DE112007000338T5 - Temperaturmanagement mittels eines On-Die-Temperatursensors - Google Patents

Temperaturmanagement mittels eines On-Die-Temperatursensors Download PDF

Info

Publication number
DE112007000338T5
DE112007000338T5 DE112007000338T DE112007000338T DE112007000338T5 DE 112007000338 T5 DE112007000338 T5 DE 112007000338T5 DE 112007000338 T DE112007000338 T DE 112007000338T DE 112007000338 T DE112007000338 T DE 112007000338T DE 112007000338 T5 DE112007000338 T5 DE 112007000338T5
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
temperature
memory
temperature data
control
data
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE112007000338T
Other languages
English (en)
Inventor
David San Jose Wyatt
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Intel Corp
Original Assignee
Intel Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Intel Corp filed Critical Intel Corp
Publication of DE112007000338T5 publication Critical patent/DE112007000338T5/de
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/406—Management or control of the refreshing or charge-regeneration cycles
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/30—Monitoring
    • G06F11/3003—Monitoring arrangements specially adapted to the computing system or computing system component being monitored
    • G06F11/3034—Monitoring arrangements specially adapted to the computing system or computing system component being monitored where the computing system component is a storage system, e.g. DASD based or network based
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/30—Monitoring
    • G06F11/3003—Monitoring arrangements specially adapted to the computing system or computing system component being monitored
    • G06F11/3037—Monitoring arrangements specially adapted to the computing system or computing system component being monitored where the computing system component is a memory, e.g. virtual memory, cache
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/30—Monitoring
    • G06F11/3058—Monitoring arrangements for monitoring environmental properties or parameters of the computing system or of the computing system component, e.g. monitoring of power, currents, temperature, humidity, position, vibrations
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/14—Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
    • G11C5/143—Detection of memory cassette insertion or removal; Continuity checks of supply or ground lines; Detection of supply variations, interruptions or levels ; Switching between alternative supplies
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computing Systems (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Arrangements For Transmission Of Measured Signals (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Control Of Temperature (AREA)
  • Radiation Pyrometers (AREA)
  • Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • Debugging And Monitoring (AREA)
  • Memory System (AREA)
  • Microcomputers (AREA)

Abstract

Speichersteuerung, umfassend:
eine Temperatursammlungslogik zum Empfangen und Speichern von Temperaturdaten von einer Vielzahl entfernter Speichereinrichtungen, wobei jede Speichereinrichtung einen On-Die-Temperatursensor umfasst, und
eine mit der Temperatursammlungslogik gekoppelte Steuerungslogik, die einen zumindest teilweise auf den Temperaturdaten basierenden Temperatursteuerungsmechanismus bereitstellt.

Description

  • TECHNISCHES GEBIET
  • Ausführungsformen der Erfindung beziehen sich im Allgemeinen auf das Gebiet integrierter Schaltkreise und insbesondere auf Systeme, Verfahren und Vorrichtungen zum Temperaturmanagement mittels eines On-Die-Temperatursensors.
  • HINTERGRUND
  • Speicher wird häufig auf Module gepackt, die mehrere gleichartige (oder identische) integrierte Schaltkreise (oder zur einfachen Bezugnahme: Chips), wie beispielsweise dynamische RAM(DRAM)-Vorrichtungen enthalten. Das Speichermodul kann auf ein nicht leitendes Substrat (z. B. eine Leiterplatte, vereinfacht: PCB) aufgebrachte Leiterbahnen umfassen. Beispiele für Speichermodule umfassen DIMMs (doppelreihige Speichermodule) und Small Online-DIMMs (SO-DIMMs).
  • Die Temperatur eines Halbleiterspeichers (z. B. DRAM) wird wesentlich durch dessen Aktivitätsgrad (z. B. die Lese- und Schreibgeschwindigkeit in den Speicherzellen) bestimmt. Ist die Temperatur des Speichers zu hoch, so besteht die Gefahr, dass die im Speicher gespeicherten Daten beschädigt werden oder verloren gehen. Ferner kann der Speicher durch zu hohe Temperaturen beschädigt werden. Die Temperaturen der jeweiligen Speichereinrichtungen auf einem Speichermodul können sich in Abhängigkeit von verschiedenen Faktoren, wie beispielsweise dem Nutzungsgrad, der verfügbaren Kühlung und den spezifischen Eigenschaften, voneinander unterscheiden. Die thermischen Einschränkungen von Speichereinrichtungen können zu einer Verringerung der maximalen Datenzugriffsraten, die Speichereinrichtungsschnittstellen unterstützen können, führen.
  • Herkömmliche Ansätze zur Überwindung der thermischen Einschränkungen eines Speichersystems umfassen in der Regel einen externen Temperatursensor. Das heißt, sie umfassen in der Regel einen Temperatursensor, der an den Außenabschnitten eines Speichermoduls angebracht ist. So kann der Temperatursensor beispielsweise auf einer Seite einer PCB (z. B. auf einer Seite eines DIMM oder eines SO-SIMM) befestigt sein. Dieser Temperatursensor erfasst die Temperatur der PCB und versucht, auf Grundlage der Temperatur der PCB eine ungefähre Temperatur der Speichereinrichtungen abzuleiten. Der entfernte Temperatursensor kann in der Lage sein, bei Erreichen eines vorprogrammierten Temperaturschwellenwerts ein Ereignis einzuleiten.
  • Herkömmliche Ansätze zur Überwindung der thermischen Einschränkungen in einem Speichersystem weisen eine Reihe an Unzulänglichkeiten auf. Speichermodule liegen häufig mit der Hauptsystemplatine in einer Ebene. Das heißt, dass eine Seite des Speichermoduls der Hauptsystemplatine zugewandt und die andere Seite des Moduls der Platine abgewandt ist. Jede Seite des Speichermoduls weist wahrscheinlich eine andere Temperatur auf, sodass ein einzelner, auf einer Seite des Moduls angebrachter Temperatursensor kaum in der Lage sein wird, eine korrekte Temperatur von der entgegengesetzten Seite des Moduls abzuleiten.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Ausführungsformen der Erfindung werden anhand von Beispielen in den Figuren der beigefügten Zeichnungen, in denen gleiche Elemente durch Bezugszeichen gekennzeichnet sind, erläutert, ohne auf diese beschränkt zu sein.
  • 1 ist ein High-Level-Blockdiagramm, das ausgewählte Aspekte eines gemäß einer Ausführungsform der Erfindung implementierten Rechensystems zeigt.
  • 2 ist ein High-Level-Blockdiagramm, das ausgewählte Aspekte eines gemäß einer Ausführungsform der Erfindung implementierten Temperaturmanagementsystems zeigt.
  • 3 ist ein Blockdiagramm, das ausgewählte Aspekte eines gemäß einer Ausführungsform der Erfindung implementierten Temperaturmanagementsystems zeigt.
  • 4 ist ein High-Level-Flussdiagramm, das ausgewählte Aspekte des Sammelns und Verarbeitens von Temperaturdaten gemäß einer Ausführungsform der Erfindung zeigt.
  • 5 ist ein Flussdiagramm, das ausgewählte Aspekte des Sammelns und Verarbeitens von Temperaturdaten gemäß einer Ausführungsform der Erfindung zeigt.
  • 6 ist ein Flussdiagramm, das ausgewählte Aspekte einer gemäß einer Ausführungsform der Erfindung implementierten automatischen Drosselungsantwort zeigt.
  • 7 ist ein Blockdiagramm, das ausgewählte Aspekte eines elektronischen Systems gemäß einer Ausführungsform der Erfindung zeigt.
  • 8 ist ein Blockdiagramm, das ausgewählte Aspekte eines elektronischen Systems gemäß einer Ausführungsform der Erfindung zeigt.
  • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG
  • Ausführungsformen der Erfindung beziehen sich im Allgemeinen auf Systeme, Verfahren und Vorrichtungen zum Temperaturmanagement mittels eines On-Die-Temperatursensors. Bei einigen Ausführungsformen umfasst ein integrierter Schaltkreis (z. B. eine Speichersteuerung) eine Temperatursammlungslogik und eine Steuerungslogik. Die Temperatursammlungslogik empfängt und speichert Temperaturdaten von einer Vielzahl entfernter Speichereinrichtungen, die jeweils einen On-Die-Temperatursensor aufweisen. Bei einigen Ausführungsformen stellt die Steuerungslogik einen zumindest teilweise auf den Temperaturdaten basierenden Temperatursteuerungsmechanismus bereit. Weitere Ausführungsformen werden beschrieben und beansprucht.
  • 1 ist ein High-Level Blockdiagramm, das ausgewählte Aspekte eines gemäß einer Ausführungsform der Erfindung implementierten Rechensystems zeigt. Das Rechensystem 100 umfasst einen oder mehrere Prozessoren 110, ein oder mehrere Speichermodule 120 und einen Chipsatz 130. Der Prozessor 110 verarbeitet Daten, die beispielsweise auf dem Speichermodul 120 gespeichert sind. Der Prozessor 110 kann beispielsweise ein Hauptprozessor, ein eingebetteter Prozessor, ein partitionierter Prozessor, ein Multikernprozessor u. ä. sein.
  • Das (die) Speichermodul(e) 120 kann (können) die unterschiedlichsten Strukturen und Pinbelegungen aufweisen. So kann das Speichermodul 120 beispielsweise als ein DIMM, ein SO-DIMM, ein Micro-DIMM u. ä. strukturiert sein. Ein elektrischer Steckkontaktverbinder 121 kann nahezu jede Pinbelegung, einschließlich 240 pin, 144 pin, 72 pin etc., aufweisen.
  • Das Speichermodul 120 umfasst die Speichereinrichtungen 122–128. Zur Vereinfachung der Darstellung sind lediglich vier Speichereinrichtungen abgebildet. Es gilt darauf hinzuweisen, dass Ausführungsformen der Erfindung auch mehr oder weniger Speichereinrichtungen umfassen können. Die Speichereinrichtungen 122–128 können die unterschiedlichsten Speichereinrichtungen, einschließlich beispielsweise DRAMs, sein.
  • Bei einigen Ausführungsformen umfasst jede Speichereinrichtung 122–128 einen entsprechenden On-Die-Temperatursensor 140–148. Der Begriff „On-Die" bezieht sich auf die Anordnung der Temperatursensoren 140–148, die sich jeweils auf demselben Chip wie die entsprechenden Speichereinrichtungen 122–128 befinden. Ein On-Die-Temperatursensor kann einer der unterschiedlichsten On-Die-Temperatursensoren, einschließlich beispielsweise einer Temperaturdiode, sein. Im Gegensatz zu herkömmlichen Systemen sind On-Die-Temperatursensoren 140–148 in der Lage, die tatsächliche Gerätetemperatur der Speichereinrichtungen 122–128 zu erfassen, da sie sich im Inneren der Speichereinrichtungspakete befinden. Darüber hinaus kann bei Ausführungsformen, bei denen jede Speichereinrichtung einen entsprechenden On-Die-Temperatursensor umfasst, die Temperatur jeder Speichereinrichtung einzeln erfasst werden. Wie nachstehend genauer beschrieben wird, ist ein Temperaturmanagementsystem so in der Lage, Temperaturdifferenzen, die beispielsweise auf Unterschiede beim Luftdurchsatz in einem Speichermodul zurückzuführen sind, zu minimieren.
  • Bei alternativen Ausführungsformen umfasst lediglich eine Teilmenge der Speichereinrichtungen 122–128 einen On-Die-Temperatursensor 140–148. So kann beispielsweise bei einigen Ausführungsformen jede N-te (z. B. zweite, dritte, vierte etc.) Speichereinrichtung einen On-Die-Temperatursensor aufweisen. Alternativ kann zumindest eine Speichereinrichtung auf jeder Seite des Speichermoduls 120 einen On-Die-Temperatursensor umfassen. In noch einer anderen Ausführungsformen umfasst zumindest eine Speichereinrichtung auf dem Speichermodul 120 einen On-Die-Temperatursensor.
  • Der Chipsatz 130 umfasst eine Gruppe integrierter Schaltkreise, die zusammenwirken, um Informationen an den Prozessor 110 und von diesem zu übertragen. In der dargestellten Ausführungsform umfasst der Chipsatz 130 einen Speichersteuerungsknoten 132 und eine Ein-/Ausgabesteuerung 134. Der Speichersteuerungsknoten 132 stellt eine Schnittstelle zwischen dem Prozessor 110 und beispielsweise dem Speichermodul 120 und der Ein-/Ausgabesteuerung 134 bereit.
  • Der Speichersteuerungsknoten 132 umfasst eine Speichersteuerung 133, eine Prozessorschnittstelle 136 und eine Ein-/Ausgabeschnittstelle 138. Die Prozessorschnittstelle 136 kann eine Schnittstelle beispielsweise zu einem Frontside-Bus oder einer Cache-kohärenten Verbindung bereitstellen. Die Ein-/Ausgabe-Schnittstelle kann eine Schnittstelle zu einer der unterschiedlichsten Ein-/Ausgabeverbindungen, einschließlich solcher, die auf PCIe(Peripheral Component Interconnect Express Technology)-Technologie basieren, bereitstellen.
  • Bei einigen Ausführungsformen umfasst die Speichersteuerung 133 eine Temperatursammel- und Steuerungslogik 135. Die Temperatursammel- und Steuerungslogik 135 sammelt Temperaturdaten der On-Die-Temperatursensoren 140–148. Der Begriff „Temperaturdaten" bezieht sich im weitesten Sinne auf digitalisierte Informationen, die Aufschluss über die Gerätetemperatur liefern. Der Begriff „Temperaturdaten" kann auch digitalisierte Informationen umfassen, die angeben, ob eine oder mehrere Temperaturschwellen gekreuzt wurden. Bei einigen Ausführungsformen verarbeitet die Temperatursammel- und Steuerungslogik 135 die Temperaturdaten und stellt auf Grundlage des Ergebnisses ein Temperaturmanagement für die Speichereinrichtungen 122–128 bereit. Die Temperatursammel- und Steuerungslogik 135 wird nachstehend unter Bezugnahme auf die 2–6 genauer beschrieben.
  • Bei einer alternativen Ausführungsform kann der Chipsatz 130 mehr oder weniger integrierte Schaltkreise umfassen. Darüber hinaus können die von dem Speichersteuerungsknoten 132 und/oder der Ein-/Ausgabesteuerung 134 bereitgestellten Funktionen durch mehr, weniger und/oder andere integrierte Schaltkreise bereitgestellt sein. So ist die Speichersteuerung 133 bei einigen Ausführungsformen beispielsweise auf demselben Chip wie der Prozessor 110 implementiert.
  • 2 ist ein High-Level-Blockdiagramm, das ausgewählte Aspekte eines gemäß einer Ausführungsform der Erfindung implementierten Rechensystems zeigt. Das Rechensystem 200 umfasst eine Speichersteuerung 210 und ein Speichermodul 220, die über eine Speicherverbindung 240 miteinander verbunden sind. Die Speicherverbindung 240 dient zum Transport von Speicherdaten, Adressinformationen u. ä. zwischen der Speichersteuerung 210 und dem Speichermodul 220. Bei einigen Ausführungsformen ist die Speicherverbindung 240 ein Multidrop-Speicherbus. Bei anderen Ausführungsformen ist die Speicherverbindung 240 eine Punkt-zu-Punkt-Verbindung. Bei noch anderen Ausführungsformen ist die Speicherverbindung 240 eine Cache-kohärente Verbindung.
  • Das Speichermodul 220 umfasst die Speichereinrichtungen 222–228. Bei einigen Ausführungsformen handelt es sich bei den Speichereinrichtungen 222–228 um herkömmliche dynamische Speicher mit wahlweisem Zugriff (DRAM), wie beispielsweise Double Data Rate II (DDR2) DRAM. Bei alternativen Ausführungsformen kann ein anderer Speichereinrichtungstyp verwendet werden. Die Speichereinrichtungen 222–228 umfassen On-Die-Temperatursensoren 230–238. Die On-Die-Temperatursensoren 230–238 erfassen die Temperaturen der entsprechenden Speichereinrichtungen 222–228 und senden die erfassten Temperaturdaten über die Verbindung 240 an die Speichersteuerung 210.
  • Bei einigen Ausführungsformen wird die vorhandene Speicherverbindungssignalisierung und -architektur für den Transport der Temperaturdaten genutzt. So können die Temperaturdaten beispielsweise durch Multiplexen der Temperaturdaten auf einer vorhandenen Speicherverbindung 240 an die Speichersteuerung 210 gesendet werden. Die Temperaturdaten können innerhalb geeigneter Intervalle, wie beispielsweise während einer Ruhephase der Speicherschnittstelle, gemultiplext werden. Die Temperaturdaten können beispielsweise während Auffrischungszyklen, Buskalibrierungszyklen u. ä. gelesen werden. Auf diese Weise lassen sich Ausführungsformen der Erfindung ohne eine gesonderte Signalisierung für das Temperaturmanagement implementieren.
  • Die Speichersteuerung 210 umfasst ein Temperaturmanagementsystem 212 und eine Speicherschnittstelle 218. Bei einigen Ausführungsformen sammelt und verarbeitet das Temperaturmanagementsystem 212 Temperaturdaten von den Temperatursensoren 230–238. Darüber hinaus kann das Temperaturmanagementsystem 212 Temperatursteuerungsmechanismen umfassen, um eine Antwort einzuleiten, wenn die Temperatur der Speichereinrichtungen 222–228 einen Schwellenwert (oder eine dem Schwellenwert zugewiesene Richtlinie) übersteigt. Wie nachstehend genauer beschrieben wird, versetzt das Temperaturmanagementsystem 212 die Speichersteuerung 210 in die Lage, von den On-Die-Temperatursensoren 230–238 bereitgestellte Temperaturdaten zu sammeln, zu verarbeiten und/oder auf diese zu antworten.
  • Bei einigen Ausführungsformen umfasst das Temperaturmanagementsystem 212 eine Temperatursammlungslogik 214 und eine Steuerungslogik 216. Die Temperatursammlungslogik 214 empfängt, speichert und verarbeitet Temperaturdaten von den Speichereinrichtungen 222–228. Die Temperatursammlungslogik 214 kann beispielsweise Sammlungsregister, Sammlungssteuerungsregister, Berechnungsregister u. ä. umfassen. Die Steuerungslogik 216 umfasst eine Logik zum Auslösen eines Temperatursteuerungsmechanismus, wenn die Temperaturdaten (oder die verarbeiteten Temperaturdaten) den Schwellenwert überschreiten. Die Steuerungslogik 216 kann Temperatur-Trip-Steuerungsregister und eine Ereignissteuerungslogik umfassen. Das Temperaturmanagementsystem 212 wird nachstehend unter Bezugnahme auf die 3–6 genauer beschrieben.
  • Es gilt anzumerken, dass die Funktionen der Temperatursammlungslogik 214 und der Steuerungslogik 216 bei einigen Ausführungsformen in einer anderen Weise verteilt sein können. So kann die Steuerungslogik 216 bei einigen Ausführungsformen beispielsweise die von der Sammlungslogik 212 gespeicherten Temperaturdaten verarbeiten. Darüber hinaus kann das Temperaturmanagementsystem 212 mehr, weniger und/oder andere als die in 2 abgebildeten Bauelemente umfassen.
  • 3 ist ein Blockdiagramm, das ausgewählte Aspekte eines gemäß einer Ausführungsform der Erfindung implementierten Temperaturmanagementsystems zeigt. Bei einigen Ausführungsformen befindet sich das Temperaturmanagementsystem 300 auf demselben Chip wie eine Speichersteuerung des Rechensystems. Die Speichersteuerung ihrerseits kann auf demselben Chip wie ein Prozessor liegen oder Teil des System-Chipsatzes sein. Bei noch anderen Ausführungsformen kann das Temperaturmanagementsystem 300 auf einem anderen Chip innerhalb des Chipsatzes implementiert sein.
  • Die Temperatursammlungsregister 302 speichern die von den entsprechenden Speichereinrichtungen (z. B. den in 2 abgebildeten Speichereinrichtungen 222–228) gesammelten Temperaturdaten. Bei einigen Ausführungsformen speichert jedes Temperatursammlungsregister 302 Temperaturdaten für eine Speicherebene (z. B. Ebene 0, Ebene 1, ... Ebene N). Die Temperatursammlungsregister 302 können als eine der unterschiedlichsten Anordnungen von Registern, einschließlich beispielsweise Schieberegister, implementiert sein. Bei einigen Ausführungsformen werden die Temperaturdaten jedes Mal, wenn sie über eine Speicherverbindung gelesen werden, im Temperatursammlungsregister 302 gespeichert. Die für jeden nachfolgenden Lesevorgang genutzten Register 302 können gewechselt werden, sodass die Sammlung der Register 302 den Verlauf der letzten Proben darstellt.
  • Die Temperatursammlungssteuerungsregister 310 speichern Steuerungswerte für das Temperaturmanagementsystem 300. Bei der dargestellten Ausführungsform umfassen die Sammlungssteuerungsregister 310 ein Lesegeschwindigkeitsregister 312 und ein Temperatur-Offsetregister 314. Bei einer alternativen Ausführungsform kann das Sammlungssteuerungsregister 310 mehr, weniger und/oder andere Register umfassen. Der im Register 312 gespeicherte Lesegeschwindigkeitswert gibt die Geschwindigkeit an, mit der Daten von einem oder mehreren entfernten On-Die-Temperatursensoren (z. B. den in 2 dargestellten Temperatursensoren 230–238) abgelesen werden.
  • Das Temperatur-Offsetregister 314 speichert einen oder mehrere Offset-Werte, der (die) genutzt werden kann (können), um die von den entfernten On-Die-Temperatursensoren abgelesenen Temperaturdaten abzugleichen. Bei einigen Ausführungsformen umfassen die von den On-Die-Temperatursensoren übermittelten Temperaturdaten einen Kalibrierfehler. So können die Temperatursensoren beispielsweise einen relativen statt eines absoluten Temperaturwerts übermitteln. Der (die) im Register 314 gespeicherte(n) Offset-Wert(e) können genutzt werden, um beispielsweise relative Temperaturwerte an absolute Temperaturwerte anzupassen.
  • Bei einigen Ausführungsformen verarbeitet das Temperaturmanagementsystem 300 die gesammelten Temperaturdaten. So kann das Temperaturmanagementsystem 300 beispielsweise eine oder mehrere Durchschnittstemperaturen, gleitende Durchschnittstemperatur(en), Mindesttemperatur(en), Höchsttemperatur(en) u. ä. berechnen. Bei einer alternativen Ausführungsform können anhand der Temperaturdaten mehr, weniger und/oder andere Berechnungen ausgeführt werden.
  • Die Temperaturberechnungsregister 320 können Rechenwerte im Zusammenhang mit der Verarbeitung der Temperaturdaten speichern. Bei der dargestellten Ausführungsform umfassen die Berechnungsregister 320 ein oder mehrere Höchsttemperaturregister (Max-Temp-Register) 322, ein oder mehrere Durchschnittstemperaturregister (Ave-Temp-Register) 324 und ein oder mehrere Mindesttemperaturregister (Min-Temp-Register) 326. Bei einer alternativen Ausführungsform können die Berechnungsregister 320 mehr, weniger und/oder andere Register umfassen.
  • Das (die) Max-Temp-Register 322 speichert (speichern) eine oder mehrere berechnete Höchsttemperaturen. Analog speichert (speichern) das (die) Min-Temp-Register 326 eine oder mehrere berechnete Mindesttemperaturen. Bei einigen Ausführungsformen werden die in den Register 322 und 326 gespeicherten Werte genutzt, um zu ermitteln, ob die Temperaturen der entsprechenden Speichereinrichtungen einen Temperaturschwellenwert überschritten haben. Der Begriff „Trip-Punkt" bezieht sich auf einen Schwellenwert, der einen Temperaturschwellenwert darstellt.
  • Das Ave-Temp-Register 324 speichert einen oder mehrere berechnete Durchschnittstemperaturwerte. Bei einigen Ausführungsformen speichert das Ave-Temp-Register 324 einen oder mehrere gleitende Durchschnittstemperaturwerte. Der Begriff „gleitender Durchschnitt" bezieht sich auf eine Durchschnittstemperatur der Einrichtungen im zeitlichen Verlauf. Die Generierung eines gleitenden Durchschnitts kann im Allgemeinen zwei Schritte umfassen, und zwar das Berechnen einer Durchschnittstemperatur der Speichereinrichtungen und das Berechnen einer Durchschnittstemperatur der Einrichtungen im zeitlichen Verlauf. Bei einigen Ausführungsformen wird der gleitende Durchschnitt anhand folgender Formel berechnet: Gleitender Durchschnitt = (letzter gleitender Durchschnitt + aktueller Durchschnitt)/2.
  • Die Temperatur-Trip-Steuerungsregister 330 speichern Trip-Punkte und zugehörige Werte. Es können eine Anzahl verschiedener Trip-Punkte vorliegen und, wie nachstehend genauer beschrieben wird, einige der Trip-Punkte programmierbar sein. Das Hot-Trip-Register 334 speichert einen Wert, der einen Hot-Trip-Punkt bezeichnet. Der Begriff „Hot-Trip-Punkt" bezieht sich auf einen Schwellenwert, bei dessen Kreuzen die Anwendung einer automatischen Hardware-Drosselung eingeleitet wird. Das Critical-Trip-Register 332 speichert einen Wert, der einen Critical-Trip-Punkt bezeichnet. Der Begriff „Critical-Trip-Punkt" bezieht sich auf einen Schwellenwert, bei dessen Kreuzen das Rechensystem (z. B. das in 1 abgebildete Rechensystem 100) abgeschaltet wird.
  • Wie vorstehend beschrieben, können einige der Trip-Punkte programmierbar sein. So können bei der dargestellten Ausführungsform beispielsweise die zusätzlichen Trip-Register 336 und 338 jeweils einen oder mehrere programmierbare Trip-Punkte speichern. Programmierbare Trip-Punkte können zur Generierung von Software-Ereignissen in Verbindung mit der automatischen Temperaturdrosselung genutzt werden. Die automatische Temperaturdrosselung wird nachstehend unter Bezugnahme auf 6 genauer beschrieben.
  • Bei einer Ausführungsform können die zusätzlichen Trip-Register 336 und 338 mit einem oder mehreren Steuerungsregistern interagieren, um das Bedienen eines mit dem Temperaturmanagement in Verbindung stehenden Software-Ereignisses zu steuern. Bei der dargestellten Ausführungsform beispielsweise können die zusätzlichen Trip-Register 336 und 338 mit einem SMI(System Management Interupt)-Ereignissteuerungsregister 350, einem SCI(System Control Interrupt)-Ereignissteuerungsregister 352, einem INTR(Interrupt)-Ereignissteuerungsregister 354, einem Ereignisstatusregister 356 oder mehreren derselben interagieren.
  • Das SMI-Ereignissteuerungsregister 350 bedient Management-Ereignisse, die einen SMI-Pin des Prozessors nutzen. Der SMI-Pin kann genutzt werden, um eine fest programmierte, betriebssystemunabhängige Antwortsoftware auf Systemebene auszulösen. Im Gegensatz dazu bedient das SCI-Ereignissteuerungsregister 352 alle Ereignisse, die zusammen mit einem Betriebssystem bearbeitet werden. SCI-Ereignisse werden in der Regel mit dem ACPI(Advanced configuration and power interface)-Systemsprachencode (ASL) bearbeitet, können aber auch mit dem BIOS-Code (BIOS = Allgemeines Ein-/Ausgabe-System) bearbeitet werden.
  • Bei einigen Ausführungsformen bedient das INTR-Ereignissteuerungsregister 354 Software auf Treiberebene. Die Software auf Treiberebene kann ein Temperaturmanagement auf relativ hohem Niveau unterstützen, da das Temperaturmanagementsystem hier interaktiver agieren kann. So kann die Software auf Treiberebene Bezug auf Vergangenheitsdaten (z. B. auf frühere Temperaturdaten und Berechnungen auf Grundlage der Temperaturdaten), Systeminformationen, Daten zu anderen Geräten u. ä. nehmen. Die Software auf Treiberebene kann ferner zusätzliche Eigenschaften aufweisen, wie beispielsweise die Fähigkeit, einen Lüfter ein- und auszuschalten.
  • Bei einigen Ausführungsformen kann eine Hierarchie von Trip-Punkten genutzt werden. So können die programmierbaren Trip-Punkte in den Register 336 und 338 beispielsweise zunächst genutzt werden, um auf Grundlage von Software-Ereignissen relativ elegante Temperatursteuerungsmechanismen und/oder proportional anpassbare Drosselungsmechanismen (die nachstehend genauer beschrieben werden) bereitzustellen. Falls es nicht gelingt, die Einrichtungstemperatur anhand der relativ eleganten Mechanismen unterhalb eines (z. B. im Hot-Trip-Register 334 gespeicherten) Hot-Trip-Punkts zu halten, kann die Hardware-Drosselung eingesetzt werden, um ein Temperaturmanagement bereitzustellen. Falls die Einrichtungstemperatur dann immer noch weiter steigt und den (z. B. in Critical-Trip-Register 332 gespeicherten) Critical-Trip-Punkt kreuzt, kann das System abgeschaltet werden, um eine Beschädigung des Systems und/oder der im Speicher gespeicherten Daten zu verhindern oder zu minimieren.
  • Die Ausführungsformen der Erfindung sind nicht auf die in 3 dargestellten Strukturen und Funktionen beschränkt. Bei alternativen Ausführungsformen kann das Temperaturmanagementsystem 300 mehr, weniger und/oder andere Bauelemente aufweisen.
  • 4 ist ein High-Level-Flussdiagramm, das ausgewählte Aspekte des Sammelns und Verarbeitens von Temperaturdaten gemäß einer Ausführungsform der Erfindung zeigt. Wie Prozessblock 402 zeigt, sammelt ein Temperaturmanagementsystem (z. B. das in 3 dargestellte Temperaturmanagementsystem 300) Temperaturdaten von einem oder mehreren entfernten On-Die-Temperatursensoren. Bei einigen Ausführungsformen liest das Temperaturmanagementsystem die Temperaturdaten anhand eines speziellen Befehls, der in einem geeigneten Intervall ausgegeben wird. Die Daten können jedes Mal, wenn sie gelesen werden, in einem aus einer Reihe temporärer Register (z. B. in dem in 3 abgebildeten Temperatursammlungsregister) gespeichert werden.
  • Bei Prozessblock 404 verarbeitet das Temperaturmanagementsystem die von den On-Die-Sensoren gesammelten Temperaturdaten. Bei einigen Ausführungsformen umfasst das Verarbeiten der Temperaturdaten verschiedene Berechnungen auf Grundlage der Daten. Beispiele solcher Berechnungen umfassen die Berechnung einer Höchsttemperatur, einer Mindesttemperatur, einer Durchschnittstemperatur, einer gleitenden Durchschnittstemperatur o. ä.. Das Verarbeiten der Temperaturdaten kann ferner das Kalibrieren der Daten anhand eines Offsets umfassen.
  • Bei Prozessblock 406 bestimmt das Temperaturmanagementsystem, ob ein Temperaturschwellenwert erreicht wurde. Das Bestimmen, ob ein Temperaturmanagementschwellenwert erreicht wurde, kann das Vergleichen verarbeiteter Temperaturdaten mit einem Temperaturschwellenwert umfassen. Der Begriff „verarbeitete Temperaturdaten" bezieht sich auf Daten, die durch Berechnungen mittels der Temperaturdaten entstehen. Beispiele für verarbeitete Temperaturdaten können eine Höchsttemperatur, eine Mindesttemperatur, eine Durchschnittstemperatur, eine gleitende Durchschnittstemperatur o. ä. umfassen.
  • Wurde ein Temperaturschwellenwert erreicht, so kann das Temperaturmanagementsystem einen Temperatursteuerungsmechanismus, wie den mit 408 gekennzeichneten, auslösen. Der Begriff „Temperatursteuerungsmechanismus" bezieht sich im weitesten Sinne auf jegliche Funktionen, anhand derer sich die Temperatur einer Speichereinrichtung oder einer Reihe von Speichereinrichtungen steuern lässt. Ein Temperatursteuerungsmechanismus kann eine auf einem Ereignis und/oder einer automatischen Drosselungsantwort basierende Software umfassen. Temperatursteuerungsmechanismen werden nachstehend unter Bezugnahme auf die 5 und 6 genauer beschrieben.
  • 5 ist ein Flussdiagramm, das ausgewählte Aspekte des Sammelns und Verarbeitens von Temperaturdaten gemäß einer Ausführungsform der Erfindung zeigt. Wie Prozessblock 502 zeigt, werden die Temperaturdaten in einer bestimmten Geschwindigkeit gelesen. Bei einigen Ausführungsformen wird die Lesegeschwindigkeit durch einen im Lesegeschwindigkeitsregister (z. B. in dem in 3 abgebildeten Lesegeschwindigkeitsregister 312) gespeicherten Wert bestimmt. Die Lesegeschwindigkeit kann einem bestimmten Ereignis, wie beispielsweise einem Auffrischungszyklus oder einem Buskalibrierungszyklus, entsprechen. Ferner kann der Lesebefehl in einer dem Ereignis in geeigneter Weise entsprechenden Häufigkeit ausgegeben werden (z. B. wenn das Ereignis häufiger auftritt, als sich die Einrichtungstemperatur ändern kann). Wenn beispielsweise die Auffrischung alle 20 Millisekunden erfolgt, kann der Lesebefehl alle N Auffrischungszyklen ausgegeben werden.
  • Bei Prozessblock 504 werden die Temperaturdaten von einem oder mehreren entfernten On-Die-Temperatursensoren gesammelt. Bei einigen Ausführungsformen werden die Temperaturdaten kontinuierlich während der inaktiven Zeit auf einer Speicherverbindung (z. B. während Auffrischungszyklen, Verbindungskalibrierungszyklen etc.) gesammelt. Jedes Mal, wenn das Temperaturmanagementsystem die Temperaturdaten über die Speicherverbindung sammelt, kann es die Daten in einem aus einer Reihe verschiedener temporärer Register speichern (z. B. in dem in 3 abgebildeten Temperatursammlungsregister 302). Die jeweiligen temporären Register können für jeden nachfolgenden Lesevorgang gewechselt werden, sodass die Sammlung der Register den Verlauf der letzten Temperaturproben darstellt.
  • Bei Prozessblock 506 sind die Temperaturdaten bezüglich eines Offsets einstellbar. Dank dieser Einstellung kann das Temperaturmanagementsystem Kalibrierfehler in den Temperaturdaten berücksichtigen. So können die On-Die-Temperatursensoren beispielsweise einen relativen statt eines absoluten Temperaturwerts übermitteln. Bei einigen Ausführungsformen kann das Temperaturmanagementsystem die relativen Temperaturwerte mittels eines Offset-Werts, der beispielsweise in einem Temperatur-Offsetregister (z. B. in dem in 3 abgebildeten Temperatur-Offsetregister 314) gespeichert ist, an die absoluten Temperaturwerte anpassen.
  • Die gesammelten Temperaturdaten können mittels unterschiedlichster Berechnungen, Algorithmen, Richtlinien u. a. verarbeitet werden. Bei Prozessblock 508 wird beispielsweise ein gleitender Durchschnitt mittels gesammelter Temperaturdaten berechnet. Bei 510 werden Höchst- und/oder Mindesttemperaturwerte bestimmt. Bei einigen Ausführungsformen kann das Temperaturmanagementsystem die Höchst- und Mindesttemperaturen für alle Speichereinrichtungen, die On-Die-Temperatursensoren aufweisen, berechnen. Bei alternativen Ausführungsformen kann das Temperaturmanagementsystem die Höchst- und Mindesttemperaturen für ausgewählte Teilmengen der Speichereinrichtungen (z. B. jede Ebene, jedes Modul, jeder Kanal etc.) berechnen.
  • Bei Prozessblock 512 werden die verarbeiteten Temperaturdaten (und/oder die Temperaturrohdaten) genutzt, um zu ermitteln, ob die Speichereinrichtungstemperaturen einen Temperaturschwellenwert überschritten haben. Bei einigen Ausführungsformen kann das Temperaturmanagementsystem eine Anzahl verschiedener Temperaturschwellenwerte nutzen, und es werden die verarbeiteten Temperaturdaten genutzt um zu ermitteln, welche Schwellenwerte gegebenenfalls gekreuzt bzw. überschritten wurden. Bei einigen Ausführungsformen wird Hysterese eingesetzt, um die Anzahl thermischer Steuerungsereignisse, die generiert werden, wenn die Temperaturen um einen Trip-Punkt fluktuieren, zu minimieren. Der Einsatz von Hysterese kann auf einem oder mehreren, beispielsweise in einem Hysteresetemperaturregister (z. B. dem in 3 abgebildeten Hysteresetemperaturregister 340) gespeicherten Hysterese-Werten basieren.
  • Bei Prozessblock 514 kann das Temperatursteuerungssystem einen Temperatursteuerungsmechanismus auslösen, sobald die Einrichtungstemperatur (die beispielsweise durch die verarbeiteten Temperaturdaten und/oder die Temperaturrohdaten angezeigt wird) einen oder mehrere Temperaturschwellenwerte kreuzt bzw. überschreitet. Ein Temperatursteuerungsmechanismus kann beispielsweise eine automatische Drosselungsantwort und/oder ein Software-Ereignis umfassen. Die automatische Drosselungsantwort kann beispielsweise eine hardwarebasierte Drosselung der Datenübertragungsgeschwindigkeit der Speicherverbindung umfassen. Die Software- Ereignisse können Interrupts, SMI-Ereignisse, SCI-Ereignisse oder sogar eine Selbstabschaltung des Systems umfassen. Das Temperaturmanagementsystem kann eine Selbstabschaltung des Systems zur Vermeidung einer gravierenden Beschädigung und/oder von Datenverlust nutzen, wenn vorausgegangene Temperatursteuerungsmechanismen (z. B. Drosselung der Datenübertragungsgeschwindigkeit, Software-Ereignisse etc.) nicht wirksam genug waren, um den Temperaturanstieg zu drosseln.
  • Bei Prozessblock 516 kann das Temperatursteuerungssystem einen oder mehrere Vorgänge auslösen, wenn die Einrichtungstemperaturen einen oder mehrere Temperaturschwellenwerte nicht gekreuzt haben. So kann das Temperatursteuerungssystem beispielsweise eine zuvor angewandte Temperaturdrosselung löschen. Ferner kann ein Schleifenzähler gelöscht werden, um einen angepassten Drosselungsmechanismus rückzusetzen. Bei einigen Ausführungsformen kann ein Software-Ereignis ausgelöst werden, wenn die Einrichtungstemperatur unterhalb eines oder mehrerer Temperaturschwellenwerte liegt.
  • Der in 5 dargestellte Sammlungs- und Berechnungsvorgang ist in einer programmierbaren Geschwindigkeit wiederholbar. Die programmierbare Geschwindigkeit kann nach Belieben verringert oder erhöht werden, um die Erfassung schneller thermischer Transienten oder sehr langsamer, thermischer Querbeeinflussung zwischen den Komponenten zu ermöglichen.
  • Wie vorstehend beschrieben, nutzen Ausführungsformen der Erfindung ein beispielsweise in der Speichersteuerung befindliches Temperaturmanagementsystem, um Temperaturdaten von einer Anzahl entfernter On-Die-Temperatursensoren zu sammeln und zu verarbeiten. Da das Temperaturmanagementsystem über kontinuierliche Daten über die aktuellen Einrichtungstemperaturen verfügen kann, ist es in der Lage, mehr automatische Drosselungsmechanismen als bislang zu entwickeln. So kann das Temperaturmanagementsystem beispielsweise den Abstand zu Zieltemperaturen, die Geschwindigkeit von Temperaturveränderungen und/oder das Integral der Temperaturveränderung ableiten, um eine proportionale Regelkreisantwort abzuleiten. Diese proportionale Regelkreisantwort minimiert die drastischen (z. B. over-guardbanding und leistungsreduzierenden) Drosselungsantworten, die bislang für herkömmliche Temperaturdrosselungsmechanismen typisch waren.
  • 6 ist ein Flussdiagramm, das ausgewählte Aspekte einer gemäß einer Ausführungsform der Erfindung implementierten automatischen Drosselungsantwort zeigt. Der in 6 dargestellte Prozess ist ein Beispiel eines Temperaturmanagementsystems mit proportional geschlossener Schleife. Bei alternativen Ausführungsformen kann die automatische Drosselungsantwort anders implementiert sein. Wie nachstehend genauer beschrieben wird, wendet das Temperaturmanagementsystem eine zunehmende oder abnehmende Drosselungssteuerungsmenge auf Grundlage des kontinuierlichen Stroms der von ihm gesammelten Temperaturdaten an.
  • Bei Prozessblock 602 wird die automatische Drosselungsantwort ausgelöst. Bei einigen Ausführungsformen wird die automatische Drosselungsantwort ausgelöst, falls/sobald ein Temperaturschwellenwert gekreuzt wird (siehe beispielsweise Prozessblock 514 in 5). Das Kreuzen eines Temperaturschwellenwerts kann das Überschreiten und/oder das Unterschreiten des Schwellenwerts umfassen.
  • Bei Prozessblock 604 berechnet das Temperaturmanagementsystem einen Temperaturfehler anhand einer Zieltemperatur. Der Begriff „Zieltemperatur" bezieht sich auf ein Temperaturziel des Temperaturmanagementsystems. Die Zieltemperaturen können festgelegt oder konfigurierbar (z. B. durch Einstellen eines Werts in einem Register) sein. Bei einigen Ausführungsformen umfasst das Berechnen des Temperaturfehlers das Berechnen eines Abstands von der Zieltemperatur und/oder eine Temperaturänderungsgeschwindigkeit bezüglich der Zieltemperatur. Bei anderen Ausführungsformen können andere Berechnungen zur Bestimmung des Temperaturfehlers genutzt werden.
  • Bei Prozessblock 606 berechnet das Temperaturmanagementsystem eine Steuerungseinstellung. Der Begriff „Steuerungseinstellung" bezieht sich auf einen Indikator (z. B. einen Wert, eine Reihe von Werten etc), der angibt, wie stark die angewandte Temperaturdrosselungsmenge zu erhöhen oder zu verringern ist. Das Temperaturmanagementsystem kann die Temperaturdrosselungsmenge auf Grundlage eines der unterschiedlichsten Faktoren adaptiv erhöhen oder verringern. Bei einigen Ausführungsformen verwendet das Temperaturmanagementsystem einen Schleifenzähler um zu bestimmen, wie häufig die Einrichtungstemperaturen einen Temperaturschwellenwert gekreuzt haben. Wenn der Zähler steigt, kann das Temperaturmanagementsystem die angewandte Temperaturdrosselungsmenge proportional erhöhen. In ähnlicher Weise kann das Temperaturmanagementsystem die angewandte Temperaturdrosselungsmenge senken, wenn der Zähler abnimmt. Bei alternativen Ausführungsformen kann die proportionale Erhöhung oder Verringerung der Temperaturdrosselung auf anderen Faktoren basieren.
  • Bei Prozessblock 610 verwendet das Temperaturmanagementsystem eine Speicherschnittstellendrosselung. Die Verwendung der Speicherschnittstellendrosselung kann das Erhöhen oder Verringern der Datenübertragungsgeschwindigkeit der Speicherverbindung zumindest teilweise auf Grundlage der im Prozessblock 606 berechneten Steuerungseinstellung umfassen. In Ausführungsformen, die einen Schleifenzähler verwenden, kann der Schleifenzähler jedes Mal erhöht werden, wenn die automatische Drosselung, wie bei 612 gezeigt, aufgerufen wird. Es gilt anzumerken, dass gemäß einer Ausführungsform der Erfindung implementierte automatische Temperaturantworten mehr, weniger oder andere als die in 6 gezeigten Prozessblöcke aufweisen können.
  • 7 ist ein Blockdiagramm, das ausgewählte Aspekte eines elektronischen Systems gemäß einer Ausführungsform der Erfindung zeigt. Das elektronische System 700 umfasst einen Prozessor 710, eine Speichersteuerung 720, Speicher 730, eine Ein-/Ausgabesteuerung (Ein-/Ausgabesteuerung) 740, Hochfrequenzschaltkreise (HF-Schaltkreise) 750 und eine Antenne 760. Im Betriebszustand sendet und empfängt das System 700 mittels der Antenne 760 Signale, und diese Signale werden von den verschiedenen, in 7 dargestellten Bauelementen verarbeitet. Die Antenne 760 kann eine gerichtete oder eine ungerichtete Antenne sein. Der Begriff „ungerichtete Antenne" bezieht sich im Vorliegenden auf jegliche Antennen, die in zumindest einer Ebene ein im Wesentlichen gleichförmiges Muster aufweisen. Die Antenne 760 kann bei einigen Ausführungsformen beispielsweise eine ungerichtete Antenne, wie z. B. eine Dipolantenne oder eine Viertelwellenantenne, sein. Ferner kann die Antenne 760 bei einigen Ausführungsformen beispielsweise eine gerichtete Antenne, wie z. B. eine Parabolantenne, eine Patchantenne oder eine Yagi-Antenne, sein. Bei einigen Ausführungsformen kann die Antenne 760 mehrere physikalische Antennen umfassen.
  • Der Hochfrequenzschaltkreis 750 steht mit der Antenne 760 und der Ein-/Ausgabesteuerung 740 in Verbindung. Bei einigen Ausführungsformen umfasst der Hochfrequenzschaltkreis 750 eine einem Kommunikationsprotokoll entsprechende physikalische Schnittstelle (PHY). Der Hochfrequenzschaltkreis 750 kann beispielsweise Modulatoren, Demodulatoren, Mischer, Frequenzgeneratoren, rauscharme Verstärker, Leistungsverstärker u. ä. umfassen. Bei einigen Ausführungsformen kann der Hochfrequenzschaltkreis 750 einen Überlagerungsempfänger umfassen, und in anderen Ausführungsformen kann der Hochfrequenzschaltkreis 750 einen Direktmischempfänger umfassen. Bei Ausführungsformen mit mehreren Antennen 760 beispielsweise kann jede Antenne mit einem entsprechenden Empfänger gekoppelt sein. Im Betriebszustand empfängt der Hochfrequenzschaltkreis 750 Kommunikationssignale von der Antenne 760 und übermittelt analoge oder digitale Signale an die Ein-/Ausgabesteuerung 740. Ferner kann die Ein-/Ausgabesteuerung 740 Signale an den Hochfrequenzschaltkreis 750 übermitteln, der die Signale verarbeitet und anschließend an die Antenne 760 überträgt.
  • Bei dem (den) Prozessor(en) 710 kann es sich um eine beliebige Verarbeitungseinrichtung handeln. So kann der Prozessor 710 beispielsweise ein Mikroprozessor, ein Mikrocontroller o. ä sein. Ferner kann der Prozessor 710 eine beliebige Anzahl an Prozessorkernen oder eine beliebige Anzahl an separaten Prozessoren umfassen.
  • Die Speichersteuerung 720 stellt einen Kommunikationspfad zwischen dem Prozessor 710 und den anderen, in 7 dargestellten Bauelementen bereit. Bei einigen Ausführungsformen ist die Speichersteuerung 720 Teil einer Knoteneinrichtung, die auch andere Funktionen bereitstellt. Wie 7 zeigt, ist die Speichersteuerung 720 mit dem (den) Prozessor(en) 710, der Ein-/Ausgabesteuerung 740 und dem Speicher 730 gekoppelt. Bei einigen Ausführungsformen umfasst die Speichersteuerung 720 ein Temperaturmanagementsystem zum Sammeln und Verarbeiten von Temperaturdaten von On-Die-Temperatursensoren im Speicher 730.
  • Der Speicher 730 kann mehrere Speichereinrichtungen umfassen. Diese Speichereinrichtungen können auf einer beliebigen Speichertechnologie basieren. So kann der Speicher 730 beispielsweise ein Speicher mit wahlfreiem Zugriff (RAM), ein dynamischer Speicher mit wahlfreiem Zugriff (DRAM), ein statischer Speicher mit wahlfreiem Zugriff (SRAM), ein nichtflüchtiger Speicher, wie beispielsweise ein Flash-Speicher oder ein anderer Speichertyp sein.
  • Der Speicher 730 kann eine einzelne Speichereinrichtung oder eine Anzahl an Speichereinrichtungen auf einem oder mehreren Modulen darstellen. Die Speichersteuerung 720 übermittelt über die Verbindung 722 Daten an den Speicher 730 und empfängt Daten vom Speicher 730 als Antwort auf Lesebefehle. Befehle und/oder Adressen können über die Verbindung 722 oder über eine andere Verbindung (nicht abgebildet) an den Speicher 730 übermittelt werden. Die Speichersteuerung 720 kann im Speicher 730 zu speichernde Daten vom Prozessor 710 oder von einer anderen Quelle empfangen. Die Speichersteuerung 730 kann die empfangenen Daten vom Speicher 730 an den Prozessor 710 oder ein anderes Ziel übermitteln. Die Verbindung 722 kann eine bidirektionale oder eine unidirektionale Verbindung sein. Die Verbindung 722 kann eine Anzahl an Parallelleitern umfassen. Die Signale können differential ended oder single ended sein. Bei einigen Ausführungsformen arbeitet die Verbindung 722 mit einem weitergeleiteten Vielphasen-Taktschema.
  • Die Speichersteuerung 720 ist ferner mit der Ein-/Ausgabesteuerung 740 gekoppelt und stellt einen Kommunikationspfad zwischen dem (den) Prozessor(en) 710 und der Ein-/Ausgabesteuerung 740 bereit. Die Ein-/Ausgabesteuerung 740 umfasst eine Schaltung zum Kommunizieren mit den Ein-/Ausgabeschaltkreisen, wie beispielsweise seriellen Anschlüssen, Parallelanschlüssen, USB-Anschlüsse (USB = universeller serieller Bus) u. ä. Wie 7 zeigt, stellt die Ein-/Ausgabesteuerung 740 einen Kommunikationspfad zu den Hochfrequenzschaltkreisen 750 bereit.
  • 8 ist ein Blockdiagram, das ausgewählte Aspekte eines elektronischen Systems gemäß einer Ausführungsform der Erfindung zeigt. Das elektronische System 800 umfasst einen Speicher 730, eine Ein-/Ausgabesteuerung 740, Hochfrequenzschaltkreise 750 und eine Antenne 760, die alle vorstehend unter Bezugnahme auf 7 beschrieben wurden. Das elektronische System 800 umfasst ferner einen oder mehrere Prozessoren 810 und eine Speichersteuerung 820. Wie 8 zeigt, kann sich die Speichersteuerung 820 auf demselben Chip wie der (die) Prozessor(en) 810 befinden. Bei einigen Ausführungsformen umfasst die Speichersteuerung 820 ein Temperaturmanagementsystem zum Sammeln und Verarbeiten von Temperaturdaten von On-Die-Temperatursensoren im Speicher 730. Der (die) Prozessor(en) 810 können von einem beliebigen Prozessortyp sein, wie vorstehend unter Bezugnahme auf den Prozessor 710 (5) beschrieben wurde. Die in 7 und 8 dargestellten beispielhaften Systeme umfassen Desktop-Computer, Laptop-Computer, Server, Mobiltelefone, Personal Digital Assistants, digitale Heimsysteme u. ä.
  • Die Bauelemente der Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung können auch als ein maschinenlesbares Medium zum Speichern maschinenausführbarer Befehle bereitgestellt sein. Das maschinenlesbare Medium kann Flash-Speicher, optische Platten, Kompaktdisk-Nurlesespeicher (CD-ROM), digitale Videodisk-Nurlesespeicher (DVD-ROM), Speicher mit wahlfreiem Zugriff (RAM), löschbaren programmierbaren Nurlesespeicher (EPROM), elektrisch löschbaren programmierbaren Nurlesespeicher (EEPROM), magnetische oder optische Karten, Ausbreitungsmedien oder andere zum Speichern elektronischer Befehle geeignete Arten maschinenlesbarer Medien u. a. umfassen. Ausführungsformen der Erfindung können beispielsweise als ein von einem entfernten Computer (z. B. einem Server) auf einen Arbeitsplatzcomputer (z. B. einen Client) übertragbares Computerprogramm anhand von in einer Trägerwelle oder einem anderen Ausbreitungsmedium (z. B. ein Modem oder eine Netzverbindung) verkörperten Datensignalen heruntergeladen werden.
  • Es gilt anzumerken, dass der Begriff „eine (1) Ausführungsform" oder „eine Ausführungsform" so zu interpretieren ist, dass ein in Verbindung mit dieser Ausführungsform beschriebenes bestimmtes Merkmal, eine bestimmte Struktur oder Besonderheit in zumindest einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung vorhanden ist. Es wird betont und gilt anzumerken, dass sich zwei oder mehr Bezugnahmen auf „eine (1) Ausführungsform" oder „eine Ausführungsform" in verschiedenen Abschnitten der vorliegenden Beschreibung nicht zwangsläufig alle auf dieselbe Ausführungsform beziehen. Ferner sind die jeweiligen Merkmale, Strukturen oder Besonderheiten in einer oder mehreren Ausführungsformen der Erfindung in angemessener Weise kombinierbar.
  • Es gilt gleichermaßen darauf hinzuweisen, dass in der vorstehenden Beschreibung erfindungsgemäßer Ausführungsformen verschiedene Merkmale gelegentlich in einer einzelnen Ausführungsform, Figur oder Beschreibung derselben zusammengefasst sind, um eine Effektivierung der vorliegenden Erfindungsoffenbarung hinsichtlich des Verständnisses eines oder mehrere erfinderischer Aspekte zu erreichen. Dieses Offenbarungsverfahren ist allerdings nicht dahingehend zu interpretieren, dass der beanspruchte Gegenstand mehr Merkmale als die ausdrücklich im Anspruch genannten erfordert. Wie aus den nachstehenden Ansprüchen ersichtlich ist, liegen die erfinderischen Aspekte vielmehr in weniger als allen Merkmalen einer einzelnen der vorstehend offenbarten Ausführungsformen. Die der vorliegenden detaillierten Beschreibung folgenden Ansprüche werden hiermit ausdrücklich zum Bestandteil derselben.
  • Zusammenfassung
  • Ausführungsformen der Erfindung betreffen im Allgemeinen Systeme, Verfahren und Vorrichtungen zum Temperaturmanagement mittels eines On-Die-Temperatursensors. Bei einigen Ausführungsformen umfasst ein integrierter Schaltkreis (z. B. eine Speichersteuerung) eine Temperatursammlungslogik und eine Steuerungslogik. Die Temperatursammlungslogik empfängt und speichert Temperaturdaten von einer Vielzahl entfernter Speichereinrichtungen, die jeweils einen On-Die-Temperatursensor aufweisen. Bei einigen Ausführungsformen steuert die Steuerungslogik eine Temperaturdrosselung zumindest teilweise auf Grundlage der Temperaturdaten. Weitere Ausführungsformen werden beschrieben und beansprucht.

Claims (20)

  1. Speichersteuerung, umfassend: eine Temperatursammlungslogik zum Empfangen und Speichern von Temperaturdaten von einer Vielzahl entfernter Speichereinrichtungen, wobei jede Speichereinrichtung einen On-Die-Temperatursensor umfasst, und eine mit der Temperatursammlungslogik gekoppelte Steuerungslogik, die einen zumindest teilweise auf den Temperaturdaten basierenden Temperatursteuerungsmechanismus bereitstellt.
  2. Speichersteuerung nach Anspruch 1, ferner umfassend: einen Anschluss zum Empfangen der Temperaturdaten von der Vielzahl entfernter Speichereinrichtungen, wobei die Temperaturdaten über eine Speicherverbindung zu multiplexen sind.
  3. Speichersteuerung nach Anspruch 1, wobei die Temperatursammlungslogik einen Speicher zum Speichern der Temperaturdaten von der Vielzahl entfernter Speichereinrichtungen umfasst.
  4. Speichersteuerung nach Anspruch 1, wobei die Temperatursammlungslogik ferner einen oder mehrere Temperatur-Sammlungssteuerungsregister zum Speichern von Steuerinformationen für die Temperatursammlungslogik umfasst.
  5. Speichersteuerung nach Anspruch 4, wobei die Temperatur-Sammlungssteuerungsregister zumindest eines der folgenden Register umfasst: ein Lesegeschwindigkeitsregister zum Speichern eines Lesegeschwindigkeitswerts und ein Temperatur-Offsetregister zum Speichern eines Temperatur-Offsetwerts.
  6. Speichersteuerung nach Anspruch 1, wobei die Temperatursammlungslogik ferner ein oder mehrere Temperaturberechnungsregister zum Speichern der berechneten Temperaturwerte umfasst.
  7. Speichersteuerung nach Anspruch 1, wobei die Steuerungslogik ein oder mehrere Temperatur-Trip-Steuerungsregister zum Speichern eines oder mehrerer Temperaturschwellenwerte umfasst.
  8. Speichersteuerung nach Anspruch 7, wobei das bzw. die Temperatur-Trip-Steuerungsregister zumindest eines der folgenden Register umfasst bzw. umfassen: ein Critical-Trip-Register zum Speichern eines Critical-Trip-Werts, ein Hot-Trip-Register zum Speichern eines Hot-Trip-Werts und einen Hysterese-Temperaturwert zum Speichern eines Hysterese-Werts.
  9. Speichersteuerung nach Anspruch 7, wobei die Steuerungslogik ferner eine Ereignissteuerungslogik zum Bereitstellen eines Ereignisses als zumindest teilweise Reaktion darauf, dass Temperaturdaten einen Temperaturschwellenwert überschreiten, umfasst.
  10. Verfahren, umfassend: Sammeln von Temperaturdaten von einer Vielzahl entfernter Speichereinrichtungen durch eine Speichersteuerung, wobei jede Speichereinrichtung einen On-Die-Temperatursensor umfasst, Speichern verarbeiteter Temperaturdaten in der Speichersteuerung, wobei die verarbeiteten Temperaturdaten zumindest teilweise auf den Temperaturdaten von der Vielzahl entfernter Speichereinrichtungen basieren, Vergleichen der verarbeiteten Temperaturdaten mit einem Temperaturschwellenwert und Auslösen eines Temperatursteuerungsmechanismus, wenn die verarbeiteten Temperaturdaten den Schwellenwert überschreiten.
  11. Verfahren nach Anspruch 10, wobei das Sammeln der Temperaturdaten von der Vielzahl entfernter Speichereinrichtungen durch die Speichersteuerung das Speichern von Temperaturdaten jeder Speichereinrichtung in einem Temperatursammlungsregister umfasst.
  12. Verfahren nach Anspruch 10, wobei das Auslösen des Temperatursteuerungsmechanismus, wenn die verarbeiteten Temperaturdaten den Temperaturschwellenwert überschreiten, zumindest einen der folgenden Schritte umfasst: Einleiten eines Ereignisses und Auslösen einer automatischen Temperaturdrosselungsantwort.
  13. Verfahren nach Anspruch 12, wobei das Auslösen der automatischen Temperaturdrosselungsantwort umfasst: Bestimmen einer Differenz zwischen einem verarbeiteten Temperaturdatenwert und einem Temperaturschwellenwert, Berechnen einer Steuerungseinstellung zumindest teilweise auf Grundlage der Differenz zwischen dem verarbeiteten Temperaturdatenwert und dem Temperaturschwellenwert und Anwenden einer Speicherschnittstellendrosselung zumindest teilweise auf Grundlage der Steuerungseinstellung.
  14. Verfahren nach Anspruch 13, ferner umfassend das Erhöhen eines Schleifenzählers zum Bereitstellen einer Anzeige der Häufigkeit, mit welcher der verarbeitete Temperaturdatenwert den Temperaturschwellenwert überschreitet.
  15. System, umfassend: ein eine Vielzahl an Speichereinrichtungen umfassendes Speichermodul, wobei jede der Speichereinrichtungen einen On-Die-Temperatursensor aufweist, und einen mit dem Speichermodul über eine Speicherverbindung gekoppelten integrierten Schaltkreis, wobei die Speichersteuerung umfasst: eine Temperatursammlungslogik zum Empfangen und Speichern von Temperaturdaten von der Vielzahl an Speichereinrichtungen und eine mit der Temperatursammlungslogik gekoppelte Steuerungslogik zum Steuern einer Temperaturdrosselung zumindest teilweise auf Grundlage der Temperaturdaten.
  16. System nach Anspruch 15, wobei der integrierte Schaltkreis einen mit der Speicherverbindung gekoppelten Anschluss zum Empfangen der Temperaturdaten von der Vielzahl an Speichereinrichtungen umfasst, wobei die Temperaturdaten über die Speicherverbindung zu multiplexen sind.
  17. System nach Anspruch 15, wobei die Temperatursammlungslogik ein Temperatursammlungsregister für jede Speichereinrichtung zum Speichern von Temperaturdaten der entsprechenden Speichereinrichtung umfasst.
  18. System nach Anspruch 15, wobei die Temperatursammlungslogik ferner ein oder mehrere Temperaturberechnungsregister zum Speichern berechneter Temperaturwerte umfasst.
  19. System nach Anspruch 15, wobei die Steuerungslogik ein oder mehrere Temperatur-Trip-Steuerungsregister zum Speichern eines oder mehrerer Temperaturschwellenwerte umfasst.
  20. System nach Anspruch 15, wobei die Steuerungslogik ferner eine Ereignissteuerungslogik zum Bereitstellen eines Ereignisses als zumindest teilweise Reaktion darauf, dass Temperaturdaten einen Temperaturschwellenwert überschreiten, umfasst.
DE112007000338T 2006-02-16 2007-02-15 Temperaturmanagement mittels eines On-Die-Temperatursensors Ceased DE112007000338T5 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/357,493 US7590473B2 (en) 2006-02-16 2006-02-16 Thermal management using an on-die thermal sensor
US11/357,493 2006-02-16
PCT/US2007/004307 WO2007098126A2 (en) 2006-02-16 2007-02-15 Thermal management using an on-die thermal sensor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE112007000338T5 true DE112007000338T5 (de) 2008-11-20

Family

ID=38292620

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE112007000338T Ceased DE112007000338T5 (de) 2006-02-16 2007-02-15 Temperaturmanagement mittels eines On-Die-Temperatursensors

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7590473B2 (de)
JP (1) JP4729511B2 (de)
KR (2) KR101060471B1 (de)
CN (1) CN100550188C (de)
DE (1) DE112007000338T5 (de)
TW (1) TWI339842B (de)
WO (1) WO2007098126A2 (de)

Families Citing this family (108)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7975156B2 (en) 2008-10-21 2011-07-05 Dell Products, Lp System and method for adapting a power usage of a server during a data center cooling failure
US7848901B2 (en) 2005-11-29 2010-12-07 International Business Machines Corporation Tracing thermal data via performance monitoring
US7460932B2 (en) * 2005-11-29 2008-12-02 International Business Machines Corporation Support of deep power savings mode and partial good in a thermal management system
US8118483B2 (en) 2006-06-21 2012-02-21 Intel Corporation Thermal sensor having toggle control
US7882381B2 (en) * 2006-06-29 2011-02-01 Intel Corporation Managing wasted active power in processors based on loop iterations and number of instructions executed since last loop
US20080317086A1 (en) * 2007-06-22 2008-12-25 Santos Ishmael F Self-calibrating digital thermal sensors
US8027798B2 (en) * 2007-11-08 2011-09-27 International Business Machines Corporation Digital thermal sensor test implementation without using main core voltage supply
US8245101B2 (en) 2007-12-27 2012-08-14 Sandisk Enterprise Ip Llc Patrol function used in flash storage controller to detect data errors
JP4825789B2 (ja) * 2007-12-27 2011-11-30 株式会社東芝 情報処理装置及び不揮発性半導体メモリドライブ
KR101007988B1 (ko) * 2008-01-02 2011-01-14 주식회사 하이닉스반도체 온도정보 출력회로 및 이를 이용한 멀티칩패키지
JP2009217701A (ja) * 2008-03-12 2009-09-24 Denso Corp 記憶保持装置及び記憶保持システム
JP2009272724A (ja) * 2008-04-30 2009-11-19 Panasonic Corp ビデオ符号化・復号化装置
JP2010128985A (ja) * 2008-11-28 2010-06-10 Hitachi Ltd ストレージ管理サーバ、ストレージ構成の再配置方法
KR101596281B1 (ko) * 2008-12-19 2016-02-22 삼성전자 주식회사 온도 관련 공유 제어회로를 갖는 반도체 메모리 장치
US7984250B2 (en) * 2008-12-31 2011-07-19 Intel Corporation Dynamic updating of thresholds in accordance with operating conditons
US8819686B2 (en) * 2009-07-23 2014-08-26 Empire Technology Development Llc Scheduling threads on different processor cores based on memory temperature
US8924975B2 (en) 2009-07-23 2014-12-30 Empire Technology Development Llc Core selection for applications running on multiprocessor systems based on core and application characteristics
JP4660621B1 (ja) * 2009-10-29 2011-03-30 株式会社東芝 情報処理装置およびメモリ制御方法
JP2011170943A (ja) * 2010-02-22 2011-09-01 Sony Corp 記憶制御装置、記憶装置、記憶装置システム
US8271812B2 (en) 2010-04-07 2012-09-18 Apple Inc. Hardware automatic performance state transitions in system on processor sleep and wake events
JP2010287242A (ja) * 2010-06-30 2010-12-24 Toshiba Corp 不揮発性半導体メモリドライブ
US8468373B2 (en) 2011-01-14 2013-06-18 Apple Inc. Modifying performance parameters in multiple circuits according to a performance state table upon receiving a request to change a performance state
US8734006B2 (en) * 2011-03-02 2014-05-27 International Business Machines Corporation Calibration of an on-die thermal sensor
US9658678B2 (en) 2011-03-31 2017-05-23 Intel Corporation Induced thermal gradients
US9490003B2 (en) 2011-03-31 2016-11-08 Intel Corporation Induced thermal gradients
KR101187642B1 (ko) * 2011-05-02 2012-10-08 에스케이하이닉스 주식회사 집적 회로의 모니터링 장치
US8817428B2 (en) * 2011-08-26 2014-08-26 Schneider Electric USA, Inc. Differential temperature monitoring of electrical devices
US8970234B2 (en) * 2011-09-26 2015-03-03 Apple Inc. Threshold-based temperature-dependent power/thermal management with temperature sensor calibration
CN103890850B (zh) * 2011-09-30 2016-11-09 英特尔公司 使用热数据对3d栈式存储器的动态操作
DE112011105998T5 (de) 2011-12-23 2014-09-18 Intel Corporation Speicheroperationen unter Verwendung von Systemtemperatursensordaten
US9355929B2 (en) * 2012-04-25 2016-05-31 Sandisk Technologies Inc. Data storage based upon temperature considerations
JP6028407B2 (ja) * 2012-06-15 2016-11-16 日本電気株式会社 半導体集積回路およびその制御方法
US9699263B1 (en) 2012-08-17 2017-07-04 Sandisk Technologies Llc. Automatic read and write acceleration of data accessed by virtual machines
US9063727B2 (en) * 2012-08-31 2015-06-23 Intel Corporation Performing cross-domain thermal control in a processor
JP2014052785A (ja) * 2012-09-06 2014-03-20 Toshiba Corp メモリシステム
US9355024B2 (en) * 2012-10-10 2016-05-31 Apple Inc. Systems and methods for nonvolatile memory performance throttling
US9501398B2 (en) 2012-12-26 2016-11-22 Sandisk Technologies Llc Persistent storage device with NVRAM for staging writes
US9612948B2 (en) 2012-12-27 2017-04-04 Sandisk Technologies Llc Reads and writes between a contiguous data block and noncontiguous sets of logical address blocks in a persistent storage device
US9454420B1 (en) 2012-12-31 2016-09-27 Sandisk Technologies Llc Method and system of reading threshold voltage equalization
KR102084553B1 (ko) 2013-01-03 2020-03-04 삼성전자주식회사 메모리 시스템
US9870830B1 (en) 2013-03-14 2018-01-16 Sandisk Technologies Llc Optimal multilevel sensing for reading data from a storage medium
US9367246B2 (en) 2013-03-15 2016-06-14 Sandisk Technologies Inc. Performance optimization of data transfer for soft information generation
US9285278B2 (en) 2013-05-09 2016-03-15 Apple Inc. System and methods for thermal control using sensors on die
US9665141B2 (en) * 2013-06-05 2017-05-30 Apple Inc. Thermal management of an integrated circuit
US9524235B1 (en) 2013-07-25 2016-12-20 Sandisk Technologies Llc Local hash value generation in non-volatile data storage systems
US9639463B1 (en) 2013-08-26 2017-05-02 Sandisk Technologies Llc Heuristic aware garbage collection scheme in storage systems
US9235509B1 (en) 2013-08-26 2016-01-12 Sandisk Enterprise Ip Llc Write amplification reduction by delaying read access to data written during garbage collection
US9442662B2 (en) 2013-10-18 2016-09-13 Sandisk Technologies Llc Device and method for managing die groups
US9436831B2 (en) 2013-10-30 2016-09-06 Sandisk Technologies Llc Secure erase in a memory device
US9703816B2 (en) 2013-11-19 2017-07-11 Sandisk Technologies Llc Method and system for forward reference logging in a persistent datastore
US9520197B2 (en) 2013-11-22 2016-12-13 Sandisk Technologies Llc Adaptive erase of a storage device
US9520162B2 (en) * 2013-11-27 2016-12-13 Sandisk Technologies Llc DIMM device controller supervisor
US9582058B2 (en) 2013-11-29 2017-02-28 Sandisk Technologies Llc Power inrush management of storage devices
US9703636B2 (en) 2014-03-01 2017-07-11 Sandisk Technologies Llc Firmware reversion trigger and control
US9390814B2 (en) 2014-03-19 2016-07-12 Sandisk Technologies Llc Fault detection and prediction for data storage elements
US9454448B2 (en) 2014-03-19 2016-09-27 Sandisk Technologies Llc Fault testing in storage devices
US9448876B2 (en) 2014-03-19 2016-09-20 Sandisk Technologies Llc Fault detection and prediction in storage devices
US9625890B2 (en) * 2014-03-28 2017-04-18 Intel Corporation Coordinating control loops for temperature control
US9390021B2 (en) 2014-03-31 2016-07-12 Sandisk Technologies Llc Efficient cache utilization in a tiered data structure
US9626399B2 (en) 2014-03-31 2017-04-18 Sandisk Technologies Llc Conditional updates for reducing frequency of data modification operations
US9626400B2 (en) 2014-03-31 2017-04-18 Sandisk Technologies Llc Compaction of information in tiered data structure
US9697267B2 (en) 2014-04-03 2017-07-04 Sandisk Technologies Llc Methods and systems for performing efficient snapshots in tiered data structures
US10162748B2 (en) 2014-05-30 2018-12-25 Sandisk Technologies Llc Prioritizing garbage collection and block allocation based on I/O history for logical address regions
US10146448B2 (en) 2014-05-30 2018-12-04 Sandisk Technologies Llc Using history of I/O sequences to trigger cached read ahead in a non-volatile storage device
US10114557B2 (en) 2014-05-30 2018-10-30 Sandisk Technologies Llc Identification of hot regions to enhance performance and endurance of a non-volatile storage device
US9703491B2 (en) 2014-05-30 2017-07-11 Sandisk Technologies Llc Using history of unaligned writes to cache data and avoid read-modify-writes in a non-volatile storage device
US10656840B2 (en) 2014-05-30 2020-05-19 Sandisk Technologies Llc Real-time I/O pattern recognition to enhance performance and endurance of a storage device
US10656842B2 (en) 2014-05-30 2020-05-19 Sandisk Technologies Llc Using history of I/O sizes and I/O sequences to trigger coalesced writes in a non-volatile storage device
US10372613B2 (en) 2014-05-30 2019-08-06 Sandisk Technologies Llc Using sub-region I/O history to cache repeatedly accessed sub-regions in a non-volatile storage device
US9652381B2 (en) 2014-06-19 2017-05-16 Sandisk Technologies Llc Sub-block garbage collection
US9575537B2 (en) 2014-07-25 2017-02-21 Intel Corporation Adaptive algorithm for thermal throttling of multi-core processors with non-homogeneous performance states
US9443601B2 (en) 2014-09-08 2016-09-13 Sandisk Technologies Llc Holdup capacitor energy harvesting
US9612763B2 (en) 2014-09-23 2017-04-04 Western Digital Technologies, Inc. Apparatus and methods to control power on PCIe direct attached nonvolatile memory storage subsystems
US9940036B2 (en) * 2014-09-23 2018-04-10 Western Digital Technologies, Inc. System and method for controlling various aspects of PCIe direct attached nonvolatile memory storage subsystems
US10877530B2 (en) 2014-12-23 2020-12-29 Intel Corporation Apparatus and method to provide a thermal parameter report for a multi-chip package
US9644831B2 (en) * 2015-01-15 2017-05-09 Heraeus Noblelight America Llc Intelligent manifold assemblies for a light source, light sources including intelligent manifold assemblies, and methods of operating the same
US9939328B2 (en) * 2015-03-12 2018-04-10 Qualcomm Incorporated Systems, apparatus, and methods for temperature detection
KR102311916B1 (ko) 2015-08-17 2021-10-15 삼성전자주식회사 스토리지 장치
US10088880B2 (en) * 2015-08-27 2018-10-02 Intel Corporation Thermal monitoring of memory resources
US10001800B1 (en) * 2015-09-10 2018-06-19 Apple Inc. Systems and methods for determining temperatures of integrated circuits
US10401235B2 (en) * 2015-09-11 2019-09-03 Qualcomm Incorporated Thermal sensor placement for hotspot interpolation
US10712789B2 (en) * 2015-12-18 2020-07-14 Intel Corporation Integrated circuit thermal throttling with workload adapted thermal sensor maximum temperature
US10163508B2 (en) * 2016-02-26 2018-12-25 Intel Corporation Supporting multiple memory types in a memory slot
US9996281B2 (en) * 2016-03-04 2018-06-12 Western Digital Technologies, Inc. Temperature variation compensation
US10528099B2 (en) * 2016-10-10 2020-01-07 Micron Technology, Inc. Configuration update for a memory device based on a temperature of the memory device
CN106708010B (zh) * 2016-11-29 2019-10-22 北京长城华冠汽车科技股份有限公司 一种电动汽车热管理系统的测试装置和测试系统
KR20180084518A (ko) * 2017-01-17 2018-07-25 에스케이하이닉스 주식회사 메모리 장치, 이를 포함하는 메모리 시스템, 및 그의 리페어 동작 방법
US10115471B1 (en) * 2017-05-01 2018-10-30 Western Digital Technologies, Inc. Storage system and method for handling overheating of the storage system
CN109452885B (zh) * 2017-09-06 2022-02-11 广东美的生活电器制造有限公司 搅拌杯组件和食物料理机
EP3721653A4 (de) * 2017-12-06 2021-09-01 Plume Design, Inc. Thermische verwaltung von drahtlosen zugangspunkten
KR20190127173A (ko) * 2018-05-03 2019-11-13 에스케이하이닉스 주식회사 저장 장치 및 그 동작 방법
US10664027B2 (en) 2018-10-09 2020-05-26 Intel Corporation Methods, systems and apparatus for dynamic temperature aware functional safety
KR20210036593A (ko) 2019-09-26 2021-04-05 삼성전자주식회사 스토리지 장치
US11892893B2 (en) 2019-10-01 2024-02-06 Microsoft Technology Licensing, Llc Systems and methods for thermal system management
US20210132817A1 (en) * 2019-10-31 2021-05-06 Western Digital Technologies, Inc. Relocation of Data in Memory At Different Transfer Rates Based on Temperature
US11126636B2 (en) * 2019-11-14 2021-09-21 Fisher-Rosemount Systems, Inc. Apparatus and methods for secure data logging
US11550687B2 (en) * 2019-12-09 2023-01-10 Micron Technology, Inc. Using memory device sensors
US20220019375A1 (en) * 2020-07-14 2022-01-20 Micron Technology, Inc. Abnormal condition detection based on temperature monitoring of memory dies of a memory sub-system
US11231760B1 (en) * 2020-07-21 2022-01-25 Nvidia Corporation Techniques for accurately determining the temperature at various locations of an operating integrated circuit
CN114385432A (zh) * 2020-10-19 2022-04-22 建兴储存科技股份有限公司 存储装置及其工作温度计算方法
US11520731B1 (en) * 2020-11-06 2022-12-06 Amazon Technologies, Inc. Arbitrating throttling recommendations for a systolic array
US11442890B1 (en) 2020-11-06 2022-09-13 Amazon Technologies, Inc. On-circuit data activity monitoring for a systolic array
KR20220072153A (ko) * 2020-11-25 2022-06-02 에스케이하이닉스 주식회사 저장 시스템 및 저장 시스템의 동작 방법
US11687432B2 (en) 2021-01-14 2023-06-27 Silicon Motion, Inc. Data accessing method using dynamic speed adjustment with aid of thermal control unit, and associated apparatus
WO2022250673A1 (en) * 2021-05-27 2022-12-01 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Power consumption controls
US20230133234A1 (en) * 2021-11-04 2023-05-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Electronic device controlling an operation of a volatile memory and method for operating the same
KR20230108445A (ko) * 2022-01-11 2023-07-18 에스케이하이닉스 주식회사 듀얼 인라인 메모리 모듈 및 듀얼 인라인 메모리 모듈의 동작방법
US11941270B2 (en) 2022-04-04 2024-03-26 Western Digital Technologies, Inc. Data storage device with die-based enhanced thermal management

Family Cites Families (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3835458A (en) * 1973-12-03 1974-09-10 D Mrazek Die temperature controlled programming of ic memory device
JPS61190798A (ja) * 1985-02-19 1986-08-25 Fujitsu Ltd 半導体装置
US5498971A (en) * 1994-02-07 1996-03-12 Zenith Data Systems Corporation Method and control circuit for measuring the temperature of an integrated circuit
US6463396B1 (en) * 1994-05-31 2002-10-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Apparatus for controlling internal heat generating circuit
US5752011A (en) * 1994-06-20 1998-05-12 Thomas; C. Douglas Method and system for controlling a processor's clock frequency in accordance with the processor's temperature
US5867384A (en) * 1997-07-08 1999-02-02 Johnson Services Company Feedback controller
US6081751A (en) * 1997-12-19 2000-06-27 National Instruments Corporation System and method for closed loop autotuning of PID controllers
US6233190B1 (en) * 1999-08-30 2001-05-15 Micron Technology, Inc. Method of storing a temperature threshold in an integrated circuit, method of modifying operation of dynamic random access memory in response to temperature, programmable temperature sensing circuit and memory integrated circuit
US6424873B1 (en) * 1999-12-30 2002-07-23 Honeywell Inc. Systems and methods for limiting integral calculation components in PID controllers
US6552561B2 (en) * 2000-07-10 2003-04-22 Temptronic Corporation Apparatus and method for controlling temperature in a device under test using integrated temperature sensitive diode
US6545494B1 (en) * 2000-07-10 2003-04-08 Temptronic Corporation Apparatus and method for controlling temperature in a wafer using integrated temperature sensitive diode
DE10036914A1 (de) * 2000-07-28 2002-02-14 Infineon Technologies Ag Integrierte Schaltung mit Temperatursensor
US6647369B1 (en) 2000-10-20 2003-11-11 Silverbrook Research Pty Ltd. Reader to decode sound and play sound encoded in infra-red ink on photographs
US6369716B1 (en) * 2000-12-01 2002-04-09 Johnson Controls Technology Company System and method for controlling air quality in a room
US6701272B2 (en) * 2001-03-30 2004-03-02 Intel Corporation Method and apparatus for optimizing thermal solutions
JP4700223B2 (ja) * 2001-05-18 2011-06-15 株式会社バッファロー Ｄｒａｍ装置およびｄｒａｍ装置のリフレッシュ方法
JP3588599B2 (ja) * 2001-07-05 2004-11-10 株式会社東芝 半導体バッファ能力調整方法、半導体バッファ能力調整システム、及び半導体装置
US6809978B2 (en) 2002-05-13 2004-10-26 Infineon Technologies Ag Implementation of a temperature sensor to control internal chip voltages
US6948082B2 (en) * 2002-05-17 2005-09-20 International Business Machines Corporation Method and apparatus for software-assisted thermal management for electronic systems
DE10313605B4 (de) * 2003-03-26 2009-03-19 Qimonda Ag Vorrichtung und Verfahren zum Steuern mehrerer Speicherbausteine
US7428644B2 (en) * 2003-06-20 2008-09-23 Micron Technology, Inc. System and method for selective memory module power management
US7389364B2 (en) * 2003-07-22 2008-06-17 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for direct memory access in a hub-based memory system
US20050041453A1 (en) * 2003-08-22 2005-02-24 Brazis Paul W. Method and apparatus for reading and writing to solid-state memory
US7194593B2 (en) * 2003-09-18 2007-03-20 Micron Technology, Inc. Memory hub with integrated non-volatile memory
US6844752B1 (en) * 2003-09-19 2005-01-18 Xilinx, Inc. Thermal conditioning for integrated circuit testing
KR100524807B1 (ko) * 2003-10-07 2005-11-01 주식회사 하이닉스반도체 온도 센서 리미터를 갖는 온도 보상된 셀프 리프레시 회로
US7453302B2 (en) 2003-12-23 2008-11-18 Infineon Technologies Ag Temperature compensated delay signals
DE102004005667B4 (de) * 2004-02-05 2006-02-09 Infineon Technologies Ag Integrierter Halbleiterspeicher mit temperaturabhängiger Spannungserzeugung und Verfahren zum Betrieb
US7317605B2 (en) 2004-03-11 2008-01-08 International Business Machines Corporation Method and apparatus for improving performance margin in logic paths
KR100546416B1 (ko) * 2004-07-08 2006-01-26 삼성전자주식회사 다수개의 온도 감지기들을 구비하는 반도체 장치 및 이를이용한 반도체 장치 제어방법
US7102417B2 (en) * 2004-11-05 2006-09-05 International Business Machines Corporation Integrated circuit die including a temperature detection circuit, and system and methods for calibrating the temperature detection circuit
JP4461430B2 (ja) * 2004-12-10 2010-05-12 エルピーダメモリ株式会社 セルフリフレッシュタイマ回路及びセルフリフレッシュタイマの調整方法
KR100655076B1 (ko) * 2005-01-20 2006-12-08 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치의 내부 온도 데이터 출력 방법 및그에 따른 내부 온도 데이터 출력회로
US7400945B2 (en) * 2005-03-23 2008-07-15 Intel Corporation On-die temperature monitoring in semiconductor devices to limit activity overload
US7450456B2 (en) * 2005-03-30 2008-11-11 Intel Corporation Temperature determination and communication for multiple devices of a memory module
US7260007B2 (en) * 2005-03-30 2007-08-21 Intel Corporation Temperature determination and communication for multiple devices of a memory module
US7259585B2 (en) * 2005-09-28 2007-08-21 International Business Machines Corporation Selective on-die termination for improved power management and thermal distribution

Also Published As

Publication number Publication date
JP2007265393A (ja) 2007-10-11
WO2007098126A3 (en) 2007-10-18
CN101025994A (zh) 2007-08-29
KR101060471B1 (ko) 2011-08-29
JP4729511B2 (ja) 2011-07-20
US7590473B2 (en) 2009-09-15
US20070191993A1 (en) 2007-08-16
KR20080088640A (ko) 2008-10-02
TWI339842B (en) 2011-04-01
TW200802400A (en) 2008-01-01
KR20100111755A (ko) 2010-10-15
WO2007098126A2 (en) 2007-08-30
CN100550188C (zh) 2009-10-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE112007000338T5 (de) Temperaturmanagement mittels eines On-Die-Temperatursensors
DE102007028154B4 (de) Integrierte Schaltung mit Wärmesensor und Umschaltsteuerung
DE102007035895A1 (de) Dynamische Leistungssteuerung eines Wärmesensors einer Speichervorrichtung
DE102020104367A1 (de) Refresh-befehlssteuerung für eine hostunterstützung einer rowhammer-mitigation
DE112008004246B4 (de) Temperaturalarm und Niedrig-Raten-Auffrischen für einen nichtflüchtigen Speicher
DE112006003267B4 (de) Zeitlich multiplexierter dynamischer, schaltkreisintegrierter Abschluss
DE102007053796B4 (de) Betreiben integrierter Schaltkreis-Logikblöcke bei unabhängigen Spannungen mit einer einzelnen Spannungsversorgung
DE112013003294B4 (de) 1-8Konfiguration zur Stromreduzierung im Dram
DE102007052840A1 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Umschalten einer Vorrichtung in einen Leistungssparmodus
DE112009004279T5 (de) Dynamisches Aktualisieren von Schwellenwerten gemäß Betriebszuständen
DE112006003224T5 (de) Polaritätsbetriebener dynamischer, schaltkreisintegrierter Abschluss
DE112017001020T5 (de) Unterstützung einer vielzahl von speichertypen in einem speichersteckplatz
DE102010054337A1 (de) Mechanismen, um ineffizientes Core-Hopping zu vermeiden und Hardware-unterstützte Auswahl eines Niedrigleitungszustands bereitzustellen
DE102019102886A1 (de) Prozessor mit eingebettetem nichtflüchtigen Direktzugriffsspeicher zum Unterstützen von Prozessorüberwachungssoftware
DE102018106863A1 (de) Speichersystem zum Unterstützen einer internen DQ-Terminierung eines Datenpuffers
DE102020110584A1 (de) Nvram-speichermodul mit hard-schreibdrosselung
DE102022105932A1 (de) Komprimierter verbindungsstiftmit geschlossenem regelkreis
WO2002011147A2 (de) Integrierte schaltung mit temperatursensor
DE102015114001B4 (de) Bedarfsgerechte Kühlung eines nicht-flüchtigen Speichers (NVM) unter Verwendung einer Peltiervorrichtung
DE102019103408A1 (de) Systeme, verfahren und vorrichtungen zum bekämpfen von direkt-speicherzugriffsattacken
DE112014005394T5 (de) Aufsicht für Dimm-Vorrichtungscontroller
CN114402780B (zh) 一种基于农业综合大数据灌溉施肥控制方法及系统
CN115469730A (zh) 服务器散热的控制方法、装置、计算机设备和存储介质
DE102007009817B4 (de) Halbleiterspeichermodul und elektronische Vorrichtung, ein Halbleiterspeichermodul umfassend, und Verfahren zu dessen Betrieb
EP4045999B1 (de) Verfahren zum vorgeben einer leistungsgrenze eines prozessors

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8125 Change of the main classification

Ipc: G11C 7/04 AFI20070215BHDE

R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication
R002 Refusal decision in examination/registration proceedings
R003 Refusal decision now final