DE102015204240B4 - Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung - Google Patents

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Abstract

Halbleitervorrichtung (501-505, 502a-502c) mit einer Wärmeabstrahlungsfläche (SR) zum Abstrahlen von Wärme an einen Kühler (300), wobei die Halbleitervorrichtung umfasst:ein Halbleiterelement (4);eine Grundplatte (1, 1P) mit einer Montagefläche (SM), auf der das Halbleiterelement montiert ist, wobei die Wärmeabstrahlungsfläche der Montagefläche gegenüberliegt, und mit einer Dickenrichtung (DT), die von der Montagefläche zu der Wärmeabstrahlungsfläche verläuft, wobei die Grundplatte aus einem Metall gefertigt ist;eine Abdeckung (110, 120) mit einem Abschnitt, der das Halbleiterelement auf der Montagefläche der Grundplatte abdichtet, wobei die Abdeckung einen vorstehenden Abschnitt (13, 15, 110P, 122P, 122Q, 200P) aufweist, der außerhalb der Wärmeabstrahlungsfläche angeordnet ist und von einer Ebene der Wärmeabstrahlungsfläche in der Dickenrichtung vorsteht, wobei der vorstehende Abschnitt ein separat von der Grundplatte ausgebildetes Element ist; undeine auf der Wärmeabstrahlungsfläche der Grundplatte angeordnete Zwischenschicht (200, 200G), die von einer Ebene des vorstehenden Abschnitts der Abdeckung in der Dickenrichtung vorsteht und die aus einem thermoplastischen Material in einem Zustand in der festen Phase hergestellt ist, undwobei der vorstehende Abschnitt (13, 15, 110P, 122P, 122Q, 200P) der Abdeckung durch den Kühler (300) gestützt wird, wenn die Phase der Zwischenschicht in einen Zustand in der flüssigen Phase geändert wird.

Description

  • Die Erfindung betrifft das Gebiet der Halbleitervorrichtungen und der Verfahren zu deren Herstellung und insbesondere eine Halbleitervorrichtung mit einer Wärmeabstrahlungsfläche zum Abstrahlen von Wärme an einen Kühler und ein Verfahren zu deren Herstellung.
  • Da ein Leistungsmodul leicht viel Wärme erzeugt, ist es an einem Kühler wie etwa an Kühlrippen oder an einer Wärmesenke angebracht. Da wegen eines Zwischenraums zwischen dem Leistungsmodul und dem Kühler keine effiziente Wärmeabstrahlung erreicht werden kann, ist zwischen einer Metallgrundplatte des Leistungsmoduls und dem Kühler allgemein Wärmeleitfett aufgetragen. Hinsichtlich einer Auftragsoperation wird allgemein Fett mit einer verhältnismäßig hohen Fließfähigkeit verwendet. Als ein Material des Wärmeleitfetts kann eines mit verhältnismäßig hoher Wärmeleitfähigkeit gewählt werden. Da die Wärmeleitfähigkeit niedriger als jene der Materialien der Grundplatte und den Kühlrippen ist, ist es allerdings erwünscht, dass das Fett den Zwischenraum zwischen der Grundplatte und den Kühlrippen ohne eine übermäßige Menge richtig füllt. Zu diesem Zweck ist eine Technik zum Steuern einer Dickenverteilung des Fetts untersucht worden.
  • Zum Beispiel ist in Übereinstimmung mit JP 2000 - 58 727 A eine Technik zum Unterdrücken der Dicke des Fetts auf einen niedrigen Wert in der Mitte des Moduls untersucht worden. In dieser Technik sind auf einer Umfangsseite der Befestigungslöcher eines Metallträgers Vorsprünge angeordnet. Bei dieser Konfiguration wird unter Verwendung einer Befestigungskraft einer Befestigungsschraube an dem Modul ein Moment erzeugt und wird die Mitte des Metallträgers an die Wärmesenke angenähert. Im Ergebnis wird die Dicke des Fetts in der Mitte verringert.
  • Wenn in Übereinstimmung mit der in der Veröffentlichung beschriebenen Technik ein Metallträger (eine Metallgrundplatte) an einer Wärmesenke (einem Kühler) angebracht wird, wird die Stellung der Grundplatte in Bezug auf den Kühler durch an der Umfangsseite der Grundplatte angeordnete Vorsprünge reguliert. Aus diesem Grund wird die Stellung eines zentralen Abschnitts, der einen großen Teil der Grundplatte einnimmt, nur indirekt durch ein Moment des Moduls gesteuert und nicht direkt reguliert. Im Ergebnis tritt leicht eine abweichende mechanische Spannung auf, wenn die Grundplatte an dem Kühler befestigt wird. Wegen der oben beschriebenen abweichenden mechanischen Spannung kann eine Dickenverteilung des Fetts gestört werden. Selbst wenn die Dickenverteilung des Fetts unmittelbar nach der Befestigungsoperation richtig ist, kann die Dickenverteilung des Fetts durch einen bei einem Betrieb des Leistungsmoduls auftretenden Wärmezyklus wegen einer abweichenden mechanischen Spannung leicht gestört werden. Wie oben beschrieben wurde, können in der herkömmlichen Technik thermische und mechanische Kontakte zwischen der Grundplatte und dem Kühler leicht unzureichend sein.
  • Die Erfindung wurde gemacht, um das obenstehende Problem zu lösen.
  • Des Weiteren ist aus DE 10 2009 001 722 A1 ein Verfahren zum Aufbringen eines Wärmeleitmediums auf eine thermische Kontaktfläche eines Leistungshalbleitermoduls bekannt, bei dem das Wärmeleitmedium ein Phasenwechselmaterial umfasst.
  • JP 2004-103 846 A beschreibt eine Halbleitervorrichtung, bei der eine Wärmesenke und eine Abdeckung mittels einer Klebeverbindung miteinander verbunden sind.
  • DE 10 2012 214 917 A1 beschreibt eine Halbleitervorrichtung mit einem Halbleitermodul, das mittels eines Bondmaterials an einem Kühlkörper befestigt ist, wobei ein Hitzeleitfähigkeitsmaterial zwischen dem Halbleitermodul und dem Kühlkörper vorgesehen ist.
  • Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Halbleitervorrichtung, die einen bevorzugten thermischen und mechanischen Kontakt mit einem Kühler erzielen kann, und ein Verfahren zu ihrer Herstellung zu schaffen.
  • Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch eine Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1 bzw. durch ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung nach Anspruch 10. Weiterbildungen der Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.
  • Die Halbleitervorrichtung in Übereinstimmung mit der Erfindung weist eine Wärmeabstrahlungsfläche zum Abstrahlen von Wärme an einen Kühler auf und enthält ein Halbleiterelement, eine Grundplatte, eine Abdeckung und eine Zwischenschicht. Die Grundplatte weist eine Montagefläche, an der das Halbleiterelement montiert ist, und die Wärmeabstrahlungsfläche, die der Montagefläche gegenüberliegt, auf und enthält von der Montagefläche zu der Wärmeabstrahlungsfläche eine Dickenrichtung. Die Abdeckung weist einen Abschnitt auf, der das Halbleiterelement auf der Montagefläche der Grundplatte abdichtet. Die Abdeckung weist einen vorstehenden Abschnitt auf, der außerhalb der Wärmeabstrahlungsfläche angeordnet ist und der von der Ebene der Wärmeabstrahlungsfläche in der Dickenrichtung vorsteht. Die Zwischenschicht ist auf der Wärmeabstrahlungsfläche der Grundplatte angeordnet, steht von der Ebene des vorstehenden Abschnitts der Abdeckung in der Dickenrichtung vor und ist aus einem thermoplastischen Material in einem Zustand in der festen Phase hergestellt.
  • In Übereinstimmung mit der Erfindung wird eine Stellung der Grundplatte in Bezug auf den Kühler durch die an der Grundplatte angeordnete Zwischenschicht in der festen Phase reguliert, wenn die Grundplatte an dem Kühler befestigt wird. Auf diese Weise kann eine abweichende mechanische Spannung, die auftritt, wenn die Grundplatte befestigt wird, unterbunden werden. Somit wird unterbunden, dass die Dickenverteilung der Zwischenschicht, deren Phase sich mit der Wärme in einen Zustand in der flüssigen Phase geändert hat, nachdem die Grundplatte befestigt worden ist, wegen der abweichenden mechanischen Spannung gestört wird. Wenn die Phase der Zwischenschicht in einen Zustand in der festen Phase geändert wird, wird der vorstehende Abschnitt der Abdeckung durch den Kühler gestützt, um einen Zwischenraum aufrechtzuerhalten, der notwendig ist, damit die Zwischenschicht in der flüssigen Phase zwischen der Grundplatte und dem Kühler stabil vorhanden ist. Somit kann ein bevorzugter thermischer und mechanischer Kontakt zwischen der Grundplatte und dem Kühler erzielt werden.
  • Weitere Merkmale und Zweckmäßigkeiten der Erfindung ergeben sich aus der Beschreibung von Ausführungsformen der Erfindung anhand der Figuren. Von den Figuren zeigen:
    • 1 eine schematische Darstellung der Konfiguration einer Vorrichtung in Übereinstimmung mit einer ersten bevorzugten Ausführungsform der Erfindung, wobei es sich um eine Schnittansicht entlang der Linie I-I in 2 handelt;
    • 2 eine schematische Unteransicht;
    • 3 eine schematische Schnittansicht eines Schritts in einem Verfahren zum Befestigen der Halbleitervorrichtung in 1 an einem Kühler;
    • 4 eine schematische Darstellung der Konfiguration einer mit einem Kühler ausgestatteten Halbleitervorrichtung in Übereinstimmung mit der Halbleitervorrichtung in 1 und des Kühlers;
    • 5 eine schematische Unteransicht aus 4;
    • 6 eine schematische Darstellung der Konfiguration einer mit einem Kühler ausgestatteten Halbleitervorrichtung in Übereinstimmung mit einem Vergleichsbeispiel, wobei dies eine Schnittansicht entlang einer Linie VI-VI in 7 ist;
    • 7 eine Unteransicht von 6;
    • 8 eine Schnittansicht einer Art und Weise, in der eine Dicke des Fetts in 6 abweichend ist;
    • 9A eine typische Seitenansicht der Konfiguration der mit einem Kühler ausgestatteten Halbleitervorrichtung in Übereinstimmung mit dem Vergleichsbeispiel, wobei 9B eine Draufsicht davon ist;
    • 10A eine Seitenansicht eines Zustands, nachdem die mit einem Kühler ausgestattete Halbleitervorrichtung in 9A und 9B verwendet wird, wobei 10B eine Draufsicht davon ist;
    • 11A eine Seitenansicht eines Zustands nach dem Zustand der mit einem Kühler ausgestatteten Halbleitervorrichtung in 10A und 10B, wobei 11B eine Draufsicht davon ist;
    • 12 ein Photo eines Beispiels einer Verteilung von Fett auf einer unteren Oberfläche der Grundplatte in einem Modulhauptkörper in 11B;
    • 13 eine schematische Schnittansicht der Konfiguration einer Halbleitervorrichtung in Übereinstimmung mit einer zweiten bevorzugten Ausführungsform der Erfindung;
    • 14 eine schematische Schnittansicht eines ersten geänderten Beispiels aus 13;
    • 15 eine schematische Schnittansicht eines zweiten geänderten Beispiels aus 13;
    • 16 eine schematische Schnittansicht eines dritten geänderten Beispiels aus 13;
    • 17 eine schematische Schnittansicht der Konfiguration einer Halbleitervorrichtung in Übereinstimmung mit einer dritten bevorzugten Ausführungsform der Erfindung;
    • 18 eine schematische Schnittansicht der Konfiguration einer Halbleitervorrichtung in Übereinstimmung mit einer vierten bevorzugten Ausführungsform der Erfindung;
    • 19 eine schematische Schnittansicht der Konfiguration einer Halbleitervorrichtung in Übereinstimmung mit einer fünften bevorzugten Ausführungsform der Erfindung;
    • 20 eine schematische Schnittansicht eines Schritts in einem Verfahren zum Befestigen der Halbleitervorrichtung in 19 an einem Kühler;
    • 21 eine schematische perspektivische Ansicht eines Schritts in einem Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung in Übereinstimmung mit einer sechsten bevorzugten Ausführungsform der Erfindung;
    • 22 einen Graphen eines Andrucks beim Drucken und einer Druckdicke in einer Druckrichtung in dem Schritt in 21;
    • 23A eine Schnittansicht eines Beispiels einer in dem Schritt in 21 verwendeten Rakel, wobei 23B eine Vorderansicht der Rakel ist; und
    • 24 einen Graphen eines Betrags des Vorsprungs der Rakel und der Druckdicke in einer Richtung orthogonal zu einer Druckrichtung in 21.
  • Im Folgenden werden anhand der beigefügten Zeichnungen bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung beschrieben. Dieselben Bezugszeichen bezeichnen in den folgenden Zeichnungen dieselben oder einander entsprechende Teile und ihre Beschreibungen werden nicht wiederholt.
  • Erste bevorzugte Ausführungsform
  • In 1 und 2 weist ein Leistungsmodul 501 (eine Halbleitervorrichtung) in Übereinstimmung mit der bevorzugten Ausführungsform eine Wärmeabstrahlungsfläche SR zum Abstrahlen von Wärme an einen Kühler wie etwa Kühlrippen oder eine Wärmesenke auf. Das Leistungsmodul 501 weist ein Halbleiterelement 4, eine Leiterplatte 10, eine Außenelektrode 5, einen Draht 6, eine Abdeckung 110 und eine Zwischenschicht 200 auf. Das Halbleiterelement 4 ist ein Leistungshalbleiterelement, d. h. z. B. ein IGBT (Isolierschicht-Bipolartransistor), ein MISFET (Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistor), ein JFET (Sperrschicht-Feldeffekttransistor) oder eine Diode. Das Leistungsmodul 501 ist z. B. eine Vorrichtung, die bei der Motorsteuerung für industrielle Geräte, Konsumgütergeräte oder dergleichen verwendet wird.
  • Die Leiterplatte 10 weist eine Grundplatte 1, eine Isolierschicht 2 und ein Schaltungsmuster 3 auf. Die Grundplatte 1 weist eine Montagefläche SM (obere Oberfläche in 1) und eine Wärmeabstrahlungsfläche SR (untere Oberfläche in 1), die einander gegenüberliegen, auf. Auf der Montagefläche SM ist über der Isolierschicht 2 und dem Schaltungsmuster 3 das Halbleiterelement 4 montiert. Die Grundplatte 1 weist von der Montagefläche SM zu der Wärmeabstrahlungsfläche SR eine Dickenrichtung DT (in 1 eine Richtung nach unten) auf.
  • Die Abdeckung 110 weist einen Abschnitt auf, der das Halbleiterelement 4 auf der Montagefläche SM der Grundplatte 1 abdichtet. Die Abdeckung 110 weist einen vorstehenden unteren Abschnitt 110P (vorstehenden Abschnitt) auf, der außerhalb der Wärmeabstrahlungsfläche SR angeordnet ist und von der Ebene der Wärmeabstrahlungsfläche SR in der Dickenrichtung DT vorsteht. Der vorstehende untere Abschnitt 110P weist bei der Konfiguration eine Befestigungsfläche SF auf, die von der Ebene der Wärmeabstrahlungsfläche SR in der Dickenrichtung DT vorsteht. Auf diese Weise ist eine Stufe gebildet, die von der Wärmeabstrahlungsfläche SR der Grundplatte 1 zu der Befestigungsfläche SF der Abdeckung 110 ansteigt. Wie in 2 gezeigt ist, umgibt der vorstehende untere Abschnitt 110P vorzugsweise die Zwischenschicht 200 auf der Grundplatte 1 vollständig. Die Abdeckung 110 ist z. B. aus einem Harz hergestellt.
  • In der Abdeckung 110 ist eine Befestigungsbohrung 9 gebildet, die als eine Durchgangsbohrung zum Befestigen eines Kühlers (in 1 und 2 nicht gezeigt) dient. Die Befestigungsbohrung 9 ist außerhalb der Wärmeabstrahlungsfläche SR angeordnet und verläuft entlang der Dickenrichtung DT. In der bevorzugten Ausführungsform durchdringt die Befestigungsbohrung 9 den vorstehenden unteren Abschnitt 110P. Mit anderen Worten, die Befestigungsbohrung 9 ist in der Befestigungsfläche SF gebildet. Die Befestigungsbohrungen 9 in 2 sind an den vier Ecken des Abdeckungsabschnitts 110, d. h. jeweils an den vier Ecken des vorstehenden unteren Abschnitts 110P, gebildet. Die Befestigungsbohrung 9 ist von der Grundplatte 1 getrennt gebildet.
  • Auf der Wärmeabstrahlungsfläche SR der Grundplatte 1 ist die Zwischenschicht 200 angeordnet, die von der Ebene des vorstehenden unteren Abschnitts 110P der Abdeckung 110 in der Dickenrichtung DT vorsteht. Bei dieser Konfiguration weist die Zwischenschicht 200 eine vorstehende Oberfläche ST auf, die von der Ebene der Befestigungsfläche SF in der Dickenrichtung DT vorsteht. Bei dieser Konfiguration vergräbt die Zwischenschicht 200 die Stufe zwischen der Wärmeabstrahlungsfläche SR und der Befestigungsfläche SF an einem Teil der Wärmeabstrahlungsfläche SR, wobei sie von der Ebene der Befestigungsfläche SF vorsteht.
  • Die Zwischenschicht 200 ist aus einem thermoplastischen Material hergestellt, dessen Phase mit Wärme von einer festen Phase zu einer flüssigen Phase geändert werden kann, wobei sie z. B. aus einem kristallinen Harz hergestellt ist. Zu dem in 1 und 2 gezeigten Zeitpunkt, d. h. zu einem Zeitpunkt, bevor der Kühler befestigt wird, weist die Zwischenschicht 200 einen Zustand in der festen Phase auf. Der Schmelzpunkt des Materials ist vorzugsweise höher als eine normale Temperatur und niedriger als die Betriebstemperatur des Halbleiterelements 4. Aus diesem Grund kann ein Bereich für die gewählten Schmelzpunkte verbreitert werden, wenn als das Halbleiterelement 4 ein Halbleiterelement mit hoher Betriebstemperatur, insbesondere ein Siliciumcarbid-Halbleiterelement mit einem Siliciumcarbidsubstrat, verwendet wird. Zu dem thermoplastischen Material kann ein fester Füllstoff zugegeben sein, der immer in einem Zustand in der festen Phase ist. Der feste Füllstoff ist z. B. aus einem Metall hergestellt.
  • Vorzugsweise ist die Zwischenschicht 200 auf der Wärmeabstrahlungsfläche SR nur teilweise gebildet. Bevorzugter weist die Zwischenschicht 200, wie in 2 ist, auf der Wärmeabstrahlungsfläche SR mehrere voneinander getrennte Muster auf. Die Form jedes der Muster ist z. B. wie gezeigt eine Kreisform oder ist eine Sechseckform. Noch bevorzugter sind die Muster in einem vorgegebenen Zyklus auf der Wärmeabstrahlungsfläche SR angeordnet.
  • Die Außenelektrode 5 liegt teilweise nach außerhalb der Abdeckung 110 frei und ist mit dem Halbleiterelement 4 in der Abdeckung 110 elektrisch verbunden. Die Außenelektrode 5 kann aus dem Innern der Abdeckung 110 ins Äußere der Abdeckung 110 vorstehen.
  • Der Draht 6 ist üblicherweise ein Bonddraht. Zusammen mit dem Schaltungsmuster 3 konfiguriert der Draht 6 in der Abdeckung 110 einen elektrischen Weg für das Leistungsmodul 501.
  • Im Folgenden wird ein Verfahren zum Befestigen des Leistungsmoduls 501 an einem Kühler beschrieben.
  • Anhand von 3 wird das Leistungsmodul 501 in der Weise an Kühlrippen 300 (an einem Kühler) angeordnet, dass die Befestigungsfläche SF den Kühlrippen 300 zugewandt ist. Auf diese Weise ist die vorstehende Fläche ST der Zwischenschicht 200 durch die Kühlrippen 300 gestützt.
  • Die Abdeckung 110 wird unter Verwendung der Befestigungsbohrung 9 mit einer Schraube 400 an den Kühlrippen 300 befestigt. Auf diese Weise wird das Leistungsmodul 501 an den Kühlrippen 300 befestigt. Vorzugsweise wird die Schraube 400 mit einem regulierten Drehmoment befestigt.
  • Die Zwischenschicht 200 wird erwärmt, um den Zustand des thermoplastischen Materials, das die Zwischenschicht 200 konfiguriert, in einen Zustand in der flüssigen Phase zu ändern. Diese Erwärmung kann unter Verwendung von Wärmestrahlung ausgeführt werden, die durch den Betrieb des Halbleiterelements 4 verursacht wird.
  • Anhand von 4 und 5 wird die Zwischenschicht 200 (3), die in einem Zustand in der festen Phase ist, wie zuvor beschrieben wurde, in eine Zwischenschicht 200F in einem Zustand in der flüssigen Phase geändert. Die Zwischenschicht 200F breitet sich auf der Wärmeabstrahlungsfläche SR, und vorzugsweise auf der gesamten Fläche der Wärmeabstrahlungsfläche SR, flüssig aus. Auf diese Weise wird ein mit Kühlrippen ausgestattetes Leistungsmodul 801 (eine mit Kühlrippen ausgestattete Halbleitervorrichtung) erhalten. Wenn der Betrieb des mit Kühlrippen ausgestatteten Leistungsmoduls 801 angehalten wird, wird der Zustand der Zwischenschicht 200F in einen Zustand in der festen Phase geändert, während die Form der Zwischenschicht 200F erhalten bleibt.
  • Im Folgenden wird ein Vergleichsbeispiel beschrieben.
  • Anhand von 6 und 7 weist ein Modulhauptkörper MDZ des Vergleichsbeispiels ein Schaltungsmuster 3, eine Metallschicht 3K der hinteren Oberfläche, das Halbleiterelement 4, die Außenelektrode 5, den Draht 6, ein isolierendes Substrat 90, ein Lötmittel 91 und ein Abdichtmaterial 121 auf. Der Modulhauptkörper MDZ ist unter Verwendung eines Gehäuses 122Z, der Schraube 400 und von Fett 290 an den Kühlrippen 300 befestigt, um ein mit Kühlrippen ausgestattetes Leistungsmodul 801Z zu konfigurieren.
  • Das Gehäuse 122Z ist an dem Außenumfang des Modulhauptkörpers MDZ angeordnet. Zwischen dem Gehäuse 122Z und den Kühlrippen 300 liegt ein Außenumfangsabschnitt einer Grundplatte 1Z. Die Schraube 400 ist durch die in dem Gehäuse 122Z und in der Grundplatte 1Z gebildeten Befestigungsbohrungen 9 bzw. 9M an den Kühlrippen 300 befestigt. Auf diese Weise ist die hintere Oberfläche der Grundplatte 1Z über das Fett 290 gegen die Kühlrippen 300 gepresst. Durch das Halbleiterelement 4 während des Betriebs des mit den Kühlrippen ausgestatteten Leistungsmoduls 801Z erzeugte Wärme wird von der unteren Oberfläche der Grundplatte 1Z über das Fett 290 an die Kühlrippen 300 übertragen. Das Fett 290 wird auf die Grundplatte 1Z oder auf die Kühlrippen 300 aufgetragen, bevor die Befestigungsoperation begonnen wird. Um den Auftrag zu erleichtern, wird als das Fett 290 ein Fett mit verhältnismäßig hoher Fließfähigkeit selbst bei normaler Temperatur verwendet. Zum Beispiel wird ein Fett mit einer Viskosität von 100 bis 500 Pa · s verwendet.
  • Anhand von 8 hat das Fett 290 aus verschiedenen Gründen leicht eine abweichende Dicke. Ein erster anzunehmender Grund ist eine Verziehung, die in der Grundplatte 1Z beim Auftrag des Fetts 290 auftritt. Diese Verziehung kann wegen einer Differenz zwischen den Wärmeausdehnungskoeffizienten der Elemente, die den Modulhauptkörper MDZ konfigurieren, auftreten. Ein zweiter anzunehmender Grund ist eine Schwankung der Anziehkraft der Schraube 400. Da in dem Vergleichsbeispiel kein Element vorhanden ist, das zwischen der Grundplatte 1Z und den Kühlrippen 300 als ein Abstandshalter dient, wenn die Schraube 400 angezogen wird, kann selbst eine verhältnismäßig kleine Schwankung des Drehmoments eine Abweichung der Dicke des Fetts 290 verursachen.
  • Wenn die Dicke des Fetts 290 abweichend ist, wird auf den Modulhauptkörper MDZ eine ungleichförmige Kraft ausgeübt, wenn die Schraube 400 angezogen wird, was dazu führt, dass in dem Dichtungsmaterial 121 Risse CR auftreten. Die Risse CR können die Fähigkeit, einen dielektrischen Durchschlag in dem Dichtungsmaterial 121 zu verhindern, verschlechtern. Wenn die Dicke des Fetts 290 abweichend ist, kann selbst dann, wenn speziell kein Nachteil vorhanden ist, wenn die Schraube 400 angezogen wird, ein anderer Nachteil auftreten, wenn der Betrieb des Halbleiterelements 4 wiederholt wird. Dies wird im Folgenden beschrieben.
  • Wenn die Ungleichförmigkeit der Dicke des Fetts 290 groß ist, nimmt die Ungleichförmigkeit der Wärmeleitfähigkeit zwischen der unteren Oberfläche der Grundplatte 1Z und den Kühlrippen 300 ebenfalls zu. Wenn das mit den Kühlrippen ausgestattete Leistungsmodul 801Z in diesem Zustand wiederholt betrieben wird, ändert sich die verzogene Form der hinteren Oberfläche der Grundplatte 1Z stark, was eine (auch als Auspumpen bezeichnete) Erscheinung verursacht, dass sich das Fett 290 von dem Zentrum der Kühlrippen 300 zu ihrer Außenseite bewegt.
  • Genauer wird das Fett 290, das sich wie in 9A und 9B gezeigt unter dem Modulhauptkörper MDZ befand, wegen des Auftretens eines Wärmezyklus, wie in 10A und 10B gezeigt ist, nach außen ausgetrieben und daraufhin, wie in 11A und 11B gezeigt ist, wieder in einen Abschnitt unter dem Modulhauptkörper MDZ angesaugt. Wie in 12 dargestellt ist, wiederholt sich dieser Vorgang, wobei auf der unteren Oberfläche der Grundplatte 1Z ein Abschnitt (ein Leerraum) entsteht, in dem das Fett 290 nicht aufgetragen ist. Da die Anwesenheit eines Leerraums die Wärmeleitfähigkeit beträchtlich verschlechtert, nimmt eine durch die Kühlrippen 300 erzielte Kühlwirkung ab. Somit kann ein normaler Betrieb des Halbleiterelements 4 schwierig sein.
  • Wenn die Grundplatte 1 in Übereinstimmung mit der Erfindung an den Kühlrippen 300 (3) befestigt wird, wird eine Stellung der Grundplatte 1 in Bezug auf die Kühlrippen 300 durch die auf der Grundplatte 1 angeordnete Zwischenschicht in der festen Phase 200 reguliert. Genauer kann ein Zwischenraum zwischen der Wärmeabstrahlungsfläche SR der Grundplatte 1 und den Kühlrippen 300 aufrechterhalten werden, während die Wärmeabstrahlungsfläche SR der Grundplatte 1 und die der Wärmeabstrahlungsfläche SR zugewandte Oberfläche der Kühlrippen 300 nahezu parallel zueinander gemacht werden. Somit wird unterbunden, dass die mechanische Spannung, die erzeugt wird, wenn die Grundplatte 1 befestigt wird, abweichend wird. Somit wird unterbunden, dass die Dickenverteilung der Zwischenschicht 200F (4), deren Phase sich mit Wärme in einen Zustand in der flüssigen Phase ändert, nachdem die Grundplatte 1 befestigt worden ist, wegen der abweichenden mechanischen Spannung gestört wird.
  • Wenn sich ein Zustand der Zwischenschicht 200 in einen Zustand in der flüssigen Phase (4) ändert, wird der vorstehende untere Abschnitt 110P der Abdeckung 110 durch die Kühlrippen 300 gestützt, um einen Zwischenraum, der notwendig ist, damit die Zwischenschicht 200F in der flüssigen Phase zwischen der Grundplatte 1 und den Kühlrippen 300 stabil vorhanden ist, aufrechterhalten wird. Somit können bevorzugte thermische und mechanische Kontakte zwischen der Grundplatte 1 und den Kühlrippen 300 erzielt werden.
  • Anders als das Fett ist die Zwischenschicht 200 (1) in der festen Phase in einem harten Zustand. Aus diesem Grund kann eine Halbleitervorrichtung, an der die Zwischenschicht 200 gebildet ist, leicht transportiert werden.
  • Vorzugsweise weist die Zwischenschicht 200 auf der Wärmeabstrahlungsfläche SR der Grundplatte 1 (2) mehrere voneinander getrennte Muster auf. Auf diese Weise kann die Verteilung der Zwischenschicht 200 auf der Wärmeabstrahlungsfläche SR im Vergleich zu einem Fall, in dem die Zwischenschicht 200 als ein ungleichförmiges Muster vorliegt, gleichförmiger gestaltet werden, während ein Zwischenraum, in dem sich die Zwischenschicht 200 ausbreitet, wenn sie in einen Zustand in der flüssigen Phase geändert wird, aufrechterhalten wird. Somit wird unterbunden, dass die Dickenverteilung der Zwischenschicht 200F (4), deren Phase in einen Zustand in der flüssigen Phase geändert worden ist, nachdem die Grundplatte 1 befestigt worden ist, gestört wird.
  • Zweite bevorzugte Ausführungsform
  • Anhand von 13 weist ein Leistungsmodul 502 (eine Halbleitervorrichtung) anstelle der Abdeckung 110 (1) eine Abdeckung 120 auf. Die Abdeckung 120 weist das Dichtungsmaterial 121 und ein Gehäuse 122 auf. Das Dichtungsmaterial 121 dichtet das Halbleiterelement 4 auf der Montagefläche SM der Grundplatte 1 ab. Das Dichtungsmaterial 121 ist in dem Gehäuse 122 gebildet. Mit anderen Worten, das Leistungsmodul 502 weist das Gehäuse 122 und einen in dem Gehäuse 122 gelagerten Modulhauptkörper MD auf. In dem Gehäuse 122 ist die Befestigungsbohrung 9 zur Befestigung der Kühlrippen 300 (siehe 3) gebildet.
  • Das Gehäuse 122 weist einen vorstehenden unteren Abschnitt 122P (vorstehenden Abschnitt) auf, der außerhalb der Wärmeabstrahlungsfläche SR angeordnet ist und von der Ebene der Wärmeabstrahlungsfläche SR in der Dickenrichtung DT vorsteht. Bei der Konfiguration weist der vorstehende untere Abschnitt 122P eine Befestigungsfläche SF auf, die von der Ebene der Wärmeabstrahlungsfläche SR in der Dickenrichtung DT vorsteht. Auf diese Weise ist eine Stufe gebildet, die von der Wärmeabstrahlungsfläche SR der Grundplatte 1 zu der Befestigungsfläche SF des Gehäuses 122 ansteigt. Vorzugsweise umgibt der vorstehende untere Abschnitt 122P die Zwischenschicht 200 auf der Grundplatte 1 wie der vorstehende Abschnitt 110P (2) vollständig. Die Abdeckung 120 ist z. B. aus einem Harz hergestellt. Die Zwischenschicht 200 steht von der Ebene des vorstehenden unteren Abschnitts 122P in der Dickenrichtung DT vor.
  • Da eine Konfiguration mit Ausnahme des oben Beschriebenen nahezu dieselbe wie in der oben beschriebenen ersten bevorzugten Ausführungsform ist, bezeichnen dieselben Bezugszeichen dieselben oder einander entsprechende Elemente und wird ihre Beschreibung nicht wiederholt.
  • In Übereinstimmung mit der bevorzugten Ausführungsform kann der vorstehende untere Abschnitt 122P, der als ein von der Ebene der Wärmeabstrahlungsfläche SR vorstehender Abschnitt dient, durch das Gehäuse 122 konfiguriert sein, das ein von dem Dichtungsmaterial 121 verschiedenes Element ist.
  • Anhand von 14 weist das Gehäuse 122 in einem Leistungsmodul 502a (einer Halbleitervorrichtung) in Übereinstimmung mit einem ersten geänderten Beispiel eine gegenüberliegende Fläche SO auf, die den Kühlrippen 300 (siehe 3) der Grundplatte 1 gegenüberliegt. Das Gehäuse 122 weist einen Vorsprung 122Q (einen vorstehenden Abschnitt) auf, der von der gegenüberliegenden Oberfläche SO vorsteht. Die Zwischenschicht 200 steht von der Ebene des Vorsprungs 122Q in der Dickenrichtung DT vor.
  • In Übereinstimmung mit dem geänderten Beispiel ist die Größe eines Abschnitts des Vorsprungs 122Q, der von der gegenüberliegenden Oberfläche SO vorsteht, so eingestellt, dass es ermöglicht wird, die Dicke eines Zwischenraums, der notwendig ist, damit die Zwischenschicht in der flüssigen Phase 200F (siehe 4) vorhanden sein kann, einzustellen. Somit kann die Dicke der Zwischenschicht 200F eingestellt werden. Die Einstellung kann in Abhängigkeit von der Größe der Verwerfung der hinteren Oberfläche der Grundplatte 1 ausgeführt werden. Diese Verwerfung kann auftreten, da der Modulhauptkörper MD eine Konfiguration aufweist, in der mehrere Elemente mit unterschiedlichen Wärmeausdehnungskoeffizienten miteinander verbunden sind.
  • Anhand von 15 ist in einem Leistungsmodul 502b (einer Halbleitervorrichtung) eines zweiten geänderten Beispiels an dem Gehäuse 122 eine Metallbuchse 13 (ein vorstehender Abschnitt), die in die Befestigungsbohrung 9 eingeführt ist, vorgesehen. Die Metallbuchse 13 soll ein Wandern des Gehäuses 122 verhindern. Die Metallbuchse 13 steht von der oben beschriebenen gegenüberliegenden Oberfläche SO vor. Die Zwischenschicht 200 steht in der Ebene des Vorsprungs 13 in der Dickenrichtung DT vor.
  • In Übereinstimmung mit dem geänderten Beispiel kann die Metallbuchse 13 einen von der Wärmeabstrahlungsfläche SR vorstehenden Abschnitt der Grundplatte 1, d. h. einen vorstehenden Abschnitt, konfigurieren. Somit kann die Metallbuchse 13 sowohl die Funktion, das Wandern zu verhindern, als auch die Funktion, den vorstehenden Abschnitt zu konfigurieren, besitzen.
  • Anhand von 16 weist die Abdeckung 120 in einem Leistungsmodul 502c (einer Halbleitervorrichtung) eines dritten geänderten Beispiels den Haftmittelabschnitt 15 auf, der das Dichtungsmaterial 121 und das Gehäuse 122 miteinander bondet. Der Haftmittelabschnitt 15 steht von dem Modulhauptkörper MD und von dem Gehäuse 122 in Dickenrichtung DT vor. Die Zwischenschicht 200 steht von der Ebene des Vorsprungs 15 in der Dickenrichtung DT vor.
  • In Übereinstimmung mit dem geänderten Beispiel kann der Haftmittelabschnitt 15, der das Dichtungsmaterial 121 und das Gehäuse 122 miteinander bondet, einen Abschnitt, der von der Wärmeabstrahlungsfläche SR vorsteht, d. h. einen vorstehenden Abschnitt, konfigurieren. Genauer können der Schritt, dass der Modulhauptkörper MD und das Gehäuse 122 miteinander gebondet werden, und der Schritt, dass der vorstehende Abschnitt konfiguriert wird, gleichzeitig ausgeführt werden. Eine Menge des Haftmittels, das aufgetragen wird, wenn der Haftmittelabschnitt 15 gebildet wird, wird so eingestellt, dass es möglich wird, die Größe des vorstehenden Abschnitts einzustellen.
  • Dritte bevorzugte Ausführungsform
  • Anhand von 17 weist ein Leistungsmodul 503 (eine Halbleitervorrichtung) eine Grundplatte 1P auf. Die Grundplatte 1P weist Abschnitte 1a und 1b auf, die durch das Gehäuse 122 miteinander verbunden sind. Die Modulhauptkörper Ma und Mb sind unter Verwendung der Abschnitte 1a bzw. 1b konfiguriert. Mit anderen Worten, das Leistungsmodul 503 weist die Modulhauptkörper Ma und Mb auf, die dadurch miteinander verbunden sind, dass sie in dem Gehäuse 122 gelagert sind. Der Modulhauptkörper Ma weist den Abschnitt 1a der Grundplatte, eine Isolierschicht 2a, ein Schaltungsmuster 3a, ein Halbleiterelement 4a, eine Außenelektrode 5a und ein Dichtungsmaterial 121a auf. Der Modulhauptkörper Mb weist den Abschnitt 1b der Grundplatte, die Isolierschicht 2b, das Schaltungsmuster 3b, das Halbleiterelement 4b, die Außenelektrode 5b und ein Dichtungsmaterial 121b auf.
  • In Übereinstimmung mit der bevorzugten Ausführungsform können die mehreren Modulhauptkörper Ma und Mb einteilig behandelt werden, sodass die Modulhauptkörper Ma und Mb durch das Gehäuse 122 miteinander verbunden sind.
  • Vierte bevorzugte Ausführungsform
  • Anhand von 18 ist in einem Leistungsmodul 504 (einer Halbleitervorrichtung) in Übereinstimmung mit der bevorzugten Ausführungsform auf der Unterseite des Gehäuses 122 ein Nicht-Phasenänderungsabschnitt 200P (vorstehender Abschnitt) gebildet, der aus einem thermoplastischen Harz hergestellt ist. Das thermoplastische Harz ist ähnlich dem Material der Zwischenschicht 200 oder dasselbe. Der Nicht-Phasenänderungsabschnitt 200P ist außerhalb der Wärmeabstrahlungsfläche SR angeordnet und steht von der Ebene der Wärmeabstrahlungsfläche SR in der Dickenrichtung DT vor. Bei der Konfiguration weist der Nicht-Phasenänderungsabschnitt 200P die Befestigungsfläche SF auf, die von der Ebene der Wärmeabstrahlungsfläche SR in der Dickenrichtung DT vorsteht. Die Zwischenschicht 200 steht von der Ebene des Nicht-Phasenänderungsabschnitts 200P in der Dickenrichtung DT vor.
  • Vorzugsweise ist die Dicke des Nicht-Phasenänderungsabschnitts 200P kleiner als die Dicke der Zwischenschicht 200. In diesem Fall steht die Unterseite des Gehäuses 122 in der Dickenrichtung DT von der Ebene der Wärmeabstrahlungsfläche SR vor. Mit anderen Worten, in diesem Fall weist das Leistungsmodul 504 eine Konfiguration auf, in der auf der Befestigungsfläche SF des Leistungsmoduls 502 (13) der Nicht-Phasenänderungsabschnitt 200P hinzugefügt ist.
  • In diesem Fall sind die Herstellungsschritte vereinfacht.
  • Da eine Konfiguration mit Ausnahme des oben Beschriebenen nahezu dieselbe wie in der oben beschriebenen zweiten bevorzugten Ausführungsform ist, bezeichnen dieselben Bezugszeichen dieselben oder einander entsprechende Elemente und wird ihre Beschreibung nicht wiederholt.
  • In Übereinstimmung mit der bevorzugten Ausführungsform kann der Nicht-Phasenänderungsabschnitt 200P einen Grad, in dem die Befestigungsfläche SF in der Dickenrichtung DT vorsteht, einstellen. Um die Prozesse vereinfachen zu können, wird der Nicht-Phasenänderungsabschnitt 200P aus demselben oder aus einem ähnlichen Material wie die Zwischenschicht 200 hergestellt.
  • Da der Nicht-Phasenänderungsabschnitt 200P anders als die Zwischenschicht 200 nicht auf der Grundplatte 1, sondern auf dem Gehäuse 122 gebildet ist, kann der Nicht-Phasenänderungsabschnitt 200P nicht leicht eine durch den Betrieb des Halbleiterelements 4 verursachte Temperaturerhöhung empfangen. Auf diese Weise kann der Nicht-Phasenänderungsabschnitt 200P in einem Zustand in der festen Phase gehalten werden, auch wenn die Phase der Zwischenschicht 200 durch eine Erhöhung der Temperatur in einen Zustand in der flüssigen Phase geändert wird. Somit ist der Nicht-Phasenänderungsabschnitt 200P mit den Kühlrippen 300 ständig stabil gestützt.
  • Fünfte bevorzugte Ausführungsform
  • Anhand von 19 weist ein Leistungsmodul 505 (eine Halbleitervorrichtung) anstelle der Zwischenschicht 200 (1) eine Zwischenschicht 200G auf. Die Zwischenschicht 200G weist auf der Wärmeabstrahlungsfläche SR der Grundplatte 1 unterschiedliche Dicken auf. Genauer enthält die Zwischenschicht 200G einen Dickfilmabschnitt 201 und einen Dünnfilmabschnitt 202, der dünner als der Dickfilmabschnitt 201 ist. Der Dünnfilmabschnitt 202 ist im Zentrum der Wärmeabstrahlungsfläche SR gebildet. Der Dickfilmabschnitt 201 ist auf der Wärmeabstrahlungsfläche SR außerhalb des Dünnfilmabschnitts 202 angeordnet. Genauer weist die Zwischenschicht 200G eine Dicke auf, die auf der Wärmeabstrahlungsfläche SR vom Zentrum zum Rand allmählich zunimmt.
  • Wenn die Grundplatte 1 anhand von 20 in einem mit Kühlrippen ausgestatteten Leistungsmodul 805 mit dem Leistungsmodul 505 in der Weise verzogen wird, dass die Wärmeabstrahlungsfläche SR eine vorstehende Form aufweist, ist die Zwischenschicht 200G angeordnet, die eine der Verziehung entsprechende Dickenverteilung aufweist. Auf diese Weise kann das Leistungsmodul 505 stabiler an den Kühlrippen 300 befestigt sein.
  • Da eine Konfiguration mit Ausnahme des oben Beschriebenen nahezu dieselbe wie in der ersten und in der zweiten bevorzugten Ausführungsform, die oben beschrieben sind, ist, bezeichnen dieselben Bezugszeichen dieselben oder einander entsprechende Elemente und wird ihre Beschreibung nicht wiederholt.
  • In Übereinstimmung mit der bevorzugten Ausführungsform wird die Dickenverteilung der Zwischenschicht 200G nicht gleichförmig hergestellt, sondern kann veranlasst werden, dass sie der Verziehung der Grundplatte 1 entspricht. Auf diese Weise können zwischen der Grundplatte 1 und den Kühlrippen 300 bevorzugtere thermische und mechanische Kontakte erzielt werden, wenn die Grundplatte 1 eine Verziehung aufweist.
  • Sechste bevorzugte Ausführungsform
  • In der bevorzugten Ausführungsform wird im Folgenden ein Verfahren zur Herstellung des oben beschriebenen Leistungsmoduls (der oben beschriebenen Halbleitervorrichtung) beschrieben.
  • Anhand von 1 wird zunächst die Grundplatte 1 vorbereitet und wird auf der Montagefläche SM das Halbleiterelement 4 montiert. Es wird eine Abdeckung 110 gebildet, die einen Abschnitt aufweist, der das Halbleiterelement 4 auf der Montagefläche SM abdichtet. Die Zwischenschicht 200 wird wie im Folgenden beschrieben gebildet.
  • In 21 ist ein orthogonales xy-Koordinatensystem hinzugefügt worden, um die Zeichnung besser verständlich zu machen. Es wird eine Druckmaske 50 (Maskenplatte) mit einer xy-Ebene vorbereitet. In der xy-Ebene werden Löcher gebildet, die ein Muster aufweisen, das dem Muster der zu bildenden Zwischenschicht 200 entspricht. Die Druckmaske 50 wird auf der Wärmeabstrahlungsfläche SR (siehe z. B. 1 und 2) der Grundplatte 1 angeordnet. Auf der Druckmaske 50 wird ein thermoplastisches Material in der flüssigen Phase angeordnet. Auf der Druckmaske 50 wird eine Druckrakel 41 in der Weise in einer x-Richtung bewegt, dass sie über ein Druckmuster 51 geht, während die Breitenrichtung der Druckrakel 41 in einer y-Richtung beibehalten wird. Auf diese Weise wird ein thermoplastisches Material in der flüssigen Phase auf die Wärmeabstrahlungsfläche SR aufgetragen. Das thermoplastische Material in der flüssigen Phase wird gehärtet, um die Zwischenschicht 200 zu bilden. In der obigen Druckoperation wird ein Andruck, der wirkt, wenn die Druckrakel 41 gegen die Druckmaske 50 gepresst wird, d. h. ein Andruck P beim Drucken, geändert, um eine Änderung der Druckdicke zu ermöglichen.
  • In Übereinstimmung mit der bevorzugten Ausführungsform kann die Zwischenschicht 200 durch einen durch die Druckrakel 41 gebildeten Auftrag gebildet werden. In einer Druckoperation zum Auftragen eines thermoplastischen Materials kann der Andruck P beim Drucken eingestellt werden. Um den Andruck einzustellen, wird z. B. eine Kraft eingestellt, mit der die Druckrakel 41 gegen die Druckmaske 50 presst (22), oder wird eine Druckrakel 42 (23) mit einer speziellen Form verwendet. Dies wird im Folgenden beschrieben.
  • Anhand von 22 wird der Andruck, um die Druckrakel 41 gegen die Druckmaske 50 zu pressen, in der Weise eingestellt, dass eine Druckdickenverteilung der Zwischenschicht 200 in einer x-Richtung als einer Druckrichtung eingestellt werden kann. Genauer kann die Zwischenschicht 200 mit einer größeren Dicke an den beiden Enden als im Zentrum in x-Richtung als der Druckrichtung gebildet werden, wenn der Andruck beim Drucken vorübergehend erhöht und daraufhin verringert wird.
  • In 23 ist das orthogonale xy-Koordinatensystem hinzugefügt worden, um die Zeichnung leichtverständlich zu machen. Anders als in der oben beschriebenen normalen Druckrakel 41 weist ein Kontaktabschnitt PC, der mit der Druckmaske 50 in Kontakt gebracht wird, in der Druckrakel 42 einen vorstehenden Abschnitt und/oder einen vertieften Abschnitt auf (wobei der Kontaktabschnitt PC in der Zeichnung mit dem vorstehenden Abschnitt gezeigt ist). Mit anderen Worten, die Druckrakel 42 weist eine Längsrichtung X, die nahezu der Druckrichtung entspricht, und eine Breitenrichtung Y, die zu der Längsrichtung X orthogonal ist, auf, und auf der Oberfläche des Kontaktabschnitts PC ist eine unregelmäßige Form gebildet, die sich in Abhängigkeit von der Breitenrichtung Y ändert. Genauer weist der Kontaktabschnitt PC einen vorstehenden Abschnitt mit einem Betrag des Vorsprungs auf, der in der Mitte in der Y-Richtung größer ist.
  • Anhand von 24 kann die Dickenverteilung der Zwischenschicht 200 in der y-Richtung (21) orthogonal zu der Druckrichtung eingestellt werden.

Claims (12)

  1. Halbleitervorrichtung (501-505, 502a-502c) mit einer Wärmeabstrahlungsfläche (SR) zum Abstrahlen von Wärme an einen Kühler (300), wobei die Halbleitervorrichtung umfasst: ein Halbleiterelement (4); eine Grundplatte (1, 1P) mit einer Montagefläche (SM), auf der das Halbleiterelement montiert ist, wobei die Wärmeabstrahlungsfläche der Montagefläche gegenüberliegt, und mit einer Dickenrichtung (DT), die von der Montagefläche zu der Wärmeabstrahlungsfläche verläuft, wobei die Grundplatte aus einem Metall gefertigt ist; eine Abdeckung (110, 120) mit einem Abschnitt, der das Halbleiterelement auf der Montagefläche der Grundplatte abdichtet, wobei die Abdeckung einen vorstehenden Abschnitt (13, 15, 110P, 122P, 122Q, 200P) aufweist, der außerhalb der Wärmeabstrahlungsfläche angeordnet ist und von einer Ebene der Wärmeabstrahlungsfläche in der Dickenrichtung vorsteht, wobei der vorstehende Abschnitt ein separat von der Grundplatte ausgebildetes Element ist; und eine auf der Wärmeabstrahlungsfläche der Grundplatte angeordnete Zwischenschicht (200, 200G), die von einer Ebene des vorstehenden Abschnitts der Abdeckung in der Dickenrichtung vorsteht und die aus einem thermoplastischen Material in einem Zustand in der festen Phase hergestellt ist, und wobei der vorstehende Abschnitt (13, 15, 110P, 122P, 122Q, 200P) der Abdeckung durch den Kühler (300) gestützt wird, wenn die Phase der Zwischenschicht in einen Zustand in der flüssigen Phase geändert wird.
  2. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Zwischenschicht auf der Wärmeabstrahlungsfläche der Grundplatte mehrere voneinander getrennte Muster aufweist.
  3. Halbleitervorrichtung (505) nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Zwischenschicht (200G) auf der Wärmeabstrahlungsfläche der Grundplatte eine unterschiedliche Dicke aufweist.
  4. Halbleitervorrichtung (502) nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die Abdeckung (120) ein Gehäuse (122) mit dem vorstehenden Abschnitt (122P) und ein in dem Gehäuse angeordnetes Dichtungsmaterial (121) aufweist.
  5. Halbleitervorrichtung (503) nach Anspruch 4, wobei die Grundplatte (1P) mehrere durch das Gehäuse miteinander verbundene Abschnitte (1a, 1b) aufweist.
  6. Halbleitervorrichtung (502a - 502c) nach Anspruch 4 oder 5, wobei das Gehäuse eine gegenüberliegende Oberfläche (SO) aufweist, die dem Kühler gegenüberliegt, und wobei der vorstehende Abschnitt (13, 15, 122Q) von der gegenüberliegenden Oberfläche vorsteht.
  7. Halbleitervorrichtung (502b) nach Anspruch 4 oder 5, wobei in dem Gehäuse eine Durchgangsbohrung (9) zum Befestigen des Kühlers gebildet ist und wobei der vorstehende Abschnitt (13) durch eine in die Durchgangsbohrung eingeführte Metallbuchse konfiguriert ist.
  8. Halbleitervorrichtung (504) nach Anspruch 4 oder 5, wobei der vorstehende Abschnitt (200P) aus einem thermoplastischen Material hergestellt ist.
  9. Halbleitervorrichtung (502c) nach Anspruch 4 oder 5, wobei der vorstehende Abschnitt (15) durch einen Haftmittelabschnitt konfiguriert ist, der das Gehäuse und das Dichtungsmaterial miteinander bondet.
  10. Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung (501-505, 502a-502c) mit einer Wärmeabstrahlungsfläche (SR) zum Abstrahlen von Wärme an einen Kühler (300), wobei das Verfahren umfasst: Vorbereiten einer Grundplatte (1, 1P) mit einer Montagefläche (SM), wobei die Wärmeabstrahlungsfläche der Montagefläche gegenüberliegt, und mit einer Dickenrichtung (DT), die von der Montagefläche zu der Wärmeabstrahlungsfläche verläuft, wobei die Grundplatte aus einem Metall gefertigt ist; Montieren eines Halbleiterelements (4) auf der Montagefläche; und Bilden einer Abdeckung (110) mit einem Abschnitt, der das Halbleiterelement auf der Montagefläche der Grundplatte abdichtet, wobei die Abdeckung einen vorstehenden Abschnitt (13, 15, 110P, 122P, 122Q, 200P) aufweist, der außerhalb der Wärmeabstrahlungsfläche angeordnet ist und von einer Ebene der Wärmeabstrahlungsfläche in der Dickenrichtung vorsteht, wobei der vorstehende Abschnitt ein separat von der Grundplatte ausgebildetes Element ist; und Bilden einer auf der Wärmeabstrahlungsfläche der Grundplatte angeordneten Zwischenschicht (200, 200G), die von einer Ebene des vorstehenden Abschnitts in der Dickenrichtung vorsteht und die aus einem thermoplastischen Material in einem Zustand in der festen Phase hergestellt wird, wobei das Bilden der Zwischenschicht das Auftragen eines thermoplastischen Materials in einem Zustand in der flüssigen Phase auf die Wärmeabstrahlungsfläche durch Bewegen einer Rakel (41, 42) auf einer auf der Wärmeabstrahlungsfläche der Grundplatte angeordneten Maskenplatte (50) enthält und wobei der vorstehende Abschnitt (13, 15, 110P, 122P, 122Q, 200P) der Abdeckung durch den Kühler (300) gestützt wird, wenn die Phase der Zwischenschicht in einen Zustand in der flüssigen Phase geändert wird.
  11. Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung nach Anspruch 10, wobei das Auftragen des thermoplastischen Materials das Einstellen eines Andrucks (P), um die Rakel gegen die Maskenplatte zu pressen, enthält.
  12. Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung nach Anspruch 10 oder 11, wobei die Rakel (42) einen Kontaktabschnitt (PC) aufweist, der mit der Maskenplatte in Kontakt gebracht wird, und wobei der Kontaktabschnitt einen vorstehenden Abschnitt und/oder einen vertieften Abschnitt aufweist.
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6330690B2 (ja) * 2015-02-19 2018-05-30 株式会社オートネットワーク技術研究所 基板ユニット
JP6320331B2 (ja) 2015-03-16 2018-05-09 三菱電機株式会社 電力用半導体装置
US10559478B2 (en) * 2016-12-26 2020-02-11 Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. Method for manufacturing electronic device and electronic device
WO2018122897A1 (ja) * 2016-12-26 2018-07-05 新電元工業株式会社 電子装置及び電子装置の製造方法
JP6768612B2 (ja) * 2017-09-06 2020-10-14 三菱電機株式会社 半導体装置
JP6939392B2 (ja) * 2017-10-17 2021-09-22 三菱電機株式会社 パワーモジュール
US10763193B2 (en) * 2018-10-30 2020-09-01 Hamilton Sundstrand Corporation Power control modules
JP7238353B2 (ja) * 2018-11-15 2023-03-14 富士電機株式会社 半導体モジュールおよびそれを用いた半導体装置
US20220020683A1 (en) * 2018-12-27 2022-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP7247053B2 (ja) * 2019-08-02 2023-03-28 株式会社東芝 半導体装置
JP7249935B2 (ja) 2019-12-26 2023-03-31 三菱電機株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
DE102022107649A1 (de) 2022-03-31 2023-10-05 Infineon Technologies Ag Leistungshalbleitermodul, system mit einem leistungshalbleitermodul und einem kühler und verfahren zur herstellung eines systems
EP4280269A1 (de) * 2022-05-16 2023-11-22 Infineon Technologies Austria AG Leistungshalbleitermodulanordnung und verfahren zur herstellung davon

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000058727A (ja) 1998-08-12 2000-02-25 Hitachi Ltd 電力用半導体モジュール
JP2004103846A (ja) 2002-09-10 2004-04-02 Mitsubishi Electric Corp 電力用半導体装置
DE102009001722A1 (de) 2009-03-20 2010-09-23 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Aufbringen eines Wärmeleitmediums auf eine Wärmeableitfläche
DE102012214917A1 (de) 2011-08-26 2013-02-28 Mitsubishi Electric Corp. Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5315154A (en) * 1993-05-14 1994-05-24 Hughes Aircraft Company Electronic assembly including heat absorbing material for limiting temperature through isothermal solid-solid phase transition
JPH07176659A (ja) 1993-12-21 1995-07-14 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置の冷却構造
JPH09213878A (ja) * 1996-01-29 1997-08-15 Toshiba Corp 半導体装置
JP4540884B2 (ja) * 2001-06-19 2010-09-08 三菱電機株式会社 半導体装置
JP2003158229A (ja) * 2001-11-21 2003-05-30 Mitsubishi Electric Corp パワー半導体モジュールの製造装置
JP2006134989A (ja) 2004-11-04 2006-05-25 Mitsubishi Electric Corp ヒートシンク、発熱体、放熱構造物および熱交換器
CN101174599A (zh) * 2006-10-30 2008-05-07 松下电器产业株式会社 半导体器件和半导体器件的制造方法
JP5141371B2 (ja) * 2008-05-16 2013-02-13 富士電機株式会社 塗布方法およびパターン形成用マスク
US20100129648A1 (en) * 2008-11-26 2010-05-27 Jun Xu Electronic packaging and heat sink bonding enhancements, methods of production and uses thereof
JP5306171B2 (ja) * 2009-12-25 2013-10-02 三菱電機株式会社 半導体装置
JP5263189B2 (ja) * 2010-01-29 2013-08-14 株式会社デンソー 半導体パッケージの防水構造
KR101717549B1 (ko) * 2010-11-25 2017-03-17 삼성전자 주식회사 반도체 소자 제조방법
JP5484429B2 (ja) * 2011-11-18 2014-05-07 三菱電機株式会社 電力変換装置
JP2013114647A (ja) * 2011-12-01 2013-06-10 Exvision Inc ジェスチャー入力システム
CN104145331B (zh) * 2012-01-31 2017-09-29 三菱电机株式会社 半导体装置和其制造方法
KR20130089120A (ko) * 2012-02-01 2013-08-09 에스케이하이닉스 주식회사 미세 패턴들을 포함하는 반도체 소자 제조방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000058727A (ja) 1998-08-12 2000-02-25 Hitachi Ltd 電力用半導体モジュール
JP2004103846A (ja) 2002-09-10 2004-04-02 Mitsubishi Electric Corp 電力用半導体装置
DE102009001722A1 (de) 2009-03-20 2010-09-23 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Aufbringen eines Wärmeleitmediums auf eine Wärmeableitfläche
DE102012214917A1 (de) 2011-08-26 2013-02-28 Mitsubishi Electric Corp. Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung

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