JPS5878470A - 半導体圧力検出装置 - Google Patents
半導体圧力検出装置Info
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- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、半導体圧力検出装置に関するものである。
従来この種の装置として矛１図に示すものかあつた。図
において、（１）は中央部分の厚さが薄く形成されてい
るＮ形半導体基板、（２）はＮ形半導体基板１１１の面
上に複数個配設されたＰ形歪計素子、（３）はＰ形歪計
素子（２）とワイヤ（４１を接続する為の電極、＋５１
はＮ型半導体基板＋１１．Ｐ形歪計素子４２）の表面を
保護するＢｒ０ｔｔ ’ｔ ８１ｓＮｉなどの絶縁膜、
（６）はＮ形半導体基板（１）を支持台１７１１：接着
する接着剤、（８）は支持台（７）に設けられワイヤ（
４１が接続される端子、＋９）はワイヤ（４１及び端子
（８）を覆う保護用の樹脂膜で。
において、（１）は中央部分の厚さが薄く形成されてい
るＮ形半導体基板、（２）はＮ形半導体基板１１１の面
上に複数個配設されたＰ形歪計素子、（３）はＰ形歪計
素子（２）とワイヤ（４１を接続する為の電極、＋５１
はＮ型半導体基板＋１１．Ｐ形歪計素子４２）の表面を
保護するＢｒ０ｔｔ ’ｔ ８１ｓＮｉなどの絶縁膜、
（６）はＮ形半導体基板（１）を支持台１７１１：接着
する接着剤、（８）は支持台（７）に設けられワイヤ（
４１が接続される端子、＋９）はワイヤ（４１及び端子
（８）を覆う保護用の樹脂膜で。
例えば磁気泳動法によりコーティングされたアク脂、フ
ッ素、ゴム等である。
ッ素、ゴム等である。
この装置は印加された圧力に応じてＮ形半導体基板１１
）が歪み、これに伴ってＰ形歪計素子（２）の電気抵抗
の変化量を端子（８１を介して測定することにより印加
された圧力を検出することができる。この時、電極（３
）、ワイヤー（４Ｉ、端子＋５）の周辺に導電性物質が
充満するとリーク電流により、電気抵抗の特性に変動が
生じる。これを防止する為に、電極（３）、ワイヤー（
４１，端子（８）の表面及びＮ形半導体基板＋１１の端
面は樹脂膜（９）で覆っている。
）が歪み、これに伴ってＰ形歪計素子（２）の電気抵抗
の変化量を端子（８１を介して測定することにより印加
された圧力を検出することができる。この時、電極（３
）、ワイヤー（４Ｉ、端子＋５）の周辺に導電性物質が
充満するとリーク電流により、電気抵抗の特性に変動が
生じる。これを防止する為に、電極（３）、ワイヤー（
４１，端子（８）の表面及びＮ形半導体基板＋１１の端
面は樹脂膜（９）で覆っている。
しかし１面積の広いＮ型半導体基板＋１１の端面のピン
ホールを皆無にすることは極めて困難であり、従って電
極（３）、ワイヤー（４）および端子（８）を覆う樹脂
膜＋９１にピンホールが１ケでもあると、Ｎ形半導体基
板＋１１との間にリーク電流が流れ、特性変動が生じる
ので汚染に対する信頼性が低いという欠点があった。
ホールを皆無にすることは極めて困難であり、従って電
極（３）、ワイヤー（４）および端子（８）を覆う樹脂
膜＋９１にピンホールが１ケでもあると、Ｎ形半導体基
板＋１１との間にリーク電流が流れ、特性変動が生じる
ので汚染に対する信頼性が低いという欠点があった。
この発明は上記のような従来のものの欠点を除去するた
めになされたもので、Ｐ形歪計素子（２）が形成されて
いるＮ型半導体基板をＰ型半導体を介して支持台に支承
し、電気的に完全に分離せる構造とすることにより圧力
検出素子の側面を覆う樹脂膜を不要とするとともに電＄
１ｔ１３１．ワイヤー１４１及び端子（８）を覆う樹脂
膜にピンホールが生じてもリークの生じないようにした
ものである。
めになされたもので、Ｐ形歪計素子（２）が形成されて
いるＮ型半導体基板をＰ型半導体を介して支持台に支承
し、電気的に完全に分離せる構造とすることにより圧力
検出素子の側面を覆う樹脂膜を不要とするとともに電＄
１ｔ１３１．ワイヤー１４１及び端子（８）を覆う樹脂
膜にピンホールが生じてもリークの生じないようにした
ものである。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。牙２
図において、 （ＩＧは中央部が薄く形成されたＰ型半
導体基板、 （ｌａ）はその基板ＩＧ上に設けられた
Ｎ型半導体層、１υはＮ形半導体層（１ａ）に設けられ
、歪計素子（２）を囲み、Ｐ形半導体基板α１に達する
ように形成されたＰ形半導体拡散層である。
図において、 （ＩＧは中央部が薄く形成されたＰ型半
導体基板、 （ｌａ）はその基板ＩＧ上に設けられた
Ｎ型半導体層、１υはＮ形半導体層（１ａ）に設けられ
、歪計素子（２）を囲み、Ｐ形半導体基板α１に達する
ように形成されたＰ形半導体拡散層である。
このように構成された装置ではＰ形歪計素子（２）は、
Ｐ形歪計素子（２）とＮ形半導体層１１１よりなるＰＮ
接合と、Ｎ形半導体ＩＩＩ １１１とＰ形半導体基板１
１ＱよりなるＮＰ接合により、電気的に完全に分離され
ている。従って、電極１３）、ワイヤー１４１．端子１
８）の周辺に導電性物質が充満した場合、電位の異なる
電極１３）、ワイヤー（４；、端子１８）に同時にピン
ホールが発生しなければリーク電流は流れない。しかる
に２つのピンホールが発生する確率はＢｉｔで表わされ
、その発生する確率は非常に小さくなり、従来装置に比
べ汚染に対して信頼性の高い検出装置となる。
Ｐ形歪計素子（２）とＮ形半導体層１１１よりなるＰＮ
接合と、Ｎ形半導体ＩＩＩ １１１とＰ形半導体基板１
１ＱよりなるＮＰ接合により、電気的に完全に分離され
ている。従って、電極１３）、ワイヤー１４１．端子１
８）の周辺に導電性物質が充満した場合、電位の異なる
電極１３）、ワイヤー（４；、端子１８）に同時にピン
ホールが発生しなければリーク電流は流れない。しかる
に２つのピンホールが発生する確率はＢｉｔで表わされ
、その発生する確率は非常に小さくなり、従来装置に比
べ汚染に対して信頼性の高い検出装置となる。
なお上記実施例ではＰ型歪計素子（２）が設けられたＮ
形半導体層（ｌａ）の裏面全面がＰ形半導体基板四に接
したものを示したが、矛３図のようにＮ型半導体薄板（
１ｂ）で構成し、その裏面が絶縁膜（５）で覆われてい
る構成としてもよい。
形半導体層（ｌａ）の裏面全面がＰ形半導体基板四に接
したものを示したが、矛３図のようにＮ型半導体薄板（
１ｂ）で構成し、その裏面が絶縁膜（５）で覆われてい
る構成としてもよい。
父上記実施例は、何れもＰ形半導体基板四を用いた場合
を示したが、Ｎ形半導体基板を用いてもよく、この場合
は各半導体層のＰＮを反転すれば同様の効果が得られる
。
を示したが、Ｎ形半導体基板を用いてもよく、この場合
は各半導体層のＰＮを反転すれば同様の効果が得られる
。
この発明は、ダイヤフラムな形成する半導体層の面上に
形成された歪計素子を備えたもの、において、上記半導
体層を導電型の異なる半導体基板上に形成するとともに
、上記歪計素子が形成されている面域なとり囲み上記半
導体基板に達する当該基板と同じ同電型の環状の拡散層
と、上記歪計素子の電極、ワイヤおよび端子を覆う絶縁
樹脂反覆とを備えたことを特徴とするもので、歪計素子
（２）を゛電気的に完全に分離するとともに磁極（３１
、ワイヤー１４１．端子１５）を樹脂膜で被う構成とし
たので。
形成された歪計素子を備えたもの、において、上記半導
体層を導電型の異なる半導体基板上に形成するとともに
、上記歪計素子が形成されている面域なとり囲み上記半
導体基板に達する当該基板と同じ同電型の環状の拡散層
と、上記歪計素子の電極、ワイヤおよび端子を覆う絶縁
樹脂反覆とを備えたことを特徴とするもので、歪計素子
（２）を゛電気的に完全に分離するとともに磁極（３１
、ワイヤー１４１．端子１５）を樹脂膜で被う構成とし
たので。
汚染に対する信頼性の高い半導体圧力検出装置が得られ
る効果がある。
る効果がある。
矛１図は従来の半導体圧力検出装置を示す断面側面図、
矛２図はこの発明の一実施例の断面側面図１才３図はこ
の発明の他の実施例の断面側面図である。 図において、（１）はＮ形半導体基板、（２）は歪計素
子、１３）は電極、（４１はワイヤ、（５Ｉは絶縁膜、
（７）シま支持台、（８１は端子、（９Ｂは樹脂膜、四
シま半導体基板。 ＵυはＰ形半５導体拡散層である。 なお１図中同一符号はそれぞれ同一、父ｉｔ相当部分を
示すつ 代理人 葛野信− 第３図 手続補正書（自発） １、事件の表示 特願昭 ■−１ママ４１１１号
２、発明の名称 半導体圧力検出装置３、補正を
する者 代表者片山仁八部 ６、補正の対象 図面 ６、補正の内容 （１）図面の第１図を別紙複写図に未配したとおり訂正
する。 ７、添付書類の目録 （１）図面（第１図） １通以上
矛２図はこの発明の一実施例の断面側面図１才３図はこ
の発明の他の実施例の断面側面図である。 図において、（１）はＮ形半導体基板、（２）は歪計素
子、１３）は電極、（４１はワイヤ、（５Ｉは絶縁膜、
（７）シま支持台、（８１は端子、（９Ｂは樹脂膜、四
シま半導体基板。 ＵυはＰ形半５導体拡散層である。 なお１図中同一符号はそれぞれ同一、父ｉｔ相当部分を
示すつ 代理人 葛野信− 第３図 手続補正書（自発） １、事件の表示 特願昭 ■−１ママ４１１１号
２、発明の名称 半導体圧力検出装置３、補正を
する者 代表者片山仁八部 ６、補正の対象 図面 ６、補正の内容 （１）図面の第１図を別紙複写図に未配したとおり訂正
する。 ７、添付書類の目録 （１）図面（第１図） １通以上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＋１１ダイヤフラムな形成する半導体層の面上に形成さ
れた歪計素子を備えたものにおいて、上記半導体層を導
電型の異なる半導体基板上に形成するとともに、上記歪
計素子が形成されている面域なとり囲みかつ上記半導体
基板に達する当該基板と同じ導電型の環状の拡散層と、
上記歪計素子の電極、ワイヤおよび端子を覆う絶縁樹脂
反覆とを備えたことを特徴とする半導体圧力検出装置。 （２１ダイヤプラムを形成する部分の半導体基板をエツ
チングで除去するとともに、当該部分を覆う絶縁膜を備
えた特許請求の範囲才１項記載の半導体圧力検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56177415A JPS5878470A (ja) | 1981-11-04 | 1981-11-04 | 半導体圧力検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56177415A JPS5878470A (ja) | 1981-11-04 | 1981-11-04 | 半導体圧力検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5878470A true JPS5878470A (ja) | 1983-05-12 |
| JPH0158672B2 JPH0158672B2 (ja) | 1989-12-13 |
Family
ID=16030519
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56177415A Granted JPS5878470A (ja) | 1981-11-04 | 1981-11-04 | 半導体圧力検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5878470A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6261374A (ja) * | 1985-09-11 | 1987-03-18 | Nec Corp | シリコンダイアフラムの形成方法 |
| JPS6381867A (ja) * | 1986-09-25 | 1988-04-12 | Yokogawa Electric Corp | 半導体拡散ストレンゲ−ジ |
| JPH02116174A (ja) * | 1988-10-25 | 1990-04-27 | Nec Corp | 半導体圧力センサ |
| US5920106A (en) * | 1996-12-10 | 1999-07-06 | Denso Corporation | Semiconductor device and method for producing the same |
| JP2000286285A (ja) * | 1999-03-30 | 2000-10-13 | Denso Corp | 半導体装置の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5342579A (en) * | 1976-09-29 | 1978-04-18 | Nippon Denso Co Ltd | Pressure-electricity transducer and its production |
| JPS5696875A (en) * | 1979-12-29 | 1981-08-05 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor pressure sensing device and manufacture thereof |
-
1981
- 1981-11-04 JP JP56177415A patent/JPS5878470A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5342579A (en) * | 1976-09-29 | 1978-04-18 | Nippon Denso Co Ltd | Pressure-electricity transducer and its production |
| JPS5696875A (en) * | 1979-12-29 | 1981-08-05 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor pressure sensing device and manufacture thereof |
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|---|---|---|---|---|
| JPS6261374A (ja) * | 1985-09-11 | 1987-03-18 | Nec Corp | シリコンダイアフラムの形成方法 |
| JPS6381867A (ja) * | 1986-09-25 | 1988-04-12 | Yokogawa Electric Corp | 半導体拡散ストレンゲ−ジ |
| JPH02116174A (ja) * | 1988-10-25 | 1990-04-27 | Nec Corp | 半導体圧力センサ |
| US5920106A (en) * | 1996-12-10 | 1999-07-06 | Denso Corporation | Semiconductor device and method for producing the same |
| JP2000286285A (ja) * | 1999-03-30 | 2000-10-13 | Denso Corp | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0158672B2 (ja) | 1989-12-13 |
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