DE19754616A1

DE19754616A1 - Halbleitersensorbauelement

Info

Publication number: DE19754616A1
Application number: DE19754616A
Authority: DE
Inventors: Hiroshi Nomura; Yukihiro Kato; Akira Shintai
Original assignee: Denso Corp
Current assignee: Denso Corp
Priority date: 1996-12-09
Filing date: 1997-12-09
Publication date: 1998-06-10
Anticipated expiration: 2017-12-10
Also published as: DE19758891B4; FR2756923B1; FR2756923A1; DE19754616B4; US5948991A

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Halblei tersensorbauelement, welches beispielsweise als Drucksensor zum Erfassen eines Einlaßdrucks eines Motors in einem Kraftfahrzeug verwendet werden kann.

Fig. 15 stellt die Struktur eines herkömmlichen Einlaß drucksensors für ein Kraftfahrzeug dar. Ein druckempfindli ches Element 101 ist an einer Oberflächenseite eines Kera miksubstrats 100 befestigt. Das druckempfindliche Element 101 ist durch einen Sensorchip 101a und einen Glassockel 101b gebildet und erfaßt einen zu messenden Druck eines Me diums (Einlaßluft eines Motors). Ein IC (Integrated Circuit) für eine Signalverarbeitungsschaltung 102 ist an der anderen Oberflächenseite des Keramiksubstrats 100 befe stigt. Der IC-Chip für die Signalverarbeitungsschaltung 102 und das druckempfindliche Element 101 sind durch eine auf dem Keramiksubstrat 100 gebildete Verdrahtung und Bond drähte 103 und 104 elektrisch miteinander verbunden. Ein Sensorsignal wird im Ansprechen auf einen von dem druckemp findlichen Element 101 erfaßten Druck von dem IC-Chip für die Signalverarbeitungsschaltung 102 ausgegeben.

Das Keramiksubstrat 100 ist an einem Gehäuse 106 befe stigt, in welchen ein Anschluß 105 durch Umgießen bzw. Um spritzen eingesetzt ist. Ein Ende des Anschlusses 105 ist über einen Bonddraht 107 und eine Verdrahtung auf dem Ke ramiksubstrat 100 mit dem IC-Chip für die Signalverarbei tungsschaltung 102 elektrisch verbunden. Ein anderes Ende des Anschlusses 105 ist an einem Verbindungsstück 106a des Gehäuses 106 bloßgelegt. Eine elektrische Leitung nach au ßen ist an dem anderen Ende des Anschlusses 105 vorgesehen.

Ein oberer Deckel 108 und ein unterer Deckel 109, wel cher ein Druckeinführungsloch 109a besitzt, sind an dem Ge häuse 106 befestigt. Der Druck wird von dem Druckeinfüh rungsloch 109a des unteren Deckels 109 in eine Druckaufnah mekammer 110 eingeführt, und der eingeführte Druck wird von dem druckempfindlichen Element 101 erfaßt. Des weiteren sind der obere Deckel 108, der untere Deckel 109 und das Gehäuse 106 aus Harz gebildet. Der obere Deckel 108 und der untere Deckel 109 sind an dem Gehäuse 106 mit einem Haft- bzw. Klebemittel 111 befestigt. Ebenfalls ist das Kera miksubstrat 100 an dem Gehäuse 106 mit dem Haftmittel 111 befestigt. Infolge der Befestigung unter Verwendung des Haftmittels sind die Druckaufnahmekammer 110 und eine Kam mer (Schaltkreiskammer) 112, in welcher der IC-Chip für die Signalverarbeitungsschaltung angeordnet ist, luftdicht ab geschlossen. Des weiteren ist ein Entlüftungsloch 108a zum Entlassen von Luft aus dem Inneren während einer Erwärmungs- und Trocknungs- bzw. Aushärtungsoperation, welches auf dem oberen Deckel 108 gebildet ist, durch das Haft- bzw. Klebe mittel 111 verschlossen.

Ein zu messendes Medium (Luft), welches durch das Druckeinführungsloch 109a eingeführt wird, enthält Abgas und säurehaltiges bzw. säurebildendes kondensiertes Wasser, welches durch Kühlung des Abgases erzeugt wird. Daher kann durch Bereitstellen des druckempfindlichen Elements 101 zum Erfassen eines Drucks und des IC-Chips für die Signalverar beitungsschaltung 102 zum Durchführen einer Signalverarbei tung in getrennten Kammern der IC-Chip für die Signalverar beitungsschaltung 102 vor einer verunreinigten Umgebung der Druckaufnahmekammer 110 geschützt werden.

Um jedoch das druckempfindliche Element 101 und den IC-Chip für die Signalverarbeitungsschaltung 102 in getrennten Kammern bereitzustellen und sie in einem luftdichten Zu stand zu halten, muß zusätzlich zu der luftdichten Haftung des unteren Deckels 109 und des Gehäuses 106 eine luft dichte Haftung zwischen dem oberen Deckel 108 und dem Ge häuse 106, zwischen dem Keramiksubstrat 100 und dem Gehäuse 106 und dem Entlüftungsloch 108a in dem unteren Deckel je weils erzielt werden, was eine Schwierigkeit im Hinblick auf die Luftdichtigkeit und Komplexidität der Struktur dar stellt. In der offengelegten japanischen Patentanmeldung Nr. H.7-243926 wird als Bauelement zur Unterstützung der Luftdichtigkeit ein Bauelement mit einer Struktur offen bart, bei welcher ein Metalldiaphragma verwendet wird und eine Verschiebung des Metalldiaphragmas auf ein druckemp findliches Element durch Silikonöl übertragen wird. Wenn jedoch Silikonöl verwendet wird, wird die Druckerfassungs genauigkeit durch thermische Ausdehnung davon verringert.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Halblei tersensorbauelement bereitzustellen, welches zum Schützen eines IC-Chips für eine Signalverarbeitungsschaltung gegen über einer verunreinigten Umgebung und außerdem zum Durch führen einer Erfassung mit hoher Genauigkeit geeignet ist, ohne daß ein druckempfindliches Element und der IC-Chip für die Signalverarbeitungsschaltung in separaten Kammern vor gesehen werden.

Die Lösung der Aufgabe erfolgt durch die Merkmale der nebengeordneten unabhängigen Ansprüche.

Entsprechend der vorliegenden Erfindung ist ein IC-Chip für eine Signalverarbeitungsschaltung in einem umspritzten bzw. umgegossenen IC integriert (enthalten), und ein druck empfindliches Element ist integriert darauf vorgesehen. Der umspritzte IC, welcher wie oben beschrieben gebildet ist, ist in einem Gehäuse untergebracht. Wenn der umspritzte IC in dem Gehäuse untergebracht wird, wird der umspritzte IC an dem Gehäuse in einem Zustand befestigt, bei welchem beide Enden der Kontaktstifte des Verbindungsstücks, welche in dem Gehäuse umspritzt werden, elektrisch mit äußeren An schlüssen des umspritzten IC's verbunden. Dadurch wird ein Sensorsignal von anderen Enden der Kontaktstifte des Ver bindungsstücks ausgegeben. Durch Integrieren des IC-Chips für die Signalverarbeitungsschaltung in dem umspritzten IC kann der IC-Chip für die Signalverarbeitungsschaltung vor einer verunreinigten Umgebung an einer Stelle geschützt werden, an welcher das druckempfindliche Element angeordnet ist.

Das druckempfindliche Element und der IC-Chip für die Signalverarbeitungsschaltung können unter Verwendung von Leiterrahmen spezifisch miteinander verbunden werden. In diesem Fall können die Leiterrahmen als externe Anschlüsse verwendet werden.

Wenn eine Öffnung auf dem umspritzten IC gebildet wird und das druckempfindliche Element in der Öffnung instal liert wird, werden das druckempfindliche Element und die Leiterrahmen, welche durch die Öffnung bloßgelegt sind, durch Drahtbonden elektrisch miteinander verbunden, und das druckempfindliche Element und die Leiterrahmen können her vorragend gebondet werden.

Wenn der Leiterrahmen durch eine 42er Legierung (42 al loy) gebildet wird und der umspritzte IC durch ein in Wärme ausgehärtendes Harz umspritzt wird, können die jeweiligen thermischen Ausdehnungskoeffizienten angepaßt werden, und es kann daher verhindert werden, daß die Leiterrahmen sich von dem umspritzten IC durch thermische Spannung abtrennen.

Wenn der umspritzte IC durch ein Harzeinspritzmittel fest an dem Harzgehäuse anhaftet und die äußeren Anschlüsse des umspritzten IC's und die in das Gehäuse durch Umsprit zen eingesetzte Kontaktstifte des Verbindungsstücks durch das Harzeinspritzmittel bedeckt werden, können die äußeren Anschlüsse und die Kontaktstifte des Verbindungsstücks ebenfalls vor einer verunreinigten Umgebung in einer Druck aufnahmekammer geschützt werden.

Wenn eine Öffnung in Form einer Ausnehmung in dem um spritzten IC gebildet wird und ein druckempfindliches Ele ment in der Öffnung angeordnet wird, wird es bevorzugt, ein anderes Ausnehmungsteil an einem Teil gegenüberliegend der in Form einer Ausnehmung gebildeten Öffnung auf der Rück seitenoberfläche des umspritzten IC's zu bilden. Wenn ein Harzblock zur Bildung des umspritzten IC's gegossen wird, wird dadurch ein Widerstand gegenüber dem Harzfluß sowohl von der als Aussparung gebildeten Öffnung zum Anordnen des druckempfindlichen Elements als auch von dem Aussparungs teil auf der Rückseitenoberfläche aufgebracht. Dementspre chend wird es dem Harz nicht ermöglicht, abweichend zu ei ner Oberflächenseite zu fließen. Als Ergebnis kann ein Harzblock, welcher hervorragend mit Harz angefüllt ist, ge bildet werden, ohne daß Blasen in dem Harzblock verbleiben.

Die vorliegende Erfindung wird in der nachfolgenden Be schreibung unter Bezugnahme auf die Zeichnung erläutert.

Fig. 1 zeigt eine Draufsicht auf einen Halbleiterdruck sensor einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfin dung;

Fig. 2 zeigt eine Querschnittsansicht entlang Linie II-II von Fig. 1;

Fig. 3 zeigt eine Querschnittsansicht entlang Linie III-III eines in Fig. 1 dargestellten umspritzten IC's;

Fig. 4 zeigt eine Querschnittsansicht entlang Linie IV-IV von Fig. 1;

Fig. 5 zeigt eine Querschnittsansicht, welche den Drucksensor in einem Zustand darstellt, bei welchem ein Deckel 30 auf einem Gehäuse 20 befestigt ist;

Fig. 6 zeigt eine Querschnittsansicht, welche einen Halbleiterdrucksensor einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt;

Fig. 7 zeigt eine Draufsicht auf den Halbleiterdruck sensor der zweiten Ausführungsform;

Fig. 8 zeigt eine Querschnittsansicht, welche einen Drucksensor in einem Zustand darstellt, bei welchem ein um spritzter IC auf einem Gehäuse eines Hauptkörpers ange bracht ist;

Fig. 9 zeigt eine Draufsicht, welche den Drucksensor in einem Zustand darstellt, bei welchem ein Deckel des Gehäu ses des Hauptkörpers entfernt ist;

Fig. 10 zeigt eine Querschnittsansicht, welche einen Zustand darstellt, bei welchem Harz beim Gießen eines Harz blocks fließt;

Fig. 11 zeigt eine Querschnittsansicht, welche einen Halbleiterdrucksensor einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dargestellt;

Fig. 12 zeigt eine Querschnittsansicht, welche einen Halbleiterdrucksensor einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt;

Fig. 13 zeigt eine Querschnittsansicht, welche einen Halbleiterdrucksensor einer fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt;

Fig. 14 zeigt eine Draufsicht, welche den Drucksensor in einem Zustand darstellt, bei welchem ein Deckel eines Gehäuses des Hauptkörpers entfernt ist; und

Fig. 15 zeigt eine Querschnittsansicht, welche eine Struktur eines herkömmlichen Halbleiterdrucksensors dar stellt.

Fig. 1 bis 4 stellen die Struktur eines Halbleiter drucksensors einer ersten Ausführungsform dar. Fig. 1 zeigt eine Draufsicht darauf, Fig. 2 zeigt eine Querschnittsan sicht entlang Linie II-II eines umspritzten IC's von Fig. 1, Fig. 3 zeigt eine Querschnittsansicht entlang Linie III-III des in Fig. 1 dargestellten umspritzten IC's 1, und Fig. 4 zeigt eine Querschnittsansicht entlang Linie IV-IV des umspritzten IC's 1 von Fig. 1.

Der Halbleiterdrucksensor der ersten Ausführungsform wird als Einlaßdrucksensor für einen Motor eines Kraftfahr zeugs verwendet, welcher durch Anordnen eines umspritzten IC's 1 in einem Gehäuse 20 gebildet wird.

Der umspritzte IC 1 wird durch Gießen eines Harzblocks 3 gebildet, in welchen Leiterrahmen 2 eingesetzt sind, die durch eine 42er Legierung (42 alloy) gebildet sind, wobei Epoxidharz einschließlich eines Füllmittels verwendet wird. Eine Öffnung 3a ist in dem Harzblock 3 des umspritzten IC's 1 gebildet. Ein druckempfindliches Element (Abtasteinheit) 10 zum Erfassen eines Drucks ist innerhalb der Öffnung 3a angebracht. Wie in Fig. 3 und Fig. 4 dargestellt ist das druckempfindliche Element 10 durch einen aus einem Silizi umsubstrat gebildeten Sensorchip 11 und einem anodisch auf den Sensorchip 11 gebondeten Glassockel 13 gebildet. Ein Diaphragma 11a, welches durch einen aufgenommenen Druck verschoben wird, ist in dem Sensorchip 11 gebildet. Eine Diffusionslehre 12, deren Widerstandswert entsprechend der Verschiebung des Diaphragmas 11a geändert wird, ist auf der Oberfläche des Diaphragmas 11a gebildet. Des weiteren ist eine Bezugsdruckkammer zwischen dem Sensorchip 11 und dem Glassockel 13 gebildet, und das Diaphragma 11a wird ent sprechend einer Differenz zwischen einem an die Oberfläche angelegten Druck und einem Druck in der Bezugsdruckkammer verschoben. Das druckempfindliche Element 10 haftet fest auf dem Harzblock 3 innerhalb der Öffnung 3a durch ein Harzhaftmittel 14 an. Des weiteren bedeckt ein organisches, gelähnliches Schutzteil 15 die Umgebung des druckempfindli chen Elements 10 und das druckempfindliche Element 10. Das Schutzteil 15 schützt nicht nur den Sensorchip 11 vor einer Verunreinigung, sondern isoliert die Leiterrahmen 2 elek trisch voneinander. Des weiteren sind Bonddrähte 16, welche nicht von dem gelähnlichen Schutzteil 10 bedeckt sind, mit einer nicht dargestellten organischen, aufgedampften Schicht versehen, wodurch die Bonddrähte 16 elektrisch von einander isoliert sind.

Die auf der Oberfläche des Sensorchips 11 gebildete Diffusionslehre 12 ist elektrisch mit den Leiterrahmen 2 durch eine nicht dargestellte Verdrahtungsstruktur einer Aluminiumdünnschicht verbunden, welche auf dem Sensorchip und den Bonddrähten 16 gebildet ist. Wie in Fig. 4 darge stellt wird ein elektrisches Signal davon einem IC-Chip für eine Signalverarbeitungsschaltung 17 ausgegeben, welche auf dem Rahmen 2 an der Innenseite des umspritzten IC's 1 vor gesehen ist, und wird als Sensorsignal ausgegeben, nachdem eine vorbestimmte Signalverarbeitung in dem IC-Chip für die Signalverarbeitungsschaltung 17 durchgeführt worden ist. D.h. der IC-Chip für die Signalverarbeitungsschaltung 17 ist elektrisch mit drei äußeren Anschlüssen 2a, 2b und 2c verbunden, die durch die Leiterrahmen 2 gebildet sind. Die äußeren Anschlüsse 2a, 2b bzw. 2c bilden einen Spannungs quellenanschluß, einen Masseanschluß und einen Sensorsi gnalausgangsanschluß des IC-Chips für die Signalverarbei tungsschaltung 17.

Das Gehäuse 20 ist aus Harz gebildet, beispielsweise aus PBT (Polybuthylentherephtalat). Wie in Fig. 2 darge stellt ist das Gehäuse 20 mit einer Öffnung 20a zum Unter bringen des umspritzten IC's 1 und eines Verbindungsstücks 20b versehen. Drei aus Kupfer hergestellte Kontaktstifte 21a, 21b und 21c des Verbindungsstücks sind in das Gehäuse 20 eingesetzt. Enden der Kontaktstifte 21a, 21b und 21c des Verbindungsstücks sind jeweils an den äußeren Anschlüssen 2a, 2b und 2c durch Schweißen in einem elektrisch leitenden Zustand befestigt. Des weiteren sind jeweils die anderen Enden der Kontaktstifte 21a, 21b und 21c des Verbindungs stücks in dem Verbindungsstück 20b bloßgelegt, und die elektrische Leitung nach außen erfolgt durch die bloßgeleg ten Teile.

Der umspritzte IC 1 ist in der Öffnung 20a des Gehäuses 20 durch ein Harzeinspritzmittel (Vergußmittel) 4 befe stigt. In diesem Fall werden die äußeren Anschlüsse 2a, 2b und 2c und die Kontaktstifte 21a, 21b und 21c des Verbin dungsstücks durch das Harzeinspritzmittel 4 bedeckt, und daher kann verhindert werden, daß Wasser oder dergleichen zwischen den äußeren Anschlüssen 2a, 2b und 2c und dem Harzblock 3 in den umspritzten IC 1 eindringt. Des weiteren wird eine Korrosion der Kontaktstifte 21a, 21b und 21c des Verbindungsstücks verhindert, so daß ein elektrisches Leck nicht auftritt.

Nach dem Anbringen des umspritzten IC's 1 auf dem Ge häuse 20 wird wie in Fig. 5 dargestellt das Gehäuse mit ei nem Deckel 30 versehen. Der Deckel 30 ist mit einem Druck einführungsloch 30a zum Einführen eines Drucks in eine Druckaufnahmekammer 22 in dem Gehäuse 20 ausgestattet. Der Deckel 30 ist durch ein Haft- bzw. Klebemittel 31 fest mit dem Gehäuse 20 verbunden, wodurch die Druckaufnahmekammer 22 bezüglich der äußeren Umgebung verschlossen bzw. versie gelt ist. Des weiteren ist das Druckeinführungsloch 30a über einen nicht dargestellten Gummischlauch mit einem Aus gleichs- bzw. Auffangbehälter verbunden.

Entsprechend der oben beschriebenen Struktur wird der zu messende Druck eines Mediums (Luft), welche über das Druckeinführungsloch 30a des Deckels 30 in die Druckaufnah mekammer 22 eingeführt wird, durch das druckempfindliche Element 10 erfaßt. Das elektrische Signal von dem druckemp findlichen Element 10 wird dem IC-Chip für die Signalverar beitungsschaltung 17 über die Bonddrähte 16 und die Leiter rahmen 2 eingespeist. Des weiteren wird das elektrische Si gnal von dem IC-Chip für die Signalverarbeitungsschaltung 17 verstärkt und nach außen als Sensorsignal über den äuße ren Anschluß 2c und den Kontaktstift 21c des Verbindungs stücks ausgegeben.

Obwohl die Druckaufnahmekammer 22 wie bezüglich der herkömmlichen Technik beschrieben einer verschmutzten Umge bung ausgesetzt wird, kann der IC-Chip für die Signalverar beitungsschaltung 17 vor der verunreinigten Umgebung in der Druckaufnahmekammer 22 geschützt werden, da der IC-Chip für die Signalverarbeitungsschaltung in dem umspritzten IC 1 enthalten (vergraben) ist. Darüber hinaus sind die äußeren Anschlüsse 2a, 2b und 2c in dem umspritzten IC 1 und die Kontaktstifte 21a, 21b und 21c des Verbindungsstücks von dem Harzeinspritzmittel 4 bedeckt. Daher können diese vor der verschmutzten Umgebung der Druckaufnahmekammer 22 ge schützt werden.

Der umspritzte IC 1 ist in dem Gehäuse 20 fest unterge bracht bzw. angeordnet, und daher kann die Innenseite der Druckaufnahmekammer 22 lediglich durch luftdichtes Anhaften bzw. Kleben des Deckels 30 und des Gehäuses 20 in einem luftdichten Zustand gehalten werden, wodurch die Luftdich tigkeit durch eine einfache Struktur unterstützt werden kann.

Ein in Wärme aushärtendes Harz (Epoxidharz) wird für den Harzblock 3 verwendet, und dementsprechend wird der Harzblock 3 mit einer hervorragenden Verunreinigungswider standsfähigkeit versehen. Der thermische Ausdehnungskoeffi zient des Epoxidharzes einschließlich eines Füllmittels be trägt 14 ppm, welcher vergleichsweise nahe an dem thermi schen Ausdehnungskoeffizienten der 42er Legierung von 4 ppm liegt, welche das Material für die Leiterrahmen 2 bildet bzw. darstellt. Daher kann verhindert werden, daß sich der Harzblock 3 und die Leiterrahmen 2 durch thermische Span nung voneinander abtrennen.

Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die oben be schriebene erste Ausführungsform beschränkt, sondern kann innerhalb des Rahmens der Erfindung angemessen abgeändert werden. Beispielsweise können als Materialien zur Bildung des umspritzten IC's 1 und des Gehäuses 20 andere Materia lien als die oben beschriebenen angewandt werden.

Des weiteren können Löten, Abdichten bzw. Verstemmen (caulking) oder dergleichen außer Schweißen zum Befestigen der äußeren Anschlüsse 2a, 2b und 2c und der Kontaktstifte 21a, 21b bzw. 21c des Verbindungsstücks verwendet werden.

Des weiteren können die Leiterrahmen 2 und die Kontakt stifte 21a, 21b und 21c des Verbindungsstücks wie bei der oben beschriebenen Ausführungsform dargestellt unterschied liche Metalle aufweisen bzw. daraus bestehen oder können dasselbe Metall wie Kupfer oder dergleichen aufweisen bzw. daraus bestehen. In diesem Fall kann eine Signalleitung zum Übertragen eines Signals von dem IC-Chip für die Signalver arbeitungsschaltung zu dem Verbindungsstück 20b durch ein Material gebildet werden.

Des weiteren darf das druckempfindliche Element 10 nicht an der Innenseite der Öffnung 3a des umspritzten IC's 1 angeordnet werden, soweit es integriert mit dem umspritz ten IC 1 gebildet ist. Beispielsweise kann die obere Seite des umspritzten IC's 1 eben ausgebildet sein, und das druckempfindliche Element 10 kann darauf angebracht sein. Unter Berücksichtigung der Tatsache jedoch, daß das Draht bonden auf die Leiterrahmen 2 angewandt wird, wird das druckempfindliche Element 10 vorzugsweise an der Innenseite der Öffnung 3a dort angeordnet, wo die Leiterrahmen 2 wie bei der oben beschriebenen Ausführungsform bloßgelegt sind.

Im folgenden wird eine Erklärung einer zweiten Ausfüh rungsform der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf Fig. 6 bis 10 beschrieben.

Fig. 6 und 7 zeigen einen Halbleiterdrucksensor 121 der zweiten Ausführungsform. Der Sensor wird beispielsweise zum Erfassen eines Einlaßluftdrucks eines Motors verwendet, dessen Druckmeßbereich beispielsweise bei etwa 10 kPa [abs] bis 250 kPa [abs] liegt. Die Einlaßluft, welche ein Medium zum Erfassen des Drucks darstellt, enthält Abgas, säurehal tiges bzw. säurebildendes kondensiertes Wasser, welches beim Kühlen des Abgases gebildet wird, und dergleichen. Da her wird der Halbleiterdrucksensor 121 in einer verunrei nigten Umgebung verwendet.

Der Halbleiterdrucksensor 121 ist derart gebildet, daß drei Anschlüsse 123 von einer Oberflächenseite eines Harz blocks 122 in ein rechteckiges Gefäß heraus geleitet werden, welches durch das später erwähnte Übertragungs- bzw. Trans fergußverfahren (transfer molding process) gebildet wird. Die drei Anschlüsse 123 sind entsprechend einem Spannungs quellenanschluß, einem Signalausgangsanschluß bzw. einem Masseanschluß vorgesehen. An der Innenseite des Harzblocks 122 sind ein Leiterrahmen 124 und ein IC-Chip für die Si gnalverarbeitungsschaltung 125 enthalten, welcher auf einem Leiterteil für die Signalverarbeitungsschaltung 124a des Leiterrahmens 124 angebracht ist.

Der Leiterrahmen 124 ist durch das Leiterteil für die Signalverarbeitungsschaltung 124a, drei Anschlußleiterteile 124b zum Bilden der Anschlüsse 123 und vier Leiterteile für das druckempfindliche Element 124c gebildet. Wenn ein Sen sorsignal dem IC-Chip für die Signalverarbeitungsschaltung 125 eingespeist wird, unterwirft der IC-Chip für die Si gnalverarbeitungsschaltung 125 das Signal der Signalverar beitung und gibt es als erfaßtes Signal aus. Sieben auf der Oberfläche des IC-Chips für die Signalverarbeitungsschal tung 125 gebildete Bondinseln und jeweilige Teile des Lei terrahmens 124 sind durch Bonddrähte 126 elektrisch verbun den.

Der Harzblock 122 ist mit einem in einer rechtwinkligen Aussparung auf einer Seite gebildeten Sensoranbringungsteil 127 vorgesehen, wo der IC-Chip für die Signalverarbeitungs schaltung 125 angebracht ist. Enden der Leiterteile für das druckempfindliche Element 124c des Leiterrahmens 124 sind an vier Ecken der Unterseite des Sensoranbringungsteils 127 bloßgelegt. Des weiteren sind auf der Rückseite des Sen soranbringungsteils 127 des Harzblocks 122 zwei Rinnen bzw. Gräben 128 mit einer Aussparungsform als Aussparungsteile gebildet. Die Gräben 128 dienen wie später erwähnt dazu, dem Harzfluß beim Gießen des Harzblocks 122 einen Wider stand entgegenzustellen. Haltestiftlöcher 128a, welche den umspritzten IC durchdringen, um die Rückseite der Leiter teile für das druckempfindliche Element 124c bloßzulegen, sind an beiden Enden der jeweiligen als Ausnehmung gebilde ten Rinnen 128 gebildet. Die Löcher 128a sind durch Halte stifte gebildet, welche die Leiterteile für das druckemp findliche Element 124c halten und welche von der Rückseite des umspritzten IC's beim Gießen des Harzblocks 122 einge setzt werden.

Ein Glassockel 129 ist an der Mitte des wie oben be schrieben gebildeten Sensoranbringungsteils 127 befestigt, und auf der Oberseite davon ist ein Drucksensorchip 130 durch anodisches Bonden befestigt. Der Drucksensorchip 130 ist aus einem Siliziumsubstrat gebildet. Ein Diaphragma ist durch Ätzen an dem mittleren Teil des Drucksensorchips 130 gebildet. Ein hermetisch umschlossener Raum ist zwischen dem Drucksensorchip 130 und dem Sockel 129 gebildet. Der Raum wird als Druckbezugskammer 130a verwendet. Eine Mehr zahl von Widerständen zur Anwendung eines piezoelektrischen Widerstandseffekts sind auf dem Diaphragmateil des Druck sensorchips 130 gebildet. Die in einer Mehrzahl vorkommen den Widerstände sind zur Bildung einer Brückenschaltung miteinander verbunden. Signalanschlüsse und Spannungsquel lenanschlüsse der Brückenschaltung sind mit vier Elektro denanschlußflächen des Drucksensorchips 130 jeweils verbun den.

Die Elektrodenanschlußflächen an vier Ecken des Druck sensorchips 130 und bloßgelegte Teile der Leiterteile für das druckempfindliche Element 124c sind durch Bonddrähte 131 elektrisch verbunden. Ein von dem Drucksensorchip 130 ausgegebenes Sensorsignal wird dem IC-Chip für die Signal verarbeitungsschaltung 125 über die Bonddrähte 131 und die Leiterteile für das druckempfindliche Element 124c einge speist. Wenn das Diaphragma des Drucksensorchips 130 durch den aufgenommenen Druck verschoben wird, ändern sich die Widerstandswerte der Widerstände durch den piezoelektri schen Widerstandseffekt. Daher wird der abgeglichene Zu stand der Brückenschaltung nicht aufrechterhalten, und es wird das Sensorsignal entsprechend dem Druck ausgegeben.

Wenn der Drucksensorchip 130 angebracht wird, wird ein Harz 132 zum Schutz auf das Diaphragma des Drucksensorchips 130 und auf die Oberflächenteile der Leiterteile für das druckempfindliche Element 124c aufgetragen, welche mit den Bonddrähten 131 verbunden sind. Das Harz 132 besitzt eine Härte eines Grads, bei welchem die Druckerfassungsoperation des Drucksensorchips 130 nicht behindert wird. Beispiels weise wird ein gelähnliches Material einer Silikonharz gruppe als Harz 132 verwendet. Der komplexe Elastizitätsmo dul des Materials beträgt beispielsweise 10³ bis 10⁵Pa. Ein dünnes Ummantelungsmittel ist auf die Oberfläche der Bond drähte 131 aufgetragen, wodurch ein elektrischer Isolie rungszustand sogar bei einer verschmutzten Umgebung auf rechterhalten wird.

Als nächstes wird eine Erklärung eines Zustands gege ben, bei welchem der Halbleiterdrucksensor 121 auf einem Gehäuse 133 angebracht ist. Entsprechend der Fig. 8 und 9 ist das Gehäuse 133 beispielsweise aus PBT-Harz gebildet. Das Gehäuse 133 ist mit einem Anbringungsteil 133a, dessen Anbringungsseite geöffnet ist, und einem Verbindungsteil 133b versehen. Drei Kontaktstifte 134 des Verbindungsstücks sind in dem Gehäuse 133 derart umspritzt, daß ein Ende der drei Kontaktstifte 134 des Verbindungsstücks in dem Verbin dungsteil 133b bloßgelegt sind.

Der Halbleiterdrucksensor 121 ist in dem Anbringungs teil 133a des Gehäuses 133 untergebracht. Drei Anschlüsse 123 (drei Anschlußleiterteile 124b) und die Kontaktstifte 134 des Verbindungsstücks sind durch Schweißen elektrisch verbunden. Des weiteren ist der Harzblock 122 des Halblei terdrucksensors 121 durch ein Vergußharz unter Verwendung eines Harzeinspritzmittels (Vergußversiegelungsmittel) 135 versiegelt bzw. verschlossen. Auf diese Weise ist der Halb leiterdrucksensor 121 mit der Innenseite des Gehäuses 133 fest verbunden.

Das Harzeinspritzmittel 135 muß eine derartige Härte und ein derartiges Haftvermögen besitzen, daß sogar dann nicht an der Innenseite des Anbringungsteils 133a Blasen erzeugt werden, wenn ein negativer Druck auf eine Lücke zwischen dem umspritzten IC und den eingesetzten Kontakt stiften 134 des Verbindungsstücks aufgebracht wird, der Harzblock 122, in welchem der IC-Chip für die Signalverar beitungsschaltung 125 enthalten ist, dauerhaft und fest an dem Anbringungsteil 133a anhaftet und die geschweißten Teile der Anschlüsse 123 und die Kontaktstifte 134 des Ver bindungsstücks sogar in einer verschmutzten Umgebung ge schützt werden können. Als derartiges Harzeinspritzmittel 135 ist beispielsweise ein Gummi einer Silikonharzgruppe, ein Harz einer Epoxidgruppe und dergleichen vorgesehen, welche ein Elastizitätsmodul von etwa 10⁵ bis 10⁶Pa besit zen.

Wenn der Halbleiterdrucksensor 121 in dem Gehäuse 133 angebracht worden ist, wird ein Deckel 137 aus einem PBT-Harz mit einer Öffnung 136 des Anbringungsteils 133a fest verbunden. Der Deckel 137 ist mit einem Druckeinführungs loch 138 versehen, welches in einer zylindrischen Form an einem mittleren Teil davon gebildet ist.

Im folgenden wird eine einfache Erklärung des Verfah rens des Gießens des Harzblocks 122 des Halbleiterdrucksen sors 121 gegeben. In Fig. 10 ist ein Zustand dargestellt, bei welchem Harz während der Gießoperation in einen Stempel bzw. eine Druckplatte fließt und der IC-Chip für die Si gnalverarbeitungsschaltung 125 auf dem Leiterrahmen 124 an gebracht ist. Die Bonddrähte 126 sind zwischen dem Leiter rahmen 124 und dem IC-Chip für die Signalverarbeitungs schaltung 125 angeschlossen. In diesem Zustand ist der Lei terrahmen 124 auf einem vorbestimmten Teil einer unteren Druckplatte 139 angebracht und wird von Haltestiften gehal ten. Nachdem die Druckplatte durch eine obere Druckplatte 140 geschlossen ist, wird als nächstes in Wärme aushärten des Harz 141 in die Druckplatte gegossen und durch einen Kolben 142 gepreßt. Wenn das in Wärme aushärtende Harz 141 unter Hitze in die obere und untere Druckplatte 139 und 140 gegossen wird, fließt das in Hitze aushärtende Harz unter einem durch den Kolben 142 hervorgerufenen Druck über einen Einlauf 143 in einen Hohlraum 144 zwischen der oberen und unteren Druckplatte 139 und 140. Da in diesem Fall ein In tervall zwischen einem Vorsprung 140a der oberen Druck platte 140 (einem Teil entsprechend dem Sensoranbringungs teil 127 des Harzblocks 122) und Vorsprüngen 139a und 139b der unteren Druckplatte 139 (Teilen entsprechend den Gräben 128 des Harzblocks 122) schmal gemacht wird, wird der Fluß des in Wärme aushärtenden Harzes 141 gleichförmig sowohl an der oberen als auch der unteren Seite des Leiterrahmens 124 unter Empfang eines Widerstands von den Vorsprüngen 140a, 139a und 139b gehemmt. Dadurch wird das in Wärme aushär tende Harz 141 in distale Endteile des Hohlraums 144 ge füllt, ohne daß Blasen zurückbleiben. Zu diesem Zeitpunkt wird Luft in der Innenseite des Hohlraums 144 über eine Entlüftung 145 nach außen entladen. Das auf diese Weise eingefüllte in Wärme aushärtende Harz 141 wird in der Druckplatte weiter erwärmt, getrocknet bzw. ausgehärtet und verfestigt, wodurch der Harzblock 122 gebildet wird. Danach wird das gegossene Produkt aus der oberen und unteren Druckplatte 139 und 140 herausgenommen und an dem Einlauf 143 abgetrennt, wodurch der Harzblock 122 erlangt werden kann.

Bei der Ausführungsform ist das Sensoranbringungsteil 127 in dem Harzblock 122 in einem Zustand gebildet, bei welchem der IC-Chip für die Signalverarbeitungsschaltung 125 durch den mit dem in Wärme aushärtenden Harz 141 um spritzten Harzblock 122 eingeschlossen ist. Es ist daher nicht nötig, eine Umhüllung zum Schutz des IC-Chips für die Signalverarbeitungsschaltung 125 vor einer verschmutzten Umgebung vorzusehen, wenn der IC-Chip für die Signalverar beitungsschaltung 125 auf dem Gehäuse 133 angebracht wird, wodurch eine Zusammenbau- oder Anbringungsoperation einfach und kostengünstig durchgeführt werden kann. Des weiteren kann der umschlossene Zustand des IC-Chips für die Signal verarbeitungsschaltung 125 noch besser als bei Verwendung eines thermoplastischen Harzes oder dergleichen aufrechter halten werden.

Da das Sensoranbringungsteil 127 zum Anbringen des Drucksensorchips 130 auf dem Harzblock 122 in Form einer Ausnehmung gebildet wird, braucht ein Teil zum Trennen des Drucksensorchips 130 von dem Harzeinspritzmittel 135 zum Schützen der geschweißten Teile der Anschlüsse 123 und der Kontaktstifte 134 des Verbindungsstücks nicht getrennt vor gesehen werden. Daher kann eine Zahl von Teilen und eine Zahl von Anbringungsschritten verringert werden.

Des weiteren sind zwei der Gräben 128 entsprechend dem Sensoranbringungsteil 127 auf der Rückseite des Harzblocks 122 vorgesehen. Des weiteren wird ein Fluß des in Wärme aushärtenden Harzes 141 bei der Transfergußoperation an beiden Seiten des Leiterrahmens 124 gleichförmig gemacht. Als Ergebnis kann das Harz in distale Endteile des Hohl raums 144 eingefüllt werden, ohne daß Blasen oder derglei chen an der Innenseite davon verbleiben, wodurch ein höchstzuverlässiger Harzblock 122 hergestellt werden kann. Die Gräben 128 und die Haltekontaktstiftlöcher 128a werden vorzugsweise mit einem weichen Harz gefüllt. Da in diesem Fall die Haltekontaktstiftlöcher 128a in den Gräben 128 ge bildet werden, kann ein derartiges weiches Gebiet in den Haltekontaktstiftlöchern 128a leicht vorgesehen werden.

Fig. 11 zeigt eine dritte Ausführungsform der vorlie genden Erfindung. Ein Unterschied zu der zweiten Ausfüh rungsform besteht darin, daß der Harzblock 122 und ein Harzblock 147 verwendet wird, in welchem ein Graben 146 breit und flach auf der Rückseite des Harzblocks 147 gebil det wird. Die Dimensionen des Grabens 146 sind im wesentli chen gleich den Dimensionen der Öffnung des Sensoranbrin gungsteils 127. Die Dimension der Tiefe des Grabens 146 kann kleiner als bei der ersten Ausführungsform vorgesehen sein. Sogar mit einer derartigen Struktur kann beim Gießen des Harzblocks 147 durch den Transferguß das in Wärme aus härtende Harz 141 dazu gebracht werden, daß es gleichförmig in die oberen und unteren Teile des Leiterrahmens 124 fließt. Als Ergebnis kann der Harzblock 147 in einem Zu stand gegossen werden, bei welchem keine verbleibende Luft wie Blasen vorhanden ist.

Fig. 12 zeigt eine vierte Ausführungsform der vorlie genden Erfindung, und ein Unterschied zu der zweiten Aus führungsform besteht darin, daß anstelle des Harzblocks 122 ein Harzblock 149 verwendet werden, bei welchem ein Graben 148 schmal und tief auf der Rückseite des Harzblocks gebil det wird. Mit der vierten Ausführungsform kann eine Opera tion und ein Effekt ähnlich denen der zweiten Ausführungs form erzielt werden. Des weiteren wird es bevorzugt, daß die Dimension der Dicke des Harzblocks auf der Rückseite des Sensoranbringungsteils 127 auf einen Grad festgelegt wird, bei welchem die Stärke beim Anbringen des Drucksen sorchips 130 beibehalten werden kann.

Fig. 13 und 14 zeigen eine fünfte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Ein Unterschied zu der zweiten Ausführungsform besteht darin, daß anstelle des Harzblocks 122 ein Harzblock 150 vorgesehen wird. D.h. bei dem Harz block 150 gibt es kein Teil, welches eine Umfangswand an dem gesamten Rand eines Sensoranbringungsteils 151 bildet. Das in Wärme aushärtende Harz wird lediglich an einem Teil gebildet, an welchem der IC-Chip für die Signalverarbei tungsschaltung 125 angebracht wird.

Diese Ausführungsform ist für den Fall vorgesehen, bei welchem das Harz 132 zum Schutz des Drucksensorchips 130 ebenfalls als Harzeinspritzmittel zum Schutz von geschweiß ten Teilen von Anschlüssen 123 und der Kontaktstifte 134 des Verbindungsstücks verwendet werden kann. Wenn der Harz block 150 in dem Gehäuse 133 angebracht wird, wird das Ver siegeln mit vergossenem Harz durch das Harz 132 zum Schutz derart durchgeführt, daß ein ganzer Harzblock 150 bedeckt wird. Bei der fünften Ausführungsform wird das Harz 132 zum Schutz eingefüllt, um den Drucksensorchip 130 und den äuße ren Rand des Harzblocks 150 gleichzeitig durch Vergießen des Harzes derart zu bedecken, daß das Versiegeln mit ver gossenem Harz entsprechend der Verwendung durchgeführt wer den kann.

Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die oben be schriebenen Ausführungsformen beschränkt, sondern kann wie folgt modifiziert oder erweitert werden.

Das Harz 132 zum Schutz des Drucksensorchips 130 kann über dem gesamten Gebiet des Sensoranbringungsteils 127 vergossen werden.

Die vorliegende Erfindung kann zusätzlich zu dem Gas drucksensor (Luftdrucksensor) auf alle Halbleitersensorbau elemente wie einen Hydraulikdrucksensor, einen Feuchtesen sor, einen zusammengesetzten Sensor, einen optischen Sen sor, einen Beschleunigungssensor und dergleichen angewandt werden, wobei die Erfassungsoperation in einem Zustand durchgeführt wird, bei welchem die Halbleitersensorchips einem Einfluß einer Erfassungsumgebung unterliegen.

Vorstehend wurde ein Halbleitersensorbauelement offen bart. Ein IC-Chip für eine Signalverarbeitungsschaltung ist in einem umspritzten IC eingeschlossen, und ein druckemp findliches Element ist integriert darauf vorgesehen. Wenn der umspritzte IC in einem Gehäuse untergebracht wird, wird der umspritzte IC mit dem Gehäuse in einem Zustand befe stigt, bei welchem die Enden von Kontaktstiften eines Ver bindungsstücks, welche durch Umspritzen bzw. Umgießen in das Gehäuse eingesetzt sind, mit äußeren Anschlüssen des umspritzten IC's elektrisch verbunden sind. Dadurch wird ein Sensorsignal an anderen Enden der Kontaktstifte des Verbindungsstücks ausgegeben. Durch Eingliedern des IC-Chips für die Signalverarbeitungsschaltung in dem umspritz ten IC kann der IC-Chip für die Signalverarbeitungsschal tung gegenüber einer verschmutzten Umgebung an einer Stelle geschützt werden, an welcher das druckempfindliche Element angeordnet wird.

Claims

1. Drucksensor mit:
einem umspritzten IC (1), in welchen ein IC-Chip (17) für eine Signalverarbeitungsschaltung eingegliedert ist und welcher einen äußeren Anschluß (2a bis 2c) aufweist;
einem druckempfindlichen Element (10), welches einge gliedert auf dem umspritzten IC (1) vorgesehen ist, wobei der IC-Chip (17) für die Signalverarbeitungsschaltung und das druckempfindliche Element (10) elektrisch miteinander verbunden sind und der IC-Chip (17) für die Signalverarbei tungsschaltung ein Sensorsignal entsprechend einem von dem druckempfindlichen Element erfaßten Druck an dem äußeren Anschluß (2a bis 2c) ausgibt;
einem Gehäuse (20, 30) zum Unterbringen des umspritz ten IC's (1); und
einem Kontaktstift (21a bis 21c) eines Verbindungs stücks, welches in dem Gehäuse durch Umspritzen eingesetzt ist, wobei ein Ende des Kontaktstifts (21a bis 21c) des Verbindungsstücks mit dem äußeren Anschluß (2a bis 2c) des umspritzten IC's (1) elektrisch verbunden wird, wenn der umspritzte IC (1) an dem Gehäuse befestigt wird, und das andere Ende des Kontaktstifts (21a bis 21c) des Verbin dungsstücks außerhalb des Gehäuses (20) bloßgelegt wird, um eine elektrische Leitung nach außen zu bilden.

2. Drucksensor nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch einen Leiterrahmen (2), welcher innerhalb des umspritzten IC's (1) vorgesehen ist, wodurch das druckempfindliche Element (10) und der IC-Chip (17) für die Signalverarbeitungsschal tung elektrisch miteinander verbunden sind, und welcher den äußeren Anschluß (2a bis 2c) bildet.

3. Drucksensor nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß eine Öffnung (3a) an dem umspritzten IC (1) derart ge bildet ist, daß ein Teil des Leiterrahmens (2) bloßgelegt ist, wobei das druckempfindliche Element (10) in der Öff nung installiert ist und das druckempfindliche Element (10) und der durch die Öffnung (3a) bloßgelegte Leiterrahmen (2) durch Drahtbonden elektrisch verbunden sind.

4. Drucksensor nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Leiterrahmen (2) durch eine 42er Legierung gebildet ist und der umspritzte IC (1) durch ein in Wärme aushärten des Harz umspritzt wird.

5. Drucksensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Gehäuse (20, 30) aus Harz gebildet ist, der um spritzte IC (1) durch ein Harzeinspritzmittel (4) fest an dem Gehäuse (20) anhaftet und das Harzeinspritzmittel (4) den äußeren Anschluß (2a bis 2c) und den Kontaktstift (21a bis 21c) des Verbindungsstücks bedeckt.

6. Drucksensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Gehäuse (20, 30) einen Deckel (30) mit einem Druck einführungsloch (30a) zum Einführen eines zu erfassenden Drucks eines Mediums in eine Kammer (22) aufweist, in wel cher das druckempfindliche Element (10) angeordnet ist.

7. Drucksensor mit:
einem umspritzten IC (1), in welchem ein IC-Chip (17) für eine Signalverarbeitungsschaltung mit Harz eingeschlos sen ist;
einem druckempfindlichen Element (10) zum Fühlen eines Drucks, welches integriert auf dem umspritzten IC (1) vor gesehen ist, wobei der IC-Chip (17) für die Signalverarbei tungsschaltung und das druckempfindliche Element (10) elek trisch miteinander verbunden sind, so daß der IC-Chip (17) für die Signalverarbeitungsschaltung ein Sensorsignal ent sprechend einem von dem druckempfindlichen Element (10) ab getasteten Druck ausgibt;
einem Gehäuse (20, 30), welches aus Harz gebildet ist und ein Öffnungsteil (20a) aufweist, wobei der umspritzte IC (1) innerhalb des Öffnungsteils (20a) durch ein Harzein spritzmittel (4) fest anhaftet; und
einer Signalübertragungseinrichtung (2a bis 2c, 21a bis 21c) zum Übertragen des von dem IC-Chip (17) für die Si gnalverarbeitungsschaltung ausgegebenen Sensorsignals von dem Inneren des umspritzten IC's (1) aus dem Gehäuse (20; 30) heraus.

8. Drucksensor nach Anspruch 7, gekennzeichnet durch einen Leiterrahmen (2), welcher innerhalb des umspritzten IC's (1) vorgesehen ist, wodurch das druckempfindliche Element (10) und der IC-Chip (17) für die Signalverarbeitungsschal tung elektrisch miteinander verbunden sind.

9. Drucksensor nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß eine Öffnung (3a) an dem umspritzten IC (1) derart ge bildet ist, daß ein Teil des Leiterrahmens (2) bloßgelegt ist, das druckempfindliche Element (10) in der Öffnung (3a) installiert ist und das druckempfindliche Element (10) und der durch die Öffnung (3a) bloßgelegte Leiterrahmen (2) durch Drahtbonden miteinander elektrisch verbunden sind.

10. Drucksensor nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Leiterrahmen (2) durch eine 42er Legierung gebildet ist und der umspritzte IC (1) durch ein in Wärme aushärten des Harz umspritzt ist.

11. Drucksensor nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß das Gehäuse (20, 30) einen Deckel (30) mit einem Druck einführungsloch (30a) besitzt, um einen zu erfassenden Druck eines Mediums in eine Kammer (22) einzuführen, in welcher das druckempfindliche Element (10) angeordnet ist.

12. Halbleitersensor mit:
einem Halbleitersensorchip (130), welcher eine physika lische Größe erfaßt und ein dementsprechendes Signal er zeugt;
einem Hableiterschaltungschip (125), welcher das Signal von dem Halbleitersensorchip (130) verarbeitet, um ein Er fassungssignal zu erzeugen;
einem Leiterrahmen (124a bis 124c), welcher ein Halb leitersensorleiterteil (124c) für den elektrisch anzu schließenden Halbleitersensorchip (130) und ein Halbleiter schaltungsleiterteil (124a) für den anzubringenden Halblei terschaltungschip (125) aufweist; und
einem Harzblock (122), in welchem der auf dem Halblei terschaltungsleiterteil (124a) angebrachte und elektrisch damit verbundene Halbleiterschaltungschip (125) einge schlossen ist, wobei der Harzblock (122) ein Sensoranbrin gungsteil (127) aufweist, an welchem das Hableitersensor leiterteil (124c) bloßgelegt ist, und der Halbleitersen sorchip (130) auf dem Sensoranbringungsteil (127) ange bracht und mit dem Halbleitersensorleiterteil (124c) elek trisch verbunden ist, welches an dem Sensoranbringungsteil (127) bloßgelegt ist,
das Sensoranbringungsteil (127) in Form einer Ausspa rung derart gebildet ist, daß der Harzblock (122) den Rand des Sensoranbringungsteils (127) umgibt, und
ein Graben (128) auf der Rückseite des Harzblocks (122) in Übereinstimmung mit dem Sensoranbringungsteil (127) ge bildet ist, wobei der Graben (128) einen Widerstand gegen über einem Fluß von Harz beim Gießen des Harzblocks (122) bildet.

13. Halbleitersensor nach Anspruch 12, dadurch gekennzeich net, daß der Harzblock (122) unter Verwendung eines in Wärme aushärtenden Harzes gebildet wird.

14. Halbleitersensor nach Anspruch 12, dadurch gekennzeich net, daß der Graben (128) ein Teil (820) aufweist, welches nicht das Halbeitersensorleiterteil (124c) erreicht.

15. Halbleitersensor nach Anspruch 12, dadurch gekennzeich net, daß der Graben (128) ein erstes Teil (128), welches das Halbeitersensorleiterteil (124c) nicht erreicht, und ein zweites Teil (128a) aufweist, welches das Hableitersen sorleiterteil (124c) erreicht.

16. Halbleitersensor nach Anspruch 15, dadurch gekennzeich net, daß eine Längsrichtung des ersten Teils sich in etwa senkrecht zu einer Richtung des Flusses des Harzes beim Gießen des Harzblocks (122) erstreckt.

17. Halbleitersensor nach Anspruch 15, dadurch gekennzeich net, daß das zweite Teil (128a) in einem Gebiet gebildet ist, in welchem das erste Teil (128) gebildet ist.

18. Verfahren zum Herstellen eines Halbleitersensors mit den Schritten:
Festklemmen eines Leiterrahmens (124a bis 124c) zwi schen einer oberen Druckplatte (140) und einer unteren Druckplatte (139), wobei ein Hohlraum (144) zwischen der oberen Druckplatte (140) und der unteren Druckplatte (139) gebildet wird, die obere Druckplatte (140) mit einem in den Hohlraum (144) vorspringenden Vorsprung (140a) versehen ist, die untere Druckplatte (139) mit einem Vorsprung (139a, 139b) an einer Position gegenüberliegend dem Vor sprung (140a) der oberen Druckplatte (140) versehen ist und eine vorbestimmte Lücke zwischen dem Vorsprung (140a) der oberen Druckplatte (140) und dem Vorsprung (139a, 139b) der unteren Druckplatte (139) vorgesehen ist;
Einspritzen von Harz (141) in den Hohlraum (144), wobei das Harz (141) durch die Lücke zwischen dem Vorsprung (140a) der oberen Druckplatte (140) und dem Vorsprung (139a, 139b) der unteren Druckplatte (139) hindurchtritt;
Bilden eines Harzblocks (122) durch Aushärten des Har zes (141) und Entfernen des Harzblocks (122) aus der oberen Druckplatte (140) und der unteren Druckplatte (139); und
Anbringen eines Halbleitersensorchips (130) an der In nenseite einer Aussparung (127) des Harzblocks (122), wel che an einer Position entsprechend dem Vorsprung (140a) der oberen Druckplatte (140) gebildet ist.

19. Verfahren zum Herstellen eines Halbleitersensors nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß der Vorsprung (139a, 139b) der unteren Druckplatte (139) mit einer Form versehen ist, bei welcher eine Längsrichtung des Vorsprungs (139a, 139b) der unteren Druckplatte (139) sich in eine Richtung erstreckt, die im wesentlichen senkrecht zu einer Richtung eines Flusses des Harzes (141) in dem Schritt des Einspritzens des Harzes (141) in den Hohlraum (144) ausge richtet ist.

20. Verfahren zum Herstellen eines Halbleitersensors nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß der Vorsprung (140a) der oberen Druckplatte (140) gebildet wird, um einen Kontakt mit dem Leiterrahmen (124c) in dem Hohlraum (144) herzustellen.

21. Verfahren zum Herstellen eines Halbleitersensors nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, daß ein Teil des Vor sprungs (139a, 139b) der unteren Druckplatte (139) gebildet wird, um einen Kontakt mit dem Leiterrahmen (124c) in dem Hohlraum (144) herzustellen.