JP3183099B2 - バンプの形成方法 - Google Patents
バンプの形成方法Info
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- JP3183099B2 JP3183099B2 JP13341795A JP13341795A JP3183099B2 JP 3183099 B2 JP3183099 B2 JP 3183099B2 JP 13341795 A JP13341795 A JP 13341795A JP 13341795 A JP13341795 A JP 13341795A JP 3183099 B2 JP3183099 B2 JP 3183099B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ウェハやチップなどの
ワークの電極上にバンプを形成するバンプの形成方法に
関するものである。
ワークの電極上にバンプを形成するバンプの形成方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ウェハやチップなどのワークの電極にバ
ンプ（突出電極）を形成する方法として、従来より様々
な方法が提案されている。以下、従来のバンプの形成方
法の一例について説明する。
ンプ（突出電極）を形成する方法として、従来より様々
な方法が提案されている。以下、従来のバンプの形成方
法の一例について説明する。
【０００３】図５は従来のフリップチップの部分断面図
である。フリップチップ１はチップ２の表面に設けられ
た電極３上にバンプ４が形成されている。電極３はアル
ミニウムであって、空気に触れるとその表面に酸化膜が
生じやすい。酸化膜はバンプ４の接着性を阻害し、電極
３とバンプ４の間で導通不良を生じやすいことから、電
極３の表面には酸化防止のためのバリヤメタルとしてチ
タン膜５とニッケル膜６が薄く形成されている。チタン
膜５やニッケル膜６は蒸着手段により形成される。また
バンプ４の素材は金であって、メッキ手段によりニッケ
ル膜６上に積層形成される。
である。フリップチップ１はチップ２の表面に設けられ
た電極３上にバンプ４が形成されている。電極３はアル
ミニウムであって、空気に触れるとその表面に酸化膜が
生じやすい。酸化膜はバンプ４の接着性を阻害し、電極
３とバンプ４の間で導通不良を生じやすいことから、電
極３の表面には酸化防止のためのバリヤメタルとしてチ
タン膜５とニッケル膜６が薄く形成されている。チタン
膜５やニッケル膜６は蒸着手段により形成される。また
バンプ４の素材は金であって、メッキ手段によりニッケ
ル膜６上に積層形成される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
方法は、蒸着手段やメッキ手段により電極３上にチタン
膜５、ニッケル膜６、バンプ４を順次形成していくた
め、工程数が多く、しかもバンプ４の素材として高価な
金を用いることもあって、コストアップになりやすく、
更には歩留りも低いという問題点があった。
方法は、蒸着手段やメッキ手段により電極３上にチタン
膜５、ニッケル膜６、バンプ４を順次形成していくた
め、工程数が多く、しかもバンプ４の素材として高価な
金を用いることもあって、コストアップになりやすく、
更には歩留りも低いという問題点があった。
【０００５】したがって本発明は、ワークの電極の表面
に生じた酸化膜による接着不良や導通不良を解消できる
ワークの形成方法を提供することを目的とする。また低
コストでバンプを形成できるバンプの形成方法を提供す
ることを目的とする。
に生じた酸化膜による接着不良や導通不良を解消できる
ワークの形成方法を提供することを目的とする。また低
コストでバンプを形成できるバンプの形成方法を提供す
ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】このために本発明は、嫌
気性の導電ペースト中にワークの電極を浸し、この電極
に接触する前記導電ペーストを硬化させることによりバ
ンプを形成する。また前記電極を前記導電ペーストに浸
しているときに、前記電極に超音波振動を付与して、そ
の表面の酸化膜を破壊する。
気性の導電ペースト中にワークの電極を浸し、この電極
に接触する前記導電ペーストを硬化させることによりバ
ンプを形成する。また前記電極を前記導電ペーストに浸
しているときに、前記電極に超音波振動を付与して、そ
の表面の酸化膜を破壊する。
【０００７】
【作用】上記構成によれば、簡単にバンプを形成でき
る。また電極の表面の酸化膜を破壊して電極の新鮮面を
露出させることにより、バンプと電極の接着性と導通性
を十分に確保できる。
る。また電極の表面の酸化膜を破壊して電極の新鮮面を
露出させることにより、バンプと電極の接着性と導通性
を十分に確保できる。
【０００８】
【実施例】次に、本発明の実施例を図面を参照しながら
説明する。図１は本発明の第一実施例のフリップチップ
の斜視図である。このフリップチップ１１は、チップ１
２の表面に設けられた電極１３上に、バンプ１４ａが形
成されている。次にこのフリップチップ１１のバンプ１
４ａの形成方法を説明する。
説明する。図１は本発明の第一実施例のフリップチップ
の斜視図である。このフリップチップ１１は、チップ１
２の表面に設けられた電極１３上に、バンプ１４ａが形
成されている。次にこのフリップチップ１１のバンプ１
４ａの形成方法を説明する。
【０００９】図２は本発明の第一実施例のバンプの形成
方法の説明図であって、工程順に示している。図２
（ａ）において、２０は容器であり、その内部に導電ペ
ースト１４が貯留されている。この導電ペースト１４は
嫌気性であって、空気から遮断されると硬化する性質を
有している。またこの導電ペースト１４は、銅やアルミ
ニウムなどの金属に接触すると、その接触部分はより一
層速やかに硬化する性質を有している。このような嫌気
性のペーストとしては、例えば変性アクリル樹脂に硬化
促進剤を混入したものが知られている。導電ペースト１
４はこのようなペーストに、導電性を付与するために銀
などの導電物質の粉末を混入して生成されている。
方法の説明図であって、工程順に示している。図２
（ａ）において、２０は容器であり、その内部に導電ペ
ースト１４が貯留されている。この導電ペースト１４は
嫌気性であって、空気から遮断されると硬化する性質を
有している。またこの導電ペースト１４は、銅やアルミ
ニウムなどの金属に接触すると、その接触部分はより一
層速やかに硬化する性質を有している。このような嫌気
性のペーストとしては、例えば変性アクリル樹脂に硬化
促進剤を混入したものが知られている。導電ペースト１
４はこのようなペーストに、導電性を付与するために銀
などの導電物質の粉末を混入して生成されている。
【００１０】さて、図２（ａ）に示すように、チップ１
２をフェースダウンで導電ペースト１４に浸す。図２
（ｂ）はその状態を示す拡大図である。本実施例の電極
１３の素材はアルミニウムであって、その表面の酸化を
防ぐためのバリヤメタルとして、チタン膜２４とニッケ
ル膜１５がコーティングされている。このチタン膜２４
とニッケル膜１５は蒸着手段により形成される。またニ
ッケル膜１５の表面には、導電ペースト１４を上述した
性質により速やかに硬化させるための銅膜１６が形成さ
れている。
２をフェースダウンで導電ペースト１４に浸す。図２
（ｂ）はその状態を示す拡大図である。本実施例の電極
１３の素材はアルミニウムであって、その表面の酸化を
防ぐためのバリヤメタルとして、チタン膜２４とニッケ
ル膜１５がコーティングされている。このチタン膜２４
とニッケル膜１５は蒸着手段により形成される。またニ
ッケル膜１５の表面には、導電ペースト１４を上述した
性質により速やかに硬化させるための銅膜１６が形成さ
れている。
【００１１】上述したように導電ペースト１４は、空気
から遮断された嫌気性雰囲気中で硬化する。さらには、
銅に接触していると、より一層速やかに硬化する。図２
（ｃ）において、ハッチングで示す部分１４ａは、銅膜
１６に接触して速やかに硬化した導電ペーストを示して
いる。次に図２（ｄ）示すように、チップ１２を引き上
げれば、銅膜１６の表面に、導電ペースト１４が硬化し
て生成したバンプ１４ａを有するフリップチップ１１が
取り出される。以上のようにして、図１に示すフリップ
チップ１１は完成する。
から遮断された嫌気性雰囲気中で硬化する。さらには、
銅に接触していると、より一層速やかに硬化する。図２
（ｃ）において、ハッチングで示す部分１４ａは、銅膜
１６に接触して速やかに硬化した導電ペーストを示して
いる。次に図２（ｄ）示すように、チップ１２を引き上
げれば、銅膜１６の表面に、導電ペースト１４が硬化し
て生成したバンプ１４ａを有するフリップチップ１１が
取り出される。以上のようにして、図１に示すフリップ
チップ１１は完成する。
【００１２】図３は本発明の第二実施例のバンプの形成
方法の説明図である。図３（ａ）において、チップ１２
の表面の電極１７の素材はアルミニウムであり、図３
（ｂ）に示すように導電ペースト１４に浸す。１８は振
動子であって、容器２０の下面に当接している。この振
動子１８が駆動すると、その超音波振動は電極１７に伝
えられる。なおこの電極１７の表面にはバリヤメタルは
形成されていない。
方法の説明図である。図３（ａ）において、チップ１２
の表面の電極１７の素材はアルミニウムであり、図３
（ｂ）に示すように導電ペースト１４に浸す。１８は振
動子であって、容器２０の下面に当接している。この振
動子１８が駆動すると、その超音波振動は電極１７に伝
えられる。なおこの電極１７の表面にはバリヤメタルは
形成されていない。
【００１３】図４（ａ）（ｂ）は、図３（ｂ）のＡ部分
の電極の部分拡大図であって、図４（ａ）は超音波振動
を付与する前の状態を示している。アルミニウムは空気
に触れると酸化されやすく、したがってアルミニウムか
ら成る電極１７の表面には酸化膜１７ａが生じている。
図４（ｂ）は超音波振動を付与した後を示している。超
音波振動が付与されると、酸化膜１７ａは細かく破壊さ
れ、電極１７の新鮮面が露出し、この新鮮面に導電ペー
スト１４が密着する。これにより導電ペースト１４と電
極１７を電気的に導通させることができる。
の電極の部分拡大図であって、図４（ａ）は超音波振動
を付与する前の状態を示している。アルミニウムは空気
に触れると酸化されやすく、したがってアルミニウムか
ら成る電極１７の表面には酸化膜１７ａが生じている。
図４（ｂ）は超音波振動を付与した後を示している。超
音波振動が付与されると、酸化膜１７ａは細かく破壊さ
れ、電極１７の新鮮面が露出し、この新鮮面に導電ペー
スト１４が密着する。これにより導電ペースト１４と電
極１７を電気的に導通させることができる。
【００１４】以下の工程は第一実施例と同様であって、
電極１７に接触する導電ペースト１４は速やかに硬化し
（図３（ｃ）参照）、チップ１２を引き上げると、バン
プ１４ａを有するフリップチップ１１が完成する。
電極１７に接触する導電ペースト１４は速やかに硬化し
（図３（ｃ）参照）、チップ１２を引き上げると、バン
プ１４ａを有するフリップチップ１１が完成する。
【００１５】なお、本発明の第一および第二実施例で
は、チップの電極にバンプを形成する場合について説明
しているがウェハの電極にバンプを形成する場合にも本
発明は適用できる。
は、チップの電極にバンプを形成する場合について説明
しているがウェハの電極にバンプを形成する場合にも本
発明は適用できる。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、バ
ンプを簡単に形成できる。また電極の表面の酸化膜を破
壊してその新鮮面を露出させることにより、バンプと電
極の接着性と導通性を十分に確保できる。
ンプを簡単に形成できる。また電極の表面の酸化膜を破
壊してその新鮮面を露出させることにより、バンプと電
極の接着性と導通性を十分に確保できる。
【図１】本発明の第一実施例のフリップチップの斜視図
【図２】本発明の第一実施例のバンプの形成方法の説明
図
図
【図３】本発明の第二実施例のバンプの形成方法の説明
図
図
【図４】本発明の第二実施例の電極の部分拡大図
【図５】従来のフリップチップの部分断面図
１１ フリップチップ １２ チップ １３、１７ 電極 １４ 導電ペースト １４ａ バンプ １７ａ 酸化膜 １８ 振動子
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平７−312369（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−102468（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−313246（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−190599（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−218044（ＪＰ，Ａ) 実開 平３−63929（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/60
Claims (2)
- 【請求項１】嫌気性の導電ペースト中にワークの電極を
浸し、この電極に接触する前記導電ペーストを硬化させ
ることを特徴とするバンプの形成方法。 - 【請求項２】前記電極を前記導電ペーストに浸している
ときに、前記電極に超音波振動を付与して、その表面の
酸化膜を破壊することを特徴とする請求項１記載のバン
プの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13341795A JP3183099B2 (ja) | 1995-05-31 | 1995-05-31 | バンプの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13341795A JP3183099B2 (ja) | 1995-05-31 | 1995-05-31 | バンプの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08330309A JPH08330309A (ja) | 1996-12-13 |
| JP3183099B2 true JP3183099B2 (ja) | 2001-07-03 |
Family
ID=15104291
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13341795A Expired - Fee Related JP3183099B2 (ja) | 1995-05-31 | 1995-05-31 | バンプの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3183099B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5245270B2 (ja) * | 2007-03-28 | 2013-07-24 | 日本電気株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
-
1995
- 1995-05-31 JP JP13341795A patent/JP3183099B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08330309A (ja) | 1996-12-13 |
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Legal Events
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