JP3974287B2 - アドレス信号供給方法及びそれを利用した半導体記憶装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、アドレス信号供給方法及びそれを利用した半導体記憶装置に係り、特に、半導体記憶装置に格納されているデータの読み出し及び再書き込み動作に利用するアドレス信号供給方法及びそれを利用した半導体記憶装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
例えば、コンピュータ,各種携帯用機器等に広く利用されているDRAM(Dynamic Random Access Memory)は、その動作原理上、一定周期毎に格納されているデータを読み出して再書き込みを行なう、いわゆるリフレッシュ動作を行なわないと格納されているデータがキャパシタのリーク電流により失われてしまう。したがって、半導体記憶装置は待機時であってもリフレッシュ動作を行なっている。
【0003】
このリフレッシュ動作は、前回のリフレッシュ動作を行なってから一番時間が経過しているアドレスから順次行われる必要がある。したがって、前回のリフレッシュ動作を行なってから一番時間が経過しているアドレスからリフレッシュ動作が開始され、そのリフレッシュ動作を行なうアドレス(以下、リフレッシュアドレスという)を順にカウントアップすることで対応していた。
【0004】
以下、一例としてリフレッシュアドレスが3ビットである場合の動作について簡単に説明する。図1は、リフレッシュアドレスを表す一例のタイミング図を示す。
図1のタイミング図の場合、前回のリフレッシュ動作を行なってから一番時間が経過しているアドレスは(A2,A1,A0)=(0,0,0)であり、その後リフレッシュアドレスが(A2,A1,A0)=(0,0,1),(0,1,0),・・・・・ ,(1,1,1),(0,0,0),・・・・・ ,の順にカウントアップされる。
【0005】
したがって、リフレッシュ動作は前回のリフレッシュ動作を行なってから一番時間が経過しているアドレス(A2,A1,A0)=(0,0,0)から開始され、その後(A2,A1,A0)=(0,0,1),(0,1,0),・・・・・ ,(1,1,1),(0,0,0),・・・・・ ,の順に行われていた。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のリフレッシュ動作では生成したリフレッシュアドレス(An−1,An−2,・・・・・ ,A0)をメモリアドレス(MAn−1,MAn−2,・・・・・ ,MA0)にそのまま対応させており、メモリアドレス側の負荷容量については何ら考慮されていない。
【0007】
例えばリフレッシュアドレスのAn−1を最上位アドレス,A0を最下位アドレスとすると、最下位アドレスA0が最も頻繁に変化するため、その最下位アドレスA0に接続されているメモリアドレスMA0側の負荷容量が大きい場合に消費電流が増大するという問題があった。
本発明は、上記の点に鑑みなされたもので、データの読み出し及び再書き込み動作時の消費電力を削減するアドレス信号供給方法及びそれを利用した半導体記憶装置を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
そこで、上記課題を解決するため、本発明は、所定時間毎にメモリセルに格納しているデータを読み出して再書き込みする半導体記憶装置において、前記メモリセルに格納するデータのメモリアドレスに応じた第1アドレス信号を順次出力するアドレス信号発生手段を有し、前記第1アドレス信号を構成する複数のビット信号のうちデータ状態の変化が頻繁なビット信号ほど負荷容量が小さくなるように、前記複数のビット信号を前記データを読み出して再書き込みするメモリアドレスに割り当てることを特徴とする。
このように、アドレス信号発生手段からメモリセルに格納することができるデータに応じた第1アドレス信号が順次出力され、その第1アドレス信号を構成する複数のビット信号のうちデータ状態の変化(High/Low)が頻繁なビット信号ほど負荷容量が小さくなるように、前記複数のビット信号を前記データを読み出して再書き込みするメモリアドレスに割り当てることにより、データ保持のために必要なデータを読み出して再書き込みする動作の消費電力を削減することが可能である。
【0009】
このように、アドレス信号発生手段からメモリセルに格納することができるデータに応じた第1アドレス信号が順次出力され、その第1アドレス信号を構成する複数のビット信号のうちデータ状態の変化(High/Low)が頻繁なビット信号ほど負荷容量が小さくなるように、前記複数のビット信号を前記データを読み出して再書き込みするメモリアドレスに割り当てることにより、データ保持のために必要なデータを読み出して再書き込みする動作の消費電力を削減することが可能である。
【0010】
これは、ビット信号のうちデータ状態の変化が頻繁なビット信号に負荷容量が大きいメモリアドレスが割り当てられた場合に消費電流が大きくなることに基づいたもので、頻繁にデータ状態が変化するビット信号に負荷容量が小さいメモリアドレスを割り当て、データ状態の変化が少ないビット信号に負荷容量が大きいメモリアドレスを割り当てることにより、データ保持のために必要なデータを読み出して再書き込みする動作の消費電力を削減することが可能となる。
【0011】
以上のような、データ保持のために必要なデータを読み出して再書き込みする動作の消費電力を削減することにより、半導体記憶装置を利用している例えば携帯用電子機器の可働時間の延長が可能となる。
また、本発明は、ロー及びコラムに対応して縦横に配列されるメモリセルと、リフレッシュ時に前記メモリセルに格納するデータのローアドレスに応じた第1アドレス信号を順次出力するアドレス信号発生手段と、前記第1アドレス信号を構成する複数のビット信号のうちデータ状態の変化が頻繁なビット信号ほど負荷容量が小さくなるように、前記複数のビット信号を前記リフレッシュを行なうローアドレスに割り当てるように接続する配線パターンとを有することを特徴とする。
【0012】
このように、アドレス信号発生手段からメモリセルに格納することができるデータに応じた第1アドレス信号が順次出力され、その第1アドレス信号を構成する複数のビット信号のうちデータ状態の変化が頻繁なビット信号ほど負荷容量が小さくなるように、前記リフレッシュを行なうメモリアドレスに割り当てることにより、データ保持のために必要なリフレッシュ動作の消費電力を削減することが可能である。
【0013】
また、本発明は、前記配線パターンは、前記第1アドレス信号を構成する複数のビット信号と、前記リフレッシュを行なうローアドレスとを、前記複数のビット信号のうちデータ状態の変化が頻繁なビット信号ほど負荷容量が小さく,データ状態の変化が少ないビット信号ほど負荷容量が大きくなるように一対一に対応させることを特徴とする。
【0014】
このように、前記複数のビット信号のうちデータ状態の変化が頻繁なビット信号ほど負荷容量が小さく,データ状態の変化が少ないビット信号ほど負荷容量が大きくなるように前記第1アドレス信号を構成する複数のビット信号と、前記リフレッシュを行なうローアドレスとを一対一に対応されることにより、データ保持のために必要なリフレッシュ動作の消費電力を削減することが可能である。
【0015】
また、本発明は、所定時間毎にメモリセルに格納しているデータを読み出して再書き込みするために利用するアドレス信号のアドレス信号供給方法において、前記メモリセルに格納するデータのメモリアドレスに応じた第1アドレス信号を順次出力する段階と、前記第1アドレス信号を構成する複数のビット信号のうちデータ状態の変化が頻繁なビット信号ほど負荷容量が小さくなるように前記データを読み出して再書き込みするメモリアドレスに割り当てる段階とを有することを特徴とする。
【0016】
このように、アドレス信号発生手段からメモリセルに格納することができるデータに応じた第1アドレス信号が順次出力され、その第1アドレス信号を構成する複数のビット信号のうちデータ状態の変化が頻繁なビット信号ほど負荷容量が小さくなるように、前記複数のビット信号を前記データを読み出して再書き込みするメモリアドレスに割り当てることにより、データ保持のために必要なデータを読み出して再書き込みする動作の消費電力を削減することが可能である。
【0017】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面に基づいて説明する。
最初に、本発明の原理について図2を利用して説明する。図2は、本発明の原理を説明する一例の説明図を示す。図2のタイミング図(A)〜(C)は、リフレッシュ動作を行なうアドレス(以下、リフレッシュアドレスという)を生成する例えばカウンタ等の出力信号である。
【0018】
リフレッシュアドレスのA0を表す図2(A)の信号は、周期T,振幅Vであり、リフレッシュアドレスのA1を表す図2(B)の信号は、周期2T,振幅Vであり、リフレッシュアドレスのA3を表す図2(C)の信号は、周期4T,振幅Vである。
例えば、リフレッシュアドレスのA0,A1,A2に接続されている負荷容量が夫々3C,2C,Cである場合は、以下の式(1)により平均の消費電力P1が算出される。
【0019】
P1=(3C×4+2C×2+C)V2 /4T=17CV2 /4T・・・・(1)
一方、リフレッシュアドレスのA0,A1,A2に接続されている負荷容量が夫々C,2C,3Cである場合は、以下の式(2)により平均の消費電力P2が算出される。
P2=(C×4+2C×2+3C)V2 /4T=11CV2 /4T・・・・(2)
以上のように、リフレッシュアドレスのA0,A1,A2に接続する負荷容量の違いにより消費電力に差が発生することが分かる。この消費電力の差は、頻繁に振幅(データ状態:High/Low)が変化するリフレッシュアドレスのA0に接続されている負荷容量の差により特に発生するものである。実際に、リフレッシュアドレスのA0,A1,A2に接続する負荷容量は半導体記憶装置内の配線,回路構成等により異なっている。
【0020】
したがって、リフレッシュアドレスの最下位アドレスから順番に、負荷容量が少ないメモリアドレスを割り当てることにより消費電力を最小にすることが可能となる。例えば図2の例の場合、リフレッシュアドレスの最下位アドレスA0から順番に負荷容量が少ないメモリアドレスを割り当てればよい。
ところで、リフレッシュアドレスの最下位アドレスから順番に、負荷容量が少ないメモリアドレスを割り当てる場合、リフレッシュアドレス(An−1,An−2,・・・・・ ,A0)とメモリアドレス(MAn−1,MAn−2,・・・・・ ,MA0)とが対応しなくなるがリフレッシュ動作に何ら問題がない。以下、その理由について説明する。
【0021】
リフレッシュ動作は、メモリセルアレイに格納されているデータがキャパシタのリーク電流により失われてしまうリフレッシュ時間tREF 内に全てのメモリアドレスに格納されているデータを読み出して再書き込みを行なうことである。したがって、リフレッシュ動作は小さいメモリアドレスから順番に行われる必要はなく、リフレッシュ時間tREF 内に全てのメモリアドレスのデータの再書き込みが終了していればよいことになる。
【0022】
以下、図3及び図4を利用して、リフレッシュアドレスの最下位アドレスから順番に、負荷容量が少ないメモリアドレスを割り当てた場合のリフレッシュ動作について説明する。
図3は、リフレッシュアドレスとメモリアドレスとの対応関係を表す一例の説明図を示す。また、図4は図3の対応関係に基づくリフレッシュ動作の順番を表す一例の説明図を示す。
【0023】
図3(A)はリフレッシュアドレス(A2,A1,A0)をメモリアドレス(MA2,MA1,MA0)にそのまま対応させており、メモリアドレス側の負荷容量については何ら考慮されていない。図3(B)はリフレッシュアドレス(A2,A1,A0)をメモリアドレス(MA2,MA1,MA0)にそのまま対応させておらず、リフレッシュアドレスの最下位アドレスA0から順番に負荷容量が少ないメモリアドレスを対応させている。
【0024】
なお、リフレッシュアドレス(A2,A1,A0)は、図1のタイミング図に表すような変化をするものとする。また、メモリアドレス(MA2,MA1,MA0)に接続されている負荷容量は、MA1,MA2,MA0の順番に大きくなっている。
図3(A)の場合、リフレッシュアドレス(A2,A1,A0)をメモリアドレス(MA2,MA1,MA0)にそのまま対応させているので、図4(A)に示すようなタイミングでメモリアドレス(MA2,MA1,MA0)が変化する。したがって、リフレッシュ時間tREF 内にメモリアドレスは(MA2,MA1,MA0)=(0,0,0),(0,0,1),・・・・・ ,(1,1,1)の順にカウントアップされ、全てのメモリアドレスのデータの再書き込みが終了していることになる。
【0025】
一方、図3(B)の場合、リフレッシュアドレス(A2,A1,A0)をメモリアドレス(MA2,MA1,MA0)にそのまま対応させておらず、リフレッシュアドレスの最下位アドレスA0から順番に負荷容量が少ないメモリアドレスを対応させている。具体的には、最下位リフレッシュアドレスA0と、接続されている負荷容量が一番少ないメモリアドレスMA1とを対応させ、最上位リフレッシュアドレスA2と、接続されている負荷容量が一番大きいメモリアドレスMA0とを対応させている。
【0026】
したがって、図4(B)に示すようなタイミングでメモリアドレス(MA2,MA1,MA0)が変化する。ここで、リフレッシュ時間tREF 内にメモリアドレスは(MA2,MA1,MA0)=(0,0,0),(0,1,0),(1,0,0),(1,1,0),(0,0,1),(0,1,1),(1,0,1),(1,1,1)の順に変化し、全てのメモリアドレスのデータの再書き込みが終了していることになる。
【0027】
したがって、図3(B)に示すようにリフレッシュアドレスの最下位アドレスA0から順番に負荷容量が少ないメモリアドレスを対応させたとしても、リフレッシュ時間tREF 内に全てのメモリアドレスのデータの再書き込みが終了しており、リフレッシュアドレス(An−1,An−2,・・・・・ ,A0)とメモリアドレス(MAn−1,MAn−2,・・・・・ ,MA0)とが対応しなくなったとしてもリフレッシュ動作に何ら問題がない。
【0028】
次に、リフレッシュアドレスの最下位アドレスから順番に負荷容量が少ないメモリアドレスを対応させた半導体記憶装置について説明する。図5は、本発明の半導体記憶装置の一実施例の構成図を示す。
図5の半導体記憶装置1は、外部から制御信号を供給されるバッファ10と、外部からアドレス信号を供給されるバッファ12と、リフレッシュアドレス信号を出力するカウンタ14と、選択器16と、メモリセルアレイ20と、メモリセルアレイ20から供給されたデータを外部に出力又は外部から入力されたデータをメモリセルアレイ20に供給するバッファ22とを含む構成である。なお、半導体記憶装置1のリフレッシュ動作以外は従来のものと同様であり説明を省略する。
【0029】
半導体記憶装置1はリフレッシュ動作を行なう場合、選択器16を制御してカウンタ14から供給されるリフレッシュアドレス信号をメモリセルアレイ20に供給する。本願発明の半導体記憶装置1は、設計段階で各メモリアドレスの負荷容量を検出しておき、その検出結果に基づいてリフレッシュアドレスの最下位アドレスから順番に負荷容量が少ないメモリアドレスを対応させた構造となっている。例えば、図3(B)に示すような構造である。
【0030】
したがって、リフレッシュアドレスのうち最も変化が頻繁に起こる最下位アドレスから順番に負荷容量が少ないメモリアドレスを対応させた構造となっており、消費電流を最小とすることができる。
図6は、本発明の半導体記憶装置に含まれるカウンタの一例の構成図を示す。図6のカウンタ14は、分周器30−0〜30−(n−1)を含む構成であり、入力端子REF からリフレッシュ動作を行なう毎にパルス信号が入力される。そのパルス信号は最初に分周器30−0に供給され分周された後、分周器30−1に供給される。そのあと、30−1に供給されたパルス信号は更に分周された後、分周器30−2に供給される。以下同様に、分周器30−2〜30−(n−1)に次々に供給され順次分周された信号が出力される。
【0031】
ここで、各分周器30−0〜30−(n−1)からの出力信号Out0〜Outn−1はリフレッシュアドレスA0〜An−1に対応しており、リフレッシュアドレスの最下位アドレスA0がOut0に対応し、リフレッシュアドレスの最上位アドレスAn−1がOutn−1に対応する。なお、分周器30−0〜30−(n−1)の一例の構成図を図中に示しておく。
【0032】
例えば、図6のカウンタの出力信号Out0〜Outn−1をリフレッシュアドレスA0〜An−1として利用する場合について説明すると、設計段階で検出してある各メモリアドレスの負荷容量に基づいて、出力信号Out0から順番に負荷容量が少ないメモリアドレスを対応させる。
以上のように、頻繁に振幅(データ状態:High/Low)が変化するリフレッシュアドレスの最下位アドレスから順番に、負荷容量が少ないメモリアドレスを割り当てることにより消費電力を最小にすることが可能となる。なお、本実施例ではリフレッシュアドレス及びメモリアドレスが3ビットの例について動作の説明をしたが、これに限ることなく様々な形態が可能である。
【0033】
【発明の効果】
上述の如く、本発明によれば、アドレス信号発生手段からメモリセルに格納することができるデータに応じた第1アドレス信号が順次出力され、その第1アドレス信号を構成する複数のビット信号のうちデータ状態の変化(High/Low)が頻繁なビット信号ほど負荷容量が小さくなるように、前記複数のビット信号を前記データを読み出して再書き込みするメモリアドレスに割り当てることにより、データ保持のために必要なデータを読み出して再書き込みする動作の消費電力を削減することが可能である。
【0034】
これは、ビット信号のうちデータ状態の変化が頻繁なビット信号に負荷容量が大きいメモリアドレスが割り当てられた場合に消費電流が大きくなることに基づいたもので、頻繁にデータ状態が変化するビット信号に負荷容量が小さいメモリアドレスを割り当て、データ状態の変化が少ないビット信号に負荷容量が大きいメモリアドレスを割り当てることにより、データ保持のために必要なデータを読み出して再書き込みする動作の消費電力を削減することが可能となる。
【0035】
以上のような、データ保持のために必要なデータを読み出して再書き込みする動作の消費電力を削減することにより、半導体記憶装置を利用している例えば携帯用電子機器の可働時間の延長が可能となる。
また、本発明によれば、アドレス信号発生手段からメモリセルに格納することができるデータに応じた第1アドレス信号が順次出力され、その第1アドレス信号を構成する複数のビット信号のうちデータ状態の変化が頻繁なビット信号ほど負荷容量が小さくなるように、前記リフレッシュを行なうメモリアドレスに割り当てることにより、データ保持のために必要なリフレッシュ動作の消費電力を削減することが可能である。
【0036】
また、本発明によれば、前記複数のビット信号のうちデータ状態の変化が頻繁なビット信号ほど負荷容量が小さく,データ状態の変化が少ないビット信号ほど負荷容量が大きくなるように前記第1アドレス信号を構成する複数のビット信号と、前記リフレッシュを行なうローアドレスとを一対一に対応されることにより、データ保持のために必要なリフレッシュ動作の消費電力を削減することが可能である。
【0037】
また、本発明によれば、アドレス信号発生手段からメモリセルに格納することができるデータに応じた第1アドレス信号が順次出力され、その第1アドレス信号を構成する複数のビット信号のうちデータ状態の変化が頻繁なビット信号ほど負荷容量が小さくなるように、前記複数のビット信号を前記データを読み出して再書き込みするメモリアドレスに割り当てることにより、データ保持のために必要なデータを読み出して再書き込みする動作の消費電力を削減することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】リフレッシュアドレスを表す一例のタイミング図である。
【図2】本発明の原理を説明する一例の説明図である。
【図3】リフレッシュアドレスとメモリアドレスとの対応関係を表す一例の説明図である。
【図4】図3の対応関係に基づくリフレッシュ動作の順番を表す一例の説明図である。
【図5】本発明の半導体記憶装置の一実施例の構成図である。
【図6】本発明の半導体記憶装置に含まれるカウンタの一例の構成図である。
【符号の説明】
1 半導体記憶装置
10,12,22 バッファ
14 カウンタ
16 選択器
20 メモリセルアレイ
30−0〜30−(n−1) 分周器
Claims (5)
- 所定時間毎にメモリセルに格納しているデータを読み出して再書き込みする半導体記憶装置において、
前記メモリセルに格納するデータのメモリアドレスに応じた第1アドレス信号を順次出力するアドレス信号発生手段を有し、
前記第1アドレス信号の最下位アドレスから順番に負荷容量が少ないメモリアドレスを対応させることで、前記第1アドレス信号を構成する複数のビット信号のうちデータ状態の変化が頻繁なビット信号ほど負荷容量が小さくなるように、前記複数のビット信号を、前記データを読み出して再書き込みするメモリアドレスに割り当てることを特徴とする半導体記憶装置。 - ロー及びコラムに対応して縦横に配列されるメモリセルと、
リフレッシュ時に前記メモリセルに格納するデータのローアドレスに応じた第1アドレス信号を順次出力するアドレス信号発生手段と、
前記第1アドレス信号を構成する複数のビット信号のうちデータ状態の変化が頻繁なビット信号ほど負荷容量が小さくなるように、前記複数のビット信号を、前記リフレッシュを行なうローアドレスに割り当てるように接続する配線パターンとを有し、
前記配線パターンは、
前記第1アドレス信号を構成する複数のビット信号と、
前記リフレッシュを行なうローアドレスと
を、前記複数のビット信号のうちデータ状態の変化が頻繁なビット信号ほど負荷容量が小さく,データ状態の変化が少ないビット信号ほど負荷容量が大きくなるように一対一に対応させることを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記第1アドレス信号の最下位アドレスから順番に負荷容量が少ないメモリアドレスを対応させることを特徴とする請求項2記載の半導体記憶装置。
- メモリセルアレイと、
外部からアドレス信号が供給されるバッファと、
リフレッシュアドレス信号を出力するカウンタと、
前記アドレス信号又は前記リフレッシュアドレス信号を選択する選択器とを備え、
前記カウンタは、前記リフレッシュアドレス信号の最下位アドレスから順番に負荷容量が少ない前記アドレス信号を対応させることで、前記リフレッシュアドレスの最下位のビットから順に、設計段階で検出された負荷量の小さいメモリアドレスを対応させることを特徴とする半導体記憶装置。 - 所定時間毎にメモリセルに格納しているデータを読み出して再書き込みするために利用するアドレス信号のアドレス信号供給方法において、
前記メモリセルに格納するデータのメモリアドレスに応じた第1アドレス信号を順次出力する段階と、
前記第1アドレス信号の最下位アドレスから順番に負荷容量が少ないメモリアドレスを対応させることで、前記第1アドレス信号を構成する複数のビット信号のうちデータ状態の変化が頻繁なビット信号ほど負荷容量が小さくなるように、前記複数のビット信号を、前記データを読み出して再書き込みするメモリアドレスに割り当てる段階と
を有することを特徴とするアドレス信号供給方法。
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