AT226197B - Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Silizium großer Reinheit - Google Patents
Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Silizium großer ReinheitInfo
- Publication number
- AT226197B AT226197B AT552660A AT552660A AT226197B AT 226197 B AT226197 B AT 226197B AT 552660 A AT552660 A AT 552660A AT 552660 A AT552660 A AT 552660A AT 226197 B AT226197 B AT 226197B
- Authority
- AT
- Austria
- Prior art keywords
- decomposition
- gas
- silicon
- heated
- silane
- Prior art date
Links
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
Description
<Desc/Clms Page number 1> Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Silizium grosser Reinheit Im Stammpatent Nr. 202980 ist ein Verfahren beschrieben zur Herstellung von Silizium grosser Rein- heit durch thermische Zersetzung eines Siliziumwasserstoffes auf einer Oberfläche eines Körpers, welcher in einer Zersetzungszone, in welcher der Körper erhitzt wird, angeordnet ist, welches dadurch gekenn- zeichnet ist, dass vollkommen reiner Siliziumwasserstoff, Six4, mit einem Partialdruck, der wesentlich i geringer ist als der Atmosphärendruck, in die erhitzte Zone eingeleitet wird, in welcher die auf über die Zersetzungstemperatur des Siliziumwasserstoffes erhitzte Oberfläche des Körpers angeordnet ist, und die molekulare Konzentration und die Gasgeschwindigkeit so gewählt werden, dass sich der Siliziumwasser- stoff im wesentlichen auf der erhitzten Oberfläche zersetzt. Obwohl das Verfahren nach dem Stammpatent die Herstellung von Silizium mit sehr hoher Reinheit ) erlaubt, hat dieses Verfahren vom Standpunkt des Wirkungsgrades nicht vollkommen befriedigt. Eine ge- wisse Menge von Silan wurde dabei nämlich in der Gasphase zersetzt - an Stelle durch eine Oberflächen- reaktion-und das dabei erzeugte Silizium schlug sich auf verschiedenen Teilen der Vorrichtung in Form eines feinen Staubes nieder. Nach einer bestimmten Zeit verdichtete sich der Staub an bestimmten Stel- len der Apparatur zu kleinen Teilchen, wodurch gewisse Störungen auftraten. Das erfindungsgemässe Verfahren zur Herstellung von Silizium grosser Reinheit durch thermische Zer- setzung eines Siliziumwasserstoffes auf einer Oberfläche eines Körpers, welcher in einer Zersetzungszone, in welcher der Körper erhitzt wird, angeordnet ist, und bei welchem vollkommen reiner Siliziumwasser- stoff, Silt, mit einem Partialdruck, der wesentlich geringer ist als der Atmosphärendruck, In die erhitzte Zone eingeleitet wird, in welcher die auf über die Zersetzungstemperatur des Siliziumwasserstoffes er- hitzte Oberfläche des Körpers angeordnet ist, und die molekulare Konzentration und die Gasgeschwindig- keit so gewählt werden, dass sich der Siliziumwasserstoff im wesentlichen auf der erhitzten Oberfläche zersetzt, nach Patent Nr. 202980, ist dadurch gekennzeichnet, dass neben dem Siliziumwasserstoff noch ein weiteres, gegen das Ausgangsmaterial, die Endprodukte und die Apparaturbestandtelle inertes Gas derart in den Zersetzungsraum eingeleitet wird, dass es den zugeführten Siliziumwasserstoffstrom umgibt und selbst nicht auf die Zersetzungstemperatur erhitzt wird, wodurch die Siliziumabscheidung noch mehr auf die erhitzte Oberfläche des Körpers beschränkt und in der Gasphase noch weiter vermieden wird. Die Erfindung soll im Hinblick auf die Zeichnungen näher beschrieben werden. Fig. 1 zeigt eine Vorrichtung zur Herstellung von Silizium gemäss der Erfindung, und Fig. 2 zeigt einen Schnitt durch das Gaseinleitungsrohr der Vorrichtung nach Fig. 1. Die Vorrichtung nach Fig. 1 besteht aus einem Zersetzungsgefäss aus zwei Glaszylindern 1 und 2 und zwei Metallabschlussplatten 3 und 4. Zwischen den beiden Glaszylindern sind die Dichtungsringe 5 und die damit verbundenen Scheiben 6 angeordnet. Der mittlere Teil der Zersetzungskammer ist umgeben von einer Primärspule 7 und einer Sekundärspule 8, die voneinander durch einen isolierenden Abstands- halter 9 getrennt sind. Im Zersetzungsraum ist eine dritte Spule, die Arbeitsspule 10, angeordnet. Alle drei Spulen sind hohl und werden von Kühlwasser durchflossen. Die Primärspule 7 ist an den Ausgang eines Generators für Radiofrequenz angeschlossen, der in der Zeichnung nicht dargestellt ist. <Desc/Clms Page number 2> EMI2.1 **WARNUNG** Ende DESC Feld kannt Anfang CLMS uberlappen**.
Claims (1)
- <Desc/Clms Page number 3> setzungsraum eingeleitet wird, dass es den zugeführten Siliziumwasserstoffstrom umgibt und selbst nicht auf die Zersetzungstemperatur erhitzt wird, wodurch die Siliziumabscheidung noch mehr auf die erhitzte Oberfläche des Körpers beschränkt und in der Gasphase noch weiter vermieden wird.2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Siliziumwasserstoffgas durch eine zentrale Düse auf die Zersetzungsoberfläche geleitet wird und dass das zusätzliche inerte Gas durch eine oder mehrere konzentrisch zur Silandüse angeordnete Düsen eingeleitet wird.3. Verfahren nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, dass als zusätzliches inertes Gas Wasserstoff verwendet wird.4. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass als Zersetzungszone die Oberfläche eines Siliziumkristallkeimes verwendet wird.5. Vorrichtung zur Ausführung des Verfahrens nach den Ansprüchen 1 bis 4, enthaltend eine Zersetzungskammer, darin Mittel zum Halten eines Kristallkeimes, Mittel zur Erhitzung des Kristallkeimes auf eine Temperatur oberhalb der Zersetzungstemperatur, eine zentrale Düse zum Einleiten des Silan- gases und ein Gasableitrohr zum Ableiten der Gase aus der Zersetzungskammer, dadurch gekennzeichnet, dass eine oder mehrere zusätzliche Düsen (18) zum Einleiten eines weiteren, inerten Gases in den Raum um den Silangasstrom in der Zersetzungskammer angeordnet sind.6. Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass das eine Ende des Gasableitrohres (14) im Zersetzungsraum die Form eines ringförmigen Rohres mit einem kreisförmigen Schlitz (15) hat, welches den Halter (11) für den Kristall umgibt.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
AT202980D | |||
GB226197X | 1959-07-17 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
AT226197B true AT226197B (de) | 1963-03-11 |
Family
ID=25607724
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
AT552660A AT226197B (de) | 1959-07-17 | 1960-07-18 | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Silizium großer Reinheit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
AT (1) | AT226197B (de) |
-
1960
- 1960-07-18 AT AT552660A patent/AT226197B/de active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3630678A (en) | Diamond growth process | |
DE1151782B (de) | Verfahren zum Herstellen hochgereinigter einkristalliner Halbleiterstaebe | |
DE1141852B (de) | Verfahren zum Betriebe einer Vorrichtung zur Gewinnung reinsten Halbleitermaterials, insbesondere Siliziums | |
EP2551239A1 (de) | Verfahren zur Produktion von Polysilicium | |
DE2229229A1 (de) | Verfahren zum herstellen von aus silizium oder siliziumcarbid bestehenden formkoerpern | |
US3138435A (en) | Deposition apparatus and method for forming a pyrolytic graphite article | |
AT226197B (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Silizium großer Reinheit | |
US4131528A (en) | Process for the mass production of ozone | |
EP0012448B1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur selektiven Abtrennung von Wasserstoff aus einer Gasmischung durch Diffusion | |
DE2727649A1 (de) | Verfahren zur behandlung von abgasen einer salpetersaeure-anlage | |
DE1066549B (de) | Verfahren zur Herstellung von chemischen Verbindungen von hohem Reinheitsgrad | |
DE523114C (de) | Trennung von Gasgemischen mit Hilfe eines dampffoermigen Diffusionsmittels | |
MX9601306A (es) | Metodo para remover moleculas halogenadas organicas de corrientes gaseosas y planta relacionada. | |
DE1180723B (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von feinteiliger amorpher Kieselsaeure | |
DE1281396B (de) | Vorrichtung zum Herstellen von kristallinem Halbleitermaterial | |
DE1047181B (de) | Verfahren zur Herstellung von reinstem kristallisiertem Silicium | |
DE307579C (de) | ||
GB1363965A (en) | Process and apparatus for the continuous dearsenification of poly phosphoric acid | |
DE1417786A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Silizium hoher Reinheit | |
CH534744A (de) | Verfahren zum Beschichten einer Unterlage mit einer amorphen, borhaltigen Ablagerung | |
US3145085A (en) | Production of high purity nitrogen | |
DE1501477B2 (de) | Verfahren zum Verhindern der Bildung und zum Entfernen von Feststoffablagerungen an den Innenwänden der Rohre von Wärmetauschern | |
AT209665B (de) | Verfahren zur Abscheidung von Metallüberzügen auf feinverteilten Stoffen | |
AT225750B (de) | Verfahren zum Herstellen von Halbleitermaterial | |
DE953971C (de) | Verfahren zur Herstellung von Blausaeure |