JP4357304B2 - 外部記憶装置 - Google Patents
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Description
A.外部記憶装置の概略構成:
B.書き込みブロックの平準化処理:
(B−1)第1の演算回路:
(B−2)第2の演算回路:
(B−3)ブロックの特定回路:
(B−4)平準化処理の一例:
C.データのアクセス処理:
D.変形例:
図1は、本発明の第1実施例としての外部記憶装置10の構成を示す全体ブロック図である。図示するように、この外部記憶装置10は、外部機器とデータをやり取りするホストI/F20,CPU30,プログラムメモリ40,RAM50,外部からのデータを不揮発的に保存するフラッシュメモリ60,フラッシュメモリ60へのデータの読み書きを制御するフラッシュコントローラ70等から構成されている。
図3は、本実施例の書き込みブロックの算出処理を説明する説明図である。図中に示した#0〜#Nは、フラッシュメモリ60のブロックの物理的な番号(以下、ブロック番号と呼ぶ)を示している。図示するように、ブロック管理レジスタ75は、各ブロックに対応した数だけ設けられ、管理情報レジスタとしてb3〜b0の4つのレジスタを備えている。
図5は、第1の演算を実行する回路(以下、第1の演算回路100a,110aと呼ぶ)の一部を示す回路図である。A側アドレス演算部100は第1の演算回路100aを、B側アドレス演算部110は第1の演算回路110aを、それぞれ備えているが、入力値が異なるのみで回路構成は同一である。したがって、以下、入力値A0〜ANのA側アドレス演算部100の第1の演算100aについて説明する。なお、ここでは説明を簡単にするため、A側アドレス演算部100に入力される値は、4ブロック分(#0〜#3)の入力値A0〜A3とする。
図7は、第2の演算を実行する回路(以下、第2の演算回路100b,110bと呼ぶ)の回路図である。A側アドレス演算部100は第2の演算100bを、B側アドレス演算部110は第2の演算110bを、それぞれ備えているが、第1の演算回路と同様、入力値が異なるのみで回路構成は同一である。
図8は、上述の4つの演算結果に基づいて、書き込みに使用するブロックを最終的に特定する回路の回路図である。図示するように、この回路は、A側の第2の演算回路100b,B側の第2の演算回路110bからの値を入力するRSフリップフロップ回路175、A側の第1の演算回路100aからの値を入力するバスバッファ177,B側の第1の演算回路110aからの値を入力するバスバッファ178、エンコードされたデータを復号するデコーダ179等から構成されている。
この論理回路の内容をより具体的に説明するため、図9から図11に、平準化処理による書き込みブロックの演算の一例を説明する説明図を示した。図9から図11は、各ブロックのブロック管理レジスタに書き込まれた値と、A側アドレス演算部100,B側アドレス演算部110への入力値(以下、A側入力値、B側入力値と呼ぶ)と、A側の第2の演算回路100bの演算結果γa、B側の第2の演算回路110bの演算結果γbとを示した表である。なお、ここでは説明を簡単にするため、ブロック数を10個(#0〜#9)としている。
本実施例の外部記憶装置10では、データの更新時は、ブロック単位に更新する対象となるデータを読み出し、修正して、フラッシュメモリ60の未使用(空き)ブロックまたは消去済みブロックに更新データを書き込む。その後、元のデータが存在するブロックを消去するという手法を採っている。したがって、更新データの書き込みに関しては、上述のブロック選出の演算と同様に処理し、更新の対象となるデータの読み出しに関しては、以下に説明するデータ読み出し演算に基づいて処理する。
本実施例の外部記憶装置では、ハードウェア的に書き込みに使用するブロックを選定してデータを書き込み、ハードウェア的に所望するデータを記憶したブロックを特定してデータを読み出す構成としたが、所望するデータを記憶したブロックの特定をソフトウェア的に行なうものとしても良い。
20...ホストI/F
30...CPU
40...プログラムメモリ
50...RAM
60...フラッシュメモリ
70...フラッシュコントローラ
75...ブロック管理レジスタ
76...記憶領域
80...データ書き込み領域
85...冗長部領域
90...第1のANDゲート
93...第2のANDゲート
96...第3のANDゲート
100...A側アドレス演算部
100a,110a...第1の演算回路
100b,110b...第2の演算回路
110...B側アドレス演算部
120,160...INVゲート
130,131,132,195...ANDゲート
140,145,170...多入力のANDゲート
150,151...多入力のORゲート
175...RSフリップフロップ回路
177,178...バスバッファ
179...デコーダ
180...アドレスバス
181,182...許可信号線
185...データバス
190...比較器
193...論理アドレスバス
197...D型フリップフロップ
200...アドレス演算部
Claims (10)
- データを記憶する複数のブロックから構成され、データバスに接続されたフラッシュメモリを有する外部記憶装置であって、
前記ブロック毎に
前記ブロックの使用状況を示す使用可否レジスタと、該ブロックのデータの消去回数の情報を示すn個(nは2以上の整数)の消去回数レジスタとからなるブロック管理レジスタと、
前記使用可否レジスタの値と前記各消去回数レジスタの値との論理積をそれぞれ演算するn個の演算ゲートとを有し、
前記演算ゲートの出力値に基づいて、使用可能であるブロックを消去回数に応じてn個のグループに分類するn個の制御回路を備え、
前記一の制御回路は、
前記一のグループにおいて、前記ブロックの構成順に使用可能な該ブロックを特定する第1の回路と、
前記一のグループ内で、使用可能なブロックが存在しないことを示す信号を出力する第2の回路とを有し、
前記一の制御回路における前記第2の回路の出力タイミング毎に、前記n個のグループを所定順序で周回し、前記第1の回路の出力値に基づいて、使用可能な前記ブロックを選出するブロック選出手段と、
前記選出されたブロックに前記データを記憶する記憶手段と
を備えた外部記憶装置。 - 請求項1に記載の外部記憶装置であって、
前記nは2であり、
前記ブロック管理レジスタの2個の消去回数レジスタは、
前記ブロックの消去回数が0回または偶数回であることを示す第1の消去回数レジスタと、
前記ブロックの消去回数が奇数回であることを示す第2の消去回数レジスタとからなり、
前記2個の演算ゲートは、
前記使用可否レジスタの値と前記第1の消去回数レジスタの値との論理積を演算する第1ゲートと、
前記使用可否レジスタの値と前記第2の消去回数レジスタの値との論理積を演算する第2ゲートとからなり、
前記2個の制御回路は、
前記第1ゲートの出力値を入力し、前記使用可能なブロックの消去回数が0回または偶数回であるグループを示す第1の制御回路と、
前記第2ゲートの出力値を入力し、前記使用可能なブロックの消去回数が奇数回であるグループを示す第2の制御回路とからなり、
前記ブロック選出手段は、
前記第2の回路の出力タイミングに基づいて、前記使用可能な前記ブロックを選出するグループを、前記第1の制御回路と前記第2の制御回路との間で順次交替して該使用可能なブロックの番号を出力する手段である外部記憶装置。 - 請求項1または2に記載の外部記憶装置であって、
前記ブロック管理レジスタは、前記ブロックが不良であるか否かを示す良否レジスタを備え、
前記n個の演算ゲートは、前記使用可否レジスタの値と前記各消去回数レジスタの値とに加えて、前記良否レジスタの値との論理積をそれぞれ演算する外部記憶装置。 - 請求項1ないし3のいずれかに記載の外部記憶装置であって、
前記ブロック管理レジスタは、前記データの記憶領域として割り当てられた仮想メモリ空間上のアドレスである論理アドレスを格納する論理アドレスレジスタを有し、
前記ブロック毎に、所定の論理アドレスと、前記論理アドレスレジスタに格納するアドレスとを比較する比較器を備え、
前記記憶手段は、
前記データを一のブロックに書き込むタイミングで、該一のブロックに対応する前記論理アドレスレジスタに前記論理アドレスを格納し、該書き込んだデータの読み出しを所望する際、該比較器の出力値に基づいて、該所望するデータを書き込んだ該ブロックを特定し、該ブロックから該データを読み出す手段を備えた外部記憶装置。 - 請求項1ないし3のいずれかに記載の外部記憶装置であって、
前記記憶手段は、前記データの記憶領域として割り当てられた仮想メモリ空間上のアドレスである論理アドレスと、前記ブロック選出手段により選出され、該データを記憶するブロックの物理的なアドレスとの対応関係を表わすテーブルを生成し、該テーブルに基づいて該データを記憶する手段である外部記憶装置。 - 請求項1ないし5のいずれかに記載の外部記憶装置であって、
前記ブロック管理レジスタは、不揮発性のメモリを用いて構成された外部記憶装置。 - 請求項1ないし5のいずれかに記載の外部記憶装置であって、
前記ブロック管理レジスタに格納する所定値を所定のタイミングで不揮発的に記憶する記憶部を備え、
前記外部記憶装置への電源投入の際、前記記憶部の有する前記所定値を、前記ブロック管理レジスタへ転送する外部記憶装置。 - 請求項7に記載の外部記憶装置であって、
前記記憶部は、前記フラッシュメモリの一部分に予め確保された領域である外部記憶装置。 - 請求項1ないし8のいずれかに記載の外部記憶装置であって、
前記フラッシュメモリは、NAND型構造のフラッシュメモリである外部記憶装置。 - データを記憶する複数のブロックから構成され、データバスに接続されたフラッシュメモリを有する外部記憶装置の該データの書き込み方法であって、
前記ブロック毎に、該ブロックの使用状況および該ブロックの消去回数を示す情報を記憶し、
前記情報に基づいて、使用可能であるブロックを消去回数に応じてn個のグループに分類し、
前記データの書き込みを行なう前記n個のグループを所定順序で周回し、該一のグループにおいて、前記使用可能なブロックに、該ブロックの構成順で前記データを書き込み、該使用可能なブロックへの書き込み終了後、該所定順序で他のグループを選択して該ブロックに該データを書き込むデータの書き込み方法。
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