumteilungsplatte d strömt und dann durch einen Auslaßstutzen g am unteren Abschnitt einer Seitenwand des Behälters a in die umgebende Atmosphäre ausgelassen wird.
  • Bei dem Gerät des gerade beschriebenen Typs werden einige Bereiche der Wafers wegen der Kassette c nicht genügend erwärmt, so daß es einer langen Zeitperiode bedarf, ehe die Kassetten d auf eine vorbestimmte Temperatur gebracht werden. Weiter ergibt sich das Problem, daß die Wafer (d) nicht gleichmäßig erwärmt werden, so daß die Veränderungen der Eigenschaften der Wafers zu Nachbehandlungsprozessen führen.
  • Weiter gehört der Apparat des oben beschriebenen Typs zum Chargentyp, weil die eine Vielzahl von Wafern d enthaltende Kassette c in den Apparat geladen wird. Dabei entsteht das Problem, daß ein solcher Wärmebehandlungsapparat auf Chargenbasis nicht direkt an eine Ätzeinrichtung angeschlossen werden kann.
  • Inzwischen ist kürzlich im Bereich der Herstellung von Halbleitereinrichtungen eine stark zunehmende Nachfrage nach einer höheren Packungsdichte und einer höheren Produktionsrate entstanden. Daher ist ein reaktiver Ionenätzprozeß angewandt worden, der extrem feine Elemente ätzen und senkrechte Seitenwände ohne Unterschneidungen herstellen kann.
  • Beispielsweise werden beim Ätzen von Aluminium, das in weitem Umfange als Material zum Definieren von Leitungspfaden zwischen Elektroden benutzt worden ist, Chloridgase verwendet. Das heißt, daß ein Halbleiterwafer in ein Reaktionsgefäß geladen und das Reaktionsgefäß dann evakuiert, so daß in der Reaktionsgasatmosphäre eine Glimmentladung erzeugt wird. Dann läuft die Reaktion zwischen einem auf dem Wafer abzuätzenden Material und den Ätzgasen ab, wobei das abzuätzende Material in eine flüchtige chemische Verbindung umgewandelt wird. Auf diese Weise verläuft der Ätzprozeß.
  • Wenn der Ätzprozeß beendet und das geätzte Wafer aus dem Reaktionsgefäß in die Umgebungstemperatur entladen wird, weist das geätzte Wafer immer noch Ätzgase auf. Daher laufen chemische Reaktionen zwischen diesen verbleibenden Ätzgasen und dem in der umgebenden Luft enthaltenen Wasser ab, so daß ein nicht abgeätztes und auf dem Wafer verbliebenes Leitungsmuster des Materials angegriffen wird. Infolgedessen werden die Leiterpfade unterbrochen und kurzgeschlossen.
  • Daraus ergibt sich, daß es zwingend erforderlich ist, die noch auf dem geätzten Wafer verbleibenden Reaktionsgase unmittelbar nach Beendigung des Ätzzyklus zu beseitigen. Diese Prozedur kann sehr effektiv durch Blasen der heißen Luft gegen das geätzte Wafer und/oder durch Erhitzen des geätzten Wafers durchgeführt werden. Daher werden die geätzten Wafer in einem elektrischen Ofen oder durch einen Industrietrockner erwärmt, doch weist ein solcher Erwärmungsprozeß den Nachteil auf, daß es eine sehr lange Zeitdauer in Anspruch nimmt, um das geätzte Wafer auf eine vorbestimmte Temperatur zu erwärmen; daß eine gleichmäßige Temperaturverteilung nicht erreicht werden kann, so daß die Eigenschaften des wärmebehandelten Wafers unterschiedlich ausfallen; und daß es eine sehr lange Zeitdauer in Anspruch nimmt, ehe das geätzte Wafer der Wärmebehandlung unterzogen wird.
  • Um die oben genannten und weitere Probleme zu überwinden, ist eine Wärmebehandlungseinrichtung vorgeschlagen worden, die unmittelbar an eine Ätzeinrichtung angeschlossen werden kann. Ein in der Ätzeinrichtung geätztes Wafer wird sofort durch einen Förderer oder dergleichen von der Ätzeinrichtung in die Wärmebehandlungskammer transferiert, in der das transferierte Wafer mit Hilfe einer normal erwärmten Heizplatte und einer Lufterwärmungseinrichtung sofort dem Heizbehandlungsprozeß unterzogen wird. Da sich aber der Förderer, oder dergleichen, bis in die Wärmebehandlungskammer erstreckt, wird eine Antriebseinrichtung zum Antreiben des Förderers, oder dergleichen, von außerhalb der Wärmebehandlungskammer her benötigt. Daher muß eine Kraftübertragungseinrichtung die Querverbindung zwischen der äußeren Antriebseinrichtung und dem in der Wärmebehandlungskammer befindlichen Förderer, oder dergleichen, durch ein Loch herstellen, das eine Seitenwand der Kammer durchdringt. Die Folge ist, daß durch dieses Loch heiße Gase aus der Wärmebehandlungskammer in die umgebende Atmosphäre austreten, so daß die Operationen der neben der Wärmebehandlungskammer angeordneten verschiedenen Einrichtungen durch den Temperaturanstieg schädlich beeinflußt werden. Weiter entsteht das Problem, daß diese peripheren Einrichtungen korrodieren, weil die austretenden Gase die Reaktions- oder Ätzgase enthalten.
  • Daher könnte man vorschlagen, die komplexe Antriebseinrichtung zum Bewegen des Förderers, oder dergleichen, innerhalb der Wärmebehandlungskammer, anzubringen. Dies ist aber unmöglich, weil die Antriebseinrichtung hohen Temperaturen ausgesetzt ist und die Reaktionsgase in der Wärmebehandlungskammer eine Korrosion der Antriebseinrichtung verursachen. Infolgedessen muß die Antriebseinrichtung soweit wie möglich verkleinert, und das Fördersystem, oder dergleichen, muß so stark wie möglich vereinfacht werden. Aus diesem Grunde wird ein Bandförderer verwendet. Wenn ein Wafer von einem Bandförderer transportiert wird, kann es nicht in direkte Berührung mit einer Heizplatte gebracht werden. Infolgedessen entsteht das Problem, daß die Wirksamkeit der Waferbeheizung sehr niedrig ist, und daß die tatsächliche und schnelle Heizbehandlung nicht durchgeführt werden kann.
  • Bei der "RIE"-Einrichtung (Reactive Ion Etching device), die einer der Typen der Plasmaätzgeräte ist, ist ein Paar paralleler Elektroden innerhalb eines Vakuumgefäßes angeordnet, in das ein Ätzgas eingeleitet wird, wobei ein Wafer sicher auf einer der Elektroden gehalten wird. Eine RF-Leistungsversorgung wird an eine der Elektroden angelegt, so daß das Plasma hergestellt wird, womit das Wafer geätzt wird.
  • Wenn aber das Vakuumgefäß aus rostfreiem Stahl besteht und Chloridätzgas in die Vakuumkammer eingeleitet wird, werden Eisen, Nickel und Chrom aus dem Vakuumgefäß freigesetzt, so daß das Wafer kontaminiert und die Eigenschaften bzw. Merkmale des Wafers beträchtlich verschlechtert werden.
  • Um das genannte Problem zu überwinden, wird das Vakuumgefäß aus Aluminiumoxid hergestellt, oder es werden die inneren Aluminiumoberflächen des Vakuumgefäßes oxidiert. Da aber Aluminiumoxid sehr teuer ist und nur eine geringe Festigkeit besitzt, ist es nicht vorteilhaft, es zur Herstellung einer Vakuumkammer zu verwenden.
  • Weiter streben die beim Ätzprozeß entstehenden Verbindungen dahin, sich an den inneren Oberflächen der Vakuumkammer festzusetzen, so daß das Innere der Vakuumkammer häufig gereinigt werden muß, um die schädlichen Einwirkungen dieser Verbindungen auf das Wafer zu verhindern. Bei den Vakuumgefäßen des Standes der Technik ist jedoch das Reinigen und Warten schwierig.
  • Ein erstes Ziel der vorliegenden Erfindung besteht in der Schaffung einer Apparatur zur Herstellung von Halbleitereinrichtungen, die mit einer Wärmebehandlungskammer versehen ist, die ein zu behandelndes Material in einer kurzen Zeitdauer gleichmäßig erwärmen kann; die weitere mit einer Transporteinrichtung versehen ist; und die mit einer Ätzeinrichtung versehen ist, so daß das zu behandelnde Material automatisch und kontinuierlich behandelt werden kann.
  • Ein zweites Ziel der vorliegenden Erfindung besteht in der Schaffung einer Apparatur zur Erzeugung von Halbleitereinrichtungen, die mit einer Wärmebehandlungseinrichtung versehen ist, welche eine gleichförmige Wärmebehandlung bei extrem hohem Durchsatz durchführen kann.
  • Diese und weitere Ziele der vorliegenden Erfindung werden durch eine Apparatur zur Herstellung von Halbleitereinrichtungen erreicht, die, nacheinander, in der genannten Reihenfolge angeordnet aufweist:
  • eine Ladekammer;
  • eine Ätzkammer;
  • eine Entladekammer;
  • eine Pufferkammer; und
  • eine Wärmebehandlungskammer, die endlose (Förder-)Bänder zum Transportieren eines Wafer durch die Wärmebehandlungskammer, und eine Heizplatte zur Bereitstellung einer Kontaktheizung für das Wafer aufweist, wobei die Oberfläche der Heizplatte mit zwei Nuten versehen ist, die sich in Längsrichtung der Platte erstecken, wobei die oberen Längen der endlosen Bänder in die Nuten eingepaßt sind, und wobei die Tiefe der Nuten so bemessen ist, daß die obere Oberfläche der Heizplatte über die obere Oberfläche der endlosen Bänder gehoben und unter die obere Oberfläche der endlosen Bänder gesenkt werden kann.
  • Weitere Ausführungsformen der Erfindung sehen sowohl eine verbesserte Apparatur zur Herstellung von Halbleitereinrichtungen vor, bei der die Nachbehandlung der zu behandelnden Materialien sofort durchgeführt werden kann, und die ein hohes Maß an Platzersparnis bietet, als auch eine Apparatur zur Herstellung von Halbleitereinrichtungen, bei der die in jeder Behandlungskammer an einem zu bearbeitenden Material haftende Staubmenge leicht und wirksam erfaßt werden kann.
  • Die Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung gehen aus der nachfolgenden Beschreibung von bevorzugten Ausführungsformen in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen deutlich hervor.
  • Fig. 1 ist eine perspektivische Ansicht einer Wärmebehandlungskammer des Standes der Technik;
  • Fig. 2 ist eine Längsschnittansicht einer ersten Ausführungsform einer Apparatur zur Herstellung von Halbleitereinrichtungen gemäß der vorliegenden Erfindung;
  • Fig. 3 ist eine Schnittansicht einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • Fig. 4 ist eine Längsschnittansicht einer weiteren Apparatur, die nicht Teil der vorliegenden Erfindung ist;
  • Fig. 5 und 6 sind jeweils eine Draufsicht bzw. eine Seitenansicht einer Transporteinrichtung der in Fig. 4 dargestellten Apparatur;
  • Fig. 7 ist eine Längsschnittansicht einer Wärmebehandlungseinrichtung, die in eine fünfte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung eingebaut ist; und
  • Fig. 8 zeigt eine Zeit-Temperaturkurve der in Fig. 8 dargestellten Wärmebehandlungseinrichtung im Vergleich mit der Zeit-Temperaturkurve einer Wärmebehandlungseinrichtung des Standes der Technik.
    • Erste Ausführungsform
  • Bezugnehmend auf Fig. 2 weist die erste Ausführungsform einer Apparatur zur Herstellung von Halbleitereinrichtungen gemäß der vorliegenden Erfindung eine Ladekammer 1, eine Ätzkammer 2, eine Entladekammer 3, eine Pufferkammer 4 und eine Wärmebehandlungskammer 5 auf, die nacheinander in der genannten Reihenfolge angeordnet sind. Eine Elektrode 6 ist an einem unteren Abschnitt in der Ätzkammer 2 angeordnet, während sich Drückerstifte 7, die unter der Elektrode 6 angeordnet sind, durch die Elektrode 6 senkrecht nach oben bewegen. Zubringer 8 und 9 sind in der Ladekammer 1 und in der Entladekammer 3 angeordnet, wobei jeder Zubringer 8 oder 9 zwei Paare von miteinander in Form eines Pantographen verbundene Arme und einer Tragplatte am oberen Ende der Zubringer 8 oder 9 miteinander aufweist. Wenn die Arme gedreht werden, wird das zu bearbeitendes Material, das heißt ein Halbleiterwafer, geradlinig fortbewegt.
  • Ein Bandförderer 11 mit Schubstiften 10 ist innerhalb der Pufferkammer 4 angeordnet, und ein Bandförderer 12 in der Wärmebehandlungskammer 5 angeordnet ist. Eine senkrecht bewegbare Heizplatte 13 ist unter dem Förderband 12 in der Weise angeordnet, daß wenn die Heizplatte 13 bis in ihre oberste Stellung angehoben ist, die obere Oberfläche der Heizplatte 13 höher als die obere Oberfläche des Bandförderers 12 liegt. Ein Trockner 15 mit zwei Düsen 14a und 14b ist über dem Förderband 12 angeordnet. Heizelemente 16 und 17 sind innerhalb der Heizplatte 13 bzw. des Trockners 15 angeordnet.
  • Ein Sperrschieber 18a ist zwischen der Ladekammer 1 und ihrer äußeren Umgebung angeordnet; ein Sperrschieber 18b ist zwischen die Ladekammer 1 und die Ätzkammer 2 eingefügt; ein Sperrschieber 18c ist zwischen die Ätzkammer 2 und die Entladekammer 3 eingefügt; und ein Sperrschieber 18d ist zwischen die Entladekammer 3 und die Pufferkammer 4 eingefügt. Eine Gaszuführungsleitung 30 ist an die Ätzkammer 2 angeschlossen. Die Gaszuführungsleitung 30 leitet Ätzgase in die Ätzkammer 2. Die Ätzkammer 2 steht mit einer Abgasleitung 20 mit Ventil 19b in Verbindung, während die Ladekammer 1 und die Entladekammer 2 mit einer Abgasleitung 21 mit Ventilen 19a und 19b in Verbindung stehen. Die Abgasleitungen 20 und 21 sind an Vakuumpumpen (nicht dargestellt) angeschlossen.
  • Ein Bandförderer 23 mit einem Wasserspülungsspannfutter 22, das senkrecht und drehbar beweglich ist, ist an der stromabwärts gelegenen Seite der Wärmebehandlungskammer 5 angeordnet. Eine senkrecht bewegbare Ladekassette 24, ein Förderband 25 und ein Förderband mit einem senkrecht beweglichen Aufsetzer 26 sind an der stromaufwärts gelegenen Seite der Ladekammer 1 angeordnet. Ein Förderband 28 und eine Entladekassette 29 sind an der stromabwärts gelegenen Seite des Wasserspülungsspannfutters 22 angeordnet.
  • Als nächstes soll die Betriebsweise der ersten Ausführungsform mit dem oben beschriebenen Aufbau erläutert werden. Zuerst wird die Ladekassette 24 so abgesenkt, daß das zu behandelndes Material oder Wafer A auf dem Förderband 25 so plaziert wird, derart, daß das Wafer A in eine Position über dem Aufsetzer 26 transportiert wird. Anschließend wird das Wafer A auf ein Ende des Aufsetzers 26 gesetzt, und wenn der Aufsetzer 26 angehoben wird, wird auch das Wafer A angehoben. Gleichzeitig wird der Sperrschieber 18a geöffnet und der Zubringer 8 in der Weise bewegt, daß die Tragplatte desselben unter dem Wafer A plaziert wird. Anschließend wird der Aufsetzer 26 abgesenkt, so daß das Wafer A auf der Tragplatte des Zubringers 8 plaziert und in die Ladekammer 1 bewegt wird.
  • Als nächstes wird der Sperrschieber 18 geschlossen und die Ladekammer 1 durch die Abgasleitung 21 evakuiert, woraufhin der Sperrschieber 18b der Ätzkammer 2 geöffnet wird, so daß das Wafer A in die Ätzkammer 2 bewegt wird. Danach werden die Drückerstifte 7 angehoben, so daß das Wafer A über die Tragplatte gehoben wird. Als nächstes kehrt der Zubringer 8 in die Ladekammer 1 zurück, während die Drückerstifte 7 abgesenkt werden, so daß das Wafer A auf der Elektrode 6 plaziert wird. In diesem Zustand wird das Wafer A geätzt, und nach dem Ätzen werden die Drückerstifte 7 nach oben bewegt, so daß das Wafer A ebenfalls nach oben bewegt wird. Dann wird das Sperrventil 18c der Entladekammer 3 geöffnet, und die Tragplatte des Zubringers 9 unter dem Wafer A plaziert. Wenn die Drückerstifte 7 abgesenkt werden, wird das Wafer A auf die Tragplatte des Zubringers 9 gesetzt und in die Entladekammer 3 bewegt. Danach wird der Sperrschieber 18c geschlossen, während der Sperrschieber 18d der Pufferkammer 4 geöffnet wird und die Drückerstifte 10 nach oben bewegt werden, so daß das Wafer A angehoben wird. Nachdem der Zubringer 9 in die Entladekammer 3 zurückgekehrt ist, werden die Drückerstifte 10 abgesenkt, so daß das Wafer A auf dem Förderband 11 plaziert wird. Wenn das Förderband 11 angetrieben wird, wird das Wafer A in die Wärmebehandlungskammer 5 bewegt, und wenn das Wafer A unter der Düse 14 plaziert ist, wird die Heizplatte 13, die durch das Heizelement 16 erwärmt wird, über den Bandförderer 12 angehoben, so daß das Wafer A auf die obere Oberfläche der Heizplatte 13 transferiert wird. Dann wird die Luft, die durch das Heizelement 17 erwärmt worden ist, durch die Düsen 14a und 14b gegen das Wafer A gerichtet, um dasselbe zu trocknen. Danach wird die Heizplatte 13 abgesenkt, und das Förderband 12 befördert das Wafer A von der Wärmebehandlungskammer in eine Position unmittelbar über dem Wasserspülungsspannfutter 22. Als nächstes wird das Wasserspülungsspannfutter 22 nach oben bewegt und an der rückseitigen Oberfläche des Wafers A befestigt. Während das Wafer A in Drehung versetzt wird, wird reines Wasser durch die Wasserspülungsdüse (nicht dargestellt) gegen das Wafer gerichtet, so daß das Wafer A gleichmäßig mit Wasser bespült wird. Nachdem die Wasserspülungsbehandlung beendet worden ist, wird durch die gleiche Düse Luft gegen das Wafer A gestrahlt, das mit hoher Geschwindigkeit umläuft, so daß das Wafer A getrocknet wird. Nach dem Trocknen wird das Spannfutter 22 abgesenkt und die Vakuumansaugung abgeschaltet, so daß das Wafer A auf dem Bandförderer 23 plaziert und dann vom Förderer 28 in die Entladekassette 29 transportiert wird.
  • Wie oben beschrieben, kann gemäß der ersten Ausführungsform die Nachbehandlung des Wafers unmittelbar nach dem Ätzprozeß durchgeführt werden, so daß eine Korrosion des Wafers A wirksam verhindert werden kann.
    • Zweite Ausführungsform
  • Eine zweite Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist in Fig. 3 dargestellt. Während bei der ersten Ausführungsform die Kammern geradlinig angeschlossen sind, sind sie bei der zweiten Ausführungsform in Form eines U's angeschlossen, so daß das Gerät zur Herstellung von Halbleitereinrichtungen der Größe nach kompakt ausgeführt und daher der Installationsraum verkleinert werden kann. Das heißt, daß gemäß der zweiten Ausführungsform eine Ladekammer 101, eine Ätzkammer 102, eine Entladekammer 103, eine Pufferkammer (Transferstation bzw. Transferstufe) 104 und eine Wärmebehandlungskammer 105 in Form eines U's verbunden und die Ätzkammer 102 und an die Entladekammer 103 durch Sperrschieber 118b bzw. 118c angeschlossen sind. Eine Oberfläche des Eingangs, und eine weitere Oberfläche des Ausgangs der Wärmebehandlungskammer 105 sind einander benachbart. Die Transferstufe 104 ist durch ein Luftventil 118d mit der Entladekammer 103, sowie direkt mit der Wärmebehandlungskammer 105 verbunden.
  • Ein Wasserspülungsspannfutter 12 und ein Förderband 123 sind an der stromabwärts gelegenen Seite der Wärmebehandlungskammer 105 angeordnet, während ein Bandförderer 128, eine Entladekassette 129 und ein Heber 130 an der stromabwärts gelegenen Seite des Bandförderers 123 angeordnet sind. Eine Ladekassette 124, ein Heber 131, ein Bandförderer 125, ein Aufsetzer 126 und ein Bandförderer 127 sind an der stromaufwärts gelegenen Seite der Ladekammer 101 angeordnet. Die Ladekammer 101 ist durch ein Luftventil 118a mit dem Aufsetzer 127 verbunden. Eine Gaszuführungsleitung (nicht dargestellt), die Ätzgase in die Ätzkammer 102 einleitet, ist mit der Ätzkammer 102 verbunden.
  • Eine Elektrode 106 ist in der Ätzkammer 102 angeordnet, während Drückerstifte 107 unter der Elektrode 106 in der Weise angeordnet sind, daß sie durch die Elektrode 106 hindurch bewegbar sind. Zubringer 108 und 109 sind in der Ladekammer 101 und in der Entladekammer 103 angeordnet. Jeder der Zuführer umfaßt zwei Paare von Armen 108a (109a), die in Form eines Pantographen miteinander verbunden sind und eine Tragplatte 108b (109b) am vorderen Ende des Zubringers. Wenn die Arme gedreht werden, wird ein Wafer geradlinig fortbewegt.
  • Ein Bandförderer 111 mit Schubstiften (nicht dargestellt) ist in der Transferstufe 104 angeordnet, während ein L-förmiger Bandförderer 112 in der Wärmebehandlungskammer 105 angeordnet ist. Eine senkrecht bewegbare Heizplatte 113 ist unter dem Bandförderer 112 in der Weise angeordnet, daß wenn die Heizplatte 113 in ihre oberste Position angehoben wird, die obere Oberfläche der Heizplatte 113 höher als die obere Oberfläche des Bandförderers 112 liegt.
  • Als nächstes wird die Betriebsweise der zweiten Ausführungsform mit dem oben beschriebenen Aufbau beschrieben. Die in der Ladekassette 124 befindlichen Wafer werden einzeln durch das Förderband 125 zur Zubringereinrichtung 108 in der Ladekammer 101 befördert. Der Ladekammersperrschieber 118a wird dann geschlossen, und die Ladekammer 101 wird evakuiert. Der Sperrschieber 118b zwischen der Ätzkammer und der Ladekammer wird geöffnet, und das Wafer wird auf der Ätzkathode 106 plaziert. Der Sperrschieber 118b wird geschlossen; es werden reaktive Gase eingeleitet, und die RF-Leistungsversorgung wird aktiviert, woraufhin das Ätzen ausgelöst wird. Wenn der Ätzzyklus beendet ist, werden die Sperrschieber 118c der Ätzkammer geöffnet. Das Wafer wird aus der Ätzkammer 102 entfernt und in die Entladekammer 103 transferiert. Dann wird ein neues Wafer in die Ätzkammer 102 eingebracht.
  • Das geätzte Wafer wird zur Transferstufe 104 und dann in die Wärmebehandlungskammer 105 zur Behandlung befördert. Nach der Wärmebehandlung wird das geätzte Wafer zur Wasserspülungs-Trockenschleuderstation zur abschließenden Passivationsbehandlung transferiert. Schließlich wird das geätzte Wafer durch das Förderband 128 in die Entladekassette 129 transferiert.
  • Wie oben beschrieben, sind gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung die Nachbehandlungskammern der Reihe nach an der stromabwärts gelegenen Seite der Ätzkammer angeschlossen, so daß die Nachbehandlungen des geätzten Wafers unmittelbar nach dem Ätzzyklus durchgeführt werden können. Entsprechend kann eine Korrosion aufgrund der Reaktion des geätzten Wafers mit der umgebenden Atmosphäre verhindert werden. Weiter ist es nicht erforderlich, die Nachbehandlungskammern getrennt voneinander vorzusehen, so daß der benötigte Installationsplatz verkleinert und der Produktionswirkungsgrad verbessert werden kann.
  • Bei der ersten und der zweiten Ausführungsform umfassen die Nachbehandlungen die Wärmebehandlung und die Reinigungsbehandlung der Wasserbespülung/Schleudertrocknung; es ist aber klar, daß nur die Wärmebehandlung durchgeführt werden kann und daß auch irgendwelche anderen erforderlichen Nachbehandlungen auf den Ätzprozeß folgen können.
  • In Fig. 4 ist eine weitere Apparatur dargestellt, die nicht Teil der Erfindung ist und die eine erste Behandlungskammer 201, eine zweite Behandlungskammer 202 und eine dritte Behandlungskammer 203 aufweist, die miteinander in der genannten Reihenfolge verbunden sind. Eine Elektrode 204 ist im unteren Teil der zweiten Behandlungskammer 202 angeordnet, und Drückerstifte 206, die durch Luftzylinder 205 senkrecht bewegt werden können, sind unter der Elektrode 204 angeordnet. Zubringer 207a und 207b sind jeweils entsprechend in der ersten und dritten Behandlungskammer 201 bzw. 203 angeordnet.
  • Wie in den Fig. 5 und 6 dargestellt ist, weist der Zubringer 207 zwei erste Arme 208a und 208b auf, und die oberen Enden der Antriebswellen 209a und 209b sind jeweils fest mit den unteren Oberflächen an einem Ende des ersten Armes 208a bzw. 208b verbunden. Diese Antriebswellen 209a und 209b tragen jeweils Zahnräder 210a bzw. 210b. Die ersten Arme 208a und 208b sind symmetrisch so angeordnet, daß die Zahnräder 210a und 210b miteinander kämmen. Die Antriebswellen 209a und 209b werden drehbar von einem Träger 211 gehalten. Die ersten Arme 208a und 208b werden symmetrisch um die Achsen der Antriebswellen 209a bzw. 209b gedreht.
  • Ein Ende der zweiten Arme 212a und 212b, die längenmäßig den ersten Armen 208a und 208b entsprechen, sind durch Drehwellen 213a und 213b mit dem jeweils anderen Ende der ersten Arme 208a bzw. 208b verbunden, derart, daß die zweiten Arme 212a und 212b jeweils um die entsprechenden Drehwellen 213a bzw. 213b parallel zu den ersten Armen 208a bzw. 208b gedreht werden. Zahnräder 214a bzw. 214b werden vom jeweils anderen Ende der zweiten Arme 212a bzw. 212b getragen, wobei die anderen Enden der zweiten Arme 212a und 212b drehbar an der Waferträgerplatte 215 befestigt sind, derart, daß die Zahnräder 214a und 214b miteinander kämmen.
  • Bei der dritten Ausführungsform ist einer der ersten Arme 208a (in den Fig. 5 und 6 der linke Arm) durch den Träger 211 hindurch erweitert und an eine Umdrehungsantriebseinrichtung, wie etwa einen elektrischen Motor 216, angeschlossen. Ein feststehendes Rad 217 ist am Träger 211 koaxial zur Antriebswelle 209a angeordnet, die mit dem Motor 216 verbunden ist. Ein drehbares Rad 218, dessen Durchmesser halb so groß wie der des stehenden Rades 217 ist, ist am unteren Ende der drehenden Welle 213a des zweiten Armes 212a gelagert, der an den ersten Arm 208 angeschlossen ist. Ein Riemen 219 ist um das stehende Rad 217 und ein umlaufendes Rad 218 gelegt, so daß die Drehung des ersten Armes 208 auf den zweiten Arm 212a übertragen wird.
  • Wenn der Motor 216 eingeschaltet ist, so daß sich die Antriebswelle 209a dreht, wird somit die andere Antriebswelle 209b veranlaßt, sich wegen des gegenseitigen Eingreifens der Zahnräder 210a und 210b in der entgegengesetzten Richtung zu drehen, so daß die ersten Arme 208a und 208b veranlaßt werden, sich symmetrisch zu drehen. Durch das Drehen des erste Armes 208 wird die umlaufende Welle 218 gedreht, so daß der zweit Arm 212a in einer Richtung gedreht wird, die der Richtung, in der sich der erste Arm 208a dreht, entgegengesetzt ist; und gleichzeitig wird wegen des gegenseitigen Eingreifens der Zahnräder 214a und 214b der zweite Arm 212b ebenfalls gedreht. Dadurch wird ein auf der Trägerplatte 216 liegendes Wafer geradlinig bewegt.
  • Zurückkommend auf Fig. 4 steht die erste Behandlungskammer 201 durch einen Sperrschieber 220a mit der umgebenden Atmosphäre und durch einen Sperrschieber 220b mit der zweiten Behandlungskammer 202 in Verbindung. Die zweite Behandlungskammer 202 steht durch einen Sperrschieber 220c mit der dritten Behandlungskammer 203 in Verbindung, die ihrerseits mit der umgebenden Atmosphäre durch einen Sperrschieber 220d verbunden ist. Die erste und die dritte Behandlungskammer 201 bzw. 203 stehen durch Ventile 221 mit einer Abgasleitung 223 in Verbindung, die ihrerseits mit einer Vakuumpumpe (nicht dargestellt) verbunden ist. In gleicher Weise steht die zweite Behandlungskammer 202 durch ein Ventil 221 mit einer Abgasleitung 222 in Verbindung, die ihrerseits mit einer Vakuumpumpe (nicht dargestellt) verbunden ist. Bandförderer 226a bzw. 226b sind neben den jeweils entsprechenden Sperrschiebern 220a bzw. 220d der ersten und der dritten Behandlungskammer 201 bzw. 203 angeordnet und weisen jeweils entsprechende Drückerstifte 225a bzw. 225b auf, die durch Luftzylinder 224a bzw. 224b aufwärts oder abwärts bewegt werden. Eine Ladekassette 227 ist am stromaufwärts gelegenen Ende des Bandförderers 226a angeordnet, während am stromabwärts liegenden Ende des Bandförderers 226b eine Entladekassette 228 angeordnet ist.
  • Als nächstes wird die Betriebsweise der dritten Ausführungsform mit dem oben beschriebenen Aufbau beschrieben. Zuerst wird die Ladekassette 227 abgesenkt, so daß ein Wafer A auf dem Förderband 226a plaziert wird, das seinerseits das Wafer A in eine Position unmittelbar über dem Drückerstift 225a bewegt. Als nächstes wird der Bandförderer 226a angehalten, und die Drückerstifte 225a werden angehoben, so daß das Wafer A ebenfalls hochgehoben wird. Als nächstes wird der Sperrschieber 22a geöffnet, und der Zubringer 207a wird derart in Betrieb gesetzt, daß die Tragplatte 215 unmittelbar unter dem Wafer A plaziert wird. Danach werden die Drückerstifte 225a abgesenkt, so daß das Wafer A auf der Tragplatte 215 plaziert und in die erste Behandlungskammer 201 transferiert wird.
  • Als nächstes wird der Sperrschieber 220b zwischen der ersten und der zweiten Behandlungskammer 201 bzw. 202 geöffnet, so daß das Wafer A in die zweite Behandlungskammer 202 überführt wird. In diesem Falle werden die Drückerstifte 206 angehoben, so daß, das Wafer A in eine Position über der Tragplatte 215 gehoben wird. Während der Zubringer 207a in die erste Behandlungskammer 201 zurückkehrt, werden dann die Drückerstifte 206 abgesenkt, so daß das Wafer A auf der Elektrode 204 plaziert wird. In dieser Lage wird das Wafer A geätzt, und nach Beendigung des Ätzzyklus werden die Drückerstifte 206 erneut angehoben, so daß das Wafer A ebenfalls gehoben wird. Als nächstes wird der Sperrschieber 220c zwischen der zweiten und der dritten Behandlungskammer 202 bzw. 203 geöffnet, und die Tragplatte 215 des Zubringers 207b wird in eine Position unmittelbar unter dem Wafer A gebracht. Danach werden die Drückerstifte 206 abgesenkt, so daß das Wafer A auf die Tragplatte 215 des Zubringers 207b transferiert wird. Nachdem das Wafer A in die dritte Behandlungskammer 203 gebracht worden ist, wird es in umgekehrter Reihenfolge zu der oben beschriebenen Transferfolge zur Entladekammer 218 befördert.
  • Bei der dritten Ausführungsform sind die Zubringer 207a und 207b sowie die Bandförderer 226a und 226b so gestaltet und konstruiert, daß die Wafer in entgegengesetzte Richtungen transportiert werden. So kann beispielsweise das Wafer A, das zu einer bestimmten Zeit in der ersten Behandlungskammer 201 plaziert worden ist, in die Ladekassette 227 zurückgebracht werden. In diesem Falle kann die Menge an Staub, die sich an das Wafer in der ersten Behandlungskammer 201 angeheftet hat, durch Vergleichen der Menge des Staubes, der sich am Wafer angeheftet hat, ehe das Wafer in die erste Behandlungskammer 201 geladen wurde, mit der Menge des Staubes gemessen werden, der am Wafer haftete, nachdem das Wafer aus der ersten Behandlungskammer 201 entladen wurde. Die Menge des am Wafer haftenden Staubes kann mit Hilfe eines Mikroskops gemessen werden.
  • Weiter kann das Wafer das in der zweiten Behandlungskammer 202 plaziert worden ist, mit Hilfe des Zubringers 207a und des Bandförderers 226a in die Ladekassette 227 zurückgebracht werden. In diesem Falle kann die Menge des Staubes, der sich in der zweiten Behandlungskammer an das Wafer angeheftet hat, durch Subtrahieren der Menge des Staubes, der sich an das Wafer vor der Plazierung desselben in der ersten Behandlungskammer 201, und der Menge des Staubes, der sich in der ersten Behandlungskammer 201 am Wafer angeheftet hat, von der Menge des Staubes, der sich an dem in die Ladekassette 227 zurückgebrachten Wafer angeheftet hat, gemessen werden. In entsprechender Weise kann die Menge des Staubes, die sich in der dritten Behandlungskammer 203 an das Wafer angeheftet hat, gemessen werden. Weiter kann selbst dann, wenn mehr als vier Behandlungskammern in Reihe geschaltet sind, die Menge des Staubes in einer im wesentlichen ähnlichen wie der oben beschriebenen Weise gemessen werden, die sich am Wafer angeheftet hat.
  • Bei der Apparatur zur Herstellung von Halbleitereinrichtungen gemäß der vorliegenden Erfindung kann ein zu behandelndes Wafer oder Material, das in eine gewünschte Behandlungskammer transferiert worden ist, durch den Eingang der Apparatur zurückgebracht werden. Somit kann die Menge des Staubes, die sich in einer spezifischen Behandlungskammer an einem Wafer angeheftet hat, leicht und richtig durch Vergleichen der Menge des Staubes, der sich ursprünglich an das Wafer angeheftet hat, ehe es in die Apparatur eingebracht wurde, mit der Menge des Staubes gemessen werden, die sich an den aus der spezifischen Behandlungskammer der Apparatur entladenen Wafer angeheftet hat. Die Menge des Staubes oder der Verunreinigungen, die in jeder Behandlungskammer erzeugt werden, kann daher so gemessen werden, daß geeignete Gegenmaßnahmen getroffen werden können, um eine Kontamination eines Wafers in jeder Behandlungskammer zu vermeiden. Dadurch kann eine hohe Ausbringung gesichert und die Produktivität verbessert werden.
  • Fig. 7 zeigt eine Wärmebehandlungseinrichtung, die in die Apparatur zur Herstellung von Halbleitereinrichtungen gemäß der vorliegenden Erfindung eingebaut ist. Eine Lufterwärmungseinrichtung 402, die in einem oberen Abschnitt einer geschlossenen Behandlungskammer 401 angeordnet ist, weist Heißluftauslaßöffnungen auf, die sich vom Boden der Lufterwärmungseinrichtung 402 her erstrecken und sich nach unten öffnen. Die in der Lufterwärmungseinrichtung 402 erwärmte heiße Luft wird durch die Heißluftauslaßöffnungen 403 nach unten ausgelassen.
  • Eine Heizplatte 404, die unmittelbar unter den Heißluftauslaßöffnungen 403 angeordnet ist, kann durch einen Luftzylinder 405 oder ein außerhalb der geschlossenen Wärmebehandlungskammer 401 angeordnete Antriebseinrichtung senkrecht bewegt werden. Natürlich kann anstelle des Luftzylinders 405 auch jede andere geeignete Antriebseinrichtung, wie etwa ein Kurbelmechanismus, verwendet werden.
  • Die obere Oberfläche der Heizplatte 404 ist mit zwei Nuten 480 versehen, die sich in Längsrichtung der Platte erstrecken, wobei die oberen Längen mindestens eines Paares endloser Bänder 407 (bei denen es sich um ein Wafertransportmittel handelt), die um die Bandrader 406 an beiden Enden der Heizplatte 404 gelegt sind, in diese Nuten 404 eingepaßt sind. Die Tiefe der Nuten 408 ist so gewählt, daß die obere Oberfläche (auf der Wafer plaziert sind) der Heizplatte 404 über die obere Oberfläche der endlosen Bänder 407 hinaus angehoben, und unter die obere Oberfläche der endlosen Bänder 407 abgesenkt werden kann.
  • In einer entgegengesetzten Beziehung sind an beiden Enden der Heizplatte 404 Verschlüsse 411 und 412 angebracht, die zum Öffnen oder Schließen jeweils eines Wafereinlasses 409 und eines Waferauslasses 410 ausgebildet sind. Die Verschlüsse 411 und 412 bestehen aus einem Fluorkunststoff und sind jeweils an Armen 415 bzw. 416 befestigt, die ihrerseits mit den unteren Enden der entsprechenden wärmeisolierenden Elemente 413 bzw. 414 verbunden sind, welche von der unteren Oberfläche der Heizplatte 404 herabhängen. Wenn also die Heizplatte 404 angehoben wird, schließen die Verschlüsse 411 und den Wafereinlaß 409 und den Waferauslaß 410. Wenn aber die Heizplatte 410 abgesenkt wird, öffnen die Verschlüsse 411 und 412 den Wafereinlaß und den Waferauslaß 409 bzw. 410.
  • Eine Kraftübertragungswelle 417, die sich vom Luftzylinder 405 her durch den Boden der Erwärmungskammer 401 nach oben erstreckt, ist fest mit dem unteren Ende eines wärmeisolierenden Elementes 408 verbunden, das von der unteren Oberfläche der Heizplatte 404 nach unten ragt. Ein Ringelement 419, das aus einem Material wie Fluorkunststoff besteht, welcher nicht mit den in der geschlossenen Wärmebehandlungskammer 401 erzeugten Ätzgasen chemisch reagiert, ist über die Welle 417 geschoben und in Berührung mit den Boden der Wärmebehandlungskammer 401 gebracht. Der Ring wird mit Hilfe eines Sicherungselementes 420 fest in seiner Stellung gehalten, derart, daß jeglicher Spalt zwischen der Welle 417 und dem Boden der Wärmebehandlungskammer 401 beseitigt und die freie senkrechte Bewegung der Welle 417 möglich ist.
  • Als nächstes wird die Betriebsweise der fünften Ausführungsform des oben beschriebenen Aufbaus erläutert. Um ein Wafer 421 in die Wärmebehandlungskammer 401 zu bringen, wird die Heizplatte 404 abgesenkt, so daß die Verschlüsse 411 und 412 ebenfalls abgesenkt werden, wobei sie den Wafereinlaß und -auslaß 409 bzw. 410 öffnen. Wenn die Heizplatte 404 abgesenkt ist, werden die Oberflächen der oberen Länge der endlosen Bänder 107 über die obere Oberfläche der Heizplatte 404 angehoben, und das Wafer 441 wird auf die endlosen Bänder 407 transferiert. Wenn das Wafer 241 durch die Wärmebehandlungskammer 401 gefahren worden ist und eine vorbestimmte Position erreicht hat, wird es mit Hilfe von Stoppern (nicht dargestellt) angehalten, so daß es unmittelbar unter der heißen Luftauslaßöffnung 403 plaziert ist. Danach wird die Heizplatte 404 über die Oberflächen der oberen Länge der endlosen Bänder 407 angehoben, so daß das Wafer 421 auf die Heizplatte 404 transferiert und in engen Kontakt mit der oberen Oberfläche der Platte gebracht wird. Indem die Heizplatte 404 angehoben wird, werden auch die Verschlüsse 411 und 412 angehoben, so daß der Wafereinlaß 404 und der Waferauslaß 410 geschlossen werden. Das Innere der Wärmebehandlungskammer 401 wird also luftdicht gehalten, und die in der Lufterwärmungseinrichtung 402 erwärmte heiße Luft wird durch die Heißluftauslaßöffnung 403 erneut gegen das Wafer 401 zu dessen Behandlung gerichtet.
  • Mit Beendigung des Wärmebehandlungszyklus wird die Heizplatte 404 abgesenkt, so daß das Wafer 421, das auf der oberen Oberfläche der Heizplatte 404 plaziert worden war, jetzt auf die Oberflächen der oberen Bahn der endlosen Bänder 417 transferiert und weiterbefördert wird. Beim Absenken der Heizplatte 404 werden auch die Verschlüsse 411 und 412 abgesenkt, wodurch der Wafereinlaß und -auslaß 409 bzw. 410 geöffnet werden. Daher kann, während das behandelte Wafer 421 durch den Waferauslaß 410 aus der geschlossenen Wärmebehandlungskammer 401 herausgebracht wird, ein neues Wafer durch den Wafereinlaß 409 hineingebracht und auf die endlosen Bänder 407 transferiert werden. Danach wird das neue Wafer 421 dem Wärmebehandlungszyklus in der oben beschriebenen Weise unterzogen.
  • Wie oben beschrieben, werden gemäß der fünften Ausführungsform die Wafer automatisch in die bzw. aus der geschlossenen Wärmebehandlungskammer eingebracht bzw. ausgebracht, und in der Wärmebehandlungskammer werden die Wafer dem Wärmebehandlungszyklus sowohl durch die durch die Heißluftauslaßöffnungen ausströmende Heißluft, als auch durch die Heizplatte unterzogen. Die Heizplatte ist senkrecht zwischen einer Position, in der die obere Oberfläche (auf der ein zu behandelndes Material abgelegt ist) der Heizplatte höher als die obere Oberfläche des Transportmechanismus ist, und einer Position bewegt, in der die untere Oberfläche der Heizplatte niedriger als die obere Oberfläche des Transportmechanismus liegt. Wenn die Heizplatte angehoben wird, wird ein auf dem Transportmechanismus befindliches Wafer auf die obere Oberfläche der Heizplatte transferiert und in engen Kontakt mit derselben gebracht, so daß das Wafer erwärmt wird. Somit kann die Berührung des Wafers mit der oberen Oberfläche der Heizplatte leicht und wirksam durchgeführt werden, so daß, wie in Fig. 9 gezeigt ist, die Wärmebehandlung des Wafers gemäß der vorliegenden Erfindung (durch die voll ausgezogene Kurve B angegeben) etwa dreimal so schnell abläuft wie die Wärmebehandlung gemäß dem Stande der Technik (durch die gestrichelte Kurve A angegeben). Die Wärmebehandlungskapazität kann also deutlich verbessert werden.
  • Bisher wurde die Wärmebehandlung des Wafers so beschrieben, daß sie durch beide Mittel, nämlich die durch die Heißluftauslaßöffnungen ausgeblasene Heißluft und durch die Heizplatte bewirkt wird; doch ist klar, daß die Wärmebehandlung des Wafers allein mit der Heizplatte durchgeführt werden kann. Weiter können die Verschlüsse 411 und 412 durch einen unabhängigen Mechanismus geöffnet oder geschlossen werden, also nicht nur durch den Mechanismus zum senkrechten Bewegen der Heizplatte 404.

Claims (9)

1. Apparatur zur Herstellung von Halbleitereinrichtungen, das nacheinander in der genannten Reihenfolge angeordnet, aufweist:
eine Ladekammer (1; 101);
eine Ätzkammer (2; 102);
eine Entladekammer (3; 103);
eine Pufferkammer (4; 104); und
eine Wärmebehandlungskammer (5; 105; 401), die endlose (Förder-) Bänder (407) zum Transportieren eines Wafer (241) durch die Wärmebehandlungskammer und eine Heizplatte (13; 113; 404) zur Bereitstellung einer Kontaktbeheizung für das Wafer aufweist, wobei die Oberfläche der Heizplatte mit zwei Nuten (408) versehen ist, die sich in Längsrichtung der Platte erstecken, wobei die oberen Längen der endlosen Bänder in die Nuten eingepaßt sind, und wobei die Tiefe der Nuten so bemessen ist, daß die obere Oberfläche der Heizplatte über die obere Oberfläche der endlosen Bänder gehoben und unter die obere Oberfläche der endlosen Bänder gesenkt werden kann.
2. Apparatur ,zur Erzeugung von Halbleitereinrichtungen nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die Entladekammer (3; 103) mit der Ätzkammer in Verbindung steht; ein Zubringer (9; 109) zum Weiterbefördern des zu behandelnden Materials von der Ätzkammer in die Entladekammer vorgesehen ist;
wobei die Pufferkammer (4; 104) mit der Entladekammer der Trockenätzeinheit in Verbindung steht und ein Förderband (11; 111) zum Befördern des zu behandelnden Materials von der Entladekammer bereitstellt, wobei die Wärmebehandlungskammer (5; 105; 401) mit der Pufferkammer in Verbindung steht; und wobei
eine Wasserreinigungseinheit (22, 23; 122, 123) mit einem Spannfutter (22, 122) zum Reinigen des wärmebehandelten Materials mit Wasser vorgesehen ist, wobei das Spannfutter das Material an seinem Platz hält und dreht.
3. Apparatur nach Anspruch 2, gekennzeichnet durch
eine Ladekassette (24; 124), die an der Einlaßseite der Entladekammer zum Halten einer Vielzahl von zu behandelnden Materialien angeordnet ist;
ein erstes Förderband (25; 125) zum Transferieren des zu behandelnden Materials von der Ladekassette in die Ladekammer;
ein zweites Förderband (28; 128), das an der Auslaßseite der Wasserreinigungseinheit angeordnet ist, zum stückweisen Transportieren der behandelten Materialien; und
eine Entladekassette (29; 129) zum Halten des von dem zweiten Förderband transportierten behandelten Materials.
4. Apparatur nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß
eine Seitenwand der Ladekammer mit einer Seitenwand der Ätzkammer verbunden ist;
eine Seitenwand der Entladekammer mit der, der einen Seitenwand der Ätzwand benachbarten Seitenwand verbunden ist;
eine Seitenwand der Pufferkammer mit der, der einen Seitenwand der Entladekammer gegenüberliegenden Seitenwand verbunden ist;
eine Seitenwand der Wärmebehandlungskammer mit der, der einen Seitenwand der Pufferkammer gegenüberliegenden Seitenwand verbunden ist; und
die Wasserreinigungseinheit mit der der einen Seitenwand der Wärmebehandlungskammer benachbarten Seitenwand verbunden ist, wodurch die Einheiten in "U" -Form angeordnet sind.
5. Apparatur nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß
eine Seitenwand der Ätzkammer mit der, der Einlaßseitenwand der Ladekammer gegenüberliegenden Seitenwand verbunden ist;
eine Seitenwand der Entladekammer mit der, der einen Seitenwand der Ätzkammer benachbarten Seitenwand verbunden ist;
eine Seitenwand der Pufferkammer mit der, der einen Seitenwand der Entladekammer gegenüberliegenden Seitenwand verbunden ist;
eine Seitenwand der Wärmebehandlungskammer mit der, der einen Seitenwand der Pufferkammer gegenüberliegenden Seitenwand verbunden ist; und
die Seitenwand, die der Einlaßseitenwand der Wasserreinigungseinheit gegenüberliegt, mit derjenigen Seitenwand verbunden ist, die der einen Seitenwand der Wärmebehandlungskammer benachbart ist;
wodurch die Einlaßseitenwand der Ladekammer und die Auslaßseitenwand der Wasserreinigungseinheit in die gleiche Richtung gerichtet sind.
6. Apparatur zur Herstellung von Halbleitereinrichtungen nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
das zu behandelnde Material, das zu einer der Vielzahl der Einheiten transportiert worden ist, zum Einlaß der Vielzahl der Einheiten zurückgeführt werden kann.
7. Apparatur nach Anspruch 6, gekennzeichnet durch:
eine Ladekassette (24; 124), die an der Einlaßseite der Ladekammer zum Halten einer Vielzahl von zu behandelnden Materialien angeordnet ist;
ein erstes Förderband (25; 125) zum stückweisen Transferieren der zu behandelnden Materialien, immer nur einzeln, die in der Ladekassette gehalten werden;
ein zweites Förderband, das an der Auslaßseite der Vielzahl der Einheiten angeordnet ist, zum stückweisen Transferieren eines Materials; und
eine entleerte Kassette (29; 129) zum Halten des vom zweiten Förderband übertragenen Materials.
8. Apparatur nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die Erwärmungseinrichtung weiter eine Heißlufterwärmungseinrichtung (15; 16; 17; 402; 403) umfaßt, die neben den endlosen Bändern angeordnet ist, wobei die Heißlufterwärmungseinrichtung in der Lage ist, Heißluft gegen das Material zu richten, das zum Erwärmen des Materials durch Transportieren mit Hilfe der endlosen Bänder in Position gebracht wird.
9. Apparatur ,nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß
die Wärmebehandlungseinheit weiter eine Verschlußeinrichtung (411, 412) aufweist, die einen Einlaß und Auslaß der betreffenden Kammer als Reaktion auf eine senkrechte Bewegung der Heizplatte (13; 113; 404) öffnet oder schließt.
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