JPS62145130A - 半導体圧力センサ - Google Patents
半導体圧力センサInfo
- Publication number
- JPS62145130A JPS62145130A JP28693985A JP28693985A JPS62145130A JP S62145130 A JPS62145130 A JP S62145130A JP 28693985 A JP28693985 A JP 28693985A JP 28693985 A JP28693985 A JP 28693985A JP S62145130 A JPS62145130 A JP S62145130A
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- JP
- Japan
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- pressure
- diaphragm
- pressure sensor
- cap
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、ピエゾ抵抗効果を利用して圧力を検出する半
導体圧力センサに係わり、特にダイアフラムの保護およ
び電気信号の安定化を図った半導体圧力センサに関する
。
導体圧力センサに係わり、特にダイアフラムの保護およ
び電気信号の安定化を図った半導体圧力センサに関する
。
半導体圧力センサは、シリコン等の半導体装置成された
ダイアフラムの表面側周辺部に拡散抵抗による感圧抵抗
部が形成され、この拡散抵抗のひずみによる抵抗変化、
すなわちピエゾ抵抗効果を利用して圧力を電気信号に変
換して出力するものである。
ダイアフラムの表面側周辺部に拡散抵抗による感圧抵抗
部が形成され、この拡散抵抗のひずみによる抵抗変化、
すなわちピエゾ抵抗効果を利用して圧力を電気信号に変
換して出力するものである。
第3図は上記半導体圧力センサの断面図であって、凹状
に形成された外体1の中央部分に挿通された圧力導入路
2を持ったT字状負圧導入体3の上部に、該圧力導入路
2と連通ずる圧力導入路4を形成した基体5が前記外体
1の内壁面と所定の隙間を有して載置固定され、さらに
この基体5の前面側には断面逆凹字状部に形成され、そ
の中央部分の薄肉部分をダイアフラム6として構成し、
かつこのダイアフラム6の裏側の空間部分を負圧側室7
として構成した圧力センサ本体部8が設けられている。
に形成された外体1の中央部分に挿通された圧力導入路
2を持ったT字状負圧導入体3の上部に、該圧力導入路
2と連通ずる圧力導入路4を形成した基体5が前記外体
1の内壁面と所定の隙間を有して載置固定され、さらに
この基体5の前面側には断面逆凹字状部に形成され、そ
の中央部分の薄肉部分をダイアフラム6として構成し、
かつこのダイアフラム6の裏側の空間部分を負圧側室7
として構成した圧力センサ本体部8が設けられている。
9は圧力センサ本体部8の前面側に拡散抵抗層を施して
ピエゾ抵抗効果を利用して圧力を検出する感圧抵抗部で
あって、この感圧抵抗部9の圧力検出信号出力端はアル
ミニューム等の信号取出し用リードワイヤー10を介し
て外体1の外周部に挿通されたリードビン11に接続さ
れている。さらに、外体1前而および圧カセンサ本体部
8前面は所定の空間をもった高圧側室12を形成するよ
うにキャップ13が被せられている。
ピエゾ抵抗効果を利用して圧力を検出する感圧抵抗部で
あって、この感圧抵抗部9の圧力検出信号出力端はアル
ミニューム等の信号取出し用リードワイヤー10を介し
て外体1の外周部に挿通されたリードビン11に接続さ
れている。さらに、外体1前而および圧カセンサ本体部
8前面は所定の空間をもった高圧側室12を形成するよ
うにキャップ13が被せられている。
14は正圧力導入口である。
ところで、以上のような半導体圧力センサは、シリコン
等の半導体の持つ脆い性質のために、圧力が急激に変化
して弾性限界を越えるとダイアフラム6が破損してしま
う。
等の半導体の持つ脆い性質のために、圧力が急激に変化
して弾性限界を越えるとダイアフラム6が破損してしま
う。
そこで、従来の半導体圧力センサにおいては、前記キャ
ップ13の内側面部に前記ダイアフラム6と向き合うよ
うにバックアッププレート15が取り付けられ、負圧に
よるダイアフラム6の変位量を制限するように構成して
いる。従来、このような構成とすることにより、負圧が
測定許容以上の圧力になったとき、ダイアフラム6が上
方にたわんでバックアッププレート15に接地し、破損
変位愚に達する前にダイアフラム6のたわみが止まり、
過大圧力のときでも安定に差圧を測定できると考えられ
ていた。
ップ13の内側面部に前記ダイアフラム6と向き合うよ
うにバックアッププレート15が取り付けられ、負圧に
よるダイアフラム6の変位量を制限するように構成して
いる。従来、このような構成とすることにより、負圧が
測定許容以上の圧力になったとき、ダイアフラム6が上
方にたわんでバックアッププレート15に接地し、破損
変位愚に達する前にダイアフラム6のたわみが止まり、
過大圧力のときでも安定に差圧を測定できると考えられ
ていた。
しかし、上記バックアッププレート15は、ダイアフラ
ム6のふくらみ具合等を考慮する必要があるために形状
が複雑で製造コストが高くなり、かつその位置設定が非
常に難しいために過大圧力によるダイアフラム6の破損
保護には十分なものではなかった。また、感圧抵抗部9
の上部側に導電性のバックアッププレート15を設けた
ことにより、ダイアフラム6の電位とバックアッププレ
ート15の電位(通常零ボルト)が圧力印加時もしくは
動作時に絶えず異なってくるので、ダイアフラム6の上
部表面に形成された感圧抵抗部9および前記機能回路に
影響を与えて静電誤差を生じる問題がある。また、ダイ
アフラム6の電位とバックアッププレート15の電位が
異なると、高圧側室12内に満たされるシリコンオイル
内の不純物イオンや半導体中に捕獲されているイオンが
活性化し、PN接合部や圧力センサ本体部8表面の伝導
率が変化する原因となり、動作が不安定になって信頼性
に欠ける問題がある。
ム6のふくらみ具合等を考慮する必要があるために形状
が複雑で製造コストが高くなり、かつその位置設定が非
常に難しいために過大圧力によるダイアフラム6の破損
保護には十分なものではなかった。また、感圧抵抗部9
の上部側に導電性のバックアッププレート15を設けた
ことにより、ダイアフラム6の電位とバックアッププレ
ート15の電位(通常零ボルト)が圧力印加時もしくは
動作時に絶えず異なってくるので、ダイアフラム6の上
部表面に形成された感圧抵抗部9および前記機能回路に
影響を与えて静電誤差を生じる問題がある。また、ダイ
アフラム6の電位とバックアッププレート15の電位が
異なると、高圧側室12内に満たされるシリコンオイル
内の不純物イオンや半導体中に捕獲されているイオンが
活性化し、PN接合部や圧力センサ本体部8表面の伝導
率が変化する原因となり、動作が不安定になって信頼性
に欠ける問題がある。
本発明は上記実情に鑑みてなされたもので、構造簡単に
して過大圧力に対し変位量を確実に制限してダイアフラ
ムの破損を防止し得るとともに、感圧抵抗部その他の機
能回路が外部電磁場の影響を受けずに長期にわたって安
定に動作し得る半導体圧力センサを提供することにある
。
して過大圧力に対し変位量を確実に制限してダイアフラ
ムの破損を防止し得るとともに、感圧抵抗部その他の機
能回路が外部電磁場の影響を受けずに長期にわたって安
定に動作し得る半導体圧力センサを提供することにある
。
本発明は、裏側を所定の深さにくり抜いてダイアフラム
として構成された圧力センサ本体部を、前記ダイアフラ
ムに相当する部分を除いて圧力導入路を持った導電性材
料の基体と導電性材料のキャップとで挟み込むように接
合することにより、過大な正圧および負圧によるダイア
フラムの変位向を前記基体およびキャップ自体で制限す
るとともに、前記基体、キャップと前記ダイアフラムを
同電位となるように構成した半導体圧力センサである。
として構成された圧力センサ本体部を、前記ダイアフラ
ムに相当する部分を除いて圧力導入路を持った導電性材
料の基体と導電性材料のキャップとで挟み込むように接
合することにより、過大な正圧および負圧によるダイア
フラムの変位向を前記基体およびキャップ自体で制限す
るとともに、前記基体、キャップと前記ダイアフラムを
同電位となるように構成した半導体圧力センサである。
以下、本発明の一実施例について第1図および第2図を
参照して説明する。第1図は本発明半導体圧力センサの
断面図であって、20はN型でかつ(100)面を持つ
単結晶シリコンウェー八を用いて構成された圧力センサ
本体部である。この圧力センサ本体部20はその裏面側
がエツチングもしくは機械的手段により所定深さで円形
状もしくは矩形状にくり汰かれ、これによりその円形も
しくは矩形部分の薄肉ダイアフラム21とそれ以外の部
分である厚肉の周縁部22とで構成されている。前記ダ
イアフラム21の上側周辺部にはP型拡散抵抗のひずみ
による抵抗変化、すなわちピエゾ抵抗効果を利用して圧
力を検出して電気信号に変換する感圧抵抗部23が設け
られ、ざらに厚肉の周縁部22には機能回路等のパター
ンが形成されている。
参照して説明する。第1図は本発明半導体圧力センサの
断面図であって、20はN型でかつ(100)面を持つ
単結晶シリコンウェー八を用いて構成された圧力センサ
本体部である。この圧力センサ本体部20はその裏面側
がエツチングもしくは機械的手段により所定深さで円形
状もしくは矩形状にくり汰かれ、これによりその円形も
しくは矩形部分の薄肉ダイアフラム21とそれ以外の部
分である厚肉の周縁部22とで構成されている。前記ダ
イアフラム21の上側周辺部にはP型拡散抵抗のひずみ
による抵抗変化、すなわちピエゾ抵抗効果を利用して圧
力を検出して電気信号に変換する感圧抵抗部23が設け
られ、ざらに厚肉の周縁部22には機能回路等のパター
ンが形成されている。
ざらに、前記圧力センサ本体部20を挟み込むように、
そのセンサ本体部20の裏面側に基体24が接着層25
により接合され、またセンサ本体部20の上側にキャッ
プ26が同じく接着層27により接合されている。接着
層25は例えばAu−8u半田法、接着層27は例えば
A1とSiの合金法等を用いて形成されている。
そのセンサ本体部20の裏面側に基体24が接着層25
により接合され、またセンサ本体部20の上側にキャッ
プ26が同じく接着層27により接合されている。接着
層25は例えばAu−8u半田法、接着層27は例えば
A1とSiの合金法等を用いて形成されている。
前記基体24は、前記圧力センサ本体部20と同一もし
くはそれに近い導電性材料を用いて前記センサ本体部2
0と導通して同電位となるように構成され、その形状は
内部に負圧力導入路28が形成され、また前記ダイアフ
ラム21に相当する位置にダイアフラム16のくり扱き
深さによりも低く、かつ幅を小さくした凸状部29が形
成されている。このような構造とすることにより、正側
圧力によりたわむダイアフラム21の変位量を所定の変
位量となるように制限し、また負側の油滑を調整する機
能を持っている。
くはそれに近い導電性材料を用いて前記センサ本体部2
0と導通して同電位となるように構成され、その形状は
内部に負圧力導入路28が形成され、また前記ダイアフ
ラム21に相当する位置にダイアフラム16のくり扱き
深さによりも低く、かつ幅を小さくした凸状部29が形
成されている。このような構造とすることにより、正側
圧力によりたわむダイアフラム21の変位量を所定の変
位量となるように制限し、また負側の油滑を調整する機
能を持っている。
一方、前記キャップ26は、前記圧力センサ本体部20
と同一もしくはそれに近い導電性材料を用いて前記セン
サ本体部20と導通して同電位となるように構成され、
その形状は内部に正圧力導入路30が形成され、また前
記ダイアフラム21に相当する位置にダイアフラム16
および前記機能回路と設置しないようにエツチング等に
より凹状部31が形成されている。この凹状部31の深
さすなわちエツチング量は負側圧力に対してダイアフラ
ム21の変位量を所定の変位量に制限する機能を持って
いる。
と同一もしくはそれに近い導電性材料を用いて前記セン
サ本体部20と導通して同電位となるように構成され、
その形状は内部に正圧力導入路30が形成され、また前
記ダイアフラム21に相当する位置にダイアフラム16
および前記機能回路と設置しないようにエツチング等に
より凹状部31が形成されている。この凹状部31の深
さすなわちエツチング量は負側圧力に対してダイアフラ
ム21の変位量を所定の変位量に制限する機能を持って
いる。
次に、第2図は、圧力センタ本体部20への基体24お
よびキャップ26の接合部分を拡大して示した図である
。同図中41は高濃度P層、42は感圧素子23等の表
面を覆うように施された絶縁層、43は電極取出し部を
示す。
よびキャップ26の接合部分を拡大して示した図である
。同図中41は高濃度P層、42は感圧素子23等の表
面を覆うように施された絶縁層、43は電極取出し部を
示す。
従って、以上のような構成によれば、正側圧力が測定許
容範囲以上に上昇すると、圧力センサ本体部20のダイ
アフラム21の中央部分が下方にたわんで基体24の凸
状部29の面部に触れる。
容範囲以上に上昇すると、圧力センサ本体部20のダイ
アフラム21の中央部分が下方にたわんで基体24の凸
状部29の面部に触れる。
さらに、圧力が上昇すると、ダイアフラム21のたわみ
が増加するが、凸状部29に触れ始めた以降に凸状部2
9に阻止されてそれ以上たわまない。
が増加するが、凸状部29に触れ始めた以降に凸状部2
9に阻止されてそれ以上たわまない。
よって、ダイアフラム21の周辺部に発生する応力はダ
イアフラム21が凸状部29に接触し始めた時点から飽
和し始め、ダイアフラム21の破損する限界が上昇する
。
イアフラム21が凸状部29に接触し始めた時点から飽
和し始め、ダイアフラム21の破損する限界が上昇する
。
逆に、負側の圧力のときも測定許容範囲以上になると、
ダイアフラム21が前記キャップ26の凹状部31の面
部に接触し、ダイアフラム21の変位量が所定の変位量
となるように制限され、これによりダイアフラム21が
破損からまぬがれる。
ダイアフラム21が前記キャップ26の凹状部31の面
部に接触し、ダイアフラム21の変位量が所定の変位量
となるように制限され、これによりダイアフラム21が
破損からまぬがれる。
しかも、ダイアフラム21を持った圧力センサ本体部2
0が導電性材料の基体23およびキャップ25によりサ
ンドインチする構造としたので、従来不可能とされてい
た差圧計であっても簡単な対称構造物として実現するこ
とができ、キャップ26の形状を変えることにより例え
ば絶対圧計としても使用可能であり、応用範囲の広いも
のが実 ・現できる。また、接着層25および27は合
金法やハンダ法により圧力センサ本体部20のn型基板
と電気的に接続されており、かつ基体24およびキャッ
プ26が圧力センサ本体部20と同一もしくはそれに近
い導電性材料で形成されているので、圧力センサ本体部
20の電位が基体24およびキャップ26にそのまま与
えることができ、その結果、圧力を検出する拡散抵抗層
の感圧抵抗部23や温度静圧等を感じるその他の機能回
路は電気的にシールドされ、外界からの1!磁場等の影
響を受けることがなく、長期間にわたって動作の安定を
確保できる。また、圧力センサ本体部20は、シリコン
オイル等によって封入する際、基体24の凸状部29や
キャップ26の凹状部31の形状により、正側および負
側の圧力媒体(シリコンオイル)の油層調整を行うこと
ができ、とりわけ初期ドリフトの原因となる油量を極力
少なくすることができる。
0が導電性材料の基体23およびキャップ25によりサ
ンドインチする構造としたので、従来不可能とされてい
た差圧計であっても簡単な対称構造物として実現するこ
とができ、キャップ26の形状を変えることにより例え
ば絶対圧計としても使用可能であり、応用範囲の広いも
のが実 ・現できる。また、接着層25および27は合
金法やハンダ法により圧力センサ本体部20のn型基板
と電気的に接続されており、かつ基体24およびキャッ
プ26が圧力センサ本体部20と同一もしくはそれに近
い導電性材料で形成されているので、圧力センサ本体部
20の電位が基体24およびキャップ26にそのまま与
えることができ、その結果、圧力を検出する拡散抵抗層
の感圧抵抗部23や温度静圧等を感じるその他の機能回
路は電気的にシールドされ、外界からの1!磁場等の影
響を受けることがなく、長期間にわたって動作の安定を
確保できる。また、圧力センサ本体部20は、シリコン
オイル等によって封入する際、基体24の凸状部29や
キャップ26の凹状部31の形状により、正側および負
側の圧力媒体(シリコンオイル)の油層調整を行うこと
ができ、とりわけ初期ドリフトの原因となる油量を極力
少なくすることができる。
なお、上記実施例は、差圧力計として説明したが、キャ
ップ26の形状を変えることにより、絶対圧針としても
利用できるものである。また、キャップ26の形状を変
えることにより、センサ本体部20とハーメチック化し
ないで一方向もしくは2方向を接着しなくても、同様な
効果が得られる。但し、このときは従来のように圧力室
と電気導入室が形成されることになる。その他、本発明
はその要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施できる
。
ップ26の形状を変えることにより、絶対圧針としても
利用できるものである。また、キャップ26の形状を変
えることにより、センサ本体部20とハーメチック化し
ないで一方向もしくは2方向を接着しなくても、同様な
効果が得られる。但し、このときは従来のように圧力室
と電気導入室が形成されることになる。その他、本発明
はその要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施できる
。
(発明の効果)
以上詳記したように本発明によれば、圧力センサ本体部
を導電性材料の基体およびキャップによりサンドイッチ
状としたので、基体およびキャップで圧力によるダイア
フラムの変位口を所定の変位長に確実に制限できてダイ
アフラムの破損を防止し得、基体およびキャップが圧力
センサ本体部と同電位となっているので、電気的シール
ド機能により感圧抵抗部等が長期間にわたって安定に動
作し得る半導体圧力センサを提供できる。
を導電性材料の基体およびキャップによりサンドイッチ
状としたので、基体およびキャップで圧力によるダイア
フラムの変位口を所定の変位長に確実に制限できてダイ
アフラムの破損を防止し得、基体およびキャップが圧力
センサ本体部と同電位となっているので、電気的シール
ド機能により感圧抵抗部等が長期間にわたって安定に動
作し得る半導体圧力センサを提供できる。
第1図および第2図は本発明の一実施例を説明するため
に示したもので、第1図は半導体圧力センサの断面図、
第2図は圧力センサ本体部に対する基体とキャップの接
合部分の拡大図、第3図は従来の半導体圧力センサの断
面図である。 20・・・圧力センサ本体部、21・・・ダイアフラム
、23・・・感圧抵抗部、24・・・基体、25.27
・・・接着層、26・・・キャップ、29・・・凸状部
、31・・・凹状部。 JE−を 第1図 第2図 ヱ氏 暴 第3図
に示したもので、第1図は半導体圧力センサの断面図、
第2図は圧力センサ本体部に対する基体とキャップの接
合部分の拡大図、第3図は従来の半導体圧力センサの断
面図である。 20・・・圧力センサ本体部、21・・・ダイアフラム
、23・・・感圧抵抗部、24・・・基体、25.27
・・・接着層、26・・・キャップ、29・・・凸状部
、31・・・凹状部。 JE−を 第1図 第2図 ヱ氏 暴 第3図
Claims (4)
- (1) 裏面側を所定深さにくり抜いてその表面側にピ
エゾ抵抗効果を利用して圧力を検出する感圧抵抗部が形
成された薄肉のダイアフラムおよびこのダイアフラム以
外の部分に機能回路が形成された厚肉周縁部とを有する
圧力センサ本体部と、この圧力センサ本体部の前記裏面
側に接合され、前記ダイアフラムに相当する位置にこの
ダイアフラムの正側圧力による変位量を制限する凸状部
が形成された基体と、前記圧力センサ本体部の表面測に
接合され、前記ダイアフラムに相当する位置に少なくと
も前記ダイアフラムの負側圧力による変位量を制限する
凹状部が形成されたキャップとを備えたことを特徴とす
る半導体圧力センサ。 - (2) 基体およびキャップは、導電性材料で構成して
前記圧力センサ本体部と同電位にし、前記圧力センサ本
体部の感圧抵抗部およびその他の機能回路を電気的にシ
ールドするようにした特許請求の範囲第1項記載の半導
体圧力センサ。 - (3) 基体およびキャツプは、導電性材料で構成する
とともに、前記圧力センサ本体部を挟むように接合して
圧力室と電気信号取出し部分とを分離したことを特徴と
する特許請求の範囲第1項記載の半導体圧力センサ。 - (4) 基体は、前記凸状部の形状および高さにより、
前記ダイアフラムにおける正側圧力による変位量を制限
する機能もしくは圧力媒体量の調節機能を有するもので
ある特許請求の範囲第1項記載の半導体圧力センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60286939A JPH0629819B2 (ja) | 1985-12-20 | 1985-12-20 | 半導体圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60286939A JPH0629819B2 (ja) | 1985-12-20 | 1985-12-20 | 半導体圧力センサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62145130A true JPS62145130A (ja) | 1987-06-29 |
JPH0629819B2 JPH0629819B2 (ja) | 1994-04-20 |
Family
ID=17710908
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60286939A Expired - Lifetime JPH0629819B2 (ja) | 1985-12-20 | 1985-12-20 | 半導体圧力センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0629819B2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0319940U (ja) * | 1989-07-07 | 1991-02-27 | ||
JPH04294234A (ja) * | 1990-12-07 | 1992-10-19 | Wisconsin Alumni Res Found | 小型差圧トランスジューサ及びその製法 |
EP3249371A1 (en) * | 2016-05-25 | 2017-11-29 | Honeywell International Inc. | Differential pressure sensor full overpressure protection device |
US9963340B2 (en) | 2015-12-03 | 2018-05-08 | Honeywell International Inc. | Pressure sensor die over pressure protection for high over pressure to operating span ratios |
EP2771661B1 (fr) * | 2011-10-26 | 2019-02-20 | Auxitrol SA | Structure micromécanique a membrane déformable et a protection contre de fortes déformations |
KR20190021745A (ko) * | 2017-08-23 | 2019-03-06 | 전자부품연구원 | 세라믹 압력센서 및 그 제조방법 |
WO2023037699A1 (ja) * | 2021-09-10 | 2023-03-16 | 株式会社村田製作所 | 圧力センサ |
Citations (1)
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-
1985
- 1985-12-20 JP JP60286939A patent/JPH0629819B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
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