JPS6097817A - 成形方法および成形機 - Google Patents
成形方法および成形機Info
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- JPS6097817A JPS6097817A JP20479383A JP20479383A JPS6097817A JP S6097817 A JPS6097817 A JP S6097817A JP 20479383 A JP20479383 A JP 20479383A JP 20479383 A JP20479383 A JP 20479383A JP S6097817 A JPS6097817 A JP S6097817A
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- molding
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- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
- B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
- B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
-
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- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
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- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/0046—Details relating to the filling pattern or flow paths or flow characteristics of moulding material in the mould cavity
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
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-
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［技術分野］
本発明は、成形技術、特に、キャビティ内に成形材料を
注入して製品を成形する技術に関し、たとえばトランス
ファ成形に利用して有効な技術に関する。
注入して製品を成形する技術に関し、たとえばトランス
ファ成形に利用して有効な技術に関する。
［背景技術］
半導体装置の製造において、大量生産に適することから
、トランスファ成形技術を用いて樹脂封止パッケージを
成形することが考えられる。
、トランスファ成形技術を用いて樹脂封止パッケージを
成形することが考えられる。
しかし、トランスファ成形技術により半導体装置の樹脂
封止パンケージを成形する場合、キャビティ内において
成形材料の流れが不均一になるため、パンケージにボイ
ド（気泡）が発生したり、ボンディングワイヤから変形
したりするという問題点が発生することが、本発明者に
よって明らかにされた。
封止パンケージを成形する場合、キャビティ内において
成形材料の流れが不均一になるため、パンケージにボイ
ド（気泡）が発生したり、ボンディングワイヤから変形
したりするという問題点が発生することが、本発明者に
よって明らかにされた。
［発明の目的］
本発明の目的は、成形品内部におけるボイドの発生や植
え込み物の変形が防止できる成形技術を提供することに
ある。
え込み物の変形が防止できる成形技術を提供することに
ある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
［発明の概要］
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、キャビティ内に制御部材を突き出させること
により、成形材料の流れを制御して、流れを均一化する
ことにより、成形品内部におけるボイドの発生や植え込
み物の変形を防止するものである。
により、成形材料の流れを制御して、流れを均一化する
ことにより、成形品内部におけるボイドの発生や植え込
み物の変形を防止するものである。
［実施例］
第１図は本発明の一実施例であるトランスファ成形機を
示す部分断面図、第２図および第３図はその作用を説明
するための各説明図である。
示す部分断面図、第２図および第３図はその作用を説明
するための各説明図である。
本実施例において、このトランスファ成形機は上型１と
下型２とを備えており、上下型の合わせ面にはキャビテ
ィ３が複数（１個のみ図示）形成されている。下型２の
合わせ面にはゲート４がキャビティ３とランナ５とを連
通させるように開設されている。下型２を支持した浮動
板６上には、駆動装置としてのシリンダ装置７が据え付
けられており、この装置７のピストンロッド８の上端に
は取付板９が水平に固着されている。取付板９上には制
御部材を兼ねるエジェクタピン１０がほぼ垂直に複数本
立設され、このピンＩＯは下型２を貫通してキャビティ
３内に進退自在に突き出し得るようになっている。取付
板９には下型２の下端に突設された複数本のガイド１１
が摺動自在に挿通され、取付板９と下型２との間には圧
縮スプリング１２が取付板９を下方に付勢するように介
装されている。浮動板６上にはストッパ１３が取付板９
の下型２に対する下限位置を規制するように突設されて
いる。
下型２とを備えており、上下型の合わせ面にはキャビテ
ィ３が複数（１個のみ図示）形成されている。下型２の
合わせ面にはゲート４がキャビティ３とランナ５とを連
通させるように開設されている。下型２を支持した浮動
板６上には、駆動装置としてのシリンダ装置７が据え付
けられており、この装置７のピストンロッド８の上端に
は取付板９が水平に固着されている。取付板９上には制
御部材を兼ねるエジェクタピン１０がほぼ垂直に複数本
立設され、このピンＩＯは下型２を貫通してキャビティ
３内に進退自在に突き出し得るようになっている。取付
板９には下型２の下端に突設された複数本のガイド１１
が摺動自在に挿通され、取付板９と下型２との間には圧
縮スプリング１２が取付板９を下方に付勢するように介
装されている。浮動板６上にはストッパ１３が取付板９
の下型２に対する下限位置を規制するように突設されて
いる。
前記シリンダ装置７には方向制御弁１４がピストンロッ
ド８の上下動を切り換え得るように接続されており、こ
の弁１４には圧力制御弁１５がピストンロッド８の上動
ストロークを長短切り換え得るように接続されている。
ド８の上下動を切り換え得るように接続されており、こ
の弁１４には圧力制御弁１５がピストンロッド８の上動
ストロークを長短切り換え得るように接続されている。
圧力制御弁１５のパイロット回路には切り換え弁１６が
圧力制御弁１５に切り換え動作を行わし得るように接続
され、この弁１６にはリリーフ弁１７が接続されている
。
圧力制御弁１５に切り換え動作を行わし得るように接続
され、この弁１６にはリリーフ弁１７が接続されている
。
次に、前記構成にかかる成形機の作用を第２図および第
３図にしたがって説明して、本発明の一実施例であるト
ランスファ成形方法を説明する。
３図にしたがって説明して、本発明の一実施例であるト
ランスファ成形方法を説明する。
上下型１．２の合わせ面には半導体装置のリードフレー
ム１８が位置決めされた状態で挟み込まれ、キャビティ
３内にはリードフレーム１８上にボンディングされたペ
レット１９およびペレット１９の電極パッドとリードフ
レーム１８の各リードとを電気的に接続したボンディン
グワイヤ２０がほぼ中央位置に収納される。
ム１８が位置決めされた状態で挟み込まれ、キャビティ
３内にはリードフレーム１８上にボンディングされたペ
レット１９およびペレット１９の電極パッドとリードフ
レーム１８の各リードとを電気的に接続したボンディン
グワイヤ２０がほぼ中央位置に収納される。
この状態で、ランナ４を圧送されてきた合成樹脂等の成
形材料（以下、レジンという。）がゲート４からキャビ
ティ３内に注入されると、ゲート５が下型２だけに開設
され、かつリードフレーム１８上にペレット１９やボン
ディングワイヤ２０が突出されているため、レジンの流
れがキャビティ３内の上部と下部とにおいてアンバラン
スになり、ボイドが発生したり、リードフレーム１８の
一部やボンディングワイヤ２０が不均衡の力を受けて変
形されたりする問題が生じる。
形材料（以下、レジンという。）がゲート４からキャビ
ティ３内に注入されると、ゲート５が下型２だけに開設
され、かつリードフレーム１８上にペレット１９やボン
ディングワイヤ２０が突出されているため、レジンの流
れがキャビティ３内の上部と下部とにおいてアンバラン
スになり、ボイドが発生したり、リードフレーム１８の
一部やボンディングワイヤ２０が不均衡の力を受けて変
形されたりする問題が生じる。
そこで、本実施例では、第２図に示されるように、レジ
ンの注入開始から所定期間、エジェクタピン１０をキャ
ビティ３内に適当な深さだけ挿入せしめ、レジン注入初
期における流れのアンバランスを修正する。
ンの注入開始から所定期間、エジェクタピン１０をキャ
ビティ３内に適当な深さだけ挿入せしめ、レジン注入初
期における流れのアンバランスを修正する。
すなわち、比較的高粘度の注入初期にエジェクタピン１
０がキャビティ３内に突き出されていると、ゲート４の
噴出口近傍のエジェクタピン１０にまり流路抵抗が増加
されるため、ゲート４からキャビティ３の下部空間に流
れ込んだレジンは流速、圧力等を弱められることになり
、ボンディングワイヤやリード等の変形が低減される。
０がキャビティ３内に突き出されていると、ゲート４の
噴出口近傍のエジェクタピン１０にまり流路抵抗が増加
されるため、ゲート４からキャビティ３の下部空間に流
れ込んだレジンは流速、圧力等を弱められることになり
、ボンディングワイヤやリード等の変形が低減される。
また、比較的低粘度の時期にもエジェクタピン１０が突
き出されていると、キャビティ３内におけるリードフレ
ーム１８の上下空間の流動時差が低減されるため、ボイ
ドの発生が抑止されることになる。
き出されていると、キャビティ３内におけるリードフレ
ーム１８の上下空間の流動時差が低減されるため、ボイ
ドの発生が抑止されることになる。
つまり、ゲート４からキャビティ３の下側空間に高圧、
高速で注入されたレジンはそこに突き出たエジェクタピ
ン１０により、流速、流れの向き、圧力等につき規制を
受ける。
高速で注入されたレジンはそこに突き出たエジェクタピ
ン１０により、流速、流れの向き、圧力等につき規制を
受ける。
このエジェクタピン１０の下側空間におけるレジンの流
れに対する規制により、下側空間のレジンの流れと、上
側空間のレジンの流れとは均衡されることになる。した
がって、レジンの流れのアンバランスが原因となるボイ
ドの発生やリードフレーム、ボンディングワイヤの変形
等は防止される。
れに対する規制により、下側空間のレジンの流れと、上
側空間のレジンの流れとは均衡されることになる。した
がって、レジンの流れのアンバランスが原因となるボイ
ドの発生やリードフレーム、ボンディングワイヤの変形
等は防止される。
レジンの注入がある程度進むと、逆に、エジェクタビン
１０が下側空間におけるレジンの流れの障害になり、か
えってレジンの流れに上下のアンバランスが引き起こさ
れる。
１０が下側空間におけるレジンの流れの障害になり、か
えってレジンの流れに上下のアンバランスが引き起こさ
れる。
そこで、本実施例では、第３図に示されるように、レジ
ンの注入が所定程度進むと、キャビティ３内に突き出た
エジェクタビン１０を引き込む。
ンの注入が所定程度進むと、キャビティ３内に突き出た
エジェクタビン１０を引き込む。
引き込まれたエジェクタビン１０はキャビティ３の底面
と一致される。
と一致される。
これにより、キャビティ３の下側空間における障害物が
除去されるため、レジンの流れはキャビティの上下にお
いて均衡を維持することができ、適正な成形状況が維持
される。また、パッケージの外面にエジェクタビン１０
の突出による痕跡が生じることが防止できる。
除去されるため、レジンの流れはキャビティの上下にお
いて均衡を維持することができ、適正な成形状況が維持
される。また、パッケージの外面にエジェクタビン１０
の突出による痕跡が生じることが防止できる。
レジンが硬化して非気密封止パッケージが成形されると
、上下型１．２が開かれる。このとき、エジェクタビン
ＩＯがキャビティ３への挿入方向に移動され、これによ
りパッケージがキャビティの底面から突き上げられて離
型される。
、上下型１．２が開かれる。このとき、エジェクタビン
ＩＯがキャビティ３への挿入方向に移動され、これによ
りパッケージがキャビティの底面から突き上げられて離
型される。
なお、エジェクタビン１０の進退動作は、リミットスイ
ッチやタイマ等を用いて方向制御弁１４．１６を適時操
作し、シリンダ装置７を作動させることにより実現され
る。
ッチやタイマ等を用いて方向制御弁１４．１６を適時操
作し、シリンダ装置７を作動させることにより実現され
る。
［効果］
（１）、成形材料の注入初期に制御部材をキャビティ内
に突き出させることにより、キャビティ内における成形
材料の流れを均衡させることができるため、成形品内部
のボイドの発生や、植え込み製品の内部変形等が防止で
きる。
に突き出させることにより、キャビティ内における成形
材料の流れを均衡させることができるため、成形品内部
のボイドの発生や、植え込み製品の内部変形等が防止で
きる。
（２）、制御部材としてエジェクタビンを兼用すること
により、専用の占拠スペースが不要になるため、キャビ
ティを大形化しなくて済む。
により、専用の占拠スペースが不要になるため、キャビ
ティを大形化しなくて済む。
（３）、半導体装置の樹脂封止パッケージを成形するた
めのキャビティにおいて、レジンの注入初期に制御部材
をキャビティ内に突き出させることにより、キャビティ
内における成形材料の流れを均衡させることができるた
め、ボイド等欠陥のないパッケージが成形できるととも
に、ボンディングワイヤ等の変形がない半導体装置が得
られ、これにより、パッケージの薄形化、小形化が促進
できる。
めのキャビティにおいて、レジンの注入初期に制御部材
をキャビティ内に突き出させることにより、キャビティ
内における成形材料の流れを均衡させることができるた
め、ボイド等欠陥のないパッケージが成形できるととも
に、ボンディングワイヤ等の変形がない半導体装置が得
られ、これにより、パッケージの薄形化、小形化が促進
できる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
たとえば、制御部材はエジェクタビンを兼用するに限ら
ず、専用のものを設けてもよい。
ず、専用のものを設けてもよい。
制御部材の進退動作の駆動装置としては、シリンダ装置
に限らず、電磁プランジャ装置、送りねじ装置等を使用
してもよい。
に限らず、電磁プランジャ装置、送りねじ装置等を使用
してもよい。
［利用分野］
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である半導体装置の樹脂封
止パンケージを成形するトランスファ成形技術に適用し
た場合について説明したが、それに限定されるものでは
なく、キャビティを備えた他の成形技術にも通用できる
。
をその背景となった利用分野である半導体装置の樹脂封
止パンケージを成形するトランスファ成形技術に適用し
た場合について説明したが、それに限定されるものでは
なく、キャビティを備えた他の成形技術にも通用できる
。
第１図は本発明の一実施例を示す部分断面図、第２図お
よび第３図はその作用を説明するための各説明図である
。 １・・・上型、２・・・下型、３・・・キャビティ、４
・・・ゲート、５・・・ランナ、６・・・浮動板、７・
・・シリンダ装置、８・・・ピストンロンド、９・・・
取付板、１０・・・エジェクタビン（制御部材）、１１
・・・ガイド、１２・・・スプリング、１４・・・方向
制御弁、１５・・・圧力制御弁、１６・・・方向制御弁
、７・・・リリーフ弁、１８・・・リードフレーム、１
９・・・ペレット、２０・・・ボンディングワイヤ。 第 １ 図 第 ２ 図
よび第３図はその作用を説明するための各説明図である
。 １・・・上型、２・・・下型、３・・・キャビティ、４
・・・ゲート、５・・・ランナ、６・・・浮動板、７・
・・シリンダ装置、８・・・ピストンロンド、９・・・
取付板、１０・・・エジェクタビン（制御部材）、１１
・・・ガイド、１２・・・スプリング、１４・・・方向
制御弁、１５・・・圧力制御弁、１６・・・方向制御弁
、７・・・リリーフ弁、１８・・・リードフレーム、１
９・・・ペレット、２０・・・ボンディングワイヤ。 第 １ 図 第 ２ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、キャビティ内に成形材料を注入させる成形方法にお
いて、前記成形材料の注入初期に制御部材をキャビティ
内に突き出させて成形材料の流れを制御するようにした
ことを特徴とする成形方法。 ２、制御部材が、成形品を離型させるエジェクタビンで
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の成形
方法。 ３、成形材料が注入されるキャビティを備えた成形機に
おいて、前記キャビティ内に前記成形材料の流れを制御
する制御部材を進退自在に挿入するとともに、この制御
部材を進退駆動する駆動手段を設けたことを特徴とする
成形機。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20479383A JPS6097817A (ja) | 1983-11-02 | 1983-11-02 | 成形方法および成形機 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20479383A JPS6097817A (ja) | 1983-11-02 | 1983-11-02 | 成形方法および成形機 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6097817A true JPS6097817A (ja) | 1985-05-31 |
Family
ID=16496444
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20479383A Pending JPS6097817A (ja) | 1983-11-02 | 1983-11-02 | 成形方法および成形機 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6097817A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0482237A (ja) * | 1990-07-24 | 1992-03-16 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体樹脂封止装置及び半導体樹脂封止方法 |
| US5948991A (en) * | 1996-12-09 | 1999-09-07 | Denso Corporation | Semiconductor physical quantity sensor device having semiconductor sensor chip integrated with semiconductor circuit chip |
| CN109016330A (zh) * | 2018-06-22 | 2018-12-18 | 江苏长电科技股份有限公司 | 一种包封模具及其包封方法 |
-
1983
- 1983-11-02 JP JP20479383A patent/JPS6097817A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0482237A (ja) * | 1990-07-24 | 1992-03-16 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体樹脂封止装置及び半導体樹脂封止方法 |
| US5948991A (en) * | 1996-12-09 | 1999-09-07 | Denso Corporation | Semiconductor physical quantity sensor device having semiconductor sensor chip integrated with semiconductor circuit chip |
| CN109016330A (zh) * | 2018-06-22 | 2018-12-18 | 江苏长电科技股份有限公司 | 一种包封模具及其包封方法 |
| CN109016330B (zh) * | 2018-06-22 | 2020-12-29 | 江苏长电科技股份有限公司 | 一种包封模具及其包封方法 |
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