JPH02110353U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH02110353U JPH02110353U JP1805789U JP1805789U JPH02110353U JP H02110353 U JPH02110353 U JP H02110353U JP 1805789 U JP1805789 U JP 1805789U JP 1805789 U JP1805789 U JP 1805789U JP H02110353 U JPH02110353 U JP H02110353U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- contact
- insulating film
- receiving element
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims 6
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims 1
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
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Description
第１図はこの考案の実施例の構成の説明に供す
る断面図、第２図はこの考案の実施例の構成の説
明に供する平面図、第３図Ａ〜Ｇはこの考案の実
施例の製造方法の一例の説明に供する平面図、第
４図は従来の密着型イメージセンサの説明に供す
る図、第５図は従来の完全密着型イメージセンサ
の説明に供する図である。 ４２……イメージセンサ、４４……下部電極、
４６……光電変換膜、４８……上部電極、５０…
…受光素子、５２……受光素子の光透過部、５４
……遮光性基板、５６……第一の光透過部、５８
……共通配線電極、６０……リーク電流防止用絶
縁膜、６２……第二の光透過部、６４……接触規
制絶縁膜、６６，６８……コンタクトホール、７
０……絶縁保護膜。
る断面図、第２図はこの考案の実施例の構成の説
明に供する平面図、第３図Ａ〜Ｇはこの考案の実
施例の製造方法の一例の説明に供する平面図、第
４図は従来の密着型イメージセンサの説明に供す
る図、第５図は従来の完全密着型イメージセンサ
の説明に供する図である。 ４２……イメージセンサ、４４……下部電極、
４６……光電変換膜、４８……上部電極、５０…
…受光素子、５２……受光素子の光透過部、５４
……遮光性基板、５６……第一の光透過部、５８
……共通配線電極、６０……リーク電流防止用絶
縁膜、６２……第二の光透過部、６４……接触規
制絶縁膜、６６，６８……コンタクトホール、７
０……絶縁保護膜。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 下部電極、光電変換膜及び上部電極を順次
に積層して成る複数個の受光素子と、該受光素子
にそれぞれ設けた光透過部とを備えて成る完全密
着型イメージセンサにおいて、 絶縁性を有する遮光性基板上に前記受光素子を
それぞれ個別に設け、 該遮光性基板に、前記受光素子の光透過部とは
異なる第一の光透過部を前記受光素子の光透過部
と対応する位置に配置して設け、 前記受光素子の下部電極を共通配線電極を介し
て電気的に接続し、 前記受光素子上にリーク電流防止用絶縁膜を設
け、 前記リーク電流防止用絶縁膜に、前記受光素子
の光透過部とは異なる第二の光透過部を前記受光
素子の光透過部と対応する位置に配置して設けて
成ることを特徴とする完全密着型イメージセンサ
。 (2) 前記光電変換膜及び上部電極の電気的接触
面積を規制するための接触規制絶縁膜を、前記光
電変換膜及び上部電極の間に設け、該接触規制絶
縁膜に設けた前記上部電極のためのコンタクトホ
ールを介して前記光電変換膜及び上部電極を電気
的に接続して成ることを特徴とする請求項１に記
載の完全密着型イメージセンサ。 (3) 前記接触規制絶縁膜上に前記共通配線電極
を設け、該接触規制絶縁膜に設けた前記共通配線
電極のためのコンタクトホールを介して前記共通
配線電極及び下部電極を電気的に接続して成るこ
とを特徴とする請求項２に記載の完全密着型イメ
ージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1805789U JPH02110353U (ja) | 1989-02-18 | 1989-02-18 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1805789U JPH02110353U (ja) | 1989-02-18 | 1989-02-18 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02110353U true JPH02110353U (ja) | 1990-09-04 |
Family
ID=31232364
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1805789U Pending JPH02110353U (ja) | 1989-02-18 | 1989-02-18 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02110353U (ja) |
-
1989
- 1989-02-18 JP JP1805789U patent/JPH02110353U/ja active Pending
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