JP3367458B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JP3367458B2 JP3367458B2 JP08978999A JP8978999A JP3367458B2 JP 3367458 B2 JP3367458 B2 JP 3367458B2 JP 08978999 A JP08978999 A JP 08978999A JP 8978999 A JP8978999 A JP 8978999A JP 3367458 B2 JP3367458 B2 JP 3367458B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- base material
- electronic component
- packing
- coating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 38
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 192
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 152
- 238000012856 packing Methods 0.000 claims description 68
- 238000009501 film coating Methods 0.000 claims description 57
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 43
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 43
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 23
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 7
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 claims description 6
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 claims description 6
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 5
- 229920005177 Duracon® POM Polymers 0.000 claims description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 claims description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 claims description 3
- 102200082816 rs34868397 Human genes 0.000 claims description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 3
- -1 Duracon Natural products 0.000 description 2
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229920000181 Ethylene propylene rubber Polymers 0.000 description 1
- 229930182556 Polyacetal Natural products 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/06—Means for preventing overload or deleterious influence of the measured medium on the measuring device or vice versa
- G01L19/0627—Protection against aggressive medium in general
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/565—Moulds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電極やワイヤボン
ディング部分等の薄膜コーティングを行なう半導体装
置、例えば、圧力センサの製造方法に関する。
ディング部分等の薄膜コーティングを行なう半導体装
置、例えば、圧力センサの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】圧力センサなど、電極やワイヤボンディ
ング部分等が露出した半導体装置では、腐食防止のため
に、露出部分を薄膜コーティングしている。具体的に
は、ワイヤボンディングが成された半導体装置の露出部
分に薄膜を蒸着することによって薄膜コーティングを行
なっている。このとき、圧力センサの露出部分以外の領
域では、半導体装置と外部との電気的接続を行なう必要
がある等の理由により、薄膜コーティングが成されない
ようにする必要がある。このため、電極やワイヤボンデ
ィング部分等の露出部分と対応する位置が開口した母材
（枠体）で半導体装置を囲み、開口部を通じて薄膜コー
ティングを行なうことによって、露出部分以外の領域に
おいては母材に薄膜を付着させ、露出部分のみが薄膜コ
ーティングされるようにしている。
ング部分等が露出した半導体装置では、腐食防止のため
に、露出部分を薄膜コーティングしている。具体的に
は、ワイヤボンディングが成された半導体装置の露出部
分に薄膜を蒸着することによって薄膜コーティングを行
なっている。このとき、圧力センサの露出部分以外の領
域では、半導体装置と外部との電気的接続を行なう必要
がある等の理由により、薄膜コーティングが成されない
ようにする必要がある。このため、電極やワイヤボンデ
ィング部分等の露出部分と対応する位置が開口した母材
（枠体）で半導体装置を囲み、開口部を通じて薄膜コー
ティングを行なうことによって、露出部分以外の領域に
おいては母材に薄膜を付着させ、露出部分のみが薄膜コ
ーティングされるようにしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】半導体装置を囲む母材
は、幾度にも渡って使用される。しかしながら、母材に
は、前に使用した際の薄膜が付着した状態となっている
ため、そのままの状態で使用されると、使用中に母材か
ら薄膜が剥離し、母材の開口部を通じて剥離した薄膜が
露出部分に入り込む可能性がある。このように露出部分
に剥離した薄膜が付着すると、半導体装置の機能（例え
ば、圧力センサのセンサ感度）を損ねるという問題があ
る。このため、使用するたびに母材に付着した薄膜を剥
離させる必要があった。
は、幾度にも渡って使用される。しかしながら、母材に
は、前に使用した際の薄膜が付着した状態となっている
ため、そのままの状態で使用されると、使用中に母材か
ら薄膜が剥離し、母材の開口部を通じて剥離した薄膜が
露出部分に入り込む可能性がある。このように露出部分
に剥離した薄膜が付着すると、半導体装置の機能（例え
ば、圧力センサのセンサ感度）を損ねるという問題があ
る。このため、使用するたびに母材に付着した薄膜を剥
離させる必要があった。
【０００４】しかしながら、母材に付着した薄膜の密着
度が高く、薄膜を剥離させることが煩雑となっていた。
本発明は上記点に鑑みて成され、付着した薄膜を容易に
剥離できる半導体装置の製造方法を適用することを目的
とする。
度が高く、薄膜を剥離させることが煩雑となっていた。
本発明は上記点に鑑みて成され、付着した薄膜を容易に
剥離できる半導体装置の製造方法を適用することを目的
とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記問題を解決するため
に、請求項１に記載の発明においては、電子部品（２）
を用意する工程と、母材（５、６）の開口部内に中空形
状のパッキン（８）を配置し、開口部（５ａ）の内周壁
を覆う工程と、パッキンの中空部を通じて該電子部品の
所定部位が露出するように、母材内に電子部品を配置す
る工程と、パッキンの中空部に対応する位置に窓部（９
ｃ）が備えられたカバー（９）にて、母材の表面を覆う
工程と、中空部を通じて薄膜コーティングを施し、電子
部品の所定部位に薄膜コーティングを施す工程と、を含
んでいることを特徴としている。
に、請求項１に記載の発明においては、電子部品（２）
を用意する工程と、母材（５、６）の開口部内に中空形
状のパッキン（８）を配置し、開口部（５ａ）の内周壁
を覆う工程と、パッキンの中空部を通じて該電子部品の
所定部位が露出するように、母材内に電子部品を配置す
る工程と、パッキンの中空部に対応する位置に窓部（９
ｃ）が備えられたカバー（９）にて、母材の表面を覆う
工程と、中空部を通じて薄膜コーティングを施し、電子
部品の所定部位に薄膜コーティングを施す工程と、を含
んでいることを特徴としている。
【０００６】このように、母材をカバーで覆うように
し、母材の開口部の内壁をパッキンで囲むようにすれ
ば、薄膜コーティング時に母材に薄膜（１１）が付着し
ないようにできる。このため、カバーを母材から除去す
ることによって、母材から薄膜を容易に剥離させること
ができ、同じ母材を用いて順に電子部品への薄膜コーテ
ィングを行なうことができる。
し、母材の開口部の内壁をパッキンで囲むようにすれ
ば、薄膜コーティング時に母材に薄膜（１１）が付着し
ないようにできる。このため、カバーを母材から除去す
ることによって、母材から薄膜を容易に剥離させること
ができ、同じ母材を用いて順に電子部品への薄膜コーテ
ィングを行なうことができる。
【０００７】請求項２に記載の発明においては、窓部の
外周全周を囲むように、パッキンとカバーとが接触部位
を有していることを特徴としている。このように、窓部
の外周全周を囲むようにパッキンとカバーとが接触して
いれば、この接触部位よりも内側、つまり母材の表面側
まで薄膜コーティング時にコーティング材料が入り込ま
ないようにできる。
外周全周を囲むように、パッキンとカバーとが接触部位
を有していることを特徴としている。このように、窓部
の外周全周を囲むようにパッキンとカバーとが接触して
いれば、この接触部位よりも内側、つまり母材の表面側
まで薄膜コーティング時にコーティング材料が入り込ま
ないようにできる。
【０００８】例えば、請求項３に示すように、パッキン
を母材から突出するように構成し、該パッキンの突出部
分と対応するように、カバーに段付き部を設け、該段付
き部（９ｄ）によって窓部を突出させ、パッキンの突出
部分とカバーの段付き部とが接触するようにすること
で、カバーのうち窓部の外周全周をパッキンに接触させ
るようにすることができる。
を母材から突出するように構成し、該パッキンの突出部
分と対応するように、カバーに段付き部を設け、該段付
き部（９ｄ）によって窓部を突出させ、パッキンの突出
部分とカバーの段付き部とが接触するようにすること
で、カバーのうち窓部の外周全周をパッキンに接触させ
るようにすることができる。
【０００９】この場合、請求項４に示すように、段付き
部は、窓部の開口端に近づくほど突出量が小さくなるよ
うにすれば、この開口端の近傍においてカバーとパッキ
ンとの接触面の面圧を高めることができる。請求項５に
記載の発明においては、カバーを、母材よりも薄膜コー
ティングのコーティング材料が付着しやすい材質のもの
で構成することを特徴としている。
部は、窓部の開口端に近づくほど突出量が小さくなるよ
うにすれば、この開口端の近傍においてカバーとパッキ
ンとの接触面の面圧を高めることができる。請求項５に
記載の発明においては、カバーを、母材よりも薄膜コー
ティングのコーティング材料が付着しやすい材質のもの
で構成することを特徴としている。
【００１０】このように、母材よりもコーティング材料
が付着しやすい材質のものでカバーを構成すれば、カバ
ーからコーティング材料から剥がれてしまい、パッキン
の中空部を通じて剥がれたコーティング材料が電子部品
に付着してしまうという再付着を防止することができ
る。例えば、請求項６に示すように、カバーの材料とし
て、ポリカーポネイト若しくはＡＳ樹脂を用いることが
できる。
が付着しやすい材質のものでカバーを構成すれば、カバ
ーからコーティング材料から剥がれてしまい、パッキン
の中空部を通じて剥がれたコーティング材料が電子部品
に付着してしまうという再付着を防止することができ
る。例えば、請求項６に示すように、カバーの材料とし
て、ポリカーポネイト若しくはＡＳ樹脂を用いることが
できる。
【００１１】請求項７に記載の発明においては、パッキ
ンとして、薄膜コーティング材料が該パッキンに付着し
たときに、該パッキンの表面の凹み内に薄膜コーティン
グのコーティング材料が吸収される材質のものを用いる
ことを特徴としている。このように、パッキンの表面の
凹み内にコーティング材料が吸入されるようにすれば、
パッキンを複数回使用することができる。
ンとして、薄膜コーティング材料が該パッキンに付着し
たときに、該パッキンの表面の凹み内に薄膜コーティン
グのコーティング材料が吸収される材質のものを用いる
ことを特徴としている。このように、パッキンの表面の
凹み内にコーティング材料が吸入されるようにすれば、
パッキンを複数回使用することができる。
【００１２】請求項８に記載の発明においては、電子部
品（２）を母材（５、６）で囲み、該母材に形成された
開口部（５ａ）を通じて薄膜（１１）のコーティングを
施して、電子部品の所定部位に薄膜コーティングを行な
ったのち、電子部品を母材から取り出し、さらに薄膜コ
ーティング時に母材に付着した薄膜を該母材から剥離さ
せたのち、該母材を用いて電子部品とは異なる電子部品
に対して薄膜コーティングを順に行なう半導体装置の製
造方法において、母材として、薄膜コーティング時に薄
膜が付着する領域を、薄膜が付着しない領域よりも表面
粗度が低くなるようにし、該表面粗度の小さくされた母
材を用いて薄膜コーティングを行なうことを特徴として
いる。
品（２）を母材（５、６）で囲み、該母材に形成された
開口部（５ａ）を通じて薄膜（１１）のコーティングを
施して、電子部品の所定部位に薄膜コーティングを行な
ったのち、電子部品を母材から取り出し、さらに薄膜コ
ーティング時に母材に付着した薄膜を該母材から剥離さ
せたのち、該母材を用いて電子部品とは異なる電子部品
に対して薄膜コーティングを順に行なう半導体装置の製
造方法において、母材として、薄膜コーティング時に薄
膜が付着する領域を、薄膜が付着しない領域よりも表面
粗度が低くなるようにし、該表面粗度の小さくされた母
材を用いて薄膜コーティングを行なうことを特徴として
いる。
【００１３】このように、母材のうち薄膜が付着する領
域の表面粗度が付着しない領域よりも低くなるようにす
ることで、母材に薄膜が付着しても母材から薄膜を剥離
させやすくすることができる。例えば、請求項９に示す
ように、母材の開口部内に中空形状のパッキン（８）を
配置して開口部の内周壁を覆い、パッキンの中空部を通
じて電子部品への薄膜コーティングを行なう場合、母材
のうち薄膜コーティング時に薄膜が付着する領域は、パ
ッキンに覆われる開口部の内周壁よりも表面粗度が低く
なるようにすればよい。
域の表面粗度が付着しない領域よりも低くなるようにす
ることで、母材に薄膜が付着しても母材から薄膜を剥離
させやすくすることができる。例えば、請求項９に示す
ように、母材の開口部内に中空形状のパッキン（８）を
配置して開口部の内周壁を覆い、パッキンの中空部を通
じて電子部品への薄膜コーティングを行なう場合、母材
のうち薄膜コーティング時に薄膜が付着する領域は、パ
ッキンに覆われる開口部の内周壁よりも表面粗度が低く
なるようにすればよい。
【００１４】請求項１０に記載の発明においては、母材
をコーティング材料で被膜することによって、該母材に
直接薄膜がコーテティングされる場合よりも薄膜との接
合強度が低くなるコーティング材料によって母材をコー
ティングし、コーティング材料で覆われた母材を用いて
薄膜コーティングを行なうことを特徴としている。この
ように、母材をコーティング材料で被膜することによっ
て、母材と薄膜との接合強度を小さくしてもよい。
をコーティング材料で被膜することによって、該母材に
直接薄膜がコーテティングされる場合よりも薄膜との接
合強度が低くなるコーティング材料によって母材をコー
ティングし、コーティング材料で覆われた母材を用いて
薄膜コーティングを行なうことを特徴としている。この
ように、母材をコーティング材料で被膜することによっ
て、母材と薄膜との接合強度を小さくしてもよい。
【００１５】この場合、請求項１１に示すように、母材
の開口部内に中空形状のパッキン（８）を配置して開口
部の内周壁を覆い、該パッキンの中空部を通じて電気部
品への薄膜コーティングを行なうようにすれば、パッキ
ンにコーティング材が付着し、母材から薄膜が剥離して
しまって母材の開口部を通じて電子部品に再付着するこ
とを防止できる。
の開口部内に中空形状のパッキン（８）を配置して開口
部の内周壁を覆い、該パッキンの中空部を通じて電気部
品への薄膜コーティングを行なうようにすれば、パッキ
ンにコーティング材が付着し、母材から薄膜が剥離して
しまって母材の開口部を通じて電子部品に再付着するこ
とを防止できる。
【００１６】例えば、請求項１２に示すように、接合強
度を低くするためのコーティングは、無電解Ｎｉメッ
キ、フッ素系樹脂のコーティングによって行なうことが
できる。具体的には、請求項１３又は請求項１５に示す
ように、母材のうち薄膜コーティング時に薄膜が付着す
る領域を表面粗度が１．６Ｒｚ以下とされていれば、薄
膜の剥離性を向上させることができる。好ましくは、請
求項１４に示すように、母材の表面粗度が０．６Ｒｚ以
下であるとよい。
度を低くするためのコーティングは、無電解Ｎｉメッ
キ、フッ素系樹脂のコーティングによって行なうことが
できる。具体的には、請求項１３又は請求項１５に示す
ように、母材のうち薄膜コーティング時に薄膜が付着す
る領域を表面粗度が１．６Ｒｚ以下とされていれば、薄
膜の剥離性を向上させることができる。好ましくは、請
求項１４に示すように、母材の表面粗度が０．６Ｒｚ以
下であるとよい。
【００１７】なお、請求項１６に示すように、母材の材
料として、例えば、Ｓ４５Ｃ、ＳＵＳ３０３、ＹＨ７
５、ジュラコン、６ナイロン、ＭＣナイロンのいずれか
を用いることができる。また、請求項１７に示すよう
に、例えば、電極とセンサチップとがワイヤで電気的に
接続されている電子部品において、これら電極及びワイ
ヤを含む部位を薄膜コーティングする場合に請求項１乃
至１６に記載の発明を適用することができる。
料として、例えば、Ｓ４５Ｃ、ＳＵＳ３０３、ＹＨ７
５、ジュラコン、６ナイロン、ＭＣナイロンのいずれか
を用いることができる。また、請求項１７に示すよう
に、例えば、電極とセンサチップとがワイヤで電気的に
接続されている電子部品において、これら電極及びワイ
ヤを含む部位を薄膜コーティングする場合に請求項１乃
至１６に記載の発明を適用することができる。
【００１８】なお、上記した括弧内の符号は、後述する
実施形態における図中の符号との対応関係を示してい
る。
実施形態における図中の符号との対応関係を示してい
る。
【００１９】
【発明の実施の形態】（第１実施形態）図１に本発明の
一実施形態における半導体装置の製造工程を示す。以
下、図１に基づいて半導体装置の製造工程について説明
する。 〔図１（ａ）に示す工程〕まず、半導体装置として、圧
力センサ１が搭載された電子部品２を用意する。この電
子部品２は、信号処理回路やアンプ回路等の電気回路部
をモールド化したモールドＩＣで構成されている。そし
て、圧力センサ１は、電子部品２上に搭載されていると
共に、電気回路から引き出された電極３にワイヤ４を介
して電気的に接続されている。
一実施形態における半導体装置の製造工程を示す。以
下、図１に基づいて半導体装置の製造工程について説明
する。 〔図１（ａ）に示す工程〕まず、半導体装置として、圧
力センサ１が搭載された電子部品２を用意する。この電
子部品２は、信号処理回路やアンプ回路等の電気回路部
をモールド化したモールドＩＣで構成されている。そし
て、圧力センサ１は、電子部品２上に搭載されていると
共に、電気回路から引き出された電極３にワイヤ４を介
して電気的に接続されている。
【００２０】そして、圧力センサ１に対応する位置に開
口部５ａが形成された上枠５と、上枠５と一対を成す下
枠６とからなる母材５、６を用意する。上枠５及び下枠
６は共に、断面コの字形状を成すコップ形状を成してお
り、上枠５には、そのコップ形状の底部の略中央位置に
開口部５ａが形成された構成となっている。なお、上枠
５と下枠６とを合わせると略立方体の形状を成し、上枠
５と下枠６とを合わせたときに、母材５、６内に電子部
品２が配置できる程度のスペースが形成されるようにな
っている。
口部５ａが形成された上枠５と、上枠５と一対を成す下
枠６とからなる母材５、６を用意する。上枠５及び下枠
６は共に、断面コの字形状を成すコップ形状を成してお
り、上枠５には、そのコップ形状の底部の略中央位置に
開口部５ａが形成された構成となっている。なお、上枠
５と下枠６とを合わせると略立方体の形状を成し、上枠
５と下枠６とを合わせたときに、母材５、６内に電子部
品２が配置できる程度のスペースが形成されるようにな
っている。
【００２１】母材５、６の材質としては、後述する薄膜
コーティング時に薄膜が付着しやすい材質、例えば、Ｓ
４５Ｃ等の鉄、ＳＵＳ３０３等のステンレス、ＹＨ７５
等のアルミニウム、ジュラコン等のポリアセタール、６
ナイロン、ＭＣナイロン等を用いている。上枠５と下枠
６との境界部分にパッキン７を配置し、この境界部が液
密となるようにする。さらに、上枠５に形成された開口
部５ａの内周に、開口部５ａの内周全周が覆える構成と
されたパッキン８を配置する。具体的には、パッキン８
として、中空状の筒型のもので、かつ、中空部が圧力セ
ンサ１に対応した形状となっているものを用いている。
このパッキン８は、上枠５の開口部５ａ内には位置した
時に、上枠５の上面から突出した状態となるように構成
されている。このパッキン８の材質としては、後述する
薄膜コーティング時に薄膜材料が付着し、さらに薄膜材
料を吸収するもの、具体的には表面凹凸の大きなゴムを
用いており、例えば、Ｓｉゴム、エチレンプロピレンゴ
ム、フッ素ゴム等を用いることができる。
コーティング時に薄膜が付着しやすい材質、例えば、Ｓ
４５Ｃ等の鉄、ＳＵＳ３０３等のステンレス、ＹＨ７５
等のアルミニウム、ジュラコン等のポリアセタール、６
ナイロン、ＭＣナイロン等を用いている。上枠５と下枠
６との境界部分にパッキン７を配置し、この境界部が液
密となるようにする。さらに、上枠５に形成された開口
部５ａの内周に、開口部５ａの内周全周が覆える構成と
されたパッキン８を配置する。具体的には、パッキン８
として、中空状の筒型のもので、かつ、中空部が圧力セ
ンサ１に対応した形状となっているものを用いている。
このパッキン８は、上枠５の開口部５ａ内には位置した
時に、上枠５の上面から突出した状態となるように構成
されている。このパッキン８の材質としては、後述する
薄膜コーティング時に薄膜材料が付着し、さらに薄膜材
料を吸収するもの、具体的には表面凹凸の大きなゴムを
用いており、例えば、Ｓｉゴム、エチレンプロピレンゴ
ム、フッ素ゴム等を用いることができる。
【００２２】そして、上枠５と下枠６との間に電子部品
２を配置した状態で、パッキン８と共に上枠５と下枠６
とを合わせる。これにより、母材５、６内に電子部品２
が収容される。次に、母材５、６を覆うためのカバー９
を用意する。このカバー９は、上カバー９ａと下カバー
９ｂとから構成されており、上カバー９ａと下カバー９
ｂとを合わせた時に、その内部形状が母材５、６に対応
した形状になるように構成されている。なお、これら上
カバー９ａと下カバー９ｂは、組付け部１０にて、接合
されるようになっている。このカバー９の材質として
は、後述する薄膜コーティング時に薄膜が付着しやすい
もの、例えばＰＥＴ、ポリカーポネート、ＡＳ樹脂を用
いることができる。このカバー９は、母材５、６と比べ
て薄い材質のもので構成している。
２を配置した状態で、パッキン８と共に上枠５と下枠６
とを合わせる。これにより、母材５、６内に電子部品２
が収容される。次に、母材５、６を覆うためのカバー９
を用意する。このカバー９は、上カバー９ａと下カバー
９ｂとから構成されており、上カバー９ａと下カバー９
ｂとを合わせた時に、その内部形状が母材５、６に対応
した形状になるように構成されている。なお、これら上
カバー９ａと下カバー９ｂは、組付け部１０にて、接合
されるようになっている。このカバー９の材質として
は、後述する薄膜コーティング時に薄膜が付着しやすい
もの、例えばＰＥＴ、ポリカーポネート、ＡＳ樹脂を用
いることができる。このカバー９は、母材５、６と比べ
て薄い材質のもので構成している。
【００２３】また、上カバー９ａには、上枠５に形成さ
れた開口部５ａと対応する位置に開口部９ｃが形成され
ている。上カバー９ａは、開口部９ｃの開口端におい
て、この開口端の外周部全周が他の部分よりも突出した
段付き部９ｄとなっており、この段付き部９ｄにパッキ
ン８の突出部分が収容されるようになっている。この上
カバー９ａの段付き部９ｄは開口端に近づくほど突出量
が少なくなっており、開口端において上カバー９ａがパ
ッキン８の突出部分と接触するようになっている。
れた開口部５ａと対応する位置に開口部９ｃが形成され
ている。上カバー９ａは、開口部９ｃの開口端におい
て、この開口端の外周部全周が他の部分よりも突出した
段付き部９ｄとなっており、この段付き部９ｄにパッキ
ン８の突出部分が収容されるようになっている。この上
カバー９ａの段付き部９ｄは開口端に近づくほど突出量
が少なくなっており、開口端において上カバー９ａがパ
ッキン８の突出部分と接触するようになっている。
【００２４】そして、組付け部にて上カバー９ａと下カ
バー９ｂとを接合する。これにより、カバー９及びパッ
キンによって、電子部品２のうち、圧力センサ１が搭載
された部分の近傍、つまり、ワイヤボンディング部分及
び電極が位置する部分、つまり薄膜コーティングを行な
いたい部分のみが露出した状態となる。〔図１（ｂ）に
示す工程〕次に、上カバー９ａ及び下カバー９ｂ内に電
子部品２を配置した状態で、電子部品２を蒸着装置等の
チャンバー（図示せず）内に入れ、樹脂系の薄膜コーテ
ィング（例えば、ポリパラキシレン）を行なう。
バー９ｂとを接合する。これにより、カバー９及びパッ
キンによって、電子部品２のうち、圧力センサ１が搭載
された部分の近傍、つまり、ワイヤボンディング部分及
び電極が位置する部分、つまり薄膜コーティングを行な
いたい部分のみが露出した状態となる。〔図１（ｂ）に
示す工程〕次に、上カバー９ａ及び下カバー９ｂ内に電
子部品２を配置した状態で、電子部品２を蒸着装置等の
チャンバー（図示せず）内に入れ、樹脂系の薄膜コーテ
ィング（例えば、ポリパラキシレン）を行なう。
【００２５】これにより、パッキン８の中空部を通じて
電子部品２のうちの露出部分、上カバー９ａ、下カバー
９ｂ及びパッキン８の内壁に薄膜１１が付着する。具体
的には、電子部品２のうち薄膜コーティングしたい部分
以外は上カバー９ａ、下カバー９ｂ、及びパッキン８に
よって露出しない状態とされているため、薄膜コーティ
ングを行ないたい部分のみが薄膜コーティングされる。
電子部品２のうちの露出部分、上カバー９ａ、下カバー
９ｂ及びパッキン８の内壁に薄膜１１が付着する。具体
的には、電子部品２のうち薄膜コーティングしたい部分
以外は上カバー９ａ、下カバー９ｂ、及びパッキン８に
よって露出しない状態とされているため、薄膜コーティ
ングを行ないたい部分のみが薄膜コーティングされる。
【００２６】〔図１（ｃ）に示す工程〕薄膜１１が付着
した上カバー９ａ及び下カバー９ｂから母材５、６を取
り出し、さらに母材５、６から電子部品２を取り出す。
これにより、電極３やワイヤ４等が薄膜コーティングさ
れた電子部品２が完成する。そして、上カバー９ａ及び
下カバー９ｂを取り替え、母材５、６及びパッキン８は
上述したものを用いて、次の電子部品２の薄膜コーティ
ングに移行する。
した上カバー９ａ及び下カバー９ｂから母材５、６を取
り出し、さらに母材５、６から電子部品２を取り出す。
これにより、電極３やワイヤ４等が薄膜コーティングさ
れた電子部品２が完成する。そして、上カバー９ａ及び
下カバー９ｂを取り替え、母材５、６及びパッキン８は
上述したものを用いて、次の電子部品２の薄膜コーティ
ングに移行する。
【００２７】このように、上カバー９ａ及び下カバー９
ｂによって母材５、６を覆い、母材５、６には薄膜１１
が付着しないようにすることで、カバー９ａ、９ｂを除
去するだけで、電子部品２の薄膜コーティングを次々に
行なえるようにできる。また、パッキン８にも薄膜材料
が付着した状態となっているが、薄膜材料が付着しても
パッキン８に吸収され、パッキン８の中空部の大きさを
ほぼ変化させないため、中空部の大きさが、電子部品２
の薄膜コーティングしたい領域がパッキン８に付着した
薄膜１１に隠れて露出しない状態とならない程度であれ
ば、パッキン８を複数回使用することが可能である。
ｂによって母材５、６を覆い、母材５、６には薄膜１１
が付着しないようにすることで、カバー９ａ、９ｂを除
去するだけで、電子部品２の薄膜コーティングを次々に
行なえるようにできる。また、パッキン８にも薄膜材料
が付着した状態となっているが、薄膜材料が付着しても
パッキン８に吸収され、パッキン８の中空部の大きさを
ほぼ変化させないため、中空部の大きさが、電子部品２
の薄膜コーティングしたい領域がパッキン８に付着した
薄膜１１に隠れて露出しない状態とならない程度であれ
ば、パッキン８を複数回使用することが可能である。
【００２８】さらに、本実施形態では、上カバー９ａと
下カバー９ｂ及びパッキン８に薄膜１１が付着しやすい
材料を用いているため、これらに付着した薄膜１１が剥
がれ落ち、電子部品２の露出部分に落ち、再付着すると
いうことを防止することができる。 （第２実施形態）図２に、本発明の第２実施形態を適用
した半導体装置の製造工程を示す。以下、図２に基づい
て半導体装置の製造方法について説明するが、本実施形
態の半導体装置の製造方法は第１実施形態とほぼ同様で
あるため、異なる部分についてのみ説明する。
下カバー９ｂ及びパッキン８に薄膜１１が付着しやすい
材料を用いているため、これらに付着した薄膜１１が剥
がれ落ち、電子部品２の露出部分に落ち、再付着すると
いうことを防止することができる。 （第２実施形態）図２に、本発明の第２実施形態を適用
した半導体装置の製造工程を示す。以下、図２に基づい
て半導体装置の製造方法について説明するが、本実施形
態の半導体装置の製造方法は第１実施形態とほぼ同様で
あるため、異なる部分についてのみ説明する。
【００２９】〔図２（ａ）に示す工程〕まず、第１実施
形態と同様の形状の上枠５及び下枠６で構成された母材
５、６、及びパッキン７とパッキン８を用意する。母材
５、６を構成する上枠５及び下枠６は、表面が部分的に
平坦化加工されており、表面粗度が０．６Ｒｚ以下とさ
れている。平坦化加工は、少なくとも後述する薄膜コー
ティング時に薄膜１１が付着する領域になされている。
具体的には、第１実施形態と同様に、上枠５の開口部５
ａ内にパッキン８を配置したのち、上枠５と下枠６とを
合わせて電子部品２を母材５、６内に収容した時に、上
枠５及び下枠６の内側に位置する部分及び開口部５ａの
開口端を除いて、上枠５及び下枠６のうち外部に露出す
る部分を平坦化加工してある。この平坦化加工が施され
ている母材５、６の表面状態を図３に示す。なお、参考
として平坦化加工を行なっていない表面状態を図中に点
線で示す。
形態と同様の形状の上枠５及び下枠６で構成された母材
５、６、及びパッキン７とパッキン８を用意する。母材
５、６を構成する上枠５及び下枠６は、表面が部分的に
平坦化加工されており、表面粗度が０．６Ｒｚ以下とさ
れている。平坦化加工は、少なくとも後述する薄膜コー
ティング時に薄膜１１が付着する領域になされている。
具体的には、第１実施形態と同様に、上枠５の開口部５
ａ内にパッキン８を配置したのち、上枠５と下枠６とを
合わせて電子部品２を母材５、６内に収容した時に、上
枠５及び下枠６の内側に位置する部分及び開口部５ａの
開口端を除いて、上枠５及び下枠６のうち外部に露出す
る部分を平坦化加工してある。この平坦化加工が施され
ている母材５、６の表面状態を図３に示す。なお、参考
として平坦化加工を行なっていない表面状態を図中に点
線で示す。
【００３０】そして、このように構成された母材５、６
を用い、上枠５と下枠６との間に電子部品２を配置した
状態で、パッキン８と共に上枠５と下枠６とを合わせ
る。これにより、母材５、６内に電子部品２が収容され
る。 〔図２（ｂ）に示す工程〕次に、母材５、６と共に、電
子部品２を蒸着装置等のチャンバー内に入れ、樹脂系の
薄膜コーティング（例えば、ポリパラキシレン）を行な
う。これにより、パッキン８の中空部を通じて電子部品
２のうちの露出部分、上枠５、下枠６及びパッキン８の
内壁に薄膜１１が付着する。
を用い、上枠５と下枠６との間に電子部品２を配置した
状態で、パッキン８と共に上枠５と下枠６とを合わせ
る。これにより、母材５、６内に電子部品２が収容され
る。 〔図２（ｂ）に示す工程〕次に、母材５、６と共に、電
子部品２を蒸着装置等のチャンバー内に入れ、樹脂系の
薄膜コーティング（例えば、ポリパラキシレン）を行な
う。これにより、パッキン８の中空部を通じて電子部品
２のうちの露出部分、上枠５、下枠６及びパッキン８の
内壁に薄膜１１が付着する。
【００３１】これにより、電子部品２においては、薄膜
コーティングを行ないたい部分のみ薄膜１１が付着した
状態となり、上枠５及び下枠６においては、平坦化加工
されている部分にのみ薄膜１１が付着した状態となる。 〔図２（ｃ）に示す工程〕次に、薄膜１１が付着した母
材５、６から電子部品２を取り出す。これにより、電極
３やワイヤ４等が薄膜コーティングされた電子部品２が
完成する。
コーティングを行ないたい部分のみ薄膜１１が付着した
状態となり、上枠５及び下枠６においては、平坦化加工
されている部分にのみ薄膜１１が付着した状態となる。 〔図２（ｃ）に示す工程〕次に、薄膜１１が付着した母
材５、６から電子部品２を取り出す。これにより、電極
３やワイヤ４等が薄膜コーティングされた電子部品２が
完成する。
【００３２】そして、上枠５及び下枠６に付着した薄膜
１１を剥離させる。このとき、上述したように、薄膜１
１は、上枠５及び下枠６のうち平坦化加工を施した領域
にしか付着していないため、平坦化加工が成されていな
い場合と比べて容易に薄膜１１を剥離させることができ
る。図４（ａ）に、平坦化加工処理を行なった場合と行
なっていない場合における薄膜１１の剥離性の比較結果
を示す。なお、この図は、薄膜コーティング材料として
ポリパレキシレンを用い、母材５、６の材料としてＹＨ
７５（アルミニウム）を用いた場合の実験結果を示して
いる。また、図に示される剥離性の大小は、１ｃｍ角の
正方形の薄膜１１に対して１ｍｍ間隔で桝目状に切れ目
を入れ、所定の粘着テープで薄膜１１を剥離させるとい
う碁盤目試験を行ない、そのとき剥離した薄膜１１の割
合に応じて決定されている。
１１を剥離させる。このとき、上述したように、薄膜１
１は、上枠５及び下枠６のうち平坦化加工を施した領域
にしか付着していないため、平坦化加工が成されていな
い場合と比べて容易に薄膜１１を剥離させることができ
る。図４（ａ）に、平坦化加工処理を行なった場合と行
なっていない場合における薄膜１１の剥離性の比較結果
を示す。なお、この図は、薄膜コーティング材料として
ポリパレキシレンを用い、母材５、６の材料としてＹＨ
７５（アルミニウム）を用いた場合の実験結果を示して
いる。また、図に示される剥離性の大小は、１ｃｍ角の
正方形の薄膜１１に対して１ｍｍ間隔で桝目状に切れ目
を入れ、所定の粘着テープで薄膜１１を剥離させるとい
う碁盤目試験を行ない、そのとき剥離した薄膜１１の割
合に応じて決定されている。
【００３３】この図からも分かるように、上枠５及び下
枠６のうち薄膜１１が付着する領域を平坦化加工するこ
とによって、平坦化加工が成されていない場合と比べて
容易に薄膜１１を剥離させることができる。また、図４
（ｂ）に母材５、６の表面粗度と剥離性との関係を検査
した結果を示す。この図に示されるように、母材５、６
の表面粗度が１．６Ｒｚ未満となると、剥離性が増大し
はじめる。そして、表面粗度が０．６Ｒｚ以下となった
ときに、上記碁盤目試験の結果が１００％、つまり、１
ｍｍ角に切断された薄膜１１すべてが粘着テープによっ
て剥離された。
枠６のうち薄膜１１が付着する領域を平坦化加工するこ
とによって、平坦化加工が成されていない場合と比べて
容易に薄膜１１を剥離させることができる。また、図４
（ｂ）に母材５、６の表面粗度と剥離性との関係を検査
した結果を示す。この図に示されるように、母材５、６
の表面粗度が１．６Ｒｚ未満となると、剥離性が増大し
はじめる。そして、表面粗度が０．６Ｒｚ以下となった
ときに、上記碁盤目試験の結果が１００％、つまり、１
ｍｍ角に切断された薄膜１１すべてが粘着テープによっ
て剥離された。
【００３４】このように、母材５、６の表面を平坦化加
工することによって、母材５、６からの薄膜１１の剥離
を容易に行なえるようにできる。 （第３実施形態）第２実施形態では、母材５、６の表面
を研磨することによって平坦化加工した場合を示した
が、本実施形態では、母材５、６の表面をコーティング
材１２で被膜することにより、母材５、６の表面の平坦
化を行なう。なお、本実施形態では、この母材５、６の
表面の平坦化以外については、第２実施形態と同様であ
るため、ここでは、母材５、６の表面のコーティングに
ついてのみ説明する。
工することによって、母材５、６からの薄膜１１の剥離
を容易に行なえるようにできる。 （第３実施形態）第２実施形態では、母材５、６の表面
を研磨することによって平坦化加工した場合を示した
が、本実施形態では、母材５、６の表面をコーティング
材１２で被膜することにより、母材５、６の表面の平坦
化を行なう。なお、本実施形態では、この母材５、６の
表面の平坦化以外については、第２実施形態と同様であ
るため、ここでは、母材５、６の表面のコーティングに
ついてのみ説明する。
【００３５】図５に、コーティング材１２を被膜した母
材５、６の表面の拡大図を示す。この図に示されるよう
に、凹凸形状となっている母材５、６の表面を覆うよう
に、フッ素樹脂や無電解Ｎｉメッキによる薄膜のコーテ
ィングがなされている。本実施形態では、このコーティ
ング材１２の被膜によって、母材５、６の表面粗度は小
さくされており、例えば、０．６Ｒｚ以下とされてい
る。但し、コーティング材１２の表面粗度が、必ずしも
母材５、６の表面粗度よりもされている必要はない。つ
まり、コーティング材１２と薄膜１１（図１参照）との
接合強度が、母材５、６に直接薄膜１１をコーティング
した場合よりも小さくなっていれば、表面粗度が母材
５、６よりも粗いものをコーティング材１２として用い
てもよい。
材５、６の表面の拡大図を示す。この図に示されるよう
に、凹凸形状となっている母材５、６の表面を覆うよう
に、フッ素樹脂や無電解Ｎｉメッキによる薄膜のコーテ
ィングがなされている。本実施形態では、このコーティ
ング材１２の被膜によって、母材５、６の表面粗度は小
さくされており、例えば、０．６Ｒｚ以下とされてい
る。但し、コーティング材１２の表面粗度が、必ずしも
母材５、６の表面粗度よりもされている必要はない。つ
まり、コーティング材１２と薄膜１１（図１参照）との
接合強度が、母材５、６に直接薄膜１１をコーティング
した場合よりも小さくなっていれば、表面粗度が母材
５、６よりも粗いものをコーティング材１２として用い
てもよい。
【００３６】このように、母材５、６の表面をコーティ
ング材１２で被膜することにより、母材５、６に直接薄
膜１１をコーティングする場合よりも薄膜１１の接合強
度が弱くなるようにし、腐食防止のために実施する薄膜
コーティング時に母材５、６の表面に薄膜１１が付着し
ても、その薄膜１１が剥離しやすいようにできる。この
ときの母材５、６とコーティング材１２の組み合わせと
しては、例えば、母材５、６にＳ４５Ｃ（鉄）を使用す
る場合にはコーティング材１２として無電解Ｎｉメッ
キ、フッ素樹脂によるコーティングいずれでもよく、Ｓ
ＵＳ３０３やＹＨ７５（アルミニウム）を使用する場合
にはフッ素樹脂によるコーティングを行なうのが好まし
い。なお、必要に応じて、フッ素樹脂のコーティングの
前処理として、Ｃｒメッキ、金属溶射、アルマイト処理
を施すとよい。
ング材１２で被膜することにより、母材５、６に直接薄
膜１１をコーティングする場合よりも薄膜１１の接合強
度が弱くなるようにし、腐食防止のために実施する薄膜
コーティング時に母材５、６の表面に薄膜１１が付着し
ても、その薄膜１１が剥離しやすいようにできる。この
ときの母材５、６とコーティング材１２の組み合わせと
しては、例えば、母材５、６にＳ４５Ｃ（鉄）を使用す
る場合にはコーティング材１２として無電解Ｎｉメッ
キ、フッ素樹脂によるコーティングいずれでもよく、Ｓ
ＵＳ３０３やＹＨ７５（アルミニウム）を使用する場合
にはフッ素樹脂によるコーティングを行なうのが好まし
い。なお、必要に応じて、フッ素樹脂のコーティングの
前処理として、Ｃｒメッキ、金属溶射、アルマイト処理
を施すとよい。
【００３７】（他の実施形態）上記第２実施形態では、
薄膜コーティングにポリパラキシレンを用い、母材５、
６材料としてＹＨ７５（アルミニウム）を用いた場合に
おける表面粗度と剥離性との関係（図４参照）について
示したが、この関係は、各種材料によって多少変動する
ため、選択する材料に応じて母材５、６の表面粗度を設
定する必要がある。
薄膜コーティングにポリパラキシレンを用い、母材５、
６材料としてＹＨ７５（アルミニウム）を用いた場合に
おける表面粗度と剥離性との関係（図４参照）について
示したが、この関係は、各種材料によって多少変動する
ため、選択する材料に応じて母材５、６の表面粗度を設
定する必要がある。
【００３８】また、第１実施形態では、母材５、６の材
料として、薄膜コーティング時に薄膜１１が付着しにく
ものを選択した場合を例に挙げたが、このような材質の
場合でなくても本発明を適用することができる。また、
上記第２、第３実施形態では、母材５、６の表面のう
ち、薄膜コーティング時に薄膜１１が付着する部分につ
いて平坦化加工を施しているが、付着していない領域が
平坦化加工されていても構わない。
料として、薄膜コーティング時に薄膜１１が付着しにく
ものを選択した場合を例に挙げたが、このような材質の
場合でなくても本発明を適用することができる。また、
上記第２、第３実施形態では、母材５、６の表面のう
ち、薄膜コーティング時に薄膜１１が付着する部分につ
いて平坦化加工を施しているが、付着していない領域が
平坦化加工されていても構わない。
【図１】本発明の第１実施形態における半導体装置の製
造工程を示す図である。
造工程を示す図である。
【図２】本発明の第２実施形態における半導体装置の製
造工程を示す図である。
造工程を示す図である。
【図３】母材５、６の表面状態を説明するための図であ
る。
る。
【図４】（ａ）は母材５、６の表面を平坦化加工した場
合としていない場合における薄膜１１の剥離性を調べた
結果を示す図であり、（ｂ）は母材５、６の表面粗度と
剥離性との関係を示す図である。
合としていない場合における薄膜１１の剥離性を調べた
結果を示す図であり、（ｂ）は母材５、６の表面粗度と
剥離性との関係を示す図である。
【図５】第３実施形態における母材５、６の表面状態を
説明するための図である。
説明するための図である。
１…圧力センサ、２…電子部品、３…電極、４…ワイ
ヤ、５…上枠、６…下枠、７…パッキン、８…パッキ
ン、９…カバー、１１…薄膜、１２…コーティング材
料。
ヤ、５…上枠、６…下枠、７…パッキン、８…パッキ
ン、９…カバー、１１…薄膜、１２…コーティング材
料。
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 昭58−78470（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−350951（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−223670（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−37200（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−45978（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C23C 16/00
H01L 21/203
H01L 21/31
H01L 21/312
H01L 21/56
H01L 21/60
H01L 29/84
G01L 9/04
Claims (17)
- 【請求項１】 電子部品（２）を母材（５、６）で囲
み、該母材に形成された開口部（５ａ）を通じて薄膜コ
ーティングを施して、前記電子部品の所定部位に薄膜
（１１）をコーティングしたのち、前記電子部品を前記
母材から取り出し、さらに前記母材を用いて前記電子部
品とは異なる電子部品に対して前記薄膜コーティングを
順に行なう半導体装置の製造方法において、 前記電子部品を用意する工程と、 前記母材の前記開口部内に中空形状のパッキン（８）を
配置し、前記開口部の内周壁を覆う工程と、 前記パッキンの中空部を通じて該電子部品の所定部位が
露出するように、前記母材内に前記電子部品を配置する
工程と、 前記パッキンの中空部に対応する位置に窓部（９ｃ）が
備えられたカバー（９）にて、前記母材の表面を覆う工
程と、 前記中空部を通じて前記薄膜コーティングを施し、前記
電子部品の所定部位に薄膜コーティングを施す工程と、
を含んでいることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記窓部の外周全周を囲むように、前記
パッキンと前記カバーとが接触部位を有していることを
特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記パッキンを前記母材から突出するよ
うに構成し、 該パッキンの突出部分と対応するように、前記カバーに
段付き部を設け、該段付き部（９ｄ）によって前記窓部
を突出させ、 前記パッキンの突出部分と前記カバーの段付き部とが接
触するようにすることで、前記カバーのうち前記窓部の
外周全周を前記パッキンに接触させることを特徴とする
請求項２に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記段付き部は、前記窓部の開口端に近
づくほど突出量が小さくなるようにすることを特徴とす
る請求項３に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 前記カバーの材料は、前記母材よりも前
記薄膜コーティング材料が付着しやすい材質のもので構
成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれ
か１つに記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 前記カバーの材料として、ポリカーポネ
イト若しくはＡＳ樹脂を用いることを特徴とする請求項
１乃至５のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方
法。 - 【請求項７】 前記パッキンとして、前記薄膜コーティ
ング材料が該パッキンに付着したときに、該パッキンの
表面の凹み内に前記薄膜コーティング材料が吸収される
材質のものを用いることを特徴とする請求項１乃至５の
いずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項８】 電子部品（２）を母材（５、６）で囲
み、該母材に形成された開口部（５ａ）を通じて薄膜
（１１）のコーティングを施して、前記電子部品の所定
部位に薄膜コーティングを行なったのち、前記電子部品
を前記母材から取り出し、さらに前記薄膜コーティング
時に前記母材に付着した薄膜を該母材から剥離させたの
ち、該母材を用いて前記電子部品とは異なる電子部品に
対して前記薄膜コーティングを順に行なう半導体装置の
製造方法において、 前記母材として、前記薄膜コーティング時に前記薄膜が
付着する領域を、前記薄膜が付着しない領域よりも表面
粗度が低くなるようにし、該表面粗度の小さくされた母
材を用いて前記薄膜コーティングを行なうことを特徴と
することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項９】 前記母材の前記開口部内に中空形状のパ
ッキン（８）を配置して前記開口部の内周壁を覆い、該
パッキンの中空部を通じて前記電子部品への薄膜コーテ
ィングを行ない、前記母材のうち前記薄膜コーティング
時に前記薄膜が付着する領域は、前記パッキンに覆われ
る開口部の内周壁よりも表面粗度を低くすることを特徴
とする請求項８に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項１０】 電子部品（２）を母材（５、６）で囲
み、母材に形成された開口部（５ａ）を通じて薄膜（１
１）のコーティングを施して、前記電子部品の所定部位
に薄膜コーティングを行なったのち、前記電子部品を前
記母材から取り出し、さらに前記薄膜コーティング時に
前記母材に付着した薄膜を該母材から剥離させたのち、
該母材を用いて前記電子部品とは異なる電子部品に対し
て前記薄膜コーティングを順に行なう半導体装置の製造
方法において、 前記薄膜を前記母材に直接コーティングしたときの接合
強度よりも、前記薄膜をコーティングさせたときに接合
強度が低くなるコーティング材料で前記母材を被膜し、
このコーティング材料によって被膜された前記母材を用
いて前記薄膜コーティングを行なうことを特徴とする半
導体装置の製造方法。 - 【請求項１１】 前記母材の前記開口部内に中空形状の
パッキン（８）を配置して前記開口部の内周壁を覆い、
該パッキンの中空部を通じて前記電気部品への薄膜コー
ティングを行なうことを特徴とする請求項１０に記載の
半導体装置の製造方法。 - 【請求項１２】 前記接合強度を低くするためのコーテ
ィングは、無電解Ｎｉメッキ、フッ素系樹脂のコーティ
ングによって行なうことを特徴とする請求項１０乃至１
１のいずれか１つに記載の半導体装置の製造装置。 - 【請求項１３】 前記母材のうち前記薄膜コーティング
時に薄膜が付着する領域を表面粗度が１．６Ｒｚ以下と
することを特徴とする請求項７乃至１２のいずれか１つ
に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項１４】 前記母材のうち前記薄膜コーティング
時に薄膜が付着する領域を表面粗度が０．６Ｒｚ以下と
することを特徴とする請求項７乃至１３のいずれか１つ
に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項１５】 電子部品（２）を母材（５、６）で囲
み、母材に形成された開口部（５ａ）を通じて薄膜（１
１）のコーティングを施して、前記電子部品の所定部位
に薄膜コーティングを行なったのち、前記電子部品を前
記母材から取り出し、さらに前記薄膜コーティング時に
前記母材に付着した薄膜を該母材から剥離させたのち、
該母材を用いて前記電子部品とは異なる電子部品に対し
て前記薄膜コーティングを順に行なう半導体装置の製造
方法において、 前記母材の表面のうち、少なくとも前記薄膜コーティン
グ時にコーティング材料が付着する領域の表面粗度を
１．６Ｒｚ以下とし、該母材を用いて前記薄膜コーティ
ングを行なうことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項１６】 前記母材の材料として、Ｓ４５Ｃ、Ｓ
ＵＳ３０３、ＹＨ７５、ジュラコン、６ナイロン、ＭＣ
ナイロンのいずれかを用いることを特徴とする請求項１
乃至１５のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方
法。 - 【請求項１７】 前記電子部品には、半導体チップが搭
載されており、電子部品に備えられた電極と該センサチ
ップとがワイヤで電気的に接続されており、これら電極
及びワイヤを含む部位が前記パッキンの中空部を通じて
露出した状態とすることを特徴とする請求項１乃至１６
のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08978999A JP3367458B2 (ja) | 1999-03-30 | 1999-03-30 | 半導体装置の製造方法 |
| US09/538,491 US6300155B1 (en) | 1999-03-30 | 2000-03-30 | Method for producing semiconductor device by coating |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08978999A JP3367458B2 (ja) | 1999-03-30 | 1999-03-30 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000286285A JP2000286285A (ja) | 2000-10-13 |
| JP3367458B2 true JP3367458B2 (ja) | 2003-01-14 |
Family
ID=13980465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08978999A Expired - Fee Related JP3367458B2 (ja) | 1999-03-30 | 1999-03-30 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6300155B1 (ja) |
| JP (1) | JP3367458B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10137666A1 (de) * | 2001-08-01 | 2003-02-27 | Infineon Technologies Ag | Schutzvorrichtung für Baugruppen und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| US7304362B2 (en) * | 2002-05-20 | 2007-12-04 | Stmicroelectronics, Inc. | Molded integrated circuit package with exposed active area |
| JP2004309212A (ja) * | 2003-04-03 | 2004-11-04 | Denso Corp | 圧力センサ及び吸気系圧力測定装置 |
| US20040245589A1 (en) * | 2003-06-05 | 2004-12-09 | Jackson Hsieh | Substrate structure for a photosensitive chip package |
| US20040245590A1 (en) * | 2003-06-05 | 2004-12-09 | Jackson Hsieh | Image sensor package |
| ITMI20072099A1 (it) * | 2007-10-30 | 2009-04-30 | St Microelectronics Srl | Metodo di fabbricazione di un dispositivo elettronico comprendente dispositivi mems incapsulati per stampaggio |
| JP2017003511A (ja) * | 2015-06-15 | 2017-01-05 | 富士電機株式会社 | センサ装置およびその製造方法 |
| US10727170B2 (en) | 2015-09-01 | 2020-07-28 | Semiconductor Components Industries, Llc | Semiconductor devices and methods of making the same |
| CN106546363B (zh) * | 2016-09-29 | 2019-09-20 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 一种薄膜压力传感器及其封装方法 |
| DE102022206883A1 (de) | 2022-07-06 | 2024-01-11 | Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Sensorvorrichtung mit einem auf einer Leiterplatte angeordneten Drucksensor und einem Gehäuse sowie eine Baugruppe mit solch einer Sensorvorrichtung sowie ein Verfahren zur Herstellung solch einer Sensorvorrichtung |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5878470A (ja) * | 1981-11-04 | 1983-05-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体圧力検出装置 |
| JPS61287155A (ja) * | 1985-06-14 | 1986-12-17 | Hitachi Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| JPS6381964A (ja) * | 1986-09-26 | 1988-04-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 樹脂封止型半体装置用リ−ドフレ−ムの製造方法 |
| JPH02298077A (ja) * | 1989-05-12 | 1990-12-10 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体圧力センサの製造方法 |
| JP2772157B2 (ja) * | 1991-05-28 | 1998-07-02 | 三菱重工業株式会社 | 半導体装置の配線方法 |
| JPH05223670A (ja) * | 1992-02-17 | 1993-08-31 | Fujikura Ltd | 半導体圧力センサ |
| JP3557682B2 (ja) * | 1994-01-13 | 2004-08-25 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置の製造方法及びその装置、並びに液晶ディスプレイの製造方法 |
| US5674343A (en) * | 1994-04-19 | 1997-10-07 | Nitto Denko Corporation | Method for manufacturing a semiconductor |
| KR0136615B1 (ko) * | 1994-06-09 | 1998-09-15 | 김광호 | 반도체 패키지 코팅방법 |
| DE19730715C1 (de) * | 1996-11-12 | 1998-11-26 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zum Herstellen eines mikromechanischen Relais |
| JP3671563B2 (ja) * | 1996-12-09 | 2005-07-13 | 株式会社デンソー | モールドｉｃをケースに固定した構造の半導体装置 |
| US5948991A (en) | 1996-12-09 | 1999-09-07 | Denso Corporation | Semiconductor physical quantity sensor device having semiconductor sensor chip integrated with semiconductor circuit chip |
| US6025640A (en) * | 1997-07-16 | 2000-02-15 | Dai Nippon Insatsu Kabushiki Kaisha | Resin-sealed semiconductor device, circuit member for use therein and method of manufacturing resin-sealed semiconductor device |
-
1999
- 1999-03-30 JP JP08978999A patent/JP3367458B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-03-30 US US09/538,491 patent/US6300155B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6300155B1 (en) | 2001-10-09 |
| JP2000286285A (ja) | 2000-10-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3367458B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH11121518A (ja) | 半導体装置 | |
| US5608260A (en) | Leadframe having contact pads defined by a polymer insulating film | |
| JP4362163B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR19980081303A (ko) | 수지 성형 전자부품 및 그 제조방법 | |
| JP3621869B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP3832911B2 (ja) | Ｉｃパッケージ等に用いるベースの製法 | |
| JP2002339079A (ja) | めっき用ウェハ治具 | |
| JP3473978B2 (ja) | 金属部材のコイニング加工方法 | |
| JP2002343851A (ja) | めっき用ウェハ治具 | |
| JPS634945B2 (ja) | ||
| JP3058754B2 (ja) | リードフレームのめっき方法 | |
| JP2005191270A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP4011178B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、それに使用する樹脂基板及びテープ | |
| JPH11186467A (ja) | 半導体装置とそれを製造する際に用いるリードフレーム及びその製造方法 | |
| JPH0327523A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH08162583A (ja) | リードフレームの製造方法 | |
| JPS6394640A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JPH04179245A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH1161482A (ja) | 部分メッキ用マスク板 | |
| JPS6142157A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH08306744A (ja) | 電子部品 | |
| JPH0497524A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH09275176A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS6117146B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091108 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101108 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111108 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111108 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121108 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131108 Year of fee payment: 11 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |