DE1141852B - Verfahren zum Betriebe einer Vorrichtung zur Gewinnung reinsten Halbleitermaterials, insbesondere Siliziums - Google Patents

Verfahren zum Betriebe einer Vorrichtung zur Gewinnung reinsten Halbleitermaterials, insbesondere Siliziums

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Description

  • Verfahren zum Betriebe einer Vorrichtung zur Gewinnung reinsten Halbleitermaterials, insbesondere Siliziums Zusatz zum Patent 1061593 Gegenstand des Hauptpatentes 1061593 ist eine Vorrichtung zur Gewinnung reinsten Halbleitermaterials, insbesondere Siliziums, für elektrotechnische Zwecke, mittels welcher das Halbleitermaterial in einem abgeschlossenen Gefäß aus der Gasphase auf festen, durch elektrischen Strom direkt beheizten Trägerstäben aus demselben Material, die an einem gemeinsamen Grundkörper gehaltert sind, an welchem sich ein Einlaß für das gasförmige Reaktionsgemisch befindet, abgeschieden wird. Bei einer besonderen Ausführungsform der Vorrichtung ist der Einlaß düsenförmig gestaltet, derart, daß das Frischgasgemisch freistrahlförmig von der Halterungsstelle der Trägerstäbe aus in Längsrichtung der letzteren strömt.
  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Betriebe einer solchen Vorrichtung und besteht darin, daß die Geschwindigkeit des in die Vorrichtung eintretenden Reaktionsgemisches an der Mündung der Einlaßdüse kleiner als 200 m/sec gewählt wird.
  • Zwecks Erzielung großer Abscheidungsmengen ist man an sich bestrebt, die Geschwindigkeit der in das Reaktionsgefäß eintretenden gasförmigen Halbleiterverbindung möglichst groß zu wählen, weil die abgeschiedene Halbleitermaterialmenge unter anderem vom Gasdurchsatz abhängig ist. Eine große Gaseintrittsgeschwindigkeit hat aber einen großen Gasdruck vor der Einlaßöffnung zur Voraussetzung. Dieser Druck kann im Falle einer Verengung des Gasauslasses, z. B. bei einer Verstopfung, auch im Reaktionsraum auftreten und zum Bruch oder zu einem Abheben der Quarzglocke vom Grundkörper führen und damit Ursache für eine Explosion sein. Eine solche wird aber vermieden, indem die Gaseintrittsgeschwindigkeit entsprechend klein gewählt wird. Das hat noch einen weiteren Vorteil; es wurde nämlich gefunden, daß bei der, wie angegeben, verminderten Geschwindigkeit das Halbleitermaterial auf der gesamten Länge der Trägerstäbe mit der Zeit gleichmäßig dick aufwächst. Dies ist vorteilhaft insbesondere beim einkristallinen Aufwachsen des abgeschiedenen Halbleitermaterials, weil man einen solchen einkristallinen Stab ohne weiteres in lauter gleich große Scheiben zersägen kann, die als einkristalline Grundkörper für Halbleiteranordnungen verschiedener Art verwendbar sind. Eine untere Grenze der Gaseintrittsgeschwindigkeit ist durch die Wirtschaftlichkeit gegeben. Aus diesem Grunde empfiehlt es sich, die Geschwindigkeit größer als 100 m/sec zu wählen.

Claims (2)

  1. PATENTANSPRÜCHE; 1. Verfahren zum Betriebe einer Vorrichtung zur Gewinnung reinsten Halbleitermaterials, insbesondere Siliziums, für elektrotechnischeZwecke, mittels welcher das Halbleitermaterial in einem abgeschlossenen Gefäß aus der Gasphase auf festen, durch elektrischen Strom direkt beheizten Trägerstäben aus demselben Material, die an einem gemeinsamen, das Gefäß abschließenden Grundkörper gehaltert sind, an welchem sich ein Eimaß für das gasförmige Reaktionsgemisch befindet, abgeschieden wird und bei welcher der Einlaß düsenförmig gestaltet ist, derart, daß das Frischgasgemisch freistrahlförmig von der Halterungsstelle der Trägerstäbe aus in Längsrichtung der letzteren strömt, nach Patent 1061593, dadurch gekennzeichnet, daß die Geschwindigkeit des in die Vorrichtung eintretenden Reaktionsgemisches an der Mündung der Einlaßdüse kleiner als 200 m/sec gewählt wird.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Geschwindigkeit größer als 100 m/sec gewählt wird.
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