JPS62175633A - 半導体圧力センサ - Google Patents
半導体圧力センサInfo
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- JPS62175633A JPS62175633A JP1907186A JP1907186A JPS62175633A JP S62175633 A JPS62175633 A JP S62175633A JP 1907186 A JP1907186 A JP 1907186A JP 1907186 A JP1907186 A JP 1907186A JP S62175633 A JPS62175633 A JP S62175633A
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- JP
- Japan
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- section
- pressure
- signal processing
- circuit block
- diaphragm
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
この発明は、圧力測定部、？Ｉｉ源供給部、信号処理部
から構成される半導体圧力センサに関する。
から構成される半導体圧力センサに関する。
「従来の技術」
周知のように、半導体圧力センサは、シリコンダイヤフ
ラムと、このシリコンダイヤフラムに形成されたゲージ
抵抗とからなる圧力測定部と、ゲージ抵抗へ電源を供給
する電源供給部と、ゲージ抵抗の出力信号を処理する信
号処理部とから構成される。そして、電源供給部および
信号処理部は、圧力測定部と別個に設置される場合と、
同一容器内に設置される場合とがある。この発明は、特
に後者の圧力センサに係わり、以下、このタイプの圧力
センサを集積化センサと弥する。
ラムと、このシリコンダイヤフラムに形成されたゲージ
抵抗とからなる圧力測定部と、ゲージ抵抗へ電源を供給
する電源供給部と、ゲージ抵抗の出力信号を処理する信
号処理部とから構成される。そして、電源供給部および
信号処理部は、圧力測定部と別個に設置される場合と、
同一容器内に設置される場合とがある。この発明は、特
に後者の圧力センサに係わり、以下、このタイプの圧力
センサを集積化センサと弥する。
近年、半導体圧力センサは、工業計測、自動車。
医療等柱々の分野において広く利用されている。
これらの分野においては、マイクロコンピュータが用い
られる場合が多く、したがって、圧力センザにらマイク
ロコンピュータに容易に接続できることか要求され、こ
のような機能を有する集積化センサが種々開発されてい
る。
られる場合が多く、したがって、圧力センザにらマイク
ロコンピュータに容易に接続できることか要求され、こ
のような機能を有する集積化センサが種々開発されてい
る。
「発明が解決しようとする問題点」
ところで、集積化センサの利用範囲が広がるにつれて、
特殊ガス雰囲気中、高湿度中等、雰囲気の悪い場所で使
用される場合も多くなってきている。しかしながら、従
来の集積化センサは、ｌチップ上に圧力測定部、電源供
給部および信号処理部が共に形成されているため、圧力
測定部だけでなく、電源供給部、信号処理部も被測定ガ
スにさらされ、このため、電源供給部、信号処理部に悪
影響を及ぼす問題があった。また、ｌチップ上に上記回
路構成をなす時は、電源回路等の発熱の圧力測定部への
影響、製造歩留り低下等の問題があった。
特殊ガス雰囲気中、高湿度中等、雰囲気の悪い場所で使
用される場合も多くなってきている。しかしながら、従
来の集積化センサは、ｌチップ上に圧力測定部、電源供
給部および信号処理部が共に形成されているため、圧力
測定部だけでなく、電源供給部、信号処理部も被測定ガ
スにさらされ、このため、電源供給部、信号処理部に悪
影響を及ぼす問題があった。また、ｌチップ上に上記回
路構成をなす時は、電源回路等の発熱の圧力測定部への
影響、製造歩留り低下等の問題があった。
この発明は上述した事情に鑑みてなされたもので、その
目的は、電源供給部および信号処理部が被測定媒体にさ
らされることがなく、かつ、比較的製造の容易な、信頼
性の向上した半導体圧力センサ（集積化センサ）を提供
することにある。
目的は、電源供給部および信号処理部が被測定媒体にさ
らされることがなく、かつ、比較的製造の容易な、信頼
性の向上した半導体圧力センサ（集積化センサ）を提供
することにある。
「問題点を解決するための手段」
この発明は、圧力導入口を有ずろ容器と、前記容器内の
一部に配置され、前記電源供給部および前記信号処理部
等の周辺回路が組み込まれた回路ブロックと、前記回路
ブロックをモールドするモールド部材と、前記容器内の
他の一部であって、被測定圧力が印加される部分に配置
された前記圧力測定部と、前記回路ブロックおよび前記
圧力測定部を電気的に接続する接続手段とを具備するこ
とを特徴としている。
一部に配置され、前記電源供給部および前記信号処理部
等の周辺回路が組み込まれた回路ブロックと、前記回路
ブロックをモールドするモールド部材と、前記容器内の
他の一部であって、被測定圧力が印加される部分に配置
された前記圧力測定部と、前記回路ブロックおよび前記
圧力測定部を電気的に接続する接続手段とを具備するこ
とを特徴としている。
「作用」
この発明によれば、電源供給部および信号処理部が組み
込まれた回路ブロックと圧力測定部とを別個に分け、回
路ブロックをモールドする構成としたので、回路ブロッ
クが被測定媒体に接触することがない。
込まれた回路ブロックと圧力測定部とを別個に分け、回
路ブロックをモールドする構成としたので、回路ブロッ
クが被測定媒体に接触することがない。
「実施例」
以下、図面を参照しこの発明の一実施例について説明す
る。第１図はこの発明の一実施例による集積化センサの
断面図であり、この図において、符号１は容器、２はこ
の容器ｌに設けられた圧力導入口である。この容器！の
内部の、圧力導入口２の直下には圧力測定部３が配置さ
れている。この圧力測定部３は、ダイヤフラム４ａが形
成されたシリコン単結晶基板４と、このシリコン基板４
の下面に−取り付けられた台座５とから構成され、ダイ
ヤフラム４ａ上に４個のゲージ抵抗がボロン拡散によっ
て形成されているもので、加圧力の変化に応じて発生す
るダイヤフラムのたわみをゲージ抵抗で検出する半導体
圧力センサである。また、この実施例による集積化セン
サは絶対圧型センサであり、ダイヤフラム４ａの下°部
が真空室６となっている。７はプリント基板であり、こ
のプリント基板７の上に、電源供給部および信号処理部
を組み込んだ回路ブロック８が取り付けられている。
る。第１図はこの発明の一実施例による集積化センサの
断面図であり、この図において、符号１は容器、２はこ
の容器ｌに設けられた圧力導入口である。この容器！の
内部の、圧力導入口２の直下には圧力測定部３が配置さ
れている。この圧力測定部３は、ダイヤフラム４ａが形
成されたシリコン単結晶基板４と、このシリコン基板４
の下面に−取り付けられた台座５とから構成され、ダイ
ヤフラム４ａ上に４個のゲージ抵抗がボロン拡散によっ
て形成されているもので、加圧力の変化に応じて発生す
るダイヤフラムのたわみをゲージ抵抗で検出する半導体
圧力センサである。また、この実施例による集積化セン
サは絶対圧型センサであり、ダイヤフラム４ａの下°部
が真空室６となっている。７はプリント基板であり、こ
のプリント基板７の上に、電源供給部および信号処理部
を組み込んだ回路ブロック８が取り付けられている。
この回路ブロック８は、プリント基板７上に機能部品を
ディスクリートに組み込んだものが、あるいは、モノリ
ンツクに形成したものである。そして、この回路ブロッ
ク８とダイヤフラム４ａ上のゲージ抵抗とが、リード線
およびプリント基板７の配線パターンを介して接続され
ている。もっとも、プリント基板を延在させ、その上に
圧力測定部を載置してもよい。この場合には、リード線
が不要になることがある。９はエポキシ等のプラスチッ
クモールド部材であり、このモールド部材９によって回
路ブロック８がモールドされている。
ディスクリートに組み込んだものが、あるいは、モノリ
ンツクに形成したものである。そして、この回路ブロッ
ク８とダイヤフラム４ａ上のゲージ抵抗とが、リード線
およびプリント基板７の配線パターンを介して接続され
ている。もっとも、プリント基板を延在させ、その上に
圧力測定部を載置してもよい。この場合には、リード線
が不要になることがある。９はエポキシ等のプラスチッ
クモールド部材であり、このモールド部材９によって回
路ブロック８がモールドされている。
圧力測定部に対しては、図示しないシリコンゴム。
ゲル状シリコン等の保護材を被覆する。なお、ＩＯは入
出力端子である。
出力端子である。
第２図は、上記集積化センサの電気的構成例を示す回路
図である。この図において、３は第１図に示す圧力測定
部、Ｒ１−Ｒ４はゲージ抵抗であり、これらのゲージ抵
抗Ｒ１−Ｒ４によってブリッジ回路ＩＩが構成されてい
る。また、８は第１図に示す回路ブロックである。この
回路ブロック８において、１２はブリッジ回路１１へ電
圧（または電流）を供給する電源回路、１３はブリッジ
回路Ｉｆの出力を増幅する増幅回路、１４はゲージ抵抗
Ｒ１−１’１４の温度補償を行う温度補償回路、ｌ５は
温度補償回路１４の出力電圧に対応する周波数のパルス
信号に出力するＶ／ｒ変換回路である。しかして、上記
集積化センサによれば、被測定圧力に応じた周波数のパ
ルス信号を得ろことができる。
図である。この図において、３は第１図に示す圧力測定
部、Ｒ１−Ｒ４はゲージ抵抗であり、これらのゲージ抵
抗Ｒ１−Ｒ４によってブリッジ回路ＩＩが構成されてい
る。また、８は第１図に示す回路ブロックである。この
回路ブロック８において、１２はブリッジ回路１１へ電
圧（または電流）を供給する電源回路、１３はブリッジ
回路Ｉｆの出力を増幅する増幅回路、１４はゲージ抵抗
Ｒ１−１’１４の温度補償を行う温度補償回路、ｌ５は
温度補償回路１４の出力電圧に対応する周波数のパルス
信号に出力するＶ／ｒ変換回路である。しかして、上記
集積化センサによれば、被測定圧力に応じた周波数のパ
ルス信号を得ろことができる。
「発明の効果Ｊ
以上説明したように、この発明によれば、電源供給部お
よび信号処理部が組み込まれた回路ブロックと、圧力測
定部とを分け、回路ブロックをモールドするようにした
ので、電源供給部および信号処理部が被測定媒体に接触
せず、この結果、電源供給部および信号処理部が被測定
媒体によって悪影響を受けることがないから、信頼性が
向上する。
よび信号処理部が組み込まれた回路ブロックと、圧力測
定部とを分け、回路ブロックをモールドするようにした
ので、電源供給部および信号処理部が被測定媒体に接触
せず、この結果、電源供給部および信号処理部が被測定
媒体によって悪影響を受けることがないから、信頼性が
向上する。
また、この発明によれば、圧力測定部の良品と回路ブロ
ックの良品とを組み合わせるこ七ができるので、両者を
１チツプに形成した集積化センサより歩留りの点で有利
である。
ックの良品とを組み合わせるこ七ができるので、両者を
１チツプに形成した集積化センサより歩留りの点で有利
である。
第１図はこの発明の一実施例の構成を示す断面図１、第
２図は同実施例の回路構成の一例を示すブロック図であ
る。 １・・・・・・容器、２・・・・・・圧力導入口、３・
・・・・圧力測定部、４ａ・・・ダイヤフラム、７・・
・・・プリント基板、８・・・・回路ブロック、９・・
・・・・モールド部（オ。
２図は同実施例の回路構成の一例を示すブロック図であ
る。 １・・・・・・容器、２・・・・・・圧力導入口、３・
・・・・圧力測定部、４ａ・・・ダイヤフラム、７・・
・・・プリント基板、８・・・・回路ブロック、９・・
・・・・モールド部（オ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （ａ）半導体ダイヤフラムと、このダイヤフラムに形成
されたゲージ抵抗とからなる圧力測定部と、前記ゲージ
抵抗へ電源を供給する電源供給部と、前記ゲージ抵抗の
出力信号を処理する信号処理部とを有してなる半導体圧
力センサにおいて、（ｂ）圧力導入口を有する容器と、 （ｃ）前記容器内の一部に配置され、前記電源供給部お
よび前記信号処理部が組み込まれた回路ブロックと、 （ｄ）前記回路ブロックをモールドするモールド部材と
、 （ｅ）前記容器内の他の一部であって、被測定圧力が印
加される部分に配置された前記圧力測定部と、（ｆ）前
記回路ブロックおよび前記圧力測定部を電気的に接続す
る接続手段と、 を具備してなる半導体圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1907186A JPS62175633A (ja) | 1986-01-30 | 1986-01-30 | 半導体圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1907186A JPS62175633A (ja) | 1986-01-30 | 1986-01-30 | 半導体圧力センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62175633A true JPS62175633A (ja) | 1987-08-01 |
Family
ID=11989196
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1907186A Pending JPS62175633A (ja) | 1986-01-30 | 1986-01-30 | 半導体圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62175633A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999001771A1 (en) * | 1997-07-04 | 1999-01-14 | Kabushiki Kaisha Tokai Rika Denki Seisakusho | Sensor with diaphragm sensor chip |
| US5948991A (en) * | 1996-12-09 | 1999-09-07 | Denso Corporation | Semiconductor physical quantity sensor device having semiconductor sensor chip integrated with semiconductor circuit chip |
| JP2006231059A (ja) * | 2005-02-24 | 2006-09-07 | Radi Medical Systems Ab | センサ−ガイドワイヤ・アセンブリ |
-
1986
- 1986-01-30 JP JP1907186A patent/JPS62175633A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5948991A (en) * | 1996-12-09 | 1999-09-07 | Denso Corporation | Semiconductor physical quantity sensor device having semiconductor sensor chip integrated with semiconductor circuit chip |
| DE19754616B4 (de) * | 1996-12-09 | 2007-09-27 | Denso Corp., Kariya | Drucksensor |
| DE19758891B4 (de) * | 1996-12-09 | 2012-02-23 | Denso Corporation | Halbleitersensor und Verfahren zu dessen Herstellung |
| WO1999001771A1 (en) * | 1997-07-04 | 1999-01-14 | Kabushiki Kaisha Tokai Rika Denki Seisakusho | Sensor with diaphragm sensor chip |
| US6201285B1 (en) | 1997-07-04 | 2001-03-13 | Kabushiki Kaisha Tokai Rika Denki Seisakusho | Sensor with diaphragm sensor chip |
| JP2006231059A (ja) * | 2005-02-24 | 2006-09-07 | Radi Medical Systems Ab | センサ−ガイドワイヤ・アセンブリ |
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