JPS60149938A - 半導体圧力センサの製造方法 - Google Patents

半導体圧力センサの製造方法

Info

Publication number
JPS60149938A
JPS60149938A JP620084A JP620084A JPS60149938A JP S60149938 A JPS60149938 A JP S60149938A JP 620084 A JP620084 A JP 620084A JP 620084 A JP620084 A JP 620084A JP S60149938 A JPS60149938 A JP S60149938A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
case
shield case
pressure introduction
metal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP620084A
Other languages
English (en)
Inventor
Michitaka Hayashi
道孝 林
Michitake Kuroda
道毅 黒田
Hiroshi Okada
寛 岡田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Corp
Original Assignee
NipponDenso Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NipponDenso Co Ltd filed Critical NipponDenso Co Ltd
Priority to JP620084A priority Critical patent/JPS60149938A/ja
Publication of JPS60149938A publication Critical patent/JPS60149938A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/14Housings
    • G01L19/148Details about the circuit board integration, e.g. integrated with the diaphragm surface or encapsulation

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、例えば自動車用エンジン等に使用するための
耐電磁波障害に優れた半導体圧力センサに関するもので
ある。
〔従来技術〕
今日、エンジンの電子制御が盛んに取り入れられており
、−手法としてエンジンの吸気負圧を圧力センサにより
検出してエンジンに供給する混合気の空燃比を制御する
ことが行われている。一方、車載無線、ラジオ、テレビ
等の電磁波妨害の増大により社会全体の電磁環境が悪化
しており、これに対処し上記したような電子制御機器の
安定動作の達成は必須の要件であり、電子制御ユニット
やセンサ自体の電磁障害(一般にElectro−ma
gneticInterferents、つまりEMI
と略している)の対策が重要な課題となっている。
そして、従来より半導体圧力センサに耐EMI性を持た
せるための方法が、いくつか考案されており、例えば、
樹脂ケースの内側に電磁波をシールドするため、貫通コ
ンデンサを組付けた金属ケースを圧入するものがある。
しかしながらこの方法においては、樹脂ケース及び金属
ケースの圧入部分の寸法精度が、かなり厳しく要求され
、また、金属ケースを樹脂ケースに圧入する際、樹脂ケ
ースが割れたり、逆に金属ケースが歪んでしまう等の不
具合により、歩留り的に問題がある。
さらに、貫通コンデンサを部分的に樹脂ケースにモール
ドしたものがあるが、この場合、シールドケースと、貫
通コンデンサ用のシールド板との2部品にてシールドす
ることになり、部品点数が増加するという問題がある。
〔発明の目的〕
本発明は、上記の問題を解決するために、回路部を収納
する樹脂ケースと、外部電磁波を遮蔽する金属製シール
ドケースとを、前記樹脂ケース成形時に一体成形するこ
とにより、製作工程を簡単にし、なおかつ耐EMIを有
する半導体圧力センサを提供することを目的とする。
〔実施例〕 以下、本発明を第1図に一実施例について説明する。
1は圧力−電気変換器であるセンサユニソ・トであり、
センサユニット内部にはシリクコンダイヤフラム素子(
図示せず)が設置されている。2ばセンサユニットから
の電気信号を増幅するICで構成された増幅回路部、3
はセンサユニットと増幅回路部を搭載し、かつ両者を電
気的に接続するプリント基板である。4は貫通コンデン
サ、5はリード線であり、増幅回路部2の信号は貫通コ
ンデンサ4、リード線5を介して、外部へ取り出される
。6aは鉄などの導電性を有する金属製シールドケース
であり、シールドケース6aの側面部、及び底部には複
数個の貫通穴15が設けられており、またシールドケー
ス6aの側面部の縁部分の一部には爪13が設けられて
いる。6bは金属シールドケース6aと同材料からなる
シールドケース蓋部であり、蓋部6bには穴部14が設
けられており、前記圧13がこの穴部14より突出し、
爪13を折り曲げて半田12により穴14を覆うように
、半田付けすることでシールドケース6aに、蓋部6b
が固定される。7は圧力導入管であり、圧力導入管7の
広径端7aはシールドケース6aと溶接等により固定さ
れている。圧力導入管7の広径ta73側から、センサ
ユニット1より突出したパイプlaが、圧力導入管内部
に隙間を介して、圧力導入管内部の内部段部7bあたり
まで挿入されており、圧力導入管7の狭口端7Cより、
送り込まれる圧力が適確にセンサユニット1へ伝達され
るように、0リング8により、圧力導入管7の内壁とパ
イプ1aとの間を密閉して圧力の漏れを防いでいる。1
1はポリブチレンテレフタレート等の樹脂からなる樹脂
ケースであり、一部貫通穴15からシールドケース6a
内部に、内側樹脂17として入り込んでいる。また16
は樹脂ケース11の成形時に設けられるボスであり、該
ボス16はシールドケース6aの内部に設けられるプリ
ント基板3の位置決め用に用いられる。9a、9bはそ
れぞれエポキシ樹脂等からなる樹脂製の半導体圧力セン
サ本体の保護用に充填される樹脂底部、及び樹脂蓋部で
ある。10はシリコンゲルからなる内部樹脂部であり、
回路部の湿気等からの保護、及び半田12のたれ、樹脂
蓋部9bの充填時のシールドケース6a内部への漏れ出
しからの回路部保護の役目を有している。21はゴム製
のグロメットで、樹脂底部9aの充填時の外部への樹脂
漏れ防止、及びリード線5の位置決めの役目を有してい
る。
上記構成によるその作動を説明する。
圧力導入管に印加された圧力は、センチユニット1の内
部に設置されたシリコンダイヤフラム素子(図示せず)
により電気信号に変換され、該電気信号は増幅回路部2
で増幅された後、貫通コンデンサ4、リード線5を介し
て外部に出力される。
本半導体圧力センサに外部より、回路部に誤動作を発生
させる電磁波が与えられると、リード線5を介してか、
または空中より直接半導体圧力センサへと侵入してくる
。しかしながら、リード線5を介して侵入してきた電磁
波は、貫通コンデン号4によりシールドケース6aにバ
イパスさせて電磁波の除去を行い、また空中より直接半
導体圧力センサに侵入してきた電磁波は、シールドケー
ス6a、シールドケース蓄部6b、圧力導入管7により
完全に回路部を囲うことで除去を行い、回路部を保護し
ている。
本発明は、上述の外部電磁波からの回路部保護構造に関
する製造方法に特徴を有している。
つまり、シールドケース6aにあらかじめ貫通コンデン
サ4を半田付け、圧力導入管7を溶接により一体化して
おき、樹脂ケース11の成形金型にセントして一体に樹
脂成形する。なお樹脂成形時、シールドケース6aの底
平面部18、圧力導入管7の外部段部19、圧力導入管
7の狭径端7Cから外部段部19までの側面部20によ
り外側成形金型と位置合せが行われる。また圧力導入管
7の広fl端7aのシールドケース6aの内部への突出
部分が内側成形金型と接触することで位置合せが行なわ
れる。シールドケース6aに設けられた貫通穴15によ
り樹脂ケース11成形時に同時にポス16が成形される
。ところで、シールドケース6aの寸法のばらつきは、
内側成形金型とシールドケース6aとの間のクリアラン
ス部分に貫通穴15を介して吸収させ、内側樹脂17を
形成”することで、シールドケース6aの寸法精度の許
容範囲が広まる。したがって内側樹脂17はシールドケ
ース6aの寸法のばらつきにより、完全に形成されない
こともありうるが、内側樹脂17が部分的に無いことに
より上述の作動に影響があるということは無い。
なお、上記実施例では、圧力導入管7をシールドケース
6aに溶接により接合していたが、シールドケース6a
をしほり込んで圧力導入管を形成してもかまわない。
〔発明の効果〕
以上述べたように本発明においては、回路部を収納する
樹脂ケースと、外部電磁波を遮蔽する金属製シールドケ
ースとを、前記樹脂ケース成形時に一体成形したことか
ら、シールドケースの寸法精度の許容範囲が広まり、樹
脂ケースの寸法精度も成形金型の精度に依存することに
より、成形金型の寸法精度を高めることで寸法精度の高
い樹脂ケースが量産的に得られ、一体成形したことがら
樹脂ケースの割れ、金属ケースの歪みも無くなり、製作
工程が簡素化し、総体的にみれば価格低減Gこつながる
という優れた効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す断面図である。 1・・・センサユニ、7ト、2・・・増幅回路部、4・
・・貫通コンデンサ、5a・・・金属製シールドケース
、7・・・圧力導入管、11・・・樹脂ケース、15・
・・貫通穴。 代理人弁理士 岡 部 隆

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)金属製シールドケースに金属製圧力導入管と、貫
    通コンデンサとを固定し、前記金属製シールドケースの
    主要部分を、樹脂ケース成形時に、前記樹脂ケース内部
    に設けられるように一体に成形し、前記金属製シールド
    ケースの主要部分を前記樹脂ケース内部に成形後、前記
    樹脂ケース内部に、前記金属製圧力導入管からの圧力を
    電気信号に変換するセンサユニットと、前記センサユニ
    ットからの信号を増幅し、前記貫通コンデンサを介して
    外部に信号を出力する増幅回路部を設けることを特徴と
    する半導体圧力センサの製造方法。
  2. (2)前記金属製シールドケースに、複数個の貫通穴を
    設けたことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の半
    導体圧力センサの襞彦虜シ天。
JP620084A 1984-01-16 1984-01-16 半導体圧力センサの製造方法 Pending JPS60149938A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP620084A JPS60149938A (ja) 1984-01-16 1984-01-16 半導体圧力センサの製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP620084A JPS60149938A (ja) 1984-01-16 1984-01-16 半導体圧力センサの製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS60149938A true JPS60149938A (ja) 1985-08-07

Family

ID=11631894

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP620084A Pending JPS60149938A (ja) 1984-01-16 1984-01-16 半導体圧力センサの製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS60149938A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4838089A (en) * 1986-05-07 1989-06-13 Nippondenso Co., Ltd. Semiconductor pressure sensor

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57128824A (en) * 1981-02-03 1982-08-10 Hitachi Ltd Semiconductor pressure transducer
JPS57197435A (en) * 1981-05-29 1982-12-03 Hitachi Ltd Semiconductor pressure converter
JPS57203928A (en) * 1981-06-10 1982-12-14 Hitachi Ltd Semiconductor pressure transducer

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57128824A (en) * 1981-02-03 1982-08-10 Hitachi Ltd Semiconductor pressure transducer
JPS57197435A (en) * 1981-05-29 1982-12-03 Hitachi Ltd Semiconductor pressure converter
JPS57203928A (en) * 1981-06-10 1982-12-14 Hitachi Ltd Semiconductor pressure transducer

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4838089A (en) * 1986-05-07 1989-06-13 Nippondenso Co., Ltd. Semiconductor pressure sensor

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100590275B1 (ko) 압력 센서
US7363819B2 (en) High-pressure sensor housing which is simplified by means of a connection element (also emc)
JP3223769B2 (ja) 回転センサとその製造方法
US6748807B2 (en) Inertia detecting transducer
US4413527A (en) Semiconductor pressure sensor
AU2153802A (en) Pressure sensor module
JP3034740B2 (ja) コネクタ一体型センサ
US4224917A (en) Ignition device
JP3901005B2 (ja) 半導体圧力センサ
US6313514B1 (en) Pressure sensor component
JPS60149938A (ja) 半導体圧力センサの製造方法
JPH0684918B2 (ja) 圧力センサ
JPH075676Y2 (ja) 電子装置
JP2645475B2 (ja) 半導体式圧力検出装置
JPH08116179A (ja) 電子回路容器
JPH1038730A (ja) 圧力センサ並びに圧力センサを用いた圧力検出装置
JPH075390Y2 (ja) 半導体圧力センサ
JP2651967B2 (ja) 半導体圧力センサ
JP4543543B2 (ja) 圧力センサ
JP2000249614A (ja) 半導体圧力センサ
JPS60127437A (ja) 半導体圧力センサ
JPH0337262Y2 (ja)
JPH0236301Y2 (ja)
JPS57128824A (en) Semiconductor pressure transducer
JPH0654271B2 (ja) 半導体圧力センサ