JPH08330308A - バンプの形成方法 - Google Patents

バンプの形成方法

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JPH08330308A
JPH08330308A JP13341695A JP13341695A JPH08330308A JP H08330308 A JPH08330308 A JP H08330308A JP 13341695 A JP13341695 A JP 13341695A JP 13341695 A JP13341695 A JP 13341695A JP H08330308 A JPH08330308 A JP H08330308A
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JP
Japan
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electrode
bump
chip
oxide film
work
Prior art date
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Pending
Application number
JP13341695A
Other languages
English (en)
Inventor
Hideki Nagafuku
秀喜 永福
Tadahiko Sakai
忠彦 境
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP13341695A priority Critical patent/JPH08330308A/ja
Publication of JPH08330308A publication Critical patent/JPH08330308A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 ワークの電極の表面に生じた酸化膜によるバ
ンプと電極の接着不良や導通不良を解消でき、またコス
トダウンを図れるバンプの形成方法を提供することを目
的とする。 【構成】 チップ12の電極13上にスクリーンマスク
23やスキージ25aにより銀ペースト14を塗布す
る。次にチップ12を超音波振動させて、電極13の表
面の酸化膜を破壊し、電極13の新鮮面を露出させる。
続いてキュアを行ってバンプ14a完成させる。バンプ
14aは電極13の新鮮面に接触しており、導通性を十
分に確保できる。またスクリーン印刷手段を用いて作業
性よくバンプ14aを形成できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ウェハやチップなどの
ワークの電極上にバンプを形成するバンプの形成方法に
関するものである。
【0002】
【従来の技術】ウェハやチップなどのワークの電極にバ
ンプ(突出電極)を形成する方法として、従来より様々
な方法が提案されている。以下、従来のバンプの形成方
法の一例について説明する。
【0003】図9は従来のフリップチップの部分断面図
である。フリップチップ1は、チップ2の表面に設けら
れた電極3上にバンプ4が形成されている。電極3はア
ルミニウムであって、空気に触れるとその表面に酸化膜
が生じやすい。酸化膜はバンプ4の接着性を阻害し、電
極3とバンプ4の間で導通不良を生じやすいことから、
電極3の表面には酸化防止のためのバリヤメタルとして
チタン膜5とニッケル膜6が薄く形成されている。チタ
ン膜5やニッケル膜6は蒸着手段により形成される。ま
たバンプ4の素材は金であって、メッキ手段によりニッ
ケル膜6上に積層形成される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
方法は、蒸着手段やメッキ手段により電極3上にチタン
膜5、ニッケル膜6、バンプ4を順次形成していくた
め、工程数が多く、しかもバンプの素材として高価な金
を用いることもあって、コストアップになりやすく、更
には歩留りも低いという問題点があった。
【0005】したがって本発明は、ワークの電極の表面
に生じた酸化膜による接着不良や導通不良を解消できる
ワークの形成方法を提供することを目的とする。また低
コストでバンプを形成できるバンプの形成方法を提供す
ることを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】このために本発明は、ワ
ークの電極上にバンプの素材を設ける工程と、この電極
の表面の酸化膜を破壊する工程とからバンプの形成方法
を構成した。
【0007】また酸化膜を破壊する工程を、前記ワーク
に超音波振動を付与して破壊する工程とした。また前記
酸化膜を破壊する工程を、前記電極の表面にエッチング
を施して破壊する工程とした。また前記ワークの電極上
にバンプの素材を設ける工程を、スクリーン印刷手段に
より導電ペーストを塗布する工程とした。
【0008】
【作用】上記構成によれば、電極の表面の酸化膜を超音
波振動やエッチングによって破壊することにより電極の
新鮮面を露出させ、電極とバンプの接着性と導通性を十
分に確保できる。またスクリーン印刷手段により導電ペ
ーストを塗布することにより、作業性よくバンプを形成
できる。
【0009】
【実施例】次に、本発明の実施例を図面を参照しながら
説明する。図1は本発明の第一実施例のフリップチップ
の斜視図である。このフリップチップ11は、チップ1
2の表面に設けられた電極13上に、バンプ14aが形
成されている。次にこのフリップチップ11のバンプ1
4aの形成方法を説明する。
【0010】図2は本発明の第一実施例のバンプの形成
方法の説明図であって、工程順に示している。図3は図
2(a)のA部分の電極の部分拡大図、図4は図2
(c)のB部分の電極の部分拡大図である。また図5は
本発明の第一実施例のスクリーン印刷装置の側面図であ
る。
【0011】図2(a)において、チップ12の表面に
は、保護膜15が形成されている。電極13の素材はア
ルミニウムであり、図3に示すように空気に触れること
により、その表面には酸化膜13aが生じている。図2
(b)に示すように、この電極13上にバンプの素材と
なる銀ペースト14などの導電ペーストを塗布する。図
5は銀ペースト14を電極13上に塗布するためのスク
リーン印刷装置を示している。図中、20はケースであ
って、その内部に以下に述べる要素が設けられている。
21は可動テーブルであり、その上面にZテーブル22
が設けられている。Zテーブル2上にはチップ12(ま
たはウェハ)が位置決めされている。可動テーブル21
が作動すると、チップ12は水平方向へ移動し、またZ
テーブル22が作動すると、チップ12は上下動する。
チップ12を水平移動および上下動させることにより、
スクリーンマスク23に対するチップ12の位置合わせ
を行う。
【0012】Zテーブル22の内部には、振動子24が
設けられている。この振動子24はチップ12を超音波
振動させる。25a、25bはスキージであって、ヘッ
ド部26に上下動自在に結合されている。スキージ25
aとスキージ25bの間には銀ペースト14が投入され
ている。ヘッド部26には送りねじ27が螺合してい
る。したがってモータ28が駆動して送りねじ27が回
転すると、スキージ25a、25bは水平方向へ摺動す
る。ここで、右方へ摺動するときは、左方のスキージ2
5aがスクリーンマスク23に接地し、また左方へ摺動
するときは右方のスキージ25bがスクリーンマスク2
3に接地する。
【0013】スクリーンマスク23の電極13に対応す
る箇所にはパターン孔23aが開孔されており(図2
(b)参照)、スキージ25aまたは25bがスクリー
ンマスク23上を摺動することにより、電極13上にパ
ターン孔23aを通して銀ペースト14が塗布される。
ケース20はパイプ28を通して真空ポンプ29に接続
されている。真空ポンプ29が作動することにより、真
空ケース20の内部は真空引きされ、低酸素濃度状態と
なる。このように低酸素濃度状態とすることにより、チ
ップ12の電極13の表面が酸化されるのを防止してい
る。なお低酸素濃度状態にする方法としては、真空ポン
プ29により真空引きする上記方法以外にも、ケース2
0の内部にチッソガスなどを供給する方法もある。30
はゲートバルブであって、コンベア(図示せず)により
ここからチップ12を出し入れする。
【0014】さて、図2(b)は、図5に示すスクリー
ン印刷装置により電極13上に銀ペースト14を塗布し
ている状態を示している。このようにスキージ25a、
25bを摺動させて銀ペースト14を電極13上に塗布
したならば、Zテーブル22を作動させてチップ12を
下降させ、チップ12をスクリーンマスク23から分離
する。次に振動子24を駆動してチップ12を超音波振
動させる(図2(c)参照)。すると電極13の表面の
酸化膜13aは破壊される。図4は破壊された酸化膜1
3aを示している。超音波振動によれば、酸化膜13a
は細かく破壊され、電極13の新鮮面が露出するので、
銀ペースト14は新鮮な電極13の表面に接着し、電気
的導通状態が確保される。
【0015】以上のように電極13上に銀ペースト14
を設けたならば、チップ12をケース20から取り出
し、キュア炉(図示せず)へ送ってキュアを行い銀ペー
スト14を硬化させる(図2(d)参照)。このキュア
は150°C程度の高温雰囲気中において行う。以上に
より、電極13上に銀ペースト14が硬化してバンプ1
4aが形成される(図2(e)を参照)。なおこの実施
例では、図2(c)に示す段階で超音波振動により酸化
膜13aを破壊しているが、超音波振動を付与するタイ
ミングはこれに限定されないのであって、図2(b)に
示すスクリーン印刷の段階や、図2(d)に示すキュア
の初期段階で行ってもよい。
【0016】また図2(c)〜(e)においては、チッ
プ12をスクリーンマスク23から分離させて、超音波
振動の付与を行っているが、分離させないでこの工程を
行ってもよい。図2(c’)〜(e’)はこの場合の方
法を示している。すなわち図2(c’)において、チッ
プ12はスクリーンマスク23の下面に接合したままで
あり、この状態で振動子24を振動させて超音波を付与
する。すると酸化膜13aは破壊されるが、電極13上
の銀ペースト14はスクリーンマスクのパターン孔23
aの内部に充填された状態を維持しているので、超音波
振動が付与されても形崩れすることはない。続いてチッ
プ12をケース20から取り出してキュア炉へ送ってキ
ュアを行い(図2(d’)参照)、バンプ14aが完成
する(図2(e’)参照)。
【0017】図6は本発明の第二実施例のバンプの形成
方法の説明図である。図6(a)は図2(a)と同じで
ある。さて、本実施例では図6(b)に示すようにエッ
チングを行って酸化膜を除去する。図7は本発明の第二
実施例のエッチング装置の側面図である。31はケース
であり、その内部にテーブル32が設けられている。テ
ーブル32はアース線40で接地されており、その上面
にチップ12が位置決めされている。テーブル32の上
方には電極板33が設けられており、電源34から高周
波の電圧が印加される。ケース31の内部には、パイプ
35を通してアルゴンガスなどのエッチング用ガスが送
られる。またケース31の内部はパイプ36を通して真
空ポンプ37により真空引きされる。38はゲートバル
ブである。
【0018】したがって電極板33に高電圧を印加する
と、電極板33とテーブル32の間にプラスイオンやマ
イナスイオンなどのイオンが発生し、これらのイオンが
電極13の表面に衝突してエッチングし、酸化膜13a
を破壊・除去する。この場合、イオンがチップ12の電
極13以外の部分を痛めないように、チップ12をマス
ク39で覆い(図6(b)参照)、電極13のみを露呈
させておくことが望ましい。図8は図6(b)のC部分
の電極の部分拡大図であって、エッチングにより電極1
3の表面の酸化膜は除去され、電極13の表面には新鮮
面が露出している。なおエッチングの結果、図示するよ
うに電極13の表面は粗面になる。
【0019】以下の工程は、図2(c)〜(e)もしく
は(c’)〜(e’)と同じであって、電極13上に銀
ペースト14を塗布し(図6(c))、続いてキュアを
行ってバンプ14aが完成する(図6(d))。なおこ
の場合も、第一実施例と同様に、振動子24によりチッ
プ12を超音波振動させることが望ましく、このように
することにより、上記エッチングにより除去されずに電
極13上に残存する酸化膜13aをより確実に破壊する
ことができる。
【0020】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ワ
ークの電極表面に生じた酸化膜を破壊することにより、
バンプと接着性と電極の導通性を確保できる。またスク
リーン印刷手段により銀ペーストなどの導電ペーストを
電極上に塗布することにより、作業性よくバンプを形成
できる。また従来例のように電極上にバリヤメタルとし
てのチタン膜やニッケル膜を形成する必要がなく、また
工程を削減でき、また高価な金を不要にできるので、大
巾なコストダウンを図れる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第一実施例のフリップチップの斜視図
【図2】本発明の第一実施例のバンプの形成方法の説明
【図3】本発明の第一実施例の電極の部分拡大図
【図4】本発明の第一実施例の電極の部分拡大図
【図5】本発明の第一実施例のスクリーン印刷装置の側
面図
【図6】本発明の第二実施例のバンプの形成方法の説明
【図7】本発明の第二実施例のエッチング装置の側面図
【図8】本発明の第二実施例の電極の部分拡大図
【図9】従来のフリップチップの部分断面図
【符号の説明】
11 フリップチップ(ワーク) 12 チップ 13 電極 13a 酸化膜 14 銀ペースト 14a バンプ 23 スクリーンマスク 24 振動子 25a、25b スキージ 32 テーブル 33 電極板

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】ワークの電極上にバンプの素材を設ける工
    程と、この電極の表面の酸化膜を破壊する工程と、を含
    むことを特徴とするバンプの形成方法。
  2. 【請求項2】前記酸化膜を破壊する工程が、前記ワーク
    に超音波振動を付与して破壊する工程であることを特徴
    とする請求項1記載のバンプの形成方法。
  3. 【請求項3】前記酸化膜を破壊する工程が、前記電極の
    表面にエッチングを施して破壊する工程であることを特
    徴とする請求項1記載のバンプの形成方法。
  4. 【請求項4】前記ワークの電極上にバンプの素材を設け
    る工程が、スクリーン印刷手段により導電ペーストを塗
    布する工程であることを特徴とする請求項1から3つの
    いずれかに記載のバンプの形成方法。
JP13341695A 1995-05-31 1995-05-31 バンプの形成方法 Pending JPH08330308A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007220959A (ja) * 2006-02-17 2007-08-30 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法
TWI472281B (zh) * 2006-12-15 2015-02-01 Fujitsu Ltd 糊膏印刷機及以糊膏印刷的方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2007220959A (ja) * 2006-02-17 2007-08-30 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法
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