JP2003060137A - モジュール用基板 - Google Patents

モジュール用基板

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JP2003060137A JP2001241339A JP2001241339A JP2003060137A JP 2003060137 A JP2003060137 A JP 2003060137A JP 2001241339 A JP2001241339 A JP 2001241339A JP 2001241339 A JP2001241339 A JP 2001241339A JP 2003060137 A JP2003060137 A JP 2003060137A
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module substrate
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Toshikazu Amino
俊和 網野
Haruo Doi
晴夫 土井
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Ibiden Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 放熱板の熱伝導率が充分に高く、放熱板と絶
縁性基板との接着強度に優れ、かつ、半導体素子の冷却
効率にも優れるため、発熱量の大きい半導体素子を搭載
するための基板に好適に用いることができるモジュール
用基板。 【解決手段】 一主面に導体回路１５が形成された絶縁
性基板１２と、放熱部材１３とを含んで構成されたモジ
ュール用基板１００であって、上記放熱部材１３には、
半導体素子１６を接合層１７を介して直接搭載するため
の領域が確保され、上記絶縁性基板１２は、少なくとも
上記導体回路１５が形成された部分を含む領域に、２以
上に分割されて設けられているとともに、上記放熱部材
１３と接着層１４を介して接合され、さらに、上記放熱
部材１３は、常温〜３００℃における熱伝導率が１００
Ｗ／ｍ・Ｋ以上の金属又は合金からなり、上記接合層１
７及び上記接着層１４との界面に粗化面が形成されると
ともに、空冷による放熱手段を備えている基板。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発熱量の大きな半
導体素子を搭載するためのモジュール用基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＧＢＴ（絶縁ゲート型バイポーラトラ
ンジスタ）やＳＩＴ（静電誘導トランジスタ）のような
動作時に多量の発熱を伴う電力用半導体素子を実装する
基板として、絶縁性基板と放熱板とを備えた放熱特性に
優れるモジュール用基板が用いられている。
【０００３】図５は、この種のモジュール用基板が用い
られたパワーモジュールを模式的に示した断面図であ
る。このパワーモジュール５０では、絶縁性基板５２の
一主面に導体回路５５が形成されるとともに、応力緩和
層５７の上に半田層５８を介して半導体素子５６が搭載
されており、導体回路５５と半導体素子５６とは、ワイ
ヤー５５ａを用いたワイヤーボンディングにより接続さ
れている。また、モジュール用基板５００は、絶縁性基
板５２と、放熱板５１と、両者を接合するためのニッケ
ルメッキ層５４と接合層（図示せず）とから構成されて
いる。
【０００４】従来、このようなパワーモジュール５０を
構成する部材には熱伝導率に優れる材料が使用されてお
り、具体的には、導体回路５５用の金属としては銅が使
用されており、絶縁性基板５２としては窒化アルミニウ
ム基板が使用されており、放熱板５１としては炭化珪素
とアルミニウムとの複合体等が使用されていた。このよ
うな材料からなるパワーモジュール４０は、スイッチン
グ等の動作により半導体素子５６に多量の熱が発生する
と、この発生した熱は、絶縁性基板５２及び放熱板５１
を介して外部に放散され、半導体素子５６の過度の温度
上昇を防止することができるようになっている。
【０００５】しかしながら、このような構造からなる従
来のパワーモジュールは、放熱板と半導体素子との間の
熱交換をスムーズに行うことができず、半導体素子の冷
却効率が充分なものとはいい難かった。そのため、例え
ば、上記半導体素子が自動車用のＩＧＢＴのように容量
が大きく、発熱量の大きなものである場合、上述したよ
うな構造の従来のパワーモジュールでは、上記半導体素
子で発生する熱を充分に冷却させることができず、上記
半導体素子が高温化して熱破壊されることがあった。
【０００６】また、放熱板と絶縁性基板との間の接着強
度も充分なものではなかったため、半導体素子の半田付
け等の工程や、使用時の半導体素子の発熱等により温度
サイクルを受けたとき、放熱板と絶縁性基板との熱膨張
係数の差に起因する熱応力により放熱板と絶縁性基板と
の間にクラックが発生したり、外部から加えられる振動
等により上記放熱板と絶縁性基板との間にクラックが発
生したりすることがあった。また、これらの応力に起因
して絶縁性基板に割れが発生することもあった。さら
に、このように放熱板と絶縁性基板との間にクラック
や、絶縁性基板に割れが発生すると、半導体素子で発生
した熱が、ますます冷却されにくくなり、半導体素子の
温度が過度に上昇して熱破壊されやすくなっていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記課題に
鑑みてなされたものであり、放熱部材及び／又は放熱板
の熱伝導率が充分に高く、放熱部材又は放熱板と絶縁性
基板との接着強度にも優れ、かつ、半導体素子の冷却効
率に優れるため、発熱量の大きい半導体素子を搭載する
ための基板に好適に用いることができるモジュール用基
板を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】第一の本発明は、一主面
に導体回路が形成された絶縁性基板と、放熱部材とを含
んで構成されたモジュール用基板であって、上記放熱部
材には、半導体素子を、接合層を介して直接搭載するた
めの領域が確保され、上記絶縁性基板は、少なくとも上
記導体回路が形成された部分を含む領域に、２以上に分
割されて設けられているとともに、上記放熱部材と接着
層を介して接合され、さらに、上記放熱部材は、常温〜
３００℃における熱伝導率が１００Ｗ／ｍ・Ｋ以上の金
属又は合金からなり、上記接合層及び上記接着層との界
面に粗化面が形成されるとともに、空冷による放熱手段
を備えていることを特徴とするモジュール用基板であ
る。
【０００９】また、第二の本発明は、一主面に導体回路
が形成された絶縁性基板と、放熱板と、放熱部材とを含
んで構成されたモジュール用基板であって、上記放熱板
には、半導体素子を、接合層を介して直接搭載するため
の領域が確保され、上記絶縁性基板は、少なくとも上記
導体回路が形成された部分を含む領域に、２以上に分割
されて設けられているとともに、上記放熱板と接着層を
介して接合され、さらに、上記放熱板は、常温〜３００
℃における熱伝導率が１００Ｗ／ｍ・Ｋ以上の金属又は
合金からなるとともに、上記接合層及び上記接着層との
界面に粗化面が形成されており、上記放熱板の下方には
空冷による放熱手段を備えた放熱部材が配置されている
ことを特徴とするモジュール用基板である。
【００１０】また、第三の本発明は、空冷による放熱手
段を備えた四角柱状の放熱部材の対向する２つの側面
に、接着層を介して絶縁性基板が形成されるとともに、
上記絶縁性基板上に導体回路が形成された半導体素子を
搭載するためのモジュール用基板であって、上記絶縁性
基板は、少なくとも上記導体回路が形成された部分に設
けられ、上記放熱部材は、常温〜３００℃における熱伝
導率が１００Ｗ／ｍ・Ｋ以上の金属又は合金からなり、
上記接着層との界面に粗化面が形成されていることを特
徴とするモジュール用基板である。
【００１１】また、第四の本発明は、空冷による放熱手
段を備えた四角柱状の放熱部材の周囲に放熱板が配置さ
れ、対向する上記放熱板に接着層を介して絶縁性基板が
形成されるとともに、上記絶縁性基板上に導体回路が形
成された半導体素子を搭載するためのモジュール用基板
であって、上記絶縁性基板は、少なくとも上記導体回路
が形成された部分に設けられ、上記放熱板は、常温〜３
００℃における熱伝導率が１００Ｗ／ｍ・Ｋ以上の金属
又は合金からなり、上記接着層との界面に粗化面が形成
されていることを特徴とするモジュール用基板である。
以下、本発明を詳細に説明する。
【００１２】
【発明の実施の形態】まず、第一の本発明のモジュール
用基板について説明する。第一の本発明のモジュール用
基板は、一主面に導体回路が形成された絶縁性基板と、
放熱部材とを含んで構成されたモジュール用基板であっ
て、上記放熱部材には、半導体素子を、接合層を介して
直接搭載するための領域が確保され、上記絶縁性基板
は、少なくとも上記導体回路が形成された部分を含む領
域に、２以上に分割されて設けられているとともに、上
記放熱部材と接着層を介して接合され、さらに、上記放
熱部材は、常温〜３００℃における熱伝導率が１００Ｗ
／ｍ・Ｋ以上の金属又は合金からなり、上記接合層及び
上記接着層との界面に粗化面が形成されるとともに、空
冷による放熱手段を備えていることを特徴とする。
【００１３】第一の本発明のモジュール用基板におい
て、放熱部材には、半導体素子を、接合層を介して直接
搭載するための領域が確保されている。即ち、上記放熱
部材に上記半導体素子を直接搭載することができるた
め、放熱部材と半導体素子との間の熱交換を非常にスム
ーズに行うことができ、その結果、上記半導体素子の過
度の温度上昇を防止することができ、上記半導体素子の
冷却効率が優れたものとなっている。
【００１４】また、一主面に導体回路が形成された絶縁
性基板は、少なくとも上記導体回路が形成された部分を
含む領域に、２以上に分割されて設けられている。即
ち、上記絶縁性基板の形成領域が小さく、また、その領
域が複数に分割されているため、半導体素子の半田付け
等の工程や、使用時の半導体素子の発熱等により温度サ
イクルを受けた際に、上記放熱部材と上記絶縁性基板と
の熱膨張係数の差に起因して生じる熱応力や、外部から
振動等が加えられた際に生じる応力等を好適に分散させ
ることができ、上記放熱部材と上記絶縁性基板との間に
クラックが発生することがなく、また、上記絶縁性基板
に割れが発生することもない。
【００１５】さらに、第一の本発明のモジュール用基板
では、放熱部材を構成する金属又は合金の常温〜３００
℃における熱伝導率が１００Ｗ／ｍ・Ｋ以上と非常に高
く、また、空冷による放熱手段が備えられていることか
らも、上記モジュール用基板の上部に搭載した半導体素
子と上記放熱部材との熱交換を非常にスムーズに行うこ
とができ、その結果、上記半導体素子の過度の温度上昇
を防止することができ、上記半導体素子の冷却効率に優
れたものとなっている。
【００１６】また、上記放熱部材の接合層との界面に形
成されている粗化面も、上記半導体素子の冷却効率の向
上に寄与している。即ち、上記放熱部材の上記接合層と
の界面に粗化面が形成されていると、これらの間の接触
面積が大きくなるため、上記放熱部材と上記接合層との
間を熱が伝導しやすくなるのである。さらに、上記放熱
部材の上記接合層及び上記接着層との界面に粗化面が形
成されることで、上記放熱部材と上記接合層及び上記接
着層との間にアンカー効果が働き、これらの間の接着強
度が非常に優れたものとなっているため、上記放熱部材
と上記接合層及び上記接着層との間にクラックが発生す
ることもない。なお、半導体素子の使用等により生じた
熱は、専ら半導体素子の下方向に向かって拡散するもの
であるため、上記導体回路は殆ど加熱されることはな
く、上記放熱部材の上記接着層との界面に形成された粗
化面は、主に上記放熱部材と上記接着層との接着強度の
向上に寄与するのである。
【００１７】図１は、第一の本発明のモジュール用基板
の一主面に半導体素子が搭載されたパワーモジュールの
一例を模式的に示した正面図である。
【００１８】図１に示したように、第一の本発明のモジ
ュール用基板１００は、その下面に放熱フィン１３０が
設けられた放熱部材１３と、放熱部材１３上の両側付近
に、それぞれ接着層１４を介して配置された板状の絶縁
性基板１２と、両者を接合させるための接着層１４とか
ら構成され、この絶縁性基板１２の上には導体回路１５
が形成されている。また、図示はしないが、放熱部材１
３の接着層１４との界面には粗化面が形成されている。
そして、パワーモジュール１０は、モジュール用基板１
００の上面に、半導体素子１６が接合層１７を介して直
接搭載され、この半導体素子１６と導体回路１５とが、
ワイヤー１５ａを用いたワイヤーボンディングにより接
続されている。また、図示はしないが、放熱部材１３の
接合層１７との界面には粗化面が形成されている。
【００１９】第一の本発明のモジュール用基板１００に
おいて、放熱部材１３には、半導体素子１６を、接合層
１７を介して直接搭載するための領域が確保されてい
る。放熱部材１３と半導体素子１６との熱交換をスムー
ズに行うことができるようにし、半導体素子１６の冷却
効率を優れたものとするためである。なお、図１におい
て、半導体素子を搭載するための領域は、放熱部材１３
の中央付近に形成されており、通常、この領域には、複
数個の半導体素子が並んだ状態で搭載されるが、搭載さ
れる半導体素子の個数は特に限定されず、１個でもよ
い。
【００２０】放熱部材１３は、常温〜３００℃における
熱伝導率が１００Ｗ／ｍ・Ｋ以上の金属又は合金からな
るものである。放熱部材１３の常温〜３００℃における
熱伝導率が１００Ｗ／ｍ・Ｋ未満であると、放熱部材１
３と半導体素子１６との間の熱交換をスムーズに行うこ
とができず、モジュール用基板１００に発熱量の大きい
半導体素子１６を搭載したパワーモジュール１０におい
て、半導体素子１６を好適に冷却させることができな
い。放熱部材１３の熱伝導率は、２００Ｗ／ｍ・Ｋ以上
であることがより望ましい。
【００２１】このような熱伝導率を有する金属又は合金
としては特に限定されず、例えば、Ｃｕ、Ａｌ及びＳｉ
等の金属や、これらの金属にＺｒ、Ｆｅ、Ｐ及びＺｎ等
が含まれた合金を挙げることができる。これらのなかで
は、Ｃｕを主成分とする合金又はアルミニウムであるこ
とが望ましい。熱伝導率に優れ、半導体素子１６との間
で良好に熱交換することができるからである。具体的に
は、上記Ｃｕを主成分とする合金はＣｕとＺｒとからな
る合金であることが望ましい。
【００２２】また、放熱部材１３の接合層１７及び接着
層１４との界面には粗化面が形成されている。上述した
通り、放熱部材１３に粗化面が形成されることで、放熱
部材１３と接合層１７及び接着層１４との間にはアンカ
ー効果が働き、放熱部材１３と接合層１７及び接着層１
４との接着強度が非常に優れたものとなる。従って、半
導体素子１６の半田付け等の工程や、使用時の半導体素
子１６の発熱等により冷熱サイクルを受けた場合であっ
ても、放熱部材１３と接合層１７及び接着層１４との間
にクラックが発生することがない。また、放熱部材１３
と接合層１７とについては、これらの接触面積が大きく
なるため、放熱部材１３と接合層１７との間を熱が伝導
しやすくなり、放熱部材１３による半導体素子１６の冷
却効率が優れたものとなる。なお、上述した通り、放熱
部材１３の接着層１４との界面に形成された粗化面は、
主に放熱部材１３と接着層１４との接着強度の向上に寄
与する。上記粗化面の面粗度としては、ＪＩＳ Ｂ ０
６０１に規定されるＲａで０．０１〜０．５μｍ程度で
あることが望ましい。放熱部材１３と接合層１７及び接
着層１４との間に好適なアンカー効果を得ることができ
る範囲だからである。
【００２３】上記粗化面は、黒化還元処理、研磨処理、
エッチング処理及びメッキ処理のいずれかの方法により
形成されることが望ましい。なお、これらの具体的な方
法については、後述する第一の本発明のモジュール用基
板の製造方法において詳しく説明する。
【００２４】また、放熱部材１３の下面には、真っ直ぐ
な溝状の凹部が等間隔に並設された構造の放熱フィン１
３０が形成されているため、放熱部材１３は、その表面
積が大きくなり、半導体素子１６の冷却効率が優れたも
のとなっている。即ち、放熱部材１３を常に低温状態に
保つことができ、モジュール用基板１００に搭載した半
導体素子１６が過度に温度上昇しないように制御するこ
とができる。
【００２５】また、放熱フィン１３０の形状は、図１に
示したような真っ直ぐな溝状の凹部が等間隔に並設され
たものに限定されることはなく、放熱部材の表面積を大
きくすることができる形状であれば、例えば、同心円状
や螺旋状の凹部が形成された構造や、多数の突起部が形
成されたような構造等であってもよい。なお、このよう
な放熱フィンの表面積等は、搭載する半導体素子１６の
発熱量等に併せて適宜決定される。
【００２６】さらに、モジュール用基板１００は、図示
しない冷却ファンにより、放熱部材１３が冷却されるよ
うに構成されていることが望ましい。放熱部材１３の冷
却効率が非常に優れたものとなるため、確実に放熱部材
１３を低温状態に保持し、半導体素子１６が過度に加熱
されることを防止することができる。
【００２７】接着層１４は、放熱部材１３と絶縁性基板
１２との間に設けられ、これらを接合する役割を果たし
ているのであるが、このような接着層１４を構成する材
料としては特に限定されず、例えば、金属やセラミック
等の接合の際に通常に用いられる半田、ろう材、接着剤
等を挙げることができる。なお、接着層１４を構成する
材料が半田やろう材である場合、その成分中にＣｕを含
むものであることが望ましい。熱伝導率に優れ、放熱部
材１３との馴染みがよいからである。また、接着層１４
の厚さとしては特に限定されず、放熱部材１３及び絶縁
性基板１２の材質、及び、これらの熱伝導率等を考慮し
て適宜決定されるが、なるべく薄い方が好ましい。
【００２８】絶縁性基板１２は、少なくとも導体回路１
５が形成された部分を含む領域に、２以上に分割されて
設けられており、接着層１４を介して放熱部材１３と接
合されている。導体回路１５が形成された部分に絶縁性
基板１２が設けられていないと、導体回路１５及び半導
体素子１６間の絶縁性、及び、導体回路１５と放熱部材
１３との絶縁性を確保することができない。また、絶縁
性基板１２をこのように形成することで、絶縁性基板１
２の形成領域が小さくなるため、絶縁性基板１２に蓄積
される熱応力や、振動等により生じる応力も小さくな
り、放熱部材１３と絶縁性基板１２との間にクラックが
発生することを防止することができる。さらに、絶縁性
基板１２が２以上に分割されているため、上記熱応力や
応力を分散させることができ、絶縁性基板１２に割れが
発生することも防止することができる。
【００２９】絶縁性基板１２は、絶縁材料で、高い熱伝
導率を有するものであることが望ましい。このような材
料としては特に限定されず、例えば、窒化物セラミッ
ク、炭化物セラミック、金属酸化物等のセラミック材
料、又は、絶縁性樹脂等を挙げることができる。
【００３０】上記窒化物セラミックとしては、例えば、
窒化アルミニウム、窒化珪素、窒化ホウ素、窒化チタン
等が挙げられる。これらは単独で用いてもよく、２種以
上を併用してもよい。
【００３１】また、上記炭化物セラミックとしては、例
えば、炭化珪素、炭化ジルコニウム、炭化チタン、炭化
タンタル、炭化タングステン等が挙げられる。これらは
単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００３２】また、上記金属酸化物としては、例えば、
アルミナ等を挙げることができる。これらのなかでは、
絶縁性基板１２を構成する材料は、窒化アルミニウム、
窒化珪素、炭化珪素及び金属酸化物から選択される少な
くとも１種のセラミックであることが望ましく、窒化ア
ルミニウムからなることが最も望ましい。熱伝導率が１
５０Ｗ／ｍ・Ｋと最も大きいからである。
【００３３】なお、絶縁性基板１２を構成する材料とし
て炭化物セラミックを使用した場合、必要により、絶縁
層を形成してもよい。炭化物セラミックは特に高純度化
しない限り導電性を有しているからである。
【００３４】上記絶縁層としては、酸化物セラミックが
望ましく、具体的には、シリカ、アルミナ、ムライト、
コージェライト、ベリリア等を使用することができる。
このような絶縁層としては、アルコキシドを加水分解重
合させたゾル溶液を絶縁性基板にスピンコートして乾
燥、焼成を行ったり、スパッタリング、ＣＶＤ等で形成
してもよい。また、絶縁性基板表面を酸化処理して酸化
物層を設けてもよい。
【００３５】このような絶縁層は、絶縁性基板１２の表
面全体に形成されていてもよいが、少なくとも絶縁性基
板１２と、導体回路１５との間に形成されていればよ
い。導体回路１５と半導体素子１６との絶縁性を確保す
ることができるとともに、導体回路１５と放熱部材１３
との絶縁性も確保することができるからである。
【００３６】上記絶縁性樹脂としては、例えば、熱硬化
性樹脂や熱可塑性樹脂等を挙げることができる。
【００３７】上記熱硬化性樹脂の具体例としては、例え
ば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、
ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリオレフィ
ン系樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂等が挙げられ
る。
【００３８】上記エポキシ樹脂としては、例えば、クレ
ゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型
エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェ
ノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノール
ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールＦ型エポキシ
樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエ
ン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基
を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、
トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂
等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種
以上併用してもよい。それにより、耐熱性等に優れるも
のとなる。
【００３９】上記ポリオレフィン系樹脂としては、例え
ば、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポ
リイソブチレン、ポリブタジエン、ポリイソプレン、シ
クロオレフィン系樹脂、これらの樹脂の共重合体等が挙
げられる。
【００４０】また、上記熱可塑性樹脂としては、例え
ば、フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン、ポリス
ルフォン等が挙げられる。さらに、絶縁性基板１２は、
これらの熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との複合体（樹脂
複合体）であってもよい。
【００４１】また、絶縁性基板１２が上記絶縁性樹脂か
らなる場合、この絶縁性樹脂は、粗化面を形成すること
ができる樹脂組成物からなることが望ましい。導体回路
１５をその表面に形成する際、絶縁性基板１２と導体回
路１５との接着強度が優れたものとなるからである。
【００４２】また、接着層１４に面した絶縁性基板１２
の界面にも粗化面が形成されていることが望ましい。絶
縁性基板１２と接着層１４との間にアンカー効果が働
き、これらの接着強度が非常に優れたものとなるととも
に、絶縁性基板１２と接着層１４との接触面積が大きく
なるため、絶縁性基板１２及び接着層１４間の熱の伝導
が良好に行われるからである。
【００４３】絶縁性基板１２の接着層１４との界面に形
成される粗化面の面粗度としては、上述した放熱部材１
３に形成される粗化面と同様であることが望ましい。ま
た、このような絶縁性基板１２の粗化面は、絶縁性基板
１２の表面に研磨処理、エッチング等を施すことにより
形成することができる。
【００４４】さらに、絶縁性基板１２の接着層１４との
界面には、スパッタリング処理、メッキ処理等によりメ
タライズ処理が施されていることが望ましい。絶縁性基
板１２と接着層１４との馴染みがよくなるからである。
上記メタライズ処理に使用される金属としては特に限定
されず、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ等が挙げられる。
【００４５】また、導体回路１５は、絶縁性基板１２の
表面に単層で形成されていてもよく、絶縁性基板１２の
内部に複数層に分かれて形成されていてもよい。このよ
うな導体回路１５の材料としては、例えば、銅、アルミ
ニウム等が挙げられるが、比較的高い導電率を有すると
ともに変形抵抗の小さいアルミニウムが好ましい。ま
た、絶縁性基板１２と導体回路１５との接合は、例え
ば、Ａｌ−Ｓｉを含むろう材、半田、接着剤等を用いて
行うことができる。
【００４６】半導体素子１６としては特に限定されない
が、本発明のモジュール用基板１００は、放熱特性に特
に優れたものであるため、動作時に発熱量の多い半導体
素子であることが望ましく、このような半導体素子とし
ては、例えば、ＩＧＢＴ、ＳＩＴ等が挙げられる。ま
た、このような半導体素子１６を放熱部材１３に直接接
合する接合層１７としては特に限定されず、例えば、Ａ
ｇを主成分とする半田、Ｃｕを主成分とする半田等を挙
げることができる。
【００４７】また、図示はしないが、半導体素子１６と
絶縁性基板１２との間には、応力緩和層が形成されてい
ることが望ましい。パワーモジュール１０の動作時にお
いて、半導体素子１６は発熱源となるため、半導体素子
１６と絶縁性基板１２との熱膨張係数に起因して接合層
１７にクラックが発生することがあるが、半導体素子１
６と絶縁性基板１２との間に応力緩和層を設けること
で、接合層１７にクラックが発生することを確実に防止
することができる。このような応力緩和層を構成する材
料としては特に限定されず、例えば、モリブデン等を挙
げることができる。
【００４８】以上説明した通り、第一の本発明のモジュ
ール用基板は、放熱部材に、半導体素子を、接合層を介
して直接搭載するための領域が確保されている。従っ
て、半導体素子と放熱部材との熱交換を非常にスムーズ
に行うことができるため、上記放熱部材の温度上昇を防
止することができ、また、上記半導体素子の冷却効率が
優れたものとなる。
【００４９】また、絶縁性基板は、少なくとも上記導体
回路が形成された部分を含む領域に、２以上に分割され
て設けられているため、絶縁性基板の形成領域が小さく
なり、絶縁性基板に蓄積される熱応力や、振動等により
生じる応力も小さくなって、放熱部材と絶縁性基板との
間にクラックが発生することを防止することができる。
さらに、絶縁性基板が２以上に分割されているため、上
記熱応力や応力を分散させることができ、絶縁性基板に
割れが発生することも防止することができる。
【００５０】また、常温〜３００℃における熱伝導率が
１００Ｗ／ｍ・Ｋ以上の金属又は合金からなる放熱板
の、接合層及び接着層との界面に粗化面が形成されてい
るとともに、空冷による放熱手段を備えている。従っ
て、放熱部材と、接合層及び接着層との間にはアンカー
効果が働き、これらの接着強度が非常に優れたものとな
る。また、放熱部材と、接合層及び接着層との接触面積
が大きくなるため、放熱部材と、接合層及び接着層との
間を熱が伝導しやすくなり、空冷による放熱手段によっ
て低温状態に保たれた放熱部材と半導体素子との間の熱
交換をスムーズに行うことができ、半導体素子の冷却効
率が優れたものとなる。
【００５１】次に、第一の本発明のモジュール用基板を
製造する方法について説明する。第一の本発明のモジュ
ール用基板を構成する放熱部材は、例えば、上述した金
属又は合金からなる板状体に、切削加工を施して、例え
ば、溝状の凹部を一定の間隔で多数設けることで、図１
に示したような、空冷による放熱手段（放熱フィン）を
備えた放熱部材を作製することができる。このとき、上
記切削加工の加工条件は、目的とするモジュール用基板
に搭載する半導体素子の発熱量や、上記金属又は合金の
熱伝導率等を考慮して適宜決定される。
【００５２】次に、この放熱部材の一方の主面（上記放
熱フィンに対向する面）に粗化面を形成する。上記粗化
面を形成する方法としては特に限定されず、例えば、黒
化還元処理、研磨処理、エッチング処理及びメッキ処理
等を挙げることができる。
【００５３】上記黒化還元処理としては、例えば、Ｎａ
ＯＨ（２０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ２（５０ｇ／ｌ）、Ｎ
ａ３ＰＯ４（１５．０ｇ／ｌ）を含む水溶液からなる黒
化浴（酸化浴）、及び、例えば、ＮａＯＨ（２．７ｇ／
ｌ）、ＮａＢＨ４（１．０ｇ／ｌ）を含む水溶液からな
る還元浴を用いて粗化面を形成する方法が望ましい。
【００５４】上記研磨処理としては、例えば、ヤスリ、
サンドペーパー等により放熱部材表面を機械的に研磨す
る方法が挙げられる。
【００５５】また、上記メッキ処理としては、硫酸銅
（１〜４０ｇ／ｌ）、硫酸ニッケル（０．１〜６．０ｇ
／ｌ）、クエン酸（１０〜２０ｇ／ｌ）、次亜リン酸ナ
トリウム（１０〜１００ｇ／ｌ）、ホウ酸（１０〜４０
ｇ／ｌ）、界面活性剤（日信化学工業社製、サーフィノ
ール４６５）（０．０１〜１０ｇ／ｌ）を含むｐＨ＝９
の無電解メッキ浴にて無電解メッキを施し、Ｃｕ−Ｎｉ
−Ｐ合金からなる粗化面を形成する方法が望ましい。こ
の範囲で析出する被膜の結晶構造は針状構造になるた
め、アンカー効果に優れるからである。この無電解メッ
キ浴には上記化合物に加えて錯化剤や添加剤を加えても
よい。
【００５６】また、上記エッチング処理としては、第二
銅錯体及び有機酸からなるエッチング液を酸素共存下で
作用させ、放熱部材表面を粗化する方法が望ましい。
【００５７】このような方法により放熱部材表面に形成
する粗化面の面粗度は、ＪＩＳ Ｂ０６０１に規定され
るＲａで０．０１〜０．５μｍ程度であることが望まし
い。放熱部材と、後述する接着層との間に好適なアンカ
ー効果を得ることができる範囲だからである。
【００５８】次に、その一主面に導体回路を形成するた
めの絶縁性基板を作製する。上記第一の本発明のモジュ
ール用基板において説明した通り、上記絶縁性基板を構
成する材料としては、窒化物セラミック、炭化物セラミ
ック及び金属酸化物等のセラミック材料、又は、絶縁性
樹脂等を挙げることができる。
【００５９】上記絶縁性基板が上記セラミック材料から
なる場合、まず、セラミック粉末に、必要に応じてイッ
トリア（Ｙ２Ｏ３）やＢ４Ｃ等の焼結助剤、Ｎａ、Ｃａ
を含む化合物、バインダー等を配合してスラリーを調製
した後、このスラリーをスプレードライ等の方法で顆粒
状にし、この顆粒を金型に入れて加圧することにより板
状等の所定の形状に成形することで、生成形体（グリー
ン）を作製する。
【００６０】次に、この生成形体を加熱、焼成して焼結
させ、セラミック製の板状体を製造する。この後、所定
の形状に加工することにより、絶縁性基板を作製する
が、焼成後にそのまま使用することができる形状として
もよい。加圧しながら加熱、焼成を行うことにより、気
孔のない絶縁性基板を製造することが可能となる。加
熱、焼成は、焼結温度以上であればよいが、窒化物セラ
ミックや炭化物セラミックでは、１０００〜２５００℃
であり、酸化物セラミックでは、１５００〜２０００℃
であることが望ましい。
【００６１】また、上記絶縁性基板が絶縁性樹脂からな
る場合、上述した熱硬化性樹脂や樹脂複合体からなる未
硬化の樹脂層を形成するか、又は、熱可塑性樹脂からな
る樹脂層を形成することが望ましい。
【００６２】上記未硬化の樹脂層は、未硬化の樹脂をロ
ールコータ−、カーテンコータ−等により塗布して形成
してもよく、また、未硬化（半硬化）の樹脂フィルムを
熱圧着して形成してもよい。また、熱可塑性樹脂からな
る樹脂層は、フィルム状に成形した樹脂成形体を熱圧着
することにより形成することが望ましい。
【００６３】上記未硬化の樹脂を塗布する場合には、樹
脂を塗布した後、加熱処理を施す。上記加熱処理を施す
ことにより、未硬化の樹脂を熱硬化させることができ
る。
【００６４】また、このようにして製造した絶縁性基板
の、後述する接着層に面する主面に粗化面を形成するこ
とが望ましい。絶縁性基板と接着層との間でアンカー効
果を得ることができるため、これらの接着強度が非常に
優れたものとなるとともに、絶縁性基板と接着層との接
触面積が大きくなるため、絶縁性基板及び接着層間の熱
の伝導が良好に行われるからである。粗化面は、研磨処
理またはエッチング処理により形成することができる。
【００６５】次に、上記放熱部材と上記絶縁性基板とを
接着層を介して接合する。なお、上記第一の本発明のモ
ジュール用基板において説明した通り、放熱部材と絶縁
性基板とを接合した際、上記放熱部材には、半導体素子
を、接合層を介して直接搭載するための領域を確保する
必要がある。上記接着層を構成する材料としては、半
田、ろう材、接着剤等を挙げることができる。ここで、
上記放熱部材と絶縁性基板とを半田で接合するには、上
記放熱部材の粗化面に半田ペーストを塗布した後、上記
絶縁性基板を上記半田ペースト上に載置して加熱リフロ
ーすればよい。また、上記絶縁性基板に粗化面を形成し
た場合には、絶縁性基板の粗化面が上記半田ペーストと
当接するように、上記絶縁性基板を半田ペースト上に載
置する。このようにして放熱部材と絶縁性基板とを接合
することで、上記放熱部材と上記接着層との間の接触面
積が大きなものとなり、両者の接着強度は非常に優れた
ものとなる。
【００６６】そして、上記絶縁性基板の接着層を接合し
た反対面に、銅、アルミニウム等で所定の導体回路を形
成することで、本発明のモジュール用基板を製造する。
上記導体回路は、例えば、絶縁性基板がＡｌＮ等のセラ
ミック材料からなる場合、Ａｌ−Ｓｉを含むろう材を用
いて、上記絶縁性基板の表面に接合することができる。
【００６７】次に、第二の本発明のモジュール用基板に
ついて説明する。第二の本発明のモジュール用基板は、
一主面に導体回路が形成された絶縁性基板と、放熱板
と、放熱部材とを含んで構成されたモジュール用基板で
あって、上記放熱板には、半導体素子を、接合層を介し
て直接搭載するための領域が確保され、上記絶縁性基板
は、少なくとも上記導体回路が形成された部分を含む領
域に、２以上に分割されて設けられているとともに、上
記放熱板と接着層を介して接合され、さらに、上記放熱
板は、常温〜３００℃における熱伝導率が１００Ｗ／ｍ
・Ｋ以上の金属又は合金からなるとともに、上記接合層
及び上記接着層との界面に粗化面が形成されており、上
記放熱板の下方には空冷による放熱手段を備えた放熱部
材が配置されていることを特徴とする。
【００６８】第二の本発明のモジュール用基板は、空冷
による放熱手段を備えた放熱部材と絶縁性基板等との間
に放熱板が配置されているほかは、上述した第一の本発
明のモジュール用基板と略同様の構成及び材料からなる
ものである。従って、第二の本発明のモジュール用基板
は、上述した第一の本発明のモジュール用基板と同様の
効果を得ることができる。
【００６９】図２は、第二の本発明のモジュール用基板
の一主面に半導体素子が搭載されたパワーモジュールの
一例を模式的に示した正面図ある。
【００７０】図２に示した通り、第二の本発明のモジュ
ール用基板２００は、その下面に放熱フィン２３０が設
けられた放熱部材２３と、放熱部材２３上に形成された
放熱板２１と、その上に接着層２４を介して配置された
板状の絶縁性基板２２と、両者を接合するための接着層
２４とから構成されており、この絶縁性基板２２の上に
は導体回路２５が形成されている。また、放熱部材２３
と放熱板２１とは、放熱板２１の底面に設けられたネジ
部２８とナット２９とにより固定されており、さらに、
図示はしないが、放熱板２１の接着層２４との界面には
粗化面が形成されている。そして、パワーモジュール２
０は、モジュール用基板２００の上面に、半導体素子２
６が接合層２７を介して直接搭載され、この半導体素子
２６と導体回路２５とが、ワイヤー２５ａを用いたワイ
ヤーボンディングにより接続されている。また、図示は
しないが、放熱板２１の接合層２７との界面には粗化面
が形成されている。
【００７１】即ち、第二の本発明のモジュール用基板２
００は、上述した第一の本発明のモジュール用基板１０
０の放熱部材１３と略同じ構造の放熱部材２３の上に放
熱板２１が形成され、この放熱板２１上に接着層２４を
介して絶縁性基板２２等が形成された構造となってお
り、第一の本発明のモジュール用基板１００と第二の本
発明のモジュール用基板２００との相違点は、放熱板２
１の有無のみである。従って、ここでは、主に放熱板２
１について説明することとする。
【００７２】放熱板２１は板状であり、このような放熱
板２１は、第一の本発明のモジュール用基板１００で説
明した放熱部材１３と同様の材料からなるものである。
また、放熱板２１の接着層２４との界面には、第一の本
発明のモジュール用基板１００の放熱部材１３と同様の
粗化面が形成されている。
【００７３】また、第二の本発明のモジュール用基板２
００において、放熱板２１から突出した突起部が、放熱
部材２３に設けられた開口に嵌合されることにより、放
熱部材２３が放熱板２１に固定されていることが望まし
い。放熱部材２３と放熱板２１との熱膨張係数にある程
度差がある場合であっても、放熱部材２３と放熱板２１
とをしっかりと固定することができるからである。具体
的には、図２に示したように、放熱部材２３の上面に設
けた開口（図示せず）に、放熱板２１の底面に設けたネ
ジ部２８（突起部）を差し込み、ナット２９で締め付け
ることで、放熱部材２３と放熱板２１とを固定すること
ができる。なお、第二の本発明のモジュール用基板２０
０において、放熱部材２３と放熱板２１との固定方法
は、これに限定されることはなく、例えば、両者を半
田、ろう材、接着剤等により固定してもよい。
【００７４】さらに、モジュール用基板２００は、図示
しない冷却ファンにより、放熱部材２３が冷却されるよ
うに構成されていることが望ましい。放熱部材２３の冷
却効率が非常に優れたものとなるため、確実に放熱部材
２３を低温状態に保持し、半導体素子２６が過度に加熱
されることを防止することができるからである。
【００７５】このように、第二の本発明のモジュール用
基板は、空冷による放熱手段を備えた放熱部材の上に、
常温〜３００℃における熱伝導率が１００Ｗ／ｍ・Ｋ以
上の金属又は合金からなり、接着層との界面には粗化面
が形成された放熱板が形成されているほかは、上述した
第一の本発明のモジュール用基板と略同様の構成及び材
料からなるものであるため、上述した第一の本発明のモ
ジュール用基板と同様の効果を得ることができる。
【００７６】次に、第二の本発明のモジュール用基板の
製造方法について説明する。第二の本発明のモジュール
用基板を構成する放熱部材は、上述した第一の本発明の
モジュール用基板において説明した放熱部材と同様にし
て作製することができる。
【００７７】次に、上記放熱部材と同様の材料を所定の
大きさの板状に加工することで放熱板を作製し、その主
面に粗化処理を施す。上記粗化処理としては、上記第一
の本発明のモジュール用基板の製造方法において説明し
た方法と同様の方法を採用することができるため、ここ
ではその説明を省略する。この場合、放熱板は、板状体
であるため粗化処理を容易に行うことができる。そし
て、このようにして作製した放熱板と、上記冷却部材と
をろう付け、半田付け、溶接等により接合する。なお、
上記放熱板に粗化面を形成する工程は、この放熱板と冷
却部材とを接合した後に行ってもよい。
【００７８】また、上記放熱板から突出した突起部が、
上記放熱部材に設けられた開口に嵌合することにより、
上記放熱部材が上記放熱板に固定されることが望まし
い。具体的には、例えば、上記放熱部材をネジにより上
記放熱板に固定するには、まず、放熱部材に開口を形成
し、放熱板の上記放熱部材と接合する面にネジ溝を有す
るネジ部を設ける。そして、上記放熱部材に形成した開
口に、放熱板に設けたネジ部を挿入し、放熱部材の開口
を形成した面の反対側面からナット等を用いて、上記ネ
ジ部を締め付けることにより、放熱部材と放熱板とを固
定することができる。なお、上記放熱部材及び放熱板に
設けた開口とネジ部とは、放熱部材と放熱板とを重ね合
わせた際、互いに対向する位置に設けられている。
【００７９】その後、上記第一の本発明のモジュール用
基板の製造方法と同様にして、絶縁性基板を製造し、こ
の絶縁性基板と上記放熱板とを接着層を介して接合した
後、上記絶縁性基板の一の主面に導体回路を形成するこ
とで、第二の本発明のモジュール用基板を製造すること
ができる。
【００８０】次に、第三の本発明のモジュール用基板に
ついて説明する。第三の本発明のモジュール用基板は、
空冷による放熱手段を備えた四角柱状の放熱部材の対向
する２つの側面に、接着層を介して絶縁性基板が形成さ
れるとともに、上記絶縁性基板上に導体回路が形成され
た半導体素子を搭載するためのモジュール用基板であっ
て、上記絶縁性基板は、少なくとも上記導体回路が形成
された部分に設けられ、上記放熱部材は、常温〜３００
℃における熱伝導率が１００Ｗ／ｍ・Ｋ以上の金属又は
合金からなり、上記接着層との界面に粗化面が形成され
ていることを特徴とする。
【００８１】第三の本発明のモジュール用基板は、空冷
による放熱手段を備え、四角柱状の放熱部材の対向する
左右の側面に、絶縁性基板及び導体回路が立体的に形成
されているほかは、モジュール用基板を構成する各部材
間の接続、材質等は、上述した第一の本発明のモジュー
ル用基板と略同様である。従って、第三の本発明のモジ
ュール用基板は、上述した第一の本発明のモジュール用
基板と同様の効果を得ることができるとともに、その構
造が略四角柱状であるため、小型化を図ることができ
る。
【００８２】図３（ａ）は、第三の本発明のモジュール
用基板の一主面に半導体素子が搭載されたパワーモジュ
ールの一例を模式的に示した正面図であり、（ｂ）は、
（ａ）に示したパワーモジュールの側面図である。
【００８３】図３（ａ）に示した通り、第三の本発明の
モジュール用基板３００は、その内部に多数の貫通孔３
３０が設けられた四角柱状の放熱部材３３と、放熱部材
３３の左右の側面に、それぞれ接着層３４を介して配置
された板状の絶縁性基板３２と、両者を接合するための
接着層３４とから構成されており、この絶縁性基板３２
の上には導体回路３５が形成されている。また、図示は
しないが、放熱部材３３の接着層３４との界面には粗化
面が形成されている。そして、パワーモジュール３０
は、モジュール用基板３００の上面に、半導体素子３６
が接合層３７を介して直接搭載され、この半導体素子３
６と導体回路３５とが、ワイヤー３５ａを用いたワイヤ
ーボンディングにより接続されている。また、図示はし
ないが、放熱部材３３の接合層３７との界面には粗化面
が形成されている。
【００８４】第三の本発明のモジュール用基板３００
は、空冷による放熱手段（貫通孔３３０）を備えた放熱
部材３３が四角柱状となっており、その対向する左右の
側面に、絶縁性基板３２及び導体回路３５が立体的に形
成されているほかは、各部材間の接続、材質等は、上述
した第一の本発明のモジュール用基板１００と略同様で
ある。従って、ここでは、主に放熱部材３３について説
明することとする。
【００８５】図３（ａ）に示した通り、四角柱状の放熱
部材３３には、空冷による放熱手段として多数の貫通孔
３３０が設けられている。放熱部材３３に設けられてい
る貫通孔３３０の大きさ、個数等は特に限定されず、放
熱部材３３を構成する材料の熱伝導率、搭載する半導体
素子３６の発熱量等を勘案して適宜決定される。なお、
四角柱状の放熱部材３３において、上記空冷による放熱
手段としては、放熱部材３３の表面積を大きくすること
ができる構造であれば、特に図３に示したような貫通孔
３３０に限定されることはなく、例えば、四角柱状の放
熱部材を中空体とし、その内壁面に多数の放熱フィンが
形成された構造であってもよい。
【００８６】放熱部材３３の大きさとしては特に限定さ
れず、半導体素子３６や導体回路３５の大きさを考慮し
て適宜調整される。また、その長さは、放熱部材３３の
周囲に形成する半導体素子３６及び導体回路３５の数に
合わせて適宜調整される。なお、図３（ｂ）において、
半導体素子３６及び導体回路３５はモジュール用基板３
００の一方の側面に４個形成されているが、半導体素子
３６及び導体回路３５の数はこれに限定されることはな
く、３個以下であってもよく、５個以上であってもよ
い。
【００８７】さらに、モジュール用基板３００は、図示
しない冷却ファンにより、放熱部材３３が冷却されるよ
うに構成されていることが望ましい。放熱部材３３の冷
却効率が非常に優れたものとなるため、確実に放熱部材
３３を低温状態に保持し、半導体素子３６が過度に加熱
されることを防止することができるからである。
【００８８】また、放熱部材３３を構成する材料は、第
一の本発明のモジュール用基板１００で説明した放熱部
材１３と同様の材料を挙げることができる。また、放熱
部材３３の接着層３４との界面には、第一の本発明のモ
ジュール用基板１００の放熱部材１３と同様の粗化面が
形成されている。さらに、放熱部材３３の接合層３７と
の界面にも、上記粗化面と同様の粗化面が形成されてい
る。
【００８９】また、第三の本発明のモジュール用基板３
００において、絶縁性基板３２は、少なくとも導体回路
３５が形成された部分に設けられている。即ち、図３
（ｂ）に示したように、絶縁性基板３２は、導体回路３
５よりも僅かに大きな平面視略矩形状であってもよく、
複数の導体回路が形成されたような板状であってもよ
い。しかしながら、絶縁性基板が板状であると、パワー
モジュール３０の使用により生じる熱応力や、振動等が
加わった際に生じる応力等が蓄積されて割れが発生しや
すいため、絶縁性基板は、図示したような小さな領域に
分割されていることが望ましい。
【００９０】このように、第三の本発明のモジュール用
基板は、絶縁性基板及び導体回路等が、四角柱状の放熱
部材の周囲に立体的に配置されているほかは、モジュー
ル用基板を構成する各部材間の接続、材質等は、上述し
た第一の本発明のモジュール用基板と略同様である。従
って、上述した第一の本発明のモジュール用基板と同様
の効果を得ることができる。さらに、第三の本発明のモ
ジュール用基板では、放熱部材が四角柱状であるため、
容易に小型化を図ることができ、上記モジュール用基板
に半導体素子を搭載したパワーモジュールも容易に小型
化することができる。
【００９１】次に、第三の本発明のモジュール用基板の
製造方法について説明する。第三の本発明のモジュール
用基板に係る放熱部材は、例えば、上述した金属又は合
金からなる柱状体の長さ方向に複数の貫通孔を形成した
り、上記金属又は合金からなり、その内部に空洞を有す
る四角柱状体を複数個長さ方向に揃えて接合することに
より図３に示したようなその内部に多数の貫通孔が形成
された放熱部材を作製することができる。また、これら
の貫通孔は、互いに横穴で連通していてもよい。
【００９２】なお、空冷による放熱手段として放熱フィ
ンを用いる場合、上述した金属又は合金からなる板状体
の一方の主面に、該板状体と同じ材料の放熱フィンとな
る板材を複数個並べて接合し、この放熱フィンが接合さ
れた面が内側を向くように、上記板状体を接合して柱状
体を作製することで、その内部に放熱フィンが設けられ
た放熱部材を作製することができる。また、上記板状体
の主面に接合する放熱フィンとなる板材は、その高さ
が、上記板状体の中央部分に接合するものを最も高く
し、上記板状体の両端に向かう程低くなるようにするこ
とで、作製する柱状体に、より多くの放熱フィンを設け
ることができる。
【００９３】そして、上記放熱部材の少なくとも３つの
側面に粗化処理を施す。上記粗化処理としては、上記第
一の本発明のモジュール用基板の製造方法において説明
した方法と同様の方法を採用することができるため、こ
こではその説明を省略する。
【００９４】その後、上記第一の本発明のモジュール用
基板の製造方法と同様にして、絶縁性基板を製造し、こ
の絶縁性基板を上記放熱部材の対向する２つの側面に、
接着層を介して接合した後、上記絶縁性基板の一の主面
に導体回路を形成することで、第三の本発明のモジュー
ル用基板を製造することができる。
【００９５】次に、第四の本発明のモジュール用基板に
ついて説明する。第四の本発明のモジュール用基板は、
空冷による放熱手段を備えた四角柱状の放熱部材の周囲
に放熱板が配置され、対向する上記放熱板に接着層を介
して絶縁性基板が形成されるとともに、上記絶縁性基板
上に導体回路が形成された半導体素子を搭載するための
モジュール用基板であって、上記絶縁性基板は、少なく
とも上記導体回路が形成された部分に設けられ、上記放
熱板は、常温〜３００℃における熱伝導率が１００Ｗ／
ｍ・Ｋ以上の金属又は合金からなり、上記接着層との界
面に粗化面が形成されていることを特徴とする。
【００９６】第四の本発明のモジュール用基板は、空冷
による放熱手段を備え、四角柱状の放熱部材の三方の周
囲に放熱板が配置されているほかは、上述した第三の本
発明のモジュール用基板と略同様の構成及び材料からな
るものである。従って、第四の本発明のモジュール用基
板は、上述した第三の本発明のモジュール用基板と同様
の効果を得ることができる。
【００９７】図４（ａ）は、第四の本発明のモジュール
用基板の一主面に半導体素子が搭載されたパワーモジュ
ールの一例を模式的に示した正面図であり、（ｂ）は、
（ａ）に示したパワーモジュールの側面図である。
【００９８】図４（ａ）に示した通り、第四の本発明の
モジュール用基板４００は、その内部に多数の貫通孔４
３０が設けられた四角柱状の放熱部材４３と、放熱部材
４３の左右及び上面に形成された放熱板４１と、左右の
放熱板４１にそれぞれ接着層４４を介して配置された板
状の絶縁性基板４２と、両者を接合するための接着層４
４とから構成されており、この絶縁性基板４２の上には
導体回路４５が形成されている。また、図示はしない
が、放熱板４１の接着層４４との界面には粗化面が形成
されている。そして、パワーモジュール４０は、モジュ
ール用基板４００の上面に、半導体素子４６が接合層４
７を介して直接搭載され、この半導体素子４６と導体回
路４５とが、ワイヤー４５ａを用いたワイヤーボンディ
ングにより接続されている。また、図示はしないが、放
熱板４１の接合層４７との界面には粗化面が形成されて
いる。
【００９９】第四の本発明のモジュール用基板４００
は、空冷による放熱手段（貫通孔４３０）を備えた放熱
部材４３の左右及び上面に放熱板４１が配置されている
ほかは、上述した第三の本発明のモジュール用基板３０
０と略同様の構成及び材料からなるものである。従っ
て、ここでは、主に放熱部材４３及び放熱板４１につい
て説明することとする。
【０１００】図４（ａ）に示した通り、放熱部材４３
は、図３を用いて説明した放熱部材３３と略同様の構造
である。即ち、四角柱状の放熱部材４３の内部には、空
冷による放熱手段として多数の貫通孔４３０が設けられ
ている。放熱部材４３に設けられている貫通孔４３０の
大きさ、個数等は特に限定されず、放熱部材４３を構成
する材料の熱伝導率、搭載する半導体素子４６の発熱量
等を勘案して適宜決定される。なお、四角柱状の放熱部
材４３において、上記空冷による放熱手段としては、放
熱部材４３の表面積を大きくすることができる構造であ
れば、特に図４に示したような貫通孔４３０に限定され
ることはなく、例えば、四角柱状の放熱部材を中空体と
し、その内壁面に多数の放熱フィンが形成された構造等
であってもよい。
【０１０１】放熱部材４３の大きさとしては特に限定さ
れず、その外周に配置される放熱板４１の厚さ、半導体
素子４６及び導体回路４５の大きさ等を考慮して適宜調
整される。また、その長さは、放熱部材４３の周囲に形
成する半導体素子４６及び導体回路４５の数に合わせて
適宜調整される。なお、図４（ｂ）において、半導体素
子４６及び導体回路４５はモジュール用基板４００の一
方の側面に４個形成されているが、半導体素子４６及び
導体回路４５の数はこれに限定されることはなく、３個
以下であってもよく、５個以上であってもよい。
【０１０２】さらに、モジュール用基板４００は、図示
しない冷却ファンにより、放熱部材４３が冷却されるよ
うに構成されていることが望ましい。放熱部材４３の冷
却効率が非常に優れたものとなるため、確実に放熱部材
４３を低温状態に保持し、半導体素子４６が過度に加熱
されることを防止することができるからである。
【０１０３】また、放熱部材４３を構成する材料は、第
一の本発明のモジュール用基板１００で説明した放熱部
材１３と同様の材料を挙げることができる。また、放熱
板４１と放熱部材４３とは、同じ材料からなることが望
ましい。接合が容易だからである。また、この放熱部材
４３の少なくとも３つの側面には、放熱板４１が半田層
等を介して接合されている。
【０１０４】放熱板４１は板状であり、このような放熱
板４１を構成する材料も第一の本発明のモジュール用基
板１００で説明した放熱部材１３と同様の材料を挙げる
ことができる。また、放熱板４１の接着層４４との界面
には、第一の本発明のモジュール用基板１００の放熱部
材１３と同様の粗化面が形成されている。さらに、放熱
板４１の接合層４７との界面にも上記粗化面と同様の粗
化面が形成されている。
【０１０５】このように、第四の本発明のモジュール用
基板は、その内部に空冷による放熱手段が備えられた放
熱部材の側面に放熱板が配置された構造であるほかは、
上述した第三の本発明のモジュール用基板と略同様の構
成及び材料からなるものであるため、上述した第三の本
発明のモジュール用基板と同様の効果を得ることができ
る。
【０１０６】次に、第四の本発明のモジュール用基板の
製造方法について説明する。第四の本発明のモジュール
用基板に係る放熱部材は、例えば、上述した金属又は合
金からなる柱状体の長さ方向に複数の貫通孔を形成した
り、上記金属又は合金からなり、その内部に空洞を有す
る四角柱状体を複数個長さ方向に揃えて接合することに
より図４に示したようなその内部に多数の貫通孔が形成
された放熱部材を作製することができる。また、これら
の貫通孔は、互いに横穴で連通していてもよい。
【０１０７】なお、空冷による放熱手段として放熱フィ
ンを用いる場合、上述した金属又は合金からなる板状体
の一方の主面に、該板状体と同じ材料の放熱フィンとな
る板材を複数個並べて接合し、この放熱フィンが接合さ
れた面が内側を向くように、上記板状体を接合して柱状
体を作製することで、その内部に放熱フィンが設けられ
た放熱部材を作製することができる。また、上記板状体
の主面に接合する放熱フィンとなる板材は、その高さ
が、上記板状体の中央部分に接合するものを最も高く
し、上記板状体の両端に向かう程低くなるようにするこ
とで、作製する板状体に、より多くの放熱フィンを設け
ることができる。
【０１０８】そして、上記冷却部材の少なくとも３つの
側面に半田、ろう材、溶接等により放熱板を接合する。
上記放熱板としては、上記冷却部材と同様の材料を用い
ることができる。
【０１０９】次に、上記放熱板の表面に粗化処理を施
す。上記粗化処理としては、上記第一の本発明のモジュ
ール用基板の製造方法において説明した方法と同様の方
法を採用することができるため、ここではその説明を省
略する。
【０１１０】その後、上記第一の本発明のモジュール用
基板の製造方法と同様にして、絶縁性基板を製造し、こ
の絶縁性基板を対向する上記放熱板に、それぞれ接着層
を介して接合した後、上記絶縁性基板の一の主面に導体
回路を形成することで、第四の本発明のモジュール用基
板を製造することができる。
【０１１１】なお、予め粗化面を形成した２つの放熱板
の上記粗化面上に、接着層を介して絶縁性基板を接合
し、該絶縁性基板の一の主面に導体回路を形成した後、
この放熱板を上記放熱部材の対向する側面に、それぞれ
半田等により接合し、これらの放熱板に挟まれた上記放
熱部材の側面に粗化面を形成した放熱板を半田等により
接合することでも第四の本発明のモジュール用基板を製
造することができる。
【０１１２】
【実施例】以下に実施例を掲げて本発明を更に詳しく説
明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されるもの
ではない。
【０１１３】実施例１（図１参照） （１）放熱板の作製 縦：７０ｍｍ、横：１３０ｍｍ、厚さ：１５ｍｍで、そ
の組成がＣｕ９０重量％、Ｚｒ１０重量％である板状体
の下面に、溝状の凹部を３０本形成することで、放熱フ
ィン１３０が形成された放熱部材１３を作製した。この
放熱部材１３の熱伝導率は２７０Ｗ／ｍ・Ｋであった。
【０１１４】そして、上記実施の形態で説明した方法に
より、放熱部材１３の放熱フィン１３０非形成側面に黒
化還元処理を施し、ＪＩＳ Ｂ ０６０１によるＲａが
０．１μｍの粗化面を形成した。このとき、粗化面を形
成したくない面には保護層を形成しておき、粗化処理を
終えた後、保護層を除去した。
【０１１５】（２）絶縁性基板の作製 まず、窒化アルミニウム粉末（平均粒径：０．６μｍ）
１００重量部、イットリア（平均粒径：０．４μｍ）４
重量部、アクリルバインダー１２重量部及びアルコール
からなる組成物のスプレードライを行い、顆粒状の粉末
を作製した。
【０１１６】次に、この顆粒状の粉末を金型に入れ、平
板状に成形して生成形体（グリーン）を得た。
【０１１７】次に、この生成形体を１８００℃、圧力２
０ＭＰａでホットプレスし、厚さ２ｍｍの窒化アルミニ
ウム基板を８個製造した。続いて、この窒化アルミニウ
ム基板の一主面に、厚さ０．４ｍｍのアルミニウムから
なる導体回路１５を、Ａｌ−Ｓｉを含有するろう材を用
いて接合し絶縁性基板１２を製造した。
【０１１８】そして、放熱部材１３の粗化面を形成した
面の両端部付近に半田ペーストを塗布し、この半田ペー
ストと絶縁性基板１２の導体回路１５を形成した主面の
反対面とが当接するように、絶縁性基板１２を放熱部材
１３の両側に４個ずつ離間した状態で並べて載置し、上
記半田ペーストをリフローすることで、接着層１４を形
成して放熱部材１３と絶縁性基板１２とを接合し、第一
の本発明のモジュール用基板１００を製造した。
【０１１９】得られたモジュール用基板１００を、−５
５℃に保った後、１５０℃に保つヒートサイクルを１０
００回繰り返すヒートサイクル試験に供した後、モジュ
ール用基板１００を縦に切断し、放熱部材１３と絶縁性
基板１２との接合状態（接着層１４）を顕微鏡で観察し
たが、クラック等は全く観察されなかった。
【０１２０】次に、このモジュール用基板１００に、４
個のＩＧＢＴ素子を搭載し、放熱部材１３の冷却媒体用
の流路１３に水を循環させながらパワーモジュール１０
を実際に作動させ、ＩＧＢＴ素子の温度を測定したが、
ＩＧＢＴ素子は、素子として充分に機能し得る温度を保
持していた。
【０１２１】実施例２（図２参照） まず、アルミニウムからなる板状体を、実施例１の
（１）の工程と同様の方法で接合して、放熱部材２３を
作製した。次に、その組成がＣｕ：９７．６７重量％、
Ｆｅ：２．３０重量％、Ｐ：０．０３重量％、Ｚｎ：
０．１０重量％からなる材料を用いて板状の放熱板２１
を作製し、この両面に、上記実施の形態で説明した方法
により黒化還元処理を施し、ＪＩＳ Ｂ ０６０１によ
るＲａが０．１μｍの粗化面を形成した。この後、放熱
板２１と放熱部材２３とを半田で接合した。これらの部
材の熱伝導率は２６２Ｗ／ｍ・Ｋであった。
【０１２２】そして、その後、実施例１の（２）と同様
の工程を行い、第二の本発明のモジュール用基板２００
を製造した。
【０１２３】また、得られたモジュール用基板２００を
実施例１と同条件でヒートサイクル試験したところ、接
着層２４にはクラックが全く観測されなかった。
【０１２４】さらに、実施例１と同様に、このモジュー
ル用基板２００に、４個のＩＧＢＴ素子を搭載し、冷却
部材２３０の冷却媒体用の流路２３に水を循環させなが
らパワーモジュール２０を実際に作動させ、ＩＧＢＴ素
子の温度を測定したが、ＩＧＢＴ素子は、素子として充
分に機能し得る温度を保持していた。
【０１２５】実施例３（図３参照） 実施例１の放熱部材１３と同様の材料からなる板状体
に、縦：５ｍｍ、横：５ｍｍの貫通孔を３６個設けて、
四角柱状の放熱部材３３を作製した。この放熱部材３３
の熱伝導率は２７０Ｗ／ｍ・Ｋであった。
【０１２６】そして、実施例１と同様にして放熱部材３
３の左右及び上面に粗化処理を施して、ＪＩＳ Ｂ ０
６０１によるＲａが０．１μｍの粗化面を形成した。こ
のとき、粗化面を形成したくない面には保護層を形成し
ておき、粗化処理を終えた後、保護層を除去した。
【０１２７】そして、その後、実施例１の（２）と同様
の工程を行い、放熱部材３３の左右の側面に接着層３４
を介して絶縁性基板３２を４個ずつ離間して形成し、こ
の絶縁性基板３２の上に導体回路３５を形成すること
で、第三の本発明のモジュール用基板３００を製造し
た。なお、このモジュール用基板３００には、放熱部材
３３に形成した貫通孔に風を送り込むことができるよう
に、電動ファンを取り付けた。
【０１２８】また、得られたモジュール用基板３００を
実施例１と同条件でヒートサイクル試験したところ、接
着層３４にはクラックが全く観測されなかった。
【０１２９】さらに、実施例１と同様に、このモジュー
ル用基板３００に、４個のＩＧＢＴ素子を搭載し、パワ
ーモジュール３０を実際に作動させ、上記電動ファンで
放熱部材３３に設けた貫通孔に風を送りながらＩＧＢＴ
素子の温度を測定したが、ＩＧＢＴ素子は、素子として
充分に機能し得る温度を保持していた。
【０１３０】実施例４（図４参照） 実施例２の放熱部材２３と同様の材料からなる板状体
に、縦：５ｍｍ、横：５ｍｍの貫通孔を３６個設けて、
四角柱状の放熱部材４３を作製した。次に、放熱部材４
３と同様の材料を用いて、板状の放熱板４１を作製し、
この両面に、上記実施の形態で説明した方法により黒化
還元処理を施し、ＪＩＳ Ｂ０６０１によるＲａが０．
１μｍの粗化面を形成した。この後、放熱板４１を、放
熱部材４３の３つの側面に半田で接合した。これらの部
材の熱伝導率は２６２Ｗ／ｍ・Ｋであった。
【０１３１】そして、その後、実施例１の（２）と同様
の工程を行い、放熱部材４３の左右の側面に接合した放
熱板４１に、接着層４４を介して絶縁性基板４２を４個
ずつ離間して形成し、この絶縁性基板４２の上に導体回
路４５を形成することで、第四の本発明のモジュール用
基板４００を製造した。なお、このモジュール用基板４
００には、放熱部材４３に形成した貫通孔に風を送り込
むことができるように、電動ファンを取り付けた。
【０１３２】また、得られたモジュール用基板４００を
実施例１と同条件でヒートサイクル試験したところ、接
着層４４にはクラックが全く観測されなかった。
【０１３３】さらに、実施例１と同様に、このモジュー
ル用基板４００に、４個のＩＧＢＴ素子を搭載し、パワ
ーモジュール４０を実際に作動させ、上記電動ファンで
放熱部材４３に設けた貫通孔に風を送りながらＩＧＢＴ
素子の温度を測定したが、ＩＧＢＴ素子は、素子として
充分に機能し得る温度を保持していた。
【０１３４】実施例５ 絶縁性基板の接着層に面することになる面に、放熱板に
形成した粗化面と同様の粗化面を研磨処理により形成し
たほかは、実施例１と同様にしてモジュール用基板を製
造した。
【０１３５】得られたモジュール用基板を実施例１と同
条件でヒートサイクル試験したところ、接着層にはクラ
ックが全く観測されなかった。
【０１３６】さらに、実施例１と同様に、このモジュー
ル用基板に、ＩＧＢＴ素子を搭載し、放熱板の冷却媒体
用の流路に水を循環させながらパワーモジュールを実際
に作動させ、ＩＧＢＴ素子の温度を測定したが、ＩＧＢ
Ｔ素子は、素子として充分に機能し得る温度を保持して
いた。
【０１３７】比較例１ 絶縁性基板を、放熱板一の主面の全体に形成し、上記放
熱板に粗化面を形成しなかったほかは、実施例１と同様
にしてモジュール用基板を製造した。
【０１３８】得られたモジュール用基板を実施例１と同
条件でヒートサイクル試験したところ、接着層にクラッ
クが発生し、絶縁性基板に僅かに割れが発生していた。
【０１３９】さらに、実施例１と同様に、このモジュー
ル用基板に、ＩＧＢＴ素子を搭載し、放熱板の冷却媒体
用の流路に水を循環させながらパワーモジュールを実際
に作動させ、ＩＧＢＴ素子の温度を測定したところ、Ｉ
ＧＢＴ素子は、時間の経過とともに温度が上昇し、素子
として充分に機能し得る温度を超えてしまった。これ
は、時間の経過とともに放熱板と絶縁性基板とを接合す
る接着層にクラック、及び、絶縁性基板に割れが発生し
たため、放熱板とＩＧＢＴ素子との間の熱交換がスムー
ズに行えなくなったからであると考えられる。
【０１４０】比較例２ 冷却部材を設けずに、放熱板のみを設けたほかは実施例
２と同様にしてモジュール用基板を製造した。
【０１４１】得られたモジュール用基板を実施例１と同
条件でヒートサイクル試験したところ、接着層にクラッ
クは観測されなかった。
【０１４２】さらに、実施例１と同様に、このモジュー
ル用基板に、ＩＧＢＴ素子を搭載してパワーモジュール
を実際に作動させ、ＩＧＢＴ素子の温度を測定したとこ
ろ、ＩＧＢＴ素子は、時間の経過とともに徐々に温度が
上昇し、最終的には素子として充分に機能し得る温度を
超えてしまった。これは、放熱板と接着層との接着強度
は非常に優れていたため、上記接着層にクラックが発生
することはなかったものの、上記ＩＧＢＴ素子の冷却効
率が劣っていたため、時間の経過とともに、上記ＩＧＢ
Ｔ素子の温度が徐々に上昇し、最終的に素子として充分
に機能し得る温度を超えてしまったものと考えられる。
【０１４３】
【発明の効果】以上、説明した通り、第一の本発明のモ
ジュール用基板は、放熱板の熱伝導率が充分に高く、放
熱板と絶縁性基板との接着強度にも優れ、かつ、半導体
素子の冷却効率に優れるため、温度サイクルに対する耐
久性に優れ、発熱量の大きい半導体素子を搭載するため
の基板として好適に用いることができる。
【０１４４】また、第二の本発明のモジュール用基板
は、放熱板の熱伝導率が充分に高く、放熱板と絶縁性基
板との接着強度にも優れ、かつ、半導体素子の冷却効率
に優れるため、温度サイクルに対する耐久性に優れ、発
熱量の大きい半導体素子を搭載するための基板として好
適に用いることができる。
【０１４５】また、第三の本発明のモジュール用基板
は、放熱部材の熱伝導率が充分に高く、放熱部材と絶縁
性基板との接着強度にも優れ、かつ、半導体素子の冷却
効率に優れるため、温度サイクルに対する耐久性に優
れ、発熱量の大きい半導体素子を搭載するための基板と
して好適に用いることができる。さらに、第三の本発明
のモジュール用基板は、容易に小型化を図ることができ
る。
【０１４６】また、第四の本発明のモジュール用基板
は、放熱板の熱伝導率が充分に高く、放熱板と絶縁性基
板との接着強度にも優れ、かつ、半導体素子の冷却効率
に優れるため、温度サイクルに対する耐久性に優れ、発
熱量の大きい半導体素子を搭載するための基板として好
適に用いることができる。さらに、第四の本発明のモジ
ュール用基板は、容易に小型化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第一の本発明のモジュール用基板の一主面に半
導体素子が搭載されたパワーモジュールの一例を模式的
に示した正面図である。
【図２】第二の本発明のモジュール用基板の一主面に半
導体素子が搭載されたパワーモジュールの一例を模式的
に示した正面図である。
【図３】（ａ）は、第三の本発明のモジュール用基板の
一主面に半導体素子が搭載されたパワーモジュールの一
例を模式的に示した正面図であり、（ｂ）は、（ａ）に
示したモジュール用基板の側面図である。
【図４】（ａ）は、第四の本発明のモジュール用基板の
一主面に半導体素子が搭載されたパワーモジュールの一
例を模式的に示した正面図であり、（ｂ）は、（ａ）に
示したモジュール用基板の側面図である。
【図５】従来のパワーモジュールの一例を模式的に示し
た正面図である。
【符号の説明】
１０、２０、３０、４０ パワーモジュール １２、２２、３２、４２ 絶縁性基板 １３、２３、３３、４３ 放熱部材 １４、２４、３４、４４ 接着層 １５、２５、３５、４５ 導体回路 １５ａ、２５ａ、３５ａ、４５ａ ワイヤー １６、２６、３６、４６ 半導体素子 ２１、４１ 放熱板 １００、２００、３００、４００ モジュール用基板 １３０、２３０ 放熱フィン ３３０、４３０ 貫通孔
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 23/36 Ｍ Ｆターム(参考） 5F036 AA01 BA04 BA24 BB05 BB08 BB21 BC03 BC06 BD01 BD03 BD13 BD14 BD22

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 一主面に導体回路が形成された絶縁性基
    板と、放熱部材とを含んで構成されたモジュール用基板
    であって、前記放熱部材には、半導体素子を、接合層を
    介して直接搭載するための領域が確保され、前記絶縁性
    基板は、少なくとも前記導体回路が形成された部分を含
    む領域に、２以上に分割されて設けられているととも
    に、前記放熱部材と接着層を介して接合され、さらに、
    前記放熱部材は、常温〜３００℃における熱伝導率が１
    ００Ｗ／ｍ・Ｋ以上の金属又は合金からなり、前記接合
    層及び前記接着層との界面に粗化面が形成されるととも
    に、空冷による放熱手段を備えていることを特徴とする
    モジュール用基板。
  2. 【請求項２】 一主面に導体回路が形成された絶縁性基
    板と、放熱板と、放熱部材とを含んで構成されたモジュ
    ール用基板であって、前記放熱板には、半導体素子を、
    接合層を介して直接搭載するための領域が確保され、前
    記絶縁性基板は、少なくとも前記導体回路が形成された
    部分を含む領域に、２以上に分割されて設けられている
    とともに、前記放熱板と接着層を介して接合され、さら
    に、前記放熱板は、常温〜３００℃における熱伝導率が
    １００Ｗ／ｍ・Ｋ以上の金属又は合金からなるととも
    に、前記接合層及び前記接着層との界面に粗化面が形成
    されており、前記放熱板の下方には空冷による放熱手段
    を備えた放熱部材が配置されていることを特徴とするモ
    ジュール用基板。
  3. 【請求項３】 放熱板から突出した突起部が、放熱部材
    に設けられた開口に嵌合されることにより、前記放熱部
    材が前記放熱板に固定されている請求項２記載のモジュ
    ール用基板。
  4. 【請求項４】 放熱部材は、放熱手段として放熱フィン
    を備えている請求項１〜３のいずれか１記載のモジュー
    ル用基板。
  5. 【請求項５】 空冷による放熱手段を備えた四角柱状の
    放熱部材の対向する２つの側面に、接着層を介して絶縁
    性基板が形成されるとともに、前記絶縁性基板上に導体
    回路が形成された半導体素子を搭載するためのモジュー
    ル用基板であって、前記絶縁性基板は、少なくとも前記
    導体回路が形成された部分に設けられ、前記放熱部材
    は、常温〜３００℃における熱伝導率が１００Ｗ／ｍ・
    Ｋ以上の金属又は合金からなり、前記接着層との界面に
    粗化面が形成されていることを特徴とするモジュール用
    基板。
  6. 【請求項６】 空冷による放熱手段を備えた四角柱状の
    放熱部材の周囲に放熱板が配置され、対向する前記放熱
    板に接着層を介して絶縁性基板が形成されるとともに、
    前記絶縁性基板上に導体回路が形成された半導体素子を
    搭載するためのモジュール用基板であって、前記絶縁性
    基板は、少なくとも前記導体回路が形成された部分に設
    けられ、前記放熱板は、常温〜３００℃における熱伝導
    率が１００Ｗ／ｍ・Ｋ以上の金属又は合金からなり、前
    記接着層との界面に粗化面が形成されていることを特徴
    とするモジュール用基板。
  7. 【請求項７】 放熱部材は、放熱手段として複数の貫通
    孔又は放熱フィンを備えている請求項５又は６記載のモ
    ジュール用基板。
  8. 【請求項８】 冷却ファンにより、放熱部材が冷却され
    るように構成されている請求項１〜７のいずれか１記載
    のモジュール用基板。
  9. 【請求項９】 放熱部材は、銅を主成分とする合金又は
    アルミニウムからなる請求項１〜８のいずれか１記載の
    モジュール用基板。
  10. 【請求項１０】 絶縁性基板は、窒化アルミニウム、窒
    化珪素、炭化珪素及び金属酸化物から選択される少なく
    とも１種のセラミック、又は、絶縁性樹脂からなる請求
    項１〜９のいずれか１記載のモジュール用基板。
  11. 【請求項１１】 接着層に面した絶縁性基板の界面に粗
    化面が形成されている請求項１〜１０のいずれか１記載
    のモジュール用基板。
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