DE19952357A1

DE19952357A1 - Schreibvorrichtung für eine nicht-flüchtige Halbleiter-Speichervorrichtung

Info

Publication number: DE19952357A1
Application number: DE19952357A
Authority: DE
Inventors: Yuichiro Mio
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Electronics Corp
Priority date: 1998-10-26
Filing date: 1999-10-30
Publication date: 2000-05-04
Also published as: US6320791B1; KR20000029264A; JP2000132981A

Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Schreibvorrichtung für eine nicht-flüchtige Halbleiterspeichervorrichtung, in der Daten in einen Flash-Speicher 11 eingeschrieben werden und geschriebene Daten verifiziert werden, wodurch nur Daten, die nicht richtig in den Speicher 11 eingeschrieben wurden, erneut darin eingeschrieben werden, worin die Schreibvorrichtung eine Exklusiv-NOR-Schaltung 511 bis 51n aufweist, die Schreibdaten 31D mit verifizierten Daten 41D vergleicht und Schreibdaten 51D auf der Basis eines Ergebnisses des Vergleichs erzeugt, die erneut darin eingeschrieben werden.

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG 1. Gebiet der Erfindung

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Schreibvorrichtung für eine nicht-flüchtige Halbleiterspeichervorrichtung und insbeson dere eine nicht-flüchtige Halbleiterspeichervorrichtung mit einer verlängerten Lebensdauer aufgrund des Vermeidens von ex zessivem Schreiben.

2. Hintergrund der Erfindung

In den letzten Jahren hat die Verwendung von Flash-Speichern als elektrische, wiederbeschreibbare, nicht-flüchtige Halbleiter speichervorrichtungen weit verbreitet zugenommen. Ein Beispiel für einen Flash-Speicher des Stands der Technik ist in der unge prüften japanischen Patentveröffentlichung (KOKAI) Nr. 07-36787 angegeben, wobei der Flash-Speicher, der in dieser Veröffentli chung offenbart ist, in Fig. 9 gezeigt ist.

Die Flash-Speichervorrichtung, die in Fig. 9 gezeigt ist, hat eine Vielzahl von Flash-Speichern, worin eine Verifikation bzw. Überprüfung durchgeführt wird, wenn ein Schreibbetrieb durchge führt wird, und, wenn ein Schreibbetrieb fehlschlägt, nur der Speicher, der den fehlgeschlagenen bzw. fehlerhaften Schreibbe trieb hatte, erneut beschrieben wird.

In der zuvor erwähnten Flash-Speichervorrichtung gibt es jedoch das Problem, wenn ein Schreibbetrieb fehlschlägt, eines exzessi ven Schreibens, da die Daten in den gesamten Flash-Speicher ein geschrieben werden, was zu einer Verkürzung der Lebensdauer oder Standzeit des Flash-Speichers führt.

Dementsprechend ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, den zuvor erwähnten Nachteil des Stands der Technik zu vermei den, indem eine neuartige Schreibvorrichtung für eine nicht flüchtige Halbleiterspeichervorrichtung bereitgestellt wird, die die Lebensdauer der Halbleiterspeichervorrichtung verlängert, indem ein exzessives Schreiben vermieden wird.

Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine neuartige Schreibvorrichtung für eine nicht-flüchtige Halbleiterspeichervorrichtung anzugeben, worin ein Flash-Spei cher mit hoher Kapazität in Blöcke unterteilt ist, worin jeder Block simultan derart beschrieben wird, daß die Schreibzeit ver kürzt wird, und worin eine Anzahl von Zellen, die mit jeder Bit leitung oder Wortleitung verbunden sind, reduziert wird, wodurch die Anzahl der Beanspruchungen oder Belastungen, die auf eine ausgewählte Zelle einwirken, oder die Beanspruchungshäufigkeit reduziert wird.

ÜBERBLICK ÜBER DIE ERFINDUNG

Diese Aufgabe wird durch die Schreibvorrichtung gemäß Anspruch 1, Anspruch 4 oder Anspruch 5 gelöst. Demnach hat die vorliegen de Erfindung den nachfolgend erwähnten, grundsätzlichen, techni schen Aufbau.

Genauer gibt ein erster Aspekt (vgl. Anspruch 1) der vorliegen den Erfindung eine Schreibvorrichtung für eine nicht-flüchtige Halbleiterspeichervorrichtung an, in der Daten in einen Flash- Speicher eingeschrieben werden und die eingeschriebenen Daten überprüft bzw. verifiziert werden, wobei nur Daten, die nicht richtig in den Speicher eingeschrieben wurden, in den Speicher wieder eingeschrieben werden, worin die Schreibvorrichtung eine Exklusiv-NOR-Schaltung aufweist, die Schreibdaten mit verifi zierten Daten vergleicht und Schreibdaten, die darin einge schrieben werden sollen, auf der Basis eines Ergebnisses des Vergleiches erzeugt.

Gemäß einem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung weist die Exklusiv-NOR-Schaltung bevorzugt eine Vielzahl von Exklusiv-NOR- Schaltungen auf, wobei deren Anzahl identisch zu der Anzahl der Schreibdaten ist.

Gemäß einem dritten Aspekt der vorliegenden Erfindung werden die Schreibdaten in einem Datenpuffer (data buffer) gespeichert, während Daten, die für das Verifizieren ausgelesen werden, in einem Lesepuffer gespeichert werden.

Ein vierter Aspekt der vorliegenden Erfindung betrifft eine Schreibvorrichtung für eine nicht-flüchtige Halbleiterspeicher vorrichtung, in der Daten in einen Flash-Speicher eingeschrieben werden und die eingeschriebenen Daten verifiziert werden, wo durch nur Daten, die nicht korrekt bzw. unrichtig in den Spei cher eingeschrieben wurden, darin erneut eingeschrieben werden und worin die Schreibvorrichtung eine Vielzahl von Flash-Spei chern aufweist.

Ein fünfter Aspekt der vorliegenden Erfindung betrifft eine Schreibvorrichtung für eine nicht-flüchtige Halbleiterspeicher vorrichtung, in der Daten in einen Flash-Speicher eingeschrieben werden und die eingeschriebenen Daten verifiziert werden, wo durch nur Daten, die unrichtig bzw. ungeeignet in den Speicher eingeschrieben wurden, in ihn erneut eingeschrieben werden, wo rin eine Vielzahl von Flash-Speichern vorgesehen ist und worin jeder der Flash-Speicher aufweist einen Datenpuffer zum Spei chern von Schreibdaten, einen Lesepuffer zum Speichern von aus gelesenen Daten und eine Schreibsteuereinrichtung zum simultanen Schreiben aller Daten, die in den jeweiligen Datenpuffern ge speichert sind, in die jeweiligen Speicher, und weiterhin worin die Schreibvorrichtung mit einem Adresspuffer zum Bestimmen einer gleichen Adresse für jeden Speicher versehen ist, wobei die Schreibsteuereinrichtung mit einer Vielzahl von Exklusiv- NOR-Schaltungen versehen ist, deren Anzahl identisch zu der An zahl der Schreibdaten ist, wobei die Exklusiv-NOR-Schaltung die Schreibdaten mit verifizierten Daten vergleicht und Schreibda ten, die darin eingeschrieben werden sollen, auf der Basis eines Ergebnisses des Vergleichs derart erzeugt, daß ein erneuter bzw. wiederholter Schreibbetrieb ausgeführt wird.

Eine Schreibvorrichtung für eine nicht-flüchtige Halbleiterspei chervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung ist eine Vor richtung, in der Daten in einen Flash-Speicher eingeschrieben werden und verifiziert werden, wobei Daten, die verifiziert wur den und nicht korrekt bzw. nicht geeignet eingeschrieben wurden, noch einmal eingeschrieben werden, wobei diese Halbleiterspei chervorrichtung eine Schreibsignal-Erzeugungseinrichtung hat, die die Schreibdaten bei einer Adresse mit Verifikationsdaten vergleicht und die nur ausgewählte Datenbits, die nicht voll ständig bzw. fertig geschrieben wurden, erneut einschreibt.

Es ist deshalb möglich, ein exzessives Schreiben zu vermeiden, wodurch die Belastung des Flash-Speichers vermindert wird und seine Lebensdauer bzw. Standzeit verlängert wird.

KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN

Weitere Vorteile, vorteilhafte Weiterbildungen und Anwendungs möglichkeiten der vorliegenden Erfindung sind aus der nachfol genden detaillierten Beschreibung bevorzugter Ausführungsformen der Erfindung in Verbindung mit den Zeichnungen zu entnehmen.

Es zeigt:

Fig. 1 ein Blockdiagramm, das eine erste Ausführungsform einer nicht-flüchtigen Halbleiterspeichervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt;

Fig. 2 ein Blockdiagramm, das eine zweite Ausführungsform einer nicht-flüchtigen Halbleiterspeichervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt;

Fig. 3 ein Blockdiagramm, das einen Flash-Speicher zeigt;

Fig. 4 ein Flußdiagramm, das den Schreibbetrieb der ersten Aus führungsform zeigt;

Fig. 5 ein Flußdiagramm, das den Schreibbetrieb der ersten Aus führungsform zeigt;

Fig. 6 ein Schaltungsdiagramm einer Schaltung zum Erzeugen eines Schreibsignals in der ersten Ausführungsform;

Fig. 7 ein Flußdiagramm, das den Schreibbetrieb der zweiten Aus führungsform der Erfindung zeigt;

Fig. 8 ein Blockdiagramm, das eine dritte Ausführungsform einer nicht-flüchtigen Halbleiterspeichervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt; und

Fig. 9 ein Blockdiagramm einer nicht-flüchtigen Halbleiter-Spei chervorrichtung des Stands der Technik.

BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN

Bevorzugte Ausführungsformen einer Schreibvorrichtung für eine nicht-flüchtige Halbleiterspeichervorrichtung gemäß der vorlie genden Erfindung werden nachfolgend im Detail unter Bezugnahme auf die sachdienlichen, beiliegenden Zeichnungen beschrieben.

Fig. 1 ist ein Blockdiagramm einer ersten Ausführungsform einer Schreibvorrichtung für eine nicht-flüchtige Halbleiterspeicher vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung. Fig. 3 ist ein Blockdiagramm eines Flash-Speichers und Fig. 4 und 5 sind Fluß diagramme, die den Schreibbetrieb erläutern.

Die Ausführungsform, die in Fig. 1 gezeigt ist, hat Flash-Spei cher-Blöcke 11, 12 und 13, jeweilige Adresspuffer 21, 22 und 23 und jeweilige Datenpuffer 31, 32 und 33. Jedem der Flash-Spei cher-Blöcke wird ein Schreibfreigabesignal WE1, WE2 bzw. WE3 und ein Lesefreigabesignal RE1, RE2 bzw. RE3 zugeführt. Die Schreib freigabesignale WE1, WE2 und WE3 sind aktiv, wenn ein Schreiben durchgeführt wird, und die Lesefreigabesignale RE1, RE2 und RE3 sind aktiv, wenn ein Lesen und ein Verifizieren bzw. Überprüfen durchgeführt werden.

Fig. 3 zeigt ein Beispiel für den Aufbau eines Flash-Speichers 11, wobei dieser den gleichen Aufbau wie die Flash-Speicher 12 und 13 hat.

Im Fall der Konfiguration mit 512 Bitleitungen und 512 Wortlei tungen gibt es 512 × 512 = 262.144 Zellen und für einen Daten busbreite (Wort) von z. B. 32 Bit würde dies einen Speicher für 32 Bit × 8192 Wörter ergeben. Dieser Speicher erfordert eine 13- Bit-Adresslänge (2¹³ = 8192 Worte), wobei die neun Bit höherer Ordnung (für 2⁹ - 512 Wortleitungen) mit einem X-Dekoder verbun den sind und die 4 Bit niedriger Ordnung (für 32 Bit × 2⁴ = 512 Wortleitungen) mit einem Y-Auswähler verbunden sind. Wenn die Schreibfreigabesignale WE1 bis WE3 aktiv sind, werden Daten in eine Zelle eingeschrieben, die durch den X-Dekoder und den Y- Auswähler ausgewählt wird. Die Lese- und Verifizierungsoperati onen werden durchgeführt, wenn die Lesefreigabesignale RE1 bis RE3 aktiv sind, wobei die Daten aus der Zelle, die durch den X- Dekoder und den Y-Auswähler ausgewählt wird, über einen Lesever stärker bzw. Tastverstärker ausgelesen werden.

Der Schreibbetrieb von Daten in den Flash-Speicher 11 einer nicht-flüchtigen Halbleiterspeichervorrichtung, die, wie vorste hend erwähnt wurde, aufgebaut ist, wird nachfolgend unter Bezug nahme auf das Flußdiagramm in Fig. 4 beschrieben.

Zuerst wird eine Adresse in den Adresspuffer 21 geladen bzw. ge setzt und Daten werden in den Datenpuffer (Schreibpuffer 31) eingeschrieben. Als nächstes wird das Schreibfreigabesignal WE1 aktiviert und, nachdem eine vorgegebene Zeit abgelaufen ist, wird das Schreibfreigabesignal inaktiv gemacht und das Schreiben ist beendet. Dann wird das Schreibfreigabesignal RE1 aktiv ge macht und eine Verifikation der geschriebenen Daten wird durch geführt. Wenn die Daten aus dem Datenpuffer 31 korrekt einge schrieben wurden, schließt dies den Schreibbetrieb ab. Wenn die Daten jedoch nicht eingeschrieben wurden oder nicht korrekt ein geschrieben wurden, wird das Schreibfreigabesignal WE1 erneut aktiv gesetzt und der Schreibbetrieb wird wiederholt.

Die erste Ausführungsform der vorliegenden Erfindung schreibt Daten simultan in die Flash-Speicher 11, 12 und 13 ein, wobei der Schreibbetrieb in Übereinstimmung mit dem Flußdiagramm von Fig. 5 ausgeführt wird.

Zuerst werden Adressen in den Adresspuffern 21, 22 und 23 ge setzt und Daten werden in die Datenpuffer 31, 32 bzw. 33 einge schrieben. Als nächstes werden die Schreibfreigabesignale WE1, WE2 und WE3 aktiv gemacht und, nachdem eine vorgegebene Zeitdau er abgelaufen ist, werden diese Signale wieder inaktiv gemacht und das erste Einschreiben bzw. Schreiben in die Flash-Speicher 11, 12 und 13 ist abgeschlossen oder fertig. Dann werden die Le sefreiegabesignale RE1, RE2 und RE3 aktiv gemacht und die Ver ifikation der Daten, die in die Flash-Speicher 11, 12 und 13 eingeschrieben wurden, wird durchgeführt. Wenn die Daten aus je dem der Datenpuffer korrekt geschrieben worden sind, beendet dies den Schreibbetrieb. Wenn ein Datenschreiben jedoch fehlge schlagen- fehlerhaft, ausgefallen oder gestört ist, wird das Schreibfreigabesignal für den Flash-Speicher, für den ein Schreibbetrieb fehlgeschlagen ist, erneut aktiv gemacht und der schreibbetrieb wird wiederholt. Dementsprechend wird nur der Speicher, bei dem ein schreibbetrieb fehlgeschlagen ist, erneut beschrieben.

In dieser Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist deshalb der Aufbau derart, daß ein Speicher großer Kapazität in unabhän gige Blöcke unterteilt ist, in die ein Schreiben simultan durch geführt wird, wodurch ein Verkürzen der Schreibzeit, eine Reduk tion der Anzahl der Zellen, die mit einer Bitleitung oder einer Wortleitung verbunden sind, und eine Reduktion der Anzahl der Belastungen bzw. der Beanspruchungsvorgänge, die auf die ausge wählte Zelle einwirken oder an diese angelegt sind, ermöglicht werden.

In dieser Ausführungsform wird die Schreibzeit, da es drei Blöcke gibt, auf ein Drittel reduziert und die Anzahl der Bean spruchungen, die auf die Bitleitungen und die Wortleitungen ein wirken, wird auf ein Drittel reduziert.

Fig. 2 zeigt ein Blockdiagramm der zweiten Ausführungsform einer Schreibvorrichtung für eine nicht-flüchtige Halbleiterspeicher vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung. Fig. 6 ist ein Schaltungsdiagramm einer Schreibsignal-Erzeugungsschaltung und Fig. 7 ist ein Betriebsflußdiagramm.

Fig. 2 und Fig. 6 zeigen eine Schreibvorrichtung für eine nicht flüchtige Halbleiterspeichervorrichtung, die Daten in den Flash- Speicher 11 einschreibt und die einen Verifizierungsbetrieb be züglich der geschriebenen Daten und ein Wiederschreiben der Da ten durchführt, wenn das Ergebnis der Verifizierungsoperation angibt, daß die Daten nicht korrekt geschrieben wurden, wobei diese Schreibvorrichtung mit einer Schreibsignal-Erzeugungsein richtung 51 versehen ist, die die Schreibdaten für Adressen mit den Verifikationsdaten vergleicht und selektiv die Daten bei Adressen wieder einschreibt, die derart verifiziert wurden, das sie nicht korrekt eingeschrieben wurden. Die Schreibsignal- Erzeugungseinrichtung 51, die Exklusiv-NOR-Schaltungen 511 bis 51n hat, vergleicht jedes Bit der Schreibdaten 31D mit jedem Bit der Verifikationsdaten 41D, wobei die Ausgangsdaten 51D davon erneut geschriebene Daten werden.

In dieser Schreibvorrichtung werden die zuvor erwähnten Schreib daten in dem Datenpuffer 31 gespeichert und die ausgelesenen Da ten für die Verifikation werden in dem Lesepuffer 41 gespei chert.

Die vorliegende Erfindung wird nachfolgend im Detail beschrie ben.

Gemäß Fig. 2 weist diese Ausführungsform der vorliegenden Er findung den Flash-Speicher 11, den Adresspuffer 21, den Daten puffer 31, den Lesepuffer 41 und eine Schreibsignal-Erzeugungs schaltung 51 auf. Das Schreibfreigabesignal WE1 und das Lese freigabesignal RE1 werden jeweils dem Flash-Speicher 11 zuge führt. Das Schreibfreigabesignal WE1 ist beim Schreiben aktiv und das Lesefreigabesignal RE1 ist beim Lesen und beim Verifi zieren aktiv.

Der Flash-Speicher 11 hat den gleichen Aufbau wie mit Bezug auf Fig. 1 beschrieben wurde.

Dem Lesepuffer 41 werden die Daten des Flash-Speichers 11 einge lesen, wenn die Verifikation durchgeführt wird, und ein Verg leich wird in der Schreibsignal-Erzeugungsschaltung 51 zwischen Verifikationsdaten und den Schreibdaten durchgeführt und Daten werden dadurch erzeugt, so daß nur die Bits, die nicht erfolg reich geschrieben wurden, erneut geschrieben werden.

Fig. 6 zeigt den Aufbau der schreibsignal-Erzeugungsschaltung 51. Um jedes Datenbit zu überprüfen, weist die Schreibsignal-Er zeugungsschaltung 51 n Ex-NOR(Exklusiv-NOR)-Schaltungen 511 bis 51n auf. Die Schreibdaten und Verfikationsdaten werden bitweise von jeder der Ex-NOR-Schaltungen verglichen und Datenbits, die erneut eingeschrieben werden müssen, werden herausgeholt bzw. gewonnen und nur diese Bits werden für das erneute Einschreiben ausgewählt. Dementsprechend ist der Schreibbetrieb dieser Aus führungsform, wie in Fig. 7 gezeigt ist.

Zuerst wird eine Adresse in den Adresspuffer 21 geladen und Da ten werden in den Datenpuffer 31 eingeschrieben. Dann wird der Lesepuffer 41 gelöscht und auf 1 gesetzt.

Als nächstes wird, nachdem Daten in die Schreibsignal-Erzeu gungsschaltung 51 eingegeben wurden, das Schreibfreigabesignal WE1 aktiv gesetzt und, nachdem eine vorgegebene Zeitdauer abge laufen ist, wird das Schreibfreigabesignal WE1 inaktiv gemacht, wobei dies den ersten Schreibvorgang beendet oder vervollstän digt. Als nächstes wird das Lesefreigabesignal RE1 aktiv gemacht und die Verifizierung der eingeschriebenen Daten wird durchge führt. Wenn dieser Vorgang ausgeführt wird, werden in den Lese puffer 41 Verifizierungsdaten eingelesen.

Beim Durchführen des Verifizierungsbetriebs sind alle Ausgänge bzw. Ausgangssignale der Ex-NOR-Schaltungen 511 bis 51n, wenn alle Daten des Datenpuffers 31 gleich den Daten in dem Lesepuf fer 41 sind, auf dem hohen Niveau bzw. Pegel, was angibt, daß alle Bits eingeschrieben worden sind, wobei zu diesem Zeitpunkt der Schreibbetrieb fertig oder beendet ist. Wenn jedoch ein Aus gang bzw. Ausgangssignal mit niedrigem Niveau bzw. Pegel unter den Ausgängen der Ex-NOR-Schaltungen 511 bis 51n gegeben ist, gibt dies an, daß das Bit, für das der Ausgang mit niedrigem Ni veau auftritt, nicht vollständig eingeschrieben worden ist, wo bei in diesem Fall das Schreibfreigabesignal WE1 wieder aktiv gemacht wird und das Schreiben noch einmal durchgeführt wird.

Z.B. geben die Ausgänge der schreibsignal-Erzeugungsschaltung 51, wenn die geschriebenen Daten 00110001 waren und die Verifi zierungsdaten 01111001 waren, eine 0 für die Bits aus, bei denen die Daten unterschiedlich sind, d. h., für die Bits, für die der Schreibbetrieb fehlgeschlagen ist, wobei dieser Ausgang 10110111 ist. Die zweiten Schreibdaten sind deshalb 10110111, wobei es ausreichend ist, nur die Bit mit 0 erneut zu schreiben. Das be deutet, daß Datenbits, die erneut geschrieben werden müssen, ge wonnen werden und daß diese gewonnenen Bits, die 0 angeben, se lektiv erneut geschrieben werden.

Da ein Flash-Speicher in dem gelöschten Zustand ist, sind die Daten darin 1, wenn ein Schreibbetrieb durchgeführt wird, wobei ein Fehlschlagen bzw. ein Fehler beim Schreiben einer 0 in aus gelesenen Verifizierungsdaten von 1 resultieren kann. Wenn 1 je doch von dem gelöschten Zustand aus eingeschrieben wird, kann es nicht geschehen, daß die Verifizierungsdaten 0 sind, da die Speicherdaten bereits 1 sind.

In dieser Ausführungsform ist es deshalb möglich, da Zellen, in die erfolgreich eingeschrieben wurde, nicht mit Daten beschrie ben werden können, ein exzessives Schreiben zu vermeiden und die Belastung zu reduzieren.

Fig. 8 zeigt ein Blockdiagramm einer dritten Ausführungsform einer Schreibvorrichtung für eine nicht-flüchtige Halbleiter speichervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung.

Fig. 8 zeigt einen Aufbau, der eine Kombination der Konfigurati onen der ersten Ausführungsform und der zweiten Ausführungsform ist. Während die erste Ausführungsform einen Adresspuffer für jeden der Flash-Speicher hat, verwenden in der dritten Aus führungsform alle Flash-Speicher bzw. verwendet der gesamte Flash-Speicher den Adresspuffer 21. Die Daten der Puffer 31, 32 und 33 werden deshalb in die gleiche Adresse jedes der Flash- Speicher-Blöcke 11, 12 und 13 eingeschrieben bzw. geladen. Mit diesem Aufbau wird es ermöglicht, die Effekte bzw. Vorteile so wohl der ersten Ausführungsform als auch der zweiten Aus führungsform zu erhalten und auch die Anzahl der Adresseinstel lungen auf ein Drittel im Vergleich mit der ersten Ausführungs form zu reduzieren.

Durch Anwenden des vorstehend erwähnten Aufbaus vermeidet eine Schreibvorrichtung für eine nicht-flüchtige Halbleiterspeicher vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung ein exzessives Schreiben in einen Flash-Speicher.

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Schreibvorrichtung für eine nicht-flüchtige Halbleiterspeichervorrichtung, in der Daten in einen Flash-Speicher 11 eingeschrieben werden und geschrie bene Daten verifiziert werden, wodurch nur Daten, die nicht richtig in den Speicher 11 eingeschrieben wurden, erneut darin eingeschrieben werden, worin die Schreibvorrichtung eine Ex klusiv-NOR-Schaltung 511 bis 51n aufweist, die Schreibdaten 31D mit verifizierten Daten 41D vergleicht und Schreibdaten 51D auf der Basis eines Ergebnisses des Vergleichs bzw. in Abhängigkeit des Vergleichsergebnisses erzeugt, die erneut darin eingeschrie ben werden.

Claims

1. Schreibvorrichtung für eine nicht-flüchtige Halbleiterspei chervorrichtung, in der Daten in einen Flash-Speicher einge schrieben werden und die eingeschriebenen Daten verifiziert wer den, wodurch nur Daten, die nicht korrekt bzw. geeignet in den Speicher eingeschrieben wurden, darin erneut eingeschrieben wer den, wobei die Schreibvorrichtung eine Ex-NOR-Schaltung auf weist, die Schreibdaten mit verifizierten Daten vergleicht und Schreibdaten, die darin einzuschreiben sind, auf der Basis eines Ergebnisses dem Vergleichs erzeugt.

2. Schreibvorrichtung für eine nicht-flüchtige Halbleiterspei chervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Ex-NOR-Schaltung eine Vielzahl von Exklusiv-NOR-Schaltungen auf weist, wobei die Anzahl von ihnen identisch zu der Anzahl der Schreibdaten ist.

3. Schreibvorrichtung für eine nicht-flüchtige Halbleiterspei chervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Schreibdaten in einem Datenpuffer gespeichert sind, während Da ten, die für die Verifizierung ausgelesen werden, in einem Lese puffer gespeichert werden.

4. Schreibvorrichtung für eine nicht-flüchtige Halbleiterspei chervorrichtung, in der Daten in einen Flash-Speicher einge schrieben werden und die eingeschriebenen Daten verifiziert wer den, wodurch nur Daten, die nicht richtig in den Speicher ge schrieben worden sind, darin erneut eingeschrieben werden, worin die Schreibvorrichtung eine Vielzahl der Flash-Speicher auf weist.

5. Schreibvorrichtung für eine nicht-flüchtige Halbleiterspei chervorrichtung, in der Daten in einen Flash-Speicher einge schrieben werden und die eingeschriebenen Daten verifiziert wer den, wodurch nur Daten, die nicht richtig in den Speicher einge schrieben wurden, darin erneut eingeschrieben werden, worin eine Vielzahl der Flash-Speicher vorgesehen ist und worin jeder der Flash-Speicher einen Datenpuffer zum Speichern von Schreibdaten, einen Lesepuffer zum Speichern von ausgelesenen Daten und eine Schreibsteuereinrichtung zum simultanen Schreiben aller bzw. je des der Daten, die in den jeweiligen Datenpuffern gespeichert sind, in die jeweiligen Speicher aufweist und worin weiterhin die Schreibvorrichtung mit einem Adresspuffer zum Bestimmen einer gleichen Adresse für jeden Speicher versehen ist, wobei die Schreibsteuereinrichtung mit einer Vielzahl von Exklusiv- NOR-Schaltungen versehen ist, deren Anzahl identisch zu der An zahl der Schreibdaten ist, wobei die Exklusiv-NOR-Schaltung die Schreibdaten mit verifizierten Daten vergleicht und Schreibda ten, die erneut darin einzuschreiben sind, auf der Basis des Er gebnisses des Vergleichs derart erzeugt, daß der Schreibbetrieb ausgeführt wird.