JPH08162583A - リードフレームの製造方法 - Google Patents
リードフレームの製造方法Info
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- H01L2224/85181—Translational movements connecting first on the semiconductor or solid-state body, i.e. on-chip, regular stitch
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】リードフレームから完全にバリ（ドロス）を取
り除く。 【構成】金属板３１の一面側には、薄板３２が形成され
る。薄板３２は、メッキ、又は樹脂を塗布することによ
り、又はテープ状部材を貼り付けることにより形成でき
る。薄板３２は、多層にし、金属板３１と反対側をバリ
（ドロス）に対して密着性が悪い材料から構成するのが
よい。この後、金属板３１の他面側からレーザ３４を照
射して金属板３１を加工する。すると、バリ（ドロス）
の大部分は、薄膜に付着するため、化学研磨液などによ
ってバリ（ドロス）を容易に除去できる。
り除く。 【構成】金属板３１の一面側には、薄板３２が形成され
る。薄板３２は、メッキ、又は樹脂を塗布することによ
り、又はテープ状部材を貼り付けることにより形成でき
る。薄板３２は、多層にし、金属板３１と反対側をバリ
（ドロス）に対して密着性が悪い材料から構成するのが
よい。この後、金属板３１の他面側からレーザ３４を照
射して金属板３１を加工する。すると、バリ（ドロス）
の大部分は、薄膜に付着するため、化学研磨液などによ
ってバリ（ドロス）を容易に除去できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、リードフレームの製造
方法に関するもので、特に、レーザ加工に伴うバリ（ド
ロス）の対策に使用される。
方法に関するもので、特に、レーザ加工に伴うバリ（ド
ロス）の対策に使用される。
【０００２】
【従来の技術】図２４は、レーザにより金属板を加工
し、リードフレームを形成する場合の従来の方法を示し
ている。この方法では、リードフレームは、ノズル１１
から照射されるレーザ１２を金属板１３の所定箇所に当
て、レーザ１２のエネルギーでこの所定箇所の金属を除
去することにより形成される。
し、リードフレームを形成する場合の従来の方法を示し
ている。この方法では、リードフレームは、ノズル１１
から照射されるレーザ１２を金属板１３の所定箇所に当
て、レーザ１２のエネルギーでこの所定箇所の金属を除
去することにより形成される。
【０００３】しかし、金属板１３の一面側からレーザ１
２を照射した場合、レーザ１２によって溶かされた金属
（母材）は、ダスト１４として除去されると共に金属板
１３の他面側にバリ（ドロス）１５として残ってしま
う。
２を照射した場合、レーザ１２によって溶かされた金属
（母材）は、ダスト１４として除去されると共に金属板
１３の他面側にバリ（ドロス）１５として残ってしま
う。
【０００４】このバリ（ドロス）１５は、本体の金属板
（リードフレーム）１３と一体化しており、例えば化学
研磨液などで取り除こうとしても、このバリ（ドロス）
１５を完全に除去することはできない。
（リードフレーム）１３と一体化しており、例えば化学
研磨液などで取り除こうとしても、このバリ（ドロス）
１５を完全に除去することはできない。
【０００５】このため、図２５及び図２６に示すよう
に、バリ（ドロス）１５が下面（チップ１６が搭載され
る面と反対側の面）にある場合、リードフレームにチッ
プ１６を搭載した後のボンディング工程において、押え
部材１７によるリードフレームの押えが不十分になった
り、セカンドボンディング（リード１８側のボンディン
グ）時の超音波の力が逃げてしまい、ボンディングが十
分にできなくなる。
に、バリ（ドロス）１５が下面（チップ１６が搭載され
る面と反対側の面）にある場合、リードフレームにチッ
プ１６を搭載した後のボンディング工程において、押え
部材１７によるリードフレームの押えが不十分になった
り、セカンドボンディング（リード１８側のボンディン
グ）時の超音波の力が逃げてしまい、ボンディングが十
分にできなくなる。
【０００６】また、図２５及び図２７に示すように、バ
リ（ドロス）１５が上面（チップ１６が搭載される面と
同じ側の面）にある場合、リードフレームにチップ１６
を搭載した後のボンディング工程において、押え部材１
７によるリードフレームの押えが不十分になったり、ボ
ンディングワイヤ１９がバリ（ドロス）１５に接触し、
切れてしまったりする。
リ（ドロス）１５が上面（チップ１６が搭載される面と
同じ側の面）にある場合、リードフレームにチップ１６
を搭載した後のボンディング工程において、押え部材１
７によるリードフレームの押えが不十分になったり、ボ
ンディングワイヤ１９がバリ（ドロス）１５に接触し、
切れてしまったりする。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来は、
レーザにより金属板を加工し、リードフレームを形成す
る場合に、同時にバリ（ドロス）も形成されてしまうた
め、ボンディング工程において十分なボンディングがで
きなくなるという欠点がある。
レーザにより金属板を加工し、リードフレームを形成す
る場合に、同時にバリ（ドロス）も形成されてしまうた
め、ボンディング工程において十分なボンディングがで
きなくなるという欠点がある。
【０００８】本発明は、上記欠点を解決すべくなされた
もので、その目的は、リードフレームから完全にバリ
（ドロス）を除去し、ワイヤボンディングを十分に行え
るようにすることである。
もので、その目的は、リードフレームから完全にバリ
（ドロス）を除去し、ワイヤボンディングを十分に行え
るようにすることである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のリードフレームの製造方法は、まず、金属
板の一面側に薄膜を形成し、前記金属板の他面側からレ
ーザを照射して前記金属板を所望の形状に加工する。次
に、前記金属板の他面側に付着したバリを取り除き、前
記薄膜を取り除く、という一連の工程からなる。
め、本発明のリードフレームの製造方法は、まず、金属
板の一面側に薄膜を形成し、前記金属板の他面側からレ
ーザを照射して前記金属板を所望の形状に加工する。次
に、前記金属板の他面側に付着したバリを取り除き、前
記薄膜を取り除く、という一連の工程からなる。
【００１０】前記薄膜は、前記金属板と密着性の良い部
分と前記バリと密着性の悪い部分とを有している。前記
薄膜は、メッキにより、又は樹脂を塗布することによ
り、又はテープ状の部材を貼り付けることにより形成す
る。
分と前記バリと密着性の悪い部分とを有している。前記
薄膜は、メッキにより、又は樹脂を塗布することによ
り、又はテープ状の部材を貼り付けることにより形成す
る。
【００１１】前記バリは、機械的に、又は化学研磨液に
浸すことにより取り除くことができる。前記薄膜は、前
記バリを除去した後に取り除いてもよいし、前記バリと
前記薄膜を同時に取り除いてもよい。
浸すことにより取り除くことができる。前記薄膜は、前
記バリを除去した後に取り除いてもよいし、前記バリと
前記薄膜を同時に取り除いてもよい。
【００１２】
【作用】上記構成によれば、金属板の一面側に薄膜を形
成した後、金属板の他面側からレーザを照射して金属板
の加工を行っている。即ち、バリ（ドロス）の大部分は
薄膜に付着するため、このバリ（ドロス）を化学研磨液
などにより容易に除去できる。
成した後、金属板の他面側からレーザを照射して金属板
の加工を行っている。即ち、バリ（ドロス）の大部分は
薄膜に付着するため、このバリ（ドロス）を化学研磨液
などにより容易に除去できる。
【００１３】従って、ボンディング工程のセカンドボン
ディングにおいて、バリ（ドロス）とキャピラリの接触
がなく、かつ、超音波の力が分散するということもな
い。また、バリ（ドロス）自体が不純物となって半導体
装置内に取り残されるという自体もない。
ディングにおいて、バリ（ドロス）とキャピラリの接触
がなく、かつ、超音波の力が分散するということもな
い。また、バリ（ドロス）自体が不純物となって半導体
装置内に取り残されるという自体もない。
【００１４】
【実施例】以下、図面を参照しながら、本発明のリード
フレームの製造方法について詳細に説明する。 ［Ａ］ 図１〜図１１は、本発明の第１実施例に係わる
リードフレームの製造方法を示している。
フレームの製造方法について詳細に説明する。 ［Ａ］ 図１〜図１１は、本発明の第１実施例に係わる
リードフレームの製造方法を示している。
【００１５】まず、図１及び図２に示すように、金属板
３１の一面側に薄膜３２を形成する。この薄膜３２は、
例えば、以下のようにして形成される。 ａ． 薄膜３２が金属膜などのようにメッキにより形成
できる場合には、メッキ法により薄膜３２を形成する。
３１の一面側に薄膜３２を形成する。この薄膜３２は、
例えば、以下のようにして形成される。 ａ． 薄膜３２が金属膜などのようにメッキにより形成
できる場合には、メッキ法により薄膜３２を形成する。
【００１６】ｂ． レジストなどの樹脂を塗布する。 ｃ． テープ状の部材を貼り付ける。 次に、図３に示すように、ノズル３３を金属板３１の他
面側の所定の位置に移動させる。この後、レーザ３４を
金属板３１他面側から当該金属板３１に向けて照射す
る。すると、レーザ３４が当たった部分の金属板３１は
溶かされ、その部分の金属が除去される。
面側の所定の位置に移動させる。この後、レーザ３４を
金属板３１他面側から当該金属板３１に向けて照射す
る。すると、レーザ３４が当たった部分の金属板３１は
溶かされ、その部分の金属が除去される。
【００１７】その結果、図４〜図６に示すように、金属
板３１は、所望の形状を有するリードフレーム３１´へ
と変わる。なお、レーザ３４の照射のため、リードフレ
ーム３１´の一面側の薄膜３２には、バリ（ドロス）３
５が付着している。
板３１は、所望の形状を有するリードフレーム３１´へ
と変わる。なお、レーザ３４の照射のため、リードフレ
ーム３１´の一面側の薄膜３２には、バリ（ドロス）３
５が付着している。
【００１８】次に、図７及び図８に示すように、機械的
に、又は化学研磨液に浸すことにより、バリ（ドロス）
３５を除去する。なお、バリ（ドロス）３５は、その大
部分が薄膜３２に付着し、その一部が金属板３１の側面
に接触しているのみであるから、バリ（ドロス）３５の
全てを容易に取り除くことができる。
に、又は化学研磨液に浸すことにより、バリ（ドロス）
３５を除去する。なお、バリ（ドロス）３５は、その大
部分が薄膜３２に付着し、その一部が金属板３１の側面
に接触しているのみであるから、バリ（ドロス）３５の
全てを容易に取り除くことができる。
【００１９】次に、図９〜図１１に示すように、メッキ
剥離液やレジスト剥離液などにより、金属板３１の一面
側の薄膜３２を除去する。これにより、バリ（ドロス）
３５が完全に除去されたリードフレームが形成する。
剥離液やレジスト剥離液などにより、金属板３１の一面
側の薄膜３２を除去する。これにより、バリ（ドロス）
３５が完全に除去されたリードフレームが形成する。
【００２０】この後、図示しないが、このリードフレー
ム上にチップを搭載し、ワイヤボンディングを行う。な
お、図１２に示すように、薄膜３２がテープ状部材であ
る場合には、このテープ状部材を剥がすと同時に、バリ
（ドロス）３５を取り除くこともできる。
ム上にチップを搭載し、ワイヤボンディングを行う。な
お、図１２に示すように、薄膜３２がテープ状部材であ
る場合には、このテープ状部材を剥がすと同時に、バリ
（ドロス）３５を取り除くこともできる。
【００２１】上記製造方法によれば、金属板３１の一面
側に薄膜３２を形成した後に、金属板３１の他面側から
レーザ３４を照射している。つまり、バリ（ドロス）３
５の大部分は薄膜３２に付着するため、このバリ（ドロ
ス）３５を化学研磨液などにより容易に除去することが
できる。
側に薄膜３２を形成した後に、金属板３１の他面側から
レーザ３４を照射している。つまり、バリ（ドロス）３
５の大部分は薄膜３２に付着するため、このバリ（ドロ
ス）３５を化学研磨液などにより容易に除去することが
できる。
【００２２】従って、ボンディング工程のセカンドボン
ディングにおいて、バリ（ドロス）とキャピラリの接触
がなく、かつ、超音波の力が分散するということもな
い。また、バリ（ドロス）自体が不純物となって半導体
装置内に取り残されるという自体もない。つまり、ワイ
ヤボンディングを正確かつ完全に行うことができる。 ［Ｂ］ 図１３〜図２２は、本発明の第２実施例に係わ
る半導体装置の製造方法を示している。
ディングにおいて、バリ（ドロス）とキャピラリの接触
がなく、かつ、超音波の力が分散するということもな
い。また、バリ（ドロス）自体が不純物となって半導体
装置内に取り残されるという自体もない。つまり、ワイ
ヤボンディングを正確かつ完全に行うことができる。 ［Ｂ］ 図１３〜図２２は、本発明の第２実施例に係わ
る半導体装置の製造方法を示している。
【００２３】まず、図１３に示すように、金属板３１の
一面側に薄膜３２を形成する。この薄膜３２は、少なく
とも２層を有している。金属板３１側の層Ａは、金属板
３１に対して密着性のよい材料から構成され、金属板３
１と反対側の層Ｂは、バリ（ドロス）に対して密着性の
悪い材料から構成されている。
一面側に薄膜３２を形成する。この薄膜３２は、少なく
とも２層を有している。金属板３１側の層Ａは、金属板
３１に対して密着性のよい材料から構成され、金属板３
１と反対側の層Ｂは、バリ（ドロス）に対して密着性の
悪い材料から構成されている。
【００２４】この薄膜３２は、例えば、以下の方法のう
ちのいずれか１つ、又は２つ以上を組み合わせることに
より形成できる。 ａ． 薄膜３２が金属膜などのようにメッキにより形成
できる場合には、メッキ法により薄膜３２を形成する。
ちのいずれか１つ、又は２つ以上を組み合わせることに
より形成できる。 ａ． 薄膜３２が金属膜などのようにメッキにより形成
できる場合には、メッキ法により薄膜３２を形成する。
【００２５】ｂ． レジストなどの樹脂を塗布する。 ｃ． テープ状の部材を貼り付ける。 次に、図１４に示すように、ノズル３３を金属板３１の
他面側の所定の位置に移動させる。この後、レーザ３４
を金属板３１の他面側から当該金属板３１に向けて照射
する。すると、レーザ３４が照射された部分の金属は、
除去される。
他面側の所定の位置に移動させる。この後、レーザ３４
を金属板３１の他面側から当該金属板３１に向けて照射
する。すると、レーザ３４が照射された部分の金属は、
除去される。
【００２６】その結果、図１５〜図１７に示すように、
所望の形状を有するリードフレーム３１´が形成され
る。なお、レーザ３４の照射により、リードフレーム３
１´の一面側の薄膜３２には、バリ（ドロス）３５が付
着している。
所望の形状を有するリードフレーム３１´が形成され
る。なお、レーザ３４の照射により、リードフレーム３
１´の一面側の薄膜３２には、バリ（ドロス）３５が付
着している。
【００２７】但し、薄膜３２は、バリ（ドロス）３５に
対して密着性の悪い材料から構成されているため、上述
の第１実施例の場合よりもバリ（ドロス）３５の量を減
らすことができる。
対して密着性の悪い材料から構成されているため、上述
の第１実施例の場合よりもバリ（ドロス）３５の量を減
らすことができる。
【００２８】次に、図１８及び図１９に示すように、機
械的に、又は化学研磨液に浸すことにより、バリ（ドロ
ス）３５を除去する。なお、バリ（ドロス）３５はその
大部分が薄膜３２に付着し、かつ、薄膜３２とバリ（ド
ロス）３５は密着性が悪いため、バリ（ドロス）３５の
全てを容易に取り除くことができる。
械的に、又は化学研磨液に浸すことにより、バリ（ドロ
ス）３５を除去する。なお、バリ（ドロス）３５はその
大部分が薄膜３２に付着し、かつ、薄膜３２とバリ（ド
ロス）３５は密着性が悪いため、バリ（ドロス）３５の
全てを容易に取り除くことができる。
【００２９】次に、図２０〜図２２に示すように、メッ
キ剥離液やレジスト剥離液などにより、リードフレーム
３１´の一面側の薄膜３２を除去する。これにより、バ
リ（ドロス）３５が完全に除去されたリードフレームが
形成される。
キ剥離液やレジスト剥離液などにより、リードフレーム
３１´の一面側の薄膜３２を除去する。これにより、バ
リ（ドロス）３５が完全に除去されたリードフレームが
形成される。
【００３０】この後、図示しないが、このリードフレー
ム上にチップを搭載し、ワイヤボンディングを行う。な
お、図２３に示すように、薄膜３２がテープ状部材であ
る場合には、このテープ状部材を剥がすと同時に、バリ
（ドロス）３５を取り除くこともできる。
ム上にチップを搭載し、ワイヤボンディングを行う。な
お、図２３に示すように、薄膜３２がテープ状部材であ
る場合には、このテープ状部材を剥がすと同時に、バリ
（ドロス）３５を取り除くこともできる。
【００３１】上記製造方法によれば、金属板３１の一面
側に多層の薄膜３２を形成した後に、金属板３１の他面
側からレーザ３４を照射している。つまり、バリ（ドロ
ス）３５の大部分は薄膜３２に付着するため、このバリ
（ドロス）３５を化学研磨液などにより容易に除去する
ことができる。
側に多層の薄膜３２を形成した後に、金属板３１の他面
側からレーザ３４を照射している。つまり、バリ（ドロ
ス）３５の大部分は薄膜３２に付着するため、このバリ
（ドロス）３５を化学研磨液などにより容易に除去する
ことができる。
【００３２】従って、ボンディング工程のセカンドボン
ディングにおいて、バリ（ドロス）とキャピラリの接触
がなく、かつ、超音波の力が分散するということもな
い。また、バリ（ドロス）自体が不純物となって半導体
装置内に取り残されるという自体もない。つまり、ワイ
ヤボンディングを正確かつ完全に行うことができる。
ディングにおいて、バリ（ドロス）とキャピラリの接触
がなく、かつ、超音波の力が分散するということもな
い。また、バリ（ドロス）自体が不純物となって半導体
装置内に取り残されるという自体もない。つまり、ワイ
ヤボンディングを正確かつ完全に行うことができる。
【００３３】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明のリード
フレームの製造方法によれば、次のような効果を奏す
る。金属板の裏面側に薄膜を形成した後、金属板の表面
側からレーザを照射して金属板の加工を行っている。即
ち、バリ（ドロス）の大部分は薄膜に付着するため、こ
のバリ（ドロス）を化学研磨液などにより容易に除去で
きる。
フレームの製造方法によれば、次のような効果を奏す
る。金属板の裏面側に薄膜を形成した後、金属板の表面
側からレーザを照射して金属板の加工を行っている。即
ち、バリ（ドロス）の大部分は薄膜に付着するため、こ
のバリ（ドロス）を化学研磨液などにより容易に除去で
きる。
【００３４】従って、ボンディング工程のセカンドボン
ディングにおいて、バリ（ドロス）とキャピラリの接触
がなく、かつ、超音波の力が分散するということもな
い。また、バリ（ドロス）自体が不純物となって半導体
装置内に取り残されるという自体もない。以上より、ワ
イヤボンディングを正確かつ完全に行うことができる。
ディングにおいて、バリ（ドロス）とキャピラリの接触
がなく、かつ、超音波の力が分散するということもな
い。また、バリ（ドロス）自体が不純物となって半導体
装置内に取り残されるという自体もない。以上より、ワ
イヤボンディングを正確かつ完全に行うことができる。
【図１】本発明の製造方法の第１実施例の一工程を示す
平面図。
平面図。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図。
【図３】本発明の製造方法の第１実施例の一工程を示す
断面図。
断面図。
【図４】本発明の製造方法の第１実施例の一工程を示す
平面図。
平面図。
【図５】図４のＶ−Ｖ線に沿う断面図。
【図６】図４のＶＩ−ＶＩ線に沿う断面図。
【図７】本発明の製造方法の第１実施例の一工程を示す
断面図。
断面図。
【図８】本発明の製造方法の第１実施例の一工程を示す
断面図。
断面図。
【図９】本発明の製造方法の第１実施例の一工程を示す
平面図。
平面図。
【図１０】図９のＸ−Ｘ線に沿う断面図。
【図１１】図４のＸＩ−ＸＩ線に沿う断面図。
【図１２】本発明の製造方法の第１実施例の一工程を示
す断面図。
す断面図。
【図１３】本発明の製造方法の第２実施例の一工程を示
す断面図。
す断面図。
【図１４】本発明の製造方法の第２実施例の一工程を示
す断面図。
す断面図。
【図１５】本発明の製造方法の第２実施例の一工程を示
す平面図。
す平面図。
【図１６】図１５のＸＶＩ−ＸＶＩ線に沿う断面図。
【図１７】図１５のＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線に沿う断面
図。
図。
【図１８】本発明の製造方法の第２実施例の一工程を示
す断面図。
す断面図。
【図１９】本発明の製造方法の第２実施例の一工程を示
す断面図。
す断面図。
【図２０】本発明の製造方法の第２実施例の一工程を示
す平面図。
す平面図。
【図２１】図２０のＸＸＩ−ＸＸＩ線に沿う断面図。
【図２２】図２０のＸＸＩＩ−ＸＸＩＩ線に沿う断面
図。
図。
【図２３】本発明の製造方法の第２実施例の一工程を示
す断面図。
す断面図。
【図２４】従来の製造方法の一工程を示す断面図。
【図２５】従来の製造方法の一工程を示す断面図。
【図２６】従来の製造方法の一工程を示す断面図。
【図２７】従来の製造方法の一工程を示す断面図。
１１，３３ …ノズル、 １２，３４ …レーザ、 １３，３１ …金属板、 １４ …ダスト、 １５，３５ …バリ（ドロス）、 １６ …チップ、 １７ …押え部材、 １８ …リード、 １９ …ボンディングワイヤ、 ２０ …キャピラリ、 ２１ …ベッド、 ３２ …薄膜。
Claims (6)
- 【請求項１】 金属板の一面側に薄膜を形成する工程
と、前記金属板の他面側からレーザを照射して前記金属
板を所望の形状に加工する工程と、前記金属板の他面側
に付着したバリを取り除き、前記薄膜を取り除く工程と
を具備することを特徴とするリードフレームの製造方
法。 - 【請求項２】 前記薄膜は、前記金属板と密着性の良い
部分と前記バリと密着性の悪い部分とを有していること
を特徴とする請求項１に記載のリードフレームの製造方
法。 - 【請求項３】 前記薄膜は、メッキにより、又は樹脂を
塗布することにより、又はテープ状の部材を貼り付ける
ことにより形成することを特徴とする請求項１に記載の
リードフレームの製造方法。 - 【請求項４】 前記バリは、機械的に、又は化学研磨液
に浸すことにより取り除くことを特徴とする請求項１に
記載のリードフレームの製造方法。 - 【請求項５】 前記薄膜は、前記バリを除去した後に取
り除かれることを特徴とする請求項１に記載のリードフ
レームの製造方法。 - 【請求項６】 前記バリは、前記薄膜を除去すると同時
に取り除かれることを特徴とする請求項１に記載のリー
ドフレームの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6297429A JPH08162583A (ja) | 1994-11-30 | 1994-11-30 | リードフレームの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6297429A JPH08162583A (ja) | 1994-11-30 | 1994-11-30 | リードフレームの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08162583A true JPH08162583A (ja) | 1996-06-21 |
Family
ID=17846405
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6297429A Pending JPH08162583A (ja) | 1994-11-30 | 1994-11-30 | リードフレームの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08162583A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007001078A1 (ja) * | 2005-06-27 | 2007-01-04 | Nitto Denko Corporation | レーザ加工用表面保護シート |
| US7320940B2 (en) | 2003-09-24 | 2008-01-22 | Denso Corporation | Method for manufacturing electronic device including package |
-
1994
- 1994-11-30 JP JP6297429A patent/JPH08162583A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7320940B2 (en) | 2003-09-24 | 2008-01-22 | Denso Corporation | Method for manufacturing electronic device including package |
| WO2007001078A1 (ja) * | 2005-06-27 | 2007-01-04 | Nitto Denko Corporation | レーザ加工用表面保護シート |
| US9089930B2 (en) | 2005-06-27 | 2015-07-28 | Nitto Denko Corporation | Surface protection sheet for laser material processing |
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