CN101174599A - 半导体器件和半导体器件的制造方法 - Google Patents

半导体器件和半导体器件的制造方法 Download PDF

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Abstract

一种半导体器件，具有半导体元件(1)、配置成与半导体元件(1)的主面对置的导热体(91)、以及将所述半导体元件(1)和导热体(91)的一部分密封的密封树脂体(6)，并且导热体(91)的与半导体元件(1)对置的面的相反侧的面的一部分从密封树脂体(6)露出到外部；其中在所述导热体(91)的设置露出部的面的一部分，设置往衬底厚度方向贯通的开口部(11)。可从与半导体元件(1)的主面对置的开口部(11)注入树脂，所以能使质量稳定。

Description

半导体器件和半导体器件的制造方法
技术领域
本发明涉及适合装载发热量大的半导体元件的情况的半导体器件及其制造方法。
背景技术
随着近年电子设备的多功能化、小型化、薄型化，在半导体器件中促进小型化、薄型化，存在端子数增加的趋势。作为达到这种目的的1种半导体器件，除以往的QFP(Quad Flat Package：四线扁平封装)型的封装件那样从侧方伸出外部引线的以外，还知道取消外部引线而在半导体器件的下表面侧将焊球配置成矩阵状作为进行电连接用的外部电极的所谓BGA(Ball Grid Array：球栅阵)型封装件、将外部电极配置成矩阵状的LGA(Land Grid Array：焊盘栅阵)型封装件、同样在半导体器件下表面侧将外部电极配置在外围的QFN(Quad FlatNon-lead：四线扁平无引线)封装件等。
这种树脂密封型(BGA、LGA、QFP、QFN等)半导体器件中，装载发热量大的半导体元件时，需要进行考虑散热性的设计，日本国特开平8-139223号公报揭示具有以下所示结构的半导体器件。
这里，参照附图说明上述日本国特开平8-139223号公报揭示的已有半导体器件。
图19是示出已有半导体器件的剖视图。图20是图19的半导体器件的导热体的立体图。
如图19和图20所示，已有的半导体器件包含由绝缘树脂组成并在其两面形成通过通道孔7相互电连接的布线图案2的衬底3、通过粘接剂4装载在衬底3的主面(下文称为半导体元件装载面)的半导体元件1、将半导体元件1与衬底3的布线图案2电连接的金属细线5、在衬底3的半导体元件装载面的相反侧的面上配置成矩阵状并与衬底3的布线图案2电连接的球电极8、以及覆盖衬底3的半导体元件装载面侧和半导体元件1并使其上表面全部或部分从密封树脂6露出到外部的导热体9。所述导热体9可在接触衬底3后用粘接剂(未图示)粘合，也可仅配置成接触，未必粘合。
导热体9由Cu、Cu合金、Al、Al合金或Fe-Ni合金等热传导性良好的材料组成，并且在外周附近的设置倾斜的部分设置多个开口部10。
此半导体器件100的结构中，半导体元件1产生的热除经通道孔7和球电极8发散外，还通过导热体9从半导体元件1的主面侧(图19的上表面侧)发散，所以，半导体器件100的散热性良好。
还可通过在导热体9的从密封树脂6露出的部分的上表面设置例如散热片(未图示)，进一步提高从半导体元件1的主面侧散热的效果。
又，通过在导热体9的外周附近的设置倾斜的部分设置多个开口部10，使进行树脂密封时树脂容易注入导热体9与半导体元件1的间隙，改善树脂的注入性。
接着，说明已有半导体器件的制造方法。
如图21A所示，准备两面形成布线图案2的衬底3后，如图21B所示，对衬底3的上表面(半导体元件装载面)的各接合位置，利用粘接剂4粘合并装载半导体元件1。
接着，如图21C所示，利用金属细线5将装载在衬底3上的半导体元件的电极焊盘(未图示)与设置在衬底3的上表面的布线图案2电连接。
接着，如图21D所示，使导热体9接触衬底3，以便覆盖半导体元件1。导热体9和衬底3可用粘接剂(未图示)等粘合其接触部分，也可仅接触，未必粘合。这里，如图20所示，导热体9是对实质上矩形的板实施深冲加工等从而成形为覆盖整个半导体元件1的罩状的、其中央部设置方杯状部分、顶部从密封树脂露出(参考图19)。还在外周附近的倾斜部设置开口部10。
接着，如图21E所示，将装载半导体元件1并用金属细线5加以电连接且接触导热体9的衬底3放在密封金属模21的下模21A上，用密封金属模21的上模21B进行密封。这时，密封金属模21的上模21B的下表面与导热体9的上表面为相互接触的状态。此状态下，从设置在密封金属模21的上模21B的水平方向的注入浇口21s往注入方向22s注入密封树脂体6。其结果，衬底3的上表面侧(半导体元件装载面的上方)的间隙被密封树脂6覆盖，而导热体9的上表面从密封树脂体6露出到外部。然后，在密封树脂6硬化后，打开密封金属模21的上模21B和下模21A。
接着，如图21F所示，对上表面由密封树脂6密封的衬底3，利用旋转刀(未图示)切割成各半导体芯片单元，从而使其单片化。
最后，在单片化后的衬底3的底面的外部焊盘电极敷设焊球，形成球电极8，构成外部端子，从而能制造图19所示的半导体器件100。
然而，已有的半导体器件100中，虽然通过使导热体9的上表面从密封树脂6露出，实现散热性，但树脂密封工序中采用从设置在半导体器件侧面的注入浇口21s注入树脂的方式(下文称为旁口方式)，所以发生图22C所示那样的金属细线5的畸变。
图22A是示出旁口方式的进行树脂密封前的剖视图，对应于图22B和图22C中用点划线表示的A-A线的剖面图。图22B是示出树脂注入前的金属细线的形状的俯视图，图22C是示出树脂注入后的金属细线的形状和树脂流动图案的俯视图。
如图22C所示，从注入浇口21s往注入方向22s注入的树脂以描绘注入浇口21s为中心的波纹的方式进行注入。这里，虚线表示同一时刻的树脂到达位置。
金属细线5的畸变量与“树脂粘度”、“树脂流速”、“树脂流动前端对金属细线的角度”等成正比。如图22B所示，金属细线5从半导体元件1的主面的中心侧往四周围形成辐射状。因此，如图22C所示，树脂注入结束后的形状为：注入口附近或抗注入口附近的对流动前端大体上没有角度的金属细线5几乎无畸变，但其它金属细线5按照“树脂流速”和“对树脂流动前端的角度”产生畸变。
因此，已有的旁口方式树脂密封在随着小型化和端子数增加而四周高密度遍布金属细线5的半导体器件中，相邻的金属细线5的间隔小的情况下，存在因金属细线5畸变而发生金属细线5短路弊病的问题。
为了抑制金属细线5的平面性畸变，如图23所示，考虑采用从以在半导体器件的上表面部开口的方式设置的注入浇口21t注入树脂的方式(下文称为顶口方式)。
图23A是示出顶口方式的剖视图，相当于图23B和图23C中用点划线表示的B-B线的剖面图。图23B是示出树脂注入前的金属细线的形状的俯视图，图23C是示出树脂注入后的金属细线的形状和树脂流动图案的俯视图。
如图23C所示，从注入浇口21t往注入方向22t注入的树脂以描绘注入口21t为中心的波纹的方式进行注入。这里，虚线表示同一时刻的树脂到达位置。
将注入浇口21t配置在半导体元件1的中心的上方，则从半导体元件1的中心往四周围成辐射状的金属细线5全部均为对流动前端大体上没有角度的状态，所以不发生金属细线15的畸变，能制造高质量的半导体器件。
然而，已有的半导体器件100中，导热体9覆盖半导体元件1的整个上部，并从密封树脂6露出到外部，所以难于在半导体元件1的上方配置树脂的注入口，不能采用顶口方式。
已有的半导体器件100虽然设置开口部10，但将导热体9配置成覆盖整个半导体元件1，所以进行树脂密封时，导热体9成为障碍，从而担心未填充等课题。
发明内容
本发明是鉴于上述各点而完成的，其目的在于提供一种半导体器件及其制造方法，能在制造工序中不发生半导体器件的金属细线短路或未填充地进行制造而且散热性良好、质量稳定。
为了达到上述目的，本发明的半导体器件，具有：半导体元件、配置成与半导体元件的主面对置的导热体、以及将所述半导体元件和所述导热体的一部分密封的密封树脂体，并且所述导热体的与所述半导体元件对置的面的相反侧的面的一部分从所述密封树脂体露出到外部，其中，在所述导热体的设置露出部的面的一部分，设置往衬底厚度方向贯通的开口部。
又，本发明的半导体器件，具有含半导体元件装载区和多个端子的衬底，在所述衬底的设置所述半导体元件装载区的半导体元件装载面侧配置导热体。
又，本发明的半导体器件，具有：在一个面上含有多个电极端子的衬底、装载在盖衬底的另一个面的半导体元件、在所述衬底的另一个面侧配置成与所述半导体元件的主面对置的导热体、以及将作为所述衬底的另一个面的半导体元件装载面和所述半导体元件和所述导热体密封的密封树脂体，并且所述导热体的与所述半导体元件对置的面的相反侧的面的一部分从所述密封树脂体露出到外部，其中，在所述导热体的设置露出部的面的一部分，设置往衬底厚度方向贯通的开口部。
又，本发明的半导体器件，具有含有半导体元件装载区并含有设置在所述半导体元件装载区的周围的由内部端子和外部端子组成的多个端子的引线框，在所述引线框的设置所述半导体元件装载区的半导体元件装载面侧配置导热体。
又，本发明的半导体器件，在导热体的设置开口部的部位的侧面部分具有往半导体元件侧伸出的凸肩部。
又，本发明的半导体器件，将导热体的凸肩部形成为与导热体合为一体。
又，本发明的半导体器件，导热体的凸肩部与半导体元件接触。
又，本发明的半导体器件，导热体的凸肩部形成至少1个孔部或切槽部。
又，本发明的半导体器件，在导热体的设置露出部的面的一部分，设置临近半导体元件侧的凹坑部，并且在该凹坑部的一部分，设置开口部。
又，本发明的半导体器件，将导热体的凹坑部形成为研钵状。
又，本发明的半导体器件，将导热体的凹坑部的一部分，形成为与半导体元件的表面部实质上平行。
又，本发明的半导体器件，导热体的凹坑部与半导体元件接触。
又，本发明的半导体器件，在导热体的露出部的外周部或内周部的至少一方，设置埋没在密封树脂体内的阶梯部。
又，本发明的半导体器件，导热体设置阶梯部的部位的露出面的面积小于作为此露出面的相反面的非露出面的面积。
又，本发明的半导体器件，将导热体的开口部设置成位于对半导体元件的主面中心垂直的方向。
又，本发明的半导体器件，导热体具有往半导体元件的与主面对置的面侧伸出的支撑部。
又，本发明的半导体器件，导热体具有往衬底的半导体元件装载面侧伸出的支撑部。
又，本发明的半导体器件，导热体具有往引线框的半导体元件装载面侧伸出的支撑部。
又，本发明的半导体器件，以折弯部分导热体的方式形成导热体的支撑部。
又，本发明的半导体器件，设置至少3个导热体的支撑部。
又，本发明的半导体器件，导热体的支撑部与衬底接触。
又，本发明的半导体器件，导热体的支撑部与引线框接触。
又，本发明的半导体器件，导热体的埋没在密封树脂体的部分将表面粗化。
又，本发明的半导体器件，具有将端子与半导体元件电连接的多条金属细线。
又，本发明的半导体器件，具有将衬底与半导体元件电连接的多条金属细线。
又，本发明的半导体器件，具有将引线框与半导体元件电连接的多条金属细线。
又，本发明的半导体器件，将导热体电连接到接地端子。
本发明的半导体器件的制造方法，具有将导热体配置成与半导体元件的主面对置的工序、以及对所述半导体元件和所述导热体的一部分进行树脂密封的工序，其中，具有在所述导热体的一部分形成往衬底厚度方向贯通的开口部的工序。
又，半导体器件的制造方法，具有将导热体配置成与半导体元件的主面对置的工序、以及对所述半导体元件和所述导热体的一部分进行树脂密封的工序，其中，具有在所述导热体的一部分形成临近半导体元件的凹坑部的工序、以及在与所述凹坑部对应的部位的一部分形成往衬底厚度方向贯通的开口部的工序。
又，本发明的半导体器件的制造方法，具有在含有多个电极端子的衬底上装载半导体元件的工序。
又，本发明的半导体器件的制造方法，具有在含半导体元件装载区以及合为一体地设置在所述半导体元件装载区的周围的由内部端子和外部端子组成的多个端子的引线框的半导体元件装载区上装载半导体元件的工序。
又，本发明的半导体器件的制造方法，具有将导热体的与半导体元件的主面对置的面的相反侧的面的一部分安装成接触密封金属模的内壁面的工序、以及往所述密封金属模内注入树脂并进行树脂密封的工序，其特征在于，具有将所述导热体的开口部形成为面对所述密封金属模的内壁面的工序。
又，本发明的半导体器件的制造方法，具有将导热体的与半导体元件的主面对置的面的相反侧的面的一部分安装成接触密封金属模的内壁面的工序、以及往所述密封金属模内注入树脂并进行树脂密封的工序，其中，具有将所述导热体的凹坑部形成为面对所述密封金属模的内壁面的工序。
又，本发明的半导体器件的制造方法，具有在一个面侧含有多个电极端子的衬底的另一个面装载半导体元件的工序、将导热体配置成与所述半导体元件的主面对置的工序、将装载所述半导体元件的所述衬底装到密封金属模后进行合模并安装成所述导热体的与所述半导体元件对置的面的相反侧的面的一部分与所述密封金属模的内壁面接触的工序、以及往所述密封金属模内注入树脂并对作为所述衬底的另一个面的半导体元件装载面和所述半导体元件和所述导热体进行树脂密封的工序，其中，具有在所述导热体的面对所述密封金属模的内壁面的部分的一部分形成往衬底厚度方向贯通的开口部的工序。
又，本发明的半导体器件的制造方法，具有在一个面侧含有多个电极端子的衬底的另一个面装载半导体元件的工序、将导热体配置成与所述半导体元件的主面对置的工序、将装载所述半导体元件的所述衬底装到密封金属模后进行合模并安装成所述导热体的与所述半导体元件对置的面的相反侧的面的一部分与所述密封金属模的内壁面接触的工序、以及往所述密封金属模内注入树脂并对作为所述衬底的另一个面的半导体元件装载面和所述半导体元件和所述导热体进行树脂密封的工序，其中，具有在所述导热体的面对所述密封金属模的内壁面的部分的一部分形成临近所述半导体元件的凹坑部的工序、以及在与所述凹坑部对应的部位形成往衬底厚度方向贯通的开口部的工序。
又，本发明的半导体器件的制造方法，具有从设置在导热体的开口部的注入口注入树脂进行树脂密封的工序。
又，本发明的半导体器件的制造方法，具有从外形小于所述导热体的开口部的内径的注入口注入树脂进行树脂密封的工序。
又，本发明的半导体器件的制造方法，具有将导热体的与半导体元件的主面对置的面的相反侧的面的一部分安装成接触密封金属模的内壁面的工序、以及往所述密封金属模内注入树脂并进行树脂密封的工序，其中，具有将衬底装到密封金属模的工序前，预先使所述衬底的半导体元件装载面与所述密封金属模的接触面至导热体的与所述半导体元件的主面对置的面的相反侧的面的最顶部的高度大于所述密封金属模的半导体元件装载面侧的腔体深度的工序。
又，本发明的半导体器件的制造方法，具有将导热体的与半导体元件的主面对置的面的相反侧的面的一部分安装成接触密封金属模的内壁面的工序、以及往所述密封金属模内注入树脂并进行树脂密封的工序，其中，具有将引线框装到密封金属模的工序前，预先使所述引线框的半导体元件装载面与所述密封金属模的接触面至导热体的与所述半导体元件的主面对置的面的相反侧的面的最顶部的高度大于所述密封金属模的半导体元件装载面侧的腔体深度的工序。
又，本发明的半导体器件的制造方法，具有将导热体的与半导体元件的主面对置的面的相反侧的面的一部分安装成接触密封金属模的内壁面的工序、以及往所述密封金属模内注入树脂并进行树脂密封的工序，其中，具有一面将导热体的露出面吸附于密封金属模的内壁面、一面进行树脂密封的工序。
又，本发明的半导体器件的制造方法，具有将导热体的与半导体元件的主面对置的面的相反侧的面的一部分安装成接触密封金属模的内壁面的工序、以及往所述密封金属模内注入树脂并进行树脂密封的工序，其中，具有在密封金属模的内壁面以与埋没在形成于导热体的露出部的内周部的密封树脂中的阶梯部对置的方式形成第1伸出部，并一面使所述露出部的内周部的阶梯部与所述第1伸出部接触、一面用树脂进行密封的工序。
又，本发明的半导体器件的制造方法，具有将导热体的与半导体元件的主面对置的面的相反侧的面的一部分安装成接触密封金属模的内壁面的工序、以及往所述密封金属模内注入树脂并进行树脂密封的工序，其中，具有在密封金属模的内壁面以与埋没在形成于导热体的露出部的外周部的密封树脂中的阶梯部对置的方式形成第2伸出部，并一面使所述露出部的外周部的阶梯部与所述第2伸出部接触、一面用树脂进行密封的工序。
根据本发明的半导体器件和半导体器件的制造方法，在装载发热量大的半导体元件的半导体器件中，通过对从密封树脂的上表面露出到外部的导热体形成开口部，可从上方注入树脂，所以能使质量稳定。
根据本发明，导热体从密封树脂露出到外部的半导体器件中，通过在导热体的露出部的一部分设置开口部，可作采用顶口方式的树脂密封，能防止金属细线畸变造成的金属细线之间短路。
而且，通过仅在导热体的下表面的一部分设置支撑部，使树脂的流动性良好，能防止未填充等弊病。
附图说明
图1是说明本发明实施例1的半导体器件的剖视图。
图2A和图2B分别是说明该实施例1的半导体器件的导热体制造工序的立体图。
图3A～图3F分别是说明该实施例1的半导体器件制造工序的剖视图。
图4是说明该实施例1的变换例1的半导体器件制造工序的放大剖视图。
图5是说明该实施例1的变换例2的半导体器件制造工序的放大剖视图。
图6是说明本发明实施例2的半导体器件的剖视图。
图7A和图7B分别是说明该实施例2的半导体器件的导热体制造工序的立体图。
图8是说明本发明实施例2的变换例1的半导体器件的剖视图。
图9A和图9B分别是说明该实施例2的变换例1的半导体器件的导热体制造工序的立体图。
图10是说明该实施例2的变换例2的半导体器件的剖视图。
图11是说明本发明实施例3的半导体器件的剖视图。
图12A和图12B分别是说明该实施例3的半导体器件的导热体制造工序的立体图。
图13是说明本发明实施例3的变换例1的半导体器件的剖视图。
图14A和图14B分别是说明该实施例3的变换例1的半导体器件的导热体制造工序的立体图。
图15是说明本发明实施例3的变换例2的半导体器件的剖视图。
图16A和图16B分别是说明该实施例3的变换例2的半导体器件的导热体制造工序的立体图。
图17A和图17B是本发明实施例4的半导体器件的剖视图和仰视图。
图18A和图18B是本发明实施例5的半导体器件的剖视图和仰视图。
图19是说明已有半导体器件的剖视图。
图20是说明已有半导体器件的导热体的立体图。
图21A～图21F分别是说明该已有半导体器件的制造工序的剖视图。
图22A～图22C是说明旁口方式的金属细线畸变机制的图，A是主视剖视图，B和C分别是俯视图。
图23A～图23C是说明顶口方式的金属细线畸变机制的图，A是主视剖视图，B和C分别是俯视图。
具体实施方式
下面，参照附图说明本发明实施例的半导体器件101。为了便于理解，下面的说明中，将衬底的半导体元件装载面作为上方进行说明。对与已有半导体器件100功能实质上相同的组成单元标注同一标号。
实施例1
图1示出本发明实施例1的半导体器件101的剖视图。
如图1所示，本实施例的半导体器件101，具有由绝缘树脂组成并在其两面形成通过通道孔7相互电连接的布线图案2的衬底3、在下表面侧具有多个电极端子(未图示)并通过粘接剂4装载在衬底3的作为主面的上表面(称为半导体元件装载面)的半导体元件1、将半导体元件1与衬底3的布线图案2电连接的金属细线5、在衬底3的半导体元件装载面的相反侧的面上配置成矩阵状并与衬底3的布线图案2电连接的球电极8、配置成覆盖衬底3的半导体元件装载面侧并与该半导体元件1的主面(半导体元件1的电路面，图1的半导体元件1的上表面)对置的侧视截面为实质上梯形的导热体91、以及对衬底3的半导体元件装载面和半导体元件1和导热体的一部分进行密封的密封树脂体6。
尤其是本实施例的半导体器件101中，如图1所示，将导热体91的与半导体元件1的主面对置的面的相反侧的面，即导热体91的上表面部，配置成露出到外部，并在此露出到外部的导热体91的上表面部的一部分，如图2B所示，设置往衬底厚度方向贯通的开口部11。
如图1、图2B所示，此导热体91中，在导热体91将导热体91的开口部11设置成位于与导热体91的上表面部实质上平行的半导体元件1的主面的中心的垂直方向(即，俯视：导热体91的开口部11与半导体元件1的主面中心重叠)。而且，如图2A、图2B所示，对导热体91的角部实施弯曲加工，形成往下表面侧伸出的支撑部9a，并将支撑部9a的底面做成与衬底3接触的形状。
接着，参照图3说明此半导体器件101的制造方法。图3E中，211表示密封金属模，21t表示作为注入口的注入浇口，22t表示密封树脂的注入方向。
本实施例的半导体器件101的制造方法，首先，如图3A所示，准备两面形成布线图案2的衬底3后，如图3B所示，对衬底3的上表面的各接合位置，利用粘接剂4粘合并装载半导体元件1。
接着，如图3C所示，利用金属细线5将装载在衬底3上的半导体元件1的电极焊盘(未图示)与设置在衬底3的上表面的布线图案2电连接。
至此的工序与已有半导体器件100的制造方法相同。接着，如图3D所示，使与半导体元件1对置的导热体91接触衬底3。导热体91和衬底3可用粘接剂(未图示)等粘合其接触部分，也可仅接触，未必粘合。
这里，参照图2A、图2B说明导热体91的制造方法。
如图2A所示，对Cu、Cu合金、Al、Al合金或Fe-Ni合金等热传导性良好的材料组成的金属板进行浸蚀加工或冲压加工，加工成希望的形状，从而制作导热体91。如上文所述，在导热体91形成往衬底厚度方向贯通的开口部11。
此结构用于根据能用顶口方式注入树脂以防止后面进行的密封工序中树脂流动造成的金属细线5的畸变的目的，将注入浇口21t设置成位于半导体元件的表面中心的垂直方向。为了防止密封工序中在开口部11的周边产生薄缝脊，最好将开口部11的内径形成为大于注入浇口21t的外形。还对导热体91的埋没在密封树脂6的部分的表面实施波纹加工等粗化处理，以形成凹凸，使与密封树脂6粘合性提高。
接着，如图2B所示，对导热体91的角部实施弯曲加工，形成往下表面方向伸出的支撑部9a。将支撑部9a的底面加工成接触衬底3。
这里，根据使后面进行的密封工序中的树脂流动性良好的目的，导热体91的支撑部9a仅存在于导热体91的角部。即，已有的半导体器件100的导热体9存在其外周附近的设置倾斜的部分，而本实施例的半导体器件101的导热体91不存在其外周附近设置倾斜部分的不小的部分。因此，没有妨碍树脂注入的障碍物，本实施例的半导体器件101的树脂流动性良好。
根据使散热性良好的目的，配置导热体91，调整支撑部9a的高度，使导热体91的最高上表面至衬底3的最低下表面的高度大于后面进行的密封工序中使用的密封金属模211的腔体深度，以便导热体91的最高上表面从密封树脂6露出到外部。
返回本实施例的半导体器件101的制造方法的说明。如图3E所示，将装载半导体元件1并用金属细线5加以电连接且接触导热体91的衬底3放在密封金属模211的下模211A上，用密封金属模211的上模211B进行密封。这时，密封金属模211的上模211B的下表面与导热体91的上表面为相互接触的状态。此状态下，从设置在密封金属模211的上模211B的垂直方向的注入浇口211t往注入方向22t注入密封树脂体6。结果，衬底3的上表面的间隙被密封树脂6覆盖，而导热体91的上表面从密封树脂体6露出到外部。然后，在密封树脂6硬化后，打开密封金属模211的上模211B和下模211A。
接着，如图3F所示，对上表面由密封树脂6密封的衬底3，利用旋转刀(未图示)切割成各半导体芯片单元，从而使其单片化。
最后，在单片化后的衬底3的底面的外部焊盘电极敷设焊球，形成球电极8，构成外部端子，从而能制造图1所示的半导体器件101。
再有，导热体91的形状不必加工成本实施例所示的四边形，也可为圆形或多边形。开口部11的形状只要能大于注入浇口的外形，可为多边形。导热体91的支撑部9a只要能露出导热体91的上表面，也可与半导体元件3接触，未必与衬底3接触。未必以折弯导热体91的角部的方式制作支撑部9a，只要能露出导热体91的上表面，也可将别的构件粘结在导热体91的角部后，作为支撑部。
下面，示出本实施例的半导体器件101和半导体器件101的制造方法取得的效果。
如上文所述，本实施例的半导体器件101除具有已有半导体器件具有的衬底3、金属细线5、半导体元件1、密封树脂体6外，还具有由热传导性材料组成、其上部从密封树脂6露出到外部而且露出部设置往衬底厚度方向贯通的开口部11的导热体91。据此，既维持历来将半导体器件101产生的热通过导热体91的露出部发散到半导体器件101的外部的功能，又可从开口部11注入树脂，并在导热体91的露出部内设置开口部11，从而提高与密封树脂体6的粘合性。
此半导体器件101在制造工序中，密封工序能采用在导热体91的开口部11的上方设置注入浇口21t的顶口方式，所以树脂流动造成的金属细线5的畸变小。即，能防止金属细线5的短路。因此，本发明的半导体器件101的制造方法能制造不导致电连接功能降低和丧失的半导体器件101，所以能制造生产成品率高的半导体器件101。
又，通过将此半导体器件101的导热体91的开口部11的内径形成为大于注入浇口21t的外形，能防止密封工序中在开口部11的周边产生薄缝脊。即，将半导体器件101的导热体91的开口部11的内径形成为小于注入浇口21t的外形时，密封树脂有时会进入导热体91的开口部11的周边与密封金属模211的上模211B的上表面之间，产生薄缝脊，但利用上述结构，则不发生这种弊病。
此半导体器件101仅在导热体91的下表面角部设置支撑部9a，所以密封工序中导热体91不妨碍树脂流动，能防止未填充等弊病。
此半导体器件101通过仅在导热体91的下表面角部设置支撑部9a，减小导热体91与衬底3的接触面积，不妨碍其它信号布线图案2，所以用导电性材料构成导热体91，则能通过以接地方式使用导热体91，从而改善高频特性。
综上所述，根据本实施例的半导体器件101和半导体器件101的制造方法，取得密封工序中金属细线5的畸变量小所以能防止金属细线5之间短路、树脂流动性良好所以不发生未填充且与密封树脂体6的粘合性良好等对半导体器件101而言性能良好、生产成品率高的效果，并取得通过以接地方式使用导热体91改善高频特性的效果。在这些方面优于已有半导体器件100。
再者，导热体91的形状不限于本实施例的导热体91的形状。下面，用图4说明本实施例的变换例1。这里，本实施例的半导体器件101与变换例1的半导体器件仅导热体911和密封金属模212的形状不同。下文中，对与本实施例1的半导体器件101对应的部分标注同一标号，省略其说明。
实施例1的变换例1
图4是示出变换例1的半导体器件的密封工序的剖视图。
变换例1的导热体911中，如图4所示，露出部的内周和外周从露出面凹入成阶梯状，形成埋没在密封树脂6内的阶梯部9b和阶梯部9c。
密封金属模212的上模中，在与阶梯部9b和阶梯部9c对应的位置，将伸出部21b和伸出部21c形成为俯视实质上矩形。阶梯部9b和阶梯部9c的宽度大于伸出部21b和伸出部21c，并将伸出部21b和伸出部21c形成在阶梯部9b和阶梯部9c的宽度方向的实质上中央部。伸出部21b和伸出部21c离开密封金属模212的上模212B的基准面212a的伸出高度与阶梯部9b和阶梯部9c离开导热体911的上表面的凹入量实质上相同。其它方面与本实施例的半导体器件101相同。
密封金属模212的上模212B未必设置伸出部21b和伸出部21c。该情况下，将导热体911的形状形成为带有锥度，使露出面的面积小于其相反侧的面(即非露出面)的面积，以代替阶梯部。这样也能得到同样的效果。
于是，此变换例1取得的效果除本实施例取得的效果外，还由于形成导热体911的露出面上形成的阶梯部9b和阶梯部9c埋没在密封树脂体6内的结构，能防止导热体911从密封树脂体6脱落。
又，导热体911的露出部的内周部和内周部形成阶梯部9b和阶梯部9c，所以开始注入密封树脂体6时，密封树脂体6首先进入阶梯部9b和密封金属模212的上模212B形成的空间30b，并迟后地进入阶梯部9c和密封金属模212的上模212B形成的空间30c。高压填充在空间30b和空间30c内的密封树脂体6的一部分丧失去处并开始固化。剩下的树脂使导热体911略微往下方移位，并进入阶梯部9b的上表面与伸出部21b的下表面之间和阶梯部9c的上表面与伸出部21c的下表面之间形成的微小间隙。于是，密封树脂体6受到高压的密封压力而行进。其后，密封树脂体6到达空间31b和空间31c时，密封树脂体6受到的压力急剧降低。此树脂压力急剧降低起作用，使导热体911粘结在密封金属模211的上模。这样，能防止树脂密封时导热体911畸变，并且能将导热体911的上表面配置成从密封树脂体6露出到外部，而导热体911的上表面难于形成薄缝脊。
实施例1的变换例2
图5是示出变换例2的半导体器件的密封工序的剖视图。本实施例的半导体器件101与变换例2的半导体器件仅密封金属模213的形状不同。下文中，对与本实施例的半导体器件101对应的部分标注同一标号，省略其说明。
此变换例2的密封金属模213的上模213B中，如图5所示，在与导热体91的接触区内设置抽气孔23，以抽真空的方式使导热体91紧贴并固定于密封金属模213的上模213B。
于是，此变换例2的半导体器件取得的效果除本实施例取得的效果外，还由于使导热体91紧贴并固定于密封金属模213的上模213B，在注入密封树脂体6时，能防止导热体91畸变。因此，能将导热体91的上表面配置成从密封树脂体6露出到外部，而导热体91的上表面难于形成薄缝脊。
实施例2
本实施例2中，与上述实施例1的半导体器件101相比，其导热体92的形状不同。用图6、图7A、图7B说明此半导体器件102。对与上述实施例1重复的地方省略详细说明。图6是示出本实施例的半导体器件102的剖视图。图7A、图7B是说明本实施例的导热体92的制造工序的图。
如图6所示，此半导体器件102在导热体92的开口部12的侧面具有往下表面(接近半导体元件1的方向)伸出的凸肩部17。此前，与导热体92合为一体地形成导热体92的凸肩部17。
这里，参照图7A、图7B说明此导热体92的制造方法。
如图7A所示，对Cu、Cu合金、Al、Al合金或Fe-Ni合金等热传导性良好的材料组成的金属板进行浸蚀加工或冲压加工，加工成希望的形状，从而制作导热体92。在导热体92形成往衬底厚度方向贯通的切槽部17a。
接着，如图7B所示，在导热体92的角部形成与上述实施例1相同的支撑部9a，同时还将切槽部17a的内侧往下方折弯，形成埋没在密封树脂体6内的凸肩部17，并设置开口部12。
这里，将凸肩部17形成为不接触金属细线5，并构成凸肩部17的最低下表面至导热体92的最高上表面的高度低于半导体元件1的上表面至导热体92的最高上表面的高度。
最好将开口部12设置成位于半导体元件1的主面中心的垂直方向，并将开口部12的内径形成为大于注入浇口的外形。导热体92的开口部12的形状只要能大于注入浇口的外形，可为圆形或多边形。凸肩部17未必形成2处，可为1处，也可为不少于3处。其它方面与上述实施例1的半导体器件101相同，上述实施例1的变换例1和变换例2也能用。
本实施例2的半导体器件102除上述实施例1的半导体器件101取得的效果外，还具有通过导热体92中设置埋没在密封树脂体6内的凸肩部17使导热体92与密封树脂体6的粘合性进一步提高的优点。又，将凸肩部17形成为临近半导体元件1，所以具有散热性进一步提高的优点。
再者，导热体的形状不限于本实施例2的导热体92的形状。下面，用图8、图9A、图9B说明本实施例2的变换例1。这里，本实施例2的半导体器件102与变换例1的半导体器件103仅导热体92的形状不同。下文中，对与本实施例2的半导体器件102对应的部分标注同一标号，省略其说明。
实施例2的变换例1
图8是示出变换例1的半导体器件103的剖视图。图9A、图9B是说明变换例1的导热体93的制造工序的图。
如图8和图9B所示，此半导体器件103也在导热体93的开口部12的侧面具有往下方伸出的凸肩部17，并且与导热体92合为一体地形成凸肩部17。尤其是在此导热体93的凸肩部17形成孔部13。
这里，参照图9A、图9B说明此导热体93的制造方法。
如图9A所示，对Cu、Cu合金、Al、Al合金或Fe-Ni合金等热传导性良好的材料组成的金属板进行浸蚀加工或冲压加工，加工成希望的形状，从而制作导热体93。在导热体93形成往衬底厚度方向贯通的切槽部17a和孔部13。孔部13可为1个，也可为多个。孔部13的形状不仅为圆形，而且可为多边形。也可形成切槽部，以代替孔部13。
除在导热体93的凸肩部17形成孔部13外，其它与上述实施例2的半导体器件102相同，并如图9B所示，实施弯曲加工后，形成导热体93。
于是，此变换例1的半导体器件取得的效果除本实施例取得的上述效果外，还由于设置在导热体93的凸肩部17的孔部13内存在密封树脂体6，使导热体93于密封树脂体6的粘合性进一步提高，能进一步可靠地防止导热体93从密封树脂体6脱落。
又，密封工序中，在妨碍树脂注入的凸肩部17设置孔部13，使密封树脂体6能通过孔部13，所以具有大幅度改善密封树脂体6的流动性的优点。
实施例2的变换例2
图10是示出本实施例2的变换例2的半导体器件103a的剖视图。本实施例2的变换例1的半导体器件103与变换例2的半导体器件103a仅导热体93a的形状不同。下文中，对与本实施例的半导体器件103对应的部分标注同一标号，省略其说明。
如图10所示，此半导体器件103a中，导热体93a的凸肩部17的最低表面与半导体元件1的上表面(即主面)接触。除这点外，其它与上述变换例1的半导体器件103相同。
于是，此变换例2的半导体器件103a取得的效果除本实施例2取得的上述效果外，还由于将导热体93的凸肩部17形成为接触半导体元件1，散热性进一步提高。
实施例3
本实施例3的半导体器件104中，与上述实施例1的半导体器件101相比，其导热体的形状不同。用图11、图12A、图12B说明此半导体器件104。对与上述实施例1重复的地方省略详细说明。图11是示出本实施例3的半导体器件104的剖视图。图12A、图12B是说明本实施例3的导热体的制造工序的图。
如图11、图12B所示，此半导体器件104在导热体94的露出部的一部分，设置临近半导体元件1的凹坑部18。此实施例中，合为一体地将凹坑部18形成为研钵状，并且在此凹坑部18的底面部分设置开口部12。将此凹坑部18设置成位于与导热体94的上表面部实质上平行的半导体元件1的主面(上表面)的中心的垂直方向。
这里，参照图12A、图12B说明此导热体94的制造方法。
如图12A所示，对Cu、Cu合金、Al、Al合金或Fe-Ni合金等热传导性良好的材料组成的金属板进行浸蚀加工或冲压加工，加工成希望的形状，从而制作导热体94。如上文所述，在导热体94形成往衬底厚度方向贯通的开口部14。
接着，如图12B所示，在导热体94的角部形成与上述实施例1相同的支撑部9a，并将其外侧作为凸缘，实施凸缘加工等后，将开口部14的外周部往下方成形为研钵状，从而形成埋没在密封树脂体6内的凹坑部18。
这里，将凹坑部18形成为不接触金属细线5，并构成凹坑部18的最低下表面至导热体94的最高上表面的高度低于半导体元件1的主面(上表面)至导热体4的最高上表面的高度。
最好将开口部14设置成位于半导体元件1的主面中心的垂直方向，并将凹坑部18的内径形成为大于注入浇口的外形。导热体94的开口部14的形状也可为多边形，凹坑部18的形状只要能大于注入浇口的外形，也可为多边形。还可在凹坑部18的研钵状的倾斜部18a设置往衬底厚度方向贯通的开口部。除这些方面外，其它与上述实施例1的半导体器件101相同，上述实施例1的变换例1和变换例2的结构也可用。
本实施例的半导体器件104除上述实施例1的半导体器件101取得的效果外，还通过在导热体94设置埋没在密封树脂体6内的凹坑部18，使导热体94与密封树脂体6的粘合性进一步提高。又，由于将凹坑部18形成为临近半导体元件1的主面，散热性进一步提高。
再者，导热体的形状不限于本实施例的导热体94的形状。下面，用图13、图14A、图14B说明本实施例的变换例1。这里，本实施例的半导体器件104与变换例1的半导体器件105仅导热体95的形状不同。下文中，对与本实施例3的半导体器件104对应的部分标注同一标号，省略其说明。
实施例3的变换例1
图13是示出变换例1的半导体器件103的剖视图。图14A、图14B是说明变换例1的导热体的制造工序的图。
如图13所示，此半导体器件105也在导热体94的露出部的一部分，设置临近半导体元件1的凹坑部19。此实施例中，合为一体地将凹坑部19形成为研钵状，但仅在凹坑部19的侧面部形成多个开口部15，凹坑部19的底面部分不形成开口部(不进行开口)。而且，将凹坑部19的底面部19b取为以与半导体元件1的主面实质上平行的状态接近该元件的布局。
这里，参照图14A、图14B说明此导热体95的制造方法。
如图14A所示，对Cu、Cu合金、Al、Al合金或Fe-Ni合金等热传导性良好的材料组成的金属板进行浸蚀加工或冲压加工，加工成希望的形状，从而制作导热体95。在导热体95形成往衬底厚度方向贯通的多个开口部15。开口部15可为1个，也可为多个。开口部15的形状不仅为圆形，而且也可为多边形。
接着，如图14B所示，在导热体95的角部形成与上述实施例1相同的支撑部9a，并实施深冲加工等，将其外周往下方成形为研钵状，形成埋没在密封树脂体6内的凹坑部19，以便在凹坑部19的倾斜部19a内配置开口部15。
这里，将凹坑部19形成为不接触金属细线5，并且凹坑部19的底面部19b与半导体元件1的主面实质上平行。
最好将凹坑部19设置成位于半导体元件1的主面中心的垂直方向，并将凹坑部19的内径形成为大于注入浇口的外形。再者，导热体95的开口部15的形状也可为多边形，凹坑部19的形状只要能大于注入浇口的外形，也可为多边形。除这些方面外，其它方面与上述实施例3的半导体器件104相同。
于是，此变换例1的半导体器件105取得的效果除本实施例3取得的效果外，还由于导热体95的凹坑部19的底面19b不设置开口部，能使底面19b接近或接触半导体元件1的主面。因此，如图13所示，使导热体95的凹坑部19的底面19b接近半导体元件1的主面，从而能提高散热效果，进而通过构成使其接触该主面(但图13中示出未接触的情况)，能进一步提高散热效果。
实施例3的变换例2
图15是示出变换例2的半导体器件的剖视图。图16A、图16B是说明变换例2的导热体制造工序的图。本实施例3的半导体器件104与变换例2的半导体器件106仅导热体96的形状不同。下文中，对与本实施例3的半导体器件104对应的部分标注同一标号，省略其说明。
如图15所示，此半导体器件106也在导热体96的露出部的一部分，设置临近半导体元件1的凹坑部20。此实施例中，如后文所述，以剪切或鼓凸成形的方式合为一体地形成凹坑部20。对此凹坑部20的侧面部分的一部分进行开口，形成开口部16，但底面部分不设置开口部，原样留有底面部。
这里，参照图16A、图16B说明此导热体96的制造方法。
如图16A所示，对Cu、Cu合金、Al、Al合金或Fe-Ni合金等热传导性良好的材料组成的金属板进行浸蚀加工或冲压加工，加工成希望的形状，从而制作导热体96。
接着，如图16B所示，在导热体96的角部形成与上述实施例1相同的支撑部96a，并实施局部剪切的鼓凸成形等，形成埋没在密封树脂体6内的凹坑部20。在剪切的侧面部分形成开口部16。
这里，将凹坑部20形成为不接触金属细线5，并且凹坑部20的底面20b与半导体元件1的主面实质上平行，接近或接触半导体元件1的主面(图15中示出接近的情况)。最好将凹坑部20设置成位于半导体元件1的主面中心的垂直方向，并将凹坑部20的内径形成为大于注入浇口的外形。再者，导热体96的开口部16的形状也可为多边形，凹坑部20的形状只要能大于注入浇口的外形，也可为多边形。开口部16可设置多个，也可对凹坑部20的倾斜部20a实施浸蚀加工或冲压加工，形成另外的开口部。除这些方面外，其它方面与上述实施例3的半导体器件104相同。
于是，此变换例2的半导体器件106取得的效果除本实施例取得的效果外，还由于导热体96的凹坑部20的底面20b不设置开口部，能使底面20b接近半导体元件1的主面，如图15所示，从而能提高散热效果，进而通过构成使其接触该主面，能进一步提高散热效果。
实施例4
图17A和图17B示出本发明实施例4的半导体器件的剖视图和仰视图。图17A相当于图17B中用点划线表示的C-C线的剖面图。下文中，对与本实施例1的半导体器件101对应的部分标注同一标号，省略其说明。
如图17A、图17B所示，本实施例4的半导体器件设置引线框41，以代替本实施例1的衬底3，该引线框41合为一体地含有作为半导体元件装载区的管芯盘41c、在此管芯盘41c的周围使下表面为外部端子41d并使上表面为内部端子41a的多个端子、以及支撑管芯盘41c的吊线41b。
然后，在引线框41的管芯盘41c上，用粘接剂4粘合半导体元件1后，用金属细线5将半导体元件1的电极与引线框41的上表面内部端子41a电连接。将导热体91的支撑部9a紧固于处在半导体器件的4角的吊线41b。密封树脂体6用树脂覆盖半导体元件1、金属细线5、导热体91的半导体元件侧、导热体91的支撑部9a、以及上表面内部端子41a。这时，设置密封树脂体6，使导热体9的上表面部、管芯盘41c的下表面、以及作为端子的下表面的外部端子41d露出到外部。
还配置成导热体91的与半导体元件1的主面对置的面的相反侧的面(即导热体91的上表面部)露出到外部，并且在此露出到外部的导热体91的上表面的一部分，设置往衬底厚度方向贯通的开口部11。
利用此结构，也能得到与上述实施例1相同的作用、效果。通过采用与上述实施例1的变换例或实施例2、3及其变换例同样的结构，能得到与它们同样的作用、效果。
实施例5
图18A和图18B示出本发明实施例5的半导体器件的剖视图和仰视图。图18A相当于图18B中用点划线表示的D-D线的剖面图。下文中，对与本实施例1的半导体器件101对应的部分标注同一标号，省略其说明。
如图18A、图18B所示，本实施例5的半导体器件设置引线框42，其中合为一体地含有作为半导体元件装载区的管芯盘42c、在此管芯盘42c的周围合为一体地连续设置的由内部端子42a和外部端子42d组成的多个端子、以及支撑管芯盘42c的吊线42b。
然后，在引线框42的管芯盘42c上，用粘接剂4粘合半导体元件1后，用金属细线5将半导体元件1的电极与引线框42的内部端子42a电连接。将导热体91的支撑部9a紧固于处在半导体器件的4角的吊线42b。密封树脂体6用树脂覆盖半导体元件1、金属细线5、导热体91的半导体元件侧、导热体91的支撑部9a、以及内部端子42a。这时，设置密封树脂体6，使导热体9的上表面部以及处在端子的侧方的外部端子42d露出到外部。
还配置成导热体91的与半导体元件1的主面对置的面的相反侧的面(即导热体91的上表面部)露出到外部，并且在此露出到外部的导热体91的上表面的一部分，设置往衬底厚度方向贯通的开口部11。
利用此结构，也能得到与上述实施例1相同的作用、效果。通过采用与上述实施例1的变换例或实施例2、3及其变换例同样的结构，能得到与它们同样的作用、效果。
再者，本发明实施例中，说明了BGA封装、QFN封装、QFP封装，但不限于这些封装，LGA封装或将胶片或磁带等用作衬底的COF等，只要是进行树脂密封并设置导热体的半导体器件，也可用。
作为密封方法，说明了传递模塑法，但只要能从导热体的开口部注入树脂，也可使用浇注法等。
本发明尤其适合用于适合装载发热量大的半导体元件的半导体器件及其制造方法，尤其对实施要求散热性良好且质量稳定的半导体器件有效。

Claims (42)

1.一种半导体器件(101)，具有：半导体元件(1)、配置成与半导体元件(1)的主面对置的导热体(91)、以及将所述半导体元件(1)和所述导热体(91)的一部分密封的密封树脂体(6)，并且
所述导热体(91)的与所述半导体元件(1)对置的面的相反侧的面的一部分从所述密封树脂体(6)露出到外部，其特征在于，
在所述导热体(91)的设置露出部的面的一部分，设置往衬底厚度方向贯通的开口部(11)。
2.如权利要求1中所述的半导体器件，其特征在于，
具有含半导体元件装载区和多个端子的衬底(3)，在所述衬底(3)的设置所述半导体元件装载区的半导体元件装载面侧配置导热体(91)。
3.如权利要求1中所述的半导体器件(101)，具有：在一个面上含有多个电极端子的衬底(3)、装载在该衬底(3)的另一个面的半导体元件(1)、在所述衬底(3)的另一个面侧配置成与所述半导体元件(1)的主面对置的导热体(91)、以及将作为所述衬底的另一个面的半导体元件装载面和所述半导体元件(1)和所述导热体(91)密封的密封树脂体(6)，并且
所述导热体(91)的与所述半导体元件(1)的主面对置的面的相反侧的面的一部分，从所述密封树脂体(6)露出到外部，其特征在于，
在所述导热体(91)的设置露出部的面的一部分，设置往衬底厚度方向贯通的开口部(11)。
4.如权利要求1中所述的半导体器件，其特征在于，
具有含有半导体元件装载区(41c)并含有设置在所述半导体元件装载区(41c)的周围的由内部端子(41a)和外部端子(41d)组成的多个端子的引线框(41)，
在所述引线框(41)的设置所述半导体元件装载区(41c)的半导体元件装载面侧配置导热体(91)。
5.如权利要求1中所述的半导体器件，其特征在于，
在导热体(92)的设置开口部(11)的部位的侧面部分，具有往半导体元件(1)侧伸出的凸肩部(17)。
6.如权利要求1中所述的半导体器件，其特征在于，
将导热体(92)的凸肩部(17)形成为与导热体(92)合为一体。
7.如权利要求5中所述的半导体器件，其特征在于，
导热体(93)的凸肩部(17)与半导体元件接触。
8.如权利要求5中所述的半导体器件，其特征在于，
导热体(93)的凸肩部(17)形成至少1个孔部(13)或切槽部。
9.如权利要求1中所述的半导体器件，其特征在于，
在导热体(94)的设置露出部的面的一部分，设置临近半导体元件(1)侧的凹坑
部(18)，并且在该凹坑部(18)的一部分，设置开口部(14)。
10.如权利要求9中所述的半导体器件，其特征在于，
将导热体(94)的凹坑部(10)形成为研钵状。
11.如权利要求9中所述的半导体器件，其特征在于，
将导热体(95、96)的凹坑部(19、20)的一部分，形成为与半导体元件(1)的主面实质上平行。
12.如权利要求1中所述的半导体器件，其特征在于，
导热体(96)的凹坑部(20)与半导体元件(1)接触。
13.如权利要求1中所述的半导体器件，其特征在于，
在导热体(911)的露出部的外周部或内周部的至少一方，设置埋没在密封树脂体(6)内的阶梯部(9b、9c)。
14.如权利要求13中所述的半导体器件，其特征在于，
导热体(911)设置阶梯部(9b、9c)的部位的露出面的面积小于作为此露出面的相反面的非露出面的面积。
15.如权利要求1中所述的半导体器件，其特征在于，
将导热体(91)的开口部设置成位于对半导体元件(1)的主面中心垂直的方向。
16.如权利要求1中所述的半导体器件，其特征在于，
导热体(91)具有往与半导体元件(1)的主面对置的面侧伸出的支撑部(9a)。
17.如权利要求2中所述的半导体器件，其特征在于，
导热体(91)具有往衬底(3)的半导体元件装载面侧伸出的支撑部(9a)。
18.如权利要求4中所述的半导体器件，其特征在于，
导热体(91)具有往引线框(41、42)的半导体元件装载面(41c、42c)侧伸出的支撑部(9a)。
19.如权利要求16中所述的半导体器件，其特征在于，
以折弯部分导热体(91)的方式形成导热体(91)的支撑部(9a)。
20.如权利要求16中所述的半导体器件，其特征在于，
设置至少3个导热体(91)的支撑部(9a)。
21.如权利要求17中所述的半导体器件，其特征在于，
导热体(91)的支撑部(9a)与衬底(3)接触。
22.如权利要求18中所述的半导体器件，其特征在于，
导热体(91)的支撑部(9a)与引线框(41、42)接触。
23.如权利要求1中所述的半导体器件，其特征在于，
导热体(91)的埋没在密封树脂体(6)的部分将表面粗化。
24.如权利要求1中所述的半导体器件，其特征在于，
具有将端子与半导体元件(1)电连接的多条金属细线(5)。
25.如权利要求2中所述的半导体器件，其特征在于，
具有将衬底(3)与半导体元件(1)电连接的多条金属细线(5)。
26.如权利要求4中所述的半导体器件，其特征在于，
具有将引线框(41、42)与半导体元件(1)电连接的多条金属细线(5)。
27.如权利要求1中所述的半导体器件，其特征在于，
将导热体(91)电连接到接地端子。
28.一种半导体器件的制造方法，具有
将导热体(91)配置成与半导体元件(1)的主面对置的工序、以及
对所述半导体元件(1)和所述导热体(91)的一部分进行树脂密封的工序，其特征在于，
具有在所述导热体(91)的一部分形成往衬底厚度方向贯通的开口部(11)的工序。
29.一种半导体器件的制造方法，具有
将导热体(91)配置成与半导体元件(1)的主面对置的工序、以及
对所述半导体元件(1)和所述导热体(91)的一部分进行树脂密封的工序，其特征在于，具有
在所述导热体(91)的一部分形成临近半导体元件(1)的凹坑部(18)的工序、以及
在与所述凹坑部(18)对应的部位的一部分形成往衬底厚度方向贯通的开口部(14)的工序。
30.如权利要求28中所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，
具有在含有多个电极端子的衬底(3)上装载半导体元件(1)的工序。
31.如权利要求28中所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，
具有在含半导体元件装载区(41c)以及合为一体地设置在所述半导体元件装载区(41c)的周围的由内部端子(41a)和外部端子(41d)组成的多个端子的引线框(41)的半导体元件装载区(41c)上装载半导体元件(1)的工序。
32.如权利要求28中所述的半导体器件的制造方法，具有
将导热体(91)的与半导体元件(1)的主面对置的面的相反侧的面的一部分安装成接触密封金属模(211B)的内壁面的工序、以及
往所述密封金属模(211B)内注入树脂并进行树脂密封的工序，其特征在于，
具有将所述导热体(91)的开口部(11)形成为面对所述密封金属模(211B)的内壁面的工序。
33.如权利要求29中所述的半导体器件的制造方法，具有
将导热体(94)的与半导体元件(1)的主面对置的面的相反侧的面的一部分安装成接触密封金属模的内壁面的工序、以及
往所述密封金属模内注入树脂并进行树脂密封的工序，其特征在于，
具有将所述导热体(94)的凹坑部(14)形成为面对所述密封金属模的内壁面的工序。
34.一种半导体器件的制造方法，具有
在一个面侧含有多个电极端子的衬底(3)的另一个面装载半导体元件(1)的工序、
将导热体(91)配置成与所述半导体元件(1)的主面对置的工序、
将装载所述半导体元件(1)的所述衬底(3)装到密封金属模(211A、211B)后进行合模并安装成所述导热体(91)的与所述半导体元件(1)的主面对置的面的相反侧的面的一部分与所述密封金属模(211B)的内壁面接触的工序、以及
往所述密封金属模(211A、211B)内注入树脂并对作为所述衬底(3)的另一个面的半导体元件装载面和所述半导体元件(1)和所述导热体(91)进行树脂密封的工序，其特征在于，
具有在所述导热体(91)的面对所述密封金属模(211B)的内壁面的部分的一部分形成往衬底厚度方向贯通的开口部(11)的工序。
35.一种半导体器件的制造方法，具有
在一个面侧含有多个电极端子的衬底(3)的另一个面装载半导体元件(1)的工序、
将导热体(94)配置成与所述半导体元件(1)的主面对置的工序、
将装载所述半导体元件(1)的所述衬底(3)装到密封金属模后进行合模并安装成所述导热体(94)的与所述半导体元件(1)的主面对置的面的相反侧的面的一部分与所述密封金属模的内壁面接触的工序、以及
往所述密封金属模内注入树脂并对作为所述衬底(3)的另一个面的半导体元件装载面和所述半导体元件(1)和所述导热体(94)进行树脂密封的工序，其特征在于，具有
在所述导热体(94)的面对所述密封金属模(211B)的内壁面的部分的一部分形成临近所述半导体元件(1)的凹坑部(18)的工序、以及
在与所述凹坑部(18)对应的部位形成往衬底厚度方向贯通的开口部(14)的工序。
36.如权利要求28中所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，
具有从设置在导热体(91)的开口部(11)的注入口(21t)注入树脂进行树脂密封的工序。
37.如权利要求28中所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，
具有从外形小于所述导热体(91)的开口部(11)的内径的注入口(21t)注入树脂进行树脂密封的工序。
38.如权利要求30中所述的半导体器件的制造方法，具有
将导热体(91)的与半导体元件(1)的主面对置的面的相反侧的面的一部分安装成接触密封金属模(91)的内壁面(211B)的工序、以及往所述密封金属模(21A、211B)内注入树脂并进行树脂密封的工序，其特征在于，
具有将衬底(3)装到密封金属模(211A、211B)的工序前，预先使所述衬底(3)的半导体元件装载面与所述密封金属模(211B)的接触面至导热体(91)的与所述半导体元件(1)的主面对置的面的相反侧的面的最顶部的高度大于所述密封金属模(211B)的半导体元件装载面侧的腔体深度的工序。
39.如权利要求31中所述的半导体器件的制造方法，具有
将导热体(91)的与半导体元件(1)的主面对置的面的相反侧的面的一部分安装成接触密封金属模的内壁面的工序、以及
往所述密封金属模内注入树脂并进行树脂密封的工序，其特征在于，
具有将引线框(41、42)装到密封金属模的工序前，预先使所述引线框(41、42)的半导体元件装载面与所述密封金属模的接触面至导热体的与所述半导体元件(1)的主面对置的面的相反侧的面的最顶部的高度大于所述密封金属模的半导体元件装载面侧的腔体深度的工序。
40.如权利要求28中所述的半导体器件的制造方法，具有
将导热体(91)的与半导体元件(1)的主面对置的面的相反侧的面的一部分安装成接触密封金属模(213)的内壁面的工序、以及
往所述密封金属模(213)内注入树脂并进行树脂密封的工序，其特征在于，
具有一面将导热体(91)的露出面吸附于密封金属模(213)的内壁面、一面进行树脂密封的工序。
41.如权利要求28中所述的半导体器件的制造方法，具有
将导热体(911)的与半导体元件(1)的主面对置的面的相反侧的面的一部分安装成接触密封金属模(212)的内壁面的工序、以及
往所述密封金属模(212)内注入树脂并进行树脂密封的工序，其特征在于，
具有在密封金属模(212)的内壁面以与埋没在形成于导热体(911)的露出部的内周部的密封树脂(6)中的阶梯部(9b)对置的方式形成第1伸出部(21b)，并一面使所述露出部的内周部的阶梯部(9b)与所述第1伸出部(21b)接触、一面用树脂进行密封的工序。
42.如权利要求28中所述的半导体器件的制造方法，具有
将导热体(911)的与半导体元件(1)的主面对置的面的相反侧的面的一部分安装成接触密封金属模(212)的内壁面的工序、以及
往所述密封金属模(212)内注入树脂并进行树脂密封的工序，其特征在于，
具有在密封金属模(212)的内壁面以与埋没在形成于导热体(911)的露出部的外周部的密封树脂(6)中的阶梯部(9c)对置的方式形成第2伸出部(21c)，并一面使所述露出部的外周部的阶梯部(9c)与所述第2伸出部(21c)接触、一面用树脂进行密封的工序。
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C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Open date: 20080507