KR100543447B1 - 에러정정기능을 가진 플래쉬메모리장치 - Google Patents
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Abstract
Description
컬럼패리티 | 계 산 식 | |
b7 b6 b5 b4 | b3 b2 b1 b0 | |
CP1 | * * | * * |
nCP1 | * * | * * |
CP2 | * * | * * |
nCP2 | * * | * * |
CP4 | * * * * | |
nCP4 | * * * * |
라인 패리티 | 계 산 식 | |||||||||
B512 | B511 B510 B509 | .. | B256 | B255 B254 | B253 | .. | B4 | B3 B2 | B1 | |
LP1 | * | * | .. | * | * | .. | * | * | ||
nLP1 | * * | .. | * | * | .. | * | * | |||
LP2 | * | * | .. | * | * | .. | * | * | ||
nLP2 | * * | .. | * | * | .. | * | * | |||
LP4 | * | * * * | .. | * | * * | * | .. | |||
nLP4 | .. | .. | * | * * | * | |||||
.. | ... | |||||||||
LP512 | * | * * * | .. | .. | ||||||
nLP512 | .. | * | ** | * | .. | * | * * | * |
Claims (19)
- 비휘발성메모리에 있어서:데이타를 저장하는 복수개의 페이지들;페이지단위의 데이타를 임시로 저장하는 페이지 버퍼:상기 페이지버퍼에 저장되어 있는 원데이타의 비트에러를 정정하는 회로;상기 페이지 버퍼로부터 상기 원데이타를 상기 회로로 제공하고, 상기 회로에 의해 정정된 보정데이타를 상기 페이지버퍼로 제공하는 수단; 그리고상기 복수개의 페이지들 중 어느 하나로부터 상기 원데이타를 상기 페이지버퍼로 복사하고, 상기 페이지버퍼로부터 상기 보정데이타를 다른 페이지로 저장하는 수단을 포함하며,상기 보정데이타를 다른 페이지로 저장하는 수단은, 상기 원데이타에 대한 보정이 수행된 이후에 상기 보정데이타를 저장함을 특징으로 하는 비휘발성메모리.
- 제1항에 있어서,상기 원데이타가 고유의 패리티를 갖고 있음을 특징으로 하는 비휘발성메모리.
- 제2항에 있어서,상기 회로가, 상기 원데이타로부터 새로운 패리티를 생성하고, 상기 새로운 패리티와 상기 고유의 패리티를 비교함을 특징으로 하는 비휘발성메모리.
- 제3항에 있어서,상기 회로가:상기 원데이타에서 하나의 바이트를 구성하는 비트들에 대한 컬럼패리티를 생성하는 회로; 그리고상기 원데이타에서 소정갯수의 비트들로 구성된 바이트들에 대한 라인패리티를 생성하는 회로를 구비함을 특징으로 하는 비휘발성메모리.
- 제1항에 있어서,상기 비휘발성메모리가 낸드형 플래쉬메모리임을 특징으로 하는 비휘발성메모리.
- 비휘발성메모리에 있어서:데이타를 저장하는 복수개의 페이지들로 구성된 데이타 저장영역;상기 페이지들에 대한 프로그램 동작 중에 발생된 제1패리티를 상기 데이타 저장영역의 스페어영역에 저장하는 제1수단;페이지단위의 데이타를 저장하는 페이지버퍼;상기 페이지들 중 특정 어드레스의 페이지에 저장된 원데이타를 상기 페이지버퍼에 복사하는 제2수단;상기 페이지버퍼에 저장된 상기 원데이타로부터 제2패리티를 생성하는 제3수단;상기 제1패리티와 상기 제2패리티를 비교한 결과에 응답하여 상기 원데이타의 보정데이타를 상기 페이지버퍼로 전송하는 제4수단; 그리고상기 페이지버퍼에 저장된 보정데이타를 상기 페이지들 중 다른 어드레스의 페이지에 저장하는 제5수단을 포함하며,상기 제 5 수단은, 상기 원데이타에 대한 보정이 수행된 이후에 상기 보정데이타를 저장함을 특징으로 하는 비휘발성메모리.
- 삭제
- 제6항에 있어서,상기 제2패리티가 컬럼패리티와 라인패리티로 이루어짐을 특징으로 하는 비휘발성메모리.
- 제8항에 있어서,상기 제3수단이:상기 원데이타에서 하나의 바이트를 구성하는 비트들에 대한 컬럼패리티를 생성하는 회로; 그리고상기 원데이타에서 소정갯수의 비트들로 구성된 바이트들에 대한 라인패리티를 생성하는 회로를 구비함을 특징으로 하는 비휘발성메모리.
- 제6항에 있어서,상기 비휘발성메모리가 낸드형 플래쉬메모리임을 특징으로 하는 비휘발성메모리.
- 페이지단위의 데이타를 저장하는 페이지버퍼를 가지는 비휘발성메모리에서 특정 어드레스의 페이지에 저장되며 고유의 패리티를 포함하는 원데이타를 다른 어드레스의 페이지로 옮기는 방법에 있어서:상기 원데이타를 상기 페이지버퍼에 저장하는 단계;상기 페이지버퍼에 저장된 상기 원데이타로부터 새로운 패리티를 생성하는 단계;상기 고유의 패리티와 상기 새로운 패리티를 비교하는 단계;상기 비교결과에 응답하여 상기 원데이타에 대한 보정데이타를 형성하는 단계; 그리고상기 보정데이타를 상기 페이지버퍼를 통하여 상기 다른 어드레스의 페이지로 저장하는 단계가 순차적으로 이루어짐을 특징으로 하는 방법.
- 제11항에 있어서,상기 원데이타를 상기 페이지버퍼에 저장하기 전에, 상기 원데이타에 대한 상기 고유의 패리티를 상기 메모리의 스페어영역에 저장하는 단계를 더 구비함을 특징으로 하는 방법.
- 제11항에 있어서,상기 비교결과에 따른 상태를 외부에서 알 수 있도록 하는 단계를 더 구비함을 특징으로 하는 방법.
- 비휘발성메모리에 있어서:데이타를 저장하는 복수개의 페이지들로 구성된 데이타 저장영역;특정 페이지의 데이타를 저장하며 상기 데이타 저장영역과 연결되는 페이지버퍼;상기 페이지버퍼와 연결되며 상기 데이타의 비트불량을 감지하는 비트불량 감지수단과 상기 비트불량을 보정하는 비트불량 보정수단을 포함하는 에러정정수단을 포함하며,상기 페이지 버퍼에 저장되어 있는 상기 데이타는 상기 에러정정수단을 통해 상기 비트불량이 보정된 후, 상기 페이지 버퍼를 통해 상기 특정 페이지와 다른 페이지에 저장됨을 특징으로 하는 비휘발성메모리.
- 제14항에 있어서,상기 비트불량 감지수단은, 상기 페이지버퍼에 저장된 데이타를 입력으로 하여 새로운 패리티를 생성하는 패리티발생회로와, 상기 새로운 패리티와 상기 데이타에 포함되어 있는 고유의 패리티를 비교하여 에러 어드레스정보를 발생하는 비교기를 포함함을 특징으로 하는 비휘발성메모리.
- 제15항에 있어서,상기 에러 어드레스정보는, 상기 비트불량 보정수단으로 입력되어 상기 데이타를 보정하고 보정된 데이타를 상기 페이지버퍼로 전송함을 특징으로 하는 비휘발성메모리.
- 제16항에 있어서,상기 보정된 데이타의 전송은 제어신호에 의하여 제어됨을 특징으로 하는 비휘발성메모리.
- 삭제
- 제14항에 있어서,상기 비휘발성메모리가 낸드형 플래쉬메모리임을 특징으로 하는 비휘발성메모리.
Priority Applications (10)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020030021114A KR100543447B1 (ko) | 2003-04-03 | 2003-04-03 | 에러정정기능을 가진 플래쉬메모리장치 |
JP2004095529A JP2004311010A (ja) | 2003-04-03 | 2004-03-29 | エラー訂正機能を有したフラッシュメモリ装置 |
EP04007598A EP1465203B1 (en) | 2003-04-03 | 2004-03-30 | Nonvolatile memory with page copy capability and method thereof |
DE602004003275T DE602004003275T2 (de) | 2003-04-03 | 2004-03-30 | Nichtflüchtiger Speicher mit Seiten-Kopierfunktion und entsprechendes Verfahren |
US10/817,061 US7296128B2 (en) | 2003-04-03 | 2004-04-02 | Nonvolatile memory with error correction for page copy operation and method thereof |
CN2004100477591A CN1551244B (zh) | 2003-04-03 | 2004-04-05 | 用于页复制操作的可纠错的非易失性存储器及其方法 |
CN201310047282.6A CN103136068B (zh) | 2003-04-03 | 2004-04-05 | 用于页复制操作的可纠错的非易失性存储器及其方法 |
CN2011100089100A CN102034545A (zh) | 2003-04-03 | 2004-04-05 | 用于页复制操作的可纠错的非易失性存储器及其方法 |
US11/874,821 US20080163030A1 (en) | 2003-04-03 | 2007-10-18 | Nonvolatile memory with error correction for page copy operation and method thereof |
US13/486,387 US20120239866A1 (en) | 2003-04-03 | 2012-06-01 | Non-volatile memory with error correction for page copy operation and method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020030021114A KR100543447B1 (ko) | 2003-04-03 | 2003-04-03 | 에러정정기능을 가진 플래쉬메모리장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20040086923A KR20040086923A (ko) | 2004-10-13 |
KR100543447B1 true KR100543447B1 (ko) | 2006-01-23 |
Family
ID=32844907
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020030021114A KR100543447B1 (ko) | 2003-04-03 | 2003-04-03 | 에러정정기능을 가진 플래쉬메모리장치 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US7296128B2 (ko) |
EP (1) | EP1465203B1 (ko) |
JP (1) | JP2004311010A (ko) |
KR (1) | KR100543447B1 (ko) |
CN (3) | CN102034545A (ko) |
DE (1) | DE602004003275T2 (ko) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 2003-04-03 KR KR1020030021114A patent/KR100543447B1/ko active IP Right Grant
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- 2004-03-29 JP JP2004095529A patent/JP2004311010A/ja active Pending
- 2004-03-30 EP EP04007598A patent/EP1465203B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-03-30 DE DE602004003275T patent/DE602004003275T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2004-04-02 US US10/817,061 patent/US7296128B2/en active Active
- 2004-04-05 CN CN2011100089100A patent/CN102034545A/zh active Pending
- 2004-04-05 CN CN2004100477591A patent/CN1551244B/zh not_active Expired - Lifetime
- 2004-04-05 CN CN201310047282.6A patent/CN103136068B/zh not_active Expired - Lifetime
-
2007
- 2007-10-18 US US11/874,821 patent/US20080163030A1/en not_active Abandoned
-
2012
- 2012-06-01 US US13/486,387 patent/US20120239866A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2004311010A (ja) | 2004-11-04 |
CN102034545A (zh) | 2011-04-27 |
DE602004003275T2 (de) | 2007-05-31 |
CN103136068B (zh) | 2017-05-31 |
CN1551244A (zh) | 2004-12-01 |
DE602004003275D1 (de) | 2007-01-04 |
US7296128B2 (en) | 2007-11-13 |
EP1465203B1 (en) | 2006-11-22 |
KR20040086923A (ko) | 2004-10-13 |
EP1465203A1 (en) | 2004-10-06 |
US20040202034A1 (en) | 2004-10-14 |
CN1551244B (zh) | 2013-05-01 |
US20080163030A1 (en) | 2008-07-03 |
CN103136068A (zh) | 2013-06-05 |
US20120239866A1 (en) | 2012-09-20 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130102 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140103 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141231 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160104 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170102 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191226 Year of fee payment: 15 |