JP6768612B2 - 半導体装置 - Google Patents

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Description

本発明は、半導体装置に関し、特にパワーチップを備えた電力用の半導体装置に関するものである。
パワーチップを備えた電力用の半導体装置では、パワーチップで発生した熱を、ヒートシンク等の外部構造へ効率よく放熱することが非常に重要である。半導体装置の本体をヒートシンクへ取り付ける際に、熱伝導材を用いることで効率的な放熱性を実現している。
熱伝導材からヒートシンクへの放熱を促すために、パワーチップが搭載された放熱板の中央部をねじ締めによってヒートシンクに押し当てる構造が採用されている（例えば特許文献１，２参照）。
特開平４−２３３７５２号公報 実開平４−４６５５２号公報
しかし、特許文献１に記載の技術では、底板または放熱板に可撓性を持たせる必要があり、放熱板に可撓性を持たせることで製品の経年劣化を招くという問題があった。
また、特許文献２に記載の技術では、放熱板上に搭載された半導体ペレットを覆う樹脂の取付面の貫通孔と放熱板の肉薄部側の外端部との間に微小突起を設けたことで外部放熱器との密着取り付けを可能としている。そのため、特許文献２に記載の技術では、放熱板に可撓性を持たせる必要はないが、放熱板の反りが考慮されていないため、製品の取り付け性に問題があった。
そこで、本発明は、製品の取付性を向上させることが可能な技術を提供することを目的とする。
本発明に係る半導体装置は、ヒートシンクと、前記ヒートシンクの上側に配置された放熱板と、前記放熱板の上側に配置された半導体素子と、前記半導体素子を囲み、前記ヒートシンクに取り付けられるケースとを備え、前記放熱板は、平板状の本体部と、断面視にて前記本体部の下端から円弧状に膨出する膨出部とを有し、前記ケースは、下端部の外周部から外側に延びる取付部と、前記取付部における互いに対向する位置に設けられかつ前記ヒートシンクに取り付けるための２つの取付穴と、前記取付部における２つの前記取付穴よりも外周側に前記取付部の下面から下方にそれぞれ突出する２つの突起部とを有し、一方の前記取付穴を介して前記ヒートシンクにネジを締め付けた状態で、２つの前記取付穴を結ぶ仮想線と、一方の前記取付穴の周辺部に位置する一方の前記突起部の最下点と、前記膨出部と前記ヒートシンクとの接点とを結ぶ仮想線とのなす角度Ａは、前記本体部の下端と前記ケースの下端との垂直方向の距離をＭ、前記膨出部の膨出量をＷ、前記突起部の突起高さをＴ、前記ケースの外周端から前記放熱板の外周端までの水平方向の距離をＬとしたとき、０＜Ａ＜arctan（（Ｍ＋Ｗ−Ｔ）／Ｌ）を満たすものである。
本発明によれば、一方の前記取付穴を介してヒートシンクにネジを締め付けた状態で、２つの取付穴を結ぶ仮想線と、一方の取付穴の周辺部に位置する一方の突起部の最下点と、膨出部とヒートシンクとの接点とを結ぶ仮想線とのなす角度Ａは、本体部の下端とケースの下端との垂直方向の距離をＭ、膨出部の膨出量をＷ、突起部の突起高さをＴ、ケースの外周端から放熱板の外周端までの水平方向の距離をＬとしたとき、０＜Ａ＜arctan（（Ｍ＋Ｗ−Ｔ）／Ｌ）を満たす。
したがって、角度Ａが小さくなるため、ケースの取付部における他方の取付穴が設けられた部分がヒートシンクの表面から浮き上がることを抑制できる。これにより、製品の取付性を向上させることができる。
実施の形態１に係る半導体装置の断面図である。 ヒートシンクを取り外した状態の半導体装置の断面図である。 ヒートシンクを取り外した状態の半導体装置の底面図である。 突起部およびその周辺部の底面斜視図である。 実施の形態１の変形例においてヒートシンクを取り外した状態の底面図である。 一方の取付部をヒートシンクに取り付けた状態の半導体装置を簡略化した断面図である。 ２つの取付穴を結ぶ仮想線Ｂ−Ｂ’と、ケースの外周端から放熱板の外周端までの水平方向の距離Ｌとを説明するための半導体装置の底面図である。 角度Ａが最大となる場合の半導体装置の断面図である。 実施の形態２に係る半導体装置においてねじ締めした状態を簡略化した断面図である。 突起部およびその周辺部の底面斜視図である。 実施の形態３に係る半導体装置の突起部およびその周辺部の底面斜視図である。 突起部およびその周辺部の断面図である。 実施の形態４に係る半導体装置の突起部およびその周辺部の底面斜視図である。 突起部およびその周辺部の断面図である。 実施の形態５に係る半導体装置の突起部およびその周辺部の底面斜視図である。 突起部およびその周辺部の断面図である。 実施の形態６に係る半導体装置の突起部およびその周辺部の底面斜視図である。 突起部およびその周辺部の断面図である。 実施の形態７に係る半導体装置の突起部およびその周辺部の底面斜視図である。 突起部およびその周辺部の断面図である。 突起部を設けていない場合において、一方の取付部をヒートシンクに取り付けた状態の半導体装置を簡略化した断面図である。
＜実施の形態１＞
本発明の実施の形態１について、図面を用いて以下に説明する。図１は、実施の形態１に係る半導体装置の断面図である。図２は、ヒートシンク１を取り外した状態の半導体装置の断面図である。図３は、ヒートシンク１を取り外した状態の半導体装置の底面図である。図４は、突起部１１ｂおよびその周辺部の底面斜視図である。
図１に示すように、半導体装置は、電力用の半導体装置であり、ヒートシンク１、放熱板３、複数の半導体素子６、複数の金属端子９、ケース１０、およびネジ１２を備えている。
ヒートシンク１の上側に放熱板３が配置されている。より具体的には、放熱板３の下面に熱伝導材２が設けられ、放熱板３は、熱伝導材２を介してヒートシンク１の上面に配置されている。なお、熱伝導材２は例えばグリスである。
放熱板３の上側に半導体素子６が配置されている。より具体的には、放熱板３の上面に絶縁基板４が固定され、絶縁基板４の上面における端部を除く領域に回路パターン５が設けられている。半導体素子６は、パワーチップであり、回路パターン５の上面にはんだ７を介して搭載されている。
図２に示すように、放熱板３は、本体部３ａおよび膨出部３ｂを備えている。本体部３ａは、平板状であり、具体的には図２において放熱板３の上端から仮想線までの領域で表される形状である。膨出部３ｂは、断面視にて本体部３ａの下端から円弧状に膨出しており、端部よりも中央部の方が膨出量が大きい。膨出部３ｂは、グリスなどの熱伝導材２を用いて、半導体装置のうちヒートシンク１を除く部分（以下「半導体装置本体」という）をヒートシンク１に取り付ける際に、半導体装置本体とヒートシンク１との間に生じる隙間を抑制する目的で設けられている。膨出部３ｂが設けられることで、放熱板３の下面が平坦な場合に比べて、放熱板３の下面中央部がグリスを外周側へ押しのけながら半導体装置本体を取り付けることができる。そのため、半導体装置本体とヒートシンク１との間の隙間の発生を抑制できる。
なお、放熱板３として、放熱金属板と絶縁基板が一体化された樹脂絶縁銅ベース板を採用することも可能である。また、絶縁基板４として、例えばアルミナまたは窒化アルミニウムなどのセラミック材を採用することも可能である。
図１に示すように、ケース１０は、例えばＰＰＳなどの樹脂からなり、半導体素子６を囲むように絶縁基板４および放熱板３の端部に接着剤を用いて固定されている。金属端子９は、ケース１０に取り付けられ、ワイヤ８を介して回路パターン５および半導体素子６に接続されている。ケース１０の内部には、図示しない封止樹脂が充填され、封止樹脂により半導体素子６が封止される。
次に、ケース１０の特徴的な構造について説明する。図１〜図３に示すように、ケース１０は、２つの取付部１０ａ，１０ｂ、４つの取付穴１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄ、および４つの突起部１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄを備えている。２つの取付部１０ａ，１０ｂは、ケース１０の下端部の外周部から外方に延びている。より具体的には、取付部１０ａは左方に延び、取付部１０ｂは右方に延びている。
図３に示すように、取付穴１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄは、ケース１０をヒートシンク１に取り付けるためにネジ１２が螺合されるネジ穴である。取付穴１４ａ，１４ｃは、取付部１０ａの前端部および後端部にそれぞれ設けられ、取付穴１４ｂ，１４ｄは、取付部１０ｂの前端部および後端部にそれぞれ設けられている。ケース１０は底面視にて矩形形状に形成され、取付部１０ａ，１０ｂはケース１０の左右の辺にそれぞれ設けられている。そのため、取付穴１４ａ，１４ｃは、取付穴１４ｂ，１４ｄにそれぞれ対向する位置に設けられている。さらに、取付穴１４ａ，１４ｃの位置は、取付穴１４ｄ，１４ｂにそれぞれ対向する位置でもある。
図１に示すように、ケース１０は、取付穴１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄを通ったネジ１２によりヒートシンク１に固定される。この固定により、放熱板３は熱伝導材２を介してヒートシンク１に接しており、半導体素子６で生じた熱が放熱板３から放出されやすくなる。なお、取付穴１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄにブッシュを嵌め込み、ブッシュにネジ１２を螺合させてもよい。
図３および図４に示すように、突起部１１ａ，１１ｃは、取付部１０ａにおける取付穴１４ａ，１４ｃよりも外周側に取付部１０ａの下面から下方にそれぞれ突出している。突起部１１ｂ，１１ｄは、取付部１０ｂにおける取付穴１４ｂ，１４ｄよりも外周側に取付部１０ｂの下面から下方にそれぞれ突出している。すなわち、突起部１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄは、底面視にて矩形形状のケース１０の４つの角部にそれぞれ設けられている。
なお、突起部１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄは、取付穴１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄに対して１つずつ設けられてもよいし複数ずつ設けられていてもよい。または、図５に示すように、突起部２１ａ，２１ｂは、取付部１０ａ，１０ｂの長手方向に渡ってそれぞれ延びる形状であってもよい。図５は、実施の形態１の変形例においてヒートシンク１を取り外した状態の底面図である。
次に、図６、図７および図８を用いて、実施の形態１に係る半導体装置から得られる作用および効果について説明する。図６は、一方の取付部１０ｂをヒートシンク１に取り付けた状態の半導体装置を簡略化した断面図である。図７は、２つの取付穴１４ｂ，１４ｃを結ぶ仮想線Ｂ−Ｂ’と、ケース１０の外周端から放熱板３の外周端までの水平方向の距離Ｌとを説明するための半導体装置の底面図である。図６では、膨出部３ｂを分かりやすくするために放熱板３の中心に膨出部３ｂの最も膨出した部分を示しているが、実際の半導体パワーモジュールの例では、最も膨出した部分は放熱板３の中心からずれてしまう。最も膨出した部分が放熱板３の外周端にあるとき、角度Ａが最大となる。図８は、角度Ａが最大となる場合の半導体装置の断面図である。なお、図７では、図面を見やすくするために突起部１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄの図示を省略している。
図６、図７および図８に示すように、取付穴１４ｂ，１４ｄを介してヒートシンク１にネジ１２を締め付けた状態で、２つの取付穴１４ｂ，１４ｃを結ぶ仮想線Ｂ−Ｂ’と、取付穴１４ｂの周辺部に位置する突起部１１ｂの最下点Ｃと、膨出部３ｂとヒートシンク１との接点Ｃ’とを結ぶ仮想線Ｃ−Ｃ’とのなす角度をＡとする。角度Ａの上限は、仮想線Ｂ−Ｂ’上において、ケース１０の外周端から放熱板３の外周端までの水平方向の距離Ｌと、突起部１１ｂの最下点Ｃと膨出部３ｂの接点Ｃ’との垂直方向の距離Ｈによって定義される。ここで、膨出部３ｂの接点Ｃ’とは、放熱板３が傾かずに真っ直ぐに配置された状態で膨出部３ｂがヒートシンク１の表面１ａに接する接点である。
距離Ｈは、本体部３ａの下端とケース１０の下端との垂直方向の距離Ｍと、膨出部３ｂの膨出量Ｗとの和から突起部１１ｂの突起高さＴを引いた値であるため、下記に示すように角度Ａの上限を定義した。ここで、膨出部３ｂの膨出量Ｗとは、膨出部３ｂにおける最も膨出した部分の上端から下端までの高さである。
Ｈ／Ｌ＝tan（Ａ）
（Ｍ＋Ｗ−Ｔ）／Ｌ＝tan（Ａ）
Ａ＝arctan（（Ｍ＋Ｗ−Ｔ）／Ｌ）
すなわち、角度Ａは
０＜Ａ＜arctan（（Ｍ＋Ｗ−Ｔ）／Ｌ）
を満たす。
一般的な産業半導体パワーモジュールの例ではＬ：１３ｍｍ、Ｈ：０．３ｍｍ程度であり、角度Ａは約１．３度である。
次に、突起部１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄを設けていない場合と比較する。図２１は、突起部１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄを設けていない場合において、一方の取付部１０ｂをヒートシンク１に取り付けた状態の半導体装置を簡略化した断面図である。図２１に示すように、突起部１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄを設けていない場合に取付穴１４ｂ，１４ｄを介してヒートシンク１にネジ１２を締め付けた状態の角度Ａ’は、図６に示した突起部１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄを設けた場合の角度Ａと比較して大きくなる。
ここで、角度Ａ’は、角度Ａにおいて、「取付穴１４ｂの周辺部に位置する突起部１１ｂの最下点Ｃ」を、「取付穴１４ｂの周辺部に位置する角部の下面」に置き換えた角度である。
以上のように、実施の形態１に係る半導体装置では、突起部１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄを設けたため、突起部１１ｂ，１１ｄが半導体装置本体の支えとなって、角度Ａを小さくすることができる。そのため、ケース１０の取付部１０ａにおける取付穴１４ａ，１４ｃが設けられた部分がヒートシンク１の表面１ａから浮き上がることを抑制できる。これにより、半導体装置本体のヒートシンク１への取付性、すなわち、製品の取付性を向上させることができる。
突起部１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄは、取付穴１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄに対して１つまたは複数設けられたため、半導体装置本体を安定して支えることができる。
＜実施の形態２＞
次に、実施の形態２に係る半導体装置について説明する。図９は、実施の形態２に係る半導体装置においてねじ締めした状態を簡略化した断面図である。図１０は、突起部３１およびその周辺部の底面斜視図である。なお、実施の形態２において、実施の形態１で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。
実施の形態２では、図９および図１０に示すように、４つの突起部３１は、ネジ１２の締め付け時の応力により外側に折れ曲がる構造を有している。
突起部３１は、例えばＰＰＳなどの樹脂からなる。突起部３１には、その周辺部に位置する取付穴１４ｂ側に水平方向に延びる切り欠き３１ａが設けられており、切り欠き３１ａにより突起部３１の折れ曲がりを容易にしている。切り欠き３１ａにより突起部３１の折れ曲がりを容易にすることで、突起部３１の寸法および材質の制限を解除することが可能である。また、突起部３１をケース１０と同じ材料で一体に設けることで、ケース成型時に突起部３１を構成できることから、突起部３１の作製および取り付けなどの工程が削減可能となる。なお、他の３つの突起部３１もこれと同様である。
以上のように、実施の形態２に係る半導体装置では、突起部３１は、取付穴側に切り欠きを有する。したがって、半導体装置本体をヒートシンク１に取り付ける際の仮締め時には先に突起部３１がヒートシンク１の表面１ａに当たることで半導体装置本体の傾きを抑制し、かつ、本締め時に突起部３１が外側に折れ曲がることで放熱板３とヒートシンク１の表面１ａが接触する位置まで距離を調整することができるため、最適な熱伝導性を実現できる。
また、製造時点で突起部３１の高さにバラツキが生じた場合でも、放熱板３がヒートシンク１と接触する位置まで距離を調整できるため、放熱板３がヒートシンク１の表面１ａと接触しないなどの熱伝導性の悪化を抑制できる。
突起部３１は、ケース１０と同じ材料で一体に設けられたため、ケース１０を製造する工程で突起部３１も製造することができる。これにより、半導体装置の製造工程を簡略化することができる。
＜実施の形態３＞
次に、実施の形態３に係る半導体装置について説明する。図１１は、実施の形態３に係る半導体装置の突起部４１およびその周辺部の底面斜視図である。図１２は、突起部４１およびその周辺部の断面図である。なお、実施の形態３において、実施の形態１，２で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。
実施の形態３では、図１１および図１２に示すように、４つの突起部４１は、ネジ１２の締め付け時の応力により外側に折れ曲がる構造を有している。
突起部４１は、例えばＰＰＳなどの樹脂からなる。突起部４１には、基端部よりも先端部の方が幅が小さくなるように取付部１０ｂの下面に対して取付穴１４ｂ側に傾斜する傾斜部４１ａが設けられており、傾斜部４１ａにより突起部４１の折れ曲がりを容易にしている。なお、他の３つの突起部４１もこれと同様である。
以上のように、実施の形態３に係る半導体装置では、突起部４１は、基端部よりも先端部の方が幅が小さくなるように取付部の下面に対して取付穴側に傾斜する傾斜部４１ａを有する。したがって、実施の形態１の場合と比べて、水平方向の締め付け応力を受けることができるため、傾斜部４１ａの角度を調整することで突起部４１の折れ曲がり具合を調整することができる。
＜実施の形態４＞
次に、実施の形態４に係る半導体装置について説明する。図１３は、実施の形態４に係る半導体装置の突起部５１およびその周辺部の底面斜視図である。図１４は、突起部５１およびその周辺部の断面図である。なお、実施の形態４において、実施の形態１〜３で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。
実施の形態４では、図１３および図１４に示すように、４つの突起部５１は、ネジ１２の締め付け時の応力により外側に折れ曲がる構造を有している。
突起部５１は、例えばＰＰＳなどの樹脂からなる。突起部５１には、取付穴１４ｂ側に曲面状に凹む曲面部５１ａが設けられており、曲面部５１ａにより突起部５１の折れ曲がりを容易にしている。なお、他の３つの突起部５１もこれと同様である。
以上のように、実施の形態４に係る半導体装置では、突起部５１は、突起部５１は、取付穴側に曲面状に凹む曲面部５１ａを有する。したがって、実施の形態１の場合と比べて、水平方向の締め付け応力を受けることができるため、曲面部５１ａの曲率を調整することで突起部５１の折れ曲がり具合を調整することができる。
＜実施の形態５＞
次に、実施の形態５に係る半導体装置について説明する。図１５は、実施の形態５に係る半導体装置の突起部６１およびその周辺部の底面斜視図である。図１６は、突起部６１およびその周辺部の断面図である。なお、実施の形態５において、実施の形態１〜４で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。
実施の形態５では、図１５および図１６に示すように、４つの突起部６１は、ネジ１２の締め付け時の応力により折れ曲がる構造を有している。
突起部６１は、例えばＰＰＳなどの樹脂からなる。突起部６１には、垂直方向に延び、下面が開口する空孔部６１ａが設けられており、空孔部６１ａにより突起部６１の折れ曲がりを容易にしている。なお、他の３つの突起部６１もこれと同様である。
以上のように、実施の形態５に係る半導体装置では、突起部６１は、垂直方向に延びる空孔部６１ａを有する。したがって、空孔部６１ａの寸法を調整することで突起部６１の折れ曲がり具合を調整することができる。
＜実施の形態６＞
次に、実施の形態６に係る半導体装置について説明する。図１７は、実施の形態６に係る半導体装置の突起部７１およびその周辺部の底面斜視図である。図１８は、突起部７１およびその周辺部の断面図である。なお、実施の形態６において、実施の形態１〜５で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。
実施の形態６では、図１７および図１８に示すように、４つの突起部７１は、ネジ１２の締め付け時の応力により折れ曲がる構造を有している。
突起部７１は、例えばＰＰＳなどの樹脂からなる。突起部７１には、水平方向に延び、対向する２つの側面が開口する空孔部７１ａが設けられており、空孔部７１ａにより突起部７１の折れ曲がりを容易にしている。なお、他の３つの突起部７１もこれと同様である。
以上のように、実施の形態６に係る半導体装置では、突起部７１は、水平方向に延びる空孔部７１ａを有する。したがって、空孔部７１ａの寸法を調整することで突起部７１の折れ曲がり具合を調整することができる。
＜実施の形態７＞
次に、実施の形態７に係る半導体装置について説明する。図１９は、実施の形態７に係る半導体装置の突起部８１およびその周辺部の底面斜視図である。図２０は、突起部８１およびその周辺部の断面図である。なお、実施の形態７において、実施の形態１〜６で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。
実施の形態７では、図１９および図２０に示すように、４つの突起部８１は、ネジ１２の締め付け時の応力により折れ曲がる構造を有している。
突起部８１は、例えばＰＰＳなどの樹脂からなる。突起部８１には、垂直方向に延びる複数の溝８１ａが設けられており、複数の溝８１ａにより突起部８１の折れ曲がりを容易にしている。なお、他の３つの突起部８１もこれと同様である。
以上のように、実施の形態７に係る半導体装置では、突起部８１は、垂直方向に延びる複数の溝８１ａを有する。したがって、溝８１ａの幅、間隔、深さ、および角度を調整することで突起部８１の折れ曲がり具合を調整することができる。
なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。
１ ヒートシンク、３ 放熱板、３ａ 本体部、３ｂ 膨出部、６ 半導体素子、１０ ケース、１０ａ，１０ｂ 取付部、１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄ 突起部、１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄ 取付穴、２１ａ，２１ｂ 突起部、３１ 突起部、３１ａ 切り欠き、４１ 突起部、４１ａ 傾斜部、５１ 突起部、５１ａ 曲面部、６１ 突起部、６１ａ 空孔部、７１ 突起部、７１ａ 空孔部、８１ 突起部、８１ａ 溝。

Claims (9)

  1. ヒートシンクと、
    前記ヒートシンクの上側に配置された放熱板と、
    前記放熱板の上側に配置された半導体素子と、
    前記半導体素子を囲み、前記ヒートシンクに取り付けられるケースと、
    を備え、
    前記放熱板は、平板状の本体部と、断面視にて前記本体部の下端から円弧状に膨出する膨出部とを有し、
    前記ケースは、下端部の外周部から外側に延びる取付部と、前記取付部における互いに対向する位置に設けられかつ前記ヒートシンクに取り付けるための２つの取付穴と、前記取付部における２つの前記取付穴よりも外周側に前記取付部の下面から下方にそれぞれ突出する２つの突起部とを有し、
    一方の前記取付穴を介して前記ヒートシンクにネジを締め付けた状態で、２つの前記取付穴を結ぶ仮想線と、一方の前記取付穴の周辺部に位置する一方の前記突起部の最下点と、前記膨出部と前記ヒートシンクとの接点とを結ぶ仮想線とのなす角度Ａは、前記本体部の下端と前記ケースの下端との垂直方向の距離をＭ、前記膨出部の膨出量をＷ、前記突起部の突起高さをＴ、前記ケースの外周端から前記放熱板の外周端までの水平方向の距離をＬとしたとき、
    ０＜Ａ＜arctan（（Ｍ＋Ｗ−Ｔ）／Ｌ）
    を満たす、半導体装置。
  2. 前記突起部は、前記取付穴に対して１つまたは複数設けられた、請求項１記載の半導体装置。
  3. 前記突起部は、前記取付穴側に切り欠きを有する、請求項２記載の半導体装置。
  4. 前記突起部は、前記ケースと同じ材料で一体に設けられた、請求項２記載の半導体装置。
  5. 前記突起部は、基端部よりも先端部の方が幅が小さくなるように前記取付部の下面に対して前記取付穴側に傾斜する傾斜部を有する、請求項２記載の半導体装置。
  6. 前記突起部は、前記取付穴側に曲面状に凹む曲面部を有する、請求項２記載の半導体装置。
  7. 前記突起部は、垂直方向に延びる空孔部を有する、請求項２記載の半導体装置。
  8. 前記突起部は、水平方向に延びる空孔部を有する、請求項２記載の半導体装置。
  9. 前記突起部は、垂直方向に延びる複数の溝を有する、請求項２記載の半導体装置。
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