DE112014005394T5 - Aufsicht für Dimm-Vorrichtungscontroller - Google Patents

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Gregg S. Lucas
Kenneth B. Delpapa
Robert W. Ellis
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Abstract

Die verschiedenen hierin beschriebenen Implementierungen weisen Systeme, Verfahren und/oder Vorrichtungen auf, die verwendet werden, um die Durchführung von Aufsichtsfunktionen für ein doppelreihiges Speichermodul (DIMM) in einem Controller im DIMM zu ermöglichen. Das Verfahren schließt beim Hochfahren erfolgendes Bestimmen einer dem DIMM zugeführten Stromversorgungsspannung ein. Gemäß einer Bestimmung, dass Stromversorgungskriterien erfüllt sind, schließt das Verfahren ein: (1) Durchführen einer oder mehrerer Hochfahroperationen, einschließlich Initialisieren eines Nutzungszählers, (2) Überwachen einer Temperatur des DIMMs, (3) Überwachen des DIMMs auf das Auftreten von einem oder mehreren aus einer Menge von vorbestimmten Triggerereignissen, und (4) als Antwort auf das Ermitteln von einem aus der Menge von vorbestimmten Triggerereignissen erfolgendes Protokollieren von Information, die dem ermittelten vorbestimmten Ereignis entspricht.

Description

  • FACHGEBIET
  • Die offenbarten Ausführungsformen betreffen allgemein Speichersysteme und insbesondere die Durchführung von Aufsichtsfunktionen in Speichervorrichtungen.
  • HINTERGRUND
  • Halbleiter-Speichervorrichtungen, einschließlich Flash-Speicher, nutzen normalerweise Speicherzellen, um Daten als einen elektrischen Wert zu speichern, wie etwa als eine elektrische Ladung oder Spannung. Eine Flash-Speicherzelle weist zum Beispiel einen einzelnen Transistor mit einem Schwebegate auf, der verwendet wird, um eine Ladung zu speichern, die einen Datenwert darstellt. Flash-Speicher ist eine nichtflüchtige Datenspeichervorrichtung, die elektrisch gelöscht und umprogrammiert werden kann. Allgemeiner gesagt, hält nichtflüchtiger Speicher (z. B. Flash-Speicher wie auch andere Typen von nichtflüchtigem Speicher, die unter Verwendung von jeder aus einer Vielfalt von Technologien implementiert werden) gespeicherte Information auch dann, wenn er nicht mit Strom versorgt wird, im Gegensatz zu flüchtigem Speicher, der Strom benötigt, um die gespeicherte Information zu bewahren.
  • Solche Speichervorrichtungen erfordern einen Controller, um Information über das Leistungsvermögen der Speichervorrichtung zu protokollieren und zu überwachen und um eine oder mehrere Operationen durchzuführen, um das Nennleistungsvermögen der Speichervorrichtung zu gewährleisten. Diese Operationen sind wichtig für richtige Wartung, Steuerung und Meldung von Problemen, auf welche die Speichervorrichtung stößt, da moderne Computervorrichtungen unter mannigfaltigen Stromversorgungs- und Umgebungsbedingungen arbeiten müssen.
  • ZUSAMMENFASSUNG
  • Verschiedene Implementierungen von Systemen, Verfahren und Vorrichtungen innerhalb des Schutzbereichs der beigefügten Ansprüche haben jeweils mehrere Aspekte, von denen keiner allein für die hierin beschriebenen Merkmale verantwortlich ist. Ohne Beschränkung des Schutzbereichs der beigefügten Ansprüche wird man nach Studium dieser Offenbarung und insbesondere nach Studium des Abschnitts mit dem Titel „Ausführliche Beschreibung” verstehen, wie die Aspekte verschiedener Implementierungen verwendet werden, um die Durchführung von Aufsichtsfunktionen in Speichervorrichtungen zu ermöglichen.
  • KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Damit die vorliegende Offenbarung ausführlicher verstanden werden kann, kann eine eingehendere Beschreibung unter Bezugnahme auf die Merkmale verschiedener Implementierungen vorgenommen werden, von denen einige in den beigefügten Zeichnungen dargestellt sind. Die beigefügten Zeichnungen stellen jedoch nur die sachdienlicheren Merkmale der vorliegenden Offenbarung dar und sind daher nicht als einschränkend anzusehen, da die Beschreibung zu anderen wirksamen Merkmalen führen kann.
  • 1 ist ein Blockschaltbild, das eine Implementierung eines Datenspeichersystems gemäß einigen Ausführungsformen darstellt.
  • 2 ist ein Blockschaltbild, das eine Implementierung eines Aufsicht-Controllers gemäß einigen Ausführungsformen darstellt.
  • 3A bis 3C stellen eine Ablaufplandarstellung eines Verfahrens zur Durchführung von Aufsichtsfunktionen in einer Speichervorrichtung gemäß einigen Ausführungsformen dar.
  • Entsprechend der üblichen Praxis sind die verschiedenen in den Zeichnungen dargestellten Merkmale möglicherweise nicht maßstabsgetreu gezeichnet. Dementsprechend können die Abmessungen der verschiedenen Merkmale der Deutlichkeit halber beliebig erweitert oder verringert sein. Außerdem kann es sein, dass einige der Zeichnungen nicht alle Komponenten einer bzw. eines gegebenen Systems, Verfahrens oder Vorrichtung darstellen. Und schließlich können überall in der Patentschrift und den Zeichnungen gleiche Bezugszeichen verwendet werden, um gleiche Merkmale zu bezeichnen.
  • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG
  • Die verschiedenen hierin beschriebenen Implementierungen schließen Systeme, Verfahren und/oder Vorrichtungen ein, die verwendet werden, um Aufsichtsfunktionen in Speichervorrichtungen durchzuführen. Genauer gesagt, schließen einige Implementierungen ein Verfahren zum Durchführen von Aufsichtsfunktionen für ein doppelreihiges Speichermodul (DIMM). In einigen Implementierungen schließt das Verfahren ein: In einem Controller im DIMM beim Hochfahren erfolgendes Bestimmen einer dem DIMM zugeführten Stromversorgungsspannung. Das Verfahren schließt ferner ein: Gemäß einer Bestimmung, dass Stromversorgungskriterien erfüllt sind, erfolgendes Durchführen von Operationen, wobei die Stromversorgungskriterien eine Anforderung einschließen, dass eine dem DIMM zugeführte Stromversorgungsspannung in einem von N vordefinierten Spannungsbereichen liegt, und N eine ganze Zahl größer als eins ist. In einigen Ausführungsformen schließen diese Operationen als Antwort auf eine Bestimmung, dass die Stromversorgungskriterien erfüllt sind, ein: Durchführen einer oder mehrerer Hochfahroperationen, einschließlich Initialisieren eines Nutzungszählers, Überwachen einer Temperatur des DIMMs, Überwachen des DIMMs auf das Auftreten von einem oder mehreren aus einer Menge von vorbestimmten Triggerereignissen, und als Antwort auf das Ermitteln von einem aus der Menge von vorbestimmten Triggerereignissen erfolgendes Protokollieren von Information, die dem ermittelten vorbestimmten Ereignis entspricht.
  • In einigen Ausführungsformen schließt die Menge von vorbestimmten Triggerereignissen zwei oder mehr von Folgendem ein: eine Temperaturmessung des DIMMs, die eine vordefinierte Temperatur überschreitet; eine Stromausfallbedingung; eine vordefinierte Bedingung, die einem von einem Host empfangenen vordefinierten Befehl entspricht; eine aktuelle Anzahl von Programmier-Lösch-Zyklen, die auf jeweiligen Flash-Speicherabschnitten des DIMMs durchgeführt wurden, erfüllt vordefinierte Kriterien.
  • In einigen Ausführungsformen schließen die Stromversorgungskriterien ferner eine Anforderung ein, dass eine dem DIMM zugeführte SPD-Stromversorgungsspannung eine vordefinierte SPD-Versorgungsspannung ist.
  • In einigen Ausführungsformen schließt das Verfahren ferner ein: Gemäß einer Bestimmung, dass Stromversorgungskriterien nicht erfüllt sind, erfolgendes Durchführen einer oder mehrerer Sperrabschaltungsoperationen.
  • In einigen Ausführungsformen schließt das Durchführen der einen oder mehreren Hochfahroperationen ein: Gemäß einer Bestimmung, dass die dem DIMM zugeführte Stromversorgungsspannung eine erste vordefinierte Spannung ist, erfolgendes Ausführen einer Speichermodulfunktion unter Verwendung einer der ersten vordefinierten Spannung entsprechenden ersten Menge von Konfigurationsparametern, und gemäß einer Bestimmung, dass die dem DIMM zugeführte Stromversorgungsspannung eine zweite vordefinierte Spannung ist, erfolgendes Ausführen einer Speichermodulfunktion unter Verwendung einer der zweiten vordefinierten Spannung entsprechenden zweiten Menge von Konfigurationsparametern.
  • In einigen Ausführungsformen schließt das Verfahren ferner ein: Als Antwort auf das Empfangen eines Befehls von einem Host-System erfolgendes Ersetzen der ersten Menge von Konfigurationsparametern.
  • In einigen Ausführungsformen schließt das Durchführen der einen oder mehreren Hochfahroperationen ein: Aufheben eines an einen oder mehrere Controller von nichtflüchtigem Speicher im DIMM angelegten Resets.
  • In einigen Ausführungsformen schließt das Verfahren ferner ein: Überwachen einer Ladung einer Energiespeichervorrichtung in einem Datenhärtungsmodul.
  • In einigen Ausführungsformen ist ein Wert des Nutzungszählers eine aktuelle Summe der seit dem Hochfahren aufgelaufenen Zeit.
  • In einigen Ausführungsformen schließt das Verfahren ferner ein: Bestimmen einer beschleunigten Zeitmessung, die zumindest teilweise auf dem Wert des Nutzungszählers und der überwachten Temperatur des DIMMs beruht.
  • In einigen Ausführungsformen schließt das Verfahren ferner ein: Als Antwort auf das Ermitteln von einem aus der Menge von Ereignissen erfolgendes Senden einer Benachrichtigung an ein Host-System.
  • In einigen Ausführungsformen schließt das Verfahren ferner ein: Empfangen einer Anfrage nach Information von einem Host-System und als Antwort auf die Anfrage erfolgendes Senden der angefragten Information an das Host-System.
  • In einigen Ausführungsformen ist der Controller im DIMM unter Verwendung von Kontakten zur seriellen Präsenzermittlung (SPD) mit einer Schnittstelle für das DIMM gekoppelt, worin die Schnittstelle für das DIMM dafür konfiguriert ist, mit einem Speicherbus gekoppelt zu werden.
  • Unter einem anderen Aspekt wird eines der oben beschriebenen Verfahren durch eine doppelreihige Speichermodul-(DIMM-)Vorrichtung durchgeführt, die (1) eine Schnittstelle zum Koppeln der DIMM-Vorrichtung mit einem Host-System und (2) einen Controller im DIMM aus einer Vielzahl von Controllern umfasst, wobei der Controller dafür konfiguriert ist: (a) beim Hochfahren eine dem DIMM zugeführte Stromversorgungsspannung zu bestimmen und (b) gemäß einer Bestimmung, dass Stromversorgungskriterien erfüllt sind, wobei die Stromversorgungskriterien eine Anforderung einschließen, dass eine dem DIMM zugeführte Stromversorgungsspannung in einem von N vordefinierten Spannungsbereichen liegt, worin N eine ganze Zahl größer als eins ist: (i) eine oder mehrere Hochfahroperationen durchzuführen, einschließlich Initialisieren eines Nutzungszählers, (ii) eine Temperatur des DIMMs zu überwachen, (iii) das DIMM auf das Auftreten von einem oder mehreren aus einer Menge von vorbestimmten Triggerereignissen zu überwachen, und (iv) als Antwort auf das Ermitteln von einem aus der Menge von vorbestimmten Triggerereignissen Information zu protokollieren, die dem ermittelten vorbestimmten Ereignis entspricht.
  • In einigen Ausführungsformen ist die doppelreihige Speichermodul-(DIMM-)Vorrichtung dafür konfiguriert, eines der oben beschriebenen Verfahren durchzuführen.
  • In einigen Ausführungsformen schließt die Vielzahl von Controllern auf der doppelreihigen Speichermodul-(DIMM-)Vorrichtung mindestens einen Controller für nichtflüchtigen Speicher und mindestens einen anderen Speichercontroller als den mindestens einen Controller für nichtflüchtigen Speicher ein.
  • In einigen Ausführungsformen ordnet einer aus der Vielzahl von Controllern auf der Speichervorrichtung Befehle der Schnittstelle für doppelte Datenrate (DDR) Befehlen der Schnittstelle für serielle Anbindung der fortschrittlichen Technologie (SATA) zu.
  • Unter noch einem anderen Aspekt wird eines der oben beschriebenen Verfahren durch eine doppelreihige Speichermodul-(DIMM-)Vorrichtung durchgeführt, die betriebsfähig ist, Aufsichtsfunktionen durchzuführen. In einigen Ausführungsformen weist die Vorrichtung auf: (1) eine Schnittstelle zum Koppeln der DIMM-Vorrichtung mit einem Host-System, (2) Mittel zum beim Hochfahren erfolgenden Bestimmen einer dem DIMM zugeführten Stromversorgungsspannung, und (3) Überwachungsmittel zum gemäß einer Bestimmung, dass die Stromversorgungskriterien erfüllt sind, erfolgenden Durchführen einer Menge von Operationen, wobei die Stromversorgungskriterien eine Anforderung einschließen, dass eine dem DIMM zugeführte Stromversorgungsspannung in einem von N vordefinierten Spannungsbereichen liegt, und N eine ganze Zahl größer als eins ist. Die Überwachungsmittel weisen auf: (a) Mittel zum Durchführen einer oder mehrerer Hochfahroperationen, einschließlich Initialisieren eines Nutzungszählers, (b) Mittel zum Überwachen einer Temperatur des DIMMs, (c) Mittel zum Überwachen des DIMMs auf das Auftreten von einem oder mehreren aus einer Menge von vorbestimmten Triggerereignissen, und (4) Mittel zum Protokollieren von Information, die dem ermittelten vorbestimmten Ereignis entspricht, als Antwort auf das Ermitteln von einem aus der Menge von vorbestimmten Triggerereignissen.
  • Unter noch einem anderen Aspekt wird ein nichtvergängliches computerlesbares Speichermedium bereitgestellt, das ein oder mehrere Programme zur Ausführung durch einen oder mehrere Prozessoren einer Speichervorrichtung mit einer Vielzahl von Controllern speichert, wobei das eine oder die mehreren Programme Anweisungen zum Durchführen eines der oben beschriebenen Verfahren einschließen.
  • Zahlreiche Einzelheiten werden hierin beschrieben, um ein umfassendes Verständnis der in den beigefügten Zeichnungen dargestellten beispielhaften Implementierungen zu erbringen. Jedoch können einige Ausführungsformen ohne viele der spezifischen Einzelheiten in die Praxis umgesetzt werden, und der Schutzbereich der Ansprüche ist nur durch diejenigen Merkmale und Ansprüche begrenzt, die in den Ansprüchen eigens aufgeführt werden. Außerdem sind bekannte Verfahren, Komponenten und Schaltungen nicht in erschöpfenden Einzelheiten beschrieben worden, um sachdienlichere Aspekte der hierin beschriebenen Implementierungen nicht unnötig unverständlich zu machen.
  • 1 ist ein Blockschaltbild, das eine Implementierung eines Datenspeichersystems 100 gemäß einigen Ausführungsformen darstellt. Während einige Merkmale dargestellt sind, sind verschiedene andere Merkmale nicht dargestellt worden – der Kürze halber und und um sachdienlichere Aspekte der hierin beschriebenen beispielhaften Implementierungen nicht unnötig unverständlich zu machen. Dazu weist das Datenspeichersystem 100 als nicht einschränkendes Beispiel eine Speichervorrichtung 120 (manchmal Speichermodul, Speicherbauelement, Datenspeichervorrichtung oder Informationsspeichervorrichtung genannt) auf, die eine Host-Schnittstelle 122, einen Controller 124 für serielle Präsenzermittlung (SPD) und Aufsicht, ein Datenhärtungsmodul 126, einen Speichercontroller 128, einen oder mehrere Flash-Controller (z. B. den oder die Flash-Controller 130) und nichtflüchtigen Speicher (z. B. eine oder mehrere Flash-Speichervorrichtung(en) 140, 142) aufweist und in Verbindung mit dem Computersystem 110 verwendet wird. In einigen Implementierungen weist die Speichervorrichtung 120 eine einzelne Flash-Speichervorrichtung auf, während die Speichervorrichtung 120 in anderen Implementierungen eine Vielzahl von Flash-Speichervorrichtungen aufweist. In einigen Implementierungen weisen die Flash-Speichervorrichtungen 140 Flash-Speicher vom NAND-Typ oder Flash-Speicher vom NOR-Typ auf. Ferner ist in einigen Implementierungen der Flash-Controller 130 ein Controller für Festkörperlaufwerke (SSD). Jedoch können unter Aspekten einer breiten Vielfalt von Implementierungen ein oder mehrere andere Typen von Speichermedien einbezogen werden.
  • Das Computersystem 110 ist über Datenverbindungen 101 mit der Speichervorrichtung 120 gekoppelt. Jedoch weist das Computersystem 110 in einigen Implementierungen die Speichervorrichtung 120 als Komponente und/oder Teilsystem auf. Das Computersystem 110 kann jegliche geeignete Computervorrichtung sein, wie etwa ein Personal Computer, eine Workstation, ein Computerserver oder jegliche andere Computervorrichtung. Das Computersystem 110 wird manchmal als Host oder Host-System bezeichnet. In einigen Implementierungen weist das Computersystem 110 einen oder mehrere Prozessoren und einen oder mehrere Typen von Speicher auf, optional weist es eine Anzeige und/oder andere Benutzerschnittstellenkomponenten wie etwa eine Tastatur, eine Touchscreen-Anzeige, eine Maus, ein Trackpad, eine Digitalkamera und/oder jegliche andere Zahl von ergänzenden Vorrichtungen auf, um Funktionalität hinzuzufügen. Ferner sendet das Computersystem 110 in einigen Implementierungen einen oder mehrere Host-Befehle (z. B. Lesebefehle und/oder Schreibbefehle) auf der Steuerleitung 111 an die Speichervorrichtung 120. In einigen Implementierungen ist das Computersystem 110 ein Serversystem, wie etwa ein Serversystem in einem Rechenzentrum, und muss keine Anzeige und andere Benutzerschnittstellenkomponenten haben.
  • In einigen Implementierungen weist die Speichervorrichtung 120 Flash-Speichervorrichtungen 140, 142 (z. B. Flash-Speichervorrichtungen 140-1 bis 140-n und Flash-Speichervorrichtungen 142-1 bis 142-k) und Flash-Controller 130 (z. B. Flash-Controller 130-1 bis 130-m) auf. In einigen Implementierungen weist jeder Flash-Controller der Flash-Controller 130 eine oder mehrere Verarbeitungseinheiten (manchmal auch CPUs oder Prozessoren oder Mikroprozessoren oder Mikrocontroller genannt) auf, die dafür konfiguriert sind, Anweisungen in einem oder mehreren Programmen auszuführen (z. B. in den Flash-Controllern 130). In einigen Implementierungen werden der eine oder die mehreren Prozessoren durch eine oder mehrere Komponenten innerhalb und in einigen Fällen jenseits der Funktion der Flash-Controller 130 gemeinsam genutzt. In einigen Implementierungen weist jeder Flash-Controller der Flash-Controller 130 einen oder mehrere Temperatursensoren 160 auf, die dafür konfiguriert sind, die Temperatur eines jeweiligen Flash-Controllers der Flash-Controller 130 zu messen. Die Flash-Speichervorrichtungen 140, 142 sind mit den Flash-Controllern 130 über Verbindungen gekoppelt, die normalerweise Befehle zusätzlich zu Daten befördern und optional Metadaten, Fehlerkorrekturinformation und/oder andere Information zusätzlich zu in den Flash-Speichervorrichtungen 140, 142 zu speichernden Datenwerten und aus den Flash-Speichervorrichtungen 140, 142 gelesenen Datenwerten befördern. Zum Beispiel können die Flash-Speichervorrichtungen 140, 142 für Unternehmensspeicher konfiguriert sein, der für Anwendungen wie etwa Cloud Computing geeignet ist, oder zum Zwischenspeichern von Daten, die in Sekundärspeicher wie etwa Festplatten gespeichert sind (oder zu speichern sind). Zusätzlich und/oder alternativ kann Flash-Speicher auch für Anwendungen in vergleichsweise kleinerem Maßstab konfiguriert sein, wie etwa persönliche Flash-Laufwerke oder Festplattenersatz für Personal-, Laptop- und Tablet-Computer. Obwohl Flash-Speichervorrichtungen und Flash-Controller hier als Beispiel verwendet werden, kann die Speichervorrichtung 120 auch jegliche andere(n) nichtflüchtige(n) Speichervorrichtung(en) und entsprechende(n) Controller für nichtflüchtigen Speicher aufweisen.
  • In einigen Implementierungen weist die Speichervorrichtung 120 auch die Host-Schnittstelle 122, den SPD/Aufsicht-Controller 124, das Datenhärtungsmodul 126 und den Speichercontroller 128 auf. Die Speichervorrichtung 120 kann verschiedene zusätzliche Merkmale aufweisen, die der Kürze halber und und um sachdienlichere Aspekte der hierin beschriebenen beispielhaften Implementierungen nicht unnötig unverständlich zu machen nicht dargestellt worden sind, und eine andere Anordnung von Merkmalen kann möglich sein. Die Host-Schnittstelle 122 stellt eine Schnittstelle zum Computersystem 110 über Datenverbindungen 101 bereit. In einigen Implementierungen ist der SPD/Aufsicht-Controller 124 mit der Host-Schnittstelle 122 über einen SPD-Bus zu den SPD-Kontakten der Host-Schnittstelle 122 gekoppelt.
  • In einigen Implementierungen weist das Datenhärtungsmodul 126 eine oder mehrere Verarbeitungseinheiten (manchmal auch CPUs oder Prozessoren oder Mikroprozessoren oder Mikrocontroller genannt) auf, die dafür konfiguriert sind, Anweisungen in einem oder mehreren Programmen auszuführen (z. B. im Datenhärtungsmodul 126). In einigen Implementierungen werden der eine oder die mehreren Prozessoren durch eine oder mehrere Komponenten innerhalb und in einigen Fällen jenseits der Funktion des Datenhärtungsmoduls 126 gemeinsam genutzt. Das Datenhärtungsmodul 126 ist mit der Host-Schnittstelle 122, dem SPD/Aufsicht-Controller 124, dem Speichercontroller 128 und den Flash-Controllern 130 gekoppelt. Das Datenhärtungsmodul 126 umfasst die Energiespeichervorrichtung 150. In einigen Ausführungsformen weist die Energiespeichervorrichtung 150 einen oder mehrere Kondensatoren auf. In anderen Ausführungsformen weist die Energiespeichervorrichtung 150 eine oder mehrere Induktivitäten oder jegliche anderen passiven Elemente auf, die Energie speichern. In einigen Ausführungsformen weist die Energiespeichervorrichtung 150 eine oder mehrere Batterien auf. In einigen Ausführungsformen wird eine Stromausfalloperation unter Verwendung von Strom aus der Energiespeichervorrichtung 150 auf der Speichervorrichtung 120 durchgeführt. Während einer Stromausfalloperation wird die Energiespeichervorrichtung 150 verwendet, um der Speichervorrichtung 120 Strom bereitzustellen, und das Datenhärtungsmodul 126 wird verwendet, um die geeigneten Stromquellen zu verbinden und zu trennen, um Daten zu bewahren.
  • Der Speichercontroller 128 ist mit der Host-Schnittstelle 122, dem Datenhärtungsmodul 126, dem SPD/Aufsicht-Controller 124 und den Flash-Controllern 130 gekoppelt. In einigen Implementierungen empfängt der Speichercontroller 128 während einer Schreiboperation Daten vom Computersystem 110 über die Host-Schnittstelle 122, und während einer Leseoperation sendet der Speichercontroller 128 Daten an das Computersystem 110 über die Host-Schnittstelle 122. Ferner stellt die Host-Schnittstelle 122 zusätzliche Daten, Signale, Spannungen und/oder andere Information bereit, die zur Kommunikation zwischen dem Speichercontroller 128 und dem Computersystem 110 benötigt wird. In einigen Ausführungsformen verwenden der Speichercontroller 128 und die Host-Schnittstelle 122 einen definierten Schnittstellenstandard zur Kommunikation, wie etwa synchronen dynamischen Direktzugriffspeicher mit doppelter Datenrate, Typ 3 (DDR3). In einigen Ausführungsformen verwenden der Speichercontroller 128 und die Flash-Controller 130 einen definierten Schnittstellenstandard zur Kommunikation, wie etwa serielle Anbindung der fortschrittlichen Technologie (SATA). In einigen anderen Implementierungen ist die Vorrichtungsschnittstelle, die durch den Speichercontroller 128 verwendet wird, um mit den Flash-Controllern 130 zu kommunizieren, SAS (seriell angebundenes SCSI) oder eine andere Speicherschnittstelle. In einigen Implementierungen weist der Speichercontroller 128 eine oder mehrere Verarbeitungseinheiten (manchmal auch CPUs oder Prozessoren oder Mikroprozessoren oder Mikrocontroller genannt) auf, die dafür konfiguriert sind, Anweisungen in einem oder mehreren Programmen auszuführen (z. B. im Speichercontroller 128). In einigen Implementierungen werden der eine oder die mehreren Prozessoren durch eine oder mehrere Komponenten innerhalb und in einigen Fällen jenseits der Funktion des Speichercontrollers 128 gemeinsam genutzt.
  • SPD/Aufsicht-Controller 124 ist mit der Host-Schnittstelle 122, dem Datenhärtungsmodul 126 und dem Speichercontroller 128 gekoppelt. Serielle Präsenzermittlung (SPD) bezieht sich auf eine standardisierte Weise, um automatisch auf Information über ein Computerspeichermodul (z. B. die Speichervorrichtung 120) zuzugreifen. Zum Beispiel kann, wenn das Speichermodul eine Funktionsstörung hat, die Funktionsstörung über den SPD/Aufsicht-Controller 124 an ein Host-System (z. B. das Computersystem 110) übermittelt werden. In einigen Ausführungsformen ist der SPD/Aufsicht-Controller 124 ein Block mit den kombinierten Funktionen herkömmlicher SPD-Vorrichtungen (z. B. EEPROM-Speicher, der Speichervorrichtungsparameter speichert) und des offenbarten Aufsichtscontrollers. In einigen Ausführungsformen besteht der SPD/Aufsicht-Controller 124 aus zwei oder mehr Blöcken, die auf einem einzigen SPD-Bus sitzen, der mit der Host-Schnittstelle 122 gekoppelt ist.
  • 2 ist ein Blockschaltbild, das eine Implementierung eines SPD-Vorrichtung/Aufsicht-Controllers 124 gemäß einigen Ausführungsformen darstellt. Der SPD-Vorrichtung/Aufsicht-Controller 124 weist normalerweise auf: einen oder mehrere Prozessoren (manchmal auch CPUs oder Verarbeitungseinheiten oder Mikroprozessoren oder Mikrocontroller genannt) 202 zum Ausführen von im Speicher 206 gespeicherten Modulen, Programmen und/oder Anweisungen und dadurch zum Durchführen von Verarbeitungsoperationen, einen Speicher 206, ein SPD-Modul 204 und einen oder mehrere Kommunikationsbusse 208, um diese Komponenten miteinander zu verbinden. In einigen Implementierungen ist das SPD-Modul 204 eine herkömmliche SPD-Vorrichtung (z. B. EEPROM-Speicher, der Speichervorrichtungsparameter speichert) und ist über einen oder mehrere Kommunikationsbusse 208 mit den SPD-Kontakten der Host-Schnittstelle 122 gekoppelt. In einigen Ausführungsformen umfasst der SPD/Aufsicht-Controller 124 auch einen Temperatursensor 240. In einigen Ausführungsformen ist der Temperatursensor 240 auf der DIMM-Vorrichtung (z. B. Speichervorrichtung 120, 1) außerhalb des SPD/Aufsicht-Controllers 124 angeordnet, aber bleibt kommunikationsfähig mit dem SPD/Aufsicht-Controller 124 gekoppelt.
  • Die Kommunikationsbusse 208 weisen optional eine Schaltungsanordnung (manchmal als Chipset bezeichnet) auf, die Systemkomponenten miteinander verbindet und die Kommunikation zwischen ihnen steuert. SPD-Vorrichtung/Aufsicht-Controller 124 ist über die Kommunikationsbusse 208 mit der Host-Schnittstelle 122, dem Datenhärtungsmodul 126 und dem Speichercontroller 128 gekoppelt. Der Speicher 206 weist schnellen Direktzugriffspeicher wie etwa DRAM, SRAM, DDR RAM oder andere Festkörper-Direktzugriffspeichervorrichtungen auf und kann nichtflüchtigen Speicher wie etwa eine oder mehrere Magnetspeicherplattenvorrichtungen, optische Speicherplattenvorrichtungen, Flash-Speichervorrichtungen oder andere nichtflüchtige Festkörper-Speichervorrichtungen aufweisen. Der Speicher 206 weist optional eine oder mehrere Speichervorrichtungen auf, die entfernt von dem oder den Prozessor(en) 202 angeordnet sind. Der Speicher 206 oder alternativ die nichtflüchtige(n) Speichervorrichtung(en) innerhalb des Speichers 206 umfasst ein nicht vergängliches computerlesbares Speichermedium. In einigen Ausführungsformen speichert der Speicher 206 oder das computerlesbare Speichermedium des Speichers 206 die folgenden Programme, Module und Datenstrukturen oder eine Teilmenge davon:
    • – ein Überwachungsmodul 210, das zum Überwachen von Temperatursensoren, Triggerereignissen, Sperrabschaltungsbedingungen, SPD-Spannung, Stromversorgungskriterien und der Ladung einer Energiespeichervorrichtung 150 für eine Speichervorrichtung (z. B. Speichervorrichtung 120, 1) verwendet wird;
    • – ein Host-Kommunikationsmodul 224, das zum Verwalten eingehender und abgehender Kommunikation mit dem Host (z. B. Computersystem 110, 1) verwendet wird;
    • – ein Hochfahrmodul 226, das zum Durchführen einer oder mehrerer Hochfahroperationen der Speichervorrichtung verwendet wird;
    • – ein Protokollmodul 230, das zum Protokollieren von Information verwendet wird, die dem Auftreten von einem oder mehreren Triggerereignisse auf der DIMM-Vorrichtung entspricht; und
    • – ein Speicherkonfigurationsmodul 232, das zum Ausführen einer oder mehrerer Speichermodulfunktionen unter Verwendung einer oder mehrerer Mengen von Konfigurationsparametern verwendet wird.
  • In einigen Ausführungsformen weist das Überwachungsmodul 210 optional die folgenden Module oder Teilmodule oder eine Teilmenge davon auf:
    • – ein Temperaturmodul 212, das zum Überwachen der Temperaturmesswerte der DIMM-Vorrichtung verwendet wird (z. B. unter Verwendung eines Thermoelements auf der DIMM-Vorrichtung);
    • – ein Triggerereignismodul 214, das zum Überwachen des DIMMs auf das Auftreten von einem oder mehreren aus einer Menge von vorbestimmten Triggerereignissen verwendet wird;
    • – ein Sperrabschaltungsmodul 216, das zum Durchführen einer oder mehrerer Sperrabschaltungsoperationen als Antwort auf das Überwachen des Status von Stromversorgungskriterien auf der DIMM-Vorrichtung verwendet wird;
    • – ein SPD-Spannungsmodul 218, das zum Überwachen charakteristischer Merkmale einer der Speichervorrichtung zugeführten SPD-Spannung verwendet wird; und
    • – ein Energiespeichervorrichtungsmodul 222, das zum Überwachen des Ladungsniveaus auf der Energiespeichervorrichtung eines Datenhärtungsmoduls (z. B. die Energiespeichervorrichtung 150 im Datenhärtungsmodul 126) auf der DIMM-Vorrichtung verwendet wird.
  • In einigen Ausführungsformen weist das Hochfahrmodul 226 optional ein Nutzungszählermodul 228 auf, das zum Messen eines Werts der Zeit verwendet wird, die seit dem Hochfahren der DIMM-Vorrichtung vergangen ist.
  • Jedes der oben angegebenen Elemente kann in einer oder mehreren der vorher erwähnten Speichervorrichtungen gespeichert werden und entspricht einer Menge von Anweisungen zum Durchführen einer oben beschriebenen Funktion. Die oben angegebenen Module oder Programme (d. h. Mengen von Anweisungen) müssen nicht als getrennte Softwareprogramme, -prozeduren oder -module implementiert sein, und folglich können in verschiedenen Ausführungsformen verschiedene Teilmengen dieser Module kombiniert oder auf andere Weise neu angeordnet werden. In einigen Ausführungsformen kann der Speicher 206 eine Teilmenge der oben angegebenen Module und Datenstrukturen speichern. Außerdem kann der Speicher 206 zusätzliche Module und Datenstrukturen speichern, die oben nicht beschrieben wurden. In einigen Ausführungsformen stellen die im Speicher 206 oder im computerlesbaren Speichermedium des Speichers 206 gespeicherten Programme, Module und Datenstrukturen Anweisungen zum Implementieren eines der nachstehend mit Bezug auf 3A3C beschriebenen Verfahren bereit.
  • Obwohl 2 den SPD/Aufsicht-Controller 124 zeigt, ist 2 eher als eine funktionale Beschreibung der verschiedenen Merkmale, die in einem SPD/Aufsicht-Controller vorhanden sein können, denn als ein Strukturschema der hierin beschriebenen Ausführungsformen gedacht. In der Praxis könnten, wie Fachleute anerkennen werden, getrennt gezeigte Elemente kombiniert werden und manche Elemente könnten getrennt werden.
  • 3A3C stellen eine Ablaufplandarstellung eines Verfahrens 300 zur Durchführung von Aufsichtsfunktionen in einem Controller in einer Speichervorrichtung (z. B. ein doppelreihiges Speichermodul wie etwa Speichervorrichtung 120) dar. Eine Speichervorrichtung (z. B. Speichervorrichtung 120, 1) koordiniert und verwaltet mehrere Teilsystemkomponenten, um Daten zu schützen, was die Durchführung des Verfahrens 300 auslöst. Zumindest in einigen Implementierungen wird das Verfahren 300 durch eine Speichervorrichtung (z. B. Speichervorrichtung 120, 1) oder eine oder mehrere Komponenten der Speichervorrichtung (z. B. SPD/Aufsicht-Controller 124, Speichercontroller 128 und/oder Flash-Controller 130, 1) durchgeführt. In einigen Ausführungsformen wird das Verfahren 300 durch Anweisungen gesteuert, die in einem nicht vergänglichen computerlesbaren Speichermedium gespeichert sind und die durch einen oder mehrere Prozessoren einer Vorrichtung ausgeführt werden, wie etwa der eine oder die mehreren Prozessoren 202 des SPD/Aufsicht-Controllers 124, einer oder mehrere Prozessoren des Speichercontrollers 128 und/oder einer oder mehrere Prozessoren der Flash-Controller 130.
  • In einem Controller (z. B. SPD/Aufsicht-Controller 124, 1) einer DIMM-Vorrichtung (z. B. Speichervorrichtung 120, 1) bestimmt (302) die DIMM-Vorrichtung eine dem DIMM zugeführte Stromversorgungsspannung. In einigen Ausführungsformen ist der Controller im DIMM unter Verwendung von Kontakten zur seriellen Präsenzermittlung (SPD) mit einer Schnittstelle für das DIMM gekoppelt (304), worin die Schnittstelle für das DIMM dafür konfiguriert ist, mit einem Speicherbus (z. B. Host-Schnittstelle 122, 1) gekoppelt zu werden.
  • Als Nächstes führt (306) die Speichervorrichtung Operationen gemäß einer Bestimmung durch, dass Stromversorgungskriterien erfüllt sind, wobei die Stromversorgungskriterien eine Anforderung einschließen, dass eine dem DIMM zugeführte Stromversorgungsspannung in einem von N vordefinierten Spannungsbereichen liegt, worin N eine ganze Zahl größer als eins ist. Zum Beispiel können die Stromversorgungskriterien eine Anforderung einschließen, dass die dem DIMM zugeführte Stromversorgungsspannung innerhalb von ±10% von 1,5 V oder ±10% von 1,35 V liegen muss. Die Speichervorrichtung führt (308) eine oder mehrere Hochfahroperationen durch, einschließlich Initialisieren eines Nutzungszählers.
  • In einigen Ausführungsformen führt (310) die DIMM-Vorrichtung gemäß einer Bestimmung, dass die dem DIMM zugeführte Stromversorgungsspannung eine erste vordefinierte Spannung (z. B. 1,2 V) ist, eine Speichermodulfunktion (z. B. Lesen, Schreiben, Löschen, Senden einer Nachricht an den Host) durch, wobei eine der ersten vordefinierten Spannung entsprechende erste Menge von Konfigurationsparametern verwendet wird. Ferner führt (312) die DIMM-Vorrichtung gemäß einer Bestimmung, dass die dem DIMM zugeführte Stromversorgungsspannung eine zweite vordefinierte Spannung (z. B. 1,4 V) ist, die Speichermodulfunktion unter Verwendung einer der zweiten vordefinierten Spannung entsprechenden zweite Menge von Konfigurationsparametern durch. In einigen Ausführungsformen ersetzt (314) das DIMM als Antwort auf das Empfangen eines Befehls von einem Host-System die erste Menge von Konfigurationsparametern. In einigen Ausführungsformen wird die zweite Menge von Konfigurationsparametern ebenfalls ersetzt.
  • In einigen Ausführungsformen schließt das Durchführen (316) der einen oder mehreren Hochfahroperationen das Aufheben eines an einen oder mehrere Controller von nichtflüchtigem Speicher im DIMM angelegten Resets ein. In einigen Ausführungsformen schließt dies das Aufheben eines an einen Speichermodulcontroller im DIMM angelegten Resets ein. In einigen Ausführungsformen wird für jeden der anderen Controller im DIMM ein getrenntes Rücksetzsignal durchgesetzt und wieder aufgehoben.
  • In einigen Ausführungsformen ist ein Wert des Nutzungszählers (318) eine aktuelle Summe der seit dem Hochfahren aufgelaufenen Zeit. Zum Beispiel kann dieser Nutzungszähler auf einer Echtzeituhr im Mikrocontroller beruhen. Außerdem umfasst das Verfahren in einigen Ausführungsformen ferner das Bestimmen (320) einer beschleunigten Zeitmessung durch die DIMM-Vorrichtung, die zumindest teilweise auf dem Wert des Nutzungszählers und der überwachten Temperatur des DIMMs beruht. In einigen Ausführungsformen wird die beschleunigte Zeitmessung als Antwort auf eine Host-Anforderung bestimmt oder wird laufend berechnet und im nichtflüchtigen Speicher des Controllers (z. B. SPD/Aufsicht-Controller 124, 1) gespeichert.
  • Das Verfahren schließt ferner ein: in einem Controller der DIMM-Vorrichtung erfolgendes Überwachen (322) einer Temperatur des DIMMs. In einigen Ausführungsformen wird die Temperatur zur Überwachung durch ein Thermoelement im Controller (z. B. Thermoelement oder Temperatursensor 240 im SPD/Aufsicht-Controller 124, 2) gemessen. In einigen Ausführungsformen wird diese Temperatur zur Überwachung durch thermische Sensoren in jedem Flash-Controller (z. B. Temperatursensoren 160 in Flash-Controllern 130, 2) der DIMM-Vorrichtung gemessen.
  • Das Verfahren schließt ferner ein: in einem Controller der DIMM-Vorrichtung erfolgendes Überwachen (324) des DIMMs auf das Auftreten von einem oder mehreren aus einer Menge von vorbestimmten Triggerereignissen. In einigen Ausführungsformen schließt (326) die Menge von vorbestimmten Triggerereignissen zwei oder mehr von Folgendem ein: eine Temperaturmessung des DIMMs, die eine vordefinierte Temperatur überschreitet; eine Stromausfallbedingung; eine vordefinierte Bedingung, die einem von einem Host empfangenen vordefinierten Befehl entspricht; eine aktuelle Anzahl von Programmier-Lösch-Zyklen, die auf jeweiligen Flash-Speicherabschnitten des DIMMs durchgeführt wurden, erfüllt vordefinierte Kriterien. Als Antwort auf das Ermitteln von einem aus der Menge von vorbestimmten Triggerereignissen protokolliert (328) die DIMM-Vorrichtung Information, die dem ermittelten vorbestimmten Ereignis entspricht. In einigen Ausführungsformen wird diese Information, die dem ermittelten vorbestimmten Ereignis entspricht, in nichtflüchtigem Speicher in einem Controller (z. B. SPD/Aufsicht-Controller 124, 1) oder in irgendeinem anderen nichtflüchtigen Speicher in der DIMM-Vorrichtung gespeichert.
  • In einigen Ausführungsformen schließen (330) die Stromversorgungskriterien ferner eine Anforderung ein, dass eine dem DIMM zugeführte SPD-Stromversorgungsspannung eine vordefinierte SPD-Versorgungsspannung ist (z. B. ein Industriestandard für die SPD-Spannung, wie etwa 3,3 V).
  • In einigen Ausführungsformen schließt das Verfahren ferner ein: Gemäß einer Bestimmung, dass Stromversorgungskriterien nicht erfüllt sind, führt (332) die Vorrichtung eine oder mehrere Sperrabschaltungsoperationen durch. Zum Beispiel kann der SPD/Aufsicht-Controller ein Sperrabschaltungsprotokoll auslösen, das den Host daran hindert, Daten von den Flash-Vorrichtungen auf der DIMM-Vorrichtung zu lesen oder darauf zu schreiben. In diesem Beispiel würde die Vielzahl von Speichercontrollern (z. B. der Speichercontroller 128, 1) und Flash-Speichern im DIMM (z. B. Flash-Speicher 140, 142, 1) effektiv vom Host getrennt.
  • In einigen Ausführungsformen schließt das Verfahren ferner ein: Überwachen (334) einer Ladung einer Energiespeichervorrichtung in einem Datenhärtungsmodul (z. B. Energiespeichervorrichtung 150 im Datenhärtungsmodul 126, 1, oder genauer ein oder mehrere Kondensatoren in der Energiespeichervorrichtung 150). In einigen Ausführungsformen schließen (336) die Stromversorgungskriterien ferner eine Anforderung ein, dass eine Ladung einer Energiespeichervorrichtung in einem Datenhärtungsmodul ein vordefiniertes Mindestladungsniveau erfüllt (z. B. prüft der SPD/Aufsicht-Controller 124 in 1 den Ladungswert eines oder mehrerer Kondensatoren in der Energiespeichervorrichtung 150).
  • In einigen Ausführungsformen schließt das Verfahren ferner ein: Als Antwort auf das Ermitteln von einem aus der Menge von Ereignissen sendet (338) die DIMM-Vorrichtung eine Benachrichtigung an ein Host-System. Wenn zum Beispiel eine Temperatur des DIMMs einen vordefinierten Schwellenwert überschreitet, sendet die DIMM-Vorrichtung über eine Host-Schnittstelle (z. B. die Host-Schnittstelle 122, 1) eine Benachrichtigung über das Temperaturereignis an das Host-System. Das kann den Host veranlassen, als Antwort darauf irgendeine andere Aktion durchzuführen, wie etwa die Geschwindigkeit des Lüfters zu erhöhen. In einigen Ausführungsformen sendet die DIMM-Vorrichtung eine reine Benachrichtigung an den Host und dann bestimmt der Host den Typ des Ereignisses durch Lesen protokollierter Information vom SPD.
  • In einigen Ausführungsformen schließt das Verfahren ferner ein: Empfangen (340) einer Anfrage nach Information von einem Host-System durch die DIMM-Vorrichtung. Zum Beispiel will das Host-System die aktuelle Anzahl von Programmier-Lösch-Zyklen wissen, die auf einem oder mehreren Flash-Speicherabschnitten durchgeführt wurden. Als Antwort auf die Anfrage sendet (342) die DIMM-Vorrichtung dem Host-System die angefragte Information.
  • In einigen Implementierungen mit Bezug auf eines der oben beschriebenen Verfahren ist der nichtflüchtige Speicher eine einzelne Flash-Speichervorrichtung, während in einigen Implementierungen der nichtflüchtige Speicher eine Vielzahl von Flash-Speichervorrichtungen aufweist.
  • In einigen Implementierungen mit Bezug auf eines der oben beschriebenen Verfahren weist eine Speichervorrichtung auf: (1) eine Schnittstelle zum Koppeln der Speichervorrichtung mit einem Host-System, (2) eine Vielzahl von Controllern, wobei jeder aus der Vielzahl von Controllern dafür konfiguriert ist, in flüchtigem Speicher gehaltene Daten zu nichtflüchtigem Speicher zu transferieren, und (3) ein Datenhärtungsmodul, das einen oder mehrere Prozessoren und eine Energiespeichervorrichtung aufweist, wobei die Energiespeichervorrichtung dafür konfiguriert ist, eines der oben beschriebenen Verfahren durchzuführen oder seine Durchführung zu steuern.
  • Es versteht sich, obwohl die Begriffe „erster”, „zweiter” usw. hierin verwendet werden können, um verschiedene Elemente zu beschreiben, dass diese Elemente nicht durch diese Begriffe beschränkt werden sollten. Diese Begriffe werden nur verwendet, um ein Element von einem anderen zu unterscheiden. Zum Beispiel könnte ein erster Kontakt als ein zweiter Kontakt bezeichnet werden, und entsprechend könnte ein zweiter Kontakt als ein erster Kontakt bezeichnet werden, ohne die Bedeutung der Beschreibung zu ändern, solange alle Vorkommen des „ersten Kontakts” durchgängig umbenannt werden und alle Vorkommen des „zweiten Kontakts” durchgängig umbenannt werden. Der erste Kontakt und der zweite Kontakt sind beides Kontakte, aber sie sind nicht der gleiche Kontakt.
  • Die hierin verwendete Terminologie dient nur dem Zweck der Beschreibung bestimmter Ausführungsformen und ist nicht dazu bestimmt, die Ansprüche einzuschränken. Wie in der Beschreibung der Ausführungsformen und der beigefügten Ansprüche verwendet, sind die Singularformen „ein/eine” und „der/die/das” dazu bestimmt, ebenso die Pluralformen einzuschließen, es sei denn, dass der Kontext es eindeutig anders besagt. Es versteht sich auch, dass der Begriff „und/oder”, wie er hierin verwendet wird, alle und jede möglichen Kombinationen einer oder mehrerer der assoziierten aufgeführten Einzelheiten bezeichnet und umfasst. Es versteht sich ferner, dass die Begriffe „umfasst” und/oder „umfassend”, wenn sie in dieser Patentschrift verwendet werden, das Vorliegen angegebener Merkmale, ganzer Zahlen, Schritte, Operationen, Elemente und/oder Komponenten benennen, aber nicht das Vorhandensein oder Hinzufügen eines oder mehrerer anderer Merkmale, ganzer Zahlen, Schritte, Operationen, Elemente, Komponenten und/oder Gruppen davon ausschließt.
  • Wie hierin verwendet, kann der Begriff „wenn” so ausgelegt werden, dass er „falls” oder „bei Gelegenheit von” oder „als Antwort auf das Bestimmen” oder „gemäß einer Bestimmung” oder „als Antwort auf das Ermitteln” bedeutet, nämlich, dass eine angegebene Vorbedingung in Abhängigkeit vom Kontext zutrifft. Entsprechend kann die Phrase „wenn bestimmt wird, [dass eine angegebene Vorbedingung zutrifft]” oder „wenn [eine angegebene Vorbedingung zutrifft]” oder „falls [eine angegebene Vorbedingung zutrifft]” so ausgelegt werden, dass sie „bei Bestimmen” oder „als Antwort auf das Bestimmen” oder „gemäß einer Bestimmung” oder „bei Ermitteln” oder „als Antwort auf das Ermitteln” bedeutet, nämlich, dass die angegebene Vorbedingung in Abhängigkeit vom Kontext zutrifft.
  • Die vorhergehende Beschreibung ist zum Zweck der Erklärung mit Bezug auf spezifische Implementierungen beschrieben worden. Jedoch ist nicht beabsichtigt, dass die obigen veranschaulichenden Erörterungen erschöpfend sind oder die Ansprüche auf die genauen offenbarten Formen begrenzen. Viele Abwandlungen und Abweichungen sind im Hinblick auf die obigen Lehren denkbar. Die Implementierungen wurden gewählt und beschrieben, um Arbeitsprinzipien und praktische Anwendungen am besten zu erklären, um dadurch andere Fachleute zu befähigen.

Claims (22)

  1. Verfahren zum Durchführen von Aufsichtsfunktionen für ein doppelreihiges Speichermodul (DIMM) in einem Controller im DIMM, umfassend: beim Hochfahren erfolgendes Bestimmen einer dem DIMM zugeführten Stromversorgungsspannung; gemäß einer Bestimmung, dass Stromversorgungskriterien erfüllt sind, wobei die Stromversorgungskriterien eine Anforderung einschließen, dass eine dem DIMM zugeführte Stromversorgungsspannung in einem von N vordefinierten Spannungsbereichen liegt, und N eine ganze Zahl größer als eins ist: Durchführen einer oder mehrerer Hochfahroperationen, einschließlich Initialisieren eines Nutzungszählers; Überwachen einer Temperatur des DIMMs; Überwachen des DIMMs auf das Auftreten von einem oder mehreren aus einer Menge von vorbestimmten Triggerereignissen; und als Antwort auf das Ermitteln von einem aus der Menge von vorbestimmten Triggerereignissen erfolgendes Protokollieren von Information, die dem ermittelten vorbestimmten Ereignis entspricht.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, worin die Menge von vorbestimmten Triggerereignissen zwei oder mehr von Folgendem einschließt: eine Temperaturmessung des DIMMs, die eine vordefinierte Temperatur überschreitet; eine Stromausfallbedingung; eine vordefinierte Bedingung, die einem von einem Host empfangenen vordefinierten Befehl entspricht; eine aktuelle Anzahl von Programmier-Lösch-Zyklen, die auf jeweiligen Flash-Speicherabschnitten des DIMMs durchgeführt wurden, erfüllt vordefinierte Kriterien.
  3. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 2, worin die Stromversorgungskriterien ferner eine Anforderung einschließen, dass eine dem DIMM zugeführte SPD-Stromversorgungsspannung eine vordefinierte SPD-Versorgungsspannung ist.
  4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, ferner umfassend: gemäß einer Bestimmung, dass Stromversorgungskriterien nicht erfüllt sind, Durchführen einer oder mehrerer Sperrabschaltungsoperationen.
  5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, worin das Durchführen der einen oder mehreren Hochfahroperationen einschließt: gemäß einer Bestimmung, dass die dem DIMM zugeführte Stromversorgungsspannung eine erste vordefinierte Spannung ist, Ausführen einer Speichermodulfunktion unter Verwendung einer der ersten vordefinierten Spannung entsprechenden ersten Menge von Konfigurationsparametern; und gemäß einer Bestimmung, dass die dem DIMM zugeführte Stromversorgungsspannung eine zweite vordefinierte Spannung ist, Ausführen einer Speichermodulfunktion unter Verwendung einer der zweiten vordefinierten Spannung entsprechenden zweiten Menge von Konfigurationsparametern.
  6. Verfahren nach Anspruch 5, ferner umfassend: als Antwort auf das Empfangen eines Befehls von einem Host-System erfolgendes Ersetzen der ersten Menge von Konfigurationsparametern.
  7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, worin das Durchführen der einen oder mehreren Hochfahroperationen einschließt: Aufheben eines an einen oder mehrere Controller von nichtflüchtigem Speicher im DIMM angelegten Resets.
  8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, ferner umfassend: Überwachen einer Ladung einer Energiespeichervorrichtung in einem Datenhärtungsmodul.
  9. Verfahren nach Anspruch 8, worin die Stromversorgungskriterien ferner eine Anforderung einschließen, dass eine Ladung einer Energiespeichervorrichtung im Datenhärtungsmodul ein vordefiniertes Mindestladungsniveau erfüllt.
  10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, worin ein Wert des Nutzungszählers eine aktuelle Summe der seit dem Hochfahren aufgelaufenen Zeit.
  11. Verfahren nach Anspruch 10, ferner umfassend: Bestimmen einer beschleunigten Zeitmessung, die zumindest teilweise auf dem Wert des Nutzungszählers und der überwachten Temperatur des DIMMs beruht.
  12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, ferner umfassend: als Antwort auf das Ermitteln von einem aus der Menge von Ereignissen erfolgendes Senden einer Benachrichtigung an ein Host-System.
  13. Verfahren nach Anspruch 1, ferner umfassend: Empfangen einer Anfrage nach Information von einem Host-System; und als Antwort auf die Anfrage erfolgendes Senden der angefragten Information an das Host-System.
  14. Verfahren nach Anspruch 1, worin der Controller im DIMM unter Verwendung von Kontakten zur seriellen Präsenzermittlung (SPD) mit einer Schnittstelle für das DIMM gekoppelt ist, worin die Schnittstelle für das DIMM dafür konfiguriert ist, mit einem Speicherbus gekoppelt zu werden.
  15. Doppelreihige Speichermodul-(DIMM-)Vorrichtung, umfassend: eine Schnittstelle zum Koppeln der DIMM-Vorrichtung mit einem Host-System; und einen Controller im DIMM, wobei der Controller dafür konfiguriert ist: beim Hochfahren eine dem DIMM zugeführte Stromversorgungsspannung zu bestimmen; gemäß einer Bestimmung, dass Stromversorgungskriterien erfüllt sind, wobei die Stromversorgungskriterien eine Anforderung einschließen, dass eine dem DIMM zugeführte Stromversorgungsspannung in einem von N vordefinierten Spannungsbereichen liegt, worin N eine ganze Zahl größer als eins ist: eine oder mehrere Hochfahroperationen durchzuführen, einschließlich Initialisieren eines Nutzungszählers; eine Temperatur des DIMMs zu überwachen; das DIMM auf das Auftreten von einem oder mehreren aus einer Menge von vorbestimmten Triggerereignissen zu überwachen; und als Antwort auf das Ermitteln von einem aus der Menge von vorbestimmten Triggerereignissen Information zu protokollieren, die dem ermittelten vorbestimmten Ereignis entspricht.
  16. Doppelreihige Speichermodul-(DIMM-)Vorrichtung nach Anspruch 15, worin die Menge von vorbestimmten Triggerereignissen zwei oder mehr von Folgendem einschließt: eine Temperaturmessung des DIMMs, die eine vordefinierte Temperatur überschreitet; eine Stromausfallbedingung; eine vordefinierte Bedingung, die einem von einem Host empfangenen vordefinierten Befehl entspricht; eine aktuelle Anzahl von Programmier-Lösch-Zyklen, die auf jeweiligen Flash-Speicherabschnitten des DIMMs durchgeführt wurden, erfüllt vordefinierte Kriterien.
  17. Doppelreihige Speichermodul-(DIMM-)Vorrichtung nach einem der Ansprüche 15 bis 16, worin die Stromversorgungskriterien ferner eine Anforderung einschließen, dass eine dem DIMM zugeführte SPD-Stromversorgungsspannung eine vordefinierte SPD-Versorgungsspannung ist.
  18. Doppelreihige Speichermodul-(DIMM-)Vorrichtung nach einem der Ansprüche 15 bis 17, worin der Controller ferner dafür konfiguriert ist: gemäß einer Bestimmung, dass Stromversorgungskriterien nicht erfüllt sind, eine oder mehrere Sperrabschaltungsoperationen durchzuführen.
  19. Doppelreihige Speichermodul-(DIMM-)Vorrichtung nach einem der Ansprüche 15 bis 18, worin das Durchführen der einen oder mehreren Hochfahroperationen einschließt: gemäß einer Bestimmung, dass die dem DIMM zugeführte Stromversorgungsspannung eine erste vordefinierte Spannung ist, Ausführen einer Speichermodulfunktion unter Verwendung einer der ersten vordefinierten Spannung entsprechenden ersten Menge von Konfigurationsparametern; und gemäß einer Bestimmung, dass die dem DIMM zugeführte Stromversorgungsspannung eine zweite vordefinierte Spannung ist, Ausführen einer Speichermodulfunktion unter Verwendung einer der zweiten vordefinierten Spannung entsprechenden zweiten Menge von Konfigurationsparametern.
  20. Doppelreihige Speichermodul-(DIMM-)Vorrichtung nach Anspruch 15, ferner dafür konfiguriert, gemäß dem Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 14 zu arbeiten.
  21. Nichtvergängliches computerlesbares Speichermedium bereitgestellt, das ein oder mehrere Programme zur Ausführung durch einen oder mehrere Prozessoren einer doppelreihigen Speichermodul-(DIMM-)Vorrichtung mit einer Vielzahl von Controllern speichert, wobei das eine oder die mehreren Programme Anweisungen einschließen zum: beim Hochfahren erfolgendes Bestimmen einer dem DIMM zugeführten Stromversorgungsspannung; gemäß einer Bestimmung, dass Stromversorgungskriterien erfüllt sind, wobei die Stromversorgungskriterien eine Anforderung einschließen, dass eine dem DIMM zugeführte Stromversorgungsspannung in einem von N vordefinierten Spannungsbereichen liegt, und N eine ganze Zahl größer als eins ist: Durchführen einer oder mehrerer Hochfahroperationen, einschließlich Initialisieren eines Nutzungszählers; Überwachen einer Temperatur des DIMMs; Überwachen des DIMMs auf das Auftreten von einem oder mehreren aus einer Menge von vorbestimmten Triggerereignissen; und als Antwort auf das Ermitteln von einem aus der Menge von vorbestimmten Triggerereignissen erfolgendes Protokollieren von Information, die dem ermittelten vorbestimmten Ereignis entspricht.
  22. Nichtvergängliches computerlesbares Speichermedium nach Anspruch 21, dafür konfiguriert, gemäß dem Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 14 zu arbeiten.
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US14/135,420 2013-12-19
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10331352B2 (en) * 2016-06-06 2019-06-25 Toshiba Memory Corporation Dynamic processing of storage command based on internal operations of storage system
US11755475B2 (en) * 2020-01-31 2023-09-12 Dell Products L.P. System and method for utilizing enhanced thermal telemetry for differential storage of data on a memory module
US11954341B2 (en) * 2022-05-05 2024-04-09 Seagate Technology Llc External storage of internal drive management data

Family Cites Families (495)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4173737A (en) 1978-05-04 1979-11-06 Zenith Radio Corporation Limited position, non-volatile memory tuning system
US4888750A (en) 1986-03-07 1989-12-19 Kryder Mark H Method and system for erase before write magneto-optic recording
US4916652A (en) 1987-09-30 1990-04-10 International Business Machines Corporation Dynamic multiple instruction stream multiple data multiple pipeline apparatus for floating-point single instruction stream single data architectures
US5129089A (en) 1987-12-18 1992-07-07 Digital Equipment Corporation Distributed interlock apparatus and distributed interlock management method
US5270979A (en) 1991-03-15 1993-12-14 Sundisk Corporation Method for optimum erasing of EEPROM
US5657332A (en) 1992-05-20 1997-08-12 Sandisk Corporation Soft errors handling in EEPROM devices
US5381528A (en) 1992-10-15 1995-01-10 Maxtor Corporation Demand allocation of read/write buffer partitions favoring sequential read cache
US5416915A (en) 1992-12-11 1995-05-16 International Business Machines Corporation Method and system for minimizing seek affinity and enhancing write sensitivity in a DASD array
US5404485A (en) 1993-03-08 1995-04-04 M-Systems Flash Disk Pioneers Ltd. Flash file system
US5537555A (en) 1993-03-22 1996-07-16 Compaq Computer Corporation Fully pipelined and highly concurrent memory controller
US5519847A (en) 1993-06-30 1996-05-21 Intel Corporation Method of pipelining sequential writes in a flash memory
US5329491A (en) 1993-06-30 1994-07-12 Intel Corporation Nonvolatile memory card with automatic power supply configuration
US5708849A (en) 1994-01-26 1998-01-13 Intel Corporation Implementing scatter/gather operations in a direct memory access device on a personal computer
US5488702A (en) 1994-04-26 1996-01-30 Unisys Corporation Data block check sequence generation and validation in a file cache system
US5696917A (en) 1994-06-03 1997-12-09 Intel Corporation Method and apparatus for performing burst read operations in an asynchronous nonvolatile memory
GB9419246D0 (en) 1994-09-23 1994-11-09 Cambridge Consultants Data processing circuits and interfaces
US5666114A (en) 1994-11-22 1997-09-09 International Business Machines Corporation Method and means for managing linear mapped address spaces storing compressed data at the storage subsystem control unit or device level
US5530705A (en) 1995-02-08 1996-06-25 International Business Machines Corporation Soft error recovery system and method
US5636342A (en) 1995-02-17 1997-06-03 Dell Usa, L.P. Systems and method for assigning unique addresses to agents on a system management bus
US5606532A (en) 1995-03-17 1997-02-25 Atmel Corporation EEPROM array with flash-like core
US6016560A (en) 1995-06-14 2000-01-18 Hitachi, Ltd. Semiconductor memory, memory device, and memory card
US5890193A (en) 1995-07-28 1999-03-30 Micron Technology, Inc. Architecture for state machine for controlling internal operations of flash memory
US6728851B1 (en) 1995-07-31 2004-04-27 Lexar Media, Inc. Increasing the memory performance of flash memory devices by writing sectors simultaneously to multiple flash memory devices
US5790459A (en) 1995-08-04 1998-08-04 Micron Quantum Devices, Inc. Memory circuit for performing threshold voltage tests on cells of a memory array
US5815434A (en) 1995-09-29 1998-09-29 Intel Corporation Multiple writes per a single erase for a nonvolatile memory
US6044472A (en) 1996-06-21 2000-03-28 Archos Device and method for supplying power to an external data medium reader unit connected to a computer, and external reader unit including this device
TW334532B (en) 1996-07-05 1998-06-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd The inspection system of semiconductor IC and the method of generation
US6134148A (en) 1997-09-30 2000-10-17 Hitachi, Ltd. Semiconductor integrated circuit and data processing system
JPH10124381A (ja) 1996-10-21 1998-05-15 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
US5943692A (en) 1997-04-30 1999-08-24 International Business Machines Corporation Mobile client computer system with flash memory management utilizing a virtual address map and variable length data
US6006345A (en) 1997-05-09 1999-12-21 International Business Machines Corporation Pattern generator for memory burn-in and test
US6000006A (en) 1997-08-25 1999-12-07 Bit Microsystems, Inc. Unified re-map and cache-index table with dual write-counters for wear-leveling of non-volatile flash RAM mass storage
JPH11126497A (ja) 1997-10-22 1999-05-11 Oki Electric Ind Co Ltd 不揮発性半導体記憶装置
US6018304A (en) 1997-12-18 2000-01-25 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for high-rate n/n+1 low-complexity modulation codes with adjustable codeword length and error control capability
US6070074A (en) 1998-04-24 2000-05-30 Trw Inc. Method for enhancing the performance of a regenerative satellite communications system
US6138261A (en) 1998-04-29 2000-10-24 Trw Inc. Concatenated coding system for satellite communications
US6182264B1 (en) 1998-05-22 2001-01-30 Vlsi Technology, Inc. Smart dynamic selection of error correction methods for DECT based data services
US7111293B1 (en) 1998-06-03 2006-09-19 Ants Software, Inc. Method for increased concurrency in a computer system
US6192092B1 (en) 1998-06-15 2001-02-20 Intel Corp. Method and apparatus for clock skew compensation
US6260120B1 (en) 1998-06-29 2001-07-10 Emc Corporation Storage mapping and partitioning among multiple host processors in the presence of login state changes and host controller replacement
US6505305B1 (en) 1998-07-16 2003-01-07 Compaq Information Technologies Group, L.P. Fail-over of multiple memory blocks in multiple memory modules in computer system
US6314501B1 (en) 1998-07-23 2001-11-06 Unisys Corporation Computer system and method for operating multiple operating systems in different partitions of the computer system and for allowing the different partitions to communicate with one another through shared memory
US6295592B1 (en) 1998-07-31 2001-09-25 Micron Technology, Inc. Method of processing memory requests in a pipelined memory controller
US6233625B1 (en) 1998-11-18 2001-05-15 Compaq Computer Corporation System and method for applying initialization power to SCSI devices
US6288860B1 (en) 1999-01-04 2001-09-11 Maxtor Corporation Servo area numbering strategy for computer disk drives
US6438661B1 (en) 1999-03-03 2002-08-20 International Business Machines Corporation Method, system, and program for managing meta data in a storage system and rebuilding lost meta data in cache
US6449625B1 (en) 1999-04-20 2002-09-10 Lucent Technologies Inc. Use of a two-way stack approach to optimize flash memory management for embedded database systems
US6728879B1 (en) 1999-06-02 2004-04-27 Microsoft Corporation Transactional log with multi-sector log block validation
US6564271B2 (en) 1999-06-09 2003-05-13 Qlogic Corporation Method and apparatus for automatically transferring I/O blocks between a host system and a host adapter
US6104304A (en) 1999-07-06 2000-08-15 Conexant Systems, Inc. Self-test and status reporting system for microcontroller-controlled devices
US7660941B2 (en) 2003-09-10 2010-02-09 Super Talent Electronics, Inc. Two-level RAM lookup table for block and page allocation and wear-leveling in limited-write flash-memories
US20050114587A1 (en) 2003-11-22 2005-05-26 Super Talent Electronics Inc. ExpressCard with On-Card Flash Memory with Shared Flash-Control Bus but Separate Ready Lines
US7333364B2 (en) 2000-01-06 2008-02-19 Super Talent Electronics, Inc. Cell-downgrading and reference-voltage adjustment for a multi-bit-cell flash memory
US7318117B2 (en) 2004-02-26 2008-01-08 Super Talent Electronics, Inc. Managing flash memory including recycling obsolete sectors
US7620769B2 (en) 2000-01-06 2009-11-17 Super Talent Electronics, Inc. Recycling partially-stale flash blocks using a sliding window for multi-level-cell (MLC) flash memory
US20080282128A1 (en) 1999-08-04 2008-11-13 Super Talent Electronics, Inc. Method of Error Correction Code on Solid State Disk to Gain Data Security and Higher Performance
US6412042B1 (en) 1999-11-17 2002-06-25 Maxtor Corporation System and method for improved disk drive performance and reliability
US6484224B1 (en) 1999-11-29 2002-11-19 Cisco Technology Inc. Multi-interface symmetric multiprocessor
DE19961138C2 (de) 1999-12-17 2001-11-22 Siemens Ag Multiport-RAM-Speichervorrichtung
US7082056B2 (en) 2004-03-12 2006-07-25 Super Talent Electronics, Inc. Flash memory device and architecture with multi level cells
US8037234B2 (en) 2003-12-02 2011-10-11 Super Talent Electronics, Inc. Command queuing smart storage transfer manager for striping data to raw-NAND flash modules
US6339338B1 (en) 2000-01-18 2002-01-15 Formfactor, Inc. Apparatus for reducing power supply noise in an integrated circuit
US20020152305A1 (en) 2000-03-03 2002-10-17 Jackson Gregory J. Systems and methods for resource utilization analysis in information management environments
US6516437B1 (en) 2000-03-07 2003-02-04 General Electric Company Turbo decoder control for use with a programmable interleaver, variable block length, and multiple code rates
JP3555859B2 (ja) 2000-03-27 2004-08-18 広島日本電気株式会社 半導体生産システム及び半導体装置の生産方法
US6615307B1 (en) 2000-05-10 2003-09-02 Micron Technology, Inc. Flash with consistent latency for read operations
US6629047B1 (en) 2000-03-30 2003-09-30 Intel Corporation Method and apparatus for flash voltage detection and lockout
US20030188045A1 (en) 2000-04-13 2003-10-02 Jacobson Michael B. System and method for distributing storage controller tasks
US6647387B1 (en) 2000-04-27 2003-11-11 International Business Machine Corporation System, apparatus, and method for enhancing storage management in a storage area network
US6678788B1 (en) 2000-05-26 2004-01-13 Emc Corporation Data type and topological data categorization and ordering for a mass storage system
US6934755B1 (en) 2000-06-02 2005-08-23 Sun Microsystems, Inc. System and method for migrating processes on a network
US6442076B1 (en) 2000-06-30 2002-08-27 Micron Technology, Inc. Flash memory with multiple status reading capability
US6980985B1 (en) 2000-08-30 2005-12-27 At&T Corp. Distributed evalulation of directory queries using a topology cache
US6941505B2 (en) 2000-09-12 2005-09-06 Hitachi, Ltd. Data processing system and data processing method
US6865650B1 (en) 2000-09-29 2005-03-08 Emc Corporation System and method for hierarchical data storage
US7028165B2 (en) 2000-12-06 2006-04-11 Intel Corporation Processor stalling
US6862651B2 (en) 2000-12-20 2005-03-01 Microsoft Corporation Automotive computing devices with emergency power shut down capabilities
US6738870B2 (en) 2000-12-22 2004-05-18 International Business Machines Corporation High speed remote storage controller
KR100381955B1 (ko) 2001-01-03 2003-04-26 삼성전자주식회사 기입 드라이버를 이용한 셀 전류 측정 스킴을 갖는 플래시메모리 장치
US6763424B2 (en) 2001-01-19 2004-07-13 Sandisk Corporation Partial block data programming and reading operations in a non-volatile memory
US20020174296A1 (en) 2001-01-29 2002-11-21 Ulrich Thomas R. Disk replacement via hot swapping with variable parity
JPWO2002082435A1 (ja) 2001-03-30 2004-07-29 富士通株式会社 記憶装置及びそのフォーカス制御方法
US7017107B2 (en) 2001-04-30 2006-03-21 Sun Microsystems, Inc. Storage array employing scrubbing operations at the disk-controller level
US6938253B2 (en) 2001-05-02 2005-08-30 Portalplayer, Inc. Multiprocessor communication system and method
US6757768B1 (en) 2001-05-17 2004-06-29 Cisco Technology, Inc. Apparatus and technique for maintaining order among requests issued over an external bus of an intermediate network node
JP4256600B2 (ja) 2001-06-19 2009-04-22 Tdk株式会社 メモリコントローラ、メモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステム及びフラッシュメモリの制御方法
US7068603B2 (en) 2001-07-06 2006-06-27 Juniper Networks, Inc. Cross-bar switch
US6836815B1 (en) 2001-07-11 2004-12-28 Pasternak Solutions Llc Layered crossbar for interconnection of multiple processors and shared memories
US6928602B2 (en) 2001-07-18 2005-08-09 Sony Corporation Encoding method and encoder
JP4569055B2 (ja) 2001-08-06 2010-10-27 ソニー株式会社 信号処理装置及び信号処理方法
TW539946B (en) 2001-08-07 2003-07-01 Solid State System Company Ltd Window-based flash memory storage system, and the management method and the access method thereof
JP4437519B2 (ja) 2001-08-23 2010-03-24 スパンション エルエルシー 多値セルメモリ用のメモリコントローラ
US7028213B2 (en) 2001-09-28 2006-04-11 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Error indication in a raid memory system
US7032123B2 (en) 2001-10-19 2006-04-18 Sun Microsystems, Inc. Error recovery
JP3663377B2 (ja) 2001-10-23 2005-06-22 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション データ記憶装置、読み出しデータの処理装置および読み出しデータの処理方法
US7380085B2 (en) 2001-11-14 2008-05-27 Intel Corporation Memory adapted to provide dedicated and or shared memory to multiple processors and method therefor
US6798696B2 (en) 2001-12-04 2004-09-28 Renesas Technology Corp. Method of controlling the operation of non-volatile semiconductor memory chips
US6871257B2 (en) 2002-02-22 2005-03-22 Sandisk Corporation Pipelined parallel programming operation in a non-volatile memory system
US6836808B2 (en) 2002-02-25 2004-12-28 International Business Machines Corporation Pipelined packet processing
US7533214B2 (en) 2002-02-27 2009-05-12 Microsoft Corporation Open architecture flash driver
KR100476888B1 (ko) 2002-04-04 2005-03-17 삼성전자주식회사 온도보상기능을 가진 멀티비트 플래쉬메모리
JP4079684B2 (ja) 2002-05-08 2008-04-23 株式会社日立製作所 ヒープメモリ管理方法およびそれを用いた計算機システム
US6966006B2 (en) 2002-05-09 2005-11-15 International Business Machines Corporation Adaptive startup policy for accelerating multi-disk array spin-up
US6895464B2 (en) 2002-06-03 2005-05-17 Honeywell International Inc. Flash memory management system and method utilizing multiple block list windows
US6885530B2 (en) 2002-06-11 2005-04-26 Stmicroelectronics, Inc. Power limiting time delay circuit
KR100484147B1 (ko) 2002-07-26 2005-04-18 삼성전자주식회사 플래시 메모리 관리 방법
US6978343B1 (en) 2002-08-05 2005-12-20 Netlogic Microsystems, Inc. Error-correcting content addressable memory
US7051155B2 (en) 2002-08-05 2006-05-23 Sun Microsystems, Inc. Method and system for striping data to accommodate integrity metadata
WO2004023385A1 (ja) 2002-08-29 2004-03-18 Renesas Technology Corp. 半導体処理装置及びicカード
US7120856B2 (en) 2002-09-25 2006-10-10 Leanics Corporation LDPC code and encoder/decoder regarding same
JP2004178782A (ja) 2002-10-04 2004-06-24 Sharp Corp 半導体記憶装置およびその制御方法および携帯電子機器
KR100457812B1 (ko) 2002-11-14 2004-11-18 삼성전자주식회사 플래시 메모리, 그에 따른 플래시 메모리 액세스 장치 및방법
US7165824B2 (en) 2002-12-02 2007-01-23 Silverbrook Research Pty Ltd Dead nozzle compensation
US20040114265A1 (en) 2002-12-16 2004-06-17 Xerox Corporation User-selectable automatic secure data file erasure of job after job completion
US7155579B1 (en) * 2002-12-27 2006-12-26 Unisys Corporation Memory controller having programmable initialization sequence
US20040153902A1 (en) 2003-01-21 2004-08-05 Nexflash Technologies, Inc. Serial flash integrated circuit having error detection and correction
US7296216B2 (en) 2003-01-23 2007-11-13 Broadcom Corporation Stopping and/or reducing oscillations in low density parity check (LDPC) decoding
JP4110000B2 (ja) 2003-01-28 2008-07-02 株式会社ルネサステクノロジ 記憶装置
US7043505B1 (en) 2003-01-28 2006-05-09 Unisys Corporation Method variation for collecting stability data from proprietary systems
JP2004240555A (ja) 2003-02-04 2004-08-26 Fujitsu Ltd バッテリ運用制御装置、バッテリ運用制御方法およびバッテリ運用制御プログラム
US7478096B2 (en) 2003-02-26 2009-01-13 Burnside Acquisition, Llc History preservation in a computer storage system
US7162678B2 (en) 2003-03-14 2007-01-09 Quantum Corporation Extended error correction codes
KR100543447B1 (ko) 2003-04-03 2006-01-23 삼성전자주식회사 에러정정기능을 가진 플래쉬메모리장치
US7527466B2 (en) 2003-04-03 2009-05-05 Simmons Robert J Building-erection structural member transporter
KR100526186B1 (ko) 2003-04-04 2005-11-03 삼성전자주식회사 플래시 메모리의 오류블록 관리방법 및 장치
WO2004099985A1 (ja) 2003-05-09 2004-11-18 Fujitsu Limited 実行環境の危険予測/回避方法,システム,プログラムおよびその記録媒体
US7380059B2 (en) 2003-05-16 2008-05-27 Pillar Data Systems, Inc. Methods and systems of cache memory management and snapshot operations
CA2759064C (en) 2003-05-23 2017-04-04 Washington University Intellegent data storage and processing using fpga devices
US7877647B2 (en) 2003-05-23 2011-01-25 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Correcting a target address in parallel with determining whether the target address was received in error
US7685254B2 (en) 2003-06-10 2010-03-23 Pandya Ashish A Runtime adaptable search processor
US7076598B2 (en) 2003-09-09 2006-07-11 Solid State System Co., Ltd. Pipeline accessing method to a large block memory
US7100002B2 (en) 2003-09-16 2006-08-29 Denali Software, Inc. Port independent data transaction interface for multi-port devices
US7054968B2 (en) 2003-09-16 2006-05-30 Denali Software, Inc. Method and apparatus for multi-port memory controller
US7523157B2 (en) 2003-09-25 2009-04-21 International Business Machines Corporation Managing a plurality of processors as devices
US7012835B2 (en) 2003-10-03 2006-03-14 Sandisk Corporation Flash memory data correction and scrub techniques
US7173852B2 (en) 2003-10-03 2007-02-06 Sandisk Corporation Corrected data storage and handling methods
US7881133B2 (en) 2003-11-11 2011-02-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of managing a flash memory and the flash memory
TW200516821A (en) 2003-11-14 2005-05-16 Hon Hai Prec Ind Co Ltd System and method for starting up devices orderly
US7401174B2 (en) 2003-12-16 2008-07-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. File system defragmentation and data processing method and apparatus for an information recording medium
US7376887B2 (en) 2003-12-22 2008-05-20 International Business Machines Corporation Method for fast ECC memory testing by software including ECC check byte
US7197652B2 (en) * 2003-12-22 2007-03-27 International Business Machines Corporation Method and system for energy management in a simultaneous multi-threaded (SMT) processing system including per-thread device usage monitoring
US8504798B2 (en) 2003-12-30 2013-08-06 Sandisk Technologies Inc. Management of non-volatile memory systems having large erase blocks
US20050144516A1 (en) 2003-12-30 2005-06-30 Gonzalez Carlos J. Adaptive deterministic grouping of blocks into multi-block units
US20050251617A1 (en) 2004-05-07 2005-11-10 Sinclair Alan W Hybrid non-volatile memory system
US7383375B2 (en) 2003-12-30 2008-06-03 Sandisk Corporation Data run programming
US7631138B2 (en) 2003-12-30 2009-12-08 Sandisk Corporation Adaptive mode switching of flash memory address mapping based on host usage characteristics
US7631148B2 (en) 2004-01-08 2009-12-08 Netapp, Inc. Adaptive file readahead based on multiple factors
JP4357304B2 (ja) 2004-01-09 2009-11-04 株式会社バッファロー 外部記憶装置
US7328377B1 (en) 2004-01-27 2008-02-05 Altera Corporation Error correction for programmable logic integrated circuits
JP4477365B2 (ja) 2004-01-29 2010-06-09 株式会社日立製作所 複数インタフェースを有する記憶装置、および、その記憶装置の制御方法
US7389465B2 (en) 2004-01-30 2008-06-17 Micron Technology, Inc. Error detection and correction scheme for a memory device
US7350044B2 (en) 2004-01-30 2008-03-25 Micron Technology, Inc. Data move method and apparatus
US20080147964A1 (en) 2004-02-26 2008-06-19 Chow David Q Using various flash memory cells to build usb data flash cards with multiple partitions and autorun function
JP2005266861A (ja) 2004-03-16 2005-09-29 Nec Electronics Corp マイクロコンピュータ及びそのテスト方法
US7035159B2 (en) 2004-04-01 2006-04-25 Micron Technology, Inc. Techniques for storing accurate operating current values
US7020017B2 (en) 2004-04-06 2006-03-28 Sandisk Corporation Variable programming of non-volatile memory
EP1870814B1 (de) 2006-06-19 2014-08-13 Texas Instruments France Verfahren und Vorrichtung für sicheren, nachfragebasierten Seitenabruf für Prozessorvorrichtungen
US7490283B2 (en) 2004-05-13 2009-02-10 Sandisk Corporation Pipelined data relocation and improved chip architectures
JP2005332471A (ja) 2004-05-19 2005-12-02 Hitachi Ltd ディスクアレイ装置
US20050273560A1 (en) 2004-06-03 2005-12-08 Hulbert Jared E Method and apparatus to avoid incoherency between a cache memory and flash memory
US7334179B2 (en) 2004-06-04 2008-02-19 Broadcom Corporation Method and system for detecting and correcting errors while accessing memory devices in microprocessor systems
US7159069B2 (en) 2004-06-23 2007-01-02 Atmel Corporation Simultaneous external read operation during internal programming in a flash memory device
US7126873B2 (en) 2004-06-29 2006-10-24 Super Talent Electronics, Inc. Method and system for expanding flash storage device capacity
US7529898B2 (en) 2004-07-09 2009-05-05 International Business Machines Corporation Method for backing up and restoring data
US8190808B2 (en) 2004-08-17 2012-05-29 Rambus Inc. Memory device having staggered memory operations
KR20070060101A (ko) 2004-08-30 2007-06-12 실리콘 스토리지 테크놀로지 인크 무선 단말기에서의 비휘발성 메모리 관리 시스템 및 방법
FR2875358B1 (fr) 2004-09-15 2006-12-15 Eads Telecom Soc Par Actions S Insertion d'un flux secondaire d'informations binaires dans un flux principal de symboles d'une modulation numerique
US7038948B2 (en) 2004-09-22 2006-05-02 Spansion Llc Read approach for multi-level virtual ground memory
JP2006099665A (ja) 2004-09-30 2006-04-13 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv データ記憶装置及びそのシリアル・インターフェース部のパワー・セーブ・モードの制御方法
US7760880B2 (en) 2004-10-13 2010-07-20 Viasat, Inc. Decoder architecture system and method
JP4956922B2 (ja) 2004-10-27 2012-06-20 ソニー株式会社 記憶装置
KR100695891B1 (ko) * 2004-11-17 2007-03-19 삼성전자주식회사 동작 모드에 따라 락 아웃을 선택적으로 수행하는 장치 및방법
US7395404B2 (en) 2004-12-16 2008-07-01 Sandisk Corporation Cluster auto-alignment for storing addressable data packets in a non-volatile memory array
US20060136681A1 (en) 2004-12-21 2006-06-22 Sanjeev Jain Method and apparatus to support multiple memory banks with a memory block
US8438459B2 (en) 2004-12-22 2013-05-07 Lg Electronics Inc. Apparatus and method for decoding using channel code
US20060156177A1 (en) 2004-12-29 2006-07-13 Sailesh Kottapalli Method and apparatus for recovering from soft errors in register files
US7212440B2 (en) 2004-12-30 2007-05-01 Sandisk Corporation On-chip data grouping and alignment
US7437537B2 (en) 2005-02-17 2008-10-14 Qualcomm Incorporated Methods and apparatus for predicting unaligned memory access
US7657696B2 (en) 2005-02-25 2010-02-02 Lsi Corporation Method to detect NAND-flash parameters by hardware automatically
US7822912B2 (en) 2005-03-14 2010-10-26 Phision Electronics Corp. Flash storage chip and flash array storage system
JP2006277395A (ja) 2005-03-29 2006-10-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 情報処理装置及び情報処理方法
US7707232B2 (en) 2005-05-13 2010-04-27 Microsoft Corporation Implementation for collecting unmanaged memory
US7765454B2 (en) 2005-05-24 2010-07-27 Sgi International, Inc. Fault tolerant memory system
US7283395B2 (en) 2005-06-24 2007-10-16 Infineon Technologies Flash Gmbh & Co. Kg Memory device and method for operating the memory device
WO2007001305A1 (en) 2005-06-27 2007-01-04 Thomson Licensing Stopping criteria in iterative decoders
US7409489B2 (en) 2005-08-03 2008-08-05 Sandisk Corporation Scheduling of reclaim operations in non-volatile memory
US7669003B2 (en) 2005-08-03 2010-02-23 Sandisk Corporation Reprogrammable non-volatile memory systems with indexing of directly stored data files
US20070061597A1 (en) 2005-09-14 2007-03-15 Micky Holtzman Secure yet flexible system architecture for secure devices with flash mass storage memory
KR100705220B1 (ko) 2005-09-15 2007-04-06 주식회사 하이닉스반도체 프로그램 속도를 증가시키기 위한 플래시 메모리 장치의소거 및 프로그램 방법
CN101317159A (zh) 2005-09-27 2008-12-03 Nxp股份有限公司 检错纠错电路及相应方法
US7652922B2 (en) 2005-09-30 2010-01-26 Mosaid Technologies Incorporated Multiple independent serial link memory
KR100715147B1 (ko) 2005-10-06 2007-05-10 삼성전자주식회사 전류소모를 감소시키는 내부전원전압 발생회로를 가지는멀티칩 반도체 메모리 장치
US20070083697A1 (en) 2005-10-07 2007-04-12 Microsoft Corporation Flash memory management
US8223553B2 (en) 2005-10-12 2012-07-17 Macronix International Co., Ltd. Systems and methods for programming a memory device
US7743363B2 (en) 2005-10-13 2010-06-22 Microsoft Corporation Extensible meta-data
US7954037B2 (en) 2005-10-25 2011-05-31 Sandisk Il Ltd Method for recovering from errors in flash memory
US8006161B2 (en) 2005-10-26 2011-08-23 Samsung Electronics Co., Ltd Apparatus and method for receiving signal in a communication system using a low density parity check code
US7631162B2 (en) 2005-10-27 2009-12-08 Sandisck Corporation Non-volatile memory with adaptive handling of data writes
KR100966043B1 (ko) 2005-10-31 2010-06-25 삼성전자주식회사 저밀도 패리티 검사 부호를 사용하는 통신 시스템에서 신호 송수신 장치 및 방법
US7606812B2 (en) 2005-11-04 2009-10-20 Sun Microsystems, Inc. Dynamic intent log
WO2007058617A1 (en) 2005-11-17 2007-05-24 Chee Keng Chang A controller for non-volatile memories, and methods of operating the memory controller
US7500062B2 (en) 2005-11-17 2009-03-03 International Business Machines Corporation Fast path memory read request processing in a multi-level memory architecture
US8813052B2 (en) 2005-12-07 2014-08-19 Microsoft Corporation Cache metadata for implementing bounded transactional memory
US7546515B2 (en) 2005-12-27 2009-06-09 Sandisk Corporation Method of storing downloadable firmware on bulk media
US7562283B2 (en) 2005-12-27 2009-07-14 D.S.P. Group Ltd. Systems and methods for error correction using binary coded hexidecimal or hamming decoding
US7349264B2 (en) 2005-12-28 2008-03-25 Sandisk Corporation Alternate sensing techniques for non-volatile memories
US7716180B2 (en) 2005-12-29 2010-05-11 Amazon Technologies, Inc. Distributed storage system with web services client interface
US7742339B2 (en) 2006-01-10 2010-06-22 Saifun Semiconductors Ltd. Rd algorithm improvement for NROM technology
US8020060B2 (en) 2006-01-18 2011-09-13 Sandisk Il Ltd Method of arranging data in a multi-level cell memory device
KR100725410B1 (ko) 2006-01-20 2007-06-07 삼성전자주식회사 전원 상태에 따라 비휘발성 메모리의 블록 회수를 수행하는장치 및 그 방법
US20070234143A1 (en) 2006-01-25 2007-10-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor memory devices and methods of testing for failed bits of semiconductor memory devices
JP4859471B2 (ja) 2006-02-02 2012-01-25 株式会社日立製作所 ストレージシステム及びストレージコントローラ
US7546478B2 (en) 2006-02-10 2009-06-09 International Business Machines Corporation Apparatus and method to provide power to a plurality of data storage devices disposed in a data storage system
US7870326B2 (en) 2006-07-28 2011-01-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Multiprocessor system and method thereof
US7590473B2 (en) * 2006-02-16 2009-09-15 Intel Corporation Thermal management using an on-die thermal sensor
JP4863749B2 (ja) 2006-03-29 2012-01-25 株式会社日立製作所 フラッシュメモリを用いた記憶装置、その消去回数平準化方法、及び消去回数平準化プログラム
US7681106B2 (en) 2006-03-29 2010-03-16 Freescale Semiconductor, Inc. Error correction device and methods thereof
US20070245061A1 (en) 2006-04-13 2007-10-18 Intel Corporation Multiplexing a parallel bus interface and a flash memory interface
US7685494B1 (en) 2006-05-08 2010-03-23 Marvell International, Ltd. Error correction coding for varying signal-to-noise ratio channels
US8000134B2 (en) 2006-05-15 2011-08-16 Apple Inc. Off-die charge pump that supplies multiple flash devices
US7707481B2 (en) 2006-05-16 2010-04-27 Pitney Bowes Inc. System and method for efficient uncorrectable error detection in flash memory
US20070300130A1 (en) 2006-05-17 2007-12-27 Sandisk Corporation Method of Error Correction Coding for Multiple-Sector Pages in Flash Memory Devices
US7701764B2 (en) 2006-05-17 2010-04-20 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for reduced peak power consumption during common operation of multi-NAND flash memory devices
US7606084B2 (en) 2006-06-19 2009-10-20 Sandisk Corporation Programming differently sized margins and sensing with compensations at select states for improved read operations in non-volatile memory
JP4842719B2 (ja) 2006-06-28 2011-12-21 株式会社日立製作所 ストレージシステム及びそのデータ保護方法
WO2008003094A2 (en) 2006-06-29 2008-01-03 Digital Fountain, Inc. Efficient representation of symbol-based transformations with application to encoding and decoding of forward error correction codes
US7774684B2 (en) 2006-06-30 2010-08-10 Intel Corporation Reliability, availability, and serviceability in a memory device
US7403438B2 (en) 2006-07-12 2008-07-22 Infineon Technologies Flash Gmbh & Co. Kg Memory array architecture and method for high-speed distribution measurements
JP2008047273A (ja) 2006-07-20 2008-02-28 Toshiba Corp 半導体記憶装置およびその制御方法
US7831895B2 (en) 2006-07-25 2010-11-09 Communications Coding Corporation Universal error control coding system for digital communication and data storage systems
TW200813724A (en) 2006-07-28 2008-03-16 Samsung Electronics Co Ltd Multipath accessible semiconductor memory device with host interface between processors
US20080052446A1 (en) 2006-08-28 2008-02-28 Sandisk Il Ltd. Logical super block mapping for NAND flash memory
US7450425B2 (en) 2006-08-30 2008-11-11 Micron Technology, Inc. Non-volatile memory cell read failure reduction
JP2008059315A (ja) 2006-08-31 2008-03-13 Hitachi Ltd 負荷分散方法及び計算機システム
US7566987B2 (en) 2006-09-14 2009-07-28 Lutron Electronics Co., Inc. Method of powering up a plurality of loads in sequence
KR100843133B1 (ko) 2006-09-20 2008-07-02 삼성전자주식회사 플래시 메모리에서 매핑 정보 재구성을 위한 장치 및 방법
TW200816651A (en) 2006-09-25 2008-04-01 Sunplus Technology Co Ltd Decoding method and system of real-time wireless channel estimation
US7886204B2 (en) 2006-09-27 2011-02-08 Sandisk Corporation Methods of cell population distribution assisted read margining
US8171380B2 (en) 2006-10-10 2012-05-01 Marvell World Trade Ltd. Adaptive systems and methods for storing and retrieving data to and from memory cells
CN100596029C (zh) 2006-10-20 2010-03-24 北京泰美世纪科技有限公司 Ldpc码校验矩阵构造方法及利用该方法的编码解码装置
JP2008117195A (ja) 2006-11-06 2008-05-22 Hitachi Ltd 半導体記憶装置
TWI307100B (en) 2006-11-07 2009-03-01 Macronix Int Co Ltd Memory and method for reading error checking thereof
US7508703B2 (en) 2006-11-13 2009-03-24 Sandisk Corporation Non-volatile memory with boost structures
US8074011B2 (en) 2006-12-06 2011-12-06 Fusion-Io, Inc. Apparatus, system, and method for storage space recovery after reaching a read count limit
US20080140724A1 (en) 2006-12-06 2008-06-12 David Flynn Apparatus, system, and method for servicing object requests within a storage controller
KR100808664B1 (ko) 2006-12-08 2008-03-07 한국전자통신연구원 패리티 검사행렬 저장 방법 및 이를 이용한 블록 저밀도패리티 검사 부호화 방법 및 장치
KR100881669B1 (ko) 2006-12-18 2009-02-06 삼성전자주식회사 비휘발성 데이터 저장장치의 정적 데이터 영역 검출 방법,마모도 평준화 방법 및 데이터 유닛 병합 방법과 그 장치
WO2008075292A2 (en) 2006-12-18 2008-06-26 Nxp B.V. Power-on temperature sensor/spd detect
US7620781B2 (en) 2006-12-19 2009-11-17 Intel Corporation Efficient Bloom filter
KR100842680B1 (ko) 2007-01-08 2008-07-01 삼성전자주식회사 플래시 메모리 장치의 오류 정정 컨트롤러 및 그것을포함하는 메모리 시스템
US7603490B2 (en) 2007-01-10 2009-10-13 International Business Machines Corporation Barrier and interrupt mechanism for high latency and out of order DMA device
KR100855587B1 (ko) 2007-01-17 2008-09-01 삼성전자주식회사 메일박스 영역을 가지는 멀티 패스 액세스블 반도체 메모리장치 및 그에 따른 메일박스 액세스 제어방법
US7707461B2 (en) 2007-01-31 2010-04-27 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Digital media drive failure prediction system and method
US7596643B2 (en) 2007-02-07 2009-09-29 Siliconsystems, Inc. Storage subsystem with configurable buffer
US7913022B1 (en) 2007-02-14 2011-03-22 Xilinx, Inc. Port interface modules (PIMs) in a multi-port memory controller (MPMC)
KR100918707B1 (ko) 2007-03-12 2009-09-23 삼성전자주식회사 플래시 메모리를 기반으로 한 메모리 시스템
US8369141B2 (en) 2007-03-12 2013-02-05 Apple Inc. Adaptive estimation of memory cell read thresholds
JP4897524B2 (ja) 2007-03-15 2012-03-14 株式会社日立製作所 ストレージシステム及びストレージシステムのライト性能低下防止方法
KR100907218B1 (ko) 2007-03-28 2009-07-10 삼성전자주식회사 읽기 레벨 제어 장치 및 그 방법
WO2008121553A1 (en) 2007-03-29 2008-10-09 Sandisk Corporation Non-volatile storage with decoding of data using reliability metrics based on multiple reads
WO2008121577A1 (en) 2007-03-31 2008-10-09 Sandisk Corporation Soft bit data transmission for error correction control in non-volatile memory
US8032724B1 (en) 2007-04-04 2011-10-04 Marvell International Ltd. Demand-driven opportunistic garbage collection in memory components
US7996642B1 (en) 2007-04-25 2011-08-09 Marvell International Ltd. Digital locked loop on channel tagged memory requests for memory optimization
EP1988474A1 (de) 2007-05-04 2008-11-05 Axalto SA System und Verfahren zum Verwalten der Indexierung eines Flash-Speichers
US8151171B2 (en) 2007-05-07 2012-04-03 Broadcom Corporation Operational parameter adaptable LDPC (low density parity check) decoder
US8073648B2 (en) 2007-05-14 2011-12-06 Sandisk Il Ltd. Measuring threshold voltage distribution in memory using an aggregate characteristic
US7930547B2 (en) 2007-06-15 2011-04-19 Alcatel-Lucent Usa Inc. High accuracy bloom filter using partitioned hashing
KR100891005B1 (ko) 2007-06-28 2009-03-31 삼성전자주식회사 고온 스트레스로 인한 읽기 마진의 감소를 보상하기 위한플래시 메모리 장치 및 그것의 읽기 전압 조정 방법
US7778070B2 (en) 2007-06-29 2010-08-17 Qimonda Ag Memory with dynamic redundancy configuration
JP2009020986A (ja) 2007-07-15 2009-01-29 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv ディスク・ドライブ装置及びディスク・ドライブ装置において不揮発性半導体メモリ領域上のデータを管理するテーブルを保存する方法
US8024525B2 (en) 2007-07-25 2011-09-20 Digi-Data Corporation Storage control unit with memory cache protection via recorded log
US8724789B2 (en) 2007-08-06 2014-05-13 Yellow Pages Systems and methods to connect people for real time communications via directory assistance
JP4564520B2 (ja) 2007-08-31 2010-10-20 株式会社東芝 半導体記憶装置およびその制御方法
US8095851B2 (en) 2007-09-06 2012-01-10 Siliconsystems, Inc. Storage subsystem capable of adjusting ECC settings based on monitored conditions
JP4404125B2 (ja) 2007-09-12 2010-01-27 株式会社デンソー 電子制御装置及び信号監視回路
EP2210257B1 (de) 2007-10-31 2016-04-20 Avago Technologies General IP (Singapore) Pte. Ltd. Systematische fehlerkorrektur für mehrpegel-flash-speicher
US7894264B2 (en) 2007-11-07 2011-02-22 Micron Technology, Inc. Controlling a memory device responsive to degradation
US7945825B2 (en) 2007-11-25 2011-05-17 Spansion Isreal, Ltd Recovery while programming non-volatile memory (NVM)
US8429492B2 (en) 2007-11-30 2013-04-23 Marvell World Trade Ltd. Error correcting code predication system and method
WO2009072102A2 (en) 2007-12-05 2009-06-11 Densbits Technologies Ltd. System and methods employing mock thresholds to generate actual reading thresholds in flash memory devices
US8185903B2 (en) 2007-12-13 2012-05-22 International Business Machines Corporation Managing system resources
US8775717B2 (en) 2007-12-27 2014-07-08 Sandisk Enterprise Ip Llc Storage controller for flash memory including a crossbar switch connecting a plurality of processors with a plurality of internal memories
JP4533968B2 (ja) 2007-12-28 2010-09-01 株式会社東芝 半導体記憶装置及びその制御方法、コントローラ、情報処理装置
US20090172335A1 (en) 2007-12-31 2009-07-02 Anand Krishnamurthi Kulkarni Flash devices with raid
US8159874B2 (en) 2008-01-22 2012-04-17 Micron Technology, Inc. Cell operation monitoring
US8271515B2 (en) 2008-01-29 2012-09-18 Cadence Design Systems, Inc. System and method for providing copyback data integrity in a non-volatile memory system
JP4617405B2 (ja) 2008-02-05 2011-01-26 富士通株式会社 不良メモリを検出する電子機器、不良メモリ検出方法およびそのためのプログラム
US20090204823A1 (en) 2008-02-07 2009-08-13 Analog Devices, Inc. Method and apparatus for controlling system access during protected modes of operation
JP2009211233A (ja) 2008-03-01 2009-09-17 Toshiba Corp メモリシステム
JP4672743B2 (ja) 2008-03-01 2011-04-20 株式会社東芝 誤り訂正装置および誤り訂正方法
US8230300B2 (en) 2008-03-07 2012-07-24 Apple Inc. Efficient readout from analog memory cells using data compression
KR20090097673A (ko) 2008-03-12 2009-09-16 삼성전자주식회사 연판정 값에 기반하여 메모리에 저장된 데이터를 검출하는장치
JP2009266349A (ja) 2008-04-28 2009-11-12 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置
US8185706B2 (en) 2008-04-30 2012-05-22 Apple Inc. Copyback optimization for memory system
KR101518199B1 (ko) 2008-05-23 2015-05-06 삼성전자주식회사 오류 정정 장치, 그 방법 및 상기 장치를 포함하는 메모리장치
KR101412974B1 (ko) 2008-05-28 2014-06-30 삼성전자주식회사 메모리 장치 및 메모리 프로그래밍 방법
KR101412690B1 (ko) 2008-05-28 2014-06-27 삼성전자주식회사 메모리 장치 및 메모리 프로그래밍 방법
JP5072723B2 (ja) 2008-06-11 2012-11-14 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置
US8959280B2 (en) 2008-06-18 2015-02-17 Super Talent Technology, Corp. Super-endurance solid-state drive with endurance translation layer (ETL) and diversion of temp files for reduced flash wear
US8627169B2 (en) 2008-06-20 2014-01-07 Cadence Design Systems, Inc. Method and apparatus for dynamically configurable multi level error correction
KR101413137B1 (ko) 2008-07-04 2014-07-01 삼성전자주식회사 메모리 장치 및 메모리 프로그래밍 방법
US8037380B2 (en) 2008-07-08 2011-10-11 International Business Machines Corporation Verifying data integrity of a non-volatile memory system during data caching process
US8325554B2 (en) 2008-07-10 2012-12-04 Sanmina-Sci Corporation Battery-less cache memory module with integrated backup
KR101436506B1 (ko) 2008-07-23 2014-09-02 삼성전자주식회사 메모리 장치 및 메모리 데이터 프로그래밍 방법
JP2010055692A (ja) 2008-08-28 2010-03-11 Toshiba Corp 読み出し回路及び読み出し方法
US8130552B2 (en) 2008-09-11 2012-03-06 Sandisk Technologies Inc. Multi-pass programming for memory with reduced data storage requirement
US8429514B1 (en) 2008-09-24 2013-04-23 Network Appliance, Inc. Dynamic load balancing of distributed parity in a RAID array
KR101484556B1 (ko) 2008-10-28 2015-01-20 삼성전자주식회사 독출 보상 회로
US8023334B2 (en) 2008-10-31 2011-09-20 Micron Technology, Inc. Program window adjust for memory cell signal line delay
US8214599B2 (en) 2008-11-04 2012-07-03 Gridiron Systems, Inc. Storage device prefetch system using directed graph clusters
KR101516577B1 (ko) 2008-11-10 2015-05-06 삼성전자주식회사 비휘발성 반도체 메모리 장치, 그를 포함하는 메모리 카드와 메모리 시스템 및 그의 리드 전압 추정 방법
US9063874B2 (en) 2008-11-10 2015-06-23 SanDisk Technologies, Inc. Apparatus, system, and method for wear management
KR20100058166A (ko) 2008-11-24 2010-06-03 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 그것을 포함하는 메모리 시스템
KR101555022B1 (ko) 2008-12-02 2015-09-23 삼성전자주식회사 메모리 장치, 그것을 포함한 메모리 시스템 및 그것의 맵핑정보 복원 방법
US8209466B2 (en) 2008-12-16 2012-06-26 Intel Corporation Methods and systems to allocate addresses in a high-endurance/low-endurance hybrid flash memory
US9128699B2 (en) 2008-12-22 2015-09-08 Intel Corporation Method and system for queuing transfers of multiple non-contiguous address ranges with a single command
KR101535225B1 (ko) 2009-01-06 2015-07-09 삼성전자주식회사 디코딩 방법 및 그 방법을 이용하는 메모리 시스템 장치
CN101799783A (zh) 2009-01-19 2010-08-11 中国人民大学 一种数据存储处理方法、查找方法及其装置
KR100996009B1 (ko) 2009-02-02 2010-11-22 주식회사 하이닉스반도체 불휘발성 메모리 소자 및 그 동작 방법
US8645749B2 (en) 2009-02-04 2014-02-04 Micron Technology, Inc. Systems and methods for storing and recovering controller data in non-volatile memory devices
KR20100090439A (ko) 2009-02-06 2010-08-16 주식회사 하이닉스반도체 불휘발성 메모리 장치의 독출 방법 및 이를 구현하는 불휘발성 메모리 장치
US7830732B2 (en) 2009-02-11 2010-11-09 Stec, Inc. Staged-backup flash backed dram module
KR20100093885A (ko) 2009-02-17 2010-08-26 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치, 그것의 동작 방법, 그리고 그것을 포함하는 메모리 시스템
US8259506B1 (en) 2009-03-25 2012-09-04 Apple Inc. Database of memory read thresholds
US8230239B2 (en) 2009-04-02 2012-07-24 Qualcomm Incorporated Multiple power mode system and method for memory
US8042011B2 (en) 2009-04-28 2011-10-18 Synopsys, Inc. Runtime programmable BIST for testing a multi-port memory device
US20100281207A1 (en) 2009-04-30 2010-11-04 Miller Steven C Flash-based data archive storage system
KR101575248B1 (ko) 2009-04-30 2015-12-07 삼성전자주식회사 메모리 컨트롤러 및 그것을 포함하는 메모리 시스템
US8166258B2 (en) 2009-07-24 2012-04-24 Lsi Corporation Skip operations for solid state disks
US8161244B2 (en) 2009-05-13 2012-04-17 Microsoft Corporation Multiple cache directories
US8463820B2 (en) 2009-05-26 2013-06-11 Intel Corporation System and method for memory bandwidth friendly sorting on multi-core architectures
US8180763B2 (en) 2009-05-29 2012-05-15 Microsoft Corporation Cache-friendly B-tree accelerator
US8885434B2 (en) 2009-06-17 2014-11-11 Stmicroelectronics International N.V. Retention of data during stand-by mode
US8627117B2 (en) 2009-06-26 2014-01-07 Seagate Technology Llc Device with power control feature involving backup power reservoir circuit
US8479032B2 (en) 2009-06-26 2013-07-02 Seagate Technology Llc Systems, methods and devices for regulation or isolation of backup power in memory devices
US8412985B1 (en) 2009-06-30 2013-04-02 Micron Technology, Inc. Hardwired remapped memory
US8880835B2 (en) 2009-07-07 2014-11-04 International Business Machines Corporation Adjusting location of tiered storage residence based on usage patterns
US8516219B2 (en) 2009-07-24 2013-08-20 Apple Inc. Index cache tree
US7941696B2 (en) 2009-08-11 2011-05-10 Texas Memory Systems, Inc. Flash-based memory system with static or variable length page stripes including data protection information and auxiliary protection stripes
US7818525B1 (en) 2009-08-12 2010-10-19 Texas Memory Systems, Inc. Efficient reduction of read disturb errors in NAND FLASH memory
US20120117317A1 (en) 2009-08-20 2012-05-10 Rambus Inc. Atomic memory device
US8464106B2 (en) 2009-08-24 2013-06-11 Ocz Technology Group, Inc. Computer system with backup function and method therefor
US8077515B2 (en) 2009-08-25 2011-12-13 Micron Technology, Inc. Methods, devices, and systems for dealing with threshold voltage change in memory devices
EP2471068B1 (de) 2009-08-25 2015-11-11 SanDisk IL Ltd. Datenwiederherstellung bei einem flash-speicher
EP2476039B1 (de) 2009-09-09 2016-10-26 SanDisk Technologies LLC Vorrichtung, system und verfahren zur leistungsverlustverwaltung in einem speichersystem
US8478725B2 (en) 2009-09-14 2013-07-02 Vmware, Inc. Method and system for performing live migration of persistent data of a virtual machine
KR101644125B1 (ko) 2009-09-22 2016-07-29 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리를 이용한 로깅 최적화 장치 및 방법
IE20100614A1 (en) 2009-09-23 2011-03-30 Conor Maurice Ryan A flash memory device and control method
US8479061B2 (en) 2009-09-24 2013-07-02 AGIGA Tech Solid state memory cartridge with wear indication
JP5348248B2 (ja) 2009-09-25 2013-11-20 富士通株式会社 メモリシステム及びメモリシステムの制御方法
US8171257B2 (en) 2009-09-25 2012-05-01 International Business Machines Corporation Determining an end of valid log in a log of write records using a next pointer and a far ahead pointer
US8266501B2 (en) 2009-09-29 2012-09-11 Micron Technology, Inc. Stripe based memory operation
JP5197544B2 (ja) 2009-10-05 2013-05-15 株式会社東芝 メモリシステム
US8312349B2 (en) 2009-10-27 2012-11-13 Micron Technology, Inc. Error detection/correction based memory management
US8423866B2 (en) 2009-10-28 2013-04-16 SanDisk Technologies, Inc. Non-volatile memory and method with post-write read and adaptive re-write to manage errors
CN101699406B (zh) 2009-11-12 2011-12-14 威盛电子股份有限公司 数据储存系统与方法
US8335123B2 (en) 2009-11-20 2012-12-18 Sandisk Technologies Inc. Power management of memory systems
US8130553B2 (en) 2009-12-02 2012-03-06 Seagate Technology Llc Systems and methods for low wear operation of solid state memory
FR2953666B1 (fr) 2009-12-09 2012-07-13 Commissariat Energie Atomique Procede de codage ldpc a redondance incrementale
US8250380B2 (en) 2009-12-17 2012-08-21 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Implementing secure erase for solid state drives
TWI399645B (zh) 2010-01-15 2013-06-21 Silicon Motion Inc 管理記憶體讀出資料之方法以及記憶裝置
US8661184B2 (en) 2010-01-27 2014-02-25 Fusion-Io, Inc. Managing non-volatile media
US8380915B2 (en) 2010-01-27 2013-02-19 Fusion-Io, Inc. Apparatus, system, and method for managing solid-state storage media
JP5788183B2 (ja) 2010-02-17 2015-09-30 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. 不揮発性メモリ装置、それの動作方法、そしてそれを含むメモリシステム
US8213255B2 (en) 2010-02-19 2012-07-03 Sandisk Technologies Inc. Non-volatile storage with temperature compensation based on neighbor state information
US8355280B2 (en) 2010-03-09 2013-01-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Data storage system having multi-bit memory device and operating method thereof
US8458417B2 (en) 2010-03-10 2013-06-04 Seagate Technology Llc Garbage collection in a storage device
US8365041B2 (en) 2010-03-17 2013-01-29 Sandisk Enterprise Ip Llc MLC self-raid flash data protection scheme
US8164967B2 (en) 2010-03-24 2012-04-24 Apple Inc. Systems and methods for refreshing non-volatile memory
US9183134B2 (en) 2010-04-22 2015-11-10 Seagate Technology Llc Data segregation in a storage device
JP2011233114A (ja) 2010-04-30 2011-11-17 Toshiba Corp メモリシステム
US20110283119A1 (en) 2010-05-13 2011-11-17 GCCA Inc. System and Method for Providing Energy Efficient Cloud Computing
EP2386958A1 (de) 2010-05-13 2011-11-16 Assa Abloy AB Verfahren für stufenweise abbruchresistente Speicherbereinigung
WO2011151750A2 (en) 2010-06-01 2011-12-08 Koninklijke Philips Electronics N.V. System and method for sequential application of power to electrical loads
WO2011153478A2 (en) 2010-06-04 2011-12-08 Flashsoft Corporation Cache management and acceleration of storage media
WO2012001917A1 (ja) 2010-06-29 2012-01-05 パナソニック株式会社 不揮発性記憶システム、メモリシステム用の電源回路、フラッシュメモリ、フラッシュメモリコントローラ、および不揮発性半導体記憶装置
US20120011393A1 (en) 2010-07-06 2012-01-12 Roberts Richard B Bios recovery
US8737141B2 (en) 2010-07-07 2014-05-27 Stec, Inc. Apparatus and method for determining an operating condition of a memory cell based on cycle information
US8531888B2 (en) 2010-07-07 2013-09-10 Marvell World Trade Ltd. Determining optimal reference voltages for progressive reads in flash memory systems
US8737136B2 (en) 2010-07-09 2014-05-27 Stec, Inc. Apparatus and method for determining a read level of a memory cell based on cycle information
KR101131560B1 (ko) 2010-07-15 2012-04-04 주식회사 하이닉스반도체 웨어 레벨링을 수행하는 비휘발성 메모리 장치 및 그의 제어 방법
US20120023144A1 (en) 2010-07-21 2012-01-26 Seagate Technology Llc Managing Wear in Flash Memory
US8503238B1 (en) 2010-07-21 2013-08-06 Sk Hynix Memory Solutions Inc. Error recovery for flash memory
US8832384B1 (en) 2010-07-29 2014-09-09 Violin Memory, Inc. Reassembling abstracted memory accesses for prefetching
KR20120011642A (ko) 2010-07-29 2012-02-08 삼성전자주식회사 기준 셀을 포함하는 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 기준 전류 설정 방법
US8694854B1 (en) 2010-08-17 2014-04-08 Apple Inc. Read threshold setting based on soft readout statistics
US8510499B1 (en) 2010-08-30 2013-08-13 Symantec Corporation Solid state drive caching using memory structures to determine a storage space replacement candidate
CN102385902A (zh) 2010-09-01 2012-03-21 建兴电子科技股份有限公司 固态储存装置及其数据控制方法
JP2012058860A (ja) 2010-09-06 2012-03-22 Toshiba Corp メモリシステム
US8417878B2 (en) 2010-09-20 2013-04-09 Seagate Technology Llc Selection of units for garbage collection in flash memory
WO2012051600A2 (en) 2010-10-15 2012-04-19 Kyquang Son File system-aware solid-state storage management system
US20120275466A1 (en) 2010-10-21 2012-11-01 Texas Instruments Incorporated System and method for classifying packets
WO2012058328A1 (en) 2010-10-27 2012-05-03 Sandforce, Inc. Adaptive ecc techniques for flash memory based data storage
US9063878B2 (en) 2010-11-03 2015-06-23 Densbits Technologies Ltd. Method, system and computer readable medium for copy back
US8909957B2 (en) * 2010-11-04 2014-12-09 Lenovo Enterprise Solutions (Singapore) Pte. Ltd. Dynamic voltage adjustment to computer system memory
US8806106B2 (en) 2010-11-12 2014-08-12 Seagate Technology Llc Estimating wear of non-volatile, solid state memory
US8484433B2 (en) 2010-11-19 2013-07-09 Netapp, Inc. Dynamic detection and reduction of unaligned I/O operations
KR101774496B1 (ko) 2010-12-08 2017-09-05 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치, 이를 포함하는 장치들, 및 이의 동작 방법
KR20120064462A (ko) 2010-12-09 2012-06-19 삼성전자주식회사 메모리 컨트롤러, 이의 오류정정 방법, 및 이를 포함하는 메모리 시스템
US8615681B2 (en) 2010-12-14 2013-12-24 Western Digital Technologies, Inc. System and method for maintaining a data redundancy scheme in a solid state memory in the event of a power loss
US9038066B2 (en) 2010-12-22 2015-05-19 Vmware, Inc. In-place snapshots of a virtual disk configured with sparse extent
TWI446345B (zh) 2010-12-31 2014-07-21 Silicon Motion Inc 用來進行區塊管理之方法以及記憶裝置及控制器
JP2012151676A (ja) 2011-01-19 2012-08-09 Jvc Kenwood Corp 復号装置および復号方法
US8364888B2 (en) 2011-02-03 2013-01-29 Stec, Inc. Erase-suspend system and method
US8489653B2 (en) 2011-02-08 2013-07-16 International Business Machines Corporation Incremental class unloading in a region-based garbage collector
WO2012109679A2 (en) 2011-02-11 2012-08-16 Fusion-Io, Inc. Apparatus, system, and method for application direct virtual memory management
US8966319B2 (en) 2011-02-22 2015-02-24 Apple Inc. Obtaining debug information from a flash memory device
JP2012181761A (ja) 2011-03-02 2012-09-20 Toshiba Corp 半導体メモリ装置および復号方法
US8909894B1 (en) 2011-03-16 2014-12-09 Tintri Inc. Automatically aligning virtual blocks to physical blocks
US8601036B2 (en) 2011-03-23 2013-12-03 International Business Machines Corporation Handling persistent/long-lived objects to reduce garbage collection pause times
US9047955B2 (en) 2011-03-30 2015-06-02 Stec, Inc. Adjusting operating parameters for memory cells based on wordline address and cycle information
US8874515B2 (en) 2011-04-11 2014-10-28 Sandisk Enterprise Ip Llc Low level object version tracking using non-volatile memory write generations
US8909888B2 (en) 2011-04-29 2014-12-09 Seagate Technology Llc Secure erasure of data from a non-volatile memory
US8713380B2 (en) 2011-05-03 2014-04-29 SanDisk Technologies, Inc. Non-volatile memory and method having efficient on-chip block-copying with controlled error rate
US8745318B2 (en) 2011-06-28 2014-06-03 Seagate Technology Llc Parameter tracking for memory devices
US9378138B2 (en) 2011-06-29 2016-06-28 International Business Machines Corporation Conservative garbage collection and access protection
US8898373B1 (en) 2011-06-29 2014-11-25 Western Digital Technologies, Inc. System and method for improving wear-leveling performance in solid-state memory
US8645773B2 (en) 2011-06-30 2014-02-04 Seagate Technology Llc Estimating temporal degradation of non-volatile solid-state memory
US9898402B2 (en) 2011-07-01 2018-02-20 Micron Technology, Inc. Unaligned data coalescing
US20130024735A1 (en) 2011-07-19 2013-01-24 Ocz Technology Group Inc. Solid-state memory-based storage method and device with low error rate
US8566667B2 (en) 2011-07-29 2013-10-22 Stec, Inc. Low density parity check code decoding system and method
US8692561B2 (en) 2011-08-11 2014-04-08 International Business Machines Corporation Implementing chip to chip calibration within a TSV stack
US20130047045A1 (en) 2011-08-19 2013-02-21 Stec, Inc. Error indicator from ecc decoder
US8934311B2 (en) 2011-09-06 2015-01-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor memory device capable of screening a weak bit and repairing the same
US8924631B2 (en) 2011-09-15 2014-12-30 Sandisk Technologies Inc. Method and system for random write unalignment handling
US9047210B2 (en) 2011-09-15 2015-06-02 Sandisk Technologies Inc. Data storage device and method to correct bit values using multiple read voltages
KR20130031046A (ko) 2011-09-20 2013-03-28 삼성전자주식회사 플래시 메모리 장치 및 플래시 메모리 장치의 데이터 관리 방법
US8553468B2 (en) 2011-09-21 2013-10-08 Densbits Technologies Ltd. System and method for managing erase operations in a non-volatile memory
US9378133B2 (en) 2011-09-30 2016-06-28 Intel Corporation Autonomous initialization of non-volatile random access memory in a computer system
US8825721B2 (en) 2011-10-03 2014-09-02 Oracle International Corporation Time-based object aging for generational garbage collectors
US8516019B2 (en) 2011-10-03 2013-08-20 Oracle America, Inc. Time-based object aging for generational garbage collectors
KR101562781B1 (ko) 2011-10-05 2015-10-23 엘에스아이 코포레이션 비휘발성 스토리지에 대한 셀프-저널링 및 계층적 일치성
US8711619B2 (en) 2011-10-18 2014-04-29 Seagate Technology Llc Categorizing bit errors of solid-state, non-volatile memory
US8707090B2 (en) 2011-10-19 2014-04-22 Hitachi, Ltd. Storage system
US10359949B2 (en) 2011-10-31 2019-07-23 Apple Inc. Systems and methods for obtaining and using nonvolatile memory health information
JP5943395B2 (ja) 2011-11-02 2016-07-05 国立大学法人 東京大学 メモリコントローラおよびデータ記憶装置
US8683297B2 (en) 2011-11-02 2014-03-25 Sandisk Technologies Inc. Systems and methods of generating a replacement default read threshold
US9053809B2 (en) 2011-11-09 2015-06-09 Apple Inc. Data protection from write failures in nonvolatile memory
US8456919B1 (en) 2011-11-10 2013-06-04 Sandisk Technologies Inc. Method and apparatus to provide data including hard bit data and soft bit data to a rank modulation decoder
US9081663B2 (en) 2011-11-18 2015-07-14 Stec, Inc. Optimized garbage collection algorithm to improve solid state drive reliability
US8687421B2 (en) 2011-11-21 2014-04-01 Sandisk Technologies Inc. Scrub techniques for use with dynamic read
US9274945B2 (en) 2011-12-15 2016-03-01 International Business Machines Corporation Processing unit reclaiming requests in a solid state memory device
US8830746B2 (en) 2011-12-28 2014-09-09 Apple Inc. Optimized threshold search in analog memory cells using separator pages of the same type as read pages
JP2013142947A (ja) 2012-01-10 2013-07-22 Sony Corp 記憶制御装置、記憶装置および記憶制御装置の制御方法
US9767032B2 (en) 2012-01-12 2017-09-19 Sandisk Technologies Llc Systems and methods for cache endurance
US9251086B2 (en) 2012-01-24 2016-02-02 SanDisk Technologies, Inc. Apparatus, system, and method for managing a cache
WO2013112332A1 (en) 2012-01-24 2013-08-01 Apple Inc. Enhanced programming and erasure schemes for analog memory cells
US9208871B2 (en) 2012-01-30 2015-12-08 HGST Netherlands B.V. Implementing enhanced data read for multi-level cell (MLC) memory using threshold voltage-drift or resistance drift tolerant moving baseline memory data encoding
US8964482B2 (en) 2012-01-30 2015-02-24 Freescale Semiconductor, Inc. Dynamic healing of non-volatile memory cells
US9679664B2 (en) 2012-02-11 2017-06-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Method and system for providing a smart memory architecture
US8832050B2 (en) 2012-03-09 2014-09-09 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Validation of distributed balanced trees
US8897085B2 (en) 2012-03-19 2014-11-25 Sandisk Technologies Inc. Immunity against temporary and short power drops in non-volatile memory: pausing techniques
US20130290611A1 (en) 2012-03-23 2013-10-31 Violin Memory Inc. Power management in a flash memory
JP5853899B2 (ja) 2012-03-23 2016-02-09 ソニー株式会社 記憶制御装置、記憶装置、情報処理システム、および、それらにおける処理方法
US9311501B2 (en) 2012-03-26 2016-04-12 International Business Machines Corporation Using different secure erase algorithms to erase chunks from a file associated with different security levels
US8923066B1 (en) 2012-04-09 2014-12-30 Sk Hynix Memory Solutions Inc. Storage of read thresholds for NAND flash storage using linear approximation
US8990477B2 (en) 2012-04-19 2015-03-24 Sandisk Technologies Inc. System and method for limiting fragmentation
US20130297613A1 (en) 2012-05-04 2013-11-07 Monmouth University Indexing based on key ranges
US20130343131A1 (en) 2012-06-26 2013-12-26 Lsi Corporation Fast tracking for flash channels
US8634267B2 (en) 2012-05-14 2014-01-21 Sandisk Technologies Inc. Flash memory chip power management for data reliability and methods thereof
US20130346672A1 (en) 2012-06-22 2013-12-26 Microsoft Corporation Multi-Tiered Cache with Storage Medium Awareness
US9529724B2 (en) 2012-07-06 2016-12-27 Seagate Technology Llc Layered architecture for hybrid controller
CN102789427B (zh) 2012-07-17 2015-11-25 威盛电子股份有限公司 数据储存装置与其操作方法
KR101997079B1 (ko) * 2012-07-26 2019-07-08 삼성전자주식회사 가변 저항 메모리를 포함하는 저장 장치 및 그것의 동작 방법
US9002791B2 (en) 2012-08-28 2015-04-07 Hewlett-Packard Development Company, L. P. Logging modifications to a variable in persistent memory
KR20140028481A (ko) 2012-08-29 2014-03-10 에스케이하이닉스 주식회사 쓰기 전류를 측정할 수 있는 반도체 메모리 장치 및 쓰기 전류 측정 방법
US9329986B2 (en) 2012-09-10 2016-05-03 Sandisk Technologies Inc. Peak current management in multi-die non-volatile memory devices
US8938656B2 (en) 2012-09-14 2015-01-20 Sandisk Technologies Inc. Data storage device with intermediate ECC stage
US8886882B2 (en) 2012-09-14 2014-11-11 Hitachi, Ltd. Method and apparatus of storage tier and cache management
US9128690B2 (en) 2012-09-24 2015-09-08 Texas Instruments Incorporated Bus pin reduction and power management
US10489295B2 (en) 2012-10-08 2019-11-26 Sandisk Technologies Llc Systems and methods for managing cache pre-fetch
US9268709B2 (en) 2012-10-18 2016-02-23 Marvell International Ltd. Storage controllers and storage control methods
JP5965541B2 (ja) 2012-10-31 2016-08-10 株式会社日立製作所 ストレージ装置及びストレージ装置の制御方法
US8817541B2 (en) 2012-11-09 2014-08-26 Sandisk Technologies Inc. Data search using bloom filters and NAND based content addressable memory
US8634248B1 (en) 2012-11-09 2014-01-21 Sandisk Technologies Inc. On-device data analytics using NAND flash based intelligent memory
US8930778B2 (en) 2012-11-15 2015-01-06 Seagate Technology Llc Read disturb effect determination
US8949544B2 (en) 2012-11-19 2015-02-03 Advanced Micro Devices, Inc. Bypassing a cache when handling memory requests
US9104532B2 (en) 2012-12-14 2015-08-11 International Business Machines Corporation Sequential location accesses in an active memory device
US9135185B2 (en) 2012-12-23 2015-09-15 Advanced Micro Devices, Inc. Die-stacked memory device providing data translation
US8869008B2 (en) 2013-01-17 2014-10-21 Apple Inc. Adaptation of analog memory cell read thresholds using partial ECC syndromes
KR20140100330A (ko) 2013-02-06 2014-08-14 삼성전자주식회사 메모리 시스템 및 그것의 동작 방법
DE102013101863A1 (de) * 2013-02-26 2014-08-28 Fujitsu Technology Solutions Intellectual Property Gmbh Hochverfügbares Hauptspeicher-Datenbanksystem, Arbeitsverfahren und deren Verwendungen
US9383795B2 (en) 2013-03-10 2016-07-05 Seagate Technololgy Llc Storage device power failure infrastructure
US9042181B2 (en) 2013-03-15 2015-05-26 SanDisk Technologies, Inc. Periodic erase operation for a non-volatile medium
US10546648B2 (en) 2013-04-12 2020-01-28 Sandisk Technologies Llc Storage control system with data management mechanism and method of operation thereof
US9378830B2 (en) 2013-07-16 2016-06-28 Seagate Technology Llc Partial reprogramming of solid-state non-volatile memory cells
US9043517B1 (en) 2013-07-25 2015-05-26 Sandisk Enterprise Ip Llc Multipass programming in buffers implemented in non-volatile data storage systems
US9304928B2 (en) 2013-07-26 2016-04-05 Netapp, Inc. Systems and methods for adaptive prefetching
US9531038B2 (en) * 2013-07-31 2016-12-27 Dell Products, Lp System and method of cell block voltage analytics to improve balancing effectiveness and identify self-discharge rate
US9329789B1 (en) 2013-10-14 2016-05-03 Marvell International Ltd. Methods and apparatus for efficiently operating on a storage device
US9250676B2 (en) 2013-11-29 2016-02-02 Sandisk Enterprise Ip Llc Power failure architecture and verification
US9235245B2 (en) 2013-12-04 2016-01-12 Sandisk Enterprise Ip Llc Startup performance and power isolation
US9471497B2 (en) 2014-01-24 2016-10-18 Netapp, Inc. Methods for combining access history and sequentiality for intelligent prefetching and devices thereof
TWI533308B (zh) 2014-03-21 2016-05-11 群聯電子股份有限公司 記憶體管理方法、記憶體儲存裝置及記憶體控制電路單元
US9274713B2 (en) 2014-04-03 2016-03-01 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Device driver, method and computer-readable medium for dynamically configuring a storage controller based on RAID type, data alignment with a characteristic of storage elements and queue depth in a cache

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