JPH10189969A - 自己整合セルを有するmosゲート型デバイスの製造方法 - Google Patents
自己整合セルを有するmosゲート型デバイスの製造方法Info
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Abstract
己整合素子セルが形成されるプロセスによりMOSゲー
ト型電力用半導体デバイスを作製する。 【解決手段】 きわどいアライメントのステップ数を低
減するために、シリコンにおける凹部のエッチングのマ
スクに側壁スペーサが使用される。オプションの選択的
に形成されるメタルが多結晶シリコン層をP+およびN
+拡散領域に接続する。側壁スペーサは、選択的に形成
されたメタルと協働して、不純物が寄生DMOSチャネ
ルに拡散するのを防止すると共にそれらを反転させてリ
ークを起こすのを防止する。終端領域もこのプロセスに
より形成されてもよい。
Description
関するものであり、更に詳しくは、きわどいアライメン
ト(critical alignment)を伴わずに、削減された数のマ
スクステップを使用して形成されるMOSゲート制御型
(MOS gate controlled reference)(MOSゲート型)
半導体デバイスに関する。
は、当該技術分野では周知であり、1995年8月17
日に出願された日本の国内段階の出願第508797号
に記載されているMOSゲート型デバイスのようなデバ
イスを含む。この出願は引用することによってこの中に
含まれる。これらのデバイスは、電力用MOSFET、
MOSゲート型サイリスタ、絶縁ゲートバイポーラトラ
ンジスタ(IGBT)およびゲートターンオフデバイス
などを含む。
ための製造プロセスは、通常、きわどいマスク合わせの
ステップを含む多数のリソグラフィのマスクステップを
有している。これらのきわどいアライメント(alignmen
t)のステップの各々は、デバイス欠陥の原因を与える可
能性があるだけでなく、製造の時間や費用を増大させ
る。
コストを低減するために、マスクステップの数を削減す
るだけでなく、必要となるきわどいマスク合わせの数を
最小化または解消することが望ましい。
も伴わない自己整合素子セル(a self-aligned deice ce
ll)を形成することによりMOSゲート型電力用デバイ
スの製造のための新規な方法を提供するものである。
導電型のシリコン基板の上にゲート絶縁材料の層を形成
することにより、半導体デバイスが製造される。ゲート
絶縁材料の前記層の上に多結晶シリコンの層が蒸着され
る。上位の第1の絶縁層が蒸着され、または熱成長させ
られ、選択された領域に対しパターン形成およびエッチ
ングが行われて、その領域に、多結晶シリコンの前記層
の下位領域を露出させる、間隙をあけて配置された複数
の開口部が形成される。多結晶シリコンの前記層の前記
下位領域がエッチングされて、間隙をあけて配置された
複数の開口部が形成される。他の導電型の不純物が、多
結晶シリコンの前記層における前記開口部の下に位置す
る前記シリコン基板の表面領域に導入され、第1の拡散
領域を形成する。前記一つの導電型の不純物が前記シリ
コン基板の表面領域に導入され、第2の拡散領域を形成
する。上位の第2の絶縁層が蒸着され、前記上位の第1
の絶縁層の上に在る前記第2の層の一部がエッチングさ
れて、前記上位の第1の絶縁層および多結晶シリコンの
前記層における各開口部内の側壁に沿って垂直な側壁ス
ペーサを形成する残存部分であって、前記シリコン基板
の各表面領域の一部を露出させる残存部分が残される。
前記第2の拡散領域の深さよりも深い深さまで、前記シ
リコン基板の表面領域の露出部分において凹部がエッチ
ングされる。前記他の導電型の不純物が前記シリコン基
板の表面領域に導入されて、第3の拡散領域が形成され
る。前記第2の拡散領域は前記第3の拡散領域よりも浅
い最終深さを有する。この代替としては、前記上位の第
2の絶縁層が蒸着される前に、前記第3の拡散領域が形
成される。前記第1の拡散領域は、前記第3の拡散領域
よりも、深くて広くかつ低い濃度を有する。
部に対しパターン形成およびエッチングが行われて、前
記第2および第3の拡散領域に接触する少なくとも一つ
のソースコンタクトと少なくとも一つのゲートコンタク
トとが形成される。
よび第3の拡散層に接触する該層の部分が前記第2の拡
散層と前記第3の拡散層の間に電気的接続を提供する金
属シリサイド層を形成するように熱処理されてもよい。
この層の未反応部分は除去される。
位の第2の絶縁層の垂直な側壁スペーサの一部および前
記上位の第1の絶縁層の一部に対しエッチングが行われ
てもよく、したがって、この導電層の熱処理は、前記多
結晶シリコン層に接触し前記多結晶シリコン層と前記第
2および第3の拡散領域との間に電気的接続を提供する
前記金属シリサイド層の更なる部分を形成する。
基板に不純物を注入し、その後、その不純物に対しドラ
イブインを行うことにより、不純物を導入することがで
きる。前記一つの導電型はN形とし、前記他の導電型は
P形とすることができる。前記上位の第1の絶縁層は熱
成長による酸化物層とすることができ、上位の第2の絶
縁層はTEOSとすることができる。
ングステンであってもよい。この導電層に対しては、約
800℃で短時間アニールを行ってもよく、まず約60
0℃で短時間アニールを行い、次に約800℃で行うよ
うにしてもよい。前記多結晶シリコン層の選択された領
域に対しパターン形成およびエッチングが行われて多結
晶シリコンのダイオードが形成され、かつ前記一つの導
電型の不純物が前記多結晶シリコン層に導入されるよう
にしてもよい。
ン形成およびエッチングが行われて少なくとも一つの開
口部と少なくとも一つの残存部分とが形成されるフィー
ルド絶縁材料の層がシリコン基板の上に形成されてもよ
い。ゲート絶縁材料の前記層がこのようにして前記開口
部内のシリコン基板の上に形成されてもよく、多結晶シ
リコンの前記層が同様にして前記フィールド絶縁材料お
よびゲート絶縁材料の上に形成されてもよい。前記上位
の第1の絶縁層の選択された領域のパターン形成および
エッチングが行われて、ゲート絶縁材料の前記層の上に
在る多結晶シリコンの前記層の下位領域を露出させる、
間隙をあけて配置された複数の第1の開口部と、フィー
ルド絶縁材料の前記層の上に在る前記多結晶シリコン層
の下位領域を露出させる、間隙をあけて配置された複数
の第2の開口部とが、形成されるようにしてもよい。前
記多結晶シリコン層の前記第1の下位領域がエッチング
されて、間隙をあけて配置された複数の更なる開口部が
形成されてもよく、その後に、前記他の導電型の不純物
が前記更なる開口部の下に位置する前記シリコン基板の
表面領域に導入されて前記第1の拡散領域が形成される
ようにしてもよい。
ンであって、短時間アニールが行われるようにしてもよ
い。前記コンタクト導電層は、前記第2の導電層の上に
蒸着されるはんだ付け可能なコンタクトメタルを有して
いてもよく、前記はんだ付け可能なコンタクトメタル
は、チタン、ニッケルおよび銀の各層を有する3種の金
属を含むようにしてもよい。ゲート絶縁材料の前記層の
上に前記多結晶シリコン層と接触するゲートバスが形成
されるようにしてもよい。前記フィールド絶縁材料は、
前記半導体デバイスの境をなしストリート領域を形成す
る第2の開口部を有していてもよく、前記多結晶シリコ
ン層は、前記ゲートバスと前記ストリート領域との間に
おける前記フィールド絶縁材料の上に位置する一つ以上
の多結晶シリコンのリングを有していてもよい。
スが上記のようにして形成される構造を有している。
コンにおける凹部のエッチングをマスクし、かつ、選択
的に形成されたメタルを使用して前記多結晶シリコン層
を前記N+およびP+拡散領域に接続することにより、
前記きわどいアライメントのステップが解消される。こ
の低温酸化物の側壁スペーサは、前記選択的に形成され
たメタル層と協働して、不純物が寄生DMOS素子チャ
ネルへ拡散しそれらを反転させてリークを生じさせるの
を防止する構造を提供する。
面を参照する本発明の以下の説明から明らかになるであ
ろう。
の記述は、Nチャネル電力用MOSFETデバイスの製
造を説明している。しかし、本発明は、Pチャネル電力
用MOSFETに適用することもできる。さらに、その
デバイスがNチャネルかPチャネルかに拘わらず、IG
BTまたはMOSゲート型サイリスタような他のMOS
ゲート型デバイスの製造用として同一のプロセスを使用
するために、その接合部に対する適切な任意の修正を行
うことができる。
形セルのトポロジーである。しかし、このプロセスは、
インタデジット構造に対してのみならず、オフセットで
あろうとインラインであろうと、正方形または矩形のセ
ルのような任意の多角形構造を有するセルに対しても同
様に適用できる、ということが当業者には明白であろ
う。
し構造を有する本発明の素子領域(device region)12
に第1の実施形態を示すウェハまたはチップの一部が表
されている。また、終端領域(termination region)14
の第1の例も示されている。しかし、ここに説明されて
いるように領域14の代わりに終端領域の代替例が組み
込まれていてもよい。若干の要素のみが断面に示されて
いる。このウェハは、所望の如何なるサイズであっても
よく、複数のチップにダイシングされる。この説明にお
いて、用語「チップ」および「ウェハ」はときおり相互
に交換される。
ディ30を有するウェハを示している。好ましくは、こ
のN−ボディ30は、N+基板29の上に成長させられ
たエピタキシャル形成層(epitaxially formed layer)で
ある。ドレイン(または陽極)コンタクトは、N+基板
に接続されていてもよく、そのチップのいずれかの表面
において接続に利用することもできるであろう。
N−基板30の上への絶縁層31の形成である。この絶
縁層31は、熱成長による二酸化ケイ素とすることがで
き、約250オングストロームの厚みを有するものとす
ることができる。
物層31の上に蒸着され、例えば3500オングストロ
ームの厚みを有する。この多結晶シリコン層は、所望の
如何なる方法によって形成されてもよいが、好ましく
は、蒸着された後、注入されたヒ素で、または、その後
のCVDドーピングステップにより、例えばPOCl3
をその多結晶シリコンに導入することにより、高濃度に
ドープされる。
verlying oxide layer)33は、好ましくは7000オ
ングストロームの厚みで多結晶シリコン層32の上に形
成される。好ましくは、上位の第1の酸化物層は、その
多結晶シリコンの上に成長させられた熱成長の酸化物層
から構成される。しかし、低温酸化物(LTO)のよう
な他の材料、プラズマにより改善された化学蒸着(PE
CVD)による酸化物(plasma-enhanced chemical vapo
r deposited oxide)、PECVD TEOS、またはフ
ァーネス蒸着によるTEOS(furnace deposited TEOS)
を代わりに使用してもよい。さらに、その層にリンをド
ープしてもよい。
切なホトレジスト層(図示せず)が上位の第1の酸化物
層の上に形成され、適切なホトリソグラフィのマスクス
テップによってパターン形成されて前記上位の第1の層
の表面に対するホトレジストにおいて開口部が形成され
る。その後、異方性の酸化物エッチングが多結晶シリコ
ン層32に達する開口部を形成する。この多結晶シリコ
ン層は、その後、下方のゲート酸化物層に向かって、対
応する開口部を形成する後続の異方性エッチングにより
エッチングされる。好ましくは、第1の酸化物および多
結晶シリコンの側壁は、後続の注入ステップ(implant s
tep)を正確に規定するために可能な限りほぼ垂直にすべ
きである。
31は、等方性のウェットエッチングを用いてまたは異
方性のプラズマエッチングにより取り除いてもよい。し
かし、このステップにおいてゲート酸化物層をそのまま
にしておき、その後に、薄いゲート酸化物を貫通する充
分に高いエネルギーでイオンを打ち込むことも可能であ
る。
チングは当業者には周知であり、これらのステップに適
切な任意のエッチングプロセスを選択することができ
る。
7.5E13のホウ素注入のドライブインが、80ke
Vのエネルギーで前記上位の第1の層(the first overl
ying layer)および多結晶シリコン層における開口部を
介して、露出されたシリコンの中へと行われる。この注
入(implant)に続いて、P形ホウ素の注入が好ましくは
ほぼ1175℃で約30分行われることにより、チャネ
ル領域42と終端領域40および41を形成する。
ンの比較的高いN+の注入量(dose)が、上位の酸化物/
多結晶シリコン層における開口部を介して約120ke
Vのエネルギーで打ち込まれることにより、続いてソー
ス領域50および51を形成する。その後に拡散ステッ
プが続いてもよい。
00オングストロームの厚みで図1のウェハの表面の上
に形成される。好ましくは、その上位の第2の酸化物層
は、ファーネス蒸着されたTEOSから構成される。し
かし、LTO、PECVD酸化物またはPECVD T
EOSのような他の材料を使用してもよい。さらに、そ
の層にリンをドープしてもよい。
g layer)は、その後、実質的に、水平表面の上に蒸着さ
れた第2の上層の全てが、図2に示されるように、約3
000オングストロームの厚みを有する側壁スペーサ(s
ide wall spacers)60、62、64、66のみを残し
て取り除かれるように、プラズマエッチングが行われ
る。その後、N+領域50、51および52を貫通して
P領域40、41および42に達する穴70、71およ
び72が形成されるように、露出されたシリコン表面の
中へと別の異方性エッチングが行われる。上記の垂直な
側壁スペーサのために、そのシリコン表面に形成される
穴または凹部(depression)は、多結晶シリコン層および
上位の第1の酸化物層における開口部の直経よりも小さ
い直径を有する。これらの穴は、好ましくは、約500
ないし1000オングストロームの深さまでエッチング
される。
81および82をP形領域40、41および42に形成
するために、3E15の注入量のホウ素が、前記穴のエ
ッチングによって露出されたシリコン基板に注入され
る。この注入は、約80keVのエネルギーで行われ
る。これに代えて、好ましくは、その時点に領域80、
81および82が形成される上位の第2の酸化物層の蒸
着に先だって、ホウ素の注入が行われる。
ェハの表面の上に施され、前記上位の第1の層33およ
び側壁スペーサ60、62、64、66の一部を露出さ
せるために第2のホトリソグラフィのステップによって
パターン形成され、図2に示されるように、シリコン表
面に形成された穴70、71および72を取り囲む。本
発明の重要な態様によれば、このデバイスのソース、ベ
ースおよびチャネル領域は、前もって、このステップの
前に形成され、したがって、第2のホトリソグラフィの
ステップのウェハに対するアライメントは、きわどい(c
ritical)ものではない。図2が示すように、第2のホト
リソグラフィのステップにおけるこのアライメントの許
容誤差は、任意の特定方向に対して、それぞれの側壁ス
ペーサの壁の間の分離距離と同じ大きさであってよい。
後、図3に示されるようにN+領域50および51とN
+ソース52においてコンタクトを露出させるために、
異方性の酸化物エッチングにより、前記上位の第1の層
の露出部と側壁スペーサの露出部が取り除かれる。
インが、好ましくは、窒素雰囲気で30分間975℃で
行われる。設計者によって選択され、使用される種類と
注入量(dose)によって決まる値だけ、N+領域50、5
1および52はP+領域80、81および82よりも浅
い。
の他の態様によれば、チタンの層がウェハの表面上に蒸
着される。その後、シリコン基板のN+およびP+領域
に接触するか又は多結晶シリコン層に接触するチタンの
メタル層の部分がそのシリコンと反応してチタン・シリ
サイドを形成するように、そのウェハは短時間アニール
(rapid thermal annealing)(RTA)を施される。こ
のRTAステップは、約800℃で実行されてもよく、
600℃のアニールの後に800℃のアニールが続く2
段階プロセスで実行されてもよい。
領域50、51および80、81に対する接触抵抗を改
善するのに役立ち、これにより、このデバイスのオン抵
抗を低減し、降伏電圧(breakdown voltage)を向上さ
せ、このデバイスの電流を扱う容量を増大させる。チタ
ン・シリサイド層は、また、このデバイスにおけるアル
ミニウムのマイグレーションの防護壁としても役立つ。
O4/H2O2溶液におけるような選択性ウェットエッチ
ングを用いて除去され、これは、図3に示すようにチタ
ン・シリサイドのコンタクト領域90、91および92
を残存させる。このチタン・シリサイド層は、P+領域
70、71をN+領域50、51に接続し、終端領域1
4におけるP+領域とN+領域の間に意図的な短絡を形
成する。このチタン・シリサイド層は、また、P+およ
びN+領域に多結晶シリコン層32を接続する。
素子領域12の上に蒸着される。その後、図3における
ように更にチタン・シリサイドのコンタクト領域93お
よび94を形成するために、そのウェハは上述のように
処理される。しかし、このシリサイドのコンタクト領域
93、94は、この素子領域12の動作には必要ではな
く、上述のように省略されてもよい。
メタルは、その後、そのウェハ表面の上に蒸着される。
更なるホトレジストが、その後、コンタクトメタル層の
上に施され、ホトリソグラフィのステップにより、ゲー
トバス(gate bus)100およびソースコンタクト101
を形成するようにパターン形成される。ウェハに対する
このホトリソグラフィのステップのアライメントも、き
わどいもの(決定的なもの)ではない。このホトレジス
ト層のパターン形成後、図3に示すようにゲートバス1
00およびソースコンタクト101を形成するために、
コンタクトメタル層が異方性エッチングによりエッチン
グされる。
せず)は、N+基板29の底部表面に接続されてもよい
し、このチップのいずれかの表面への接続のために利用
できるようにされてもよい。このデバイスがIGBTの
場合には、薄いN+緩衝層(buffer layer)およびP+の
底部層(bottom layer)も、そのウェハの底部表面に存在
する。
回路を示している。終端素子(termination device)11
0、111および112の基板と素子110のドレイン
とを接続するために、図3に示されているN+基板29
およびチタン・シリサイドのセグメント90に対して、
ドレインコンタクトがなされている。
れたソースのアルミニウム・コンタクト101を表して
おり、図4に示されたゲート端子は、図3に示されたゲ
ートバス100を表している。図3に示されたチタン・
シリサイドのセグメント92は、図4に示されている素
子111のソースおよびゲートに素子112のドレイン
を接続する、ということに注意すべきである。図3に示
されたチタン・シリサイドのセグメント91は、図4に
示された素子110のソースおよびゲートに素子111
のドレインを接続する。
6および代替の終端領域18を有するウェハを示すもの
であって、図5に表されている。終端領域16は、終端
領域14の代わりに図3の素子12と合体されていても
よい、ということに注意すべきである。同様に、図3の
終端領域14は図5の素子領域16と合体されていても
よい。
れていて、ゲート酸化物層の形成の前に、N−ボディ3
0の上に形成される。ホトレジスト層がそのフィールド
酸化物の上に蒸着され、そして、そのフィールド酸化物
層に開口部を形成するために第1のホトリソグラフィッ
クのマスクステップとしてパターン形成が行われる。そ
のフィールド酸化物の露出部分は、その後、アクティブ
な素子領域(active device areas)を露出させるため
に、エッチングされる。ゲート酸化物の絶縁層131
は、その後、アクティブな素子領域の上に成長させら
れ、多結晶シリコン層132および上位の第1の酸化物
層133が、その後、上述のようにして、ゲート酸化物
層およびフィールド酸化物層の上に形成される。このデ
バイスは、その後、上述と同様の方法で処理されてもよ
い。
ジスト層(図示せず)が、上位の第1の酸化物層133
の上に形成されて、その上位の第1の層の表面に開口部
を形成するために適切なホトリソグラフィックのマスク
ステップによりパターン形成されてもよい。その後、多
結晶シリコン層の一部を露出させる、上位の第1の酸化
物層における対応する開口部135、136および13
7を形成するために、上位の第1の酸化物層の露出部分
がエッチングされる。
ジスト層134がウェハの表面の上に蒸着され、アクテ
ィブな素子領域を露出させるためにパターン形成され
る。この第3のホトレジスト層のウェハに対するアライ
メントはきわどい(critical)ものではない。このアクテ
ィブな素子領域16の上に在る多結晶シリコン層の露出
部分は、その後、ゲート酸化物層に向かって下方へとエ
ッチングされる。しかし、この多結晶シリコン層は、第
2のホトレジスト層によってではなく、むしろ上位の第
1の酸化物層によってマスクされる。このホトレジスト
層は、図6に示されているように、フィールド酸化物上
の多結晶シリコン層領域のエッチングを阻止する役割を
するだけである。このホトレジスト層は、その後に取り
除かれる。
チャネル注入領域140および141に対し、上述のよ
うに注入およびドライブインが行われる。その後、また
上述のように、N+ソース注入が多結晶シリコンおよび
上位の第1の酸化物層における開口部を通して導入さ
れ、その後にドライブインが行われてもよい。
図7に示されているように、領域180、181を形成
するために、より少ない注入量1E15でP+ホウ素ベ
ース注入が導入される。その後、上位の第2の酸化物層
がウェハの表面の上に形成され、その後、終端領域18
において側壁スペーサ160を形成するとともに素子領
域16においてスペーサ161および162を形成する
ために、上述のようにエッチングが行われる。この蒸着
には、P+注入のドライブインを行うに充分な温度と時
間を与えるようにすればよい。それに代えて、浅いソー
スおよびベース領域を形成するために、そのP+(およ
びN+)注入がその後に900℃の温度でドライブされ
るようにしてもよい。通常、このソース領域は、約0.
2ミクロンの深さである。
171および172は、上述のように、N+層を通過し
てP+ベース層に達するように異方性エッチングが行わ
れる。
うにして蒸着され、その後に凹部170、171の内部
にチタン・シリサイドのプラグ(栓)190、191お
よび192を形成するためにアニールされるようにして
もよい。この実施形態では、側壁スペーサ160、16
1、162それぞれの全体は、その凹部にのみシリサイ
ドが形成されるようにそのまま残される。その後、また
上述されているようにチタンの未反応部分が除去され
る。この代替としては、タングステンが、露出されたシ
リコンおよび多結晶シリコン領域の上に選択的に蒸着さ
れ、その後にタングステン・シリサイドのプラグを形成
するためにアニールされる。
て、終端領域18ではなく素子領域16に開口部を形成
するために第2のホトレジストのパターン形成が行わ
れ、その結果、後続の酸化物エッチングが、開口部13
5ではなく開口部136および137を形成する。第3
のホトレジストの蒸着はこの時点では実施されない。そ
の代わりに、素子領域16の多結晶シリコンの露出部分
がエッチングされる。その後、P形チャネル注入、N+
ソース注入およびP+ベース注入が実施され、その後
に、上位の第2の酸化物層が形成され、素子領域18に
側壁スペーサ161および162を形成するためにエッ
チングされる。凹部170および171は、その後、素
子領域においてエッチングされる。その後、終端領域1
8に開口部を形成するために、第3のホトレジスト層の
蒸着およびパターン形成が行われ、この領域内にある上
位の第1の酸化物層の露出部分がエッチングされる。そ
の後、チタンまたはタングステンのシリサイドのプラグ
を形成するために、チタンまたはタングステンの蒸着お
よびアニールが行われる。
層および多結晶シリコン層における開口部とプラグの上
のシリコン基板にける開口部とを埋めるために、アルミ
ニウムのようなコンタクトメタルがデバイスの表面に蒸
着される。これに代えて、チタンが省略されるときに
は、コンタクトメタルが凹部170、171の上に直接
に蒸着される。シリサイドのプラグ190、191は、
それらが含まれているときには、N+ソース領域を、別
にコンタクトメタルによって接続されるそれらそれぞれ
の下位のP+ベース領域に接続する。その後、第4のホ
トレジストがそのアルミニウムの上に蒸着され、第4の
きわどいものではない(non-critical)ホトリソグラフィ
ックのステップを使用してパターン形成が行われる。そ
の後、このアルミニウム層は、ゲートバス200および
ソースコンタクト201を形成するためにエッチングさ
れる。
タクトメタル(solderable contactmetal)、例えば、チ
タン、ニッケルおよび銀の3種の金属を含む層(a trime
talcomprising layers)が、アルミニウム層の上のデバ
イス表面の上に蒸着される。このはんだ付け可能な最上
位のメタル(top metal)は、そのパターン形成が上述の
ようにして行われ、ゲートバス200およびソースコン
タクト201を形成する。
32または132は、また、多結晶シリコンのダイオー
ドを含んでいる、ということにも注意すべきである。こ
の場合、その多結晶シリコン層が蒸着されてから、ヒ素
またはリンでドープされ、その後、更なるホトリソグラ
フィックのマスクステップがその多結晶シリコン内にダ
イオード領域を形成する。この多結晶シリコンのダイオ
ードは、その後、エッチングされ、それからホトレジス
トが取り除かれる。その後、N+のヒ素注入が、残りの
多結晶シリコン層全体へと導入される。その後、上位の
第1の酸化物層がウェハの表面の上に蒸着され、プロセ
スが上述のように継続する。
の上面図を表している。ゲートバス201は、フィール
ド酸化物の上に位置する多結晶シリコン層132の一部
に接触しているところが示されている。ソースコンタク
ト200は、通常、1.5ミクロンのスペーシングを有
する終端セル220、222および224の上に示され
ている。通常、2.5ミクロンのセルサイズおよび3.
5ミクロンのスペーシングを有する素子のセル230も
示されている。これらのセルのうちの2つの断面図が図
10に示されている。
ート203の間のフィールド酸化物の上に位置する多結
晶シリコンの部分も示している。この多結晶シリコンの
リングはフローティング電位の状態になっている。
度は、1平方インチ当たり2000万個のセルという密
度にまで、大きく増大している。
けて説明されたが、当業者にとっては他の変形や修正、
用途が明らかであろう。したがって、本発明は、ここで
の特定の開示内容によって限定されるものではなく、添
付された特許請求の範囲のみによって限定される。
温酸化物層がシリコンウェハ上に形成された後、開口部
がこれらの層に形成された後、並びに低濃度でドープさ
れたP領域およびN+領域がこれらの開口部に形成され
た後における、そのシリコンウェハ内のチップの一部の
断面図である。
の蒸着およびエッチング、N+領域を通過して凹部を形
成する異方性のシリコンエッチング、並びに、ホトレジ
スト層の蒸着およびパターン形成が後に続く前記開口部
におけるP+領域の形成の後における、図1の構造を示
している。
去、オプションの選択メタル層の形成、並びにアルミニ
ウム層の後続の蒸着およびエッチングの後における、図
2の構造を示している。
価回路を示している。
かつパターン形成された後、並びに、ゲート酸化物層、
多結晶シリコン層および低温酸化物層の後続の蒸着の後
における、チップの一部を示す本発明の他の実施形態の
断面図である。
ーン形成およびエッチングの後における、図5の構造を
示している。
+領域の形成、並びに側壁スペーサの後続の形成の後に
おける、図6の構造を示している。
ウム層の後続の蒸着およびエッチングの後における、図
7の構造を示している。
示している。
Claims (16)
- 【請求項1】 半導体デバイスを製造するための方法で
あって、 一つの導電型のシリコン基板の上にゲート絶縁材料の層
を形成するステップと、 ゲート絶縁材料の前記層の上に多結晶シリコンの層を蒸
着するステップと、 上位の第1の絶縁層を蒸着するステップと、 前記上位の第1の絶縁層の選択された領域に対しパター
ン形成およびエッチングを行って、そこに、多結晶シリ
コンの前記層の下位領域を露出させる、間隙をあけて配
置される複数の開口部を形成するステップと、 多結晶シリコンの前記層の前記下位領域をエッチングし
て、その前記領域に、間隙をあけて配置される複数の更
なる開口部を形成するステップと、 前記一つの導電型の反対の導電型である他の導電型の不
純物を、多結晶シリコンの前記層における前記更なる開
口部の下に位置する前記シリコン基板の表面領域に導入
して、第1の拡散領域を形成するステップと、 前記一つの導電型の不純物を前記シリコン基板の前記表
面領域に導入して第2の拡散領域を形成するステップ
と、 前記他の導電型の不純物を前記シリコン基板の前記表面
領域に導入して第3の拡散領域を形成するステップであ
って、前記第2の拡散領域が前記第3の拡散領域よりも
浅い最終深さを有し、前記第1の拡散領域が前記第3の
拡散領域よりも深くて広くかつ低い濃度を有しているス
テップと、 上位の第2の絶縁層を蒸着するステップと、 前記上位の第1の絶縁層の上に在る前記上位の第2の絶
縁層の一部をエッチングすることにより、前記上位の第
1の絶縁層における前記各開口部内の側壁に沿いかつ多
結晶シリコンの前記層における前記更なる各開口部内の
側壁に沿う垂直な側壁スペーサを形成する上位の第2の
絶縁層の残存部分であって前記シリコン基板の前記各表
面領域の一部を露出させる残存部分を残しておくステッ
プと、 前記シリコン基板の前記表面領域の前記一部における凹
部を前記第2の拡散領域の深さよりも深い深さまでエッ
チングするステップと、 コンタクト導電層を蒸着するステップと、 前記コンタクト導電層の一部のパターン形成およびエッ
チングを行って、前記第2および第3の拡散領域に接触
する少なくとも一つのソースコンタクトと少なくとも一
つのゲートコンタクトとを形成するステップと、を有す
る方法。 - 【請求項2】 請求項1の方法において、 前記コンタクト導電層を蒸着する前に他の導電層を蒸着
するステップと、 前記第2および第3の拡散層に接触する前記他の導電層
の一部が、前記第2の拡散層と前記第3の拡散層の間に
電気的接続を提供する金属シリサイド層を形成するよう
に、前記他の導電層を熱処理するステップと、 前記他の導電層の未反応部分を除去するステップと、を
更に有する方法。 - 【請求項3】 請求項2の方法において、 他の導電層を蒸着する前記ステップの前に、前記上位の
第2の絶縁層の垂直な側壁スペーサの一部および前記上
位の第1の絶縁層の一部に対しパターン形成およびエッ
チングを行うステップを更に有し、 前記他の導電層を熱処理する前記ステップが、前記多結
晶シリコン層に接触し前記多結晶シリコン層と前記第2
および第3の拡散領域との間に電気的接続を提供する前
記金属シリサイド層の更なる部分を形成する方法。 - 【請求項4】 請求項1の方法において、前記一つの導
電型はN形であり、前記他の導電型はP形である方法。 - 【請求項5】 請求項1の方法において、多結晶シリコ
ンの層を蒸着する前記ステップは、前記多結晶シリコン
層の選択された領域のパターン形成およびエッチングを
行って多結晶シリコンのダイオードを形成するステップ
と、その後に前記一つの導電型の不純物を前記多結晶シ
リコン層に導入するステップとを更に含んでいる方法。 - 【請求項6】 請求項1の方法において、 前記シリコン基板の上にフィールド絶縁材料の層を形成
するステップと、フィールド絶縁材料の前記層の少なく
とも一つの選択された領域のパターン形成およびエッチ
ングを行って、フィールド絶縁材料の前記層における少
なくとも一つの開口部と少なくとも一つの残存部分とを
形成するステップとを更に有し、 ゲート絶縁材料の前記層がフィールド絶縁材料の前記層
における前記少なくとも一つの開口部内の前記シリコン
基板の上に形成され、 多結晶シリコンの前記層がフィールド絶縁材料の前記層
の前記残存部分の上とゲート絶縁材料の前記層の上とに
形成され、 前記上位の第1の絶縁層の前記選択された領域がエッチ
ングされて、そこに、ゲート絶縁材料の前記層の上に在
る多結晶シリコンの前記層の下位領域を露出させる、間
隙をあけて配置された複数の第1の開口部と、フィール
ド絶縁材料の前記層の上に在る多結晶シリコンの前記層
の下位領域を露出させる、間隙をあけて配置された複数
の第2の開口部とを形成し、 多結晶シリコンの前記層の前記第1の下位領域が更にエ
ッチングされて、そこに、間隙をあけて配置された複数
の更なる開口部を形成し、 前記他の導電型の前記不純物が前記更なる開口部の下に
位置する前記シリコン基板の表面領域に導入される、方
法。 - 【請求項7】 請求項1の方法において、コンタクト導
電層を蒸着する前記ステップは、前記コンタクト導電層
の上にはんだ付け可能なコンタクトメタルを蒸着するス
テップを含んでいる方法。 - 【請求項8】 請求項7の方法において、前記はんだ付
け可能なコンタクトメタルは、チタン、ニッケルおよび
銀の各層を有する3種の金属を含む方法。 - 【請求項9】 一つの導電型のシリコン基板の上に形成
されたゲート絶縁材料の層と、 ゲート絶縁材料の前記層の上に形成された多結晶シリコ
ンの層と、 間隙をあけて配置された複数の開口部を有する上位の第
1の絶縁層であって、該上位の第1の絶縁層において間
隙をあけて配置された前記複数の開口部に対応する、間
隙をあけて配置された更なる複数の開口部を、多結晶シ
リコンの前記層が有する上位の第1の絶縁層と、 前記一つの導電型の反対の導電型である他の導電型の不
純物の第1の拡散領域であって、多結晶シリコンの前記
層における前記更なる開口部の下に位置する前記シリコ
ン基板の表面領域に形成された第1の拡散領域と、 前記シリコン基板の前記表面領域に形成された、前記一
つの導電型の不純物の第2の拡散領域と、 前記シリコン基板の表面領域に形成された前記他の導電
型の第3の拡散領域であって、前記第2の拡散領域が該
第3の拡散領域よりも浅い最終深さを有し、前記第1の
拡散領域が該第3の拡散領域よりも深くて広くかつ低い
濃度を有する第3の拡散領域と、 前記上位の第1の絶縁層における前記各開口部内の側壁
に沿いかつ前記シリコン基板の前記各表面領域の一部を
囲む多結晶シリコンの前記層における前記更なる各開口
部内の側壁に沿って形成された上位の第2の絶縁層の複
数の垂直な側壁スペーサと、 前記シリコン基板の前記表面領域の前記一部に形成さ
れ、前記第2の拡散領域の深さよりも深い深さを有する
複数の凹部と、 前記第2および第3の拡散領域に接触する少なくとも一
つのソースコンタクトと少なくとも一つのゲートコンタ
クトとを含むコンタクト導電層と、を備える半導体デバ
イス。 - 【請求項10】 請求項9のデバイスにおいて、前記多
結晶シリコン層と前記第2および第3の拡散領域とが電
気的に接続されるように前記第2および第3の拡散領域
に接触する金属シリサイド層を含む他の導電層を更に備
えるデバイス。 - 【請求項11】 請求項10のデバイスにおいて、前記
金属シリサイド層が前記多結晶シリコンに接触するよう
に前記上位の第2の絶縁層の前記垂直な側壁スペーサの
一部と前記上位の第1の絶縁層の一部とが除去され、こ
れにより前記多結晶シリコン層と前記第2および第3の
拡散領域とが電気的に接続されるデバイス。 - 【請求項12】 請求項9のデバイスにおいて、前記第
1の導電型がN形であり、前記他の導電型がP形である
デバイス。 - 【請求項13】 請求項9のデバイスにおいて、多結晶
の前記層が多結晶シリコンのダイオードを含み、前記多
結晶シリコン層が前記一つの導電型の不純物を含むデバ
イス。 - 【請求項14】 請求項9のデバイスにおいて、 前記シリコン基板の上に形成され、少なくとも一つの開
口部と少なくとも一つの残存部とを有するフィールド絶
縁材料の層と、フィールド絶縁材料の前記層における前
記少なくとも一つの開口部における前記シリコン基板の
上に形成されたゲート絶縁材料の層とを更に備え、 多結晶シリコンの前記層は、フィールド絶縁材料の前記
層の前記残存部分の上とゲート絶縁材料の前記層の上と
に形成され、 前記上位の第1の絶縁層は、ゲート絶縁材料の前記層の
上に在る多結晶シリコンの前記層の下位領域を露出させ
る、間隙をあけて配置された複数の第1の開口部と、フ
ィールド絶縁材料の前記層の上に在る多結晶シリコンの
前記層の下位領域を露出させる、間隙をあけて配置され
た複数の第2の開口部とを有し、 多結晶シリコンの前記層は、前記上位の第1の絶縁層に
おいて間隙をあけて配置された前記複数の第1の開口部
に対応する、間隙をあけて配置された複数の更なる開口
部を有し、 前記第1の拡散領域は、多結晶シリコンの前記層におけ
る前記更なる開口部の下に位置する前記シリコン基板の
表面領域に形成されているデバイス。 - 【請求項15】 請求項9のデバイスにおいて、前記コ
ンタクト導電層は、前記コンタクト導電層の上に形成さ
れたはんだ付け可能なコンタクトメタルを含んでいるデ
バイス。 - 【請求項16】 請求項15のデバイスにおいて、前記
はんだ付け可能なコンタクトメタルは、チタン、ニッケ
ルおよび銀の各層を有する3種の金属を含んでいるデバ
イス。
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