JPS6231091A - ダイナミツクメモリのリフレツシユ制御方式 - Google Patents

ダイナミツクメモリのリフレツシユ制御方式

Info

Publication number
JPS6231091A
JPS6231091A JP60170705A JP17070585A JPS6231091A JP S6231091 A JPS6231091 A JP S6231091A JP 60170705 A JP60170705 A JP 60170705A JP 17070585 A JP17070585 A JP 17070585A JP S6231091 A JPS6231091 A JP S6231091A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
refresh
address signal
signal
memory
row address
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP60170705A
Other languages
English (en)
Inventor
Tsuruo Koga
古賀 鶴雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP60170705A priority Critical patent/JPS6231091A/ja
Publication of JPS6231091A publication Critical patent/JPS6231091A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はダイナミックメモリのりフレッシェ制御方式に
関する。
〔従来の技術〕
ダイナミックメモリは記憶部(メモリセル)がストレー
ジキャパシタで酵成されている為、蓄積電荷がしきい値
以下になる前に再充電即ちリフレッシュ動作を行わなけ
ればならない。この為、一定期間毎にメモリ外部よりメ
モリの行アドレス信号を全て選択しリフレッシュ動作を
行う方法がとられていた。
第2図は従来のダイナミックメモリのり7レツシS’?
lf制御回路の一例のブロック図である。
この回路は、す7レツシ工動作に必−決なリフレッシュ
行アドレス信号を一定期間毎に発生させるための97レ
ツシユ行アドレス信号発生回路としてのリフレッシュカ
ウンタ2と、外部からの行アドレス信号1列アドレス信
号及び前記リフレッシュ行アドレス信号を選択してダイ
ナミックメモリlへ送出する第1のセレクタ3と、一定
期間毎に割込信号を発生する制御回路としてのタイミン
グコントローラ4とを含んで構成されている。
次に、この回路の動作について説明する。
まず、続出し及び書込み動作ではCPU等の外部から与
えられる行、列アドレス信号はタイミングコントローラ
4で発生した切換信号によりセレクタ3で行アドレス信
号、列アドレス信号の順で与えられる。さらに、タイミ
ングコントローラ4で発生した几A S (Raw A
ddress 5trobe )、CAS(Colum
n Address 5trobe)信号によりダイナ
ミックメモ17 lに与える。この時続出し又は書込み
信号が続出しモードであればダイナミックメモリ1より
データが出力され、書込みモードであれば入力データが
ダイナミックメモリlに書込まれる。
リフレッシュ行アドレス信号はクロック信号を利用して
リフレッシュカウンタ2によって作られ、セレクタ3に
与えられると同時にタイミングコントローラ4にも一定
期間毎にトリガ信号を出力する。このトリガ信号により
タイミングコントロー″ニア4は外部のCP’U等へ割
込み信号を出力すると共にセレクタ3をリフレッシュ行
アドレス信号に選択し、さらに行アドレス信号をダイミ
ックメモリ1がラッチするためのRAS信号を出力する
このように一定期間毎にリフレッシュ用の行アドレス信
号を選択することにより、ダイナミックメモリlへのリ
フレッシュ動作を行う。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述し友ように、従来ダイナミックメモリを使用する場
合通常の読み書き動作以外にこのす7レツシ工動作が存
在する。即ち、このり7レツクス期間はCPUからのメ
モリへのアクセスができない為、CPUからみれば使用
効率を落としてしまうという欠点がある。
本発明の目的は、読み書きをしたダイナミックメモリの
行アドレスについてはリフレッシュ動作は行わず、ダイ
ナミックメモリの使用効率を上げるリフレッシュ制御方
式を提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明のダイナミックメモリのリフレッシュ制御方式は
、−リフレッシュ動作に必要なリフレッシュ行アドレス
信号を一定期間毎に発生させるためのリフレッシュ行ア
ドレス信号発生回路と、外部からの行アドレス信号9列
アドレス信号及び前記1) 7レツクス行アドレス信号
を選択してダイナミックメモリへ送出する第一のセレク
タと、リフレッシュ行アドレス信号とCPU等からの行
アドレス信号を選択する第2のセレクタと、読み書きし
たことを記憶し、かつ読み誉きした行アドレス信号とり
フレッシェ信号を比較して両アドレス信号が一致したと
き、一致信号を発生する記憶回路と、前記一致信号が出
力されたときはりフレッシェ動作を行うためのCPUへ
の割込信号を発生せず、一致信号が出力されないときは
一定期間毎に前記割込信号を発生する制御回路とを含ん
で構成される0 〔実施例〕 次に、本発明の実施例について図面を用いて説しッジ為
行アドレス信号を一定期間毎に発生させるためのリフレ
ッシュ行アドレス信号発生回路としてのりフレッシェカ
クンタ2と、外部からの行アドレス信号1列アドレス信
号及び前記リフレッシュ行アドレス信号を選択してダイ
ナミックメモリlへ送出する第一のセレクタ3と、読み
書きしたことを記憶し、かつ読み書きした行アドレス信
号とリスレツクス信号を比較して両アドレス信号が一致
したとき、一致信号を発生する記憶回路としてのリセッ
ト付メモリ5、一致信号Cが出力されたときはリフレッ
シュ動作を行うだめのCPUへの割込信号を発生せず、
一致信号Cが出力されないときは一定期間毎に割込信号
を発生する制御回路としてのタイミングコントローラ4
及びリフレッシュ行アドレス信号とCPUから送られる
行アドレス信号を選択してリセット付メモリ5に与える
第2のセレクタ6とを含んで構成される。次に、この実
施例の動作について説明する。
まず、CPU等からの祝出し又は書込み動作において、
行2列アドレス信号はセレクタ3で切換えられ、タイミ
ングコントローラ4で発生した几As、CAS信号によ
りダイナミックメモリ1に与えられる。この時、読出し
モードRであればダイナミックメモリlよりデータが出
力され書込みモードWであれば人力データがダイナミッ
クメモリlに書込まれる。また同時に、行アドレス信号
はセレクタ6を通りリセット付メモリ5に与えられ、C
PUがメモリに対して胱出し又は書込み動作を行ってい
る時はタイミングコントローラ4から書込み信号W、チ
ップセレクト信号C8が発生され、リセット付メモリ5
にデータ111が書込まれる。
この場合、リセット付メモリ5はあらかじめリセット信
号によりすべてのメモリセルのデータはクリア(”O”
)になっている。
次に、リフレッシュ動作について説明する。
リフレッシュアドレス信号はり7レツシエカウンタ2に
よって作られセレクタ3,6に与えられると同時にタイ
ミングコントローラ4に一定期間毎に割込みをかけその
トリガ信号によりタイミングコントローラ4によりセレ
クタ6を行アドレス信号から97レツシユアドレス信号
へ切換ると共にリセット付メモリ5を続出しモードにす
る。もしリセット付メモリ5の出力データが′1″レベ
ルになっていれば、すでに行アドレス信号は選択された
ものと判断しセレクタ3はリフレッシュアドレス信号へ
切換えは行わず、さらにCPUへの割込みは発生しない
が10ルベルならばセレクタ3はリフレッシュアドレス
信号へ切換えダイナミックメモリlのリフレッシュを行
うと共にCPUへ割込みをかける。またリセット付メモ
リ5のリセットはダイナミックメモリ1のリフレッシュ
期間を保証するためであり、リフレッシュ期間の1/2
期間ごとにり゛セットすれば問題はない。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明は、CPUからの読み書き
等のメモリへのアクセスがダイナミックメモリのリフレ
ッシュ期間の1/2期間内に1度でもめればその行アド
レスへのり7レツシエは省略するようにし、この結果C
PUへの割込み回数を減らすことができるようにした為
メモリの使用効率を高めることができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例のブロック図等命4、第2図
は従来のブロック図である。 l・・・・・・ダイナミックメモリ、2・・・・・・す
7レツシエカウンタ、3・・・・・・第1のセレクタ、
4・・・・・・タイミングコントローラ、5・・・・・
・リセット付メモリ、6・・・・・・第2のセレクタ、
C・・・・・・一致信号。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. リフレッシュ動作に必要なリフレッシュ行アドレス信号
    を一定期間毎に発生させるためのリフレッシュ行アドレ
    ス信号発生回路と、外部からの行アドレス信号、列アド
    レス信号及び前記リフレッシュ行アドレス信号を選択し
    てダイナミックメモリへ送出する第1のセレクタと、リ
    フレッシュ行アドレス信号とCPU等からの行アドレス
    信号を選択する第2のセレクタと、読み書きしたことを
    記憶し、かつ読み書きした行アドレス信号とリフレッシ
    ュ信号を比較して両アドレス信号が一致したとき、一致
    信号を発生する記憶回路と、前記一致信号が出力された
    ときはリフレッシュ動作を行うためのCPUへの割込信
    号を発生せず、一致信号が出力されないときは一定期間
    毎に前記割込信号を発生する制御回路とを含むことを特
    徴とするダイナミックメモリのリフレッシュ制御方式。
JP60170705A 1985-08-02 1985-08-02 ダイナミツクメモリのリフレツシユ制御方式 Pending JPS6231091A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60170705A JPS6231091A (ja) 1985-08-02 1985-08-02 ダイナミツクメモリのリフレツシユ制御方式

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60170705A JPS6231091A (ja) 1985-08-02 1985-08-02 ダイナミツクメモリのリフレツシユ制御方式

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6231091A true JPS6231091A (ja) 1987-02-10

Family

ID=15909865

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60170705A Pending JPS6231091A (ja) 1985-08-02 1985-08-02 ダイナミツクメモリのリフレツシユ制御方式

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6231091A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6433793A (en) * 1987-07-30 1989-02-03 Toshiba Corp Refresh controller

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6433793A (en) * 1987-07-30 1989-02-03 Toshiba Corp Refresh controller

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2534757B2 (ja) リフレッシュ回路
US5251178A (en) Low-power integrated circuit memory
KR20100022061A (ko) 메모리 영역을 선택하는 방법, 회로, 및 시스템
KR0142795B1 (ko) 디램 리프레쉬 회로
JPH01125795A (ja) 仮想型スタティック半導体記憶装置及びこの記憶装置を用いたシステム
JP2003007054A (ja) 半導体記憶装置
JPH0312395B2 (ja)
WO1998018130A1 (en) Intelligent refresh controller for dynamic memory devices
US20050002254A1 (en) Refresh control and internal voltage generation in semiconductor memory device
JPS6231091A (ja) ダイナミツクメモリのリフレツシユ制御方式
JPH0689571A (ja) ダイナミック型メモリ装置
US5946269A (en) Synchronous RAM controlling device and method
EP0457310A2 (en) Memory card
JP2002269981A (ja) 半導体メモリ装置
JPH04153984A (ja) ダイナミックメモリの制御方法
JPH0359876A (ja) ダイナミック型半導体メモリのリフレッシュ信号生成回路
JPH07146814A (ja) メモリ装置
JPS63155495A (ja) 擬似スタテイツクメモリ装置
JPH0660645A (ja) 節電型メモリ装置
JPH09320263A (ja) 半導体記憶装置およびそのリフレッシュ制御方法
JPH11176155A (ja) Dramリフレッシュ回路
JPH02130792A (ja) メモリアクセス制御回路
JPS6120295A (ja) アドレス制御用集積回路
JPH04362594A (ja) メモリバックアップ制御装置
JPH01265358A (ja) ビットリバース回路