JPS5878471A - 半導体圧力検出装置 - Google Patents
半導体圧力検出装置Info
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- JPS5878471A JPS5878471A JP17741681A JP17741681A JPS5878471A JP S5878471 A JPS5878471 A JP S5878471A JP 17741681 A JP17741681 A JP 17741681A JP 17741681 A JP17741681 A JP 17741681A JP S5878471 A JPS5878471 A JP S5878471A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 63
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 33
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 9
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/84—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by variation of applied mechanical force, e.g. of pressure
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、半導体圧力検出装置に関するものである。
従来この樵の装置として第１図に示すものがあった。図
において、（１）Ｉ／ｉＮ型半尋休基板体（２）はこの
Ｎ型半導体基板（２）に形成された歪計素子、（３）は
歪計素子（２）とワイヤー（４）を接続する為に設けら
れた電極、（５）はＮ型半導体基板（１）及び歪計素子
（２）の表面を保線する絶縁膜例えば８１０＊ 、 ８
１ｓＮ＜で、Ｎ型半導体基板（１）は接着剤例えばＡｕ
８１ 、 Ａｕ８！、ガラス（６）で台座（７）に接着
されている。
において、（１）Ｉ／ｉＮ型半尋休基板体（２）はこの
Ｎ型半導体基板（２）に形成された歪計素子、（３）は
歪計素子（２）とワイヤー（４）を接続する為に設けら
れた電極、（５）はＮ型半導体基板（１）及び歪計素子
（２）の表面を保線する絶縁膜例えば８１０＊ 、 ８
１ｓＮ＜で、Ｎ型半導体基板（１）は接着剤例えばＡｕ
８１ 、 Ａｕ８！、ガラス（６）で台座（７）に接着
されている。
この半導体圧力検出装置は、印加された圧力によって中
央部分に形成されたダイヤプラム部分が変位し、これに
伴って歪計素子（匂に生じる電気抵抗の変化をワイヤー
（４）を介して外部より測定することにより印加された
圧力を検出する。
央部分に形成されたダイヤプラム部分が変位し、これに
伴って歪計素子（匂に生じる電気抵抗の変化をワイヤー
（４）を介して外部より測定することにより印加された
圧力を検出する。
従来の半導体圧力検出装置は以上のように構成されてい
るので、Ｎ型半導体基板（１）の電位が変化して、Ｐ形
歪針素子（匂とで形成するＰＭ接合が順バイアスされた
場合に半導体圧力検出装置の動作が不安定になることを
避ける為には接着剤（６）にガラスなどの絶縁物を使用
しなければならなかった。
るので、Ｎ型半導体基板（１）の電位が変化して、Ｐ形
歪針素子（匂とで形成するＰＭ接合が順バイアスされた
場合に半導体圧力検出装置の動作が不安定になることを
避ける為には接着剤（６）にガラスなどの絶縁物を使用
しなければならなかった。
しかし接着剤（６）Ｋガラスを使用すると接着温度が高
い為に残留応力が大きくなるという欠点があつ−た。又
一方接着剤（６）にＡｕ８１ 、 Ａｕ８ｎを使用して
残留応力を小さくした場合、半導体圧力検出装置の動作
が不安定にならないようにＮ型半導体基板（１）の電位
に十分な注意を払う必要があった。
い為に残留応力が大きくなるという欠点があつ−た。又
一方接着剤（６）にＡｕ８１ 、 Ａｕ８ｎを使用して
残留応力を小さくした場合、半導体圧力検出装置の動作
が不安定にならないようにＮ型半導体基板（１）の電位
に十分な注意を払う必要があった。
この発明は上記従来の欠点を除去する為になされたもの
で、歪計素子（２）を形成した半導体基板を分 異なる導電型の半導体層で台座より電気的に看敵する構
成としたものである。
で、歪計素子（２）を形成した半導体基板を分 異なる導電型の半導体層で台座より電気的に看敵する構
成としたものである。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第２
図において、（１１Ｌ）はＰ型半導体基板（８）の面上
に設けられたＮ型半導体層、（９） ｉ Ｎ型半導体層
（１ａ）に設けられた歪計素子（２）をとり囲みかつＰ
型半導体基板（８）に達するように形成されｆｃ項環状
Ｐ型半導体拡散層である。
図において、（１１Ｌ）はＰ型半導体基板（８）の面上
に設けられたＮ型半導体層、（９） ｉ Ｎ型半導体層
（１ａ）に設けられた歪計素子（２）をとり囲みかつＰ
型半導体基板（８）に達するように形成されｆｃ項環状
Ｐ型半導体拡散層である。
このように構成された装置でＦｉＰ型半導体基板（８）
の電位が歪計素子（２）の電位より低い場合は歪計素子
（２）はＰ型半導体基板（８）および、Ｐ型拡散層（９
）とＮ型半導体層（ｌａ）’よりなるＰＮ接合で電気的
に分離される。またＰ型半導体基板（８）の電位が歪計
素子（２）の電位より高い場合は歪計素子（２）とＮ型
半導体層（１ａ）よりなるＰＮ接合で電気的に分離され
るので、Ｐ型半導体基板（８）の電位の影響會受けるこ
とはない。更にＰＮ！合の表面はいずれも絶縁膜（５）
で被われており、非常に安定しているので完全な、電気
的分離が得られ、る。
の電位が歪計素子（２）の電位より低い場合は歪計素子
（２）はＰ型半導体基板（８）および、Ｐ型拡散層（９
）とＮ型半導体層（ｌａ）’よりなるＰＮ接合で電気的
に分離される。またＰ型半導体基板（８）の電位が歪計
素子（２）の電位より高い場合は歪計素子（２）とＮ型
半導体層（１ａ）よりなるＰＮ接合で電気的に分離され
るので、Ｐ型半導体基板（８）の電位の影響會受けるこ
とはない。更にＰＮ！合の表面はいずれも絶縁膜（５）
で被われており、非常に安定しているので完全な、電気
的分離が得られ、る。
上記実施例では歪計、素子（２）が設けられたＮ型半導
体層（１ａ）の裏面全面がＰ型半導体基板（８）に接し
たものを示したが、第３図に示すようＫＮ型半導体層（
１ａ）のダイヤフラムを形成する部分のＰ型半導体基板
（８）を除去し、このＰＮ接合部分を絶縁膜（５）で被
゛う構成としてもよい。
体層（１ａ）の裏面全面がＰ型半導体基板（８）に接し
たものを示したが、第３図に示すようＫＮ型半導体層（
１ａ）のダイヤフラムを形成する部分のＰ型半導体基板
（８）を除去し、このＰＮ接合部分を絶縁膜（５）で被
゛う構成としてもよい。
なお上記実施例ｌｌ１ｐ型半導体基板を用いた場合につ
いて示したが、Ｎ型半導体基板を用いた場合にも各半導
体層の導電型を反転することにより同様に構成しうるこ
とはいうまでもない。
いて示したが、Ｎ型半導体基板を用いた場合にも各半導
体層の導電型を反転することにより同様に構成しうるこ
とはいうまでもない。
この発明はダイヤフラムを形成する半導体層の面上に形
成された歪計素子を備えたものにおいて、上記半導体層
を導電型の異なる半導体基板上に形成するとともに、上
記歪計素子が形成されている面域をとり囲み、かつ上記
半導体基板に達する当該基板と同じ導電型の環状の拡散
層を圃えたことを特徴とするもので、基板の電位にかか
わりなく安定Ｋ１１Ｊ炸する半導体圧力検出装置とする
ことができる。 。
成された歪計素子を備えたものにおいて、上記半導体層
を導電型の異なる半導体基板上に形成するとともに、上
記歪計素子が形成されている面域をとり囲み、かつ上記
半導体基板に達する当該基板と同じ導電型の環状の拡散
層を圃えたことを特徴とするもので、基板の電位にかか
わりなく安定Ｋ１１Ｊ炸する半導体圧力検出装置とする
ことができる。 。
第１図は従来の半導体圧力検出装置の断面図、第２図は
この発明の一実施例の断面図、％３図はこの発明の他の
実施例の断面図である。 図において、（１）ｔｌ′ｉＮ型半導体基板、（１ａ）
＃ｉＮ 型半導体層、（２）は歪計素子、（３）は電極
、（４）はワイヤ、（５）は絶縁膜、（ηは台座、（８
） ＃−１Ｐ型半導体基板、（９）は環状のＰ型拡散層
である。 なお、図中同一符号はそれぞれ同−又は相当部分を示す
。
この発明の一実施例の断面図、％３図はこの発明の他の
実施例の断面図である。 図において、（１）ｔｌ′ｉＮ型半導体基板、（１ａ）
＃ｉＮ 型半導体層、（２）は歪計素子、（３）は電極
、（４）はワイヤ、（５）は絶縁膜、（ηは台座、（８
） ＃−１Ｐ型半導体基板、（９）は環状のＰ型拡散層
である。 なお、図中同一符号はそれぞれ同−又は相当部分を示す
。
Claims (1)
- （１）ダイヤフラムを形成する半導体層の面上に形成さ
れた歪計素子を備えたものにおいて、上記半導体層を導
電型の異なる半導体基板上に形成するとともに、上記歪
計素子が形成されている面域をきり囲み、かつ上記半導
体基板に達する尚該基ｉと同じ導電型の環状の拡散層を
備えたことを特徴とする半導体圧力検出装置。 （２３中央部を薄く形成した半導体基板の面上に導電型
の異なる半導体層を形成し、この半導体層の面上に歪計
素子を形成せる構成とした特許請求の範囲第１項記載の
半導体圧力検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17741681A JPS5878471A (ja) | 1981-11-04 | 1981-11-04 | 半導体圧力検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17741681A JPS5878471A (ja) | 1981-11-04 | 1981-11-04 | 半導体圧力検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5878471A true JPS5878471A (ja) | 1983-05-12 |
Family
ID=16030536
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17741681A Pending JPS5878471A (ja) | 1981-11-04 | 1981-11-04 | 半導体圧力検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5878471A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4849050A (en) * | 1986-12-13 | 1989-07-18 | Spectrol Reliance Limited | Method of producing a diaphragm on a substrate |
| JPH02209775A (ja) * | 1989-02-09 | 1990-08-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体圧力センサー |
| US5920106A (en) * | 1996-12-10 | 1999-07-06 | Denso Corporation | Semiconductor device and method for producing the same |
| WO2000037912A1 (en) * | 1998-12-18 | 2000-06-29 | Maxim Integrated Products, Inc. | Compensated semiconductor pressure sensor |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5342579A (en) * | 1976-09-29 | 1978-04-18 | Nippon Denso Co Ltd | Pressure-electricity transducer and its production |
-
1981
- 1981-11-04 JP JP17741681A patent/JPS5878471A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5342579A (en) * | 1976-09-29 | 1978-04-18 | Nippon Denso Co Ltd | Pressure-electricity transducer and its production |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4849050A (en) * | 1986-12-13 | 1989-07-18 | Spectrol Reliance Limited | Method of producing a diaphragm on a substrate |
| JPH02209775A (ja) * | 1989-02-09 | 1990-08-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体圧力センサー |
| US5920106A (en) * | 1996-12-10 | 1999-07-06 | Denso Corporation | Semiconductor device and method for producing the same |
| WO2000037912A1 (en) * | 1998-12-18 | 2000-06-29 | Maxim Integrated Products, Inc. | Compensated semiconductor pressure sensor |
| US6229190B1 (en) | 1998-12-18 | 2001-05-08 | Maxim Integrated Products, Inc. | Compensated semiconductor pressure sensor |
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