JP2634341B2 - 圧力センサ用リードフレームおよびその製造方法 - Google Patents
圧力センサ用リードフレームおよびその製造方法Info
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、圧力センサ用リード
フレーム、特にその表面のメッキ処理に関するものであ
る。
フレーム、特にその表面のメッキ処理に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】図6および図7は例えば実開昭61−1
31847号公報に示された従来の一般的な半導体装置
を示すものである。図6は従来の半導体装置の側面図
で、100は半導体装置、101はこの半導体装置10
0の両側にそれぞれ延びた複数本のアウターリード部で
ある。図7は図6のアウターリード部101の長手方向
に直角な方向に沿った断面図であり、1はリード材であ
る42アロイ、2はニッケル(Ni)メッキであり、3は
金(Au)メッキである。金メッキ3は半導体装置100
を回路基板(図示せず)に実装する際に、各アウターリー
ド部101の半田付け性向上(良好な半田付けが行える)
の目的で施されている。
31847号公報に示された従来の一般的な半導体装置
を示すものである。図6は従来の半導体装置の側面図
で、100は半導体装置、101はこの半導体装置10
0の両側にそれぞれ延びた複数本のアウターリード部で
ある。図7は図6のアウターリード部101の長手方向
に直角な方向に沿った断面図であり、1はリード材であ
る42アロイ、2はニッケル(Ni)メッキであり、3は
金(Au)メッキである。金メッキ3は半導体装置100
を回路基板(図示せず)に実装する際に、各アウターリー
ド部101の半田付け性向上(良好な半田付けが行える)
の目的で施されている。
【0003】また、図8は例えば実開平1−10473
8号公報に示された従来の一般的な半導体装置に使用さ
れるリードフレームの平面図である。図8のリードフレ
ームのハッチングで示すアウターリード部101および
インナーリード部102の部分はそれぞれニッケルメッ
キの上に金メッキが施されている。アウターリード部1
01の金メッキは図6および図7と同様の目的で施され
たものであり、またインナーリード部102の金メッキ
は、搭載される半導体チップとのワイヤーボンディング
の際にワイヤボンド性を向上させる(良好なワイヤーボ
ンディングが行える)ために施されたものである。
8号公報に示された従来の一般的な半導体装置に使用さ
れるリードフレームの平面図である。図8のリードフレ
ームのハッチングで示すアウターリード部101および
インナーリード部102の部分はそれぞれニッケルメッ
キの上に金メッキが施されている。アウターリード部1
01の金メッキは図6および図7と同様の目的で施され
たものであり、またインナーリード部102の金メッキ
は、搭載される半導体チップとのワイヤーボンディング
の際にワイヤボンド性を向上させる(良好なワイヤーボ
ンディングが行える)ために施されたものである。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】従来のリードフレーム
は以上のように構成されており、半田或はワイヤーボン
ディング用の金属細線等の金属を介在させた電気的接続
を行う、例えばインナーリード部およびアウターリード
部の部分は金メッキが施されており、半導体チップを搭
載するダイスパッド部を含むその他の部分はニッケルメ
ッキが施されていた。しかしながら、シリコン樹脂等で
半導体チップがダイボンドされているダイスパッド部の
搭載面はニッケルメッキでは、半導体チップを確実に接
着し固定させるのに不十分であった。特に、半導体圧力
センサチップを搭載する圧力センサ用のリードフレーム
の場合には、圧力センサチップに力が加わるため剥離し
てしまう恐れがあった。なお、圧力センサ用リードフレ
ームにおいてリードフレーム全面が金メッキされたもの
があるが、このようなリードフレームではさらにチップ
を接着固定する力が低下する。従来のリードフレームに
は以上のような問題点があった。
は以上のように構成されており、半田或はワイヤーボン
ディング用の金属細線等の金属を介在させた電気的接続
を行う、例えばインナーリード部およびアウターリード
部の部分は金メッキが施されており、半導体チップを搭
載するダイスパッド部を含むその他の部分はニッケルメ
ッキが施されていた。しかしながら、シリコン樹脂等で
半導体チップがダイボンドされているダイスパッド部の
搭載面はニッケルメッキでは、半導体チップを確実に接
着し固定させるのに不十分であった。特に、半導体圧力
センサチップを搭載する圧力センサ用のリードフレーム
の場合には、圧力センサチップに力が加わるため剥離し
てしまう恐れがあった。なお、圧力センサ用リードフレ
ームにおいてリードフレーム全面が金メッキされたもの
があるが、このようなリードフレームではさらにチップ
を接着固定する力が低下する。従来のリードフレームに
は以上のような問題点があった。
【0005】この発明は以上のような問題点を解消する
ためになされたもので、部分的に二重メッキを施すこと
により、接着性、および半田付け性或はワイヤボンド性
を考慮した表面処理が行われた圧力センサ用リードフレ
ームおよびその製造方法を提供することを目的とする。
ためになされたもので、部分的に二重メッキを施すこと
により、接着性、および半田付け性或はワイヤボンド性
を考慮した表面処理が行われた圧力センサ用リードフレ
ームおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記の目的に鑑み、この
発明は、樹脂性の接着剤により圧力センサチップを接着
固定する搭載面を有し、少なくとも搭載面に接着面に適
した無光沢ワット型ニッケルメッキが施されているダイ
スパッド部と、ダイスパッド部側にインナーリード部、
反対側にアウターリード部をそれぞれ含み、インナーリ
ード部およびアウターリード部の電気的接続を行う部分
に金属を介在させた電気的接続に適した金メッキが施さ
れている、ダイスパッド部に向かって外側から延びる複
数のリードと、を備えた圧力センサ用リードフレームに
ある。また、この発明はその製造方法も含む。
発明は、樹脂性の接着剤により圧力センサチップを接着
固定する搭載面を有し、少なくとも搭載面に接着面に適
した無光沢ワット型ニッケルメッキが施されているダイ
スパッド部と、ダイスパッド部側にインナーリード部、
反対側にアウターリード部をそれぞれ含み、インナーリ
ード部およびアウターリード部の電気的接続を行う部分
に金属を介在させた電気的接続に適した金メッキが施さ
れている、ダイスパッド部に向かって外側から延びる複
数のリードと、を備えた圧力センサ用リードフレームに
ある。また、この発明はその製造方法も含む。
【0007】
【作用】この発明に係る圧力センサ用リードフレームで
は、ダイスパッド部の搭載面は無光沢ワット型ニッケル
メッキの表面粗さの効果によってダイボンド材料、例え
ばシリコン樹脂との接着力を確保することができる。ま
た、金メッキを施した部分は安定したワイヤボンド性
(インナーリード部に関して)および圧力センサ装置を回
路基板に搭載する時の半田付け性(アウターリード部に
関して)が得られ、圧力センサの品質の安定化が図れ
る。
は、ダイスパッド部の搭載面は無光沢ワット型ニッケル
メッキの表面粗さの効果によってダイボンド材料、例え
ばシリコン樹脂との接着力を確保することができる。ま
た、金メッキを施した部分は安定したワイヤボンド性
(インナーリード部に関して)および圧力センサ装置を回
路基板に搭載する時の半田付け性(アウターリード部に
関して)が得られ、圧力センサの品質の安定化が図れ
る。
【0008】
【実施例】以下、この発明の実施例を添付図面に基づい
て説明する。図1はこの発明の一実施例による圧力セン
サ用リードフレームの概略断面図であり、圧力センサチ
ップ4が搭載され、さらにワイヤーボンディングが施さ
れた状態を示す。図において、10はリードフレーム、
11はダイスパッド部、12は掘込み部、13はポス
ト、14は圧力導入開口部、15aはインナーリード部
である。
て説明する。図1はこの発明の一実施例による圧力セン
サ用リードフレームの概略断面図であり、圧力センサチ
ップ4が搭載され、さらにワイヤーボンディングが施さ
れた状態を示す。図において、10はリードフレーム、
11はダイスパッド部、12は掘込み部、13はポス
ト、14は圧力導入開口部、15aはインナーリード部
である。
【0009】リードフレーム10のダイスパッド部11
の搭載面には複数のポスト13を設けた掘込み部12が
形成され凹凸が付けられている。これらは圧力センサチ
ップ4に熱応力および外部応力を与えないようにするた
めの構造である。さらに中央には検出する圧力を導く貫
通穴である圧力導入開口部14が形成されている。これ
らは、リード材である42アロイ板をエッチングするこ
とにより形成される。そしてこの搭載面の上に圧力セン
サチップ4が、樹脂性の接着剤であるシリコン樹脂6に
よってダイボンドされている。また、ワイヤーボンディ
ングにより、リードフレーム10のインナーリード部1
5aの後述する金メッキ部と圧力センサチップ4上の電
極(図示せず)との間は金属細線5によって電気的に接続
されている。
の搭載面には複数のポスト13を設けた掘込み部12が
形成され凹凸が付けられている。これらは圧力センサチ
ップ4に熱応力および外部応力を与えないようにするた
めの構造である。さらに中央には検出する圧力を導く貫
通穴である圧力導入開口部14が形成されている。これ
らは、リード材である42アロイ板をエッチングするこ
とにより形成される。そしてこの搭載面の上に圧力セン
サチップ4が、樹脂性の接着剤であるシリコン樹脂6に
よってダイボンドされている。また、ワイヤーボンディ
ングにより、リードフレーム10のインナーリード部1
5aの後述する金メッキ部と圧力センサチップ4上の電
極(図示せず)との間は金属細線5によって電気的に接続
されている。
【0010】図2および図3はダイスパッド部11およ
びインナーリード部15aの表面のメッキ処理の状態を
示すための拡大断面図である。図2に示すようにダイス
パッド部11はリード材である42アロイ材20で形成
されており、この42アロイ材20の全面に表面が粗く
接着性が良好な無光沢ワット型ニッケルメッキ21が施
されている。同様に図3に示すようにインナーリード部
15aも42アロイ材20で形成され、この42アロイ
材20の全面に無光沢ワット型ニッケルメッキ21が施
されている。そしてさらにインナーリード部15aの表
側の金属細線5を接合する部分には、半田付け性および
ワイヤボンド性の優れた金メッキ22が施されている。
びインナーリード部15aの表面のメッキ処理の状態を
示すための拡大断面図である。図2に示すようにダイス
パッド部11はリード材である42アロイ材20で形成
されており、この42アロイ材20の全面に表面が粗く
接着性が良好な無光沢ワット型ニッケルメッキ21が施
されている。同様に図3に示すようにインナーリード部
15aも42アロイ材20で形成され、この42アロイ
材20の全面に無光沢ワット型ニッケルメッキ21が施
されている。そしてさらにインナーリード部15aの表
側の金属細線5を接合する部分には、半田付け性および
ワイヤボンド性の優れた金メッキ22が施されている。
【0011】また図4には図1に示された圧力センサ用
リードフレーム10のダイスパッド部11の搭載面があ
る側の平面図を示す。ダイスパッド部11に向かって外
側から複数のリード15が延びており、各リード15は
インナーリード部15aおよびアウターリード部15b
をそれぞれ含む。なお図中、インナーリード部15aお
よびアウターリード部15bを含むハッチングで示され
る部分は、表面に金メッキが施される部分を示す。
リードフレーム10のダイスパッド部11の搭載面があ
る側の平面図を示す。ダイスパッド部11に向かって外
側から複数のリード15が延びており、各リード15は
インナーリード部15aおよびアウターリード部15b
をそれぞれ含む。なお図中、インナーリード部15aお
よびアウターリード部15bを含むハッチングで示され
る部分は、表面に金メッキが施される部分を示す。
【0012】次に圧力センサ用リードフレームの製造工
程について説明する。圧力センサ用リードフレーム10
は、42アロイ板を通常のエッチング法(塩化第二鉄使
用)により成形して形成される。このリードフレーム1
0は全面をアルカリ脱脂し、酸活性した後、表面が粗く
接着性の良好な無光沢ワット型ニッケルメッキ21が例
えば4μmの厚みで施される(第1メッキ工程)。次に、
インナーリード部15aおよびアウターリード部15b
の金メッキが必要な部分以外の部分をインク印刷法によ
りマスクする。マスクはインク印刷法に限らず、フォト
レジスト法で行ってもよい。そしてインク乾燥後、無光
沢ワット型ニッケルメッキ21の面の活性化(塩酸使用)
を行い、市販の金ストライクメッキ液でストライク金メ
ッキ後、市販の中性金メッキ液(テンペレックス401
液、田中貴金属製)によって、半田付け性およびワイヤ
ボンド性の優れた純金の金メッキ22が例えば0.15
μmの厚みで施される(第2メッキ工程)。その後、イン
クマスクの削除が行われ、さらに水洗および乾燥を行
う。
程について説明する。圧力センサ用リードフレーム10
は、42アロイ板を通常のエッチング法(塩化第二鉄使
用)により成形して形成される。このリードフレーム1
0は全面をアルカリ脱脂し、酸活性した後、表面が粗く
接着性の良好な無光沢ワット型ニッケルメッキ21が例
えば4μmの厚みで施される(第1メッキ工程)。次に、
インナーリード部15aおよびアウターリード部15b
の金メッキが必要な部分以外の部分をインク印刷法によ
りマスクする。マスクはインク印刷法に限らず、フォト
レジスト法で行ってもよい。そしてインク乾燥後、無光
沢ワット型ニッケルメッキ21の面の活性化(塩酸使用)
を行い、市販の金ストライクメッキ液でストライク金メ
ッキ後、市販の中性金メッキ液(テンペレックス401
液、田中貴金属製)によって、半田付け性およびワイヤ
ボンド性の優れた純金の金メッキ22が例えば0.15
μmの厚みで施される(第2メッキ工程)。その後、イン
クマスクの削除が行われ、さらに水洗および乾燥を行
う。
【0013】従来のものとして、エッチングにより形成
されたリードフレームを通常の前処理後、全面にニッケ
ルメッキ(ワット浴)を4μmの厚みで施し、このニッケ
ルメッキの上からリードフレーム全面に上述の金メッキ
液を用いて0.15μmの金メッキを施したものがあっ
た。
されたリードフレームを通常の前処理後、全面にニッケ
ルメッキ(ワット浴)を4μmの厚みで施し、このニッケ
ルメッキの上からリードフレーム全面に上述の金メッキ
液を用いて0.15μmの金メッキを施したものがあっ
た。
【0014】従来のリードフレームとこの発明のリード
フレームに、圧力センサチップの樹脂ダイボンド、ワイ
ヤーボンディング等のアセンブリを実施し、それぞれ圧
力センサに組み立てた後、高温高湿炉(85゜C、85
%)で連続耐高温高湿放置試験を行い、一定時間経過後
のダイシェア強度を測定し、強度の変化率を比較した。
図5はその結果を示すもので、放置時間(T)とダイシェ
ア強度変化率(α)の関係を示す線図である。線Aはダイ
スパッド部の搭載面に無光沢ワット型ニッケルメッキが
施されたこの発明のリードフレーム、線Bはダイスパッ
ド部に金メッキが施された従来のリードフレームの場合
を示す。図5から明らかなように、この発明のリードフ
レームは従来のものに比べて200時間経過後で約2倍
の強度の安定性があることがわかった。
フレームに、圧力センサチップの樹脂ダイボンド、ワイ
ヤーボンディング等のアセンブリを実施し、それぞれ圧
力センサに組み立てた後、高温高湿炉(85゜C、85
%)で連続耐高温高湿放置試験を行い、一定時間経過後
のダイシェア強度を測定し、強度の変化率を比較した。
図5はその結果を示すもので、放置時間(T)とダイシェ
ア強度変化率(α)の関係を示す線図である。線Aはダイ
スパッド部の搭載面に無光沢ワット型ニッケルメッキが
施されたこの発明のリードフレーム、線Bはダイスパッ
ド部に金メッキが施された従来のリードフレームの場合
を示す。図5から明らかなように、この発明のリードフ
レームは従来のものに比べて200時間経過後で約2倍
の強度の安定性があることがわかった。
【0015】なお上記実施例では、圧力センサ用リード
フレームのリードフレーム全面に無光沢ワット型ニッケ
ルメッキを施した後に、インナーリード部およびアウタ
ーリード部にニッケルメッキの上からさらに金メッキを
施したが、ニッケルメッキと金メッキを逆に行ってもよ
い。即ち、リードフレーム全面に金メッキを施した後
に、上記実施例とは反対のダイスパッド部を含む部分に
金メッキの上から無光沢ワット型ニッケルメッキを施し
てもよい。
フレームのリードフレーム全面に無光沢ワット型ニッケ
ルメッキを施した後に、インナーリード部およびアウタ
ーリード部にニッケルメッキの上からさらに金メッキを
施したが、ニッケルメッキと金メッキを逆に行ってもよ
い。即ち、リードフレーム全面に金メッキを施した後
に、上記実施例とは反対のダイスパッド部を含む部分に
金メッキの上から無光沢ワット型ニッケルメッキを施し
てもよい。
【0016】この実施例の場合の製造工程は以下の通り
である。42アロイ板を通常のエッチング法(塩化第二
鉄使用)で成形して形成されたリードフレーム10は全
面をアルカリ脱脂し、酸活性された後、市販の金ストラ
イクメッキ液でストライク金メッキが全面に施され、さ
らに市販の中性金メッキ液(テンペレックス401液、
田中貴金属製)にて純金の金メッキ22が例えば0.15
μmの厚みで施される(第1メッキ工程)。次に、インナ
ーリード部15aおよびアウターリード部15bの金メ
ッキが必要な部分をインク印刷法によりマスクコートし
て保護する。そしてインク乾燥後、金メッキ22の面の
洗浄を行い、その上から無光沢ワット型ニッケルメッキ
21を例えば4μmの厚みで施す(第2メッキ工程)。そ
の後、インクマスクを削除し、水洗および乾燥を行う。
である。42アロイ板を通常のエッチング法(塩化第二
鉄使用)で成形して形成されたリードフレーム10は全
面をアルカリ脱脂し、酸活性された後、市販の金ストラ
イクメッキ液でストライク金メッキが全面に施され、さ
らに市販の中性金メッキ液(テンペレックス401液、
田中貴金属製)にて純金の金メッキ22が例えば0.15
μmの厚みで施される(第1メッキ工程)。次に、インナ
ーリード部15aおよびアウターリード部15bの金メ
ッキが必要な部分をインク印刷法によりマスクコートし
て保護する。そしてインク乾燥後、金メッキ22の面の
洗浄を行い、その上から無光沢ワット型ニッケルメッキ
21を例えば4μmの厚みで施す(第2メッキ工程)。そ
の後、インクマスクを削除し、水洗および乾燥を行う。
【0017】このように形成されたリードフレームに対
して、上記実施例で述べた方法によりダイシェア強度変
化率を調べた結果、上記実施例と同様の特性が得られ
た。
して、上記実施例で述べた方法によりダイシェア強度変
化率を調べた結果、上記実施例と同様の特性が得られ
た。
【0018】また、上記各実施例では無光沢ワット型ニ
ッケルメッキの厚みを4μm、金メッキの厚みを0.1
5μmとしたが、無光沢ワット型ニッケルメッキの厚み
は2〜6μm、金メッキの厚みは0.05〜0.15μm
の範囲であればよい。
ッケルメッキの厚みを4μm、金メッキの厚みを0.1
5μmとしたが、無光沢ワット型ニッケルメッキの厚み
は2〜6μm、金メッキの厚みは0.05〜0.15μm
の範囲であればよい。
【0019】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、圧力センサ用リードフレームのダイスパッド部の表
面に、表面が粗くシリコン樹脂に対して接着性が良好な
無光沢ワット型ニッケルメッキを施し、かつ各リードの
インナーリード部およびアウターリード部にワイヤボン
ド性および半田付け性が優れた金メッキを施したことに
より、ダイスパッド部のダイシェア強度の低下が避けら
れると共にインナーリード部へのワイヤーボンディング
およびアウターリード部の回路基板(図示せず)への半田
付けがより確実に行え、信頼性のより高い圧力センサ用
リードフレームが得られる効果がある。
ば、圧力センサ用リードフレームのダイスパッド部の表
面に、表面が粗くシリコン樹脂に対して接着性が良好な
無光沢ワット型ニッケルメッキを施し、かつ各リードの
インナーリード部およびアウターリード部にワイヤボン
ド性および半田付け性が優れた金メッキを施したことに
より、ダイスパッド部のダイシェア強度の低下が避けら
れると共にインナーリード部へのワイヤーボンディング
およびアウターリード部の回路基板(図示せず)への半田
付けがより確実に行え、信頼性のより高い圧力センサ用
リードフレームが得られる効果がある。
【図1】この発明の一実施例による圧力センサ用リード
フレームの断面図である。
フレームの断面図である。
【図2】図1のリードフレームのダイスパッド部の拡大
断面図である。
断面図である。
【図3】図1のリードフレームのインナーリード部の拡
大断面図である。
大断面図である。
【図4】図1のリードフレームの平面図である。
【図5】この発明のリードフレームと従来のリードフレ
ームの連続耐高温高湿放置試験における放置時間とダイ
シェア強度変化率との関係を示す線図である。
ームの連続耐高温高湿放置試験における放置時間とダイ
シェア強度変化率との関係を示す線図である。
【図6】従来の一般的な半導体装置の側面図である。
【図7】図6の半導体装置のアウターリード部の断面図
である。
である。
【図8】従来の別の半導体装置のリードフレームの平面
図である。
図である。
4 圧力センサチップ 5 金属細線 6 シリコン樹脂 10 圧力センサ用リードフレーム 11 ダイスパッド部 12 掘込み部 13 ポスト 14 圧力導入開口部 15 リード 15a インナーリード部 15b アウターリード部 20 42アロイ材 21 無光沢ワット型ニッケルメッキ 22 金メッキ
Claims (2)
- 【請求項1】 樹脂性の接着剤により圧力センサチップ
を接着固定する搭載面を有し、少なくとも上記搭載面に
接着面に適した無光沢ワット型ニッケルメッキが施され
ているダイスパッド部と、 上記ダイスパッド部側にインナーリード部、反対側にア
ウターリード部をそれぞれ含み、上記インナーリード部
およびアウターリード部の電気的接続を行う部分に金属
を介在させた電気的接続に適した金メッキが施されてい
る、上記ダイスパッド部に向かって外側から延びる複数
のリードと、 を備えた圧力センサ用リードフレーム。 - 【請求項2】 樹脂性の接着剤により圧力センサチップ
を接着固定する搭載面を有するダイスパッド部と、それ
ぞれ上記ダイスパッド部側にインナーリード部、反対側
にアウターリード部を含む、上記ダイスパッド部に向か
って外側から延びる複数のリードと、を備えた圧力セン
サ用リードフレームに対し、 上記リードフレームの全面に無光沢ワット型ニッケルメ
ッキおよび金メッキの一方のメッキを施す第1メッキ工
程と、 この第1メッキ工程でのメッキを必要とする部分をマス
クした後に、上記無光沢ワット型ニッケルメッキおよび
金メッキの他方のメッキを施す第2メッキ工程と、 からなる圧力センサ用リードフレームの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29438191A JP2634341B2 (ja) | 1991-11-11 | 1991-11-11 | 圧力センサ用リードフレームおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29438191A JP2634341B2 (ja) | 1991-11-11 | 1991-11-11 | 圧力センサ用リードフレームおよびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05136309A JPH05136309A (ja) | 1993-06-01 |
JP2634341B2 true JP2634341B2 (ja) | 1997-07-23 |
Family
ID=17806990
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29438191A Expired - Lifetime JP2634341B2 (ja) | 1991-11-11 | 1991-11-11 | 圧力センサ用リードフレームおよびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2634341B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5948991A (en) * | 1996-12-09 | 1999-09-07 | Denso Corporation | Semiconductor physical quantity sensor device having semiconductor sensor chip integrated with semiconductor circuit chip |
JP2005097714A (ja) * | 2003-08-25 | 2005-04-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スポットめっき皮膜形成方法 |
EP2190014A1 (en) * | 2007-09-13 | 2010-05-26 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd | Lead frame and lead frame manufacturing method |
DE102009047506A1 (de) * | 2009-12-04 | 2011-06-09 | Robert Bosch Gmbh | Sensor mit einem Sensorgehäuse |
JP6372148B2 (ja) * | 2014-04-23 | 2018-08-15 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
-
1991
- 1991-11-11 JP JP29438191A patent/JP2634341B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH05136309A (ja) | 1993-06-01 |
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