DE19747159B4 - Halbleiterbauteil mit MOS-Gatesteuerung und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents

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Abstract

Halbleiterbauteil mit einer Schicht aus Gate-Isolationsmaterial (31), die über einem Siliziumsubstrat (29, 30) von einem Leitungstyp ausgebildet ist, mit einer über der Gate-Isolationsmaterialschicht (31) ausgebildeten Polysiliziumschicht (32) und mit einer ersten darüberliegenden Isolierschicht (33),
dadurch gekennzeichnet,
daß die erste darüberliegende Isolierschicht (33) eine Vielzahl von darin ausgebildeten, mit Abstand voneinander angeordneten Öffnungen aufweist,
daß die Polysiliziumschicht (32) eine weitere Vielzahl von mit Abstand voneinander angeordneten Öffnungen aufweist, die der Vielzahl von mit Abstand voneinander angeordneten Öffnungen in der ersten darüberliegenden Isolierschicht (33) entsprechen,
daß erste diffundierte Bereiche (40, 41, 42) von Verunreinigungen des anderen Leitungstyps, der zum einen Leitungstyp entgegengesetzt ist, in Oberflächenbereichen des Siliziumsubstrates (29, 30) ausgebildet sind, die unterhalb der weiteren Öffnungen in der Polysiliziumschicht (32) liegen,
daß zweite diffundierte Bereiche (50, 51, 52) von Verunreinigungen des einen Leitungstyps in den Oberflächenbereichen des Siliziumsubstrates (29, 30) ausgebildet sind,
daß dritte diffundierte Bereiche...

Description

  • Die Erfindung bezieht sich auf ein Halbleiterbauteil der im Anspruch 1 genannten Art sowie auf ein Verfahren zu seiner Herstellung.
  • Halbleiterbauteile mit MOS-Gatesteuerung sind in der Technik gut bekannt. Diese Bauteile schließen Leistungs-MOSFET-Bauteile, Thyristoren mit MOS-Gatesteuerung, bipolare Transistoren mit isoliertem Gate (IGBT), Bauteile mit Gate-Abschaltung und dergleichen ein.
  • Die Herstellungsvorgänge für derartige Bauteile schließen typischerweise eine Anzahl von lithographischen Maskierungsschritten ein, die kritische Maskenausrichtschritte einschließen. Jeder dieser kritischen Ausrichtschritte trägt zur Herstellungszeit und zu Herstellungskosten bei und stellt eine mögliche Ursache von Bauteilfehlern dar.
  • Aus der EP 065894041 ist ein durch Feldeffekt steuerbares Halbleiterbauteil bekannt, bei dem in über dem Substrat liegenden Isolier- und Polysiliziumschichten Öffnungen ausgebildet werden, durch die hindurch Basiszonen eindiffundiert werden. Nach der Herstellung von Seitenwand-Abstandsstücken in diesen Öffnungen werden durch die verbleibenden Öffnungen hindurch Kontaktzonen und Emitterzonen eindiffundiert. Eine später aufgebrachte Source-Metallisierung erstreckt sich durch Öffnungen in den Emitterzonen hindurch in die Kontaktzonen.
  • Aus der DE 44085571 A1 ist es weiterhin bekannt, den Kontakt zwischen einer Metallisierung und eindiffundierten Bereichen in dem Substrat über Silizide herzustellen
    •
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, bei einem Halbleiterbauteil bzw. Verfahren der eingangs genannten Art die Anzahl der kritischen Maskenausrichtvorgänge sowie die Anzahl der Maskierungsschritte zu verringern, so dass der Herstellungsertrag vergrößert wird und die Herstellungskosten verringert werden.
  • Diese Aufgabe wird durch die im Patentanspruch 1 bzw. 9 angegebenen Merkmale gelöst.
  • Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.
  • Erfindungsgemäß wird ein neuartiges Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleiterbauteils mit MOS-Gatesteuerung dadurch geschaffen, dass eine selbstausgerichtete Bauteilzelle ohne kritische Ausrichtvorgänge gebildet wird.
  • Gemäß der Erfindung wird ein Halbleiterbauteil dadurch hergestellt, dass eine Schicht aus Gate-Isoliermaterial über einem Siliziumsubstrat von einem Leitungstyp ausgebildet wird. Eine Polysiliziumschicht wird über der Schicht aus Gate-Isoliermaterial abgeschieden. Eine erste darüberliegende Isolierschicht wird abgeschieden oder thermisch aufgewachsen, und ausgewählte Bereiche werden mit einem Muster versehen und fortgeätzt, um mit Abstand angeordnete Öffnungen hierin auszubilden, die darunterliegende Bereiche der Polysiliziumschicht freilegen. Die darunterliegenden Bereiche der Polysiliziumschicht werden fortgeätzt, um mit Abstand voneinander angeordnete Öffnungen zu bilden. Verunreinigungen des anderen Leitungstyps werden in die Oberflächenbereiche des Siliziumsubstrates eingeführt, die sich unterhalb der Öffnungen in der Polysiliziumschicht befinden, um erste diffundierte Bereiche zu bilden. Verunreinigungen des einen Leitungstyps werden in die Oberflächenbereiche des Siliziumsubstrates eingeführt und bilden zweite diffundierte Bereiche. Eine zweite darüberliegende Isolierschicht wird abgeschieden, und ein Teil der zweiten Isolierschicht, der sich oberhalb der ersten darüberliegenden Isolierschicht befindet, wird fortgeätzt, um einen verbleibenden Teil zurückzulassen, der vertikale Seitenwand-Abstandsstücke entlang der Seitenwände in jeder der Öffnungen in der ersten darüberliegenden Isolierschicht und in der Polysiliziumschicht bildet, wobei ein Teil jeder der Oberflächenbereiche des Siliziumsubstrates freigelegt wird. Vertiefungen werden in diesen freiliegenden Teilen des Oberflächenbereiches des Siliziumsubstrates bis zu einer Tiefe eingeätzt, die größer als die der zweiten diffundierten Bereiche ist. Verunreinigungen des anderen Leitungstyps werden in den Teil der Oberflächenbereiche des Siliziumsubstrates eingeführt, um dritte diffundierte Bereiche zu bilden. Die zweiten diffundierten Bereiche haben eine abschließende Tiefe, die kleiner als die der dritten diffundierten Bereiche ist. Alternativ werden die dritten diffundierten Bereiche vor der Abscheidung der zweiten darüberliegenden Isolierschicht gebildet. Die ersten diffundierten Bereiche sind tiefer und breiter als die dritten diffundierten Bereiche, und sie haben eine niedrigere Konzentration als diese.
  • Eine leitende Kontaktschicht wird abgeschieden, und Teile dieser Schicht werden mit einem Muster versehen und fortgeätzt, um zumindest einen Sourcekontakt, der mit den zweiten und dritten diffundierten Bereichen in Kontakt steht, und zumindest einen Gatekontakt zu bilden.
  • Eine weitere leitende Schicht kann abgeschieden und thermisch derart behandelt werden, daß Teile der Schicht, die mit den zweiten und dritten diffundierten Bereichen in Kontakt stehen, eine Metall-Silizid-Schicht bilden, die eine elektrische Verbindung zwischen den zweiten und dritten diffundierten Bereichen ergibt. Teile dieser Schicht, die nicht zur Reaktion gebracht wurden, werden entfernt.
  • Ein Teil der vertikale Seitenwände aufweisenden Abstandsstücke der zweiten darüberliegenden Isolierschicht und ein Teil der ersten darüberliegenden Isolierschicht können vor der Abscheidung der weiteren leitenden Schicht fortgeätzt werden, und die thermische Behandlung dieser leitenden Schicht bildet somit weitere Teile der Metall-Silizid-Schicht, die mit der Polysiliziumschicht in Kontakt stehen und die eine elektrische Verbindung zwischen der Polysiliziumschicht und den zweiten und dritten diffundierten Bereichen ergeben.
  • Verunreinigungen oder Fremdatome können dadurch eingeführt werden, daß die Verunreinigungen durch eine Schicht des Gateisolationsmaterials hindurch in das Siliziumsubstrat implantiert werden, worauf die Verunreinigungen eingetrieben werden. Der eine Leitungstyp kann von N-Leitungstyp sein, während der andere Leitungstyp der P-Leitungstyp sein kann. Die ersten darüberliegenden Isolierschichten können eine thermisch aufgewachsene Oxydschicht sein, während die zweite darüberliegende Schicht eine TEOS-Schicht sein kann.
  • Die weitere leitende Schicht kann Titan oder Wolfram sein. Diese leitende Schicht kann sehr schnell bei 800°C wärmebehandelt werden, oder sie kann sehr schnell bei ungefähr 600°C und nachfolgend bei ungefähr 800°C wärmebehandelt werden.
  • Ausgewählte Bereiche der Polysiliziumschicht können mit einem Muster versehen und fortgeätzt werden, und Verunreinigungen des einen Leitungstyps können in die Polysiliziumschicht eingeführt werden.
  • Eine Schicht aus Feldisolationsmaterial kann dann oberhalb eines Siliziumsubstrates ausgebildet werden, in der zumindest ein ausgewählter Bereich mit einem Muster versehen und fortgeätzt wird, um zumindest eine Öffnung und zumindest einen verbleibenden Teil zu bilden. Die Schicht aus Gateisoliermaterial kann somit oberhalb des Siliziumsubstrates in der Öffnung gebildet werden, und die Polysiliziumschicht kann in gleicher Weise oberhalb der Feldisolations- und Gateisolationsmaterialien gebildet werden. Ausgewählte Bereiche der ersten darüberliegenden Isolierschicht können mit einem Muster versehen und fortgeätzt werden, um erste mit Abstand voneinander angeordnete Öffnungen, die darunterliegende Bereiche der Polysiliziumschicht, die oberhalb der Schicht aus Gateisoliermaterial liegen, freilegen, und zweite mit Abstand voneinander angeordnete Öffnungen zu bilden, die darunterliegende Bereiche der Polysiliziumschicht freilegen, die oberhalb des Feldisolationsmaterials liegen. Die ersten darunterliegenden Bereiche der Polysiliziumschicht können fortgeätzt werden, um weitere mit Abstand voneinander angeordnete Öffnungen zu bilden, und die Verunreinigungen können dann in die Oberflächenbereiche des Siliziumsubstrates eingeführt werden, die unterhalb der weiteren Öffnungen liegen, um die ersten diffundierten Bereiche zu bilden.
  • Die weitere leitende Schicht kann Titan oder Wolfram sein und kann einer schnellen Wärmebehandlung unterworfen werden. Die leitende Kontaktschicht kann ein lötbares Kontaktmaterial einschließen, das oberhalb der zweiten leitenden Schicht abgeschieden ist, und das lötbare Kontaktmaterial kann ein Trimetall einschließen, das jeweilige Schichten aus Titan, Nickel und Silber einschließt. Es kann eine Gate-Sammelschiene ausgebildet werden, die mit einem Teil der Polysiliziumschicht in Kontakt steht, die über der Schicht aus Gatesiolationsmaterial liegt. Das Feldisolationsmaterial kann eine zweite Öffnung einschließen, die an das Halbleiterbauteil angrenzt und einen Straßen- oder Trennbereich (zwischen einzelnen Halbleiterplättchen) bildet, und die Polysiliziumschicht kann ein oder mehrere Polysiliziumringe einschließen, die oberhalb des Feldisolationsmaterials zwischen der Gate-Sammelschiene und dem Straßenbereich liegen.
  • Gemäß einem weiteren Grundgedanken der Erfindung hat ein Halb-leiterbauteil die in der vorstehend angegebenen Weise ausgebildete Struktur.
  • Die kritischen Ausrichtschritte werden dadurch beseitigt, daß ein Niedrigtemperaturoxyd-Seitenwand-Abstandsstück zur Maskierung des Ätzens einer Vertiefung in dem Silizium verwendet wird, und daß eine selektiv ausgebildete Metallschicht zur Verbindung der Polysiliziumschicht mit den N+- und P+-Diffusionsbereichen verwendet wird. Die Niedrigtemperaturoxyd-Seitenwand-Abstandsstücke ergeben in Kombination mit der selek tiv gebildeten Metallschicht eine Struktur, die eine Diffusion von Verunreingigungen zu den parasitären DMOS-Bauteil-Kanälen und an deren Invertierung zur Bildung eines Leckstromes verhindert.
  • Weitere Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden aus der folgenden Beschreibung der Erfindung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen ersichtlich.
    •
  • In der Zeichnung zeigen:
  • 1 eine Querschnittsansicht eines Teils eines Halbleiterplättchens innerhalb einer Silizium-Halbleiterscheibe, nachdem eine Gateoxydschicht, eine Polysilizium schicht und eine Niedertemperaturoxyd-Schicht auf dieser ausgebildet und Öffnungen in diesen Schichten gebildet wurden, und nachdem leicht dotierte P-Bereiche und N+-Bereiche in den Öffnungen ausgebildet wurden,
  • 2 die Struktur nach 1 nach dem Abscheiden und Ätzen einer weiteren Niedrigtemperaturoxyd-Schicht zur Bildung von Seitenwand-Abstandsstücken nach einer anisotropen Siliziumätzung zur Bildung einer Vertiefung durch den N+-Bereich und der Bildung eines P+-Bereiches in den Öffnungen gefolgt von der Abscheidung einer Photolackschicht und deren Mustergebung,
  • 3 die Struktur nach 2, nachdem Teile der Niedrigtemperaturoxyd-Schicht und der Seitenwand-Abstandsstücke entfernt wurden, eine wahlweise selektive Metallschicht ausgebildet wurde und nachfolgend eine Aluminiumschicht abgeschieden und geätzt wurde,
  • 4 eine äquivalente Abschlußschaltung, die durch die in 3 gezeigte Struktur gebildet wird,
  • 5 eine Querschnittsansicht einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, die einen Teil eines Halbleiterplättchens nach der Ausbildung einer Feldoxydschicht und dessen Musterbildung und nach der nachfolgenden Abscheidung einer Gateoxydschicht, einer Polysiliziumschicht und einer Niedertemperaturoxyd-Schicht zeigt,
  • 6 die Struktur nach 5 nach der Ausbildung eines Musters und dem Ätzen der Niedrigtemperaturoxyd- und Polysilizium-Schichten,
  • 7 die Struktur nach 6 nach der Ausbildung der leicht dotierten P-Bereiche und der N+- und P+-Bereiche und nach der nachfolgenden Ausbildung von Seitenwand-Abstandsstücken,
  • 8 die Struktur der 7 nach der Ausbildung eine selektiven Metallstopfens und der nachfolgenden Abscheidung und des Ätzens einer Aluminiumschicht,
  • 9 eine Draufsicht auf die Struktur nach 8, und
  • 10 eine vergrößerte Querschnittsansicht entlang der Schnittlinie 9-9 nach 9.
  • Die folgende Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen der Erfindung beschreibt die Herstellung eines N-Kanal-Leistungs-MOSFET-Bauteils. Die vorliegende Erfindung ist jedoch genauso auf die Herstellung eines P-Kanal-Leistungs-MOSFET-Bauteils anwendbar. Weiterhin kann irgendeine geeignete Modifikation der Grenzschichten verwendet werden, um das gleiche Verfahren für die Herstellung von anderen Bauteilen mit MOS-Gatesteuerung zu verwenden, wie zum Beispiel eines IGBT oder eines Thyristors mit MOS-Gatesteuerung, unabhängig davon, ob das Bauteil ein N-Kanal- oder P-Kanal-Bauteil ist.
  • Die Topologie der Bauteile ist vorzugsweise die von hexagonalen oder sechseckigen Zellen. Es ist jedoch für den Fachmann ersichtlich, daß das Verfahren in gleicher Weise auf Zellen anwendbar ist, die irgendeine polygonale Struktur haben, wie zum Beispiel quadratische oder rechtwinklige Zellen, unabhängig davon, ob sie versetzt oder in einer Linie angeordnet sind, sowie auf ineinander verschränkte Strukturen. Zunächst wird auf 1 Bezug genommen, in der ein Teil einer Halbleiterscheibe oder eines Halbleiterplättchens gezeigt ist, die eine erste Ausführungsform eines Bauteilbereiches 12 gemäß der Erfindung zeigt, der eine sich wiederholende Struktur aufweist. Weiterhin ist ein erstes Beispiel eines Abschlußbereiches 14 gezeigt. Abgeänderte Ausführungsbeispiele von Abschlußbereichen können jedoch genauso anstelle des hier beschriebenen Bereiches 14 eingefügt werden. Es sind lediglich einige der Elemente im Querschnitt gezeigt. Die Halbleiterscheibe kann irgendeine gewünschte Größe aufweisen und wird in eine Vielzahl von Halb leiterplättchen zerschnitten oder unterteilt. In dieser Beschreibung werden die Ausdrücke "Halbleiterplättchen" und "Halbleiterscheibe" in manchen Fällen auswechselbar verwendet.
  • 1 zeigt eine Halbleiterscheibe mit einem N--Hauptteil 30, der aus monokristallinem Silizium gebildet ist. Vorzugsweise ist der N--Hauptteil 30 eine epitaxial ausgebildete Schicht, die auf einem N+-Substrat 29 aufgewachsen wurde. Ein Drain(oder Anoden-) Kontakt kann an dem N+-Substrat angeschlossen werden und kann zur Verbindung an einer der beiden Oberflächen des Halbleiterplättchens verfügbar sein.
  • Der erste Schritt in dem Verfahren gemäß der Erfindung besteht in der Ausbildung einer Isolierschicht 31 über dem N--Hauptteil 30. Die Isolierschicht 31 kann aus einem thermisch aufgewachsenen Siliziumdioxyd bestehen und eine Dicke von ungefähr 25 nm haben.
  • Eine Polysiliziumschicht 32 wird dann über der Oxydschicht 31 abgeschieden und hat beispielsweise eine Dicke von 350. Die Polysiliziumschicht kann in irgendeiner gewünschten Weise ausgebildet werden, doch wird sie vorzugsweise abgeschieden und dann sehr stark mit implantiertem Arsen oder durch einen nachfolgenden CVD-Dotierungsschritt dotiert, beispielsweise durch Einführen von POCl3 in das Polysilizium.
  • Danach wird eine erste darüberliegende Oxydschicht 33 über der Polysiliziumschicht mit einer Dicke von vorzugsweise 700 nm ausgebildet. Vorzugsweise besteht die erste darüberliegende Oxydschicht aus einer thermisch aufgewachsenen Oxydschicht, die über dem Polysilizium aufgewachsen wurde. Andere Materialien, wie zum Beispiel Niedrigtemperaturoxyd (LTO), durch chemische Dampfabscheidung unter Plasmaverstärkung (PECVD) abgeschiedenes Oxyd (PECVD TEOS) oder in einem Ofen abgeschiedenes TEOS kann jedoch ebenfalls verwendet werden. Weiterhin kann die Schicht mit Phosphor dotiert werden.
  • Nach der Abscheidung der ersten darüberliegenden Oxydschicht 33 wird dann eine geeignete (nicht gezeigte) Photoabdeck- oder Photolackschicht über der ersten darüberliegenden Oxydschicht ausgebildet und mit Hilfe eines geeigneten photolithographischen Maskierungsschrittes mit einem Muster versehen, um in dem Photolack Öffnungen zur Oberfläche der ersten darüberliegenden Schicht zu bilden. Ein anisotroper Oxyd-Ätzvorgang bildet dann eine Öffnung aus, die bis zur Polysiliziumschicht 32 reicht. Die Polysiliziumschicht wird dann in einem nachfolgenden anisotropen Ätzvorgang geätzt, der entsprechende Öffnungen bis herunter zur Gateoxydschicht bildet. Vorzugsweise sollten die Seitenwände der ersten Oxydschicht und der Polysiliziumschicht so weit wie möglich vertikal sein, um die nachfolgenden Implantierungsschritte genau zu definieren.
  • Danach kann die darunterliegende freiliegende Gateoxydschicht 31 unter Verwendung einer isotropen Naßätzung oder einer anisotropen Plasmaätzung entfernt werden. Es ist jedoch auch möglich, die Gateoxydschicht bei diesem Schritt intakt zu lassen und dann nachfolgend Ionen mit einer ausreichend hohen Energie zu implantieren, die die dünne Gateoxydschicht durchdringt.
  • Die vorstehend verwendeten anisotropen und isotropen Ätzvorgänge sind für den Fachmann gut bekannt, und irgendein geeigneter Ätzvorgang kann für diese Schritte ausgewählt werden.
  • Danach wird die Photolackschicht abgestreift und eine 7,5 E13-Borimplantierung wird bei einer Energie von 80 keV durch die Öffnung in der ersten darüberliegenden Schicht und der Polysiliziumschicht und in das freiliegende Silizium ausgeführt. Nach der Implantierung wird die Borimplantierung vom P-Leitungstyp bei ungefähr 1175°C über vorzugsweise ungefähr 30 Minuten eingetrieben, um Kanalbereiche 42 und Abschlußbereiche 40, 41 und 43 zu bilden.
  • Eine relativ hohe N+-Dosis von beispielsweise 3 E15 Arsen oder Phosphor wird dann durch die Öffnungen in den darüberlie genden Oxyd-/Polysiliziumschichten mit einer Energie von ungefähr 120 keV implantiert, um nachfolgend die Source-Bereiche 505' und 52 zu bilden. Ein Diffusionsschritt kann dann folgen.
  • Danach wird eine zweite darüberliegende Oxydschicht über der Oberfläche der Halbleiterscheibe nach 1 mit einer Dicke von ungefähr 700 ausgebildet. Vorzugsweise besteht die zweite darüberliegende Oxydschicht aus einem in einem Ofen abgeschiedenen TEOS. Andere Materialien, wie z.B. LTO, PECVD-Oxyd oder PECVD TEOS können jedoch ebenfalls verwendet werden. Weiterhin kann die Schicht mit Phosphor dotiert werden.
  • Die zweite darüberliegende Schicht wird dann plasmageätzt, so daß im wesentlichen die gesamte zweite darüberliegende Schicht, die über den horizontalen Oberflächen abgeschieden wurde, beseitigt wird, wobei lediglich vertikale Seitenwand-Abstandsstücke 60, 62, 64, 66 verbleiben, die eine Dicke von ungefähr 300 nm haben, wie dies in 2 gezeigt ist. Dann ätzt ein weiterer anisotroper Ätzvorgang in die freiliegende Siliziumoberfläche, so daß Löcher oder Vertiefungen 70, 71 und 72 gebildet werden, die die N+-Bereiche 50, 51 und 52 durchdringen und die die P-Bereiche 40, 41 und 42 erreichen. Aufgrund der vertikalen Seitenwand-Abstandsstücke weisen die Löcher oder Vertiefungen, die in der Siliziumoberfläche ausgebildet werden, einen kleineren Durchmesser als die Öffnungen in der Polysiliziumschicht und der ersten darüberliegenden Oxydschicht auf.
  • Die Vertiefungen werden vorzugsweise bis zu einer Tiefe von ungefähr 50–100 nm geätzt.
  • Danach wird eine Dosis von 3 E15 Bor in das durch das Ätzen der Vertiefungen freigelegte Siliziumsubstrat implantiert, um stark dotierte Bereich 80, 81 und 82 in den P-Leitungstyp-Bereichen 40, 41 und 42 auszubilden. Die Implantation wird bei einer Energie von ungefähr 80 keV ausgeführt. Alternativ und vorzugsweise wird die Bor-Implantation vor der Abscheidung der zweiten darüberliegenden Oxydschicht ausgeführt, wobei zu dieser Zeit die Bereich 80, 81 und 82 gebildet werden.
  • Eine zweite Photolackschicht 88 wird dann über der Oberfläche der Halbleiterscheibe aufgebracht und in einem zweiten photolithographischen Schritt mit einem Muster versehen, um Teile der ersten darüberliegenden Schicht 33 und einen Teil der Seitenwand-Abstandsstücke 60, 62, 64, 66 freizulegen, die die Vertiefungen 70, 71 und 72 umgeben, die in der Siliziumoberfläche ausgebildet sind, wie dies in 2 gezeigt ist. Gemäß einem wesentlichen Grundgedanken der vorliegenden Erfindung werden die Source-, Basis- und Kanalbereiche des Bauteils vorher vor diesem Schritt definiert, so daß die Ausrichtung des zweiten photolithographischen Schrittes gegenüber der Halbleiterscheibe nicht kritisch ist. Wie 2 zeigt, kann die Ausrichttoleranz des zweiten photolithographischen Schrittes in irgendeiner bestimmten Richtung so groß sein, wie der Trennungsabstand zwischen den Wänden eines jeweiligen Seitenwand-Abstandsstückes.
  • Nach der Ausbildung der Öffnungen in dem Photolack werden die freiliegenden Teile der ersten darüberliegenden Schicht und die freiliegenden Teile der Seitenwand-Abstandsstücke durch einen anisotropen Oxyd-Ätzvorgang entfernt, um Kontaktbereiche in den N+-Bereichen 50 und 51 und den N+-Sourcebereichen 52 gemäß 3 freizulegen.
  • Die N+- und P+-Implantierungen werden dann eingetrieben, vorzugsweise bei einer Temperatur von 975°C für 30 Minuten und in einer Stickstoffatmosphäre. Die N+-Bereiche 50, 51 und 52 sind um einen Betrag flacher als die P+-Bereiche 80, 81 und 82, der von dem Konstrukteur ausgewählt und durch die verwendeten Spezies und Dosierungen bestimmt ist. Wenn der Abschlußbereich 14 eingeschlossen ist, und gemäß einem weiteren Grundgedanken der vorliegenden Erfindung, so wird eine Schicht aus Titan über der Oberfläche der Halbleiterscheibe abgeschieden. Die Halbleiterscheibe wird dann einer schnellen thermischen Wärmebehandlung (RTA) unterworfen, so daß die Teile der Titan-Metallschicht, die mit den N+- und P+-Bereichen des Siliziumsubstrates in Kontakt stehen, oder die mit der Polysiliziumschicht in Kontakt stehen, mit dem Silizium reagieren, um Titansilizid zu bilden. Der RTA-Schritt kann bei ungefähr 800°C ausgeführt werden, oder er kann in einem zweistufigen Vorgang ausgeführt werden, bei dem auf eine Wärmebehandlung bei 600°C eine Wärmebehandlung bei 800°C folgt.
  • Die Titansilizid-Schicht dient zur Verbesserung des Kontaktwiderstandes an die N+- und P+-Bereiche 50, 51 und 80, 81 und verbessert damit den Einschaltwiderstand des Bauteils, verbessert die Durchbruchspannung und vergrößert die Stromverarbeitungskapazität des Bauteils. Die Titansilizid-Schicht dient weiterhin als eine Sperrschicht gegen eine Aluminiumwanderung in das Bauteil.
  • Danach werden die nicht zur Reaktion gebrachten Teile der Titanschicht unter Verwendung einer selektiven Naßätzung entfernt, wie zum Beispiel in einer H2SO4/H2O2-Lösung, wobei die Titansilizid-Kontaktbereiche 90, 91 und 92 verbleiben, die in 3 gezeigt sind. Die Titansilizid-Schicht verbindet die P+-Bereiche 70, 71 mit den N+-Bereichen 50, 51, wodurch ein absichtlicher Kurzschluß zwischen den P+- und N+-Bereichen in dem Abschlußbereich 14 gebildet wird. Die Titansilizid-Schicht verbindet weiterhin die Polysiliziumschicht 32 mit den P+- und N+-Bereichen.
  • Die Titanschicht wird weiterhin oberhalb des Bauteilbereiches 12 abgeschieden. Die Halbleiterscheibe wird dann in der vorstehend beschriebenen Weise bearbeitet, um weitere Titansilizid-Kontaktbereiche 92 und 94 gemäß 3 zu bilden. Die Silizid-Kontaktbereiche 93 und 94 sind jedoch nicht für den Betrieb des Bauteilbereiches 12 erforderlich und können in der vorstehend beschriebenen Weise fortgelassen werden.
  • Ein Source-Kontaktmetall, wie zum Beispiel Aluminium, wird dann über der Oberfläche der Halbleiterscheibe abgeschieden. Eine weitere (nicht gezeigte) Photolackschicht wird dann über der Kontaktmetallschicht aufgebracht und in einem photolithographischen Schritt mit einem Muster versehen, um die Gate-Sammelschiene 100 und den Source-Kontakt 101 zu bilden. Die Aus richtung dieses photolithographischen Schrittes gegenüber der Halbleiterscheibe ist ebenfalls nicht kritisch. Nachdem die Photolackschicht mit einem Muster versehen wurde, wird die Kontaktmetallschicht dann in einem anisotropen Ätzvorgang geätzt, um die Gate-Sammelschiene 100 und den Source-Kontakt 101 gemäß 3 zu bilden.
  • Ein (nicht gezeigter) Drain- (oder Anoden-) Kontakt kann dann mit der unteren Oberfläche des N+-Substrates 29 verbunden werden und zur Verbindung an einer der Oberflächen des Halbleiterplättchens zur Verfügung stehen. Wenn das Bauteil ein IGBT ist, sind eine dünne N+-Pufferschicht und eine P+-Bodenschicht ebenfalls an der unteren Oberfläche der Halbleiterscheibe vorhanden.
  • 4 zeigt die Äquivalentschaltung des Abschlußbereiches 14 nach 3. Ein Drainkontakt ist zu dem N+-Substrat 29 und zu dem Titansilizid-Segment 90 nach 3 hergestellt, um die Substrate der Abschlußbauteile 110, 111 und 112 mit dem Drainanschluß des Bauteils 110 zu verbinden.
  • Der in 4 gezeigte Sourceanschluß stellt den Source-Aluminiumkontakt 101 nach 3 dar, und der in 4 gezeigte Gateanschluß stellt die Gate-Sammelschiene 100 nach 3 dar. Es sei bemerkt, daß das in 3 gezeigte Titansilizid-Segment 32 die Drain-Elektrode des Bauteils 112 mit der Source und dem Gate des Bauteils 111 nach 4 verbindet. Das in 3 gezeigte Silizidsegment 91 verbindet die Drainelektrode des Bauteils 111 mit der Sor uce und dem Gate des Bauteils 110 nach 4.
  • Ein weiterer Grundgedanke der Erfindung, der eine Halbleiterscheibe mit einem alternativen Bauteilbereich 16 und einem alternativen Abschlußbereich 18 zeigt, ist in 5 gezeigt. Es sei bemerkt, daß der Abschlußbereich 16 in das Bauteil 12 nach 3 anstelle des Abschlußbereiches 14 eingefügt werden kann. In ähnlicher Weise kann der Abschlußbereich 14 nach 3 mit dem Bauteilbereich 16 nach 5 verwendet werden.
  • Eine in 5 gezeigte Feldoxydschicht 120 wird über dem N--Hauptteil 30 vor der Ausbildung einer Gatoxydschicht ausgebildet. Eine Photolackschicht wird oberhalb des Feldoxydes abgeschieden und dann in einem ersten photolithographischen Maskierungsschritt mit einem Muster versehen, um Öffnungen in der Feldoxydschicht zu bilden. Die freiliegenden Teile des Feldoxydes werden dann fortgeätzt, um die aktiven Bauteilbereiche freizulegen. Die Gateoxyd-Isolierschicht 131 wird dann über den aktiven Bauteilbereichen aufgewachsen, und die Polysiliziumschicht 132 und die erste darüberliegende Oxydschicht 133 werden dann über den Gateoxyd- und Feldoxyd-Schichten in der vorstehend beschriebenen Weise ausgebildet. Das Bauteil kann dann in einer Weise verarbeitet werden, die der vorstehend beschriebenen Weise ähnlich ist.
  • Wie dies in 6 gezeigt ist, kann eine zweite (nicht gezeigte) Photolackschicht dann über der ersten darüberliegenden Oxydschicht 133 ausgebildet und in einem geeigneten photolithographischen Maskierungsschritt mit einem Muster versehen werden, um Öffnungen zur Oberfläche der ersten darüberliegenden Schicht zu bilden. Der freiliegende Teil der ersten darüberliegenden Oxydschicht wird dann geätzt, um entsprechende Öffnungen 135, 136 und 137 in der ersten darüberliegenden Oxydschicht auszubilden, die Teile der Polysiliziumchicht freilegen.
  • Gemäß diesem Grundgedanken der vorliegenden Erfindung wird eine dritte Photolackschicht 134 dann über der Oberfläche der Halbleiterscheibe abgeschieden und mit einem Muster versehen, um die aktiven Bauteilbereiche freizulegen. Die Ausrichtung der dritten Photolackschicht mit der Halbleiterscheibe ist nicht kritisch. Die freiliegenden Teile der Polysiliziumschicht, die über den aktiven Bauteilbereichen 16 liegen, werden dann bis herunter zur Gatoxydschicht geätzt. Die Polysiliziumschicht ist jedoch durch die erste darüberliegende Oxydschicht und nicht durch die zweite Photolackschicht maskiert. Die Photolackschicht dient lediglich dazu, das Ätzen der Bereiche der Polysiliziumschicht oberhalb des Feldoxydes zu verhindern, wie dies in 6 gezeigt ist. Die Photolackschicht wird dann abgestreift.
  • Danach werden gemäß 7 die Kanalimplantierungsbereiche 140 und 141 von P-Leitungstyp implantiert und in der vorstehend beschriebenen Weise eingetrieben. In der ebenfalls vorstehend beschriebenen Weise wird dann die N+-Source-Implantierung durch die Öffnungen in der Polysiliziumschicht und der ersten darüberliegenden Oxydschicht eingeführt, und sie kann dann eingetrieben werden.
  • Bei dieser Ausführungsform wird jedoch die P+-Bor-Basisimplantierung bei einer niedrigeren Dosis von 1 E15 eingeführt, um die in 7 gezeigten Bereiche 180, 181 zu bilden. Danach wird die zweite darüberliegende Oxydschicht dann oberhalb der Oberfläche der Halbleiterscheibe ausgebildet und dann geätzt, wie dies vorstehend beschrieben wurde, um das Seitenwand-Abstandsstück 160 in dem Abschlußbereich 18 und Abstandsstücke 161 und 162 in dem Bauteilbereich 16 auszubilden.
  • Diese Abscheidung kann bei einer ausreichenden Temperatur und Zeit erfolgen, um die P+-Implantierung einzutreiben. Alternativ können die P+- (und N+-) Implantierungen dann bei einer Temperatur von 900°C eingetrieben werden, um flache Source- und Basisbereiche zu bilden. Typischerweise weist der Sorucebereich eine Tiefe von angenähert 0,2 μm auf.
  • Danach werden in der in 8 gezeigten Weise Vertiefungen 170, 171 und 172 anisotrop durch die N+-Schichten hindurch geätzt, um in der vorstehend beschriebenen Weise die P+-Basisschicht zu erreichen.
  • Dann kann eine wahlweise Titanschicht in der vorstehend beschriebenen Weise abgeschieden und dann einer Wwärmebehandlung unterworfen werden, um Titansilizid-Stopfen 190, 191 und 192 im Inneren der Vertiefungen 170, 171 zu bilden. Bei dieser Ausführungsform verbleibt die Gesamtheit jedes der Seitenwand-Abstandsstücke 160, 161, 162 intakt, so daß das Silizid ledig lich in den Vertiefungen gebildet wird. Die Teile des Titans, bei denen keine Reaktion aufgetreten ist, werden dann entfernt, wie dies ebenfalls vorstehend beschrieben wurde. Alternativ wird Wolfram selektiv über den freiliegenden Silizium- und Polysilizium-Bereichen abgeschieden und dann einer Wärmebehandlung unterworfen, um Wolframsilizid-Stopfen zu bilden.
  • Als eine Alternative zu den vorstehenden Verfahrensschritten wird die zweite Photolackschicht mit einem Muster versehen, um Öffnungen in dem Bauteilbereich 16, jedoch nicht in dem Abschlußbereich 18 zu bilden, so daß der nachfolgende Oxydätzschritt Öffnungen 136 und 137, nicht jedoch Öffnungen 135 bildet. Die Abscheidung der dritten Photolackschicht wird zu dieser Zeit nicht ausgeführt. Stattdessen werden die freiliegenden Bereiche der Polysiliziumschicht in dem Bauteilbereich 16 geätzt. Dann werden die P-Leitungstyp-Kanalimplantierung, die N+-Source-Implantierung und die P+-Basisimplantierung ausgeführt, und die zweite darüberliegende Oxydschicht wird dann ausgebildet und geätzt, um Seitenwand-Abstandsstücke 161 und 162 in dem Bauteilbereich 18 zu bilden. Die Vertiefungen 170 und 171 werden danach in dem Bauteilbereich geätzt. Dann wird die dritte Photolackschicht abgeschieden und mit einem Muster versehen, um Öffnungen in dem Abschlußbreich 18 zu bilden, und der freiliegende Teil der ersten darüberliegenden Oxydschicht, der sich in diesem Bereich befindet, wird geätzt. Danach wird Titan oder Wolfram abgeschieden und einer Wärmebehandlung unterworfen, um die Titan- oder Wolframsilizid-Stopfen zu bilden.
  • Danach wird ein Kontaktmetall, wie zum Beispiel Aluminium, über der Oberfläche des Bauteils abgeschieden, um die Öffnungen in den darüberliegenden Oxyd- und Polysilizium-Schichten und die Öffnungen in dem Siliziumsubstrat oberhalb der Stopfen zu füllen, wie dies in 8 gezeigt ist. Alternativ wird, wenn das Titan fortgelassen wird, das Kontaktmetall direkt über den Vertiefungen 170, 171 abgeschieden. Wenn die Silizid-Stopfen 190, 191 vorgesehen sind, verbinden sie die N+-Sourcebereiche mit ihren jeweiligen darunterliegenden P+- Basisbereichen, die im übrigen mit dem Kontaktmetall verbunden sind. Eine vierte Photolackschicht wird dann oberhalb des Aluminiums abgeschieden und unter Verwendung eines vierten unkritischen photolithographischen Schrittes mit einem Muster versehen. Die Aluminiumschicht wird dann geätzt, um die Gate-Sammelschiene 200 und den Sourcekontakt 201 zu bilden.
  • Als weitere Alternative wird lötbares Kontaktmetall, wie z.B. ein Trimetall aus Schichten von Titan, Nickel und Silber über der Oberfläche des Bauteils oberhalb der Aluminiumschicht abgeschieden. Dieses lötbare Deckmaterial wird dann in der vorstehend beschriebenen Weise mit einem Muster versehen und bildet die Gate-Sammelschiene 200 und den Source-Kontakt 201.
  • Es sei weiterhin bemerkt, daß als eine weitere Alternative die Polysiliziumschicht 32 oder 132 ebenfalls Polysilizium-Dioden einschließt. Hier wird die Polysiliziumschicht abgeschieden und dann mit implantiertem Arsen oder Phosphor dotiert, worauf ein zusätzlicher photolithographischer Maskierungsschritt die Diodenbereiche in dem Polysilizium definiert. Die Polysilizium-Dioden werden dann geätzt, worauf der Photolack entfernt wird. Danach wird eine N+-Arsen-Implantation über die gesamte verbleibende Polysiliziumschicht eingeführt. Dann wird die erste darüberliegende Oxydschicht oberhalb der Oberfläche der Halbleiterscheibe abgeschieden und das Verfahren wird in der vorstehend beschriebenen Weise abgesetzt.
  • 9 zeigt eine Draufsicht des im Querschnitt in 8 gezeigten Bauteils. Die Gate-Sammelschiene 200 ist so gezeigt, daß sie mit Teilen der Polysiliziumschicht 132 in Kontakt steht, die über dem Feldoxyd liegt. Der Source-Kontakt 201 ist so gezeigt, als ob er über den Abschlußzellen 220, 222 und 224 liegt, die typischerweise einen Abstand von 1,5 μm haben. Weiterhin sind Bauteilzellen 230 gezeigt, die typischerweise eine Zellengröße von 2,5 μm und einen Abstand von 3,5 μm haben. Eine Querschnittsansicht von zwei dieser Zellen ist in 10 gezeigt.
  • 9 zeigt weiterhin Teile der Polysiliziumringe 240, die über dem Feldoxyd zwischen der Gate-Sammelschiene 200 und der Straße 203 liegen. Die Polysiliziumringe werden auf einem schwimmenden Potential gehalten.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung wird die Dichte der in 9 gezeigten Zellen stark bis zu einer Dichte von ungefähr 20 Mio. Zellen pro Quadratzoll vergrößert.

Claims (16)

  1. Halbleiterbauteil mit einer Schicht aus Gate-Isolationsmaterial (31), die über einem Siliziumsubstrat (29, 30) von einem Leitungstyp ausgebildet ist, mit einer über der Gate-Isolationsmaterialschicht (31) ausgebildeten Polysiliziumschicht (32) und mit einer ersten darüberliegenden Isolierschicht (33), dadurch gekennzeichnet, daß die erste darüberliegende Isolierschicht (33) eine Vielzahl von darin ausgebildeten, mit Abstand voneinander angeordneten Öffnungen aufweist, daß die Polysiliziumschicht (32) eine weitere Vielzahl von mit Abstand voneinander angeordneten Öffnungen aufweist, die der Vielzahl von mit Abstand voneinander angeordneten Öffnungen in der ersten darüberliegenden Isolierschicht (33) entsprechen, daß erste diffundierte Bereiche (40, 41, 42) von Verunreinigungen des anderen Leitungstyps, der zum einen Leitungstyp entgegengesetzt ist, in Oberflächenbereichen des Siliziumsubstrates (29, 30) ausgebildet sind, die unterhalb der weiteren Öffnungen in der Polysiliziumschicht (32) liegen, daß zweite diffundierte Bereiche (50, 51, 52) von Verunreinigungen des einen Leitungstyps in den Oberflächenbereichen des Siliziumsubstrates (29, 30) ausgebildet sind, daß dritte diffundierte Bereiche (80, 81, 2) des anderen Leitungstyps in den Oberflächenbereichen des Siliziumsubstrats (29, 30) ausgebildet sind, wobei die zweiten diffundierten Bereiche (50, 51, 52) eine abschließende Tiefe aufweisen, die kleiner als die der dritten diffundierten Bereiche (80, 81, 82) ist, wobei die ersten diffundierten Bereiche (40, 41, 42) tiefer und breiter sind als die dritten diffundierten Bereiche (80, 81, 82), und eine geringere Konzentration als diese aufweisen, daß eine Vielzahl von vertikalen Seitenwand-Abstandsstücken (62, 64, 66) einer zweiten darüberliegenden Isolierschicht entlang von Seitenwänden in jeder der Öffnungen in der ersten darüberliegenden Isolierschicht (33) und entlang der Seitenwände jeder der weiteren Öffnungen der Polysiliziumschicht (32) ausgebildet ist, wobei die Seitenwand-Abstandsstücke (62, 64, 66) einen Teil jedes der Oberflächenbereiche des Siliziumsubstrates umgeben, daß eine Vielzahl von Vertiefungen (70, 71, 72) in dem Teil der Oberflächenbereiche des Siliziumsubstrates ausgebildet ist, wobei die Vertiefungen eine größere Tiefe aufweisen, als die zweiten diffundierten Bereiche (50, 51, 52), und daß eine leitende Kontaktschicht zumindest einen Sourcekontakt (101), der mit den zweiten und dritten diffundierten Bereichen in Kontakt steht, und zumindest einen Gatekontakt (100) umfaßt.
  2. Halbleiterbauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine weitere leitende Schicht vorgesehen ist, die eine Metallsilizid-Schicht umfaßt, die mit den zweiten und dritten diffundierten Bereichen in Kontakt steht, so daß die Polysiliziumschicht und die zweiten und dritten diffundierten Bereiche elektrisch miteinander verbunden sind.
  3. Halbleiterbauteil nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß ein Teil der vertikalen Seitenwand-Abstandsstücke (62, 64, 66) der zweiten darüberliegenden Isolierschicht und ein Teil der ersten darüberliegenden Isolierschicht (33) derart entfernt werden, daß die Metallsilizid-Schicht mit der Polysiliziumschicht in Kontakt steht, so daß die Polysiliziumschicht und die zweiten und dritten diffundierten Bereiche auf diese Weise elektrisch miteinander verbunden sind.
  4. Halbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 1–3, dadurch gekennzeichnet, daß der eine Leitungstyp der N-Leitungstyp ist, während der andere Leitungstyp der P-Leitungstyp ist.
  5. Halbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 1–4, dadurch gekennzeichnet, daß die Polysiliziumschicht Polysiliziumdioden einschließt, und daß die Polysiliziumschicht Verunreinigungen des einen Leitungstyps einschließt.
  6. Halbleiterbauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß eine Schicht (120) aus Feldisolationsmaterial über dem Siliziumsubstrat ausgebildet ist und zumindest eine darin ausgebildete Öffnung und zumindest einen verbleibenden Teil aufweist, daß eine Schicht (130) aus Gateisolationsmaterial über dem Siliziumsubstrat (29, 30) in der zumindest einen Öffnung in der Schicht (120) aus Feldisolationsmaterial ausgebildet ist, daß die Polysiliziumschicht (132) über dem verbleibenden Teil der Feldisolationsmaterialschicht (120) und über der Gateisolationsmaterialschicht (131) ausgebildet ist, daß die erste darüberliegende Isolierschicht (133) eine Vielzahl von darin ausgebildeten ersten, mit Abstand voneinander angeordneten Öffnungen (135), die darunterliegende Bereiche der Polysiliziumschicht (132) freilegen, die über der Gateisolationsmaterialschicht liegen, und eine Vielzahl von zweiten, mit Abstand voneinander angeordneten Öffnungen aufweist, die darunterliegende Bereiche der Polysiliziumschicht freilegen, die über der Feldisolationsmaterialschicht (120) liegen, daß die Polysiliziumschicht (132) eine weitere Vielzahl von darin ausgebildeten, mit Abstand voneinander angeordneten Öffnungen (136, 137) aufweist, die der Vielzahl von ersten, mit Abstand voneinander angeordneten Öffnungen in der ersten darüberliegenden Isolierschicht entsprechen, und daß die ersten diffundierten Bereiche (140, 141) in Oberflächenbereichen des Siliziumsubstrates ausgebildet sind, die unter den weiteren Öffnungen in der Polysiliziumschicht liegen.
  7. Halbleiterbauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das leitende Kontaktmaterial ein lötbares Kontaktmaterial einschließt, das über der leitenden Kontaktschicht ausgebildet ist.
  8. Halbleiterbauteil nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß das lötbare Kontaktmetall ein Trimetall ist, das jeweilige Schichten aus Titan, Nickel und Silber einschließt.
  9. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils, das die folgenden Schritte umfaßt: Ausbilden einer Schicht aus Gateisolationsmaterial über einem Siliziumsubstrat von einem Leitungstyp, Abscheiden einer Schicht aus Polysilizium über der Gateisolationsmaterialschicht, Abscheiden einer ersten darüberliegenden Isolierschicht, Ausbilden eines Musters und Fortätzen ausgewählter Bereiche der ersten darüberliegenden Isolierschicht zur Bildung einer Vielzahl von mit Abstand voneinander angeordneten Öffnungen in dieser, die darunterliegende Bereiche der Polysiliziumschicht freilegen, Fortätzen der darunterliegenden Bereiche der Polysiliziumschicht, um eine weitere Vielzahl von mit Abstand voneinander angeordneten Öffnungen in dieser auszubilden, Einführen von Verunreinigungen des anderen Leitungstyps, der zu dem ersten Leitungstyp entgegengesetzt ist, in Oberflächenbereiche des Siliziumsubstrats, die unterhalb der weiteren Öffnungen in der Polysiliziumschicht liegen, um erste diffundierte Bereiche zu bilden, Einführen von Verunreinigungen des einen Leitungstyps in die Oberflächenbereiche des Siliziumsubstrats, um zweite diffundierte Bereiche zu bilden, Einführen von Verunreinigungen des anderen Leitungstyps in die Oberflächenbereiche des Siliziumsubstrates zur Bildung dritter diffundierter Bereiche, wobei die zweiten diffundierten Bereiche eine abschließende Tiefe aufweisen, die kleiner als die der dritten diffundierten Bereiche ist, und wobei die ersten diffundierten Bereiche tiefer und breiter als die dritten diffundierten Bereiche sind und eine geringere Konzentration als diese aufweisen, Abscheiden einer zweiten darüberliegenden Isolierschicht, Fortätzen eines Teils der zweiten darüberliegenden Isolierschicht, die über der ersten darüberliegenden Isolierschicht liegt, wodurch ein verbleibender Teil der zweiten darüberliegenden Isolierschicht zurückgelassen wird, der vertikale Seitenwand-Abstandsstücke entlang von Seitenwänden in jeder der Öffnungen der ersten darüberliegenden Isolierschicht und entlang von Seitenwänden in jeder der weiteren Öffnungen in der Polysiliziumschicht bildet, wobei ein Teil jeder der Oberflächenbereiche des Siliziumsubstrates freigelegt wird, Ätzen von Vertiefungen in dem Teil der Oberflächenbereiche des Siliziumsubstrats bis zu einer Tiefe, die größer als die Tiefe der zweiten diffundierten Bereiche ist, Abscheiden einer leitenden Kontaktschicht, und Ausbilden eines Musters und Fortätzen von Teilen der leitenden Kontaktschicht zur Bildung von zumindest einem Sourcekontakt, der mit den zweiten und dritten diffundierten Bereichen in Kontakt steht, und von zumindest einem Gatekontakt.
  10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß es weiterhin die Schritte der Abscheidung einer weiteren leitenden Schicht vor der Abscheidung der leitenden Kontaktschicht, die Wärmebehandlung der weiteren leitenden Schicht derart, daß Teile der weiteren leitenden Schicht, die mit den zweiten und dritten diffundierten Bereichen in Kontakt stehen, eine Metallsilizidschicht bilden, die eine elektrische Verbindung zwischen den zweiten und dritten diffundierten Bereichen ergibt, und die Entfernung von Teilen der weiteren leitenden Schicht, bei denen keine Reaktion aufgetreten ist, umfaßt.
  11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß es weiterhin den Schritt der Ausbildung eines Musters und des Fortätzens eines Teils der vertikalen Seitenwand-Abstandsstücke der zweiten darüberliegenden Isolierschicht und eines Teils der ersten darüberliegenden Isolierschicht vor dem Schritt der Abscheidung der weiteren leitenden Schicht umfaßt, und daß der Schritt der Wärmebehandlung der weiteren leitenden Schicht weitere Teile der Metallsilizidschicht bildet, die mit der Polysiliziumschicht in Kontakt stehen und eine elektrische Verbindung zwischen der Polysiliziumschicht und den zweiten und dritten diffundierten Bereichen ergeben.
  12. Verfahren nach einem der Ansprüche 9–11, dadurch gekennzeichnet, daß der eine Leitungstyp der N-Leitungstyp ist, während der andere Leitungstyp der P-Leitungstyp ist.
  13. Verfahren nach einem der Ansprüche 9–12, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt der Abscheidung einer Polysiliziumschicht weiterhin die Schritte der Ausbildung eines Musters und des Fortätzens ausgewählter Bereiche der Polysiliziumschicht zur Bildung von Polysiliziumdioden und die nachfolgende Einführung von Verunreinigungen des einen Leitungstyps in die Polysiliziumschicht einschließt.
  14. Verfahren nach einem der Ansprüche 9–13, dadurch gekennzeichnet, daß das Verfahren weiterhin die folgenden Schritte umfaßt: Ausbilden einer Schicht aus Feldisolationsmaterial über dem Siliziumsubstrat, Ausbildung eines Musters und Fortätzen von zumindest einem ausgewählten Bereich der Feldisolationsschicht zur Bildung von zumindest einer Öffnung in der Feldisolationsmaterialschicht und zumindest eines verbleibenden Teils, wobei die Gateisolationsmaterialschicht über dem Siliziumsubstrat in der zumindest einen Öffnung in der Feldisolationsmaterialschicht ausgebildet wird, die Polysiliziumschicht über dem verbleibenden Teil der Schicht aus Feldisolationsmaterial und über der Gateisolationsmaterialschicht ausgebildet wird und die ausgewählten Bereiche der ersten darüberliegenden Isolierschicht fortgeätzt werden, um eine Vielzahl von darin ausgebildeten ersten mit Abstand voneinander angeordneten Öffnungen, die darunterliegende Bereiche der Polysiliziumschicht freilegen, die über der Gateisolationsschicht liegen, und eine Vielzahl von zweiten mit Abstand voneinander angeordneten Öffnungen zu bilden, die darunterliegende Bereiche der Polysilziumschicht freilegen, die über der Feldisolationsmaterialschicht liegen, wobei die ersten darunterliegenden Bereiche der Polysiliziumschicht weiter geätzt werden, um eine weitere Vielzahl von mit Abstand voneinander angeordneten Öffnungen darin auszubilden, und wobei Verunreinigungen des anderen Leitungstyp in die Oberflächenbereiche des Siliziumsubstrats eingeführt werden, die unterhalb der weiteren Öffnungen liegen.
  15. Verfahren nach einem der Ansprüche 9–14, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt der Abscheidung einer leitenden Kontaktschicht die Abscheidung eines lötbaren Kontaktmetalls über der leitenden Kontaktschicht einschließt.
  16. Verfahren nach Aspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß das lötbare Kontaktmetall ein Trimetall ist, das jeweilige Schichten aus Titan, Nickel und Silber einschließt.
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