JPH061226B2 - 半導体圧力センサ - Google Patents
半導体圧力センサInfo
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- JPH061226B2 JPH061226B2 JP62030079A JP3007987A JPH061226B2 JP H061226 B2 JPH061226 B2 JP H061226B2 JP 62030079 A JP62030079 A JP 62030079A JP 3007987 A JP3007987 A JP 3007987A JP H061226 B2 JPH061226 B2 JP H061226B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体圧力センサに係り、特にプリント板等
の印刷基板へ組み付けるタイプ半導体圧力センサに関す
る。
の印刷基板へ組み付けるタイプ半導体圧力センサに関す
る。
第2図に従来構造の半導体圧力センサの断面図を示す、
図において、セラミック基板1にICチップ2を接着
し、そのセラミック基板1をクリップ7aによりプリン
ト板等の基板14に取り付けている。そして、その基板
14にはカンパッケージ15により気密封止されたパッ
ケージ型圧力センサ20がピン13aにより接続されて
いる。その状態でケース10aに収納し、充てん剤8を
入れ、ケースにフタ10bをして構成している。尚、カ
ンパッケージ型圧力センサ20の中には台座5aに搭載
された半導体式圧力センサチップ3を収納しており、そ
の電気信号をワイヤ9を介してピン13aから取り出し
ている。又、その台座5aにはケース10aに形成され
た圧力導入ポート16から圧力導入パイプ17に入る圧
力媒体を半導体式圧力センサチップ3に伝える為に貫通
孔が開けられている。又、図中11は真空室、12aは
ケース10aと圧力導入パイプ17の気密性を高める為
のOリング、13は半導体圧力センサに得られた電気信
号を外部に取り出す為のピンである。
図において、セラミック基板1にICチップ2を接着
し、そのセラミック基板1をクリップ7aによりプリン
ト板等の基板14に取り付けている。そして、その基板
14にはカンパッケージ15により気密封止されたパッ
ケージ型圧力センサ20がピン13aにより接続されて
いる。その状態でケース10aに収納し、充てん剤8を
入れ、ケースにフタ10bをして構成している。尚、カ
ンパッケージ型圧力センサ20の中には台座5aに搭載
された半導体式圧力センサチップ3を収納しており、そ
の電気信号をワイヤ9を介してピン13aから取り出し
ている。又、その台座5aにはケース10aに形成され
た圧力導入ポート16から圧力導入パイプ17に入る圧
力媒体を半導体式圧力センサチップ3に伝える為に貫通
孔が開けられている。又、図中11は真空室、12aは
ケース10aと圧力導入パイプ17の気密性を高める為
のOリング、13は半導体圧力センサに得られた電気信
号を外部に取り出す為のピンである。
しかしながら、上記従来の構成においては、ICチップ
2を水、油等から保護する充てん剤8が半導体式圧力セ
ンサチップ3に影響を与えないように、又、その他の外
部条件から影響を受ける事なく精度良く圧力を検出する
ようにカンパッケージ15で気密封止されており、さら
に、測定する圧力媒体圧力導入ポート16,圧力導入パ
イプ17,台座5aを介して取り入れられており、その
為の部品点数が多く、構成が複雑となっていた。又、カ
ンパッケージ型圧力センサ20,ICチップ2等が平面
的に配置されており、半導体圧力センサをプリント板に
取り付けた場合、広い面積を占めてしまい装置の小型化
に不向きであるという問題が生じている。
2を水、油等から保護する充てん剤8が半導体式圧力セ
ンサチップ3に影響を与えないように、又、その他の外
部条件から影響を受ける事なく精度良く圧力を検出する
ようにカンパッケージ15で気密封止されており、さら
に、測定する圧力媒体圧力導入ポート16,圧力導入パ
イプ17,台座5aを介して取り入れられており、その
為の部品点数が多く、構成が複雑となっていた。又、カ
ンパッケージ型圧力センサ20,ICチップ2等が平面
的に配置されており、半導体圧力センサをプリント板に
取り付けた場合、広い面積を占めてしまい装置の小型化
に不向きであるという問題が生じている。
そこで本発明は、比較的構造の簡単な、しかも、作業
性、プリント板への搭載性に優れた半導体圧力センサを
提供する事を目的としている。
性、プリント板への搭載性に優れた半導体圧力センサを
提供する事を目的としている。
上記の目的を達成する為に、本発明の半導体圧力センサ
は、半導体式圧力センサチップ、及び他の半導体チップ
を搭載する基板と、 該基板を収納するケースと、 該ケースと前記基板との間に気密性良く介在し、前記半
導体式圧力センサチップと前記他の半導体チップとを隔
てるように形成された遮へい部材とを備えており、 前記遮へい部材により隔てられた前記半導体式圧力セン
サチップ側の前記ケースに貫通孔を有する事を特徴とし
ている。
は、半導体式圧力センサチップ、及び他の半導体チップ
を搭載する基板と、 該基板を収納するケースと、 該ケースと前記基板との間に気密性良く介在し、前記半
導体式圧力センサチップと前記他の半導体チップとを隔
てるように形成された遮へい部材とを備えており、 前記遮へい部材により隔てられた前記半導体式圧力セン
サチップ側の前記ケースに貫通孔を有する事を特徴とし
ている。
そして、上記の手段によると、何らカンパッケージを使
用する事なく、半導体式圧力センサチップへ圧力媒体を
導く事が可能となり、その際、遮へい部材により充てん
剤等の影響を受ける事がない。
用する事なく、半導体式圧力センサチップへ圧力媒体を
導く事が可能となり、その際、遮へい部材により充てん
剤等の影響を受ける事がない。
以下、図面に示す実施例により本発明を説明する。第1
図に本発明の第1の実施例を示し、同図(a)にその正面
の断面図、同図(b)にそのA−A線断面図、同図(c)にそ
のB−B線断面図を示す。図において、3はシリコンに
歪ゲージを形成し、中央にダイヤフラムを設けた半導体
式圧力センサチップ(以下「センサチップ」という)で
あり、そのセンサチップ1への熱応力を緩和する素材、
例えばパイレックスガラス等から成る台座5と陽極接合
する事により、センサチップ3の基準圧力室となる真空
室11を形成している。そして台座5をシリコンゴム等
により厚膜抵抗回路を印刷したセラミック基板1に固着
し、ワイヤ9をボンディングしてセラミック基板1とセ
ンサチップ3の電気接続を行っている。尚、セラミック
基板1には台座5の他にセンサチップ3からの信号を増
幅する機能を有するICチップ2等が半田により接着さ
れている。又、本発明のいう基板としては、このセラミ
ック基板の他にガラス−エポキシ基板、ホーロー基板、
フェノール基板等であってもよい。
図に本発明の第1の実施例を示し、同図(a)にその正面
の断面図、同図(b)にそのA−A線断面図、同図(c)にそ
のB−B線断面図を示す。図において、3はシリコンに
歪ゲージを形成し、中央にダイヤフラムを設けた半導体
式圧力センサチップ(以下「センサチップ」という)で
あり、そのセンサチップ1への熱応力を緩和する素材、
例えばパイレックスガラス等から成る台座5と陽極接合
する事により、センサチップ3の基準圧力室となる真空
室11を形成している。そして台座5をシリコンゴム等
により厚膜抵抗回路を印刷したセラミック基板1に固着
し、ワイヤ9をボンディングしてセラミック基板1とセ
ンサチップ3の電気接続を行っている。尚、セラミック
基板1には台座5の他にセンサチップ3からの信号を増
幅する機能を有するICチップ2等が半田により接着さ
れている。又、本発明のいう基板としては、このセラミ
ック基板の他にガラス−エポキシ基板、ホーロー基板、
フェノール基板等であってもよい。
そして、例えばニトリルゴム等の弾性力を有し、圧縮に
よってシール性を保つ素材から成る遮へい部材であるパ
ッキン4を、センサチップ3を囲むように配置してセラ
ミック基板1に固着し、その状態で袋形状のケース10
内にセラミック基板1を押し込む。ここで、パッキン4
はセラミック基板1を押し込んだ際、そのセラミック基
板1と、センサチップ3をはさんで相対するケース10
との間に押しつぶされて気密性良く介在するように、そ
の厚さは適切に調整されている。又、セラミック基板に
相対するケース10には圧力導入口である貫通孔6が開
けられている。尚、ケース10にこの貫通孔6を開ける
位置は、外部から貫通孔6を通って侵入する異物による
悪影響を低減するために、相対的にセンサチップ3,ワ
イヤ9等が配置しない位置が良い、又、ケース10に
は、セラミック基板1の押し込みを容易に行なう為に、
その一部の肉厚を厚くしたガイド10aが形成されてい
る。
よってシール性を保つ素材から成る遮へい部材であるパ
ッキン4を、センサチップ3を囲むように配置してセラ
ミック基板1に固着し、その状態で袋形状のケース10
内にセラミック基板1を押し込む。ここで、パッキン4
はセラミック基板1を押し込んだ際、そのセラミック基
板1と、センサチップ3をはさんで相対するケース10
との間に押しつぶされて気密性良く介在するように、そ
の厚さは適切に調整されている。又、セラミック基板に
相対するケース10には圧力導入口である貫通孔6が開
けられている。尚、ケース10にこの貫通孔6を開ける
位置は、外部から貫通孔6を通って侵入する異物による
悪影響を低減するために、相対的にセンサチップ3,ワ
イヤ9等が配置しない位置が良い、又、ケース10に
は、セラミック基板1の押し込みを容易に行なう為に、
その一部の肉厚を厚くしたガイド10aが形成されてい
る。
次に、セラミック基板1にクリップ7を半田付けし、電
気接続を行う。そして、セラミック基板1上の回路、I
Cチップ2等を水、油等から保護する為に例えばエポキ
シ樹脂、シリコンゴム等の充てん剤8をケース10内に
入れ、パッケージングを行い半導体圧力センサを形成
し、図示しないプリント板等にクリップ7により接続す
る。尚、本実施例の場合、ケース10と充てん剤8との
接着強度を高め、半導体圧力センサの機械的強度の向
上、湿気の侵入防止を達成する為に、ケース10の成形
加工後に、ケース10内の表面にガラス粉末、くるみの
粉末等を用いたタンブラー加工を施し凹凸を形成してい
る。この処理はサンドブラスト、エッチング等によって
表面に凹凸を形成したものと比較して、外観を損なうこ
とがないのでケース材として透明材料を用いた場合には
特に好都合で ある。
気接続を行う。そして、セラミック基板1上の回路、I
Cチップ2等を水、油等から保護する為に例えばエポキ
シ樹脂、シリコンゴム等の充てん剤8をケース10内に
入れ、パッケージングを行い半導体圧力センサを形成
し、図示しないプリント板等にクリップ7により接続す
る。尚、本実施例の場合、ケース10と充てん剤8との
接着強度を高め、半導体圧力センサの機械的強度の向
上、湿気の侵入防止を達成する為に、ケース10の成形
加工後に、ケース10内の表面にガラス粉末、くるみの
粉末等を用いたタンブラー加工を施し凹凸を形成してい
る。この処理はサンドブラスト、エッチング等によって
表面に凹凸を形成したものと比較して、外観を損なうこ
とがないのでケース材として透明材料を用いた場合には
特に好都合で ある。
そこで上記の構成によると、パッキン4を用い、ケース
10にセラミック基板1を押し込むだけで、そのパッキ
ン4を押しつぶして気密性を確保でき、充てん材8が流
れ込むのを防ぐ事が出来る。したがって、作業性が良く
なり、又、構造が比較的簡単となる。さらに、本実施例
では、縦方向にセンサチップ3等が配置された立体構造
であるので、プリント板等に組み付ける面積をそれ程占
める異なく、したがって搭載性に優れる。
10にセラミック基板1を押し込むだけで、そのパッキ
ン4を押しつぶして気密性を確保でき、充てん材8が流
れ込むのを防ぐ事が出来る。したがって、作業性が良く
なり、又、構造が比較的簡単となる。さらに、本実施例
では、縦方向にセンサチップ3等が配置された立体構造
であるので、プリント板等に組み付ける面積をそれ程占
める異なく、したがって搭載性に優れる。
第3図に本発明の第2の実施例を示し、同図(a)にその
正面の断面図、同図(b)にそC−C線断面図を示す。図
において、第1実施例との相違点は、パッキン4の代わ
りにその断面がH字形状の枠18を用いている事であ
り、気密性を良くする為に枠18の溝にOリング12を
入れている。尚、枠18の四角はセラミック基板1との
接合をはかるために鉤形状18aとなっている。本実施
例においても第1実施例と同様の効果が得られる事は言
うまでもない。
正面の断面図、同図(b)にそC−C線断面図を示す。図
において、第1実施例との相違点は、パッキン4の代わ
りにその断面がH字形状の枠18を用いている事であ
り、気密性を良くする為に枠18の溝にOリング12を
入れている。尚、枠18の四角はセラミック基板1との
接合をはかるために鉤形状18aとなっている。本実施
例においても第1実施例と同様の効果が得られる事は言
うまでもない。
第4図に本発明の第3の実施例を示し、同図(a)にその
正面の断面図、同図(b)及び(c)にそのD−D線断面図を
示す。図において、第1実施例との相違点は、パッキン
4aの高さが同図(b)に示すようにセラミック基板1と
ケース10の間隔よりも少し低くなるように設定してあ
る事であり、本実施例の場合、パッキン4aとケース1
0の間隔は例えば0.3mm以下となっている。又、セラ
ミック基板1はケース10内に何ら強制的に押し込む事
なく、重力により挿入する。そして、その状態にて、袋
形状であるケース10の開口部側より、粘度の低い充て
ん材8aをパッキン4aとケース10との間隙に所定の
量だけ注入する。本実施例の場合、充てん剤8aの粘度
は20poise以下である。ここで、注入された充てん剤
8aは毛管現象によりパッキン4aとケース10との間
隙を同図(a)の矢印に示すように進行し、その間隙を埋
め、パッキン4aとケース10との間に気密性良く介在
する。尚、本実施例の場合、本発明のいう遮へい部材は
パッキン4aと充てん剤8aとから構成される。又、充
てん剤8aはその注入量が所定量に調整されるので、パ
ッキン4aと充てん剤8aとの間隙部分にとどまり、空
間21に入り込みセンサチップ3に接触するという不具
合はない。その後、充てん剤8aを硬化させ、引き続
き、充てん剤8bを注入し、硬化させ、パッケージング
を行う。
正面の断面図、同図(b)及び(c)にそのD−D線断面図を
示す。図において、第1実施例との相違点は、パッキン
4aの高さが同図(b)に示すようにセラミック基板1と
ケース10の間隔よりも少し低くなるように設定してあ
る事であり、本実施例の場合、パッキン4aとケース1
0の間隔は例えば0.3mm以下となっている。又、セラ
ミック基板1はケース10内に何ら強制的に押し込む事
なく、重力により挿入する。そして、その状態にて、袋
形状であるケース10の開口部側より、粘度の低い充て
ん材8aをパッキン4aとケース10との間隙に所定の
量だけ注入する。本実施例の場合、充てん剤8aの粘度
は20poise以下である。ここで、注入された充てん剤
8aは毛管現象によりパッキン4aとケース10との間
隙を同図(a)の矢印に示すように進行し、その間隙を埋
め、パッキン4aとケース10との間に気密性良く介在
する。尚、本実施例の場合、本発明のいう遮へい部材は
パッキン4aと充てん剤8aとから構成される。又、充
てん剤8aはその注入量が所定量に調整されるので、パ
ッキン4aと充てん剤8aとの間隙部分にとどまり、空
間21に入り込みセンサチップ3に接触するという不具
合はない。その後、充てん剤8aを硬化させ、引き続
き、充てん剤8bを注入し、硬化させ、パッケージング
を行う。
そこで上記第3実施例によると、第1実施例と同様の効
果が得られるのに加え、セラミック基板1をケース10
内に挿入する際に、何ら強制的に押し込む事なく重力に
より挿入しているのでより作業性に優れ、又、パッキン
4aの圧縮反力によりケース10、セラミック基板1等
に応力が加わる事がないという効果がある。尚、第3実
施例において、パッキン4aの高さは、パッキン4aの
圧縮反力による応力がケース10、セラミック基板1等
に加わる事なく、且つ、充てん剤8aに毛管現象が起こ
る様な高さであればよく、例えばセラミック基板1とケ
ース10の間隔と同じ値であってもよい。又、充てん剤
8bの材質は、充てん剤8aと同一のものであってもよ
いし、粘度が比較的高い他の材質であってもよい。又、
ケース10の材質としてはPBT(ポリブチレンテレフ
タレート),PPS(ポリフェニレンサルファイド),
PES(ポリエーテルサルフォン),PC(ポリカーボ
ネート)等が適用可能であるが、PES,PC等の透明
の材質を使用する場合には、ケース10内の充てん剤8
a,8bの注入状態を、ケース10外から確認する事が
できる。その場合、充てん剤8a,8bに例えば黒色の
顔料を混ぜて着色する事により、その効果が増す。
果が得られるのに加え、セラミック基板1をケース10
内に挿入する際に、何ら強制的に押し込む事なく重力に
より挿入しているのでより作業性に優れ、又、パッキン
4aの圧縮反力によりケース10、セラミック基板1等
に応力が加わる事がないという効果がある。尚、第3実
施例において、パッキン4aの高さは、パッキン4aの
圧縮反力による応力がケース10、セラミック基板1等
に加わる事なく、且つ、充てん剤8aに毛管現象が起こ
る様な高さであればよく、例えばセラミック基板1とケ
ース10の間隔と同じ値であってもよい。又、充てん剤
8bの材質は、充てん剤8aと同一のものであってもよ
いし、粘度が比較的高い他の材質であってもよい。又、
ケース10の材質としてはPBT(ポリブチレンテレフ
タレート),PPS(ポリフェニレンサルファイド),
PES(ポリエーテルサルフォン),PC(ポリカーボ
ネート)等が適用可能であるが、PES,PC等の透明
の材質を使用する場合には、ケース10内の充てん剤8
a,8bの注入状態を、ケース10外から確認する事が
できる。その場合、充てん剤8a,8bに例えば黒色の
顔料を混ぜて着色する事により、その効果が増す。
次に、本発明を負圧センサとして良好に適用し得る構造
の第4の実施例を第5図及び第6図を用いて説明する。
第5図(a)は第4の実施例の側面断面図、同図(b)はその
正面図、同図(c)はその上面図である。図において、第
1乃至第3実施例との相違点は、第3図の第2実施例に
おける枠18をその断面が凹字形状の枠19として、枠
19のセラミック基板1とは接着剤で接着している。
又、ケース10に突出した形状の圧力導入ポート16a
を形成し、この圧力導入ポート16aを介して負圧力を
検出する。又、ケース10の側壁には、コンピュータ等
を一緒に格納するケースに良好に実装し得るように固定
用部材22が形成されており、その固定用部材22には
貫通孔22aが開けられている。
の第4の実施例を第5図及び第6図を用いて説明する。
第5図(a)は第4の実施例の側面断面図、同図(b)はその
正面図、同図(c)はその上面図である。図において、第
1乃至第3実施例との相違点は、第3図の第2実施例に
おける枠18をその断面が凹字形状の枠19として、枠
19のセラミック基板1とは接着剤で接着している。
又、ケース10に突出した形状の圧力導入ポート16a
を形成し、この圧力導入ポート16aを介して負圧力を
検出する。又、ケース10の側壁には、コンピュータ等
を一緒に格納するケースに良好に実装し得るように固定
用部材22が形成されており、その固定用部材22には
貫通孔22aが開けられている。
第6図は第4実施例の半導体圧力センサをケースに実装
した状態を表わす図であり、同図(a)はその上面図、同
図(b)はその側面図である。図に示すように、ケース2
4に開けられた穴24bに圧力導入ポート16aを挿入
し、又、グリップ7をプリント板25に挿入し半田付け
を行なう。そうした上で、ケース24に開けられた穴2
4aと貫通孔22aが一致するようにして固定用ピン2
3を両者に挿入し、固定する。上述のようにして半導体
圧力センサを固定する事により、クリップ7にかかる負
担を低減する事ができる。又、ケース24外に突出した
圧力導入ポート16aに例えば導管等を設置して負圧力
を導く事ができる。
した状態を表わす図であり、同図(a)はその上面図、同
図(b)はその側面図である。図に示すように、ケース2
4に開けられた穴24bに圧力導入ポート16aを挿入
し、又、グリップ7をプリント板25に挿入し半田付け
を行なう。そうした上で、ケース24に開けられた穴2
4aと貫通孔22aが一致するようにして固定用ピン2
3を両者に挿入し、固定する。上述のようにして半導体
圧力センサを固定する事により、クリップ7にかかる負
担を低減する事ができる。又、ケース24外に突出した
圧力導入ポート16aに例えば導管等を設置して負圧力
を導く事ができる。
又、負圧センサとして使用する場合には、枠19で囲ま
れた空間内の気密性をより高めるために、ケース10の
内側表面は、第5図(a)のE部の拡大図である同図(d)に
示すように、前述のタンブラー加工を施し凹凸を形成す
るのが望ましい。さらに、湿気、ガソリン等の汚れに対
してセンサチップ3を保護する為にゲル状の例えばシリ
コンゲル等の充てん剤26を枠19で囲まれた空間に注
入してもよい。この場合、その注入はケース10内にセ
ンサチップ3等を挿入する前に行う事ができるので、従
来と比較して容易を行なう事ができる。さらに、センサ
チップ3を搭載する基板としては第5図(a)に示すよう
に、上記第1乃至第3実施例において台座として用いた
パイレックスガラス等を基板5aとして使用してもよ
い。尚、この基板5aは、第1乃至第3実施例の如く、
セラミック基板を用い、台座もそれらの例のような形状
としてもよく、又、充てん剤26,基板5a,枠19に
おける考え方は、大気圧センサに対しても適用可能であ
る。
れた空間内の気密性をより高めるために、ケース10の
内側表面は、第5図(a)のE部の拡大図である同図(d)に
示すように、前述のタンブラー加工を施し凹凸を形成す
るのが望ましい。さらに、湿気、ガソリン等の汚れに対
してセンサチップ3を保護する為にゲル状の例えばシリ
コンゲル等の充てん剤26を枠19で囲まれた空間に注
入してもよい。この場合、その注入はケース10内にセ
ンサチップ3等を挿入する前に行う事ができるので、従
来と比較して容易を行なう事ができる。さらに、センサ
チップ3を搭載する基板としては第5図(a)に示すよう
に、上記第1乃至第3実施例において台座として用いた
パイレックスガラス等を基板5aとして使用してもよ
い。尚、この基板5aは、第1乃至第3実施例の如く、
セラミック基板を用い、台座もそれらの例のような形状
としてもよく、又、充てん剤26,基板5a,枠19に
おける考え方は、大気圧センサに対しても適用可能であ
る。
尚、本発明は上記第1乃至第4実施例に限定される事な
く、その主旨から逸脱しない限り種々変形可能であり、
例えば第7図の第5の実施例の断面図に示す如く、平面
的に配置してもよい。又、上記実施例においては本発明
のいう遮へい部材として、センサチップ3を囲うパッキ
ンを用いているが、第8図(a),(b)の他の実施例の正面
の断面図に示すように、センサチップ3とICチップ2
とを隔てるようにして形成されたパッキン4bを用い
て、エポキシ樹脂、シリコンゴム等の充てん剤はICチ
ップ2側だけに注入してもよく、又、折れ曲がった2辺
から成るパッキン4cを用い、ケース10とでセンサチ
ップ3を囲んでもよい。又、言うまでもなく遮へい部材
の正面形状は角形でなくとも円形等であってもよい。さ
らに、遮へい部材の形状はその他に箱型形状、言い換え
ると凹部を有する有底孔の形状として、圧力導入口は充
てん剤を注入、硬化後に針状の部材により穴を開ける事
により形成してもよい。
く、その主旨から逸脱しない限り種々変形可能であり、
例えば第7図の第5の実施例の断面図に示す如く、平面
的に配置してもよい。又、上記実施例においては本発明
のいう遮へい部材として、センサチップ3を囲うパッキ
ンを用いているが、第8図(a),(b)の他の実施例の正面
の断面図に示すように、センサチップ3とICチップ2
とを隔てるようにして形成されたパッキン4bを用い
て、エポキシ樹脂、シリコンゴム等の充てん剤はICチ
ップ2側だけに注入してもよく、又、折れ曲がった2辺
から成るパッキン4cを用い、ケース10とでセンサチ
ップ3を囲んでもよい。又、言うまでもなく遮へい部材
の正面形状は角形でなくとも円形等であってもよい。さ
らに、遮へい部材の形状はその他に箱型形状、言い換え
ると凹部を有する有底孔の形状として、圧力導入口は充
てん剤を注入、硬化後に針状の部材により穴を開ける事
により形成してもよい。
以上述べた如く、本発明の半導体圧力センサによれば、
基板に遮へい部材を接合し、ケースに押し込むだけでセ
ンサチップを充てん剤等から保護する事ができ、作業性
が良くなり、構造が比較的簡単となる。
基板に遮へい部材を接合し、ケースに押し込むだけでセ
ンサチップを充てん剤等から保護する事ができ、作業性
が良くなり、構造が比較的簡単となる。
また立体構造にする事によりプリント板への搭載性が優
れた半導体圧力センサを提供する事が出来るという優れ
た効果がある。
れた半導体圧力センサを提供する事が出来るという優れ
た効果がある。
第1図(a),(b),(c)は本発明の第1の実施例の断面
図、第2図は従来構造の断面図、第3図(a),(b)は本発
明の第2の実施例の断面図、第4図(a),(b),(c)は本
発明の第3の実施例の断面図、第5図(a),(b),(c),
(d)は本発明の第4の実施例の断面図、第6図(a),(b)
は本発明の第4の実施例のケースへの実装状態を表わす
図、第7図は本発明の第5実施例の断面図、第8図
(a),(b)は本発明の他の実施例の正面断面図である。 1…セラミック基板,2…ICチップ,3…半導体式圧
力センサチップ,4,4a,4b,4c…パッキン,5
…台座,6…貫通孔,8,8a,8b…充てん剤,10
…ケース,12…Oリング,16…圧力導入ポート,1
8,19…枠。
図、第2図は従来構造の断面図、第3図(a),(b)は本発
明の第2の実施例の断面図、第4図(a),(b),(c)は本
発明の第3の実施例の断面図、第5図(a),(b),(c),
(d)は本発明の第4の実施例の断面図、第6図(a),(b)
は本発明の第4の実施例のケースへの実装状態を表わす
図、第7図は本発明の第5実施例の断面図、第8図
(a),(b)は本発明の他の実施例の正面断面図である。 1…セラミック基板,2…ICチップ,3…半導体式圧
力センサチップ,4,4a,4b,4c…パッキン,5
…台座,6…貫通孔,8,8a,8b…充てん剤,10
…ケース,12…Oリング,16…圧力導入ポート,1
8,19…枠。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 池田 和久 愛知県刈谷市昭和町1丁目1番地 日本電 装株式会社内 (56)参考文献 特開 昭55−35222(JP,A) 実開 昭49−120168(JP,U) 実開 昭55−118142(JP,U)
Claims (7)
- 【請求項1】半導体式圧力センサチップ、及び他の半導
体チップを搭載する基板と、 該基板を収納するケースと、 該ケースと前記基板との間に気密性良く介在し、前記半
導体式圧力センサチップと前記他の半導体チップとを隔
てるように形成された遮へい部材とを備えており、 前記遮へい部材により隔てられた前記半導体式圧力セン
サチップ側の前記ケースに貫通孔を有する事を特徴とす
る半導体圧力センサ。 - 【請求項2】上記遮へい部材が、弾性力を有するもので
ある特許請求の範囲第1項記載の半導体圧力センサ。 - 【請求項3】上記遮へい部材が、上記ケースと上記基板
との間に間隙を有し形成される第1の部材と、該間隙に
気密性良く介在する第2の部材より成るものである特許
請求の範囲第1項記載の半導体圧力センサ。 - 【請求項4】上記遮へい部材が、上記半導体式圧力セン
サチップを囲うように形成されている特許請求の範囲第
1項乃至第3項いずれかに記載の半導体圧力センサ。 - 【請求項5】上記ケースの内側表面が、微細な凹凸形状
を有している特許請求の範囲第1項乃至第4項のいずれ
かに記載の半導体圧力センサ。 - 【請求項6】上記ケースが、透明の材質より成る特許請
求の範囲第1項乃至第5項のいずれかに記載の半導体圧
力センサ。 - 【請求項7】上記貫通孔が、相対的に上記半導体式圧力
センサチップの配置しない位置に形成されている特許請
求の範囲第1項乃至第6項のいずれかに記載の半導体圧
力センサ。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62030079A JPH061226B2 (ja) | 1986-05-07 | 1987-02-12 | 半導体圧力センサ |
US07/046,582 US4838089A (en) | 1986-05-07 | 1987-05-06 | Semiconductor pressure sensor |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10445886 | 1986-05-07 | ||
JP859487 | 1987-01-16 | ||
JP61-104458 | 1987-01-16 | ||
JP62-8594 | 1987-01-16 | ||
JP62030079A JPH061226B2 (ja) | 1986-05-07 | 1987-02-12 | 半導体圧力センサ |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS64431A JPS64431A (en) | 1989-01-05 |
JPH01431A JPH01431A (ja) | 1989-01-05 |
JPH061226B2 true JPH061226B2 (ja) | 1994-01-05 |
Family
ID=27278092
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62030079A Expired - Lifetime JPH061226B2 (ja) | 1986-05-07 | 1987-02-12 | 半導体圧力センサ |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4838089A (ja) |
JP (1) | JPH061226B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012027022A (ja) * | 2010-07-22 | 2012-02-09 | Robert Bosch Gmbh | 圧力センサならびに圧力センサの作製方法 |
Families Citing this family (53)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5099738A (en) * | 1989-01-03 | 1992-03-31 | Hotz Instruments Technology, Inc. | MIDI musical translator |
DE4009377A1 (de) * | 1990-03-23 | 1991-10-02 | Bosch Gmbh Robert | Druckgeber zur druckerfassung im brennraum von brennkraftmaschinen |
DE4011314A1 (de) * | 1990-04-07 | 1991-10-10 | Hottinger Messtechnik Baldwin | Dehnungsmessstreifen und messgroessenaufnehmer mit derartigen dehnungsmessstreifen |
FR2667395B1 (fr) * | 1990-09-28 | 1992-12-31 | Jaeger | Dispositif de mesure de la pression d'admission du melange air/carburant dans un moteur de vehicule automobile. |
JP2719448B2 (ja) * | 1991-01-24 | 1998-02-25 | 三菱電機株式会社 | 半導体圧力検出装置 |
JPH04258176A (ja) * | 1991-02-12 | 1992-09-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体圧力センサ |
US5333505A (en) * | 1992-01-13 | 1994-08-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor pressure sensor for use at high temperature and pressure and method of manufacturing same |
JPH05203522A (ja) * | 1992-01-23 | 1993-08-10 | Mitsubishi Electric Corp | モールドパッケージ半導体圧力センサおよびその製造方法 |
JP3092307B2 (ja) * | 1992-04-16 | 2000-09-25 | 富士電機株式会社 | 半導体圧力センサ |
FR2707002A1 (en) * | 1993-06-21 | 1994-12-30 | Jaeger | Improved screened electrical sensor |
DE4400941C1 (de) * | 1994-01-14 | 1995-04-20 | Pvb Medizintechnik Gmbh | Druckmeßwandler zur Messung des Druckes einer Flüssigkeit, insbesondere zur invasiven Blutdruckmessung |
US5459351A (en) * | 1994-06-29 | 1995-10-17 | Honeywell Inc. | Apparatus for mounting an absolute pressure sensor |
JPH08233848A (ja) * | 1995-02-28 | 1996-09-13 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体センサ |
US6140144A (en) * | 1996-08-08 | 2000-10-31 | Integrated Sensing Systems, Inc. | Method for packaging microsensors |
US5948991A (en) * | 1996-12-09 | 1999-09-07 | Denso Corporation | Semiconductor physical quantity sensor device having semiconductor sensor chip integrated with semiconductor circuit chip |
DE19703206C2 (de) | 1997-01-29 | 2002-01-24 | Infineon Technologies Ag | Drucksensor-Bauteil mit Schlauchanschluß |
US6053049A (en) * | 1997-05-30 | 2000-04-25 | Motorola Inc. | Electrical device having atmospheric isolation |
JPH1164137A (ja) * | 1997-08-25 | 1999-03-05 | Hitachi Ltd | 半導体圧力センサ |
JP3532776B2 (ja) * | 1998-10-20 | 2004-05-31 | 株式会社日立製作所 | 自動車用センサの取付け構造 |
US6092425A (en) * | 1999-02-24 | 2000-07-25 | Delco Electronics Corp. | Differential pressure sensor having an alloy or metal isolator |
EP1211722B9 (en) * | 2000-11-30 | 2005-07-13 | STMicroelectronics S.r.l. | Manufacturing method of electronic device package |
DE20105505U1 (de) * | 2001-03-29 | 2002-08-01 | Keller Ag Fuer Druckmestechnik | Drucktransmitter |
DE10331967A1 (de) * | 2003-07-15 | 2005-02-03 | Robert Bosch Gmbh | Sensoreinrichtung |
US7275445B2 (en) * | 2003-08-11 | 2007-10-02 | Honeywell International, Inc | Modular pressure sensor drive connectable to a computer |
US7199438B2 (en) * | 2003-09-23 | 2007-04-03 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Overmolded optical package |
US6927482B1 (en) | 2003-10-01 | 2005-08-09 | General Electric Company | Surface mount package and method for forming multi-chip microsensor device |
JP4553611B2 (ja) * | 2004-03-15 | 2010-09-29 | 三洋電機株式会社 | 回路装置 |
US7080559B1 (en) * | 2005-03-08 | 2006-07-25 | Sensfab Pte Ltd | Transducer |
JP2006329883A (ja) * | 2005-05-27 | 2006-12-07 | Hitachi Ltd | 気体圧力検知装置 |
DE102005054177B4 (de) * | 2005-11-14 | 2011-12-22 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Herstellen einer Vielzahl von gehäusten Sensormodulen |
US7238897B2 (en) * | 2005-12-07 | 2007-07-03 | Taiwan Ic Packaging Corporation | Contact sensor and method for making the same |
FR2901875A1 (fr) * | 2006-05-31 | 2007-12-07 | Taema Sa | Dispositif indicateur d'une grandeur physique |
FR2901876B1 (fr) * | 2006-05-31 | 2008-10-03 | Taema Sa | Dispositif indicateur d'une grandeur physique |
FR2901874B1 (fr) * | 2006-05-31 | 2008-08-15 | Taema Sa | Dispositif indicateur d'une grandeur physique |
EP2029973A1 (fr) * | 2006-05-31 | 2009-03-04 | L'Air Liquide Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Dispositif indicateur d'une grandeur physique |
US7468556B2 (en) * | 2006-06-19 | 2008-12-23 | Lv Sensors, Inc. | Packaging of hybrid integrated circuits |
US7607355B2 (en) * | 2007-02-16 | 2009-10-27 | Yamaha Corporation | Semiconductor device |
FR2915801B1 (fr) * | 2007-05-03 | 2009-07-17 | Taema Sa | Procede de controle d'un lot homogene de bouteilles de fluide sous pression |
FR2915799B1 (fr) * | 2007-05-03 | 2010-10-01 | Taema | Manometre electronique de mesure de la pression regnant a l'interieur d'un recipient |
FR2915798B1 (fr) * | 2007-05-03 | 2010-04-30 | Taema | Procede de pilotage d'un manometre electronique et manometre correspondant |
JP5355867B2 (ja) * | 2007-07-10 | 2013-11-27 | ローム株式会社 | 集積回路素子 |
US8148808B2 (en) * | 2007-08-13 | 2012-04-03 | Lv Sensors, Inc. | Partitioning of electronic packages |
DE102008000786A1 (de) * | 2008-03-20 | 2009-09-24 | Robert Bosch Gmbh | Sensorvorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Sensorvorrichtung |
US7832278B2 (en) * | 2008-05-29 | 2010-11-16 | Hong Kong Applied Science And Technology Research Institute Co., Ltd. | Multi-chip package |
JP5315028B2 (ja) * | 2008-12-04 | 2013-10-16 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 電子装置および電子装置の製造方法 |
WO2010113712A1 (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-07 | アルプス電気株式会社 | 容量型湿度センサ及びその製造方法 |
NL2009949C2 (en) * | 2012-12-10 | 2014-06-11 | Stertil Bv | Lifting column for lifting a load, lifting system provided therewith and method for measuring a load. |
CN106662493B (zh) * | 2014-06-17 | 2020-02-28 | 株式会社鹭宫制作所 | 传感器单元及压力检测装置 |
US11815504B2 (en) | 2016-07-11 | 2023-11-14 | Quipip, Llc | Sensor device, and systems and methods for obtaining measurements of selected characteristics of a concrete mixture |
US10126288B2 (en) * | 2016-07-11 | 2018-11-13 | Quipip, Llc | Sensor device, and systems and methods for obtaining measurements of selected characteristics of a concrete mixture |
US10826208B1 (en) * | 2017-01-30 | 2020-11-03 | Superior Sensor Technology | Sensor with integrated electrical contacts |
US11225409B2 (en) | 2018-09-17 | 2022-01-18 | Invensense, Inc. | Sensor with integrated heater |
US11837513B2 (en) * | 2019-07-17 | 2023-12-05 | Texas Instruments Incorporated | O-ring seals for fluid sensing |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5744691A (en) * | 1980-08-29 | 1982-03-13 | Osaka Gas Co Ltd | Sealing agent for piping |
US4295117A (en) * | 1980-09-11 | 1981-10-13 | General Motors Corporation | Pressure sensor assembly |
JPS5766328A (en) * | 1980-10-13 | 1982-04-22 | Hitachi Ltd | Semiconductor pressure sensor |
JPS57169644A (en) * | 1981-04-14 | 1982-10-19 | Nippon Denso Co Ltd | Semiconductor type pressure sensor |
JPS5935101B2 (ja) * | 1983-11-04 | 1984-08-27 | 松下電器産業株式会社 | テ−プレコ−ダ |
JPS60149938A (ja) * | 1984-01-16 | 1985-08-07 | Nippon Denso Co Ltd | 半導体圧力センサの製造方法 |
JPS60171429A (ja) * | 1984-02-17 | 1985-09-04 | Citizen Watch Co Ltd | 圧力電気変換器 |
-
1987
- 1987-02-12 JP JP62030079A patent/JPH061226B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1987-05-06 US US07/046,582 patent/US4838089A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012027022A (ja) * | 2010-07-22 | 2012-02-09 | Robert Bosch Gmbh | 圧力センサならびに圧力センサの作製方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS64431A (en) | 1989-01-05 |
US4838089A (en) | 1989-06-13 |
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