CN106030714A - Dimm设备控制器监控器 - Google Patents

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CN106030714A CN201480070892.0A CN201480070892A CN106030714A CN 106030714 A CN106030714 A CN 106030714A CN 201480070892 A CN201480070892 A CN 201480070892A CN 106030714 A CN106030714 A CN 106030714A
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K.B.德尔帕帕
R.W.埃利斯
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Abstract

在此所描述的各种实现方式包括用于使得能够在双列直插存储器模块(DIMM)中的控制器处执行用于所述DIMM的监控功能的系统、方法和/或设备。所述方法包括：在上电时，确定提供给所述DIMM的电源电压。根据满足电源标准的确定，所述方法包括：(1)执行一个或多个上电操作，包括启动使用计数器；(2)监视所述DIMM的温度；(3)针对预定触发事件集合中的一个或多个的发生而监视所述DIMM；以及(4)响应于检测到所述预定触发事件集合之一，记录与检测到的预定事件对应的信息。

Description

DIMM设备控制器监控器
技术领域
公开的实施例总体上涉及存储器系统，具体地，涉及在存储器设备中执行监控(supervisory)功能。
背景技术
包括闪速存储器的半导体存储器设备典型地利用存储器单元以将数据存储为电值，比如电荷或电压。闪速存储器单元例如包括具有浮置栅极的单个晶体管，该浮置栅极用于存储表示数据值的电荷。闪速存储器是可以被电擦除并且重新编程的非易失性数据存储设备。更一般地，非易失性存储器(例如闪速存储器以及使用任何各种技术实现的其它类型的非易失性存储器)甚至当未被供电时也保留所存储的信息，这与需要电力以保存所存储的信息的易失性存储器相反。
这样的存储器设备要求控制器记录(log)并且监视存储设备的性能信息，并且执行一个或多个操作以确保存储设备的标称性能。由于现代存储器设备必需在变化的功率和环境状况下操作，因此这些操作对于存储设备所面对的问题的正确处置、控制和报告是重要的。
发明内容
在所附权利要求的范围内的系统、方法和设备的各种实现方式每个具有若干方面，并非仅其中的单个方面单独负责在此所描述的属性。不限制所附权利要求的范围，在考虑本公开之后，并且尤其在考虑题为“具体实施方式”的部分之后，将理解各个实现方式的方面如何用于使得能够在存储器设备中执行监控功能。
附图说明
为了更详细地理解本公开，可以通过参照各个实现方式的特征进行更具体的描述，其中的一些实现方式示出于附图中。然而，附图仅示出本公开的更相关的特征，并且因此并非看作限制，因为描述可以许可其它有效特征。
图1是示出根据一些实施例的数据存储系统的实现方式的框图。
图2是示出根据一些实施例的监控控制器的实现方式的框图。
图3A-图3C示出根据一些实施例的在存储设备中执行监控功能的方法的流程图表示。
根据一般实践，附图所示的各个特征可能不是按比例绘制的。相应地，为了清楚，各个特征的尺寸可能任意扩大或缩小。此外，一些附图可能没有绘出给定的系统、方法或设备的所有组件。最后，相同标号可以用于贯穿说明书和附图表示相同特征。
具体实施方式
在此所描述的各个实现方式包括用于在存储器设备中执行监控功能的系统、方法和/或设备。更具体地说，一些实现方式包括执行用于双列直插存储器模块(DIMM)的监控功能的方法。在一些实现方式中，该方法包括：在所述DIMM中的控制器处，在上电时确定提供给所述DIMM的电源电压。所述方法还包括：根据满足电源标准的确定执行操作，其中所述电源标准包括提供给所述DIMM的电源电压落入N个预定电压范围之一内的要求，并且N是大于1的整数。在一些实施例中，响应于满足所述电源标准的确定的这些操作包括：执行一个或多个上电操作，包括启动使用计数器；监视所述DIMM的温度；针对预定触发事件集合中的一个或多个的发生而监视所述DIMM；以及响应于检测到所述预定触发事件集合之一，记录与检测到的预定事件对应的信息。
在一些实施例中，所述预定事件集合包括以下事件中的两个或更多个：DIMM的温度测量超过预定温度、功率故障状况、与从主机接收到的预定命令对应的预定状况、对所述DIMM的各个闪速存储器部分执行的编程擦除周期的当前数量匹配预定标准。
在一些实施例中，所述电源标准还包括提供给所述DIMM的SPD供电电压是预定SPD供电电压的要求。
在一些实施例中，所述方法还包括：根据不满足电源标准的确定，执行一个或多个封锁功能。
在一些实施例中，执行所述一个或多个上电操作包括：根据提供给所述DIMM的所述电源电压是第一预定电压的确定，使用与所述第一预定电压对应的第一配置参数集合来运行存储器模块功能；以及根据提供给所述DIMM的所述电源电压是第二预定电压的确定，使用与所述第二预定电压对应的第二配置参数集合来运行所述存储器模块功能。
在一些实施例中，所述方法还包括：响应于从主机系统接收到命令，替换所述第一配置参数集合。
在一些实施例中，执行所述一个或多个上电操作包括：使施加到所述DIMM中的一个或多个非易失性存储器控制器的重置无效。
在一些实施例中，所述方法还包括：监视数据固化模块中的能量存储设备的电荷。
在一些实施例中，所述使用计数器的值是自从上电以来累计的时间的当前总和。
在一些实施例中，所述方法还包括：至少部分地基于所述使用计数器的值以及所监视的所述DIMM的温度而确定加速的时间测量。
在一些实施例中，所述方法还包括：响应于检测到所述事件集合之一，将通知发送到主机系统。
在一些实施例中，所述方法还包括：从主机系统接收对信息的请求；以及响应于所述请求，向所述主机系统发送所请求的信息。
在一些实施例中，使用串行存在性检测(SPD)管脚将所述DIMM中的所述控制器与用于所述DIMM的接口耦合，其中，所述用于DIMM的接口被配置为与存储器总线耦合。
在另一方面中，由双列直插存储器模块(DIMM)设备执行任何上述方法，所述双列直插存储器模块(DIMM)设备包括：(1)接口，用于将所述DIMM设备耦合到主机系统；以及(2)多个控制器中的在所述DIMM中的控制器，其中，所述控制器被配置为：(a)在上电时，确定提供给所述DIMM的电源电压；以及(b)根据满足电源标准的确定，所述电源标准包括提供给所述DIMM的电源电压落入N个预定电压范围之一内的要求，其中，N是大于1的整数：(i)执行一个或多个上电操作，包括启动使用计数器，(ii)监视所述DIMM的温度，(iii)针对预定触发事件集合中的一个或多个的发生而监视所述DIMM，以及(iv)响应于检测到所述预定触发事件集合之一，记录与检测到的预定事件对应的信息。
在一些实施例中，所述双列直插存储器模块(DIMM)设备被配置为执行任何上述方法。
在一些实施例中，所述双列直插存储器模块(DIMM)设备上的所述多个控制器包括至少一个非易失性存储器控制器以及除了所述至少一个非易失性存储器控制器之外的至少一个其他存储器控制器。
在一些实施例中，所述存储设备上的所述多个控制器之一将双数据率(DDR)接口命令映射到串行高级技术附连(SATA)接口命令。
在又一方面中，由可操作为执行监控功能的双列直插存储器模块(DIMM)设备执行任何上述方法。在一些实施例中，所述设备包括：(1)接口，用于将所述DIMM设备耦合到主机系统；(2)用于在上电时确定提供给所述DIMM的电源电压的装置；以及(3)用于根据满足电源标准的确定执行操作集合的监视装置，所述电源标准包括提供给所述DIMM的电源电压落入N个预定电压范围之一内的要求，其中，N是大于1的整数。所述监视装置包括：(a)用于执行一个或多个上电操作、包括启动使用计数器的装置；(b)用于监视所述DIMM的温度的装置；(c)用于针对预定触发事件集合中的一个或多个的发生而监视所述DIMM的装置；以及(d)用于响应于检测到所述预定触发事件集合之一而记录与检测到的预定事件对应的信息的装置。
在又一方面中，一种非瞬时计算机可读存储介质，存储用于由具有多个控制器的存储设备的一个或多个处理器运行的一个或多个程序，所述一个或多个程序包括用于执行任何上述方法的指令。
在此描述大量细节以提供附图所示的示例实现方式的透彻理解。然而，可以在没有很多具体细节的情况下实践一些实施例，并且权利要求的范围仅由权利要求中具体陈述的那些特征和方面限定。此外，没有全面详细地描述公知方法、组件和电路，以免不必要地模糊在此所描述的实现方式的更相关的方面。
图1是示出根据一些实施例的数据存储系统100的实现方式的框图。虽然示出一些示例特征，但出于简明的原因并且以免模糊在此所公开的示例实现方式的更相关的方面，没有示出各个其它特征。为此，作为非限定性示例，数据存储系统100包括存储设备120(有时称为存储器模块、存储器设备、数据存储设备或信息存储设备)，其包括主机接口122、串行存在性检测(SPD)/监控控制器124、数据固化(harden)模块126、存储器控制器128、一个或多个闪速控制器(例如闪速控制器130)以及非易失性存储器(例如一个或多个闪速存储器设备140、142)，并且数据存储系统100与计算机系统110结合使用。在一些实现方式中，存储设备120包括单个闪速存储器设备，而在其它实现方式中，存储设备120包括多个闪速存储器设备。在一些实现方式中，闪速存储器设备140、142包括NAND型闪速存储器或NOR型闪速存储器。此外，在一些实现方式中，闪速控制器130是固态驱动器(SSD)控制器。然而，根据各种实现方式的方面，可以包括一种或多种其它类型的存储介质。
计算机系统110通过数据连接101耦合到存储设备120。然而，在一些实现方式中，计算机系统110包括存储设备120作为组件和/或子系统。计算机系统110可以是任何合适的计算机设备，比如个人计算机、工作站、计算机服务器或任何其他的计算设备。计算机系统110有时称为主机或主机系统。在一些实现方式中，计算机系统110包括一个或多个处理器、一种或多种类型的存储器，可选地包括显示器和/或其他用户接口组件，比如键盘、触摸屏显示器、鼠标、触控板、数字相机和/或任意数量的辅助设备，以添加功能。此外，在一些实现方式中，计算机系统110在控制线111上将一个或多个主机命令(例如读取命令和/或写入命令)发送到存储设备120。在一些实现方式中，计算机系统110是服务器系统，比如数据中心中的服务器系统，并且没有显示器和其它用户接口组件。
在一些实现方式中，存储设备120包括闪速存储器设备140、142(例如闪速存储器设备140-1至140-n以及闪速存储器设备142-1至142-k)以及闪速控制器130(例如闪速控制器130-1至130-m)。在一些实现方式中，闪速控制器130的每个闪速控制器包括一个或多个处理单元(有时又称为CPU或处理器或微处理器或微控制器)，被配置为运行一个或多个程序中(例如闪速控制器130中)的指令。在一些实现方式中，一个或多个处理器由闪速控制器130的功能内的一个或多个组件共享，并且在一些情况下，由超出闪速控制器130的功能的一个或多个组件共享。在一些实现方式中，闪速控制器130的每个闪速控制器包括一个或多个温度传感器160，被配置为测量闪速控制器130中的各个闪速控制器的温度。闪速存储器设备140、142通过连接耦合到闪速控制器130，这些连接典型地除了数据之外还传送命令，并且可选地除了待存储在闪速存储器设备140、142中的数据值以及从闪速存储器设备140、142读取的数据值之外还传送元数据、纠错信息和/或其他信息。例如，闪速存储器设备140、142可以被配置用于适合于诸如云计算的应用的企业存储体，或用于缓存在次级存储体、比如硬盘驱动器中所存储(或待存储)的数据。附加地和/或替代地，闪速存储器也可以被配置用于相对较小规模应用，比如用于个人计算机、膝上型计算机和平板计算机的个人闪速驱动器或硬盘更换。虽然闪速存储器设备和闪速控制器在此用作示例，但存储设备120可以包括任何其它非易失性存储器设备和对应的非易失性存储器控制器。
在一些实现方式中，存储设备120还包括主机接口122、SPD/监控控制器124、数据固化模块126和存储器控制器128。存储设备120可以包括各种附加特征，出于简明的原因并且避免模糊在此所公开的示例实现方式的更相关的特征而没有示出，并且特征的不同布置可以是可能的。主机接口122通过数据连接101提供对计算机系统110的接口。在一些实现方式中，SPD/监控控制器124通过SPD总线与主机接口122耦合，耦合到主机接口122的SPD管脚。
在一些实现方式中，数据固化模块126包括一个或多个处理单元(有时又称为CPU或处理器或微处理器或微控制器)，被配置为运行一个或多个程序中(例如数据固化模块126中)的指令。在一些实现方式中，一个或多个处理器由数据固化模块126的功能内的一个或多个组件共享，并且在一些情况下，由超出数据固化模块126的功能的一个或多个组件共享。数据固化模块126耦合到主机接口122、SPD/监控控制器124、存储器控制器128和闪速控制器130。数据固化模块126包括能量存储设备150。在一些实施例中，能量存储设备150包括一个或多个电容器。在其它实施例中，能量存储设备150包括一个或多个感应器或存储能量的任何其它无源元件。在一些实施例中，能量存储设备150包括一个或多个电池。在一些实施例中，使用来自存储设备120上的能量存储设备150的功率来执行功率故障操作。在功率故障操作期间，能量存储设备150用于将功率提供给存储设备120，并且数据固化模块126用于连接以及断开适当的电源以保留数据。
存储器控制器128耦合到主机接口122、数据固化模块126、SPD/监控控制器124和闪速控制器130。在一些实现方式中，在写入操作期间，存储器控制器128通过主机接口122从计算机系统110接收数据，并且在读取操作期间，存储器控制器128通过主机接口122将数据发送到计算机系统110。此外，主机接口122提供存储器控制器128与计算机系统110之间的通信所需的附加数据、信号、电压和/或其他信息。在一些实施例中，存储器控制器128和主机接口122使用所定义的用于通信的接口标准，比如双数据率类型三同步动态随机存取存储器(DDR3)。在一些实施例中，存储器控制器128和闪速控制器130使用所定义的用于通信的接口标准，比如串行高级技术附连(SATA)。在一些其它实现方式中，由存储器控制器128使用来与闪速控制器130通信的设备接口是SAS(串行附连SCSI)或其他存储接口。在一些实现方式中，存储器控制器128包括一个或多个处理单元(有时又称为CPU或处理器或微处理器或微控制器)，被配置为运行一个或多个程序中(例如存储器控制器128中)的指令。在一些实现方式中，一个或多个处理器由存储器控制器128的功能内的一个或多个组件共享，并且在一些情况下，由超出存储器控制器128的功能的一个或多个组件共享。
SPD/监控控制器124耦合到主机接口122、数据固化模块126和存储器控制器128。串行存在性检测(SPD)指代用于自动地存取关于计算机存储器模块(例如存储设备120)的信息的标准化方式。例如，如果存储器模块具有故障，则该故障可以通过SPD/监控控制器124与主机系统(例如计算机系统110)通信。在一些实施例中，SPD/监控控制器124是具有传统SPD设备(例如存储存储器设备参数的EEPROM存储器)和所公开的监控控制器的组合功能的一个块。在一些实施例中，SPD/监控控制器124是驻留在与主机接口122耦合的单个SPD总线上的两个或更多个块。
图2是示出根据一些实施例的SPD设备/监控控制器124的实现方式的框图。SPD设备/监控控制器124典型地包括：一个或多个处理器(有时又称为CPU或处理单元或微处理器或微控制器)202，用于运行存储器206中所存储的模块、程序和/或指令，并且由此执行处理操作；存储器206；SPD模块204；以及一个或多个通信总线208，用于互连这些组件。在一些实现方式中，SPD模块204是传统SPD设备(例如存储存储器设备参数的EEPROM存储器)，并且通过一个或多个通信总线208与主机接口122的SPD管脚耦合。在一些实施例中，SPD/监控控制器124还包括温度传感器240。在一些实施例中，温度传感器240位于DIMM设备(例如存储设备120，图1)上在SPD/监控控制器124的外部，但保持与SPD/监控控制器124通信耦合。
通信总线208可选地包括互连并且控制各系统组件之间的通信的电路(有时称为芯片集)。SPD设备/监控控制器124通过通信总线208耦合到主机接口122、数据固化模块126和存储器控制器128。存储器206包括高速随机存取存储器，比如DRAM、SRAM、DDR RAM或其它随机存取固态存储器设备；并且可以包括非易失性存储器，比如一个或多个磁盘存储设备、光盘存储设备、闪存设备或其它非易失性固态存储设备。存储器206可选地包括定位为离开处理器202的一个或多个存储设备。存储器206或替代地存储器206内的非易失性存储器设备包括非瞬时计算机可读存储介质。在一些实现方式中，存储器206或存储器206的计算机可读存储介质存储以下程序、模块和数据结构或其子集：
·监视(monitor)模块210，其用于监视温度传感器、触发事件、封锁条件、SPD电压、电源标准以及用于存储设备(例如存储设备120，图1)的能量存储设备150的电荷；
·主机通信模块224，其用于管理与主机(例如计算机系统110，图1)的到来通信和外出通信；
·上电模块226，其用于执行存储设备的一个或多个上电操作；
·记录模块230，其用于记录与在DIMM设备上的一个或多个预定触发事件的发生对应的信息；以及
·存储器配置模块232，其用于使用一个或多个配置参数集合来运行一个或多个存储器模块功能。
在一些实施例中，监视模块210可选地包括以下模块或子模块或其子集：
·温度模块212，其用于(例如，使用DIMM设备上的热电偶)监视DIMM设备的温度读数；
·触发事件模块214，其用于针对预定触发事件集合中的一个或多个的发生而监视DIMM；
·封锁模块216，其用于响应于监视DIMM设备上的电源标准的状态而执行一个或多个封锁功能；
·SPD电压模块218，其用于监视提供给存储设备的SPD电压的特性；以及
·能量存储设备模块222，其用于监视DIMM设备上的数据固化模块的能量存储设备(例如数据固化模块126中的能量存储设备150)上的电荷等级。
在一些实施例中，上电模块226可选地包括使用计数器模块212，其用于测量自从DIMM设备的上电以来的逝去时间的值。
以上所标识的元件中的每一个可以存储在先前所述的存储器设备的一个或多个中，并且与用于执行上述功能的指令集合对应。以上所标识的模块或程序(即指令集合)无需实现为单独的软件程序、过程或模块，并且因此这些模块的各个子集可以在各个实施例中组合或另外重新布置。在一些实施例中，存储器206可以存储以上所标识的模块和数据结构的子集。此外，存储器206可以存储以上未描述的附加模块和数据结构。在一些实施例中，存储器206或存储器206的计算机可读存储介质中所存储的程序、模块和数据结构提供用于实现以下参照图3A-图3C描述的任何方法的指令。
虽然图2示出SPD/监控控制器126，但图2更意图作为可以在SPD/监控控制器中出现的各个特征的功能性描述而非作为在此所描述的实施例的结构性示意。在实践中，并且如本领域技术人员所理解的，分离地示出的项目可以组合，并且一些项目可以分离。
图3A-图3C示出在存储设备(例如双列直插存储器模块，比如存储设备120)中的控制器处执行监控功能的方法300的流程图表示。存储设备(例如存储设备120，图1)协调并且管理多个子系统组件，以保护发起执行方法300的数据。至少在一些实现方式中，由存储设备(例如存储设备120，图1)或存储设备的一个或多个组件(例如SPD/监控控制器124、存储器控制器128和/或闪速控制器130，图1)执行方法300。在一些实施例中，方法300由存储在非瞬时计算机可读存储介质中并且由设备的一个或多个处理器、比如SPD/监控控制器124的一个或多个处理器202、存储器控制器128的一个或多个处理器和/或闪速控制器130的一个或多个处理器运行的指令管控。
在DIMM设备(例如存储设备120，图1)的控制器(例如SPD/监控控制器124，图1)处，DIMM设备确定(302)提供给DIMM的电源电压。在一些实施例中，DIMM中的控制器使用串行存在性检测(SPD)管脚与用于DIMM的接口耦合(304)，其中，用于DIMM的接口被配置为与存储器总线耦合(例如主机接口122，图1)。
接下来，存储设备根据满足电源标准的确定来执行(306)操作，电源标准包括提供给DIMM的电源电压落入N个预定电压范围之一内的要求，其中，N是大于1的整数。例如，电源标准可以包括提供给DIMM的电源电压必需落入1.5V的+/-10％内或落入1.35V的+/-10％内的要求。存储设备执行(308)一个或多个上电操作，包括启动使用计数器。
在一些实施例中，根据提供给DIMM的电源电压是第一预定电压(例如1.2V)的确定，DIMM设备使用与第一预定电压对应的第一配置参数集合(例如，改变配置位或更新固件)来运行(310)存储器模块功能(例如读取、写入、擦除、将消息发送到主机)。此外，根据提供给DIMM的电源电压是第二预定电压(例如1.4V)的确定，DIMM设备使用与第二预定电压对应的第二配置参数集合来运行(312)存储器模块功能。在一些实施例中，响应于从主机系统接收到命令，DIMM设备替换(314)第一配置参数集合。在一些实施例中，也替换第二配置参数集合。
在一些实施例中，执行(316)一个或多个上电操作包括：使施加到DIMM中的一个或多个非易失性存储器控制器的重置无效(de-assert)。在一些实施例中，这包括使施加到DIMM中的存储器模块控制器的重置无效。在一些实施例中，对于DIMM中的其它控制器中的每一个使单独的重置信号有效(assert)或无效。
在一些实施例中，使用计数器的值(318)是自从上电以来累计的时间的当前总和。例如，该使用计数器可以基于微控制器中的实时时钟。此外，在一些实施例中，所述方法还包括DIMM设备至少部分地基于使用计数器的值以及所监控的DIMM的温度而确定(320)加速的时间测量。在一些实施例中，加速的时间测量响应于主机请求而确定，或不断地计算，并且存储在控制器(例如SPD/监控控制器124，图1)的非易失性存储器中。
该方法还包括在DIMM设备的控制器处，监视(322)DIMM的温度。在一些实施例中，通过控制器中的热电偶(例如SPD/监控控制器124中的热电偶或温度传感器240，图2)测量该温度，以用于监视。在一些实施例中，由DIMM设备的每个闪速控制器中的热传感器(例如闪速控制器130中的温度传感器160，图1)测量该温度，以用于监视。
该方法还包括在DIMM设备的控制器处，针对预定触发事件集合中的一个或多个的发生而监视(324)DIMM。在一些实施例中，该预定事件集合包括(326)以下事件中的两个或更多个：DIMM的温度测量超过预定的温度、功率故障状况、与从主机接收到的预定的命令对应的预定的状况、对DIMM的各个闪速存储器部分执行的编程擦除周期的当前数量匹配预定的标准。响应于检测到预定触发事件集合中的一个，DIMM设备记录(328)与检测到的预定事件对应的信息。在一些实施例中，与检测到的预定事件对应的该信息存储在控制器(例如SPD/监控控制器124，图1)中的非易失性存储器中或DIMM设备中的某个其他非易失性存储器中。
在一些实施例中，电源标准还包括(330)提供给DIMM的SPD供电电压是预定的SPD供电电压(例如用于SPD电压的行业标准，比如3.3V)的要求。
在一些实施例中，该方法还包根据不满足电源标准的确定，设备执行(332)一个或多个封锁功能。例如，SPD/监控控制器可以启动防止主机将数据读取或写入到DIMM设备上的闪速设备的封锁协议。在该示例中，多个存储器控制器(例如存储器控制器128，图1)和DIMM中的闪速存储器(例如闪速存储器140、142，图1)将有效地与主机隔离。
在一些实施例中，该方法还包括设备监视(334)数据固化模块中的能量存储设备(例如数据固化模块126中的能量存储设备150，图1，或更具体地说，能量存储设备150中的一个或多个电容器)的电荷。在一些实施例中，电源标准还包括(336)数据固化模块中的能量存储设备的电荷满足预定的最小电荷等级的要求(例如，图1中的SPD/监控控制器124检查能量存储设备150中的一个或多个电容器的电荷值)。
在一些实施例中，该方法还包括：响应于检测到事件集合之一，DIMM设备将通知发送(338)到主机系统。例如，如果DIMM的温度超过预定的阈值，则在一些实施例中，DIMM设备经由主机接口(例如主机接口122，图1)将温度事件的通知发送到主机系统。这可以触发主机执行某个其他动作作为响应，比如增加风扇的速度。在一些实施例中，DIMM设备将裸通知发送到主机，然后主机通过从SPD读取记录的信息来确定事件的类型。
在一些实施例中，该方法还包括DIMM设备从主机系统接收(340)对信息的请求。例如，主机系统请求获知对一个或多个闪速存储器部分所执行的编程擦除周期的当前数量。响应于该请求，DIMM设备向主机系统发送(342)所请求的信息。
在一些实现方式中，关于上述任何方法，非易失性存储器是单个闪速存储器设备，而在其它实现方式中，非易失性存储器包括多个闪速存储器设备。
在一些实现方式中，关于任何上述方法，存储设备包括：(1)接口，用于将存储设备耦合到主机系统；(2)多个控制器，所述多个控制器中的每一个被配置为：将易失性存储器中所保存的数据传送到非易失性存储器；以及(3)数据固化模块，包括一个或多个处理器和能量存储设备，所述存储设备被配置为执行或控制任何上述方法的执行。
应理解，虽然术语“第一”、“第二”等在此可以用于描述各个要素，但这些要素不应受限于这些术语。这些术语仅用于将要素彼此区分。例如，只要“第一接触”的所有出现一致地更名并且第二接触的所有出现一致地更名，第一接触可以称为第二接触，并且类似地，第二接触可以称为第一接触，这样改变描述的意义。第一接触和第二接触都是接触，但它们不是同一接触。
在此所使用的术语仅用于描述特定实施例的目的，而并非意图限制权利要求。如在具体实施方式和所附权利要求中所使用的那样，单数形式“一(a)”、“一个(an)”以及“该”意图同样包括复数形式，除非上下文另外清楚指明。还应理解，在此所使用的术语“和/或”指代并且包括关联列出的项中的一个或多个的任何以及所有可能组合。还应理解，术语“包括”和/或“包含”当在本说明书中使用时指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、要素和/或组件的存在，但不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、要素、组件或其群组的存在或添加。
如在此使用的那样，取决于上下文，术语“如果”可以理解为意味着“当所陈述的条件前提成立时”或“在所陈述的条件前提成立时”或“响应于确定所陈述的条件前提成立”或“根据确定所陈述的条件前提成立”或“根据检测到所陈述的条件前提成立”。类似地，取决于上下文，短语“如果确定[所陈述的条件前提成立]”或“如果[所陈述的条件前提成立]”或“当[所陈述的条件前提成立]时”可以理解为表示“在确定所陈述的条件前提成立时”或“响应于确定所陈述的条件前提成立”或“根据确定所陈述的条件前提成立”或“在检测到所陈述的条件前提成立时”或“响应于检测所陈述的条件前提成立”。
为了说明的目的，已经参照具体实现方式描述了前面的描述。然而，以上说明性讨论并非意图是穷尽的或将权利要求限制为所公开的精确形式。根据以上教导，很多修改和变化是可能的。选取并且描述实现方式以最佳地解释操作原理和实际应用，以由此启发本领域技术人员。

Claims (22)

1.一种在双列直插存储器模块(DIMM)中的控制器处执行用于DIMM的监控功能的方法，包括：
在上电时，确定提供给所述DIMM的电源电压；
根据满足电源标准的确定，所述电源标准包括提供给所述DIMM的电源电压落入N个预定电压范围之一内的要求，其中，N是大于1的整数：
执行一个或多个上电操作，包括启动使用计数器；
监视所述DIMM的温度；
针对预定触发事件集合中的一个或多个的发生而监视所述DIMM；以及
响应于检测到所述预定触发事件集合之一，记录与检测到的预定事件对应的信息。
2.如权利要求1所述的方法，其中，所述预定事件集合包括以下事件中的两个或更多个：所述DIMM的温度测量超过预定温度、功率故障状况、与从主机接收到的预定命令对应的预定状况、对所述DIMM的各个闪速存储器部分执行的编程擦除周期的当前数量匹配预定标准。
3.如权利要求1-2中的任一项所述的方法，其中，所述电源标准还包括提供给所述DIMM的SPD供电电压是预定SPD供电电压的要求。
4.如权利要求1-3中的任一项所述的方法，还包括：
根据不满足电源标准的确定，执行一个或多个封锁功能。
5.如权利要求1-4中的任一项所述的方法，其中，执行所述一个或多个上电操作包括：
根据提供给所述DIMM的所述电源电压是第一预定电压的确定，使用与所述第一预定电压对应的第一配置参数集合来运行存储器模块功能；以及
根据提供给所述DIMM的所述电源电压是第二预定电压的确定，使用与所述第二预定电压对应的第二配置参数集合来运行所述存储器模块功能。
6.如权利要求5所述的方法，还包括：
响应于从主机系统接收到命令，替换所述第一配置参数集合。
7.如权利要求1-6中的任一项所述的方法，其中，执行所述一个或多个上电操作包括：使施加到所述DIMM中的一个或多个非易失性存储器控制器的重置无效。
8.如权利要求1-7中的任一项所述的方法，还包括：
监视数据固化模块中的能量存储设备的电荷。
9.如权利要求8所述的方法，其中，所述电源标准还包括所述数据固化模块中的能量存储设备的电荷满足预定最小电荷等级的要求。
10.如权利要求1-9中的任一项所述的方法，其中，所述使用计数器的值是自从上电以来所累计的时间的当前总和。
11.如权利要求10所述的方法，还包括：
至少部分地基于所述使用计数器的值以及所监视的所述DIMM的温度来确定加速的时间测量。
12.如权利要求1-11中的任一项所述的方法，还包括：
响应于检测到所述事件集合之一，将通知发送到主机系统。
13.如权利要求1所述的方法，还包括：
从主机系统接收对信息的请求；以及
响应于所述请求，向所述主机系统发送所请求的信息。
14.如权利要求1所述的方法，其中，使用串行存在性检测(SPD)管脚将所述DIMM中的所述控制器与用于所述DIMM的接口耦合，其中，所述用于DIMM的接口被配置为与存储器总线耦合。
15.一种双列直插存储器模块(DIMM)设备，包括：
接口，用于将DIMM设备耦合到主机系统；以及
控制器，在所述DIMM中，所述控制器被配置为：
在上电时，确定提供给所述DIMM的电源电压；
根据满足电源标准的确定，所述电源标准包括提供给所述DIMM的电源电压落入N个预定电压范围之一内的要求，其中，N是大于1的整数：
执行一个或多个上电操作，包括启动使用计数器；
监视所述DIMM的温度；
针对预定触发事件集合中的一个或多个的发生而监视所述DIMM；以及
响应于检测到所述预定触发事件集合之一，记录与检测到的预定事件对应的信息。
16.如权利要求15所述的双列直插存储器模块(DIMM)设备，其中，所述预定事件集合包括以下事件中的两个或更多个：DIMM的温度测量超过预定温度、功率故障状况、与从主机接收到的预定命令对应的预定状况、对所述DIMM的各个闪速存储器部分执行的编程擦除周期的当前数量匹配预定标准。
17.如权利要求15-16中的任一项所述的双列直插存储器模块(DIMM)设备，其中，所述电源标准还包括提供给所述DIMM的SPD供电电压是预定SPD供电电压的要求。
18.如权利要求15-17中的任一项所述的双列直插存储器模块(DIMM)设备，其中，所述控制器进一步被配置为：
根据不满足电源标准的确定，执行一个或多个封锁功能。
19.如权利要求15-18中的任一项所述的双列直插存储器模块(DIMM)设备，其中，执行所述一个或多个上电操作包括：
根据提供给所述DIMM的所述电源电压是第一预定电压的确定，使用与所述第一预定电压对应的第一配置参数集合来运行存储器模块功能；以及
根据提供给所述DIMM的所述电源电压是第二预定电压，使用与所述第二预定电压对应的第二配置参数集合来运行所述存储器模块功能。
20.如权利要求15所述的双列直插存储器模块(DIMM)设备，进一步被配置为根据如权利要求2-14中的任一项所述的方法而操作。
21.一种非瞬时计算机可读存储介质，存储用于由具有一个或多个控制器的双列直插存储器模块(DIMM)的一个或多个处理器运行的一个或多个程序，所述一个或多个程序包括用于以下操作的指令：
在上电时，确定提供给DIMM的电源电压；
根据满足电源标准的确定，所述电源标准包括提供给所述DIMM的电源电压落入N个预定电压范围之一内的要求，其中，N是大于1的整数：
执行一个或多个上电操作，包括启动使用计数器；
监视所述DIMM的温度；
针对预定触发事件集合中的一个或多个的发生而监视所述DIMM；以及
响应于检测到所述预定触发事件集合之一，记录与检测到的预定事件对应的信息。
22.如权利要求21所述的非瞬时计算机可读存储介质，被配置为根据如权利要求2-14中的任一项所述的方法而操作。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10331352B2 (en) * 2016-06-06 2019-06-25 Toshiba Memory Corporation Dynamic processing of storage command based on internal operations of storage system
US11755475B2 (en) * 2020-01-31 2023-09-12 Dell Products L.P. System and method for utilizing enhanced thermal telemetry for differential storage of data on a memory module
US11954341B2 (en) * 2022-05-05 2024-04-09 Seagate Technology Llc External storage of internal drive management data

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101025994A (zh) * 2006-02-16 2007-08-29 英特尔公司 利用管芯内部的热传感器的热管理
WO2008075292A3 (en) * 2006-12-18 2008-08-21 Nxp Bv Power-on temperature sensor/spd detect
US20100008175A1 (en) * 2008-07-10 2010-01-14 Sanmina-Sci Corporation Battery-less cache memory module with integrated backup
US20120117397A1 (en) * 2010-11-04 2012-05-10 International Business Machines Corporation Dynamic voltage adjustment to computer system memory
US8429436B2 (en) * 2009-09-09 2013-04-23 Fusion-Io, Inc. Apparatus, system, and method for power reduction in a storage device

Family Cites Families (490)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4173737A (en) 1978-05-04 1979-11-06 Zenith Radio Corporation Limited position, non-volatile memory tuning system
US4888750A (en) 1986-03-07 1989-12-19 Kryder Mark H Method and system for erase before write magneto-optic recording
US4916652A (en) 1987-09-30 1990-04-10 International Business Machines Corporation Dynamic multiple instruction stream multiple data multiple pipeline apparatus for floating-point single instruction stream single data architectures
US5129089A (en) 1987-12-18 1992-07-07 Digital Equipment Corporation Distributed interlock apparatus and distributed interlock management method
US5270979A (en) 1991-03-15 1993-12-14 Sundisk Corporation Method for optimum erasing of EEPROM
US5657332A (en) 1992-05-20 1997-08-12 Sandisk Corporation Soft errors handling in EEPROM devices
US5381528A (en) 1992-10-15 1995-01-10 Maxtor Corporation Demand allocation of read/write buffer partitions favoring sequential read cache
US5416915A (en) 1992-12-11 1995-05-16 International Business Machines Corporation Method and system for minimizing seek affinity and enhancing write sensitivity in a DASD array
US5404485A (en) 1993-03-08 1995-04-04 M-Systems Flash Disk Pioneers Ltd. Flash file system
US5537555A (en) 1993-03-22 1996-07-16 Compaq Computer Corporation Fully pipelined and highly concurrent memory controller
US5519847A (en) 1993-06-30 1996-05-21 Intel Corporation Method of pipelining sequential writes in a flash memory
US5329491A (en) 1993-06-30 1994-07-12 Intel Corporation Nonvolatile memory card with automatic power supply configuration
US5708849A (en) 1994-01-26 1998-01-13 Intel Corporation Implementing scatter/gather operations in a direct memory access device on a personal computer
US5488702A (en) 1994-04-26 1996-01-30 Unisys Corporation Data block check sequence generation and validation in a file cache system
US5696917A (en) 1994-06-03 1997-12-09 Intel Corporation Method and apparatus for performing burst read operations in an asynchronous nonvolatile memory
GB9419246D0 (en) 1994-09-23 1994-11-09 Cambridge Consultants Data processing circuits and interfaces
US5666114A (en) 1994-11-22 1997-09-09 International Business Machines Corporation Method and means for managing linear mapped address spaces storing compressed data at the storage subsystem control unit or device level
US5530705A (en) 1995-02-08 1996-06-25 International Business Machines Corporation Soft error recovery system and method
US5636342A (en) 1995-02-17 1997-06-03 Dell Usa, L.P. Systems and method for assigning unique addresses to agents on a system management bus
US5606532A (en) 1995-03-17 1997-02-25 Atmel Corporation EEPROM array with flash-like core
WO1997000518A1 (fr) 1995-06-14 1997-01-03 Hitachi, Ltd. Memoire a semiconducteurs, unite de memoire et carte de memoire
US5890193A (en) 1995-07-28 1999-03-30 Micron Technology, Inc. Architecture for state machine for controlling internal operations of flash memory
US6728851B1 (en) 1995-07-31 2004-04-27 Lexar Media, Inc. Increasing the memory performance of flash memory devices by writing sectors simultaneously to multiple flash memory devices
US5790459A (en) 1995-08-04 1998-08-04 Micron Quantum Devices, Inc. Memory circuit for performing threshold voltage tests on cells of a memory array
US5815434A (en) 1995-09-29 1998-09-29 Intel Corporation Multiple writes per a single erase for a nonvolatile memory
US6044472A (en) 1996-06-21 2000-03-28 Archos Device and method for supplying power to an external data medium reader unit connected to a computer, and external reader unit including this device
TW334532B (en) 1996-07-05 1998-06-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd The inspection system of semiconductor IC and the method of generation
US6134148A (en) 1997-09-30 2000-10-17 Hitachi, Ltd. Semiconductor integrated circuit and data processing system
JPH10124381A (ja) 1996-10-21 1998-05-15 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
US5943692A (en) 1997-04-30 1999-08-24 International Business Machines Corporation Mobile client computer system with flash memory management utilizing a virtual address map and variable length data
US6006345A (en) 1997-05-09 1999-12-21 International Business Machines Corporation Pattern generator for memory burn-in and test
US6000006A (en) 1997-08-25 1999-12-07 Bit Microsystems, Inc. Unified re-map and cache-index table with dual write-counters for wear-leveling of non-volatile flash RAM mass storage
JPH11126497A (ja) 1997-10-22 1999-05-11 Oki Electric Ind Co Ltd 不揮発性半導体記憶装置
US6018304A (en) 1997-12-18 2000-01-25 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for high-rate n/n+1 low-complexity modulation codes with adjustable codeword length and error control capability
US6070074A (en) 1998-04-24 2000-05-30 Trw Inc. Method for enhancing the performance of a regenerative satellite communications system
US6138261A (en) 1998-04-29 2000-10-24 Trw Inc. Concatenated coding system for satellite communications
US6182264B1 (en) 1998-05-22 2001-01-30 Vlsi Technology, Inc. Smart dynamic selection of error correction methods for DECT based data services
US7111293B1 (en) 1998-06-03 2006-09-19 Ants Software, Inc. Method for increased concurrency in a computer system
US6192092B1 (en) 1998-06-15 2001-02-20 Intel Corp. Method and apparatus for clock skew compensation
US6260120B1 (en) 1998-06-29 2001-07-10 Emc Corporation Storage mapping and partitioning among multiple host processors in the presence of login state changes and host controller replacement
US6505305B1 (en) 1998-07-16 2003-01-07 Compaq Information Technologies Group, L.P. Fail-over of multiple memory blocks in multiple memory modules in computer system
US6314501B1 (en) 1998-07-23 2001-11-06 Unisys Corporation Computer system and method for operating multiple operating systems in different partitions of the computer system and for allowing the different partitions to communicate with one another through shared memory
US6295592B1 (en) 1998-07-31 2001-09-25 Micron Technology, Inc. Method of processing memory requests in a pipelined memory controller
US6233625B1 (en) 1998-11-18 2001-05-15 Compaq Computer Corporation System and method for applying initialization power to SCSI devices
US6288860B1 (en) 1999-01-04 2001-09-11 Maxtor Corporation Servo area numbering strategy for computer disk drives
US6438661B1 (en) 1999-03-03 2002-08-20 International Business Machines Corporation Method, system, and program for managing meta data in a storage system and rebuilding lost meta data in cache
US6449625B1 (en) 1999-04-20 2002-09-10 Lucent Technologies Inc. Use of a two-way stack approach to optimize flash memory management for embedded database systems
US6728879B1 (en) 1999-06-02 2004-04-27 Microsoft Corporation Transactional log with multi-sector log block validation
US6564271B2 (en) 1999-06-09 2003-05-13 Qlogic Corporation Method and apparatus for automatically transferring I/O blocks between a host system and a host adapter
US6104304A (en) 1999-07-06 2000-08-15 Conexant Systems, Inc. Self-test and status reporting system for microcontroller-controlled devices
US20050114587A1 (en) 2003-11-22 2005-05-26 Super Talent Electronics Inc. ExpressCard with On-Card Flash Memory with Shared Flash-Control Bus but Separate Ready Lines
US7333364B2 (en) 2000-01-06 2008-02-19 Super Talent Electronics, Inc. Cell-downgrading and reference-voltage adjustment for a multi-bit-cell flash memory
US7660941B2 (en) 2003-09-10 2010-02-09 Super Talent Electronics, Inc. Two-level RAM lookup table for block and page allocation and wear-leveling in limited-write flash-memories
US7318117B2 (en) 2004-02-26 2008-01-08 Super Talent Electronics, Inc. Managing flash memory including recycling obsolete sectors
US20080282128A1 (en) 1999-08-04 2008-11-13 Super Talent Electronics, Inc. Method of Error Correction Code on Solid State Disk to Gain Data Security and Higher Performance
US7620769B2 (en) 2000-01-06 2009-11-17 Super Talent Electronics, Inc. Recycling partially-stale flash blocks using a sliding window for multi-level-cell (MLC) flash memory
US6412042B1 (en) 1999-11-17 2002-06-25 Maxtor Corporation System and method for improved disk drive performance and reliability
US6484224B1 (en) 1999-11-29 2002-11-19 Cisco Technology Inc. Multi-interface symmetric multiprocessor
DE19961138C2 (de) 1999-12-17 2001-11-22 Siemens Ag Multiport-RAM-Speichervorrichtung
US7082056B2 (en) 2004-03-12 2006-07-25 Super Talent Electronics, Inc. Flash memory device and architecture with multi level cells
US8037234B2 (en) 2003-12-02 2011-10-11 Super Talent Electronics, Inc. Command queuing smart storage transfer manager for striping data to raw-NAND flash modules
US6339338B1 (en) 2000-01-18 2002-01-15 Formfactor, Inc. Apparatus for reducing power supply noise in an integrated circuit
US20020152305A1 (en) 2000-03-03 2002-10-17 Jackson Gregory J. Systems and methods for resource utilization analysis in information management environments
US6516437B1 (en) 2000-03-07 2003-02-04 General Electric Company Turbo decoder control for use with a programmable interleaver, variable block length, and multiple code rates
JP3555859B2 (ja) 2000-03-27 2004-08-18 広島日本電気株式会社 半導体生産システム及び半導体装置の生産方法
US6629047B1 (en) 2000-03-30 2003-09-30 Intel Corporation Method and apparatus for flash voltage detection and lockout
US6615307B1 (en) 2000-05-10 2003-09-02 Micron Technology, Inc. Flash with consistent latency for read operations
US20030188045A1 (en) 2000-04-13 2003-10-02 Jacobson Michael B. System and method for distributing storage controller tasks
US6647387B1 (en) 2000-04-27 2003-11-11 International Business Machine Corporation System, apparatus, and method for enhancing storage management in a storage area network
US6678788B1 (en) 2000-05-26 2004-01-13 Emc Corporation Data type and topological data categorization and ordering for a mass storage system
US6934755B1 (en) 2000-06-02 2005-08-23 Sun Microsystems, Inc. System and method for migrating processes on a network
US6442076B1 (en) 2000-06-30 2002-08-27 Micron Technology, Inc. Flash memory with multiple status reading capability
US6980985B1 (en) 2000-08-30 2005-12-27 At&T Corp. Distributed evalulation of directory queries using a topology cache
US6941505B2 (en) 2000-09-12 2005-09-06 Hitachi, Ltd. Data processing system and data processing method
US6865650B1 (en) 2000-09-29 2005-03-08 Emc Corporation System and method for hierarchical data storage
US7028165B2 (en) 2000-12-06 2006-04-11 Intel Corporation Processor stalling
US6862651B2 (en) 2000-12-20 2005-03-01 Microsoft Corporation Automotive computing devices with emergency power shut down capabilities
US6738870B2 (en) 2000-12-22 2004-05-18 International Business Machines Corporation High speed remote storage controller
KR100381955B1 (ko) 2001-01-03 2003-04-26 삼성전자주식회사 기입 드라이버를 이용한 셀 전류 측정 스킴을 갖는 플래시메모리 장치
US6763424B2 (en) 2001-01-19 2004-07-13 Sandisk Corporation Partial block data programming and reading operations in a non-volatile memory
US6775792B2 (en) 2001-01-29 2004-08-10 Snap Appliance, Inc. Discrete mapping of parity blocks
JPWO2002082435A1 (ja) 2001-03-30 2004-07-29 富士通株式会社 記憶装置及びそのフォーカス制御方法
US7017107B2 (en) 2001-04-30 2006-03-21 Sun Microsystems, Inc. Storage array employing scrubbing operations at the disk-controller level
US6938253B2 (en) 2001-05-02 2005-08-30 Portalplayer, Inc. Multiprocessor communication system and method
US6757768B1 (en) 2001-05-17 2004-06-29 Cisco Technology, Inc. Apparatus and technique for maintaining order among requests issued over an external bus of an intermediate network node
JP4256600B2 (ja) 2001-06-19 2009-04-22 Ｔｄｋ株式会社 メモリコントローラ、メモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステム及びフラッシュメモリの制御方法
US7068603B2 (en) 2001-07-06 2006-06-27 Juniper Networks, Inc. Cross-bar switch
US6836815B1 (en) 2001-07-11 2004-12-28 Pasternak Solutions Llc Layered crossbar for interconnection of multiple processors and shared memories
US6928602B2 (en) 2001-07-18 2005-08-09 Sony Corporation Encoding method and encoder
JP4569055B2 (ja) 2001-08-06 2010-10-27 ソニー株式会社 信号処理装置及び信号処理方法
TW539946B (en) 2001-08-07 2003-07-01 Solid State System Company Ltd Window-based flash memory storage system, and the management method and the access method thereof
JP4437519B2 (ja) 2001-08-23 2010-03-24 スパンション エルエルシー 多値セルメモリ用のメモリコントローラ
US7028213B2 (en) 2001-09-28 2006-04-11 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Error indication in a raid memory system
US7032123B2 (en) 2001-10-19 2006-04-18 Sun Microsystems, Inc. Error recovery
JP3663377B2 (ja) 2001-10-23 2005-06-22 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション データ記憶装置、読み出しデータの処理装置および読み出しデータの処理方法
US7380085B2 (en) 2001-11-14 2008-05-27 Intel Corporation Memory adapted to provide dedicated and or shared memory to multiple processors and method therefor
US6798696B2 (en) 2001-12-04 2004-09-28 Renesas Technology Corp. Method of controlling the operation of non-volatile semiconductor memory chips
US6871257B2 (en) 2002-02-22 2005-03-22 Sandisk Corporation Pipelined parallel programming operation in a non-volatile memory system
US6836808B2 (en) 2002-02-25 2004-12-28 International Business Machines Corporation Pipelined packet processing
US7533214B2 (en) 2002-02-27 2009-05-12 Microsoft Corporation Open architecture flash driver
KR100476888B1 (ko) 2002-04-04 2005-03-17 삼성전자주식회사 온도보상기능을 가진 멀티비트 플래쉬메모리
JP4079684B2 (ja) 2002-05-08 2008-04-23 株式会社日立製作所 ヒープメモリ管理方法およびそれを用いた計算機システム
US6966006B2 (en) 2002-05-09 2005-11-15 International Business Machines Corporation Adaptive startup policy for accelerating multi-disk array spin-up
US6895464B2 (en) 2002-06-03 2005-05-17 Honeywell International Inc. Flash memory management system and method utilizing multiple block list windows
US6885530B2 (en) 2002-06-11 2005-04-26 Stmicroelectronics, Inc. Power limiting time delay circuit
KR100484147B1 (ko) 2002-07-26 2005-04-18 삼성전자주식회사 플래시 메모리 관리 방법
US7051155B2 (en) 2002-08-05 2006-05-23 Sun Microsystems, Inc. Method and system for striping data to accommodate integrity metadata
US6978343B1 (en) 2002-08-05 2005-12-20 Netlogic Microsystems, Inc. Error-correcting content addressable memory
WO2004023385A1 (ja) 2002-08-29 2004-03-18 Renesas Technology Corp. 半導体処理装置及びｉｃカード
US7120856B2 (en) 2002-09-25 2006-10-10 Leanics Corporation LDPC code and encoder/decoder regarding same
JP2004178782A (ja) 2002-10-04 2004-06-24 Sharp Corp 半導体記憶装置およびその制御方法および携帯電子機器
KR100457812B1 (ko) 2002-11-14 2004-11-18 삼성전자주식회사 플래시 메모리, 그에 따른 플래시 메모리 액세스 장치 및방법
US20040199786A1 (en) 2002-12-02 2004-10-07 Walmsley Simon Robert Randomisation of the location of secret information on each of a series of integrated circuits
US20040114265A1 (en) 2002-12-16 2004-06-17 Xerox Corporation User-selectable automatic secure data file erasure of job after job completion
US7155579B1 (en) * 2002-12-27 2006-12-26 Unisys Corporation Memory controller having programmable initialization sequence
US20040153902A1 (en) 2003-01-21 2004-08-05 Nexflash Technologies, Inc. Serial flash integrated circuit having error detection and correction
US7296216B2 (en) 2003-01-23 2007-11-13 Broadcom Corporation Stopping and/or reducing oscillations in low density parity check (LDPC) decoding
US7043505B1 (en) 2003-01-28 2006-05-09 Unisys Corporation Method variation for collecting stability data from proprietary systems
JP4110000B2 (ja) 2003-01-28 2008-07-02 株式会社ルネサステクノロジ 記憶装置
JP2004240555A (ja) 2003-02-04 2004-08-26 Fujitsu Ltd バッテリ運用制御装置、バッテリ運用制御方法およびバッテリ運用制御プログラム
US7478096B2 (en) 2003-02-26 2009-01-13 Burnside Acquisition, Llc History preservation in a computer storage system
US7162678B2 (en) 2003-03-14 2007-01-09 Quantum Corporation Extended error correction codes
KR100543447B1 (ko) 2003-04-03 2006-01-23 삼성전자주식회사 에러정정기능을 가진 플래쉬메모리장치
US7527466B2 (en) 2003-04-03 2009-05-05 Simmons Robert J Building-erection structural member transporter
KR100526186B1 (ko) 2003-04-04 2005-11-03 삼성전자주식회사 플래시 메모리의 오류블록 관리방법 및 장치
WO2004099985A1 (ja) 2003-05-09 2004-11-18 Fujitsu Limited 実行環境の危険予測/回避方法,システム,プログラムおよびその記録媒体
US7380059B2 (en) 2003-05-16 2008-05-27 Pillar Data Systems, Inc. Methods and systems of cache memory management and snapshot operations
US7877647B2 (en) 2003-05-23 2011-01-25 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Correcting a target address in parallel with determining whether the target address was received in error
CA2836758C (en) 2003-05-23 2017-06-27 Roger D. Chamberlain Intelligent data processing system and method using fpga devices
US7685254B2 (en) 2003-06-10 2010-03-23 Pandya Ashish A Runtime adaptable search processor
US7076598B2 (en) 2003-09-09 2006-07-11 Solid State System Co., Ltd. Pipeline accessing method to a large block memory
US7100002B2 (en) 2003-09-16 2006-08-29 Denali Software, Inc. Port independent data transaction interface for multi-port devices
US7054968B2 (en) 2003-09-16 2006-05-30 Denali Software, Inc. Method and apparatus for multi-port memory controller
US7523157B2 (en) 2003-09-25 2009-04-21 International Business Machines Corporation Managing a plurality of processors as devices
US7173852B2 (en) 2003-10-03 2007-02-06 Sandisk Corporation Corrected data storage and handling methods
US7012835B2 (en) 2003-10-03 2006-03-14 Sandisk Corporation Flash memory data correction and scrub techniques
US7881133B2 (en) 2003-11-11 2011-02-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of managing a flash memory and the flash memory
TW200516821A (en) 2003-11-14 2005-05-16 Hon Hai Prec Ind Co Ltd System and method for starting up devices orderly
US7401174B2 (en) 2003-12-16 2008-07-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. File system defragmentation and data processing method and apparatus for an information recording medium
US7376887B2 (en) 2003-12-22 2008-05-20 International Business Machines Corporation Method for fast ECC memory testing by software including ECC check byte
US7197652B2 (en) * 2003-12-22 2007-03-27 International Business Machines Corporation Method and system for energy management in a simultaneous multi-threaded (SMT) processing system including per-thread device usage monitoring
US20050144516A1 (en) 2003-12-30 2005-06-30 Gonzalez Carlos J. Adaptive deterministic grouping of blocks into multi-block units
US7631138B2 (en) 2003-12-30 2009-12-08 Sandisk Corporation Adaptive mode switching of flash memory address mapping based on host usage characteristics
US7383375B2 (en) 2003-12-30 2008-06-03 Sandisk Corporation Data run programming
US20050251617A1 (en) 2004-05-07 2005-11-10 Sinclair Alan W Hybrid non-volatile memory system
US8504798B2 (en) 2003-12-30 2013-08-06 Sandisk Technologies Inc. Management of non-volatile memory systems having large erase blocks
US7631148B2 (en) 2004-01-08 2009-12-08 Netapp, Inc. Adaptive file readahead based on multiple factors
JP4357304B2 (ja) 2004-01-09 2009-11-04 株式会社バッファロー 外部記憶装置
US7328377B1 (en) 2004-01-27 2008-02-05 Altera Corporation Error correction for programmable logic integrated circuits
JP4477365B2 (ja) 2004-01-29 2010-06-09 株式会社日立製作所 複数インタフェースを有する記憶装置、および、その記憶装置の制御方法
US7389465B2 (en) 2004-01-30 2008-06-17 Micron Technology, Inc. Error detection and correction scheme for a memory device
US7350044B2 (en) 2004-01-30 2008-03-25 Micron Technology, Inc. Data move method and apparatus
US20080147964A1 (en) 2004-02-26 2008-06-19 Chow David Q Using various flash memory cells to build usb data flash cards with multiple partitions and autorun function
JP2005266861A (ja) 2004-03-16 2005-09-29 Nec Electronics Corp マイクロコンピュータ及びそのテスト方法
US7035159B2 (en) 2004-04-01 2006-04-25 Micron Technology, Inc. Techniques for storing accurate operating current values
US7020017B2 (en) 2004-04-06 2006-03-28 Sandisk Corporation Variable programming of non-volatile memory
EP1870814B1 (en) 2006-06-19 2014-08-13 Texas Instruments France Method and apparatus for secure demand paging for processor devices
US7490283B2 (en) 2004-05-13 2009-02-10 Sandisk Corporation Pipelined data relocation and improved chip architectures
JP2005332471A (ja) 2004-05-19 2005-12-02 Hitachi Ltd ディスクアレイ装置
US20050273560A1 (en) 2004-06-03 2005-12-08 Hulbert Jared E Method and apparatus to avoid incoherency between a cache memory and flash memory
US7334179B2 (en) 2004-06-04 2008-02-19 Broadcom Corporation Method and system for detecting and correcting errors while accessing memory devices in microprocessor systems
US7159069B2 (en) 2004-06-23 2007-01-02 Atmel Corporation Simultaneous external read operation during internal programming in a flash memory device
US7126873B2 (en) 2004-06-29 2006-10-24 Super Talent Electronics, Inc. Method and system for expanding flash storage device capacity
US7529898B2 (en) 2004-07-09 2009-05-05 International Business Machines Corporation Method for backing up and restoring data
US8190808B2 (en) 2004-08-17 2012-05-29 Rambus Inc. Memory device having staggered memory operations
EP1797645B1 (en) 2004-08-30 2018-08-01 Google LLC Systems and methods for providing nonvolatile memory management in wireless phones
FR2875358B1 (fr) 2004-09-15 2006-12-15 Eads Telecom Soc Par Actions S Insertion d'un flux secondaire d'informations binaires dans un flux principal de symboles d'une modulation numerique
US7038948B2 (en) 2004-09-22 2006-05-02 Spansion Llc Read approach for multi-level virtual ground memory
JP2006099665A (ja) 2004-09-30 2006-04-13 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv データ記憶装置及びそのシリアル・インターフェース部のパワー・セーブ・モードの制御方法
US7760880B2 (en) 2004-10-13 2010-07-20 Viasat, Inc. Decoder architecture system and method
JP4956922B2 (ja) 2004-10-27 2012-06-20 ソニー株式会社 記憶装置
KR100695891B1 (ko) * 2004-11-17 2007-03-19 삼성전자주식회사 동작 모드에 따라 락 아웃을 선택적으로 수행하는 장치 및방법
US7395404B2 (en) 2004-12-16 2008-07-01 Sandisk Corporation Cluster auto-alignment for storing addressable data packets in a non-volatile memory array
US20060136681A1 (en) 2004-12-21 2006-06-22 Sanjeev Jain Method and apparatus to support multiple memory banks with a memory block
EP1829223B1 (en) 2004-12-22 2013-02-13 LG Electronics Inc. Parallel, layered decoding for Low-Density Parity-Check (LDPC) codes
US20060156177A1 (en) 2004-12-29 2006-07-13 Sailesh Kottapalli Method and apparatus for recovering from soft errors in register files
US7212440B2 (en) 2004-12-30 2007-05-01 Sandisk Corporation On-chip data grouping and alignment
US7437537B2 (en) 2005-02-17 2008-10-14 Qualcomm Incorporated Methods and apparatus for predicting unaligned memory access
US7657696B2 (en) 2005-02-25 2010-02-02 Lsi Corporation Method to detect NAND-flash parameters by hardware automatically
US7822912B2 (en) 2005-03-14 2010-10-26 Phision Electronics Corp. Flash storage chip and flash array storage system
JP2006277395A (ja) 2005-03-29 2006-10-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 情報処理装置及び情報処理方法
US7707232B2 (en) 2005-05-13 2010-04-27 Microsoft Corporation Implementation for collecting unmanaged memory
US7765454B2 (en) 2005-05-24 2010-07-27 Sgi International, Inc. Fault tolerant memory system
US7283395B2 (en) 2005-06-24 2007-10-16 Infineon Technologies Flash Gmbh & Co. Kg Memory device and method for operating the memory device
US8171367B2 (en) 2005-06-27 2012-05-01 Thomson Licensing Stopping criteria in iterative decoders
US7984084B2 (en) 2005-08-03 2011-07-19 SanDisk Technologies, Inc. Non-volatile memory with scheduled reclaim operations
US7669003B2 (en) 2005-08-03 2010-02-23 Sandisk Corporation Reprogrammable non-volatile memory systems with indexing of directly stored data files
US20070061597A1 (en) 2005-09-14 2007-03-15 Micky Holtzman Secure yet flexible system architecture for secure devices with flash mass storage memory
KR100705220B1 (ko) 2005-09-15 2007-04-06 주식회사 하이닉스반도체 프로그램 속도를 증가시키기 위한 플래시 메모리 장치의소거 및 프로그램 방법
CN101317159A (zh) 2005-09-27 2008-12-03 Nxp股份有限公司 检错纠错电路及相应方法
US7652922B2 (en) 2005-09-30 2010-01-26 Mosaid Technologies Incorporated Multiple independent serial link memory
KR100715147B1 (ko) 2005-10-06 2007-05-10 삼성전자주식회사 전류소모를 감소시키는 내부전원전압 발생회로를 가지는멀티칩 반도체 메모리 장치
US20070083697A1 (en) 2005-10-07 2007-04-12 Microsoft Corporation Flash memory management
US8223553B2 (en) 2005-10-12 2012-07-17 Macronix International Co., Ltd. Systems and methods for programming a memory device
US7743363B2 (en) 2005-10-13 2010-06-22 Microsoft Corporation Extensible meta-data
US7954037B2 (en) 2005-10-25 2011-05-31 Sandisk Il Ltd Method for recovering from errors in flash memory
US8006161B2 (en) 2005-10-26 2011-08-23 Samsung Electronics Co., Ltd Apparatus and method for receiving signal in a communication system using a low density parity check code
US7631162B2 (en) 2005-10-27 2009-12-08 Sandisck Corporation Non-volatile memory with adaptive handling of data writes
KR100966043B1 (ko) 2005-10-31 2010-06-25 삼성전자주식회사 저밀도 패리티 검사 부호를 사용하는 통신 시스템에서 신호 송수신 장치 및 방법
US7606812B2 (en) 2005-11-04 2009-10-20 Sun Microsystems, Inc. Dynamic intent log
US7500062B2 (en) 2005-11-17 2009-03-03 International Business Machines Corporation Fast path memory read request processing in a multi-level memory architecture
WO2007058617A1 (en) 2005-11-17 2007-05-24 Chee Keng Chang A controller for non-volatile memories, and methods of operating the memory controller
US8813052B2 (en) 2005-12-07 2014-08-19 Microsoft Corporation Cache metadata for implementing bounded transactional memory
US7562283B2 (en) 2005-12-27 2009-07-14 D.S.P. Group Ltd. Systems and methods for error correction using binary coded hexidecimal or hamming decoding
US7546515B2 (en) 2005-12-27 2009-06-09 Sandisk Corporation Method of storing downloadable firmware on bulk media
US7349264B2 (en) 2005-12-28 2008-03-25 Sandisk Corporation Alternate sensing techniques for non-volatile memories
US7716180B2 (en) 2005-12-29 2010-05-11 Amazon Technologies, Inc. Distributed storage system with web services client interface
US7742339B2 (en) 2006-01-10 2010-06-22 Saifun Semiconductors Ltd. Rd algorithm improvement for NROM technology
US8020060B2 (en) 2006-01-18 2011-09-13 Sandisk Il Ltd Method of arranging data in a multi-level cell memory device
KR100725410B1 (ko) 2006-01-20 2007-06-07 삼성전자주식회사 전원 상태에 따라 비휘발성 메모리의 블록 회수를 수행하는장치 및 그 방법
US20070234143A1 (en) 2006-01-25 2007-10-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor memory devices and methods of testing for failed bits of semiconductor memory devices
JP4859471B2 (ja) 2006-02-02 2012-01-25 株式会社日立製作所 ストレージシステム及びストレージコントローラ
US7546478B2 (en) 2006-02-10 2009-06-09 International Business Machines Corporation Apparatus and method to provide power to a plurality of data storage devices disposed in a data storage system
US7870326B2 (en) 2006-07-28 2011-01-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Multiprocessor system and method thereof
JP4863749B2 (ja) 2006-03-29 2012-01-25 株式会社日立製作所 フラッシュメモリを用いた記憶装置、その消去回数平準化方法、及び消去回数平準化プログラム
US7681106B2 (en) 2006-03-29 2010-03-16 Freescale Semiconductor, Inc. Error correction device and methods thereof
US20070245061A1 (en) 2006-04-13 2007-10-18 Intel Corporation Multiplexing a parallel bus interface and a flash memory interface
US7685494B1 (en) 2006-05-08 2010-03-23 Marvell International, Ltd. Error correction coding for varying signal-to-noise ratio channels
US8000134B2 (en) 2006-05-15 2011-08-16 Apple Inc. Off-die charge pump that supplies multiple flash devices
US7707481B2 (en) 2006-05-16 2010-04-27 Pitney Bowes Inc. System and method for efficient uncorrectable error detection in flash memory
US20070300130A1 (en) 2006-05-17 2007-12-27 Sandisk Corporation Method of Error Correction Coding for Multiple-Sector Pages in Flash Memory Devices
US7701764B2 (en) 2006-05-17 2010-04-20 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for reduced peak power consumption during common operation of multi-NAND flash memory devices
US7606084B2 (en) 2006-06-19 2009-10-20 Sandisk Corporation Programming differently sized margins and sensing with compensations at select states for improved read operations in non-volatile memory
JP4842719B2 (ja) 2006-06-28 2011-12-21 株式会社日立製作所 ストレージシステム及びそのデータ保護方法
WO2008003094A2 (en) 2006-06-29 2008-01-03 Digital Fountain, Inc. Efficient representation of symbol-based transformations with application to encoding and decoding of forward error correction codes
US7774684B2 (en) 2006-06-30 2010-08-10 Intel Corporation Reliability, availability, and serviceability in a memory device
US7403438B2 (en) 2006-07-12 2008-07-22 Infineon Technologies Flash Gmbh & Co. Kg Memory array architecture and method for high-speed distribution measurements
JP2008047273A (ja) 2006-07-20 2008-02-28 Toshiba Corp 半導体記憶装置およびその制御方法
US7831895B2 (en) 2006-07-25 2010-11-09 Communications Coding Corporation Universal error control coding system for digital communication and data storage systems
TW200813724A (en) 2006-07-28 2008-03-16 Samsung Electronics Co Ltd Multipath accessible semiconductor memory device with host interface between processors
US20080052446A1 (en) 2006-08-28 2008-02-28 Sandisk Il Ltd. Logical super block mapping for NAND flash memory
US7450425B2 (en) 2006-08-30 2008-11-11 Micron Technology, Inc. Non-volatile memory cell read failure reduction
JP2008059315A (ja) 2006-08-31 2008-03-13 Hitachi Ltd 負荷分散方法及び計算機システム
US7566987B2 (en) 2006-09-14 2009-07-28 Lutron Electronics Co., Inc. Method of powering up a plurality of loads in sequence
KR100843133B1 (ko) 2006-09-20 2008-07-02 삼성전자주식회사 플래시 메모리에서 매핑 정보 재구성을 위한 장치 및 방법
TW200816651A (en) 2006-09-25 2008-04-01 Sunplus Technology Co Ltd Decoding method and system of real-time wireless channel estimation
US7886204B2 (en) 2006-09-27 2011-02-08 Sandisk Corporation Methods of cell population distribution assisted read margining
US8171380B2 (en) 2006-10-10 2012-05-01 Marvell World Trade Ltd. Adaptive systems and methods for storing and retrieving data to and from memory cells
CN100596029C (zh) 2006-10-20 2010-03-24 北京泰美世纪科技有限公司 Ldpc码校验矩阵构造方法及利用该方法的编码解码装置
JP2008117195A (ja) 2006-11-06 2008-05-22 Hitachi Ltd 半導体記憶装置
TWI307100B (en) 2006-11-07 2009-03-01 Macronix Int Co Ltd Memory and method for reading error checking thereof
US7508703B2 (en) 2006-11-13 2009-03-24 Sandisk Corporation Non-volatile memory with boost structures
US8074011B2 (en) 2006-12-06 2011-12-06 Fusion-Io, Inc. Apparatus, system, and method for storage space recovery after reaching a read count limit
CN101715575A (zh) 2006-12-06 2010-05-26 弗森多系统公司（dba弗森-艾奥） 采用数据管道管理数据的装置、系统和方法
KR100808664B1 (ko) 2006-12-08 2008-03-07 한국전자통신연구원 패리티 검사행렬 저장 방법 및 이를 이용한 블록 저밀도패리티 검사 부호화 방법 및 장치
KR100881669B1 (ko) 2006-12-18 2009-02-06 삼성전자주식회사 비휘발성 데이터 저장장치의 정적 데이터 영역 검출 방법,마모도 평준화 방법 및 데이터 유닛 병합 방법과 그 장치
US7620781B2 (en) 2006-12-19 2009-11-17 Intel Corporation Efficient Bloom filter
KR100842680B1 (ko) 2007-01-08 2008-07-01 삼성전자주식회사 플래시 메모리 장치의 오류 정정 컨트롤러 및 그것을포함하는 메모리 시스템
US7603490B2 (en) 2007-01-10 2009-10-13 International Business Machines Corporation Barrier and interrupt mechanism for high latency and out of order DMA device
KR100855587B1 (ko) 2007-01-17 2008-09-01 삼성전자주식회사 메일박스 영역을 가지는 멀티 패스 액세스블 반도체 메모리장치 및 그에 따른 메일박스 액세스 제어방법
US7707461B2 (en) 2007-01-31 2010-04-27 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Digital media drive failure prediction system and method
US7596643B2 (en) 2007-02-07 2009-09-29 Siliconsystems, Inc. Storage subsystem with configurable buffer
US7913022B1 (en) 2007-02-14 2011-03-22 Xilinx, Inc. Port interface modules (PIMs) in a multi-port memory controller (MPMC)
WO2008111058A2 (en) 2007-03-12 2008-09-18 Anobit Technologies Ltd. Adaptive estimation of memory cell read thresholds
KR100918707B1 (ko) 2007-03-12 2009-09-23 삼성전자주식회사 플래시 메모리를 기반으로 한 메모리 시스템
JP4897524B2 (ja) 2007-03-15 2012-03-14 株式会社日立製作所 ストレージシステム及びストレージシステムのライト性能低下防止方法
KR100907218B1 (ko) 2007-03-28 2009-07-10 삼성전자주식회사 읽기 레벨 제어 장치 및 그 방법
WO2008121553A1 (en) 2007-03-29 2008-10-09 Sandisk Corporation Non-volatile storage with decoding of data using reliability metrics based on multiple reads
WO2008121577A1 (en) 2007-03-31 2008-10-09 Sandisk Corporation Soft bit data transmission for error correction control in non-volatile memory
US8032724B1 (en) 2007-04-04 2011-10-04 Marvell International Ltd. Demand-driven opportunistic garbage collection in memory components
US7996642B1 (en) 2007-04-25 2011-08-09 Marvell International Ltd. Digital locked loop on channel tagged memory requests for memory optimization
EP1988474A1 (en) 2007-05-04 2008-11-05 Axalto SA System and method of managing indexation of flash memory
US8151171B2 (en) 2007-05-07 2012-04-03 Broadcom Corporation Operational parameter adaptable LDPC (low density parity check) decoder
US8073648B2 (en) 2007-05-14 2011-12-06 Sandisk Il Ltd. Measuring threshold voltage distribution in memory using an aggregate characteristic
US7930547B2 (en) 2007-06-15 2011-04-19 Alcatel-Lucent Usa Inc. High accuracy bloom filter using partitioned hashing
KR100891005B1 (ko) 2007-06-28 2009-03-31 삼성전자주식회사 고온 스트레스로 인한 읽기 마진의 감소를 보상하기 위한플래시 메모리 장치 및 그것의 읽기 전압 조정 방법
US7778070B2 (en) 2007-06-29 2010-08-17 Qimonda Ag Memory with dynamic redundancy configuration
JP2009020986A (ja) 2007-07-15 2009-01-29 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv ディスク・ドライブ装置及びディスク・ドライブ装置において不揮発性半導体メモリ領域上のデータを管理するテーブルを保存する方法
US8024525B2 (en) 2007-07-25 2011-09-20 Digi-Data Corporation Storage control unit with memory cache protection via recorded log
US8724789B2 (en) 2007-08-06 2014-05-13 Yellow Pages Systems and methods to connect people for real time communications via directory assistance
JP4564520B2 (ja) 2007-08-31 2010-10-20 株式会社東芝 半導体記憶装置およびその制御方法
US8095851B2 (en) 2007-09-06 2012-01-10 Siliconsystems, Inc. Storage subsystem capable of adjusting ECC settings based on monitored conditions
JP4404125B2 (ja) 2007-09-12 2010-01-27 株式会社デンソー 電子制御装置及び信号監視回路
EP2210257B1 (en) 2007-10-31 2016-04-20 Avago Technologies General IP (Singapore) Pte. Ltd. Systematic error correction for multi-level flash memory
US7894264B2 (en) 2007-11-07 2011-02-22 Micron Technology, Inc. Controlling a memory device responsive to degradation
US7945825B2 (en) 2007-11-25 2011-05-17 Spansion Isreal, Ltd Recovery while programming non-volatile memory (NVM)
US8429492B2 (en) 2007-11-30 2013-04-23 Marvell World Trade Ltd. Error correcting code predication system and method
WO2009072100A2 (en) 2007-12-05 2009-06-11 Densbits Technologies Ltd. Systems and methods for temporarily retiring memory portions
US8185903B2 (en) 2007-12-13 2012-05-22 International Business Machines Corporation Managing system resources
US7934052B2 (en) 2007-12-27 2011-04-26 Pliant Technology, Inc. System and method for performing host initiated mass storage commands using a hierarchy of data structures
KR101077339B1 (ko) 2007-12-28 2011-10-26 가부시끼가이샤 도시바 반도체 기억 장치
US20090172335A1 (en) 2007-12-31 2009-07-02 Anand Krishnamurthi Kulkarni Flash devices with raid
US8159874B2 (en) 2008-01-22 2012-04-17 Micron Technology, Inc. Cell operation monitoring
US8271515B2 (en) 2008-01-29 2012-09-18 Cadence Design Systems, Inc. System and method for providing copyback data integrity in a non-volatile memory system
JP4617405B2 (ja) 2008-02-05 2011-01-26 富士通株式会社 不良メモリを検出する電子機器、不良メモリ検出方法およびそのためのプログラム
US20090204823A1 (en) 2008-02-07 2009-08-13 Analog Devices, Inc. Method and apparatus for controlling system access during protected modes of operation
JP4672743B2 (ja) 2008-03-01 2011-04-20 株式会社東芝 誤り訂正装置および誤り訂正方法
JP2009211233A (ja) 2008-03-01 2009-09-17 Toshiba Corp メモリシステム
US8230300B2 (en) 2008-03-07 2012-07-24 Apple Inc. Efficient readout from analog memory cells using data compression
KR20090097673A (ko) 2008-03-12 2009-09-16 삼성전자주식회사 연판정 값에 기반하여 메모리에 저장된 데이터를 검출하는장치
JP2009266349A (ja) 2008-04-28 2009-11-12 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置
US8185706B2 (en) 2008-04-30 2012-05-22 Apple Inc. Copyback optimization for memory system
KR101518199B1 (ko) 2008-05-23 2015-05-06 삼성전자주식회사 오류 정정 장치, 그 방법 및 상기 장치를 포함하는 메모리장치
KR101412974B1 (ko) 2008-05-28 2014-06-30 삼성전자주식회사 메모리 장치 및 메모리 프로그래밍 방법
KR101412690B1 (ko) 2008-05-28 2014-06-27 삼성전자주식회사 메모리 장치 및 메모리 프로그래밍 방법
JP5072723B2 (ja) 2008-06-11 2012-11-14 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置
US8959280B2 (en) 2008-06-18 2015-02-17 Super Talent Technology, Corp. Super-endurance solid-state drive with endurance translation layer (ETL) and diversion of temp files for reduced flash wear
US8627169B2 (en) 2008-06-20 2014-01-07 Cadence Design Systems, Inc. Method and apparatus for dynamically configurable multi level error correction
KR101413137B1 (ko) 2008-07-04 2014-07-01 삼성전자주식회사 메모리 장치 및 메모리 프로그래밍 방법
US8037380B2 (en) 2008-07-08 2011-10-11 International Business Machines Corporation Verifying data integrity of a non-volatile memory system during data caching process
KR101436506B1 (ko) 2008-07-23 2014-09-02 삼성전자주식회사 메모리 장치 및 메모리 데이터 프로그래밍 방법
JP2010055692A (ja) 2008-08-28 2010-03-11 Toshiba Corp 読み出し回路及び読み出し方法
US8130552B2 (en) 2008-09-11 2012-03-06 Sandisk Technologies Inc. Multi-pass programming for memory with reduced data storage requirement
US8429514B1 (en) 2008-09-24 2013-04-23 Network Appliance, Inc. Dynamic load balancing of distributed parity in a RAID array
KR101484556B1 (ko) 2008-10-28 2015-01-20 삼성전자주식회사 독출 보상 회로
US8023334B2 (en) 2008-10-31 2011-09-20 Micron Technology, Inc. Program window adjust for memory cell signal line delay
US8214599B2 (en) 2008-11-04 2012-07-03 Gridiron Systems, Inc. Storage device prefetch system using directed graph clusters
US9063874B2 (en) 2008-11-10 2015-06-23 SanDisk Technologies, Inc. Apparatus, system, and method for wear management
KR101516577B1 (ko) 2008-11-10 2015-05-06 삼성전자주식회사 비휘발성 반도체 메모리 장치, 그를 포함하는 메모리 카드와 메모리 시스템 및 그의 리드 전압 추정 방법
KR20100058166A (ko) 2008-11-24 2010-06-03 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 그것을 포함하는 메모리 시스템
KR101555022B1 (ko) 2008-12-02 2015-09-23 삼성전자주식회사 메모리 장치, 그것을 포함한 메모리 시스템 및 그것의 맵핑정보 복원 방법
US8209466B2 (en) 2008-12-16 2012-06-26 Intel Corporation Methods and systems to allocate addresses in a high-endurance/low-endurance hybrid flash memory
US9128699B2 (en) 2008-12-22 2015-09-08 Intel Corporation Method and system for queuing transfers of multiple non-contiguous address ranges with a single command
KR101535225B1 (ko) 2009-01-06 2015-07-09 삼성전자주식회사 디코딩 방법 및 그 방법을 이용하는 메모리 시스템 장치
CN101799783A (zh) 2009-01-19 2010-08-11 中国人民大学 一种数据存储处理方法、查找方法及其装置
KR100996009B1 (ko) 2009-02-02 2010-11-22 주식회사 하이닉스반도체 불휘발성 메모리 소자 및 그 동작 방법
US8645749B2 (en) 2009-02-04 2014-02-04 Micron Technology, Inc. Systems and methods for storing and recovering controller data in non-volatile memory devices
KR20100090439A (ko) 2009-02-06 2010-08-16 주식회사 하이닉스반도체 불휘발성 메모리 장치의 독출 방법 및 이를 구현하는 불휘발성 메모리 장치
US7830732B2 (en) 2009-02-11 2010-11-09 Stec, Inc. Staged-backup flash backed dram module
KR20100093885A (ko) 2009-02-17 2010-08-26 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치, 그것의 동작 방법, 그리고 그것을 포함하는 메모리 시스템
US8259506B1 (en) 2009-03-25 2012-09-04 Apple Inc. Database of memory read thresholds
US8230239B2 (en) 2009-04-02 2012-07-24 Qualcomm Incorporated Multiple power mode system and method for memory
US8042011B2 (en) 2009-04-28 2011-10-18 Synopsys, Inc. Runtime programmable BIST for testing a multi-port memory device
KR101575248B1 (ko) 2009-04-30 2015-12-07 삼성전자주식회사 메모리 컨트롤러 및 그것을 포함하는 메모리 시스템
US20100281207A1 (en) 2009-04-30 2010-11-04 Miller Steven C Flash-based data archive storage system
US8166258B2 (en) 2009-07-24 2012-04-24 Lsi Corporation Skip operations for solid state disks
US8161244B2 (en) 2009-05-13 2012-04-17 Microsoft Corporation Multiple cache directories
US8463820B2 (en) 2009-05-26 2013-06-11 Intel Corporation System and method for memory bandwidth friendly sorting on multi-core architectures
US8180763B2 (en) 2009-05-29 2012-05-15 Microsoft Corporation Cache-friendly B-tree accelerator
US8885434B2 (en) 2009-06-17 2014-11-11 Stmicroelectronics International N.V. Retention of data during stand-by mode
US8479032B2 (en) 2009-06-26 2013-07-02 Seagate Technology Llc Systems, methods and devices for regulation or isolation of backup power in memory devices
US8627117B2 (en) 2009-06-26 2014-01-07 Seagate Technology Llc Device with power control feature involving backup power reservoir circuit
US8412985B1 (en) 2009-06-30 2013-04-02 Micron Technology, Inc. Hardwired remapped memory
US8880835B2 (en) 2009-07-07 2014-11-04 International Business Machines Corporation Adjusting location of tiered storage residence based on usage patterns
US8516219B2 (en) 2009-07-24 2013-08-20 Apple Inc. Index cache tree
US7941696B2 (en) 2009-08-11 2011-05-10 Texas Memory Systems, Inc. Flash-based memory system with static or variable length page stripes including data protection information and auxiliary protection stripes
US7818525B1 (en) 2009-08-12 2010-10-19 Texas Memory Systems, Inc. Efficient reduction of read disturb errors in NAND FLASH memory
EP2467852B1 (en) 2009-08-20 2019-05-22 Rambus Inc. Atomic memory device
US8464106B2 (en) 2009-08-24 2013-06-11 Ocz Technology Group, Inc. Computer system with backup function and method therefor
CN102473460B (zh) 2009-08-25 2016-10-12 桑迪士克以色列有限公司 将数据恢复到闪存器件中
US8077515B2 (en) 2009-08-25 2011-12-13 Micron Technology, Inc. Methods, devices, and systems for dealing with threshold voltage change in memory devices
US8386731B2 (en) 2009-09-14 2013-02-26 Vmware, Inc. Method and system for optimizing live migration of persistent data of virtual machine using disk I/O heuristics
KR101644125B1 (ko) 2009-09-22 2016-07-29 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리를 이용한 로깅 최적화 장치 및 방법
CN102640227B (zh) 2009-09-23 2016-06-01 纳姆迪兰斯有限公司 一种快闪存储器件及控制方法
US8479061B2 (en) 2009-09-24 2013-07-02 AGIGA Tech Solid state memory cartridge with wear indication
US8171257B2 (en) 2009-09-25 2012-05-01 International Business Machines Corporation Determining an end of valid log in a log of write records using a next pointer and a far ahead pointer
WO2011036727A1 (ja) 2009-09-25 2011-03-31 富士通株式会社 メモリシステム及びメモリシステムの制御方法
US8266501B2 (en) 2009-09-29 2012-09-11 Micron Technology, Inc. Stripe based memory operation
JP5197544B2 (ja) 2009-10-05 2013-05-15 株式会社東芝 メモリシステム
US8312349B2 (en) 2009-10-27 2012-11-13 Micron Technology, Inc. Error detection/correction based memory management
US8423866B2 (en) 2009-10-28 2013-04-16 SanDisk Technologies, Inc. Non-volatile memory and method with post-write read and adaptive re-write to manage errors
CN101699406B (zh) 2009-11-12 2011-12-14 威盛电子股份有限公司 数据储存系统与方法
US8335123B2 (en) 2009-11-20 2012-12-18 Sandisk Technologies Inc. Power management of memory systems
US8130553B2 (en) 2009-12-02 2012-03-06 Seagate Technology Llc Systems and methods for low wear operation of solid state memory
FR2953666B1 (fr) 2009-12-09 2012-07-13 Commissariat Energie Atomique Procede de codage ldpc a redondance incrementale
US8250380B2 (en) 2009-12-17 2012-08-21 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Implementing secure erase for solid state drives
TWI399645B (zh) 2010-01-15 2013-06-21 Silicon Motion Inc 管理記憶體讀出資料之方法以及記憶裝置
US8661184B2 (en) 2010-01-27 2014-02-25 Fusion-Io, Inc. Managing non-volatile media
US8380915B2 (en) 2010-01-27 2013-02-19 Fusion-Io, Inc. Apparatus, system, and method for managing solid-state storage media
JP5788183B2 (ja) 2010-02-17 2015-09-30 三星電子株式会社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 不揮発性メモリ装置、それの動作方法、そしてそれを含むメモリシステム
US8213255B2 (en) 2010-02-19 2012-07-03 Sandisk Technologies Inc. Non-volatile storage with temperature compensation based on neighbor state information
US8355280B2 (en) 2010-03-09 2013-01-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Data storage system having multi-bit memory device and operating method thereof
US8458417B2 (en) 2010-03-10 2013-06-04 Seagate Technology Llc Garbage collection in a storage device
US8365041B2 (en) 2010-03-17 2013-01-29 Sandisk Enterprise Ip Llc MLC self-raid flash data protection scheme
US8164967B2 (en) 2010-03-24 2012-04-24 Apple Inc. Systems and methods for refreshing non-volatile memory
US9183134B2 (en) 2010-04-22 2015-11-10 Seagate Technology Llc Data segregation in a storage device
JP2011233114A (ja) 2010-04-30 2011-11-17 Toshiba Corp メモリシステム
EP2386958A1 (en) 2010-05-13 2011-11-16 Assa Abloy AB Method for incremental anti-tear garbage collection
US20110283119A1 (en) 2010-05-13 2011-11-17 GCCA Inc. System and Method for Providing Energy Efficient Cloud Computing
WO2011151750A2 (en) 2010-06-01 2011-12-08 Koninklijke Philips Electronics N.V. System and method for sequential application of power to electrical loads
EP2577470A4 (en) 2010-06-04 2013-12-25 Sandisk Entpr Ip Llc CACHE ADMINISTRATION AND ACCELERATION IN STORAGE MEDIA
WO2012001917A1 (ja) 2010-06-29 2012-01-05 パナソニック株式会社 不揮発性記憶システム、メモリシステム用の電源回路、フラッシュメモリ、フラッシュメモリコントローラ、および不揮発性半導体記憶装置
US20120011393A1 (en) 2010-07-06 2012-01-12 Roberts Richard B Bios recovery
US8531888B2 (en) 2010-07-07 2013-09-10 Marvell World Trade Ltd. Determining optimal reference voltages for progressive reads in flash memory systems
US8737141B2 (en) 2010-07-07 2014-05-27 Stec, Inc. Apparatus and method for determining an operating condition of a memory cell based on cycle information
US8737136B2 (en) 2010-07-09 2014-05-27 Stec, Inc. Apparatus and method for determining a read level of a memory cell based on cycle information
KR101131560B1 (ko) 2010-07-15 2012-04-04 주식회사 하이닉스반도체 웨어 레벨링을 수행하는 비휘발성 메모리 장치 및 그의 제어 방법
US8503238B1 (en) 2010-07-21 2013-08-06 Sk Hynix Memory Solutions Inc. Error recovery for flash memory
US20120023144A1 (en) 2010-07-21 2012-01-26 Seagate Technology Llc Managing Wear in Flash Memory
KR20120011642A (ko) 2010-07-29 2012-02-08 삼성전자주식회사 기준 셀을 포함하는 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 기준 전류 설정 방법
US8832384B1 (en) 2010-07-29 2014-09-09 Violin Memory, Inc. Reassembling abstracted memory accesses for prefetching
US8694854B1 (en) 2010-08-17 2014-04-08 Apple Inc. Read threshold setting based on soft readout statistics
US8510499B1 (en) 2010-08-30 2013-08-13 Symantec Corporation Solid state drive caching using memory structures to determine a storage space replacement candidate
CN102385902A (zh) 2010-09-01 2012-03-21 建兴电子科技股份有限公司 固态储存装置及其数据控制方法
JP2012058860A (ja) 2010-09-06 2012-03-22 Toshiba Corp メモリシステム
US8417878B2 (en) 2010-09-20 2013-04-09 Seagate Technology Llc Selection of units for garbage collection in flash memory
WO2012051600A2 (en) 2010-10-15 2012-04-19 Kyquang Son File system-aware solid-state storage management system
US20120275466A1 (en) 2010-10-21 2012-11-01 Texas Instruments Incorporated System and method for classifying packets
CN103329103B (zh) 2010-10-27 2017-04-05 希捷科技有限公司 使用用于基于闪存的数据存储的自适应ecc技术的方法和设备
US9063878B2 (en) 2010-11-03 2015-06-23 Densbits Technologies Ltd. Method, system and computer readable medium for copy back
US8806106B2 (en) 2010-11-12 2014-08-12 Seagate Technology Llc Estimating wear of non-volatile, solid state memory
US8484433B2 (en) 2010-11-19 2013-07-09 Netapp, Inc. Dynamic detection and reduction of unaligned I/O operations
KR101774496B1 (ko) 2010-12-08 2017-09-05 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치, 이를 포함하는 장치들, 및 이의 동작 방법
KR20120064462A (ko) 2010-12-09 2012-06-19 삼성전자주식회사 메모리 컨트롤러, 이의 오류정정 방법, 및 이를 포함하는 메모리 시스템
US8615681B2 (en) 2010-12-14 2013-12-24 Western Digital Technologies, Inc. System and method for maintaining a data redundancy scheme in a solid state memory in the event of a power loss
US9038066B2 (en) 2010-12-22 2015-05-19 Vmware, Inc. In-place snapshots of a virtual disk configured with sparse extent
TWI446345B (zh) 2010-12-31 2014-07-21 Silicon Motion Inc 用來進行區塊管理之方法以及記憶裝置及控制器
JP2012151676A (ja) 2011-01-19 2012-08-09 Jvc Kenwood Corp 復号装置および復号方法
US8364888B2 (en) 2011-02-03 2013-01-29 Stec, Inc. Erase-suspend system and method
US8489653B2 (en) 2011-02-08 2013-07-16 International Business Machines Corporation Incremental class unloading in a region-based garbage collector
WO2012109679A2 (en) 2011-02-11 2012-08-16 Fusion-Io, Inc. Apparatus, system, and method for application direct virtual memory management
US8966319B2 (en) 2011-02-22 2015-02-24 Apple Inc. Obtaining debug information from a flash memory device
JP2012181761A (ja) 2011-03-02 2012-09-20 Toshiba Corp 半導体メモリ装置および復号方法
US8909894B1 (en) 2011-03-16 2014-12-09 Tintri Inc. Automatically aligning virtual blocks to physical blocks
US8601036B2 (en) 2011-03-23 2013-12-03 International Business Machines Corporation Handling persistent/long-lived objects to reduce garbage collection pause times
US9047955B2 (en) 2011-03-30 2015-06-02 Stec, Inc. Adjusting operating parameters for memory cells based on wordline address and cycle information
US8874515B2 (en) 2011-04-11 2014-10-28 Sandisk Enterprise Ip Llc Low level object version tracking using non-volatile memory write generations
US8909888B2 (en) 2011-04-29 2014-12-09 Seagate Technology Llc Secure erasure of data from a non-volatile memory
US8713380B2 (en) 2011-05-03 2014-04-29 SanDisk Technologies, Inc. Non-volatile memory and method having efficient on-chip block-copying with controlled error rate
US8745318B2 (en) 2011-06-28 2014-06-03 Seagate Technology Llc Parameter tracking for memory devices
US8898373B1 (en) 2011-06-29 2014-11-25 Western Digital Technologies, Inc. System and method for improving wear-leveling performance in solid-state memory
US9378138B2 (en) 2011-06-29 2016-06-28 International Business Machines Corporation Conservative garbage collection and access protection
US8645773B2 (en) 2011-06-30 2014-02-04 Seagate Technology Llc Estimating temporal degradation of non-volatile solid-state memory
US9898402B2 (en) 2011-07-01 2018-02-20 Micron Technology, Inc. Unaligned data coalescing
US20130024735A1 (en) 2011-07-19 2013-01-24 Ocz Technology Group Inc. Solid-state memory-based storage method and device with low error rate
US8566667B2 (en) 2011-07-29 2013-10-22 Stec, Inc. Low density parity check code decoding system and method
US8692561B2 (en) 2011-08-11 2014-04-08 International Business Machines Corporation Implementing chip to chip calibration within a TSV stack
US20130047045A1 (en) 2011-08-19 2013-02-21 Stec, Inc. Error indicator from ecc decoder
US8934311B2 (en) 2011-09-06 2015-01-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor memory device capable of screening a weak bit and repairing the same
US9047210B2 (en) 2011-09-15 2015-06-02 Sandisk Technologies Inc. Data storage device and method to correct bit values using multiple read voltages
US8924631B2 (en) 2011-09-15 2014-12-30 Sandisk Technologies Inc. Method and system for random write unalignment handling
KR20130031046A (ko) 2011-09-20 2013-03-28 삼성전자주식회사 플래시 메모리 장치 및 플래시 메모리 장치의 데이터 관리 방법
US8553468B2 (en) 2011-09-21 2013-10-08 Densbits Technologies Ltd. System and method for managing erase operations in a non-volatile memory
US9378133B2 (en) 2011-09-30 2016-06-28 Intel Corporation Autonomous initialization of non-volatile random access memory in a computer system
US8516019B2 (en) 2011-10-03 2013-08-20 Oracle America, Inc. Time-based object aging for generational garbage collectors
US8825721B2 (en) 2011-10-03 2014-09-02 Oracle International Corporation Time-based object aging for generational garbage collectors
US8949517B2 (en) 2011-10-05 2015-02-03 Lsi Corporation Self-journaling and hierarchical consistency for non-volatile storage
US8711619B2 (en) 2011-10-18 2014-04-29 Seagate Technology Llc Categorizing bit errors of solid-state, non-volatile memory
JP5744244B2 (ja) 2011-10-19 2015-07-08 株式会社日立製作所 ストレージシステム
US10359949B2 (en) 2011-10-31 2019-07-23 Apple Inc. Systems and methods for obtaining and using nonvolatile memory health information
US8683297B2 (en) 2011-11-02 2014-03-25 Sandisk Technologies Inc. Systems and methods of generating a replacement default read threshold
US20140359381A1 (en) 2011-11-02 2014-12-04 The University Of Tokyo Memory controller and data storage device
US9053809B2 (en) 2011-11-09 2015-06-09 Apple Inc. Data protection from write failures in nonvolatile memory
US8456919B1 (en) 2011-11-10 2013-06-04 Sandisk Technologies Inc. Method and apparatus to provide data including hard bit data and soft bit data to a rank modulation decoder
US9081663B2 (en) 2011-11-18 2015-07-14 Stec, Inc. Optimized garbage collection algorithm to improve solid state drive reliability
US8687421B2 (en) 2011-11-21 2014-04-01 Sandisk Technologies Inc. Scrub techniques for use with dynamic read
US9274945B2 (en) 2011-12-15 2016-03-01 International Business Machines Corporation Processing unit reclaiming requests in a solid state memory device
US8830746B2 (en) 2011-12-28 2014-09-09 Apple Inc. Optimized threshold search in analog memory cells using separator pages of the same type as read pages
JP2013142947A (ja) 2012-01-10 2013-07-22 Sony Corp 記憶制御装置、記憶装置および記憶制御装置の制御方法
US9767032B2 (en) 2012-01-12 2017-09-19 Sandisk Technologies Llc Systems and methods for cache endurance
WO2013112332A1 (en) 2012-01-24 2013-08-01 Apple Inc. Enhanced programming and erasure schemes for analog memory cells
US9251086B2 (en) 2012-01-24 2016-02-02 SanDisk Technologies, Inc. Apparatus, system, and method for managing a cache
US8964482B2 (en) 2012-01-30 2015-02-24 Freescale Semiconductor, Inc. Dynamic healing of non-volatile memory cells
US9208871B2 (en) 2012-01-30 2015-12-08 HGST Netherlands B.V. Implementing enhanced data read for multi-level cell (MLC) memory using threshold voltage-drift or resistance drift tolerant moving baseline memory data encoding
US9679664B2 (en) 2012-02-11 2017-06-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Method and system for providing a smart memory architecture
US8832050B2 (en) 2012-03-09 2014-09-09 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Validation of distributed balanced trees
US8897085B2 (en) 2012-03-19 2014-11-25 Sandisk Technologies Inc. Immunity against temporary and short power drops in non-volatile memory: pausing techniques
JP5853899B2 (ja) 2012-03-23 2016-02-09 ソニー株式会社 記憶制御装置、記憶装置、情報処理システム、および、それらにおける処理方法
US20130290611A1 (en) 2012-03-23 2013-10-31 Violin Memory Inc. Power management in a flash memory
US9311501B2 (en) 2012-03-26 2016-04-12 International Business Machines Corporation Using different secure erase algorithms to erase chunks from a file associated with different security levels
US8923066B1 (en) 2012-04-09 2014-12-30 Sk Hynix Memory Solutions Inc. Storage of read thresholds for NAND flash storage using linear approximation
US8990477B2 (en) 2012-04-19 2015-03-24 Sandisk Technologies Inc. System and method for limiting fragmentation
US20130343131A1 (en) 2012-06-26 2013-12-26 Lsi Corporation Fast tracking for flash channels
US20130297613A1 (en) 2012-05-04 2013-11-07 Monmouth University Indexing based on key ranges
US8634267B2 (en) 2012-05-14 2014-01-21 Sandisk Technologies Inc. Flash memory chip power management for data reliability and methods thereof
US20130346672A1 (en) 2012-06-22 2013-12-26 Microsoft Corporation Multi-Tiered Cache with Storage Medium Awareness
US9529724B2 (en) 2012-07-06 2016-12-27 Seagate Technology Llc Layered architecture for hybrid controller
CN102789427B (zh) 2012-07-17 2015-11-25 威盛电子股份有限公司 数据储存装置与其操作方法
KR101997079B1 (ko) * 2012-07-26 2019-07-08 삼성전자주식회사 가변 저항 메모리를 포함하는 저장 장치 및 그것의 동작 방법
US9002791B2 (en) 2012-08-28 2015-04-07 Hewlett-Packard Development Company, L. P. Logging modifications to a variable in persistent memory
KR20140028481A (ko) 2012-08-29 2014-03-10 에스케이하이닉스 주식회사 쓰기 전류를 측정할 수 있는 반도체 메모리 장치 및 쓰기 전류 측정 방법
US9329986B2 (en) 2012-09-10 2016-05-03 Sandisk Technologies Inc. Peak current management in multi-die non-volatile memory devices
US8938656B2 (en) 2012-09-14 2015-01-20 Sandisk Technologies Inc. Data storage device with intermediate ECC stage
US8886882B2 (en) 2012-09-14 2014-11-11 Hitachi, Ltd. Method and apparatus of storage tier and cache management
US9128690B2 (en) 2012-09-24 2015-09-08 Texas Instruments Incorporated Bus pin reduction and power management
US10489295B2 (en) 2012-10-08 2019-11-26 Sandisk Technologies Llc Systems and methods for managing cache pre-fetch
US9268709B2 (en) 2012-10-18 2016-02-23 Marvell International Ltd. Storage controllers and storage control methods
US9104328B2 (en) 2012-10-31 2015-08-11 Hitachi, Ltd. Storage apparatus and method for controlling storage apparatus
US8634248B1 (en) 2012-11-09 2014-01-21 Sandisk Technologies Inc. On-device data analytics using NAND flash based intelligent memory
US8817541B2 (en) 2012-11-09 2014-08-26 Sandisk Technologies Inc. Data search using bloom filters and NAND based content addressable memory
US8930778B2 (en) 2012-11-15 2015-01-06 Seagate Technology Llc Read disturb effect determination
US8949544B2 (en) 2012-11-19 2015-02-03 Advanced Micro Devices, Inc. Bypassing a cache when handling memory requests
US9104532B2 (en) 2012-12-14 2015-08-11 International Business Machines Corporation Sequential location accesses in an active memory device
US9135185B2 (en) 2012-12-23 2015-09-15 Advanced Micro Devices, Inc. Die-stacked memory device providing data translation
US8869008B2 (en) 2013-01-17 2014-10-21 Apple Inc. Adaptation of analog memory cell read thresholds using partial ECC syndromes
KR20140100330A (ko) 2013-02-06 2014-08-14 삼성전자주식회사 메모리 시스템 및 그것의 동작 방법
DE102013101863A1 (de) * 2013-02-26 2014-08-28 Fujitsu Technology Solutions Intellectual Property Gmbh Hochverfügbares Hauptspeicher-Datenbanksystem, Arbeitsverfahren und deren Verwendungen
US9383795B2 (en) 2013-03-10 2016-07-05 Seagate Technololgy Llc Storage device power failure infrastructure
US9042181B2 (en) 2013-03-15 2015-05-26 SanDisk Technologies, Inc. Periodic erase operation for a non-volatile medium
US10546648B2 (en) 2013-04-12 2020-01-28 Sandisk Technologies Llc Storage control system with data management mechanism and method of operation thereof
US9378830B2 (en) 2013-07-16 2016-06-28 Seagate Technology Llc Partial reprogramming of solid-state non-volatile memory cells
US9043517B1 (en) 2013-07-25 2015-05-26 Sandisk Enterprise Ip Llc Multipass programming in buffers implemented in non-volatile data storage systems
US9304928B2 (en) 2013-07-26 2016-04-05 Netapp, Inc. Systems and methods for adaptive prefetching
US9531038B2 (en) * 2013-07-31 2016-12-27 Dell Products, Lp System and method of cell block voltage analytics to improve balancing effectiveness and identify self-discharge rate
US9329789B1 (en) 2013-10-14 2016-05-03 Marvell International Ltd. Methods and apparatus for efficiently operating on a storage device
US9250676B2 (en) 2013-11-29 2016-02-02 Sandisk Enterprise Ip Llc Power failure architecture and verification
US9235245B2 (en) 2013-12-04 2016-01-12 Sandisk Enterprise Ip Llc Startup performance and power isolation
US9471497B2 (en) 2014-01-24 2016-10-18 Netapp, Inc. Methods for combining access history and sequentiality for intelligent prefetching and devices thereof
TWI533308B (zh) 2014-03-21 2016-05-11 群聯電子股份有限公司 記憶體管理方法、記憶體儲存裝置及記憶體控制電路單元
US9274713B2 (en) 2014-04-03 2016-03-01 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Device driver, method and computer-readable medium for dynamically configuring a storage controller based on RAID type, data alignment with a characteristic of storage elements and queue depth in a cache

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101025994A (zh) * 2006-02-16 2007-08-29 英特尔公司 利用管芯内部的热传感器的热管理
WO2008075292A3 (en) * 2006-12-18 2008-08-21 Nxp Bv Power-on temperature sensor/spd detect
US20100008175A1 (en) * 2008-07-10 2010-01-14 Sanmina-Sci Corporation Battery-less cache memory module with integrated backup
US8429436B2 (en) * 2009-09-09 2013-04-23 Fusion-Io, Inc. Apparatus, system, and method for power reduction in a storage device
US20120117397A1 (en) * 2010-11-04 2012-05-10 International Business Machines Corporation Dynamic voltage adjustment to computer system memory

Also Published As

Publication number Publication date
DE112014005394T5 (de) 2016-08-11
US9520162B2 (en) 2016-12-13
WO2015081124A1 (en) 2015-06-04
US20150149700A1 (en) 2015-05-28

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