JP5197544B2 - メモリシステム - Google Patents
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Description
最初に、図1および図2を用いて本発明の第1の実施形態のメモリシステム5について説明する。図1に示すようにメモリシステム5はパソコンまたはデジタルカメラ等のホスト4と、ホスト4と着脱可能に接続される記憶装置であるメモリカード3とを具備する。ホスト4はホストCPU(不図示)の制御により、メモリカード3とデータの送受信を行う。
ワード線13Eに印加する電圧により、メモリセルの閾値電圧が検知される。
検知された閾値電圧と、LLRテーブル記憶部20に記憶されている第1のLLRテーブル21とから、LLRが算出される。
所定個数のビットデータを単位として、LDPC復号処理が行われる。
予め定められた最大イタレーション回数、例えばN1回内で、復号処理が完了した場合(Yes)には、ステップS18において復号データがホストに転送される。
S13において、最大イタレーション回数の処理を行っても、復号処理が完了しなかった場合(No)には、検知された閾値電圧と、第2のLLRテーブル22とから、LLRが算出される。
所定個数のビットデータを単位として、LDPC復号処理が行われる。
予め定められた最大イタレーション回数、例えばN2回内で、復号処理が完了した場合(Yes)には、ステップS18において復号データがホストに転送される。
S16において、最大イタレーション回数の処理を行っても、復号処理が完了しなかった場合(No)には、例えばエラーコマンドがホストに送信される。
以下、図面を参照して本発明の第2の実施形態のメモリシステム5Aについて説明する。第2の実施形態のメモリシステム5Aは、第1の実施形態のメモリシステム5と類似しているため同じ構成要素の説明は省略する。
以下、図9、図10を参照して本発明の第2の実施形態の変形例のメモリシステム5Bについて説明する。本変形例のメモリシステム5Bは、第2の実施形態のメモリシステム5Aと類似しているため同じ構成要素の説明は省略する。
以下、図面を参照して本発明の第3の実施形態のメモリシステム5Cについて説明する。第3の実施形態のメモリシステム5Cは、第2の実施形態のメモリシステム5A等と類似しているため同じ構成要素の説明は省略する。
上記実施の形態のメモリシステム5、5A〜5Cおよびメモリシステム5、5A〜5Cの制御方法は、閾値電圧分布がシフトしても、高い確率で誤り訂正が可能な誤り訂正能力の高い能力の高いメモリシステムである。また、LLRテーブルを切り換えて処理できるために、復号処理時間を大幅に短縮できる場合がある処理速度の速いメモリシステムである。また、メモリシステム5、5A〜5Cの記憶装置であるメモリカード3、3A〜3Cまたはメモリコントローラ2、2A〜2Cが、他の構成要素と組み合わされて使用された場合においても上記説明と同様の効果を有する。
Claims (5)
- ホストと記憶装置とからなるメモリシステムであって、
2N(Nは2以上の自然数)個の閾値電圧分布に基づきNビットの符号化データを記憶する半導体メモリセルと、
閾値電圧に対応した通常の対数尤度比データからなる第1の対数尤度比テーブルと、前記第1の対数尤度比テーブルにおいて隣り合う2つの対数尤度比の符号が反転する箇所と対応する箇所の、2つの対数尤度比の絶対値が、前記第1の対数尤度比テーブルのそれぞれの対数尤度比の絶対値と異なる対数尤度比データからなる第2の対数尤度比テーブルと、を記憶する記憶部と、
前記第1の対数尤度比テーブルまたは第2の対数尤度比テーブルと、前記閾値電圧とから算出された対数尤度比を用いて確率に基づく反復計算による復号処理をするデコーダと、を具備し、
前記第1の対数尤度比テーブルと前記閾値電圧とから算出された対数尤度比による前記復号処理がエラーの場合に、前記第2の対数尤度比テーブルと前記閾値電圧とから算出された対数尤度比による前記復号処理を行うことを特徴とするメモリシステム。 - 前記第2の対数尤度比テーブルの前記対応する箇所の前記2つの対数尤度比の値が、いずれも「0」であることを特徴とする請求項1に記載のメモリシステム。
- 前記第1の対数尤度比テーブルの対数尤度比の符号が反転する前記箇所の2つの対数尤度比の絶対値の差よりも、前記第2の対数尤度比テーブルの前記対応する箇所の2つの対数尤度比の絶対値の差が大きく、かつ前記対応する箇所の2つの対数尤度比のうちの閾値電圧が高電圧側の全ての対数尤度比の絶対値が、他方側の対数尤度比の絶対値よりも大きい、または、小さいことを特徴とする請求項1に記載のメモリシステム。
- 前記第2の対数尤度比テーブルが、
前記第1の対数尤度比テーブルの対数尤度比の符号が反転する前記箇所の2つの対数尤度比の絶対値の差よりも、前記第2の対数尤度比テーブルの前記対応する箇所の2つの対数尤度比の絶対値の差が大きく、かつ前記対応する箇所の2つの対数尤度比のうちの閾値電圧が高電圧側の全ての対数尤度比の絶対値が、他方側の対数尤度比の絶対値よりも大きい第3の対数尤度比テーブルと、
前記第1の対数尤度比テーブルの対数尤度比の符号が反転する前記箇所の2つの対数尤度比の絶対値の差よりも、前記第2の対数尤度比テーブルの前記対応する箇所の2つの対数尤度比の絶対値の差が大きく、かつ前記対応する箇所の2つの対数尤度比のうちの閾値電圧が高電圧側の全ての対数尤度比の絶対値が、他方側の対数尤度比の絶対値よりも小さい第4の対数尤度比テーブルと、からなり、
前記第2の対数尤度比テーブルとして、前記第3の対数尤度比テーブルまたは第4の対数尤度比テーブルの少なくともいずれかを用いて前記復号処理を行うことを特徴とする請求項1に記載のメモリシステム。 - 前記Nが2以上7以下であることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のメモリシステム。
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