JP4700223B2 - Ｄｒａｍ装置およびｄｒａｍ装置のリフレッシュ方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＤＲＡＭ装置およびＤＲＡＭ装置のリフレッシュ方法に関し、特に、ＤＲＡＭチップのリフレッシュ手法を制御するＤＲＡＭ装置およびＤＲＡＭ装置のリフレッシュ方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、この種のＤＲＡＭ装置として、特開平１０−２５５４６７号公報に開示されているものが知られている。一般的に、半導体チップはセルにデータを記憶するのにコンデンサの電荷を用いる。この場合、漏れ電流によって電荷が数ミリ秒で取り去られる。このため、電荷を周期的にリフレッシュする必要がある。そして、このリフレッシュにおいて多大な電流が消費される。一方で、この漏れ電流の大きさは半導体チップの周囲温度によって異なる。すなわち、周囲温度が高い時は漏れ電流が大きくなり、周囲温度が低い時は漏れ電流が小さくなる。同公報においては、半導体チップの周囲温度に応じてリフレッシュ速度を調節するためのオンチップの温度センサーを備え、周囲温度が高い時にリフレッシュ速度を速くするとともに、周囲温度が低い時にはリフレッシュ速度を遅くし、周囲温度に適したリフレッシュ速度に調節することにより、リフレッシュ時の消費電流を適切にすることによって省電力化を実現可能なＤＲＡＭ装置を開示している。
【０００３】
このＤＲＡＭ装置は、概略、温度センサーと、メモリ半導体チップと、温度センサーと、制御回路と、リフレッシュ回路とから構成されており、この温度センサーはメモリ半導体チップ上に配置される。そして、この温度センサーはメモリ半導体チップの周囲温度を検出すると、この検出した周囲温度を示す温度信号を発生する。ここで、制御回路はこの温度センサーからの温度信号を受信し、これに応じて、リフレッシュ回路のリフレッシュ速度を調整するためのリフレッシュ速度信号を生成する。このとき、制御回路にＲＯＭ参照テーブルを組み合わせて配置し、このＲＯＭ参照テーブルに、特定のいくつかの周囲温度に対して望ましいリフレッシュ速度を示す複数の項目を格納しておく。そして、制御回路は適宜このＲＯＭ参照テーブルを参照しつつメモリ半導体チップの周囲温度に依存するリフレッシュ速度を調節している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上述した従来のＤＲＡＭ装置においては、当該ＤＲＡＭ装置内の処理によってリフレッシュ速度を制御している。この制御されるリフレッシュ速度はＤＲＡＭ装置にアクセスする外部の他の装置、例えば、ＣＰＵの当該ＤＲＡＭ装置に対するアクセス動作にも密接に関連する。すなわち、外部の他の装置によるＤＲＡＭ装置へのアクセス動作に対して何等考慮せずにリフレッシュ速度のみを制御すると、他の装置との関係において動作の不整合が発生する。このため、このＤＲＡＭ装置を使用するに際しては、ＤＲＡＭ装置でのリフレッシュ速度の制御状況とＣＰＵのＤＲＡＭ装置に対するアクセス動作状況とに基づいて二つの状況を調停するための調停回路を備えさせなればならないことになる。これにより回路構成が複雑になるとともにコストが増大するという課題があった。また、このような従来のＤＲＡＭ装置は、コンピュータのスタンバイ時等のセルフリフレッシュモードにおいてのみしか機能しないものであった。また、メモリセルアレイのうち、各バンクの１ライン全てを同時にリフレッシュするため、リフレッシュ電流のピークが大きくなってしまうという課題があった。
【０００５】
本発明は、上記課題にかんがみてなされたもので、簡易な手法によってリフレッシュ手法を制御し、ＤＲＡＭ装置内部における半導体チップの周囲温度に対応してリフレッシュ時の消費電流を適切にすることによって省電力化を図ることが可能であるとともに、従来のコンピュータ上で特別な付加回路がなくても何等問題なく動作することが可能なＤＲＡＭ装置およびＤＲＡＭ装置のリフレッシュ方法の提供を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１にかかる発明は、ＤＲＡＭチップのリフレッシュを実行させるためのリフレッシュコマンド信号を一定時間間隔で入力し、ＤＲＡＭチップのリフレッシュを実行するＤＲＡＭ装置において、複数のメモリバンクで構成したＤＲＡＭチップと、上記ＤＲＡＭチップの周囲温度を測定する周囲温度測定手段と、上記周囲温度測定手段にて測定された上記ＤＲＡＭチップの周囲温度に基づいて、上記複数のメモリバンクのうち同時にリフレッシュを実行するリフレッシュ領域のメモリバンクを、各メモリバンクのリフレッシュ頻度が同じになるようにしながら上記測定された周囲温度が低くなるほど段階的に少なくさせて特定するリフレッシュ領域特定手段と、外部から上記リフレッシュコマンド信号を入力するリフレッシュコマンド信号入力手段と、上記リフレッシュコマンド信号が入力されたときに上記リフレッシュ領域特定手段が特定したリフレッシュ領域のメモリバンクに対してリフレッシュを実行するリフレッシュ実行手段とを具備する構成としてある。
【００１４】
上記のように構成した請求項１にかかる発明においては、ＤＲＡＭ装置をＤＲＡＭチップと、周囲温度測定手段と、リフレッシュ領域特定手段と、リフレッシュコマンド信号入力手段と、リフレッシュ実行手段とにより構成する。このとき、リフレッシュ領域特定手段が周囲温度測定手段にて測定されたＤＲＡＭチップの周囲温度に基づいて、上記複数のメモリバンクのうち同時にリフレッシュを実行するリフレッシュ領域のメモリバンクを、各メモリバンクのリフレッシュ頻度が同じになるようにしながら上記測定された周囲温度が低くなるほど段階的に少なくさせて特定する。そして、リフレッシュ実行手段は、上記リフレッシュコマンド信号が入力されたときに、特定されたリフレッシュ領域のメモリバンクに対するリフレッシュを実行する。このように、ＤＲＡＭチップの周囲温度に基づいてリフレッシュ領域を制御することによって、各周囲温度におけるリフレッシュ時の消費電流を平均化することが可能になる。
【００１５】
また、リフレッシュ領域特定手段は周囲温度測定手段にて測定された周囲温度に基づいてリフレッシュ領域のメモリバンクを特定する。
【００１６】
さらに、リフレッシュ領域特定手段は、周囲温度が低下すると一回のリフレッシュの実行にてリフレッシュするメモリバンクを減少させる。すなわち、周囲温度が低い場合は漏れ電流が減少するため、リフレッシュする頻度を少なくすることができる。そこで、リフレッシュするメモリバンクを減少させることによって、実質的にリフレッシュのインターバルを拡大してリフレッシュの頻度を少なくする。
【００１７】
さらに、上記リフレッシュ領域特定手段は、上記周囲温度と上記リフレッシュ領域とを対応させるリフレッシュ領域参照テーブルを備えていてもよい。
上記のように構成した発明においては、リフレッシュ領域特定手段に周囲温度とリフレッシュを実行するメモリバンクとを対応させるリフレッシュ領域参照テーブルを備えさせる。これにより簡易に周囲温度に基づいたメモリバンクを特定することが可能になる。
【００１８】
また、複数のメモリバンクで構成したＤＲＡＭチップを備えるＤＲＡＭ装置のリフレッシュを実行する手法は必ずしも実体のある装置に限られる必要はなく、その方法としても機能することは容易に理解できる。
【００１９】
このため、請求項３にかかる発明は、複数のメモリバンクで構成したＤＲＡＭチップのリフレッシュを実行させるためのリフレッシュコマンド信号を一定時間間隔で入力して該ＤＲＡＭチップのリフレッシュを実行するＤＲＡＭ装置のリフレッシュ方法であって、上記ＤＲＡＭチップの周囲温度を測定する周囲温度測定工程と、上記周囲温度測定工程にて測定された上記ＤＲＡＭチップの周囲温度に基づいて、上記複数のメモリバンクのうち同時にリフレッシュを実行するリフレッシュ領域のメモリバンクを、各メモリバンクのリフレッシュ頻度が同じになるようにしながら上記測定された周囲温度が低くなるほど段階的に少なくさせて特定するリフレッシュ領域特定工程と、外部から上記リフレッシュコマンド信号を入力するリフレッシュコマンド信号入力工程と、上記リフレッシュコマンド信号が入力されたときに上記リフレッシュ領域特定工程にて特定されたリフレッシュ領域のメモリバンクに対してリフレッシュを実行するリフレッシュ実行工程とを具備する構成としてある。
【００２０】
すなわち、必ずしも実体のある装置に限らず、その方法としても有効であることに相違はない。
【００２１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明は、各周囲温度におけるリフレッシュ時の消費電流を平均化することが可能となり、省電力化を図ることが可能なＤＲＡＭ装置を提供することができる。
【００２２】
さらに、請求項２にかかる発明によれば、簡易に周囲温度に基づいたリフレッシュ領域を特定することが可能になる。
【００２３】
さらに、請求項３にかかる発明によれば、各周囲温度におけるリフレッシュ時の消費電流を平均化することが可能となり、省電力化を図ることが可能なＤＲＡＭ装置のリフレッシュ方法を提供することができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
ここでは、下記の順序に従って本発明の実施形態について説明する。
（１）発明の技術概念：
（２）ＤＲＡＭ装置の構成：
（３）第一実施形態：
（４）第二実施形態：
【００２５】
（１）発明の技術概念：
図１〜図４は本発明にかかるＤＲＡＭ装置の技術概念を示した概念図である。
図１において、ＤＲＡＭ装置Ａは、複数のメモリセルを有するＤＲＡＭセルアレイＡ１と、このＤＲＡＭセルアレイＡ１の周囲温度を測定する周囲温度測定部Ａ２と、周囲温度測定部Ａ２にて測定されたＤＲＡＭセルアレイＡ１の周囲温度に基づいてメモリセルのうちリフレッシュを実行するリフレッシュ領域を特定しつつ、特定したリフレッシュ領域に対してリフレッシュを実行したり、あるいは、周囲温度に基づいて、外部のホスト機器より入力するリフレッシュコマンド信号に基づいて生成するリフレッシュ要求信号を適宜間引いてＤＲＡＭセルアレイＡ１に出力するリフレッシュ制御部Ａ３とを備えている。ＤＲＡＭセルアレイＡ１はリフレッシュ要求信号を入力し、当該リフレッシュ要求信号に応じてリフレッシュを実行する。
【００２６】
ここで、上記ＤＲＡＭセルアレイＡ１のメモリセルは、コンデンサと等価な回路にて構成され、データを記憶するためにこのコンデンサに対して電荷が与えられる。しかし、この電荷は漏れ電流によって数ミリ秒で取り去られてしまう。このため、コンデンサに付与されている電荷を周期的にリフレッシュする必要がある。
次に、この漏れ電流と温度との相関関係を図２に示す。同図において、かかる漏れ電流は、温度に比例して大きくなる。すなわち、周囲温度測定部Ａ２にて測定された温度が低い場合は漏れ電流は少なく、温度が高くなるにつれて漏れ電流は多くなる。そして、漏れ電流が少ない場合は、セルに記憶されたデータは長時間保持されることになる。
【００２７】
この漏れ電流とリフレッシュ頻度との相関関係を図３に示す。同図において、漏れ電流が少ない場合はリフレッシュの頻度は少なくてよく、一方、漏れ電流が多くなるにつれてリフレッシュ頻度を多くしていく必要が生じる。そこで、本発明は、図４に示すように、リフレッシュ制御部Ａ３において周囲温度測定部Ａ２にて測定されたＤＲＡＭセルアレイＡ１の周囲温度に基づいてリフレッシュ頻度、すなわち、ＤＲＡＭセルアレイＡ１に出力するリフレッシュ要求信号を適宜間引いて制御することによって変化させ、ＤＲＡＭセルアレイＡ１の周囲の温度に適したリフレッシュを実現するものである。
【００２８】
（２）ＤＲＡＭ装置の構成：
図５は、本発明にかかるＤＲＡＭ装置の構成を示したブロック構成図である。
同図において、ＤＲＡＭ装置１０は、コマンドデコーダ１１と、リフレッシュ制御回路１２と、リフレッシュ制御回路１２に接続された複数のメモリセルを有するＤＲＡＭチップ１３とから構成されている。ここで、コマンドデコーダ１１は、メモリアクセス時においては、外部のホスト機器からアクセスするＤＲＡＭチップ１３のアドレスを示すアドレス信号等が入力される。また、リフレッシュ時においては、外部のホスト機器からリフレッシュを実行するための基準となるリフレッシュコマンド信号を入力する。
【００２９】
また、リフレッシュ制御回路１２にはＤＲＡＭチップ１３の周囲温度を測定する温度センサー１６が接続されるとともに、当該リフレッシュ制御回路１２は、ＲＯＭ１４に接続され、同ＲＯＭ１４に記憶されているデータを読み出し可能になっている。このＲＯＭ１４に記憶されているデータとしては、後述する参照テーブルデータが含まれる。また、リフレッシュ制御回路１２にはＲＡＭ１５が接続されており、同リフレッシュ制御回路１２は、このＲＡＭ１５を処理実行時のワークエリアとして利用しつつ適宜処理状態を記憶させている。
【００３０】
ここで、温度センサー１６は、ＤＲＡＭチップ１３が作りつけられる半導体チップ上に配設されており、この半導体チップの温度を検出し、この温度を示す温度センサー値を生成する。そして、リフレッシュ制御回路１２は、この温度センサー値を取得し、この温度センサー値に基づいてＤＲＡＭチップ１３のメモリセルに対するリフレッシュ頻度を変化させる制御を実行する。
【００３１】
ＲＯＭ１４には、特定の周囲温度に対して望ましいリフレッシュ頻度をそれぞれ示す複数の項目が有する上述した参照テーブルデータを格納されている。
そして、リフレッシュ制御回路１２は、この参照テーブルデータを適宜アクセスし、温度センサー１６から取得した温度センサー値に対応するリフレッシュ頻度を検索しつつ決定する。
【００３２】
ここで、本実施形態において、このリフレッシュ頻度はリフレッシュを実行する起動信号となるリフレッシュ要求信号の間引き度合いにより定義付ける。すなわち、リフレッシュ頻度を上げる場合は、リフレッシュ要求信号の間引き度合いを少なくし、リフレッシュ頻度を下げる場合は、リフレッシュ要求信号の間引き度合いを多くする。以下、リフレッシュ要求信号をＤＲＡＭチップ１３の周囲温度に基づいて適宜間引くことによりリフレッシュ頻度を変化させる態様を説明する。
【００３３】
（３）第一実施形態
図６は、リフレッシュ要求信号を間引いてＤＲＡＭチップに出力することによって、リフレッシュ頻度を変化させるＤＲＡＭ装置の構成の一例を示したブロック構成図である。同図においては、ＤＲＡＭ装置１０をコマンドデコーダ１１と、リフレッシュ制御回路１２と、ＤＲＡＭチップ１３と、ＲＯＭ１４と、ＲＡＭ１５と、温度センサー１６とから構成する。また、ＤＲＡＭチップ１３を４つのメモリバンク１３ａ〜１３ｄにて構成する。ここで、リフレッシュ制御回路１２は、各メモリバンク１３ａ〜１３ｄに相互に接続されており、各メモリバンク１３ａ〜１３ｄに対してリフレッシュを実行させるための起動信号であるリフレッシュ要求信号を出力する。
【００３４】
ＤＲＡＭチップ１３は、このリフレッシュ要求信号を入力すると、リフレッシュを実行する。ここで、通常、このリフレッシュ要求信号は、リフレッシュ制御回路１２からリフレッシュコマンド信号に対応して生成されて出力される。このリフレッシュコマンド信号は、コマンドデコーダ１１が外部のホスト機器より所定の一定間隔で入力するものである。すなわち、リフレッシュコマンド信号に同期してリフレッシュ要求信号が生成され出力される。従って、ＤＲＡＭチップ１３は外部のホスト機器が出力するリフレッシュコマンド信号に従ったリフレッシュ頻度に基づいてリフレッシュを実行することになる。
【００３５】
上述したメモリバンク１３ａ〜１３ｄは、アドレス０〜４０９５に分割されて構成されており、リフレッシュはこの４０９６個のアドレスに対して順次行なわれる。従って、実際には、外部のホストから４０９６回のリフレッシュコマンド信号がリフレッシュ制御回路１２に入力されるとともに、これに合わせて４０９６回のリフレッシュ要求信号がメモリバンク１３ａ〜１３ｄに対して出力される。本実施形態においては、この４０９６回のリフレッシュ要求信号を１サイクルのリフレッシュ要求信号として表現している。従って、リフレッシュ要求信号がメモリバンク１３ａ〜１３ｄに出力されると、各アドレス０〜４０９５のリフレッシュが順次実行されることになる。ここでは、リフレッシュ対象アドレスを４０９６アドレスと表現しているが、これはメモリ装置の構成に依存するものであり、実際には２０４８アドレスや８１９２アドレスのメモリ装置も存在する。
【００３６】
ここで、本実施形態おいては、リフレッシュ制御回路１２はコマンドデコーダ１１からリフレッシュコマンド信号を入力すると、この入力したリフレッシュコマンド信号に基づいてリフレッシュ要求信号を生成するに際し、温度センサー１６から取得したＤＲＡＭチップ１３の周囲温度に基づいて適宜間引いて生成することによってリフレッシュ頻度を変化させる構成を採用する。
【００３７】
図７は、ＲＯＭ１４に格納されている参照テーブルデータ１４ａのデータ構成を示したデータ構成図である。この参照テーブルデータ１４ａは、温度センサー１６によって測定されるＤＲＡＭチップ１３の周囲温度と、リフレッシュ頻度を変化させるためにリフレッシュ要求信号を間引きを考慮したリフレッシュ要求信号割合とを関連付けている。本図及び後述の図１３、図２２は概念が分かり易い様に一般的なＤＲＡＭ装置の仕様に合わせて記述してあるが、実際の内部温度はこの参照テーブルより若干高めとなっている。
【００３８】
同図において、参照テーブルデータ１４ａは、フィールドとして周囲温度１４ａ１とリフレッシュ要求信号間引き度合い１４ａ２とを備えており、各周囲温度に対応したデータとして、データ１４ａ３〜１４ａ１０が格納されている。
ここで、データ１４ａ３は周囲温度が７０℃以上の場合には、リフレッシュ要求信号を間引くことなく、コマンドデコーダ１１から入力したリフレッシュコマンド信号に対応して当該リフレッシュ要求信号を生成しＤＲＡＭチップ１３に出力することによってリフレッシュを実行させることを示している。
【００３９】
また、データ１４ａ４は周囲温度が６０℃以上７０℃未満の場合には、データ１４ａ３と同様にリフレッシュ要求信号を間引くことなく、リフレッシュコマンド信号に対応して生成しＤＲＡＭチップ１３に出力することによりリフレッシュを実行させることを示している。そして、データ１４ａ５は周囲温度が５０℃以上６０℃未満の場合には、コマンドデコーダ１１から入力したリフレッシュコマンド信号を二分の一に間引いてリフレッシュ要求信号を生成しＤＲＡＭチップ１３に対して出力しリフレッシュを実行させることを示している。
【００４０】
そして、データ１４ａ６は周囲温度が４０℃以上５０℃未満の場合には、データ１４ａ５と同様にリフレッシュコマンド信号を二分の一に間引いて生成したリフレッシュ要求信号をＤＲＡＭチップ１３に出力してリフレッシュを実行させることを示している。次のデータ１４ａ７は周囲温度が３０℃以上４０℃未満の場合には、コマンドデコーダ１１から入力したリフレッシュコマンド信号を四分の一に間引いてリフレッシュ要求信号を生成するとともにＤＲＡＭチップ１３に出力してリフレッシュを実行させることを示している。
【００４１】
データ１４ａ８は周囲温度が２０℃以上３０℃未満の場合には、データ１４ａ７と同様にリフレッシュコマンド信号の四分の一に間引いて生成したリフレッシュ要求信号をＤＲＡＭチップ１３に出力してリフレッシュを実行させることを示している。また、データ１４ａ９は周囲温度が１０℃以上２０℃未満の場合には、リフレッシュコマンド信号を八分の一に間引いて生成したリフレッシュ要求信号をＤＲＡＭチップ１３に出力してリフレッシュを実行させることを示している。さらに、データ１４ａ１０は周囲温度が０℃以上１０℃未満の場合には、データ１４ａ９と同様にリフレッシュコマンド信号を八分の一に間引いて生成したリフレッシュ要求信号をＤＲＡＭチップ１３に出力してリフレッシュを実行させることを示している。
【００４２】
図８は、リフレッシュ制御回路１２にて実行される全体処理の概略処理内容を示した図である。
同図において、リフレッシュ制御回路１２では、温度センサー１６が出力する温度センサー値に基づいてＤＲＡＭチップ１３の周囲温度を検出して温度情報として更新する温度情報更新処理と（ステップＳ２０）、この温度センサー値に応じてリフレッシュ要求信号の間引き割合を決定しリフレッシュ要求信号情報として更新するリフレッシュ要求信号情報更新処理と（ステップＳ３０）、この更新されたリフレッシュ要求信号情報に基づいてリフレッシュを実行するリフレッシュ制御処理と（ステップＳ４０）がパラレルに実行されている。
【００４３】
図９は、ステップＳ２０の温度情報更新処理の処理内容を示したフローチャートである。
同図において、最初に、温度センサー１６からＤＲＡＭチップ１３の周囲温度である温度センサー値を取得する（ステップＳ２１）。そして、順次、最高温度の更新および温度センサー値の加算を実行する（ステップＳ２２）。このステップＳ２１での温度センサー値の取得と、ステップＳ２２での加算とを所定期間実行する。そして、所定期間が経過したか否かを判別し（ステップＳ２３）、所定期間を経過していれば、上記ステップＳ２２にて順次加算した温度センサー値の合計を加算回数で除することによって、この所定期間内におけるＤＲＡＭチップ１３の周囲温度の平均を算出する（ステップＳ２４）。そして、この算出された平均周囲温度と最高温度とを温度情報としてＲＡＭ１５に格納し温度情報を更新する（ステップＳ２５）。
【００４４】
図１０は、ステップＳ３０のリフレッシュ要求信号情報更新処理の処理内容を示したフローチャートである。
同図において、リフレッシュ要求信号情報の更新は、温度情報が更新されたタイミングで行うため、適宜ＲＡＭ１５にアクセスして、上述した温度情報更新処理におけるステップＳ２５での温度情報の更新が実行されたか否かを判別する（ステップＳ３１）。温度情報が更新された場合は、ＲＡＭ１５から温度情報を取得する（ステップＳ３２）。
【００４５】
そして、ＲＯＭ１４に格納されている参照テーブルデータ１４ａにアクセスし、この取得した温度情報に基づいて同参照テーブルデータ１４ａの周囲温度１４ａ１を検索するとともに（ステップＳ３３）、対応するリフレッシュ要求信号間引き度合い１４ａ２を読み出して取得する（ステップＳ３４）。そして、この取得したリフレッシュ要求信号間引き度合いをリフレッシュ要求信号情報としてＲＡＭ１５に格納しリフレッシュ要求信号情報を更新する（ステップＳ３５）。
【００４６】
図１１は、ステップＳ４０のリフレッシュ制御処理の処理内容を示したフローチャートである。
同図においては、最初に、ホストからの要求に基づくリフレッシュ要求信号をオンするタイミングであるか否かを判別する（ステップＳ４１）。リフレッシュ要求信号をオンするタイミングであれば、ＲＡＭ１５にアクセスし、格納されているリフレッシュ要求信号情報を取得する（ステップＳ４２）。そして、メモリバンク１３ａ〜１３ｄに対してリフレッシュ要求信号をオンにする（ステップＳ４３）。ここで、次にステップＳ４０１にて判別されるタイミングは、当該リフレッシュ要求信号をオンした場合の間引き度合いに基づくことは言うまでもない。
【００４７】
すなわち、取得したリフレッシュ要求信号情報にリフレッシュ要求信号の間引き度合いが二分の一と設定されていれば、次回のリフレッシュ要求信号は、一回間引きをした後になる。また、間引き度合いが四分の一に設定されていれば、次回のリフレッシュ要求信号は、三回間引きした後になる。ここで、図１２はリフレッシュ要求信号に対して間引きを行った場合のタイミングチャートを示している。
【００４８】
上述した実施形態においては、リフレッシュ制御回路１２にて、コマンドデコーダ１１から入力するリフレッシュコマンド信号に基づいて一定間隔で生成されるリフレッシュ要求信号を、温度センサー１６にて検出されるＤＲＡＭチップ１３の周囲温度に基づいて適宜間引くことにより、コンピュータシステムの他の装置との調和を取りつつ、ＤＲＡＭチップ１３で実行されるリフレッシュのリフレッシュ頻度を変化させる構成を採用した。
【００４９】
むろん、ＤＲＡＭチップ１３で実行されるリフレッシュ頻度を変化させる構成は、上述したようなリフレッシュ要求信号を適宜間引く手法に限定されるものではない。例えば、リフレッシュするメモリバンク数を周囲温度に基づいて限定することにより、リフレッシュ頻度を変化させる構成を採用しても良い。
【００５０】
（４）第二実施形態
ここで、本発明にかかる第二実施形態は、所定の周期にて行われるリフレッシュにおいて、リフレッシュバンク１３ａ１〜１３ｄ１をＤＲＡＭチップ１３の周囲温度に応じて限定することにより、リフレッシュ頻度を変化させる構成を採用する。
【００５１】
図１３は、この第二実施形態にて利用するＲＯＭ１４に格納されている参照テーブルデータ１４ｂのデータ構成を示したデータ構成図である。この参照テーブルデータ１４ｂは、温度センサー１６によって測定されるＤＲＡＭチップ１３の周囲温度と、リフレッシュを行うメモリバンク数とを関連付けている。同図において、参照テーブルデータ１４ｂは、フィールドとして温度１４ｂ１とメモリバンク数１４ｂ２とを備えており、データ１４ｂ３〜１４ｂ１０が格納されている。ここで、データ１４ｂ３は周囲温度が７０℃以上の場合は、４つのメモリバンクに対してリフレッシュを実行することを示している。データ１４ｂ４は周囲温度が６０℃以上７０℃未満の場合は、４つのメモリバンクに対してリフレッシュを実行することを示している。データ１４ｂ５は周囲温度が５０℃以上６０℃未満の場合は、３つのメモリバンクに対してリフレッシュを実行することを示している。
【００５２】
データ１４ｂ６は周囲温度が４０℃以上５０℃未満の場合は３つのメモリバンクに対してリフレッシュを実行することを示している。データ１４ｂ７は周囲温度が３０℃以上４０℃未満の場合は２つのメモリバンクに対してリフレッシュを実行することを示している。データ１４ｂ８は周囲温度が２０℃以上３０℃未満の場合は２つのメモリバンクに対してリフレッシュを実行することを示している。データ１４ｂ９は周囲温度が１０℃以上２０℃未満の場合は１つのメモリバンクに対してリフレッシュを実行することを示している。データ１４ｂ１０は周囲温度が０℃以上１０℃未満の場合は１つのメモリバンクに対してリフレッシュを実行することを示している。
【００５３】
図１４は、この第二実施形態を採用した場合にリフレッシュ制御回路１２にて実行される全体処理の概略処理内容を示した図である。
同図において、リフレッシュ制御回路１２では、温度センサー１６が出力する温度センサー値に基づいてＤＲＡＭチップ１３の周囲温度を検出して温度情報として更新する温度情報更新処理と（ステップＳ２００）、この温度センサー値に応じてリフレッシュするメモリバンク１３ａ〜１３ｄを限定しメモリバンク情報として更新するメモリバンク情報更新処理と（ステップＳ３００）、この更新されたメモリバンク情報に基づいてメモリバンク１３ａ〜１３ｄに対するリフレッシュ要求信号の出力態様を制御して適宜メモリバンク１３ａ〜１３ｄにてリフレッシュを実行させるリフレッシュ要求信号制御処理と（ステップＳ４００）がパラレルに実行されている。
【００５４】
図１５は、ステップＳ２００の温度情報更新処理の処理内容を示したフローチャート図である。
同図において、最初に、温度センサー１６からＤＲＡＭチップ１３の周囲温度である温度センサー値を取得する（ステップＳ２１０）。そして、順次、最高温度の更新および温度センサー値の加算を実行する（ステップＳ２２０）。このステップＳ２１０の温度センサー値の取得と、ステップＳ２２０での加算とを所定期間実行する。そして、所定期間が経過したか否かを判別し（ステップＳ２３０）、所定期間を経過していれば、上記ステップＳ２２０にて順次加算した温度センサー値の合計を加算回数で除することによって、この所定期間内におけるＤＲＡＭチップ１３の周囲温度の平均を算出する（ステップＳ２４０）。そして、この算出された平均周囲温度と最高温度とを温度情報としてＲＡＭ１５に格納して温度情報を更新する（ステップＳ２５０）。
【００５５】
図１６は、ステップＳ３００のメモリバンク情報更新処理の処理内容を示したフローチャート図である。
同図において、メモリバンク情報の更新は温度情報が更新されたタイミングで行うため、適宜ＲＡＭ１５にアクセスすることによって上述した温度情報更新処理におけるステップＳ２５０での温度情報の更新が実行されたか否かを判別する（ステップＳ３１０）。温度情報が更新された場合は、ＲＡＭ１５から温度情報を取得する（ステップＳ３２０）。そして、ＲＯＭ１４に格納されている参照テーブルデータ１４ｂにアクセスし、この取得した温度情報に基づいて同参照テーブルデータ１４ｂの温度１４ｂ１を検索するとともに（ステップＳ３３０）、対応するメモリバンク数１４ｂ２を読み出して取得する（ステップＳ３４０）。そして、この取得したメモリバンク数をメモリバンク情報としてＲＡＭ１５に格納することによってメモリバンク情報を更新する（ステップＳ３５０）。
【００５６】
図１７は、ステップＳ４００のリフレッシュ要求信号制御処理の処理内容を示したフローチャート図である。
同図において、最初に、ホストからの要求に基づくリフレッシュ要求信号をオンするタイミングであるか否かを判別する（ステップＳ４１０）。リフレッシュ要求信号をオンするタイミングであれば、ＲＡＭ１５にアクセスし、格納されているメモリバンク情報を取得する（ステップＳ４２０）。そして、このメモリバンク情報に基づいて所定のメモリバンク１３ａ〜１３ｄに対してリフレッシュ要求信号をオンにする（ステップＳ４３０）。
【００５７】
図１８〜図２１は、上述した第二実施形態によってリフレッシュを行うメモリバンク１３ａ〜１３ｄを限定した場合のタイミングチャート図である。図１８においては、リフレッシュコマンド信号がオンになってリフレッシュを行うに際して、リフレッシュするメモリバンク数が一つである場合を示しており、かかる場合、リフレッシュコマンド信号がオンする毎に、各メモリバンクに対してリフレッシュ要求信号が出力される。また、図１９においては、リフレッシュコマンド信号がオンになってリフレッシュを行うに際して、リフレッシュするメモリバンク数が二つである場合を示している。また、図２０においては、リフレッシュコマンド信号がオンになってリフレッシュを行うに際して、リフレッシュするメモリバンク数が三つである場合を示している。また、図２１においては、リフレッシュコマンド信号がオンになってリフレッシュを行うに際して、リフレッシュするメモリバンク数が四つである場合を示している。この図２１は、従来のリフレッシュの態様を示している。
【００５８】
本実施形態においてはＤＲＡＭチップ１３をメモリバンク１３ａ〜１３ｄの４つにて構成する態様を採用しているが、むろん、ＤＲＡＭチップ１３に配置するメモリバンク数は特に限定されるものではなく設計変更事項である。そして、メモリバンク数を増加減した場合は、参照テーブルデータ１４ｂを適宜変更すればこの設計変更に対応できることは言うまでもない。
【００５９】
また、本実施形態のようにメモリバンク数で固定する場合は、図１３に示すように参照テーブルデータ１４ｂを予め固定的に決めておけば良い。一方、メモリバンク数をさらに分割する場合、このように固定的に決めておくと不都合が生じる。かかる場合は、周囲温度に対応するメモリバンク数を全体のメモリバンク数に対する割合で決めておくと好適である。図２２は、このようにリフレッシュするメモリバンク数を全体のメモリバンク数に対する割合で決める場合の参照テーブルデータ１４ｃのデータ構成を示したデータ構成図である。
【００６０】
この参照テーブルデータ１４ｃは、温度センサー１６によって測定されるＤＲＡＭチップ１３の周囲温度と、リフレッシュを行うメモリバンク割合を関連付けている。同図において、参照テーブルデータ１４ｃは、フィールドとして温度１４ｃ１とメモリバンク割合１４ｃ２とを備えており、データ１４ｃ３〜１４ｃ１１が格納されている。ここで、データ１４ｃ３は周囲温度が７０℃以上の場合は、全体のメモリバンクに対してリフレッシュを実行することを示している。データ１４ｃ４は周囲温度が６０℃以上７０℃未満の場合は、全体のメモリバンクに対してリフレッシュを実行することを示している。データ１４ｃ５は周囲温度が５０℃以上６０℃未満の場合は、全体のメモリバンクの二分の一のメモリバンクに対してリフレッシュを実行することを示している。
【００６１】
データ１４ｃ６は周囲温度が４０℃以上５０℃未満の場合は、全体のメモリバンクの二分の一のメモリバンクに対してリフレッシュを実行することを示している。データ１４ｃ７は周囲温度が３０℃以上４０℃未満の場合は、全体のメモリバンクの四分の一のメモリバンクに対してリフレッシュを実行することを示している。データ１４ｃ８は周囲温度が２０℃以上３０℃未満の場合は、全体のメモリバンクの四分の一のメモリバンクに対してリフレッシュを実行することを示している。
【００６２】
また、データ１４ｃ９は周囲温度が１０℃以上２０℃未満の場合は、全体のメモリバンクの八分の一のメモリバンクに対してリフレッシュを実行することを示している。データ１４ｃ１０は周囲温度が０℃以上１０℃未満の場合は、全体のメモリバンクの八分の一のメモリバンクに対してリフレッシュを実行することを示している。かかる態様を採用した場合は、上述したメモリバンク情報更新処理のステップＳ３５０にてメモリバンク情報を更新する際に、全体のメモリバンクとメモリバンク割合とに基づいて演算を行い、リフレッシュするメモリバンク数を決めるようにすれば良いことになる。
【００６３】
このように、温度センサー１６にて検出するＤＲＡＭチップ１３の周囲温度に基づいて、リフレッシュ制御回路１２にてリフレッシュ要求信号を生成するに際して、当該リフレッシュ要求信号を適宜間引いて生成しつつＤＲＡＭチップ１３に対して出力することによって、簡易な構成でＤＲＡＭチップ１３の周囲温度に対応して各周囲温度におけるリフレッシュ時の消費電流を平均化させることが可能になるとともに、省電力化を図ることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明にかかるＤＲＡＭ装置の技術概念を示した概念図である。
【図２】本発明にかかるＤＲＡＭ装置の技術概念を示した概念図である。
【図３】本発明にかかるＤＲＡＭ装置の技術概念を示した概念図である。
【図４】本発明にかかるＤＲＡＭ装置の技術概念を示した概念図である。
【図５】本発明にかかるＤＲＡＭ装置の構成を示したブロック構成図である。
【図６】ＤＲＡＭ装置の構成の一例を示したブロック構成図である。
【図７】第一実施形態にて利用するＲＯＭ１４に格納されている参照テーブル１４ａのデータ構成例を示したデータ構成図である。
【図８】第一実施形態を採用した場合にリフレッシュ制御回路１２にて実行される全体処理の概略処理内容を示した図である。
【図９】温度情報更新処理の処理内容を示したフローチャート図である。
【図１０】リフレッシュ要求信号情報更新処理の処理内容を示したフローチャート図である。
【図１１】リフレッシュ要求信号制御処理の処理内容を示したフローチャート図である。
【図１２】リフレッシュコマンド信号に対して間引きを行った場合のタイミングチャート図である。
【図１３】第二実施形態にて利用するＲＯＭ１４に格納されている参照テーブル１４ｂのデータ構成例を示したデータ構成図である。
【図１４】第二実施形態を採用した場合にリフレッシュ制御回路１２にて実行される全体処理の概略処理内容を示した図である。
【図１５】温度情報更新処理の処理内容を示したフローチャート図である。
【図１６】メモリバンク情報更新処理の処理内容を示したフローチャート図である。
【図１７】リフレッシュ要求信号制御処理の処理内容を示したフローチャート図である。
【図１８】第二実施形態によってリフレッシュを行うメモリバンク１３ａ〜１３ｄを限定した場合のタイミングチャート図である。
【図１９】第二実施形態によってリフレッシュを行うメモリバンク１３ａ〜１３ｄを限定した場合のタイミングチャート図である。
【図２０】第二実施形態によってリフレッシュを行うメモリバンク１３ａ〜１３ｄを限定した場合のタイミングチャート図である。
【図２１】第二実施形態によってリフレッシュを行うメモリバンク１３ａ〜１３ｄを限定した場合のタイミングチャート図である。
【図２２】ＲＯＭ１４に格納される参照テーブル１４ｂのデータ構成についての変形例を示したデータ構成図である。
【符号の説明】
１０…ＤＲＡＭ装置
１１…コマンドデコーダ
１２…リフレッシュ制御回路
１３…ＤＲＡＭチップ
１３ａ〜１３ｄ…メモリバンク
１４…ＲＯＭ
１５…ＲＡＭ
１６…温度センサー
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＤＲＡＭ装置およびＤＲＡＭ装置のリフレッシュ方法に関し、特に、ＤＲＡＭチップのリフレッシュ手法を制御するＤＲＡＭ装置およびＤＲＡＭ装置のリフレッシュ方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、この種のＤＲＡＭ装置として、特開平１０−２５５４６７号公報に開示されているものが知られている。一般的に、半導体チップはセルにデータを記憶するのにコンデンサの電荷を用いる。この場合、漏れ電流によって電荷が数ミリ秒で取り去られる。このため、電荷を周期的にリフレッシュする必要がある。そして、このリフレッシュにおいて多大な電流が消費される。一方で、この漏れ電流の大きさは半導体チップの周囲温度によって異なる。すなわち、周囲温度が高い時は漏れ電流が大きくなり、周囲温度が低い時は漏れ電流が小さくなる。同公報においては、半導体チップの周囲温度に応じてリフレッシュ速度を調節するためのオンチップの温度センサーを備え、周囲温度が高い時にリフレッシュ速度を速くするとともに、周囲温度が低い時にはリフレッシュ速度を遅くし、周囲温度に適したリフレッシュ速度に調節することにより、リフレッシュ時の消費電流を適切にすることによって省電力化を実現可能なＤＲＡＭ装置を開示している。
【０００３】
このＤＲＡＭ装置は、概略、温度センサーと、メモリ半導体チップと、温度センサーと、制御回路と、リフレッシュ回路とから構成されており、この温度センサーはメモリ半導体チップ上に配置される。そして、この温度センサーはメモリ半導体チップの周囲温度を検出すると、この検出した周囲温度を示す温度信号を発生する。ここで、制御回路はこの温度センサーからの温度信号を受信し、これに応じて、リフレッシュ回路のリフレッシュ速度を調整するためのリフレッシュ速度信号を生成する。このとき、制御回路にＲＯＭ参照テーブルを組み合わせて配置し、このＲＯＭ参照テーブルに、特定のいくつかの周囲温度に対して望ましいリフレッシュ速度を示す複数の項目を格納しておく。そして、制御回路は適宜このＲＯＭ参照テーブルを参照しつつメモリ半導体チップの周囲温度に依存するリフレッシュ速度を調節している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上述した従来のＤＲＡＭ装置においては、当該ＤＲＡＭ装置内の処理によってリフレッシュ速度を制御している。この制御されるリフレッシュ速度はＤＲＡＭ装置にアクセスする外部の他の装置、例えば、ＣＰＵの当該ＤＲＡＭ装置に対するアクセス動作にも密接に関連する。すなわち、外部の他の装置によるＤＲＡＭ装置へのアクセス動作に対して何等考慮せずにリフレッシュ速度のみを制御すると、他の装置との関係において動作の不整合が発生する。このため、このＤＲＡＭ装置を使用するに際しては、ＤＲＡＭ装置でのリフレッシュ速度の制御状況とＣＰＵのＤＲＡＭ装置に対するアクセス動作状況とに基づいて二つの状況を調停するための調停回路を備えさせなればならないことになる。これにより回路構成が複雑になるとともにコストが増大するという課題があった。また、このような従来のＤＲＡＭ装置は、コンピュータのスタンバイ時等のセルフリフレッシュモードにおいてのみしか機能しないものであった。また、メモリセルアレイのうち、各バンクの１ライン全てを同時にリフレッシュするため、リフレッシュ電流のピークが大きくなってしまうという課題があった。
【０００５】
本発明は、上記課題にかんがみてなされたもので、簡易な手法によってリフレッシュ手法を制御し、ＤＲＡＭ装置内部における半導体チップの周囲温度に対応してリフレッシュ時の消費電流を適切にすることによって省電力化を図ることが可能であるとともに、従来のコンピュータ上で特別な付加回路がなくても何等問題なく動作することが可能なＤＲＡＭ装置およびＤＲＡＭ装置のリフレッシュ方法の提供を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１にかかる発明は、ＤＲＡＭチップのリフレッシュを実行させるためのリフレッシュコマンド信号を一定時間間隔で入力し、ＤＲＡＭチップのリフレッシュを実行するＤＲＡＭ装置において、複数のメモリバンクで構成したＤＲＡＭチップと、上記ＤＲＡＭチップの周囲温度を測定する周囲温度測定手段と、上記周囲温度測定手段にて測定された上記ＤＲＡＭチップの周囲温度に基づいて、上記複数のメモリバンクのうち同時にリフレッシュを実行するリフレッシュ領域のメモリバンクを、各メモリバンクのリフレッシュ頻度が同じになるようにしながら上記測定された周囲温度が低くなるほど段階的に少なくさせて特定するリフレッシュ領域特定手段と、外部から上記リフレッシュコマンド信号を入力するリフレッシュコマンド信号入力手段と、上記リフレッシュコマンド信号が入力されたときに上記リフレッシュ領域特定手段が特定したリフレッシュ領域のメモリバンクに対してリフレッシュを実行するリフレッシュ実行手段とを具備する構成としてある。
【００１４】
上記のように構成した請求項１にかかる発明においては、ＤＲＡＭ装置をＤＲＡＭチップと、周囲温度測定手段と、リフレッシュ領域特定手段と、リフレッシュコマンド信号入力手段と、リフレッシュ実行手段とにより構成する。このとき、リフレッシュ領域特定手段が周囲温度測定手段にて測定されたＤＲＡＭチップの周囲温度に基づいて、上記複数のメモリバンクのうち同時にリフレッシュを実行するリフレッシュ領域のメモリバンクを、各メモリバンクのリフレッシュ頻度が同じになるようにしながら上記測定された周囲温度が低くなるほど段階的に少なくさせて特定する。そして、リフレッシュ実行手段は、上記リフレッシュコマンド信号が入力されたときに、特定されたリフレッシュ領域のメモリバンクに対するリフレッシュを実行する。このように、ＤＲＡＭチップの周囲温度に基づいてリフレッシュ領域を制御することによって、各周囲温度におけるリフレッシュ時の消費電流を平均化することが可能になる。
【００１５】
また、リフレッシュ領域特定手段は周囲温度測定手段にて測定された周囲温度に基づいてリフレッシュ領域のメモリバンクを特定する。
【００１６】
さらに、リフレッシュ領域特定手段は、周囲温度が低下すると一回のリフレッシュの実行にてリフレッシュするメモリバンクを減少させる。すなわち、周囲温度が低い場合は漏れ電流が減少するため、リフレッシュする頻度を少なくすることができる。そこで、リフレッシュするメモリバンクを減少させることによって、実質的にリフレッシュのインターバルを拡大してリフレッシュの頻度を少なくする。
【００１７】
さらに、上記リフレッシュ領域特定手段は、上記周囲温度と上記リフレッシュ領域とを対応させるリフレッシュ領域参照テーブルを備えていてもよい。
上記のように構成した発明においては、リフレッシュ領域特定手段に周囲温度とリフレッシュを実行するメモリバンクとを対応させるリフレッシュ領域参照テーブルを備えさせる。これにより簡易に周囲温度に基づいたメモリバンクを特定することが可能になる。
【００１８】
また、複数のメモリバンクで構成したＤＲＡＭチップを備えるＤＲＡＭ装置のリフレッシュを実行する手法は必ずしも実体のある装置に限られる必要はなく、その方法としても機能することは容易に理解できる。
【００１９】
このため、請求項３にかかる発明は、複数のメモリバンクで構成したＤＲＡＭチップのリフレッシュを実行させるためのリフレッシュコマンド信号を一定時間間隔で入力して該ＤＲＡＭチップのリフレッシュを実行するＤＲＡＭ装置のリフレッシュ方法であって、上記ＤＲＡＭチップの周囲温度を測定する周囲温度測定工程と、上記周囲温度測定工程にて測定された上記ＤＲＡＭチップの周囲温度に基づいて、上記複数のメモリバンクのうち同時にリフレッシュを実行するリフレッシュ領域のメモリバンクを、各メモリバンクのリフレッシュ頻度が同じになるようにしながら上記測定された周囲温度が低くなるほど段階的に少なくさせて特定するリフレッシュ領域特定工程と、外部から上記リフレッシュコマンド信号を入力するリフレッシュコマンド信号入力工程と、上記リフレッシュコマンド信号が入力されたときに上記リフレッシュ領域特定工程にて特定されたリフレッシュ領域のメモリバンクに対してリフレッシュを実行するリフレッシュ実行工程とを具備する構成としてある。
【００２０】
すなわち、必ずしも実体のある装置に限らず、その方法としても有効であることに相違はない。
【００２１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明は、各周囲温度におけるリフレッシュ時の消費電流を平均化することが可能となり、省電力化を図ることが可能なＤＲＡＭ装置を提供することができる。
【００２２】
さらに、請求項２にかかる発明によれば、簡易に周囲温度に基づいたリフレッシュ領域を特定することが可能になる。
【００２３】
さらに、請求項３にかかる発明によれば、各周囲温度におけるリフレッシュ時の消費電流を平均化することが可能となり、省電力化を図ることが可能なＤＲＡＭ装置のリフレッシュ方法を提供することができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
ここでは、下記の順序に従って本発明の実施形態について説明する。
（１）発明の技術概念：
（２）ＤＲＡＭ装置の構成：
（３）第一実施形態：
（４）第二実施形態：
【００２５】
（１）発明の技術概念：
図１〜図４は本発明にかかるＤＲＡＭ装置の技術概念を示した概念図である。
図１において、ＤＲＡＭ装置Ａは、複数のメモリセルを有するＤＲＡＭセルアレイＡ１と、このＤＲＡＭセルアレイＡ１の周囲温度を測定する周囲温度測定部Ａ２と、周囲温度測定部Ａ２にて測定されたＤＲＡＭセルアレイＡ１の周囲温度に基づいてメモリセルのうちリフレッシュを実行するリフレッシュ領域を特定しつつ、特定したリフレッシュ領域に対してリフレッシュを実行したり、あるいは、周囲温度に基づいて、外部のホスト機器より入力するリフレッシュコマンド信号に基づいて生成するリフレッシュ要求信号を適宜間引いてＤＲＡＭセルアレイＡ１に出力するリフレッシュ制御部Ａ３とを備えている。ＤＲＡＭセルアレイＡ１はリフレッシュ要求信号を入力し、当該リフレッシュ要求信号に応じてリフレッシュを実行する。
【００２６】
ここで、上記ＤＲＡＭセルアレイＡ１のメモリセルは、コンデンサと等価な回路にて構成され、データを記憶するためにこのコンデンサに対して電荷が与えられる。しかし、この電荷は漏れ電流によって数ミリ秒で取り去られてしまう。このため、コンデンサに付与されている電荷を周期的にリフレッシュする必要がある。
次に、この漏れ電流と温度との相関関係を図２に示す。同図において、かかる漏れ電流は、温度に比例して大きくなる。すなわち、周囲温度測定部Ａ２にて測定された温度が低い場合は漏れ電流は少なく、温度が高くなるにつれて漏れ電流は多くなる。そして、漏れ電流が少ない場合は、セルに記憶されたデータは長時間保持されることになる。
【００２７】
この漏れ電流とリフレッシュ頻度との相関関係を図３に示す。同図において、漏れ電流が少ない場合はリフレッシュの頻度は少なくてよく、一方、漏れ電流が多くなるにつれてリフレッシュ頻度を多くしていく必要が生じる。そこで、本発明は、図４に示すように、リフレッシュ制御部Ａ３において周囲温度測定部Ａ２にて測定されたＤＲＡＭセルアレイＡ１の周囲温度に基づいてリフレッシュ頻度、すなわち、ＤＲＡＭセルアレイＡ１に出力するリフレッシュ要求信号を適宜間引いて制御することによって変化させ、ＤＲＡＭセルアレイＡ１の周囲の温度に適したリフレッシュを実現するものである。
【００２８】
（２）ＤＲＡＭ装置の構成：
図５は、本発明にかかるＤＲＡＭ装置の構成を示したブロック構成図である。
同図において、ＤＲＡＭ装置１０は、コマンドデコーダ１１と、リフレッシュ制御回路１２と、リフレッシュ制御回路１２に接続された複数のメモリセルを有するＤＲＡＭチップ１３とから構成されている。ここで、コマンドデコーダ１１は、メモリアクセス時においては、外部のホスト機器からアクセスするＤＲＡＭチップ１３のアドレスを示すアドレス信号等が入力される。また、リフレッシュ時においては、外部のホスト機器からリフレッシュを実行するための基準となるリフレッシュコマンド信号を入力する。
【００２９】
また、リフレッシュ制御回路１２にはＤＲＡＭチップ１３の周囲温度を測定する温度センサー１６が接続されるとともに、当該リフレッシュ制御回路１２は、ＲＯＭ１４に接続され、同ＲＯＭ１４に記憶されているデータを読み出し可能になっている。このＲＯＭ１４に記憶されているデータとしては、後述する参照テーブルデータが含まれる。また、リフレッシュ制御回路１２にはＲＡＭ１５が接続されており、同リフレッシュ制御回路１２は、このＲＡＭ１５を処理実行時のワークエリアとして利用しつつ適宜処理状態を記憶させている。
【００３０】
ここで、温度センサー１６は、ＤＲＡＭチップ１３が作りつけられる半導体チップ上に配設されており、この半導体チップの温度を検出し、この温度を示す温度センサー値を生成する。そして、リフレッシュ制御回路１２は、この温度センサー値を取得し、この温度センサー値に基づいてＤＲＡＭチップ１３のメモリセルに対するリフレッシュ頻度を変化させる制御を実行する。
【００３１】
ＲＯＭ１４には、特定の周囲温度に対して望ましいリフレッシュ頻度をそれぞれ示す複数の項目が有する上述した参照テーブルデータを格納されている。
そして、リフレッシュ制御回路１２は、この参照テーブルデータを適宜アクセスし、温度センサー１６から取得した温度センサー値に対応するリフレッシュ頻度を検索しつつ決定する。
【００３２】
ここで、本実施形態において、このリフレッシュ頻度はリフレッシュを実行する起動信号となるリフレッシュ要求信号の間引き度合いにより定義付ける。すなわち、リフレッシュ頻度を上げる場合は、リフレッシュ要求信号の間引き度合いを少なくし、リフレッシュ頻度を下げる場合は、リフレッシュ要求信号の間引き度合いを多くする。以下、リフレッシュ要求信号をＤＲＡＭチップ１３の周囲温度に基づいて適宜間引くことによりリフレッシュ頻度を変化させる態様を説明する。
【００３３】
（３）第一実施形態
図６は、リフレッシュ要求信号を間引いてＤＲＡＭチップに出力することによって、リフレッシュ頻度を変化させるＤＲＡＭ装置の構成の一例を示したブロック構成図である。同図においては、ＤＲＡＭ装置１０をコマンドデコーダ１１と、リフレッシュ制御回路１２と、ＤＲＡＭチップ１３と、ＲＯＭ１４と、ＲＡＭ１５と、温度センサー１６とから構成する。また、ＤＲＡＭチップ１３を４つのメモリバンク１３ａ〜１３ｄにて構成する。ここで、リフレッシュ制御回路１２は、各メモリバンク１３ａ〜１３ｄに相互に接続されており、各メモリバンク１３ａ〜１３ｄに対してリフレッシュを実行させるための起動信号であるリフレッシュ要求信号を出力する。
【００３４】
ＤＲＡＭチップ１３は、このリフレッシュ要求信号を入力すると、リフレッシュを実行する。ここで、通常、このリフレッシュ要求信号は、リフレッシュ制御回路１２からリフレッシュコマンド信号に対応して生成されて出力される。このリフレッシュコマンド信号は、コマンドデコーダ１１が外部のホスト機器より所定の一定間隔で入力するものである。すなわち、リフレッシュコマンド信号に同期してリフレッシュ要求信号が生成され出力される。従って、ＤＲＡＭチップ１３は外部のホスト機器が出力するリフレッシュコマンド信号に従ったリフレッシュ頻度に基づいてリフレッシュを実行することになる。
【００３５】
上述したメモリバンク１３ａ〜１３ｄは、アドレス０〜４０９５に分割されて構成されており、リフレッシュはこの４０９６個のアドレスに対して順次行なわれる。従って、実際には、外部のホストから４０９６回のリフレッシュコマンド信号がリフレッシュ制御回路１２に入力されるとともに、これに合わせて４０９６回のリフレッシュ要求信号がメモリバンク１３ａ〜１３ｄに対して出力される。本実施形態においては、この４０９６回のリフレッシュ要求信号を１サイクルのリフレッシュ要求信号として表現している。従って、リフレッシュ要求信号がメモリバンク１３ａ〜１３ｄに出力されると、各アドレス０〜４０９５のリフレッシュが順次実行されることになる。ここでは、リフレッシュ対象アドレスを４０９６アドレスと表現しているが、これはメモリ装置の構成に依存するものであり、実際には２０４８アドレスや８１９２アドレスのメモリ装置も存在する。
【００３６】
ここで、本実施形態おいては、リフレッシュ制御回路１２はコマンドデコーダ１１からリフレッシュコマンド信号を入力すると、この入力したリフレッシュコマンド信号に基づいてリフレッシュ要求信号を生成するに際し、温度センサー１６から取得したＤＲＡＭチップ１３の周囲温度に基づいて適宜間引いて生成することによってリフレッシュ頻度を変化させる構成を採用する。
【００３７】
図７は、ＲＯＭ１４に格納されている参照テーブルデータ１４ａのデータ構成を示したデータ構成図である。この参照テーブルデータ１４ａは、温度センサー１６によって測定されるＤＲＡＭチップ１３の周囲温度と、リフレッシュ頻度を変化させるためにリフレッシュ要求信号を間引きを考慮したリフレッシュ要求信号割合とを関連付けている。本図及び後述の図１３、図２２は概念が分かり易い様に一般的なＤＲＡＭ装置の仕様に合わせて記述してあるが、実際の内部温度はこの参照テーブルより若干高めとなっている。
【００３８】
同図において、参照テーブルデータ１４ａは、フィールドとして周囲温度１４ａ１とリフレッシュ要求信号間引き度合い１４ａ２とを備えており、各周囲温度に対応したデータとして、データ１４ａ３〜１４ａ１０が格納されている。
ここで、データ１４ａ３は周囲温度が７０℃以上の場合には、リフレッシュ要求信号を間引くことなく、コマンドデコーダ１１から入力したリフレッシュコマンド信号に対応して当該リフレッシュ要求信号を生成しＤＲＡＭチップ１３に出力することによってリフレッシュを実行させることを示している。
【００３９】
また、データ１４ａ４は周囲温度が６０℃以上７０℃未満の場合には、データ１４ａ３と同様にリフレッシュ要求信号を間引くことなく、リフレッシュコマンド信号に対応して生成しＤＲＡＭチップ１３に出力することによりリフレッシュを実行させることを示している。そして、データ１４ａ５は周囲温度が５０℃以上６０℃未満の場合には、コマンドデコーダ１１から入力したリフレッシュコマンド信号を二分の一に間引いてリフレッシュ要求信号を生成しＤＲＡＭチップ１３に対して出力しリフレッシュを実行させることを示している。
【００４０】
そして、データ１４ａ６は周囲温度が４０℃以上５０℃未満の場合には、データ１４ａ５と同様にリフレッシュコマンド信号を二分の一に間引いて生成したリフレッシュ要求信号をＤＲＡＭチップ１３に出力してリフレッシュを実行させることを示している。次のデータ１４ａ７は周囲温度が３０℃以上４０℃未満の場合には、コマンドデコーダ１１から入力したリフレッシュコマンド信号を四分の一に間引いてリフレッシュ要求信号を生成するとともにＤＲＡＭチップ１３に出力してリフレッシュを実行させることを示している。
【００４１】
データ１４ａ８は周囲温度が２０℃以上３０℃未満の場合には、データ１４ａ７と同様にリフレッシュコマンド信号の四分の一に間引いて生成したリフレッシュ要求信号をＤＲＡＭチップ１３に出力してリフレッシュを実行させることを示している。また、データ１４ａ９は周囲温度が１０℃以上２０℃未満の場合には、リフレッシュコマンド信号を八分の一に間引いて生成したリフレッシュ要求信号をＤＲＡＭチップ１３に出力してリフレッシュを実行させることを示している。さらに、データ１４ａ１０は周囲温度が０℃以上１０℃未満の場合には、データ１４ａ９と同様にリフレッシュコマンド信号を八分の一に間引いて生成したリフレッシュ要求信号をＤＲＡＭチップ１３に出力してリフレッシュを実行させることを示している。
【００４２】
図８は、リフレッシュ制御回路１２にて実行される全体処理の概略処理内容を示した図である。
同図において、リフレッシュ制御回路１２では、温度センサー１６が出力する温度センサー値に基づいてＤＲＡＭチップ１３の周囲温度を検出して温度情報として更新する温度情報更新処理と（ステップＳ２０）、この温度センサー値に応じてリフレッシュ要求信号の間引き割合を決定しリフレッシュ要求信号情報として更新するリフレッシュ要求信号情報更新処理と（ステップＳ３０）、この更新されたリフレッシュ要求信号情報に基づいてリフレッシュを実行するリフレッシュ制御処理と（ステップＳ４０）がパラレルに実行されている。
【００４３】
図９は、ステップＳ２０の温度情報更新処理の処理内容を示したフローチャートである。
同図において、最初に、温度センサー１６からＤＲＡＭチップ１３の周囲温度である温度センサー値を取得する（ステップＳ２１）。そして、順次、最高温度の更新および温度センサー値の加算を実行する（ステップＳ２２）。このステップＳ２１での温度センサー値の取得と、ステップＳ２２での加算とを所定期間実行する。そして、所定期間が経過したか否かを判別し（ステップＳ２３）、所定期間を経過していれば、上記ステップＳ２２にて順次加算した温度センサー値の合計を加算回数で除することによって、この所定期間内におけるＤＲＡＭチップ１３の周囲温度の平均を算出する（ステップＳ２４）。そして、この算出された平均周囲温度と最高温度とを温度情報としてＲＡＭ１５に格納し温度情報を更新する（ステップＳ２５）。
【００４４】
図１０は、ステップＳ３０のリフレッシュ要求信号情報更新処理の処理内容を示したフローチャートである。
同図において、リフレッシュ要求信号情報の更新は、温度情報が更新されたタイミングで行うため、適宜ＲＡＭ１５にアクセスして、上述した温度情報更新処理におけるステップＳ２５での温度情報の更新が実行されたか否かを判別する（ステップＳ３１）。温度情報が更新された場合は、ＲＡＭ１５から温度情報を取得する（ステップＳ３２）。
【００４５】
そして、ＲＯＭ１４に格納されている参照テーブルデータ１４ａにアクセスし、この取得した温度情報に基づいて同参照テーブルデータ１４ａの周囲温度１４ａ１を検索するとともに（ステップＳ３３）、対応するリフレッシュ要求信号間引き度合い１４ａ２を読み出して取得する（ステップＳ３４）。そして、この取得したリフレッシュ要求信号間引き度合いをリフレッシュ要求信号情報としてＲＡＭ１５に格納しリフレッシュ要求信号情報を更新する（ステップＳ３５）。
【００４６】
図１１は、ステップＳ４０のリフレッシュ制御処理の処理内容を示したフローチャートである。
同図においては、最初に、ホストからの要求に基づくリフレッシュ要求信号をオンするタイミングであるか否かを判別する（ステップＳ４１）。リフレッシュ要求信号をオンするタイミングであれば、ＲＡＭ１５にアクセスし、格納されているリフレッシュ要求信号情報を取得する（ステップＳ４２）。そして、メモリバンク１３ａ〜１３ｄに対してリフレッシュ要求信号をオンにする（ステップＳ４３）。ここで、次にステップＳ４０１にて判別されるタイミングは、当該リフレッシュ要求信号をオンした場合の間引き度合いに基づくことは言うまでもない。
【００４７】
すなわち、取得したリフレッシュ要求信号情報にリフレッシュ要求信号の間引き度合いが二分の一と設定されていれば、次回のリフレッシュ要求信号は、一回間引きをした後になる。また、間引き度合いが四分の一に設定されていれば、次回のリフレッシュ要求信号は、三回間引きした後になる。ここで、図１２はリフレッシュ要求信号に対して間引きを行った場合のタイミングチャートを示している。
【００４８】
上述した実施形態においては、リフレッシュ制御回路１２にて、コマンドデコーダ１１から入力するリフレッシュコマンド信号に基づいて一定間隔で生成されるリフレッシュ要求信号を、温度センサー１６にて検出されるＤＲＡＭチップ１３の周囲温度に基づいて適宜間引くことにより、コンピュータシステムの他の装置との調和を取りつつ、ＤＲＡＭチップ１３で実行されるリフレッシュのリフレッシュ頻度を変化させる構成を採用した。
【００４９】
むろん、ＤＲＡＭチップ１３で実行されるリフレッシュ頻度を変化させる構成は、上述したようなリフレッシュ要求信号を適宜間引く手法に限定されるものではない。例えば、リフレッシュするメモリバンク数を周囲温度に基づいて限定することにより、リフレッシュ頻度を変化させる構成を採用しても良い。
【００５０】
（４）第二実施形態
ここで、本発明にかかる第二実施形態は、所定の周期にて行われるリフレッシュにおいて、リフレッシュバンク１３ａ１〜１３ｄ１をＤＲＡＭチップ１３の周囲温度に応じて限定することにより、リフレッシュ頻度を変化させる構成を採用する。
【００５１】
図１３は、この第二実施形態にて利用するＲＯＭ１４に格納されている参照テーブルデータ１４ｂのデータ構成を示したデータ構成図である。この参照テーブルデータ１４ｂは、温度センサー１６によって測定されるＤＲＡＭチップ１３の周囲温度と、リフレッシュを行うメモリバンク数とを関連付けている。同図において、参照テーブルデータ１４ｂは、フィールドとして温度１４ｂ１とメモリバンク数１４ｂ２とを備えており、データ１４ｂ３〜１４ｂ１０が格納されている。ここで、データ１４ｂ３は周囲温度が７０℃以上の場合は、４つのメモリバンクに対してリフレッシュを実行することを示している。データ１４ｂ４は周囲温度が６０℃以上７０℃未満の場合は、４つのメモリバンクに対してリフレッシュを実行することを示している。データ１４ｂ５は周囲温度が５０℃以上６０℃未満の場合は、３つのメモリバンクに対してリフレッシュを実行することを示している。
【００５２】
データ１４ｂ６は周囲温度が４０℃以上５０℃未満の場合は３つのメモリバンクに対してリフレッシュを実行することを示している。データ１４ｂ７は周囲温度が３０℃以上４０℃未満の場合は２つのメモリバンクに対してリフレッシュを実行することを示している。データ１４ｂ８は周囲温度が２０℃以上３０℃未満の場合は２つのメモリバンクに対してリフレッシュを実行することを示している。データ１４ｂ９は周囲温度が１０℃以上２０℃未満の場合は１つのメモリバンクに対してリフレッシュを実行することを示している。データ１４ｂ１０は周囲温度が０℃以上１０℃未満の場合は１つのメモリバンクに対してリフレッシュを実行することを示している。
【００５３】
図１４は、この第二実施形態を採用した場合にリフレッシュ制御回路１２にて実行される全体処理の概略処理内容を示した図である。
同図において、リフレッシュ制御回路１２では、温度センサー１６が出力する温度センサー値に基づいてＤＲＡＭチップ１３の周囲温度を検出して温度情報として更新する温度情報更新処理と（ステップＳ２００）、この温度センサー値に応じてリフレッシュするメモリバンク１３ａ〜１３ｄを限定しメモリバンク情報として更新するメモリバンク情報更新処理と（ステップＳ３００）、この更新されたメモリバンク情報に基づいてメモリバンク１３ａ〜１３ｄに対するリフレッシュ要求信号の出力態様を制御して適宜メモリバンク１３ａ〜１３ｄにてリフレッシュを実行させるリフレッシュ要求信号制御処理と（ステップＳ４００）がパラレルに実行されている。
【００５４】
図１５は、ステップＳ２００の温度情報更新処理の処理内容を示したフローチャート図である。
同図において、最初に、温度センサー１６からＤＲＡＭチップ１３の周囲温度である温度センサー値を取得する（ステップＳ２１０）。そして、順次、最高温度の更新および温度センサー値の加算を実行する（ステップＳ２２０）。このステップＳ２１０の温度センサー値の取得と、ステップＳ２２０での加算とを所定期間実行する。そして、所定期間が経過したか否かを判別し（ステップＳ２３０）、所定期間を経過していれば、上記ステップＳ２２０にて順次加算した温度センサー値の合計を加算回数で除することによって、この所定期間内におけるＤＲＡＭチップ１３の周囲温度の平均を算出する（ステップＳ２４０）。そして、この算出された平均周囲温度と最高温度とを温度情報としてＲＡＭ１５に格納して温度情報を更新する（ステップＳ２５０）。
【００５５】
図１６は、ステップＳ３００のメモリバンク情報更新処理の処理内容を示したフローチャート図である。
同図において、メモリバンク情報の更新は温度情報が更新されたタイミングで行うため、適宜ＲＡＭ１５にアクセスすることによって上述した温度情報更新処理におけるステップＳ２５０での温度情報の更新が実行されたか否かを判別する（ステップＳ３１０）。温度情報が更新された場合は、ＲＡＭ１５から温度情報を取得する（ステップＳ３２０）。そして、ＲＯＭ１４に格納されている参照テーブルデータ１４ｂにアクセスし、この取得した温度情報に基づいて同参照テーブルデータ１４ｂの温度１４ｂ１を検索するとともに（ステップＳ３３０）、対応するメモリバンク数１４ｂ２を読み出して取得する（ステップＳ３４０）。そして、この取得したメモリバンク数をメモリバンク情報としてＲＡＭ１５に格納することによってメモリバンク情報を更新する（ステップＳ３５０）。
【００５６】
図１７は、ステップＳ４００のリフレッシュ要求信号制御処理の処理内容を示したフローチャート図である。
同図において、最初に、ホストからの要求に基づくリフレッシュ要求信号をオンするタイミングであるか否かを判別する（ステップＳ４１０）。リフレッシュ要求信号をオンするタイミングであれば、ＲＡＭ１５にアクセスし、格納されているメモリバンク情報を取得する（ステップＳ４２０）。そして、このメモリバンク情報に基づいて所定のメモリバンク１３ａ〜１３ｄに対してリフレッシュ要求信号をオンにする（ステップＳ４３０）。
【００５７】
図１８〜図２１は、上述した第二実施形態によってリフレッシュを行うメモリバンク１３ａ〜１３ｄを限定した場合のタイミングチャート図である。図１８においては、リフレッシュコマンド信号がオンになってリフレッシュを行うに際して、リフレッシュするメモリバンク数が一つである場合を示しており、かかる場合、リフレッシュコマンド信号がオンする毎に、各メモリバンクに対してリフレッシュ要求信号が出力される。また、図１９においては、リフレッシュコマンド信号がオンになってリフレッシュを行うに際して、リフレッシュするメモリバンク数が二つである場合を示している。また、図２０においては、リフレッシュコマンド信号がオンになってリフレッシュを行うに際して、リフレッシュするメモリバンク数が三つである場合を示している。また、図２１においては、リフレッシュコマンド信号がオンになってリフレッシュを行うに際して、リフレッシュするメモリバンク数が四つである場合を示している。この図２１は、従来のリフレッシュの態様を示している。
【００５８】
本実施形態においてはＤＲＡＭチップ１３をメモリバンク１３ａ〜１３ｄの４つにて構成する態様を採用しているが、むろん、ＤＲＡＭチップ１３に配置するメモリバンク数は特に限定されるものではなく設計変更事項である。そして、メモリバンク数を増加減した場合は、参照テーブルデータ１４ｂを適宜変更すればこの設計変更に対応できることは言うまでもない。
【００５９】
また、本実施形態のようにメモリバンク数で固定する場合は、図１３に示すように参照テーブルデータ１４ｂを予め固定的に決めておけば良い。一方、メモリバンク数をさらに分割する場合、このように固定的に決めておくと不都合が生じる。かかる場合は、周囲温度に対応するメモリバンク数を全体のメモリバンク数に対する割合で決めておくと好適である。図２２は、このようにリフレッシュするメモリバンク数を全体のメモリバンク数に対する割合で決める場合の参照テーブルデータ１４ｃのデータ構成を示したデータ構成図である。
【００６０】
この参照テーブルデータ１４ｃは、温度センサー１６によって測定されるＤＲＡＭチップ１３の周囲温度と、リフレッシュを行うメモリバンク割合を関連付けている。同図において、参照テーブルデータ１４ｃは、フィールドとして温度１４ｃ１とメモリバンク割合１４ｃ２とを備えており、データ１４ｃ３〜１４ｃ１１が格納されている。ここで、データ１４ｃ３は周囲温度が７０℃以上の場合は、全体のメモリバンクに対してリフレッシュを実行することを示している。データ１４ｃ４は周囲温度が６０℃以上７０℃未満の場合は、全体のメモリバンクに対してリフレッシュを実行することを示している。データ１４ｃ５は周囲温度が５０℃以上６０℃未満の場合は、全体のメモリバンクの二分の一のメモリバンクに対してリフレッシュを実行することを示している。
【００６１】
データ１４ｃ６は周囲温度が４０℃以上５０℃未満の場合は、全体のメモリバンクの二分の一のメモリバンクに対してリフレッシュを実行することを示している。データ１４ｃ７は周囲温度が３０℃以上４０℃未満の場合は、全体のメモリバンクの四分の一のメモリバンクに対してリフレッシュを実行することを示している。データ１４ｃ８は周囲温度が２０℃以上３０℃未満の場合は、全体のメモリバンクの四分の一のメモリバンクに対してリフレッシュを実行することを示している。
【００６２】
また、データ１４ｃ９は周囲温度が１０℃以上２０℃未満の場合は、全体のメモリバンクの八分の一のメモリバンクに対してリフレッシュを実行することを示している。データ１４ｃ１０は周囲温度が０℃以上１０℃未満の場合は、全体のメモリバンクの八分の一のメモリバンクに対してリフレッシュを実行することを示している。かかる態様を採用した場合は、上述したメモリバンク情報更新処理のステップＳ３５０にてメモリバンク情報を更新する際に、全体のメモリバンクとメモリバンク割合とに基づいて演算を行い、リフレッシュするメモリバンク数を決めるようにすれば良いことになる。
【００６３】
このように、温度センサー１６にて検出するＤＲＡＭチップ１３の周囲温度に基づいて、リフレッシュ制御回路１２にてリフレッシュ要求信号を生成するに際して、当該リフレッシュ要求信号を適宜間引いて生成しつつＤＲＡＭチップ１３に対して出力することによって、簡易な構成でＤＲＡＭチップ１３の周囲温度に対応して各周囲温度におけるリフレッシュ時の消費電流を平均化させることが可能になるとともに、省電力化を図ることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明にかかるＤＲＡＭ装置の技術概念を示した概念図である。
【図２】本発明にかかるＤＲＡＭ装置の技術概念を示した概念図である。
【図３】本発明にかかるＤＲＡＭ装置の技術概念を示した概念図である。
【図４】本発明にかかるＤＲＡＭ装置の技術概念を示した概念図である。
【図５】本発明にかかるＤＲＡＭ装置の構成を示したブロック構成図である。
【図６】ＤＲＡＭ装置の構成の一例を示したブロック構成図である。
【図７】第一実施形態にて利用するＲＯＭ１４に格納されている参照テーブル１４ａのデータ構成例を示したデータ構成図である。
【図８】第一実施形態を採用した場合にリフレッシュ制御回路１２にて実行される全体処理の概略処理内容を示した図である。
【図９】温度情報更新処理の処理内容を示したフローチャート図である。
【図１０】リフレッシュ要求信号情報更新処理の処理内容を示したフローチャート図である。
【図１１】リフレッシュ要求信号制御処理の処理内容を示したフローチャート図である。
【図１２】リフレッシュコマンド信号に対して間引きを行った場合のタイミングチャート図である。
【図１３】第二実施形態にて利用するＲＯＭ１４に格納されている参照テーブル１４ｂのデータ構成例を示したデータ構成図である。
【図１４】第二実施形態を採用した場合にリフレッシュ制御回路１２にて実行される全体処理の概略処理内容を示した図である。
【図１５】温度情報更新処理の処理内容を示したフローチャート図である。
【図１６】メモリバンク情報更新処理の処理内容を示したフローチャート図である。
【図１７】リフレッシュ要求信号制御処理の処理内容を示したフローチャート図である。
【図１８】第二実施形態によってリフレッシュを行うメモリバンク１３ａ〜１３ｄを限定した場合のタイミングチャート図である。
【図１９】第二実施形態によってリフレッシュを行うメモリバンク１３ａ〜１３ｄを限定した場合のタイミングチャート図である。
【図２０】第二実施形態によってリフレッシュを行うメモリバンク１３ａ〜１３ｄを限定した場合のタイミングチャート図である。
【図２１】第二実施形態によってリフレッシュを行うメモリバンク１３ａ〜１３ｄを限定した場合のタイミングチャート図である。
【図２２】ＲＯＭ１４に格納される参照テーブル１４ｂのデータ構成についての変形例を示したデータ構成図である。
【符号の説明】
１０…ＤＲＡＭ装置
１１…コマンドデコーダ
１２…リフレッシュ制御回路
１３…ＤＲＡＭチップ
１３ａ〜１３ｄ…メモリバンク
１４…ＲＯＭ
１５…ＲＡＭ
１６…温度センサー
Claims (3)
- ＤＲＡＭチップのリフレッシュを実行させるためのリフレッシュコマンド信号を一定時間間隔で入力し、ＤＲＡＭチップのリフレッシュを実行するＤＲＡＭ装置において、
複数のメモリバンクで構成したＤＲＡＭチップと、
上記ＤＲＡＭチップの周囲温度を測定する周囲温度測定手段と、
上記周囲温度測定手段にて測定された上記ＤＲＡＭチップの周囲温度に基づいて、上記複数のメモリバンクのうち同時にリフレッシュを実行するリフレッシュ領域のメモリバンクを、各メモリバンクのリフレッシュ頻度が同じになるようにしながら上記測定された周囲温度が低くなるほど段階的に少なくさせて特定するリフレッシュ領域特定手段と、
外部から上記リフレッシュコマンド信号を入力するリフレッシュコマンド信号入力手段と、
上記リフレッシュコマンド信号が入力されたときに上記リフレッシュ領域特定手段が特定したリフレッシュ領域のメモリバンクに対してリフレッシュを実行するリフレッシュ実行手段とを具備することを特徴とするＤＲＡＭ装置。 - 上記請求項１に記載のＤＲＡＭ装置において、
上記リフレッシュ領域特定手段は、上記周囲温度と上記メモリバンクとを対応させるリフレッシュ領域参照テーブルを備えることを特徴とするＤＲＡＭ装置。 - 複数のメモリバンクで構成したＤＲＡＭチップのリフレッシュを実行させるためのリフレッシュコマンド信号を一定時間間隔で入力して該ＤＲＡＭチップのリフレッシュを実行するＤＲＡＭ装置のリフレッシュ方法であって、
上記ＤＲＡＭチップの周囲温度を測定する周囲温度測定工程と、
上記周囲温度測定工程にて測定された上記ＤＲＡＭチップの周囲温度に基づいて、上記複数のメモリバンクのうち同時にリフレッシュを実行するリフレッシュ領域のメモリバンクを、各メモリバンクのリフレッシュ頻度が同じになるようにしながら上記測定された周囲温度が低くなるほど段階的に少なくさせて特定するリフレッシュ領域特定工程と、
外部から上記リフレッシュコマンド信号を入力するリフレッシュコマンド信号入力工程と、
上記リフレッシュコマンド信号が入力されたときに上記リフレッシュ領域特定工程にて特定されたリフレッシュ領域のメモリバンクに対してリフレッシュを実行するリフレッシュ実行工程とを具備することを特徴とするＤＲＡＭ装置のリフレッシュ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001148972A JP4700223B2 (ja) | 2001-05-18 | 2001-05-18 | Ｄｒａｍ装置およびｄｒａｍ装置のリフレッシュ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001148972A JP4700223B2 (ja) | 2001-05-18 | 2001-05-18 | Ｄｒａｍ装置およびｄｒａｍ装置のリフレッシュ方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002343079A JP2002343079A (ja) | 2002-11-29 |
| JP4700223B2 true JP4700223B2 (ja) | 2011-06-15 |
Family
ID=18994198
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001148972A Expired - Fee Related JP4700223B2 (ja) | 2001-05-18 | 2001-05-18 | Ｄｒａｍ装置およびｄｒａｍ装置のリフレッシュ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4700223B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100532448B1 (ko) * | 2003-07-12 | 2005-11-30 | 삼성전자주식회사 | 메모리의 리프레시 주기를 제어하는 메모리 컨트롤러 및리프레시 주기 제어 방법 |
| US8122187B2 (en) * | 2004-07-02 | 2012-02-21 | Qualcomm Incorporated | Refreshing dynamic volatile memory |
| JP2006146992A (ja) | 2004-11-16 | 2006-06-08 | Elpida Memory Inc | 半導体メモリ装置 |
| US7206244B2 (en) * | 2004-12-01 | 2007-04-17 | Freescale Semiconductor, Inc. | Temperature based DRAM refresh |
| US7640392B2 (en) * | 2005-06-23 | 2009-12-29 | Qualcomm Incorporated | Non-DRAM indicator and method of accessing data not stored in DRAM array |
| US7230876B2 (en) | 2005-02-14 | 2007-06-12 | Qualcomm Incorporated | Register read for volatile memory |
| US7590473B2 (en) * | 2006-02-16 | 2009-09-15 | Intel Corporation | Thermal management using an on-die thermal sensor |
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| US9262326B2 (en) | 2006-08-14 | 2016-02-16 | Qualcomm Incorporated | Method and apparatus to enable the cooperative signaling of a shared bus interrupt in a multi-rank memory subsystem |
| US9336855B2 (en) * | 2013-05-14 | 2016-05-10 | Qualcomm Incorporated | Methods and systems for smart refresh of dynamic random access memory |
| JP2015219927A (ja) | 2014-05-14 | 2015-12-07 | マイクロン テクノロジー， インク． | 半導体装置 |
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2001
- 2001-05-18 JP JP2001148972A patent/JP4700223B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2002343079A (ja) | 2002-11-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080310 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101104 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101109 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101202 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110208 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110304 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |