JP4553611B2 - 回路装置 - Google Patents
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Description
図1は、本発明による回路装置の第1実施形態を示す断面図である。また、図2は、本発明による回路装置の第1実施形態を示す平面図である。図1は、図2のI−I線に沿った断面を示している。回路装置1は、半導体基板10の一部に形成されたセンサ部20と、半導体基板10上においてセンサ部20の周囲に形成された回路部30と、センサ部20と回路部30との間に設けられたシールリング40(耐湿性部材)とを備えている。
図6は、本発明による回路装置の第2実施形態を示す断面図である。また、図7は、本発明による回路装置の第2実施形態を示す平面図である。回路装置2は、図1の回路装置1と同様に、センサ部20、回路部30、およびそれらの間に設けられたシールリング40を備えている。さらに、回路装置2は、センサ部20と回路部30とを電気的に接続するボンディングワイヤ62を備えている。具体的には、ボンディングワイヤ62は、その一端がセンサ部20のバックプレート電極24の一部に形成されたボンディングパッド64aに接続され、他端が回路部30の最上層の配線32上に形成されたボンディングパッド64bに接続されている。ここで、回路部30を覆っているパッシベーション膜52は、ボンディングパッド64bを形成するために一部が除去され、開口52aが形成されている。なお、本実施形態においては、センサ部20と回路部30との間の電気的接続はボンディングワイヤ62により実現されるため、半導体基板10に導電性層12(図1参照)は形成されていない。
図8は、本発明による回路装置の第3実施形態を示す断面図である。回路装置3は、図1の回路装置1と同様に、センサ部20、回路部30、およびそれらの間に設けられたシールリング40を備えている。回路装置3において半導体基板80は、SOI基板であり、シリコン基板82上に、埋込み酸化膜84及びシリコン膜86が順に積層されて構成されている。
図11は、本発明による回路装置の第4実施形態を示す断面図である。回路装置4は、図1の回路装置1と同様に、センサ部20、回路部30、およびそれらの間に設けられたシールリング40を備えている。この回路装置4においては、シールリング40におけるセンサ部20側の側面が実質的に平坦になっている。具体的には、配線42におけるセンサ部20側の端面と、コンタクト44におけるセンサ部20側の端面とが揃っている。さらに、絶縁膜36は、側面40aよりもセンサ部20側には設けられておらず、側面40a上に直接パッシベーション膜52が被覆された構成となっている。
Claims (6)
- 基板の一部に形成されたセンサ部と、
前記基板上における前記センサ部の周囲に形成され、前記センサ部で発生した信号を処理する回路部と、
前記センサ部と前記回路部との間に設けられた耐湿性部材と、
を備え、
前記耐湿性部材は、交互に積層された配線及びコンタクトから構成されており、
前記配線及び前記コンタクトは、それぞれ前記回路部の配線及びコンタクトと同一の材料を用いて形成されていることを特徴とする回路装置。 - 請求項1に記載の回路装置において、
前記耐湿性部材は、前記センサ部側の側面が平坦であることを特徴とする回路装置。 - 請求項1又は2に記載の回路装置において、
前記基板は、前記センサ部と前記回路部とを電気的に接続する導電性層を有することを特徴とする回路装置。 - 請求項1〜3の何れか一項に記載の回路装置において、
前記回路部を包囲するように設けられた第2の耐湿性部材を備え、
前記第2の耐湿性部材は、交互に積層された第2の配線及び第2のコンタクトから構成されており、
前記第2の配線及び前記第2のコンタクトは、それぞれ前記回路部の配線及びコンタクトと同一の材料を用いて形成されていることを特徴とする回路装置。 - 請求項1〜4の何れか一項に記載の回路装置において、
前記回路部の上面は、パッシベーション膜により被覆されていることを特徴とする回路装置。 - 請求項1〜5の何れか一項に記載の回路装置において、
前記耐湿性部材は、前記センサ部と前記回路部とを区画するように、前記センサ部の周囲全体を包囲して形成されていることを特徴とする回路装置。
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