JPS6394640A - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
半導体素子の製造方法Info
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- JPS6394640A JPS6394640A JP23975786A JP23975786A JPS6394640A JP S6394640 A JPS6394640 A JP S6394640A JP 23975786 A JP23975786 A JP 23975786A JP 23975786 A JP23975786 A JP 23975786A JP S6394640 A JPS6394640 A JP S6394640A
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- Japan
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- resin
- molding
- fluororesin film
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- Pending
Links
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、半４体素体を接続された金属端子の端部を露
出させてトランスファモールド方式などにより樹脂体に
より封止する樹脂封止半４体素子の製造方法に関する。
出させてトランスファモールド方式などにより樹脂体に
より封止する樹脂封止半４体素子の製造方法に関する。
第２図に示すようにリード線２を露出させて樹脂体ｌに
よって封止した半４体素子において、樹脂体ｌのぼりが
リード線２に付着していると、プリント板等に装着する
場合、ろう付けが確実に行われないため、ぼり取りが必
要不可欠となる。そのため、トランスファモールドで樹
脂体１を形成後、有機溶剤または弱酸性の薬品に浸清し
、金属と樹脂との間の付着性を低下させまた樹脂を膨潤
させた後、回転バレルあるいは高圧水を用いる機穢的処
理によって不必要部の樹脂を除去していた。 しかるにこの様な方法では、溶剤あるいは薬品処理なら
びにその後の水洗工程の影響で最も重要な素子特性の温
気による低下あるいは表面変色が発生するおそれがある
ため、作業条件の選定が難しく、樹脂がリード線２より
完全に除去されない場合は、はんだ付は性が不良となり
、素子の使用時に不具合が発生することがあった。
よって封止した半４体素子において、樹脂体ｌのぼりが
リード線２に付着していると、プリント板等に装着する
場合、ろう付けが確実に行われないため、ぼり取りが必
要不可欠となる。そのため、トランスファモールドで樹
脂体１を形成後、有機溶剤または弱酸性の薬品に浸清し
、金属と樹脂との間の付着性を低下させまた樹脂を膨潤
させた後、回転バレルあるいは高圧水を用いる機穢的処
理によって不必要部の樹脂を除去していた。 しかるにこの様な方法では、溶剤あるいは薬品処理なら
びにその後の水洗工程の影響で最も重要な素子特性の温
気による低下あるいは表面変色が発生するおそれがある
ため、作業条件の選定が難しく、樹脂がリード線２より
完全に除去されない場合は、はんだ付は性が不良となり
、素子の使用時に不具合が発生することがあった。
本発明は、上述の問題を解決して、溶剤あるいは薬品処
理により電気特性を低下させることなく、またリード線
のような金属端子への樹脂付着によるはんだ付は性の低
下もない樹脂封止半導体素子の製造方法を提供すること
を目的とする。
理により電気特性を低下させることなく、またリード線
のような金属端子への樹脂付着によるはんだ付は性の低
下もない樹脂封止半導体素子の製造方法を提供すること
を目的とする。
本発明は、半導体素体に金属端子を接続後、少なくとも
樹脂成形部および金ＰＡ Ｓｔａ子のそれに近い部分の
表面を弗素樹脂膜で被覆したのち樹脂成形を行うもので
、澄水性の弗素樹脂膜により金属端子上への成形樹脂の
付着力が低下するため、樹脂ばりが簡単な機械的処理に
よって除去可能となり、上記の目的が達成される。
樹脂成形部および金ＰＡ Ｓｔａ子のそれに近い部分の
表面を弗素樹脂膜で被覆したのち樹脂成形を行うもので
、澄水性の弗素樹脂膜により金属端子上への成形樹脂の
付着力が低下するため、樹脂ばりが簡単な機械的処理に
よって除去可能となり、上記の目的が達成される。
第１図（ａｌ〜（ｄｌは本発明の一実施例の工程を示し
、第２図と共通の部分には同一の符号が付されている。 第１図（５）はダイオードチップ３の両面へリード線２
のヘッダ部４を固着した状態を示す、第１図（ｂｌにお
いて、チップ側面を接合被覆樹脂５により被覆したのち
、本発明により液状の弗素樹脂を塗布し、乾燥する事に
より、チップ３．ヘッダ部４およびリード線２のヘッダ
部に近い領域の表面に数ミクロンのｊ７さの薄い弗素樹
脂膜６を形成する。こののち、第１図（Ｃ）に示すよう
に従来と同様にトランスファモールドにより封止樹脂体
ｌを成形する。第１図ｆｄｌは、バレルあるいは高圧水
を用いた機械的処理により第１図ｆｌ１）に見られる成
形樹脂のばり１１およびリード線２の上に残る弗素樹脂
膜６を除去した状態を示す、弗素樹脂Ｗｉ６が介在する
ことによりばり１１は容易に除去される。このようにし
て第２図に示したリードマウント型の樹脂封止ダイオー
ドが得られる。なお、成形樹脂体１とリード４ｍ ２の
間に弗素樹脂１ｆ！６が残留することにより、樹脂体１
とリード線２との直接の密着は得られないが、澄水性の
弗素樹脂の介在により湿気のチップ３への浸入のおそれ
はなく、素子の電気特性の劣化が発生しない。
、第２図と共通の部分には同一の符号が付されている。 第１図（５）はダイオードチップ３の両面へリード線２
のヘッダ部４を固着した状態を示す、第１図（ｂｌにお
いて、チップ側面を接合被覆樹脂５により被覆したのち
、本発明により液状の弗素樹脂を塗布し、乾燥する事に
より、チップ３．ヘッダ部４およびリード線２のヘッダ
部に近い領域の表面に数ミクロンのｊ７さの薄い弗素樹
脂膜６を形成する。こののち、第１図（Ｃ）に示すよう
に従来と同様にトランスファモールドにより封止樹脂体
ｌを成形する。第１図ｆｄｌは、バレルあるいは高圧水
を用いた機械的処理により第１図ｆｌ１）に見られる成
形樹脂のばり１１およびリード線２の上に残る弗素樹脂
膜６を除去した状態を示す、弗素樹脂Ｗｉ６が介在する
ことによりばり１１は容易に除去される。このようにし
て第２図に示したリードマウント型の樹脂封止ダイオー
ドが得られる。なお、成形樹脂体１とリード４ｍ ２の
間に弗素樹脂１ｆ！６が残留することにより、樹脂体１
とリード線２との直接の密着は得られないが、澄水性の
弗素樹脂の介在により湿気のチップ３への浸入のおそれ
はなく、素子の電気特性の劣化が発生しない。
本発明によれば、樹脂成形前にｙＪ膜弗素樹脂の被覆を
施すことにより、金属端子と成形樹脂の密着力を低下さ
せ、はんだ付は性の妨げとなる樹脂ぼりは簡単な機械的
処理により除去可能になる。 さらに、溶剤あるいは薬品処理ならびに水洗工程が不要
となり、また金属端子の基部と成形樹脂の間の弗素樹脂
膜が湿気の浸入を防ぐことにより、湿気による電気特性
の劣化が発生せず、耐湿性のある特性良好な半導体素子
を得ることができる。
施すことにより、金属端子と成形樹脂の密着力を低下さ
せ、はんだ付は性の妨げとなる樹脂ぼりは簡単な機械的
処理により除去可能になる。 さらに、溶剤あるいは薬品処理ならびに水洗工程が不要
となり、また金属端子の基部と成形樹脂の間の弗素樹脂
膜が湿気の浸入を防ぐことにより、湿気による電気特性
の劣化が発生せず、耐湿性のある特性良好な半導体素子
を得ることができる。
第１図は本発明の一実施例の工程を順次示す断面図、第
２図は第１図の工程により製造される。 半導体素子の正面図である。 １：封止樹脂体、２：リード線、３：チップ、６：弗素
樹脂膜。 １え。、Ｖ＋市Ｔ、コ″ 第１図 １２図
２図は第１図の工程により製造される。 半導体素子の正面図である。 １：封止樹脂体、２：リード線、３：チップ、６：弗素
樹脂膜。 １え。、Ｖ＋市Ｔ、コ″ 第１図 １２図
Claims (1)
- １）半導体素体に接続した金属端子の端部を露出させて
成形した樹脂体により半導体素体を封止する際に、半導
体素体に金属端子を接続後、少なくとも樹脂成形部およ
び金属端子の該樹脂成形部に近い部分の表面を弗素樹脂
膜で被覆したのち樹脂成形を行うことを特徴とする半導
体素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23975786A JPS6394640A (ja) | 1986-10-08 | 1986-10-08 | 半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23975786A JPS6394640A (ja) | 1986-10-08 | 1986-10-08 | 半導体素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6394640A true JPS6394640A (ja) | 1988-04-25 |
Family
ID=17049469
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23975786A Pending JPS6394640A (ja) | 1986-10-08 | 1986-10-08 | 半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6394640A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0461363A (ja) * | 1990-06-29 | 1992-02-27 | Nec Corp | 表面実装型プラスチックパッケージ |
| JPH0479999U (ja) * | 1990-11-26 | 1992-07-13 | ||
| CN104037097A (zh) * | 2014-05-23 | 2014-09-10 | 南通皋鑫科技开发有限公司 | 一种塑封轴向二极管胶层涂敷方法 |
-
1986
- 1986-10-08 JP JP23975786A patent/JPS6394640A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0461363A (ja) * | 1990-06-29 | 1992-02-27 | Nec Corp | 表面実装型プラスチックパッケージ |
| JPH0479999U (ja) * | 1990-11-26 | 1992-07-13 | ||
| CN104037097A (zh) * | 2014-05-23 | 2014-09-10 | 南通皋鑫科技开发有限公司 | 一种塑封轴向二极管胶层涂敷方法 |
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