DE102012214917A1 - Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung - Google Patents
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Abstract
Eine Halbleitervorrichtung beinhaltet ein Halbleitermodul, dass einen wärmeleitenden Abschnitt aufweist, der aus Metall gebildet ist und auch ein gegossenes Harz aufweist, der eine Oberfläche aufweist, an der der Hitzleitfähigkeitsanteil freiliegt, einen Kühlkörper, der an dem Halbleitermodul mittels eines Bondmaterials befestigt ist und ein Hitzeleitfähigkeitsmaterial, das zwischen dem wärmeleitenden Abschnitt und dem Kühlkörper gebildet ist und diese thermisch miteinander koppelt.
Description
- Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Halbleitervorrichtung, die z. B. für die Hochleistungssteuerung verwendet wird, und ein Verfahren zu deren Herstellung.
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JP 2006-100337 A JP 2001-250890 A - Um die Anzahl der Teile in solch einer Halbleitervorrichtung zu reduzieren, ist es wünschenswert, das Halbleitermodul an dem Kühlkörper ohne die Benutzung von Schrauben oder ähnlichem zu befestigen. Um dies zu bewerkstelligen, muss das Halbleitermodul an den Kühlkörper mittels eines Klebstoffs oder Bondmaterials, das dazwischen angelagert wird, befestigt werden. Es sollte angemerkt werden, dass solch ein Material sowohl eine beträchtliche Hitzeleitfähigkeit aufweisen muss als auch eine wesentliche Bindungsstärke bereitstellen muss. Es ist jedoch herausgefunden worden, dass das Benutzen eines Materials, das für das Befestigen des Halbleitermoduls an dem Kühlkörper geeignet ist, zu einer ungenügenden Kühlung des Halbleitermoduls führen kann. Auf der anderen Seite kann das Benutzen des Materials, das für das Kühlen des Halbleitermoduls geeignet ist, zu einer unangemessenen Befestigung des Halbleitermoduls an dem Kühlkörper führen.
- Die vorliegende Erfindung wurde gemacht, um die obigen Probleme zu lösen. Deshalb ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung eine Halbleitervorrichtung bereitzustellen, die eine reduzierte Anzahl von Teilen aufweist, jedoch in dem das Halbleitermodul an einem Kühlkörper mit beträchtlicher Bindungskraft angebracht ist und angemessen gekühlt wird. Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist außerdem, ein Verfahren für das Herstellen solch einer Halbleitervorrichtung bereitzustellen.
- Die Aufgabe wird gelöst durch den Gegenstand der unabhängigen Ansprüche 1 und 10. Weitere Ausgestaltungen sind in den abhängigen Ansprüchen zu finden. Die Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindungen können wie folgt zusammengefasst werden.
- Die Aufgabe wird gelöst durch eine Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 1. Die Halbleitervorrichtung beinhaltet ein Halbleitermodul, das einen wärmeleitenden Abschnitt aufweist, der aus Metall gebildet ist und auch einen gegossen Harz aufweist, der eine Oberfläche aufweist, an der der wärmeleitende Abschnitt freiliegt, einen Kühlkörper, der an dem Halbleitermodul mittels Bandmaterial befestigt ist und Hitzeleitfähigkeitsmaterial, das dazwischen gebildet ist und den wärmeleitenden Abschnitt und den Kühlkörper thermisch miteinander koppelt.
- Die Aufgabe wird ebenfalls gelöst durch ein Verfahren gemäß Anspruch 10. Das Verfahren für das Herstellen einer Halbleitervorrichtung beinhaltet die Schritte des Bildens eines Hitzeleitfähigkeitsmaterial auf einer Oberfläche des Kühlkörpers, Bilden von Bondmaterial auf der Oberfläche des Kühlkörpers, wobei das Bondmaterial einen Überstand aufweist, Bilden einer Harznut in einem gegossenen Harz eines Halbleitermoduls, das einen Hitzleitfähigkeitsanteil aufweist, der aus Metall gebildet ist, und der an einer Oberfläche des gegossenen Harzes freiliegt und integrales Befestigen des Kühlkörpers an dem Halbleitermodul in der Weise, dass der Überstand mit einer inneren Wand der Harznut in Kontakt ist und dass der Hitzeleitfähigigkeitsanteil mit dem Hitzeleitfähigkeitsmaterial überlappt und damit in Kontakt ist.
- Andere und weitere Ziele, Merkmale und Vorteile der Erfindung werden durch folgende Beschreibung vervollständigt erscheinen.
-
1 ist eine Querschnittsansicht einer Halbleitervorrichtung in Übereinstimmung mit einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; -
2 ist eine perspektivische Ansicht, die die Art und Weise zeigt, in der das Halbleitermodul der Halbleitervorrichtung der ersten Ausführungsform mit dem Kühlkörper verbunden ist; -
3 ist eine Querschnittsansicht, die eine Variation der Halbleitervorrichtung der ersten Ausführungsform zeigt; -
4 ist eine Querschnittsansicht, die eine weitere Variation der Halbleitervorrichtung der ersten Ausführungsform zeigt; -
5 ist eine Querschnittsansicht der Halbleitervorrichtung der zweiten Ausführungsform; -
6 ist eine perspektivische Ansicht, die den Kühlkörper der Halbleitervorrichtung der zweiten Ausführungsform zeigt; -
7 ist eine perspektivische Ansicht, die den Kühlkörper, das Hitzeleitfähigkeitsmaterial und das Bondmaterial in der Halbleitervorrichtung der zweiten Ausführungsform zeigt; -
8 ist eine Querschnittsansicht der Halbleitervorrichtung der dritten Ausführungsform; -
9 ist eine Querschnittsansicht, die eine Variation der Halbleitervorrichtung der dritten Ausführungsform zeigt; -
10 ist eine Querschnittsansicht der Halbleitervorrichtung der vierten Ausführungsform; -
11 ist eine Querschnittsansicht der Halbleitervorrichtung der fünften Ausführungsform; und -
12 ist eine Querschnittsansicht, die die Art und Weise zeigt, in der der Kühlkörper und das Halbleitermodul der Halbleitervorrichtung der fünften Ausführungsform integral miteinander verbunden sind. -
1 ist eine Querschnittsansicht einer Halbleitervorrichtung10 in einer Übereinstimmung mit einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Die Halbleitervorrichtung10 ist mit einem Kühlkörper12 versehen. Der Kühlkörper12 ist aus Metall, z. B. Kupfer gebildet. Ein Halbleitermodul14 ist oberhalb des Kühlkörpers12 angeordnet. Das Halbleitermodul14 hat einen wärmeleitenden Abschnitt16 , der aus Metall gebildet ist, und einen gegossenen Harz18 , der eine Oberfläche aufweist, an der der wärmeleitende Abschnitt16 freiliegt. Das Halbleitermodul14 ist gebildet z. B. durch das Einkapseln eines Halbleiterelements, wie z. B. einen IGBT mit Harz mittels Transfergießens. - Die folgende Beschreibung wird auf Komponenten zwischen dem Halbleitermodul
14 und dem Kühlkörper12 gerichtet. Ein Bondmaterial20 und ein Hitzeleitfähigkeitsmaterial22 werden zwischen dem Halbleitermodul14 und dem Kühlkörper12 gebildet. Das Bondmaterial20 bindet den gegossenen Harz18 des Halbleitermoduls14 an einen Kühlkörper12 . Das Bondmaterial20 wird aus isolierendem Material gebildet. Das Hitzeleitfähigkeitsmaterial22 wird zwischen dem wärmeleitenden Abschnitt16 und dem Kühlkörper12 gebildet und koppelt thermisch diese Anteile. Das Hitzeleitfähigkeitsmaterial22 wird aus elektrisch leitfähigem Material gebildet, das exzellente Hitzeleitfähigkeit aufweist. -
2 ist eine perspektivische Ansicht, die die Art und Weise zeigt, in der das Halbleitermodul der Halbleitervorrichtung der ersten Ausführungsform mit dem Kühlkörper verbunden wird. Das Bondmaterial20 ist so gebildet, dass es das Hitzeleitfähigkeitsmaterial22 umgibt. Das Halbleitermodul14 wird in die Richtung des Pfeils von2 bewegt und in Eingriff mittels Bonding mit dem Bondmaterial20 gebracht, so dass das Halbleitermodul14 an dem Kühlkörper12 befestigt ist. Als Resultat sind der wärmeleitende Abschnitt16 und das Hitzeleitfähigkeitsmaterial22 von der Außenwelt durch das Bondmaterial20 getrennt. - In der Halbleitervorrichtung der ersten Ausführungsform wird das Halbleitermodul
14 mit dem Kühlkörper12 mittels des Bondmaterials20 befestigt, das für diesen Zweck geeignet ist, so dass es möglich wird, das Halbleitermodul14 an dem Kühlkörper12 mit beträchtlicher Bindungsstärke anzubringen. Weiterhin ist der wärmeleitenden Abschnitt16 thermisch mit dem Kühlkörper12 mittels des Hitzeleitfähigkeitsmaterials22 , das für das Kühlen des Halbleitermoduls14 geeignet ist, gekoppelt, wodurch es möglich wird, das Halbleitermodul14 angemessen zu kühlen. Weiterhin hat die Halbleitervorrichtung10 eine reduzierte Anzahl von Teilen, da das Halbleitermodul14 an dem Kühlkörper12 ohne die Benutzung von Schrauben oder ähnlichen befestigt wird. Deshalb wird das Halbleitermodul14 an einem Kühlkörper12 mit wesentlicher Bindungskraft befestigt und auch angemessen gekühlt, obwohl die Halbleitervorrichtung der ersten Ausführungsform eine reduzierte Anzahl von Teilen aufweist. - Es ist allgemein bekannt, dass Materialien, die eine höhere elektrische Leitfähigkeit aufweisen, eine höhere Hitzeleitfähigkeit aufweisen. In der Halbleitervorrichtung der ersten Ausführungsform wird das Hitzeleitfähigkeitsmaterial
22 aus elektrisch leitfähigem Material, welches exzellente Hitzeleitfähigkeit aufweist, gebildet und deshalb wird von diesem erwartet, dass eine gute Hitzeleitung bereitgestellt wird. Weiterhin werden der wärmeleitenden Abschnitt16 und das Wärmeleitfähigkeitsmaterial22 von der Außenwelt mittels Bondmaterial20 , das aus isolierendem Material gebildet wird, getrennt, wodurch das Hitzeleitfähigkeitsmaterial22 von der äußeren Atmosphäre isoliert wird. Das Isolieren eines Halbleitermoduls von der äußeren Atmosphäre ist ein wirksamer Weg die Eigenschaften des Halbleitermoduls aufrechtzuerhalten, besonders wenn das Modul eine Leistungshalbleitervorrichtung beinhaltet, die mittels einer hohen Spannung betrieben wird. -
3 ist eine Querschnittsansicht, die eine Variation der Halbleitervorrichtung der ersten Ausführungsform zeigt. In dieser Variation wird ein Ankeranteil24 in der Oberfläche des gegossenen Harzes18 in Kontakt mit dem Bondmaterial20 gebildet, wodurch die Oberflächenrauheit dieser Oberfläche erhöht wird. Als Resultat hat die Oberfläche des gegossenen Harzes18 in Kontakt mit dem Bondmaterial20 eine größere Oberflächenrauheit als die Oberflächen des gegossenen Harzes18 , die nicht in Kontakt mit dem Bondmaterial20 stehen. Auf diese Weise ist es möglich, die Bindungsstärke des Bondmaterials20 zwischen dem Halbleitermodul14 und dem Kühlkörper12 zu erhöhen. -
4 ist eine Querschnittsansicht, die eine weitere Variation der Halbleitervorrichtung der ersten Ausführungsform zeigt. In dieser Variation wird der Anteil des gegossenen Harzes18 , der in Kontakt mit dem Bondmaterial20 steht, einer hydrophilen Behandlung unterzogen, wobei ein hydrophiler Anteil26 gebildet wird. Deshalb ist der Anteil des gegossenen Harzes18 , der in Kontakt mit dem Bondmaterial20 steht hydrophiler als die Anteile des gegossenen Harzes18 , die nicht in Kontakt mit dem Bondmaterial20 stehen. Auf diese Weise ist es möglich, die Bindungsstärke des Bondmaterials20 zwischen dem Halbleitermodul14 und dem Kühlkörper12 zu erhöhen. Es sollte angemerkt werden, dass die Bindungsstärke des Bondmaterials20 zwischen dem Halbleitermodul14 und dem Kühlkörper12 mittels einer Oberflächenbehandlung des gegossenen Harzes18 , die eine andere ist, als oben beschrieben, erhöht werden kann. - Verschiedene andere Abwandlungen können an der ersten Ausführungsform durchgeführt werden, ohne von den Merkmalen der vorliegenden Erfindung abzurücken. Beispielsweise kann das Bondmaterial
20 aus einem Material gebildet werden, das anders ist, als das Isolierungsmaterial. Weiterhin soll, obwohl in der ersten Ausführungsform das Hitzeleitfähigkeitsmaterial22 aus elektrisch leitfähigen Material gebildet wird, es klar sein, dass in anderen Ausführungsformen dieses beispielsweise aus Silikonfett gebildet werden kann. Wenn das Hitzeleitfähigkeitsmaterial22 aus einem isolierenden Material wie Silikonfett gebildet wird, ist es einfacher das Halbleitermodul14 zu isolieren. Weiterhin können das Halbleiterelement und der wärmeleitende Abschnitt16 innerhalb des gegossenen Harzes18 voneinander mittels isolierendem Material isoliert werden, um die Isolation des Halbleitermoduls abzusichern. - Die folgende Beschreibung einer Halbleitervorrichtung ist in Übereinstimmung mit einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung und wird primär begrenzt auf die Unterschiede zu der Halbleitervorrichtung der ersten Ausführungsform, um eine unnötige Wiederholung zu vermeiden.
5 ist eine Querschnittsansicht der Halbleitervorrichtung der zweiten Ausführungsform. In dieser Halbleitervorrichtung hat der Kühlkörper12 eine Kühlkörpernut12a , die darin gebildet ist. Das Hitzeleitfähigkeitsmaterial22 ist von einem Kühlmaterial30 mittels der Kühlkörpernut12a getrennt. -
6 ist eine perspektivische Ansicht, die den Kühlkörper der Halbleitervorrichtung der zweiten Ausführungsform zeigt. Die Kühlkörpernut12a , die in dem Kühlkörper12 gebildet wird, hat eine rechtwinklige ringförmige Form.7 ist eine perspektivische Ansicht, die den Kühlkörper, das Hitzeleitfähigkeitsmaterial und das Bondmaterial in der Halbleitervorrichtung der zweiten Ausführungsform zeigt. Das Bondmaterial30 wird gebildet, um das Hitzeleitfähigkeitsmaterial22 zu umgeben. - Wie oben im Zusammenhang mit der ersten Ausführungsform beschrieben, dient das Hitzeleitfähigkeitsmaterial
22 dazu, das Halbleitermodul14 zu kühlen und das Bondmaterial30 dient zum Bonden des Halbleitermoduls14 an dem Kühlkörper12 . Deshalb haben das Hitzeleitfähigkeitsmaterial22 und das Bondmaterial30 verschiedene Funktionen. Deshalb kann das Mischen oder in Kontakt bringen dieser Materialien ein optimales Funktionieren verhindern. In der Halbleitervorrichtung der zweiten Ausführungsform werden das Hitzeleitfähigkeitsmaterial22 und das Bondmaterial30 darin gehindert, gemischt oder in Kontakt miteinander gebracht zu werden, da sie voneinander durch die Kühlkörpernut12a getrennt sind. - Die folgende Beschreibung einer Halbleitervorrichtung ist in Übereinstimmung mit einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung und wird deshalb primär auf die Unterschiede zu der Halbleitervorrichtung der ersten Ausführungsform begrenzt, um eine unnötige Wiederholung zu vermeiden.
8 ist eine Querschnittsansicht der Halbleitervorrichtung der dritten Ausführungsform. In dieser Halbleitervorrichtung wird ein Bondmaterial40 gebildet, um die Abdeckung hin zu den Seitenoberflächen18a des gegossenen Harzes18 auszudehnen. Weiterhin bilden die Oberfläche des wärmeleitenden Abschnitts16 , die in Kontakt mit dem Hitzeleitfähigkeitsmaterial22 steht und die Grundoberfläche18b des gegossenen Harzes18 eine einzige Ebene. - In der Halbleitervorrichtung der dritten Ausführungsform wird, da das Bondmaterial
40 sich ausdehnt, um die Seitenoberflächen18a des gegossenen Harzes18 abzudecken, die Bindungsstärke des Bondmaterials40 zwischen dem Halbleitermodul14 und dem Kühlkörper12 vergrößert. Weiterhin wird, da die Oberfläche des wärmeleitenden Abschnitts16 in Kontakt mit dem Hitzeleitfähigkeitsmaterial22 steht und die Grundoberfläche18b des gegossenen Harzes18 eine einzige Ebene bildet, die Lücke zwischen der Grundoberfläche18b und dem Kühlkörper12 verschmälert, wodurch es einfacher wird, dass Bondmaterial40 zu bilden, das sich erstreckt, um die Seitenoberflächen18a des gegossenen Harzes18 zu überdecken. -
9 ist eine Querschnittsansicht, die eine Variation der Halbleitervorrichtung der dritten Ausführungsform zeigt. In dieser Variation ist die äußere umgebende Bodenkante des gegossenen Harzes18 eingekerbt worden, um Seitenoberflächen18c zu bilden. Ein Bondmaterial50 wird gebildet, um sich zu erstrecken, um diese Seitenoberflächen18c abzudecken. Als Resultat dieser Konfiguration kann die Bindungsstärke zwischen dem Halbleitermodul14 und dem Kühlkörper12 durch einen Anteil an Bondmaterial, der kleiner ist als der für die Halbleitervorrichtung, die oben in Bezug zu8 beschrieben wurde, vergrößert werden. - Die folgende Beschreibung einer Halbleitervorrichtung ist in Übereinstimmung mit einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung und wird primär auf die Unterschiede zu der Halbleitervorrichtung der ersten Ausführungsform begrenzt, um eine unnötige Wiederholung zu vermeiden.
10 ist eine Querschnittsansicht der Halbleitervorrichtung der vierten Ausführungsform. In dieser Halbleitervorrichtung ist eine Harznut18d in der Oberfläche des gegossenen Harzes18 gebildet, die dem Kühlkörper12 gegenüberliegt. Ein Bondmaterial60 wird gebildet, um die Harznut18d zu füllen. In der Halbleitervorrichtung der vierten Ausführungsform wird, da das Bondmaterial60 gebildet wird, um die Harznut18d des gegossenen Harzes18 zu füllen, die Bindungsstärke des Bondmaterials60 zwischen dem Halbleitermodul14 und dem Kühlkörper12 vergrößert. - Die folgende Beschreibung einer Halbleitervorrichtung und eines Verfahrens zu deren Herstellung ist in Übereinstimmung mit einer fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung und wird primär darauf begrenzt, Unterschiede zu der Halbleitervorrichtung der ersten Ausführungsform darzustellen, um unnötige Wiederholungen zu vermeiden.
11 ist eine Querschnittsansicht der Halbleitervorrichtung der fünften Ausführungsform. In dieser Halbleitervorrichtung hat ein Bondmaterial70 einen Überstand70a , der in Kontakt mit einem Anteil der inneren Wände der Harznut18d steht. - Das Verfahren einer Herstellung einer Halbleitervorrichtung in Übereinstimmung mit der fünften Ausführungsform wird jetzt beschrieben.
12 ist eine Querschnittsansicht, die die Art und Weise zeigt, in welcher der Kühlkörper und das Halbleitermodul der Halbleitervorrichtung der fünften Ausführungsform integral miteinander verbunden werden. In diesem Prozess wird zunächst das Hitzeleitfähigkeitsmaterial22 auf der Oberfläche des Kühlkörpers12 gebildet. Als nächstes wird das Bondmaterial70 , das den Überstand70a aufweist auf der Oberfläche des Kühlkörpers12 gebildet. Das Bondmaterial70 wird in einem Abstand von dem Hitzeleitfähigkeitsmaterial22 gebildet. Das Halbleitermodul14 wird dann gebildet, welches den wärmeleitenden Abschnitt16 aufweist, der aus Metall gebildet wird und den gegossenen Harz18 aufweist, der eine Oberfläche aufweist, die dem wärmeleitenden Abschnitt16 ausgesetzt ist. Die Harznut18d wird dann in dem gegossenen Harz18 gebildet. Es sollte angemerkt werden, dass die Abfolge der obigen Prozessschritte, falls angemessen, variiert werden kann. - Als nächstes werden der Kühlkörper
12 und das Halbleitermodul14 integral miteinander verbunden. In diesem Prozessschritt werden der Kühlkörper12 und das Halbleitermodul14 integral miteinander auf solch einer Weise verbunden, dass der Überstand70a in Kontakt mit den Innenwänden der Harznut18d ist und der wärmeleitende Abschnitt16 mit dem Hitzeleitfähigkeitsmaterial22 überlappt und damit in Kontakt ist. Zu diesem Zeitpunkt sind der Kühlkörper12 und das Halbleitermodul14 zueinander durch das Einfügen des Überstands70a in die Harznut18d ausgerichtet. - In dem Halbleitervorrichtungsherstellungsverfahren der fünften Ausführungsform werden der Kühlkörper
12 und das Halbleitermodul14 integral miteinander mittels des Überstands70a als eine Ausrichtungsführung verbunden, wodurch es möglich wird, die Genauigkeit der Ausrichtung der Komponenten in der Halbleitervorrichtung zu erhöhen. Weiterhin, da der Überstand70a in Kontakt mit den Innenwänden der Harznut18d steht, wird die Bindungsstärke zwischen dem Halbleitermodul14 und dem Kühlkörper12 vergrößert. Weiterhin wird, da das Bondmaterial70 von dem Hitzeleitfähigkeitsmaterial22 beabstandet ist, sogar, falls ein Anteil des Bondmaterials70 hin zum Hitzeleitfähigkeitsmaterial22 eindiffundiert, der Anteil in der Harznut18d gehalten oder gefangen, wodurch es vermieden wird, dass das Bondmaterial70 das Hitzeleitfähigkeitsmaterial22 erreicht und sich damit mischt. - Das Halbleitervorrichtungsherstellungsverfahren der fünften Ausführungsform ist dadurch gekennzeichnet, dass der Kühlkörper
12 und das Halbleitermodul14 zueinander ausgerichtet sind unter Benutzung des Überstands70a , wenn sie miteinander integral zusammengefügt werden, und dadurch gekennzeichnet, dass der Überstand70a in Bindeeingriff mit der Harznut18d gebracht wird, um die Bindungsstärke zwischen dem Halbleitermodul14 und dem Kühlkörper12 zu erhöhen. Es sollte angemerkt werden, dass das Bondmaterial70 nicht notwendigerweise in einem Abstand von dem Hitzeleitfähigkeitsmaterial22 gebildet werden muss. - Die Halbleitervorrichtungen, die in Verbindung mit der zweiten und nachfolgenden Ausführungsformen beschrieben werden, sind für Änderungen offen, zumindest ähnlich zu jenen, die hinsichtlich der Halbleitervorrichtung der ersten Ausführungsform gemacht werden können. Weiterhin können Merkmale verschiedener Ausführungsformen miteinander kombiniert werden, falls dies angezeigt ist.
- In Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung werden sowohl das Bondmaterial und das Hitzeleitfähigkeitsmaterial zwischen dem Halbleitermodul und dem Kühlkörper in einer Halbleitervorrichtung gebildet, wobei es möglich wird, das Halbleitermodul mit dem Kühlkörper mittels wesentlicher Bindungskraft anzubringen und das Halbleitermodul angemessen zu kühlen, während die Anzahl der Teile der Halbleitervorrichtung sich reduziert.
- Offensichtlich sind viele Modifikationen und Variationen der vorliegenden Erfindung im Lichte der obigen Lehren möglich. Es sollte daher verstanden werden, dass innerhalb des Schutzbereichs der angehängten Ansprüche die Erfindung anders als speziell beschrieben durchgeführt werden kann.
- ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
- Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
- Zitierte Patentliteratur
-
- JP 2006-100337 A [0002]
- JP 2001-250890 A [0002]
Claims (10)
- Halbleitervorrichtung, aufweisend: ein Halbleitermodul (
14 ) aufweisend einen wärmeleitenden Abschnitt (16 ) aus Metall und auch aufweisend ein gegossenes Harz (18 ), das eine Oberfläche aufweist, an der der wärmeleitende Abschnitt (16 ) freiliegt; einen Kühlkörper (12 ), der an dem Halbleitermodul (14 ) mittels eines Bondmaterials (20 ) befestigt ist; und ein Hitzeleitfähigkeitsmaterial (22 ), das zwischen dem wärmeleitenden Abschnitt (16 ) und dem Kühlkörper (12 ) gebildet ist und diese thermisch miteinander koppelt. - Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 1, wobei: das Halbleitermodul (
14 ) ein Halbleiterelement beinhaltet, das mittels des gegossenen Harzes (18 ) eingeschlossen ist; das Bondmaterial (20 ) aus isolierendem Material gebildet ist; das Bondmaterial (20 ) so gebildet ist, dass es den wärmeleitenden Abschnitt (16 ) und das Hitzeleitfähigkeitsmaterial (22 ) von der Umgebung trennt; und der wärmeleitende Abschnitt (16 ) von dem Halbleiterelement isoliert ist. - Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei: der Kühlkörper (
12 ) eine Kühlkörpernut (12a ), die darin gebildet ist, aufweist; und das Hitzeleitfähigkeitsmaterial (22 ) von dem Bondmaterial (30 ) mittels der Kühlkörpernut (12a ) getrennt ist. - Halbleitervorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei das Bondmaterial (
40 ) so gebildet ist, dass es sich so ausdehnt, dass es eine Seitenoberfläche des gegossenen Harzes (18 ) abdeckt. - Halbleitervorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei: das gegossene Harz (
18 ) eine Harznut (18d ) aufweist, die in dessen Oberfläche gebildet ist, die dem Kühlkörper (12 ) gegenüberliegt; und das Bondmaterial (60 ) so gebildet ist, dass es die Harznut (18d ) füllt. - Halbleitervorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei: das Bondmaterial (
20 ) in Kontakt mit dem gegossenen Harz (18 ) ist; und die Oberfläche des gegossenen Harzes (18 ), die in Kontakt mit dem Bondmaterial (20 ) ist, eine größere Oberflächenrauheit aufweist als die Oberflächen des gegossenen Harzes (18 ), die nicht in Kontakt mit dem Bondmaterial (20 ) stehen. - Halbleitervorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei: das Bondmaterial (
20 ) in Kontakt mit dem gegossenen Harz (18 ) steht; und der Anteil des gegossenen Harzes (18 ), der in Kontakt mit dem Bondmaterial (20 ) ist, hydrophiler ist, als die Anteile des gegossenen Harzes (18 ), die nicht in Kontakt mit dem Bondmaterial (20 ) stehen. - Halbleitervorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei das Hitzeleitfähigkeitsmaterial (
22 ) aus elektrisch leitfähigem Material gebildet ist. - Halbleitervorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei das Hitzeleitfähigkeitsmaterial (
22 ) aus Silikonfett gebildet ist. - Verfahren für das Herstellen einer Halbleitervorrichtung aufweisend die Schritte: Bilden eines Hitzeleitfähigkeitsmaterials (
22 ) auf einer Oberfläche eines Kühlkörpers (12 ); Bilden eines Bondmaterials (70 ) auf der Oberfläche des Kühlkörpers (12 ), wobei das Bondmaterial (70 ) einen Überstand (70a ) aufweist; Bilden einer Harznut (18d ) in einem gegossenen Harz (18 ) eines Halbleitermoduls (14 ), welches einen wärmeleitenden Abschnitt (16 ) aufweist, der aus Metall gebildet wird und der an einer Oberfläche des gegossenen Harzes (18 ) freiliegt; und integrales Befestigen des Kühlkörpers (12 ) an dem Halbleitermodul (14 ) in solch einer Weise, dass der Überstand (70a ) in Kontakt mit einer Innenwand der Harznut (18d ) steht und dass der wärmeleitende Abschnitt (16 ) mit dem Hitzeleitfähigkeitsmaterial (22 ) überlappt und mit diesem in Kontakt steht.
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---|---|
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102015204240B4 (de) | 2014-03-10 | 2019-12-24 | Mitsubishi Electric Corporation | Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung |
DE112014006113B4 (de) | 2014-01-06 | 2020-07-09 | Mitsubishi Electric Corporation | Halbleitervorrichtung |
DE112014006793B4 (de) | 2014-07-09 | 2020-07-23 | Mitsubishi Electric Corporation | Halbleitervorrichtung |
DE102020116231A1 (de) | 2020-06-19 | 2021-12-23 | Seg Automotive Germany Gmbh | Anordnung mit zwei elektrisch gegeneinander isolierten Bauelementen |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5669917B1 (ja) * | 2013-11-01 | 2015-02-18 | 三菱電機株式会社 | 電源装置 |
DE112015000139B4 (de) | 2014-03-19 | 2021-10-28 | Fuji Electric Co., Ltd. | Halbleitermoduleinheit und Halbleitermodul |
WO2016056286A1 (ja) * | 2014-10-10 | 2016-04-14 | 信越化学工業株式会社 | 熱伝導性シリコーングリースを用いた半導体装置 |
JP2018026370A (ja) * | 2014-11-13 | 2018-02-15 | 株式会社日立製作所 | パワー半導体モジュール |
JP6707328B2 (ja) * | 2015-09-01 | 2020-06-10 | ローム株式会社 | パワーモジュール、パワーモジュールの放熱構造、およびパワーモジュールの接合方法 |
EP3506345A1 (de) * | 2017-12-26 | 2019-07-03 | Joinset Co., Ltd | Wärmeleitfähiges element |
DE102020212532A1 (de) | 2020-10-05 | 2022-04-07 | Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Vorrichtung mit einem Bauelement, einem Kühlkörper und einer wärmeleitenden Schicht |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001250890A (ja) | 2000-03-07 | 2001-09-14 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2006100337A (ja) | 2004-09-28 | 2006-04-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘電体薄膜の製造方法 |
Family Cites Families (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0758254A (ja) | 1993-08-19 | 1995-03-03 | Fujitsu Ltd | マルチチップモジュール及びその製造方法 |
JPH10337A (ja) | 1996-06-19 | 1998-01-06 | Nippon Steel Corp | 金属製触媒コンバータおよびその製造方法 |
US5838545A (en) * | 1996-10-17 | 1998-11-17 | International Business Machines Corporation | High performance, low cost multi-chip modle package |
JPH11111897A (ja) * | 1997-10-03 | 1999-04-23 | Hitachi Ltd | マルチチップ型半導体装置 |
TW445615B (en) | 2000-08-04 | 2001-07-11 | Siliconware Precision Industries Co Ltd | Semiconductor package with enhanced heat dissipation function |
JP2002110872A (ja) * | 2000-09-27 | 2002-04-12 | Kyocera Corp | 配線基板および配線基板モジュール |
JP3807354B2 (ja) * | 2001-08-06 | 2006-08-09 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
JP2003060137A (ja) | 2001-08-08 | 2003-02-28 | Ibiden Co Ltd | モジュール用基板 |
DE10164494B9 (de) * | 2001-12-28 | 2014-08-21 | Epcos Ag | Verkapseltes Bauelement mit geringer Bauhöhe sowie Verfahren zur Herstellung |
JP3590039B2 (ja) * | 2002-07-24 | 2004-11-17 | 沖電気工業株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2004103846A (ja) * | 2002-09-10 | 2004-04-02 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用半導体装置 |
JP3740116B2 (ja) | 2002-11-11 | 2006-02-01 | 三菱電機株式会社 | モールド樹脂封止型パワー半導体装置及びその製造方法 |
JP2005142189A (ja) * | 2003-11-04 | 2005-06-02 | Toyota Industries Corp | 半導体装置 |
JP4583122B2 (ja) | 2004-09-28 | 2010-11-17 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP4046120B2 (ja) | 2005-01-27 | 2008-02-13 | 三菱電機株式会社 | 絶縁シートの製造方法およびパワーモジュールの製造方法 |
US7265445B2 (en) * | 2005-03-23 | 2007-09-04 | Texas Instruments Incorporated | Integrated circuit package |
JP2006344770A (ja) | 2005-06-09 | 2006-12-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体モジュールおよび半導体装置 |
CN1941332A (zh) * | 2005-09-29 | 2007-04-04 | 沛亨半导体股份有限公司 | 高分子材料与芯片的局部接合结构 |
JP4766050B2 (ja) * | 2005-11-02 | 2011-09-07 | パナソニック株式会社 | 電子回路装置の製造方法 |
TWI355048B (en) * | 2006-12-13 | 2011-12-21 | Siliconware Precision Industries Co Ltd | Heat-dissipation semiconductor package and heat-di |
US7635916B2 (en) * | 2007-03-23 | 2009-12-22 | Honeywell International Inc. | Integrated circuit package with top-side conduction cooling |
JP5233170B2 (ja) * | 2007-05-31 | 2013-07-10 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置、発光装置を構成する樹脂成形体及びそれらの製造方法 |
US8008133B2 (en) * | 2008-02-11 | 2011-08-30 | Globalfoundries Inc. | Chip package with channel stiffener frame |
JP5543084B2 (ja) * | 2008-06-24 | 2014-07-09 | ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル | 半導体装置の製造方法 |
KR101004842B1 (ko) * | 2008-07-25 | 2010-12-28 | 삼성전기주식회사 | 전자 칩 모듈 |
JP5071405B2 (ja) | 2009-02-13 | 2012-11-14 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置 |
JP4844904B2 (ja) * | 2009-03-27 | 2011-12-28 | Tdk株式会社 | 多層配線板及びその製造方法 |
JP5504683B2 (ja) * | 2009-04-27 | 2014-05-28 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
JP5420313B2 (ja) * | 2009-05-20 | 2014-02-19 | オリンパス株式会社 | 接合光学素子を有する光学部品及びその製造方法 |
US8362607B2 (en) * | 2009-06-03 | 2013-01-29 | Honeywell International Inc. | Integrated circuit package including a thermally and electrically conductive package lid |
CA2676495C (en) * | 2009-08-24 | 2014-04-08 | Ibm Canada Limited - Ibm Canada Limitee | Mechanical barrier element for improved thermal reliability of electronic components |
JP5306171B2 (ja) * | 2009-12-25 | 2013-10-02 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
CN101770997A (zh) * | 2010-01-29 | 2010-07-07 | 江苏长电科技股份有限公司 | 树脂线路板芯片倒装带散热块封装结构 |
JP5321600B2 (ja) * | 2010-02-01 | 2013-10-23 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
JP5455720B2 (ja) * | 2010-03-12 | 2014-03-26 | パナソニック株式会社 | 光半導体パッケージおよび光半導体装置 |
JP5445341B2 (ja) | 2010-06-11 | 2014-03-19 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP5257817B2 (ja) | 2010-06-15 | 2013-08-07 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP5382049B2 (ja) * | 2010-06-30 | 2014-01-08 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
TWI520386B (zh) * | 2010-07-29 | 2016-02-01 | 神基科技股份有限公司 | 發光二極體總成的結構與其製造方法 |
-
2011
- 2011-08-26 JP JP2011184800A patent/JP5747737B2/ja active Active
-
2012
- 2012-04-25 US US13/455,577 patent/US20130049186A1/en not_active Abandoned
- 2012-08-22 DE DE102012214917.1A patent/DE102012214917B4/de active Active
- 2012-08-24 CN CN201210304452.XA patent/CN102956569B/zh active Active
-
2015
- 2015-07-22 US US14/806,303 patent/US11088045B2/en active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001250890A (ja) | 2000-03-07 | 2001-09-14 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2006100337A (ja) | 2004-09-28 | 2006-04-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘電体薄膜の製造方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE112014006113B4 (de) | 2014-01-06 | 2020-07-09 | Mitsubishi Electric Corporation | Halbleitervorrichtung |
DE102015204240B4 (de) | 2014-03-10 | 2019-12-24 | Mitsubishi Electric Corporation | Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung |
DE112014006793B4 (de) | 2014-07-09 | 2020-07-23 | Mitsubishi Electric Corporation | Halbleitervorrichtung |
DE102020116231A1 (de) | 2020-06-19 | 2021-12-23 | Seg Automotive Germany Gmbh | Anordnung mit zwei elektrisch gegeneinander isolierten Bauelementen |
Also Published As
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