JPS6041736Y2 - 等倍イメ−ジセンサ - Google Patents
等倍イメ−ジセンサInfo
- Publication number
- JPS6041736Y2 JPS6041736Y2 JP1981026734U JP2673481U JPS6041736Y2 JP S6041736 Y2 JPS6041736 Y2 JP S6041736Y2 JP 1981026734 U JP1981026734 U JP 1981026734U JP 2673481 U JP2673481 U JP 2673481U JP S6041736 Y2 JPS6041736 Y2 JP S6041736Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photodiode
- film
- image sensor
- blocking diode
- size image
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、改良された等倍イメージセンサに関するもの
である。
である。
従来、第１図にその回路構成を示したように、透明基板
１上に薄膜フォトダイオード２と薄膜ブロッキングダイ
オード３とが互いに逆極性に直列接続された素子を複数
個配列し、この素子群を配線４でマトリクス配線してな
る等倍イメージセンサが知られている。
１上に薄膜フォトダイオード２と薄膜ブロッキングダイ
オード３とが互いに逆極性に直列接続された素子を複数
個配列し、この素子群を配線４でマトリクス配線してな
る等倍イメージセンサが知られている。
なお、５はＭＯＳスイッチである。
ところで、前記薄膜フォトダイオードと薄膜ブロッキン
グダイオードが薄膜を積層して構威され、かつ、両ダイ
オードの上部電極を互いに導体膜で接続する構成では、
各ダイオードの積層膜の段差部分を通して、接続用の導
体膜と各ダイオードの下部電極との間に漏れ電流が流れ
てダイオードとしての特性が低下したり、あるいは接続
用導体膜と下部電極が短絡するという欠点があった。
グダイオードが薄膜を積層して構威され、かつ、両ダイ
オードの上部電極を互いに導体膜で接続する構成では、
各ダイオードの積層膜の段差部分を通して、接続用の導
体膜と各ダイオードの下部電極との間に漏れ電流が流れ
てダイオードとしての特性が低下したり、あるいは接続
用導体膜と下部電極が短絡するという欠点があった。
本考案は、上記欠点を解消するために、両ダイオード間
を絶縁性樹脂で被覆し、この樹脂被膜上に接続用導体膜
を形成して、漏れ電流の低減、短絡の防止を図るように
した等倍イメージセンサを供給するもめである。
を絶縁性樹脂で被覆し、この樹脂被膜上に接続用導体膜
を形成して、漏れ電流の低減、短絡の防止を図るように
した等倍イメージセンサを供給するもめである。
以下、図面により実施例を詳細に説明する。
第２図および第３図は、本考案の１実施例を示したもの
で、まず、第２図は薄膜フォトダイオードと薄膜ブロッ
キングダイオードが構威され、両ダイオードの接続前の
状態を示している。
で、まず、第２図は薄膜フォトダイオードと薄膜ブロッ
キングダイオードが構威され、両ダイオードの接続前の
状態を示している。
第２図において、１は透明基板、６はＩｎ２Ｏ３等の透
明電極膜、７はＮｉＣｒ−Ａｕからなる金属膜、８はＳ
ｉＯ２絶縁膜、９はＣｄＳ膜、１０はＣｄＴｅ膜、１１
はＴｅ膜、１２はＡｕ膜である。
明電極膜、７はＮｉＣｒ−Ａｕからなる金属膜、８はＳ
ｉＯ２絶縁膜、９はＣｄＳ膜、１０はＣｄＴｅ膜、１１
はＴｅ膜、１２はＡｕ膜である。
そして２の部分はＣｄ５−ＣｄＴｅ−Ｔｅからなるヘテ
ロ接合型フォトダイオードが構威され、まな３の部分は
Ｃｄ５−Ｔｅからなるショットキー型ブロッキングダイ
オードが構威されている。
ロ接合型フォトダイオードが構威され、まな３の部分は
Ｃｄ５−Ｔｅからなるショットキー型ブロッキングダイ
オードが構威されている。
なお、１３の部分は、フォトダイオード２の構成膜を張
り出させて並列コンデンサを構威し、フォトダイオード
２の等価容量がブロッキングダイオード３のそれより大
きくなるようにして、明時と暗時の出力差・を大きくと
るようにしている。
り出させて並列コンデンサを構威し、フォトダイオード
２の等価容量がブロッキングダイオード３のそれより大
きくなるようにして、明時と暗時の出力差・を大きくと
るようにしている。
光は、矢印で示したように透明基板１を通してフォトダ
イオード２に入射される。
イオード２に入射される。
ところで、フォトダイオード２の上部電極１２とブロッ
キングダイオード３の上部電極１２とを電気的に接続す
ると、両ダイオードは互いに逆極性に直列接続されるこ
とになるが、第２図の状態で直接り、テ接続用導体膜を
形成すると、各ダイオード２，３の段差部分で前記の如
き漏れ電流や短絡が発生する危険があり、また、この段
差は約１０μｍ程度もあるので、従来よく利用されてい
るＳｉＯ２絶縁膜ではこの段差を埋めることができなか
った。
キングダイオード３の上部電極１２とを電気的に接続す
ると、両ダイオードは互いに逆極性に直列接続されるこ
とになるが、第２図の状態で直接り、テ接続用導体膜を
形成すると、各ダイオード２，３の段差部分で前記の如
き漏れ電流や短絡が発生する危険があり、また、この段
差は約１０μｍ程度もあるので、従来よく利用されてい
るＳｉＯ２絶縁膜ではこの段差を埋めることができなか
った。
そこで本考案では、第３図Ａに示したように、フォトダ
イオード２およびブロッキングダイオード３の各上部並
びにその間を例えばポリイミド樹脂１４で被覆する。
イオード２およびブロッキングダイオード３の各上部並
びにその間を例えばポリイミド樹脂１４で被覆する。
この樹脂被覆は、例えばスピンナーによる塗布方法が好
適であり、段差部分の被覆性が非常によくなる。
適であり、段差部分の被覆性が非常によくなる。
次に、第３図Ｂに示したように、フォトダイオード２と
ブロッキングダイオード３の接続すべき部分のポリイミ
ド樹脂被膜をエツチング腰スルホール１５ａ、１５ｂを
形成する。
ブロッキングダイオード３の接続すべき部分のポリイミ
ド樹脂被膜をエツチング腰スルホール１５ａ、１５ｂを
形成する。
次に、第３図Ｃに示したように、Ａｕの接続用導体膜１
６を形威し、フォトダイオード２とブロッキングダイオ
ード３とが接続される。
６を形威し、フォトダイオード２とブロッキングダイオ
ード３とが接続される。
なお、第３図りは第３図Ｃの平面図を示したものである
。
。
以上のように構成された本実施例では、樹脂被膜１４に
より段差部分が埋まり、かつ平担性が得られるので、段
差部分での接続用導体膜１６の断線もなく、また、下部
電極への漏れ電流や短絡を完全に防止することができる
効果がある。
より段差部分が埋まり、かつ平担性が得られるので、段
差部分での接続用導体膜１６の断線もなく、また、下部
電極への漏れ電流や短絡を完全に防止することができる
効果がある。
なお、樹脂被膜１４は、両ダイオード間のみでなく、他
の配線部も被覆することにより表面保護膜としての役割
りを果すこともできる。
の配線部も被覆することにより表面保護膜としての役割
りを果すこともできる。
以上説明したように、本考案によれば、フォトダイオー
ドとブロッキングダイオードとの接続用導体膜の下地と
して絶縁性樹脂被膜を設けることにより、各ダイオード
の特性を安定させ、さらに、素子全体の保護膜として利
用し、信頼性の高い等倍イメージセンサを構成すること
ができる利点がある。
ドとブロッキングダイオードとの接続用導体膜の下地と
して絶縁性樹脂被膜を設けることにより、各ダイオード
の特性を安定させ、さらに、素子全体の保護膜として利
用し、信頼性の高い等倍イメージセンサを構成すること
ができる利点がある。
第１図は、フォトダイオードとブロッキングダイオード
が互いに逆極性に接続されてなる等倍イメージセンサの
回路構成図、第２図および第３図は、本考案の１実施例
の構成を示す図で、第２図はフォトダイオードとブロッ
キングダイオードを接続する前の状態を示す図、第３図
は接続工程を示す図である。 １・・・・・・透明基板、２・・・・・・フォトダイオ
ード、３・・・・・・ブロッキングダイオード、１２・
曲・上部電極、１３・・・・・・並列コンデンサ、１４
・・・・・・絶縁性樹脂被膜、１６・・・・・・接続用
導体膜。
が互いに逆極性に接続されてなる等倍イメージセンサの
回路構成図、第２図および第３図は、本考案の１実施例
の構成を示す図で、第２図はフォトダイオードとブロッ
キングダイオードを接続する前の状態を示す図、第３図
は接続工程を示す図である。 １・・・・・・透明基板、２・・・・・・フォトダイオ
ード、３・・・・・・ブロッキングダイオード、１２・
曲・上部電極、１３・・・・・・並列コンデンサ、１４
・・・・・・絶縁性樹脂被膜、１６・・・・・・接続用
導体膜。
Claims (1)
- 透明基板上に、薄膜積層型フォトダイオードと薄膜積層
型ブロッキングダイオードとが互いに逆極性となるよう
に直列接続された素子を複数配列し、この素子群をマト
リクス配線してなる等倍イメージセンサにおいて、前記
フォトダイオードとブロッキングダイオードとの接続部
が、両ダイオード間を絶縁性樹脂で被覆腰この樹脂被膜
上に両ダイオード接続用導体を設けてなることを特徴と
する等倍イメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1981026734U JPS6041736Y2 (ja) | 1981-02-28 | 1981-02-28 | 等倍イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1981026734U JPS6041736Y2 (ja) | 1981-02-28 | 1981-02-28 | 等倍イメ−ジセンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57140751U JPS57140751U (ja) | 1982-09-03 |
| JPS6041736Y2 true JPS6041736Y2 (ja) | 1985-12-19 |
Family
ID=29824453
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1981026734U Expired JPS6041736Y2 (ja) | 1981-02-28 | 1981-02-28 | 等倍イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6041736Y2 (ja) |
-
1981
- 1981-02-28 JP JP1981026734U patent/JPS6041736Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57140751U (ja) | 1982-09-03 |
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