JP6707328B2 - パワーモジュール、パワーモジュールの放熱構造、およびパワーモジュールの接合方法 - Google Patents

パワーモジュール、パワーモジュールの放熱構造、およびパワーモジュールの接合方法 Download PDF

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Description

本実施の形態は、パワーモジュール、パワーモジュールの放熱構造、およびパワーモジュールの接合方法に関する。
従来、半導体モジュールの１つとして、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ：Insulated Gate Bipolar Transistor）のような半導体デバイスを含むパワーチップがリードフレーム上に搭載され、系全体が樹脂でモールドされたパワーモジュールが知られている。動作状態において、半導体デバイスは発熱するため、リードフレームの裏面に絶縁層を介してヒートシンクを配置し、半導体デバイスを冷却するのが一般的である。
また、冷却性能を高めるため、ヒートシンクを冷却器に接合するようにした放熱構造も良く知られている。
特開２００６−１９５９９号公報 特開２００６−３２７１１号公報 特開２０１１−１７２４８３号公報
本実施の形態は、充分な冷却性能を確保でき、過熱による劣化を抑えることが可能な、信頼性の高いパワーモジュール、パワーモジュールの放熱構造、およびパワーモジュールの接合方法を提供することにある。
本実施の形態の一態様によれば、半導体デバイスが接合された放熱板と、前記放熱板の少なくとも一部を露出させるようにして、前記半導体デバイスの外囲を封止する封止体と、前記封止体に設けられ、前記放熱板を、熱伝導材を用いて冷却体に接合する際の、前記熱伝導材の厚さを規制する規制部とを備え、前記封止体は、前記冷却体に接合する側の第１面と、前記第１面とは反対側を向く第２面とを備え、前記放熱板の前記少なくとも一部は、前記封止体の前記第１面から露出されており、前記規制部は、前記封止体の前記第１面上に形成されており、前記封止体の、前記放熱板の露出面側の周囲には、少なくとも３つの位置決め用突起部がさらに設けられ、前記少なくとも３つの位置決め用突起部は、前記規制部を貫通するようにして設けられるパワーモジュールが提供される。また、半導体デバイスが接合された放熱板と、前記放熱板の少なくとも一部を露出させるようにして、前記半導体デバイスの外囲を封止する封止体と、前記封止体に設けられ、前記放熱板を、熱伝導材を用いて冷却体に接合する際の、前記熱伝導材の厚さを規制する規制部とを備え、前記封止体は、前記冷却体に接合する側の第１面と、前記第１面とは反対側を向く第２面とを備え、前記放熱板の前記少なくとも一部は、前記封止体の前記第１面から露出されており、前記規制部は、前記封止体の前記第１面上に形成されており、前記規制部は、前記放熱板の露出面よりも突出するように配置された凸部であり、前記凸部は、前記放熱板の周囲を取り囲む平面視角形状または円形状を有し、前記凸部は、前記放熱板の露出面上に所定の容量の前記熱伝導材を埋設するための空間領域を形成し、前記凸部は、前記空間領域内で余剰となった前記熱伝導材を、前記空間領域外へと排出する排出溝を備えるパワーモジュールが提供される。
本実施の形態の他の態様によれば、半導体デバイスと、半導体デバイスと、前記半導体デバイスが接合された放熱板と、前記放熱板の少なくとも一部を露出させるようにして、前記半導体デバイスの外囲を封止する封止体と、前記封止体より露出する前記放熱板が、熱伝導材を介して接合される冷却体と、前記封止体に設けられ、前記熱伝導材の厚さを規制する規制部とを備え、前記封止体は、前記冷却体に接合する側の第１面と、前記第１面とは反対側を向く第２面とを備え、前記放熱板の前記少なくとも一部は、前記封止体の前記第１面から露出されており、前記規制部は、前記封止体の前記第１面上に形成されており、前記規制部は、前記放熱板の周囲を取り囲むように配置された角形状または円形状を有する凸部であって、前記放熱板の露出面上に所定の容量の前記熱伝導材を埋設するための空間領域を形成し、前記凸部は、前記空間領域内で余剰となった前記熱伝導材を、前記空間領域外へと排出する排出溝を備えるパワーモジュールの放熱構造が提供される。
本実施の形態の他の態様によれば、半導体デバイスと、前記半導体デバイスが接合された放熱板と、前記放熱板の少なくとも一部を露出させるようにして、前記半導体デバイスの外囲を封止する封止体とを備えるパワーモジュールを、熱伝導材を介して冷却体に接合するパワーモジュールの接合方法であって、前記封止体は、前記冷却体に接合する側の第１面と、前記第１面とは反対側を向く第２面とを備え、前記封止体の前記第１面から露出された前記放熱板を、前記熱伝導材を介して前記冷却体に接合する時、前記熱伝導材の厚さを前記封止体の前記第１面上に形成、または前記封止体で前記第１面上に形成された規制部によって規制し、前記規制部は、前記放熱板の周囲を取り囲むように配置された平面視角形状または円形状を有する凸部であって、前記放熱板の露出面上に所定の容量の前記熱伝導材を埋設するための空間領域を形成するものであり、前記凸部は、前記空間領域内で余剰となった前記熱伝導材を、前記空間領域外へと排出する排出溝を備えているパワーモジュールの接合方法が提供される。
本実施の形態によれば、充分な冷却性能を確保でき、過熱による劣化を抑えることが可能な、信頼性の高いパワーモジュール、パワーモジュールの放熱構造、およびパワーモジュールの接合方法を提供することができる。
比較例に係るパワーモジュールの概略構成を示すもので、(ａ)パワーモジュールの側面図、（ｂ）冷却器の側面図、（ｃ）パワーモジュールの放熱構造（接合状態）を示す側面図、（ｄ）パワーモジュールの放熱構造について説明するために示す側面図。 第１の実施の形態に係るパワーモジュールの概略構成を示すもので、(ａ)パワーモジュールの平面図、（ｂ）パワーモジュールの側面図、（ｃ）パワーモジュールの底面図。 (ａ)第１の実施の形態に係るパワーモジュールを冷却器に接合した状態（放熱構造）を示す平面図、（ｂ）図３（ａ）の側面図。 (ａ)第１の実施の形態の第１変形例に係るパワーモジュールの底面図、（ｂ）第１の実施の形態の第２変形例に係るパワーモジュールの底面図、(ｃ) 第１の実施の形態の第３変形例に係るパワーモジュールの底面図。 第２の実施の形態に係るパワーモジュールの概略構成を示すもので、(ａ)パワーモジュールの平面図、（ｂ）パワーモジュールの側面図、（ｃ）パワーモジュールの底面図。 (ａ)第２の実施の形態に係るパワーモジュールを冷却器に接合した状態（放熱構造）を示す平面図、（ｂ）図６（ａ）の側面図。 (ａ)第２の実施の形態の第１変形例に係るパワーモジュールの底面図、（ｂ）第２の実施の形態の第２変形例に係るパワーモジュールの底面図、(ｃ)第２の実施の形態の第３変形例に係るパワーモジュールの底面図。 (ａ)第２の実施の形態の第４変形例に係るパワーモジュールの底面図、（ｂ）第２の実施の形態の第５変形例に係るパワーモジュールの底面図、(ｃ)第２の実施の形態の第６変形例に係るパワーモジュールの底面図。 (ａ)第２の実施の形態の第７変形例に係るパワーモジュールの底面図、（ｂ）第２の実施の形態の第８変形例に係るパワーモジュールの底面図、(ｃ)第２の実施の形態の第９変形例に係るパワーモジュールの底面図。 第３の実施の形態に係るパワーモジュール（ツーインワンモジュール（２in１Module））を、ハーフブリッジ内蔵モジュールを例に内部を透過して示す平面パターン構成図。 第３の実施の形態に係るパワーモジュール（ツーインワンモジュール（ハーフブリッジ内蔵モジュール））の回路構成図。 第３の実施の形態に係るパワーモジュール（ツーインワンモジュール（ハーフブリッジ内蔵モジュール)）の鳥瞰構成（斜視）図。 実施の形態に係るパワーモジュール（ワンインワンモジュール（１in１Module））であって、（ａ）ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴ（Silicon Carbide Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）の回路構成図、（ｂ）ＩＧＢＴの回路構成図。 実施の形態に係るパワーモジュール（ワンインワンモジュール（ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴ））の詳細回路構成図。 実施の形態に係るパワーモジュール（ツーインワンモジュール）であって、（ａ）ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴの回路構成図、（ｂ）ＩＧＢＴの回路構成図。 実施の形態に係るパワーモジュールに適用する半導体デバイスの例であって、（ａ）ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴの模式的断面構造図、（ｂ）ＩＧＢＴの模式的断面構造図。 実施の形態に係るパワーモジュールに適用する半導体デバイス（ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴ）の模式的断面構造図。 実施の形態に係るパワーモジュールに適用する半導体デバイス（ＩＧＢＴ）の模式的断面構造図。 実施の形態に係るパワーモジュールに適用可能な半導体デバイス（ＳｉＣ ＤＩ（Double Implanted） ＭＯＳＦＥＴ）の模式的断面構造図。 実施の形態に係るパワーモジュールに適用可能な半導体デバイス（ＳｉＣ Ｔ（Trench） ＭＯＳＦＥＴ）の模式的断面構造図。
次に、図面を参照して、本実施の形態について説明する。以下の図面の記載において、同一または類似の部分には同一または類似の符号を付している。ただし、平面図、側面図、底面図、断面図などは模式的なものであり、各構成部品の厚みと平面寸法との関係などは現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。また、図面の相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることはもちろんである。
また、以下に示す実施の形態は、技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、各構成部品の材質、形状、構造、配置などを特定するものでない。実施の形態は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。
[比較例]
比較例に係るパワーモジュール１の側面構造は、図１（ａ）に示すように表わされ、図１（ａ）のパワーモジュールが接合される冷却器５の側面構造は、図１（ｂ）に示すように表わされる。また、パワーモジュールを冷却器に接合させた状態が、図１（ｃ）または図１（ｄ）に示すように表わされる。
例えば、比較例に係るパワーモジュール１は、図１（ａ）に示すように、リード端子３の部分を除き、半導体チップ（図示省略）の外囲がパッケージ２によってモールドされている。
このパワーモジュール１は、半導体チップを冷却するために、図１（ｂ）に示すように、半導体チップの裏面に位置するヒートシンク（図示省略）を冷却器５に接触させるが、その際に、熱伝導材７を用いてヒートシンクと冷却器５との間を接合させるようにしている。
すなわち、図１（ｃ）に示すように、熱伝導材７によって、ヒートシンクと冷却器５との間の空隙を均一に埋めることで、効率的な熱伝導を可能にしている。
しかしながら、パワーモジュール１の放熱構造として、パッケージ２の底面より露出するヒートシンクの接合面に熱伝導材７を塗布し、この熱伝導材７を介してヒートシンクを冷却器５に接合する場合、図１（ｄ）に示すように、熱伝導材７の塗布量や接合時の加圧のアンバランスなどによって熱伝導材７の厚さが不均一になると、冷却性能が低下し、チップが過熱により破壊されるなど、パワーモジュール１としての信頼性を損う。
［第１の実施の形態］
（パワーモジュールの構成）
第１の実施の形態に係るパワーモジュール１００の平面構造は、図２（ａ）に示すように表わされ、パワーモジュール１００の側面構造は、図２（ｂ）に示すように表わされ、パワーモジュール１００の底面構造は、図２（ｃ）に示すように表わされる。
第１の実施の形態に係るパワーモジュール１００は、図２（ａ）〜図２（ｃ）に示すように、側面方向に延出されるリード端子１０２を除き、図示していない半導体チップ（半導体デバイス）の外囲がパッケージ（封止体）１０１によってモールドされている。
また、パワーモジュール１００は、図２（ｃ）に示すように、パッケージ１０１の底面より、例えば半導体チップを搭載するヒートシンク（放熱板）１０６ｃの、後述する冷却器（冷却体）１１０との接合面がほぼ全面的に露出されている。ヒートシンク１０６ｃは、少なくとも一部分だけが露出する構成であっても良い。
また、パワーモジュール１００は、図２（ｂ）および図２（ｃ）に示すように、冷却器１１０と対峙するパッケージ１０１の底面より露出するヒートシンク１０６ｃの露出面（接合面）側の周囲の、例えば四隅に、位置決め用突起部１０３および厚さ制御用突起部（凸部）１０４が設けられている。位置決め用突起部１０３は、厚さ制御用突起部１０４のほぼ中心部を貫通するようにして設けられる。もしくは、厚さ制御用突起部１０４が、位置決め用突起部１０３の外周を取り囲むようにドーナツ状に設けられる。
位置決め用突起部１０３は、ヒートシンク１０６ｃを冷却器１１０に接合する際に、例えば冷却器１１０に予め用意される凹部（図示省略）に装着される凸形状を有し、この位置決め用突起部１０３をガイドとして、パワーモジュール１００の冷却器１１０に対する位置決めが行われる。
厚さ制御用突起部１０４は、ヒートシンク１０６ｃを、熱伝導材１２０を用いて冷却器１１０に接合する際の、熱伝導材１２０の厚さを規制する規制部として機能するもので、図３（ａ）および図３（ｂ）に示すように、その高さ（厚み）に応じて、熱伝導材１２０の厚さが制御される。厚さ制御用突起部１０４は、位置決め用突起部１０３の外周を取り囲むほぼ円柱状（ドーナツ状）を有し、その厚みは、例えば０．１ｍｍ〜１．０ｍｍ程度の範囲とされている。
また、厚さ制御用突起部１０４は、ヒートシンク１０６ｃと冷却器１１０との間に、その厚みに基づいて、所定の容量の熱伝導材１２０を介在させるための空間領域を仮想的に形成するようになっている。すなわち、ヒートシンク１０６ｃと冷却器１１０との相互間において、四隅に設けられた厚さ制御用突起部１０４によって囲まれた三次元の領域が、所定の容量の熱伝導材１２０を介在させるための仮想的な空間領域となる。ここで、所定の容量の熱伝導材１２０とは、空間領域内を空隙なく均一な高さで埋め込むのに必要な量の熱伝導材１２０のことである。
すなわち、第１の実施の形態に係るパワーモジュール１００は、図示していない半導体チップが接合されたヒートシンク１０６ｃと、ヒートシンク１０６ｃの少なくとも一部を露出させるようにして、半導体チップの外囲を封止するパッケージ１０１と、ヒートシンク１０６ｃを、熱伝導材１２０を用いて冷却器１１０に接合する際の、熱伝導材１２０の厚さを規制する厚さ制御用突起部１０４とを備える。
第１の実施の形態に係るパワーモジュール１００の構成によれば、ヒートシンク１０６ｃを冷却器１１０に接合する際の、ヒートシンク１０６ｃと冷却器１１０との間の距離（熱伝導材１２０の厚さ）を、厚さ制御用突起部１０４の厚みに応じて制御できるようになるため、熱伝導材１２０の塗布量のばらつきや接合時の加圧のアンバランスなどによって熱伝導材１２０の厚さが不均一になるのを簡単に防止できる。
（放熱構造／接合方法）
第１の実施の形態に係るパワーモジュール１００を冷却器１１０に接合した放熱構造は、図３（ａ）および図３（ｂ）に示すように表わされる。
すなわち、第１の実施の形態に係るパワーモジュール１００は、図３（ａ）および図３（ｂ）に示すように、パッケージ１０１の冷却器１１０と対峙する底面の、表面側に半導体チップが搭載されたヒートシンク１０６ｃの裏面側の露出面に、所定の容量よりも少しだけ多めの熱伝導材１２０が塗布され、位置決め用突起部１０３によって冷却器１１０に対する位置決めが行われた状態で、冷却器１１０と接合される。
第１の実施の形態に係るパワーモジュール１００の接合方法は、半導体デバイス（半導体チップ）と、半導体デバイスが接合された放熱板（ヒートシンク）１０６ｃと、放熱板１０６ｃの少なくとも一部を露出させるようにして、半導体デバイスの外囲を封止する封止体（パッケージ）１０１とを備えるパワーモジュール１００を、熱伝導材１２０を介して冷却体（冷却器）１１０に接合する。接合時、熱伝導材１２０の厚さを封止体１０１に形成、または封止体１０１で形成された規制部（厚さ制御用突起部）１０４によって規制する。
厚さ制御用突起部１０４の上面が冷却器１１０の接合面に当接されることにより、ヒートシンク１０６ｃと冷却器１１０との間の空間領域内は、充分な量の熱伝導材１２０によって空隙なく均一な高さで埋め込まれ、また余剰となった熱伝導材１２１はヒートシンク１０６ｃの周囲（空間領域外）へと押し出される。
このように、第１の実施の形態に係るパワーモジュール１００は、半導体チップから発生した熱がヒートシンク１０６ｃから熱伝導材１２０を介して冷却器１１０へと効率的に伝導されることにより、効果的に放熱（冷却）される。
すなわち、第１の実施の形態に係るパワーモジュール１００によれば、図３（ａ）および図３（ｂ）に示すように、ヒートシンク１０６ｃと冷却器１１０との間の距離を、厚さ制御用突起部１０４の厚みに応じて均一に制御できるようになる。これにより、パッケージ１０１の冷却器１１０と対峙する底面より露出するヒートシンク１０６ｃの接合面に熱伝導材１２０を塗布し、この熱伝導材１２０を介してヒートシンク１０６ｃを冷却器１１０に接合する場合にも、熱伝導材１２０の厚さが不均一になり、冷却性能が低下するのを防止できる。したがって、冷却（放熱）が充分に行われることとなり、チップが過熱により破壊されたり、配線が溶断されたりするのを抑制でき、より信頼性の高いパワーモジュール１００とすることができる。
ここで、パワーモジュール１００に搭載される半導体チップとしては、例えばシリコンカーバイド（ＳｉＣ：Silicon Carbide）パワーデバイスなどのパワーチップがあげられる。ＳｉＣパワーデバイスは、ＩＧＢＴのような従来のＳｉパワーデバイスよりも低オン抵抗であり、高速スイッチングおよび高温動作特性を有する。また、ＳｉＣパワーデバイスは、オン抵抗が低いために面積の小さいデバイスでも大電流を導通することができ、ＳｉＣパワーモジュールの小型化が可能である。
また、ＳｉＣパワーモジュールに限らず、ＩＧＢＴモジュール、ダイオードモジュール、ＭＯＳモジュール（Ｓｉ系ＭＯＳＦＥＴ、ＳｉＣ系ＭＯＳＦＥＴ、ＧａＮ系ＦＥＴ）など、各種の半導体モジュールに適用できる。
パッケージ１０１としては、熱硬化性樹脂などのトランスファーモールド樹脂によってモールドされたものに限らず、ケース型の外囲器であっても良い。
熱伝導材１２０は、０．５Ｗ／ｍＫ〜３００Ｗ／ｍＫの熱伝導率を有するものが好ましく、例えばエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコ−ン樹脂、ウレタン樹脂、もしくはポリイミドなどのいずれかの有機物を単体で用いることができる。
また、熱伝導材１２０としては、上記のいずれかの有機物に、金属粉または各種のセラミックス粉が混合された合成樹脂であっても良い。
さらに、熱伝導材１２０としては、加熱硬化させて使用する各種の半田や焼成銀などを用いても良い。
ヒートシンク１０６ｃは、例えば熱伝導性の高い金属を有したものであって、半導体チップが搭載されるリードフレーム（ダイパッド）や、銅、銅合金、アルミニウム、もしくはアルミニウム合金のいずれかを配線の主成分とする回路基板であっても良いし、またはリードフレームに接合されたヒートスプレッダなどであっても良い。また、ヒートシンク１０６ｃとしては、金属とセラミックスと金属との接合体からなる回路基板、あるいはＤＢＣ（Direct Bonding Copper）基板、ＤＢＡ（Direct Brazed Aluminum）基板やＡＭＢ（Active Metal Brazed, Active Metal Bond）基板などの絶縁基板（回路基板）の、チップ非搭載面側の導体パターンにより構成することもできる。
厚さ制御用突起部１０４としては、ドーナツ状か非ドーナツ状かによらず、外形は円柱状以外に、半円柱状や楕円柱状、もしくは三角型などの多角柱状であっても良い。
位置決め用突起部１０３および厚さ制御用突起部１０４は、ヒートシンク１０６ｃの露出面側の四隅に配置する場合に限らず、ヒートシンク１０６ｃの露出面側の周囲に分散配置するようにしても良い。
（変形例）
（第１変形例）
第１の実施の形態の第１変形例に係るパワーモジュール１００Ａの底面構造は、図４（ａ）に示すように表わされ、ヒートシンク１０６ｃの露出面側の四隅を除く、周囲の各辺の中央付近のほぼ同一の位置に４つの位置決め用突起部１０３および厚さ制御用突起部（ドーナツ状）１０４が配置されている。
なお、位置決め用突起部１０３および厚さ制御用突起部１０４は、配置する位置や個数に制限などはなく、熱伝導材１２０の厚さが不均一にならないよう、少なくとも３つのバランスを保って配置するようにすればよい。
また、位置決め用突起部１０３および厚さ制御用突起部１０４は、必ずしも同一の位置に配置する場合に限らず、位置決め用突起部１０３と厚さ制御用突起部１０４とを異なる位置に配置するようにしても良い。
（第２変形例）
第１の実施の形態の第２変形例に係るパワーモジュール１００Ｂの底面構造は、図４（ｂ）に示すように表わされ、ヒートシンク１０６ｃの露出面側の四隅に４つの厚さ制御用突起部（非ドーナツ状）１０４が配置され、四隅を除く、周囲の各辺の中央付近のほぼ同一の位置に４つの位置決め用突起部１０３が配置されている。
図示していないが、ヒートシンク１０６ｃの露出面側の四隅に４つの位置決め用突起部１０３を、四隅を除く、周囲の各辺の中央付近のほぼ同一の位置に４つの厚さ制御用突起部（非ドーナツ状）１０４を配置するようにしても良い。
また、位置決め用突起部１０３および厚さ制御用突起部１０４は、４つずつ配置する場合に限らず、少なくとも３つの位置決め用突起部１０３および厚さ制御用突起部１０４のバランスを保って配置する構成としても良い。
（第３変形例）
第１の実施の形態の第３変形例に係るパワーモジュール１００Ｃの底面構造は、図４（ｃ）に示すように表わされ、ヒートシンク１０６ｃの露出面側の周囲の、例えば長手方向の両辺に沿って、位置決め用突起部１０３および厚さ制御用突起部（非ドーナツ状）１０４が交互に３つずつ配置されている。
これら第１〜第３変形例に係るパワーモジュール１００Ａ・１００Ｂ・１００Ｃは、その他の構成において、上記した第１の実施の形態に係るパワーモジュール１００と同様の構成を有しており、ほぼ同等の効果を得ることができる。
また、いずれの構成においても、位置決め用突起部１０３は必須の構成要件ではなく、配置を省略することもできる。
［第２の実施の形態］
（パワーモジュールの構成）
第２の実施の形態に係るパワーモジュール２００の平面構造は、図５（ａ）に示すように表わされ、パワーモジュール２００の側面構造は、図５（ｂ）に示すように表わされ、パワーモジュール２００の底面構造は、図５（ｃ）に示すように表わされる。
第２の実施の形態に係るパワーモジュール２００は、図５（ａ）〜図５（ｃ）に示すように、側面方向に延出されるリード端子２０２を除き、図示していない半導体チップ（半導体デバイス）の外囲がパッケージ（封止体）２０１によってモールドされている。
また、パワーモジュール２００は、図５（ｃ）に示すように、パッケージ２０１の底面に形成された凹部２０７より、例えば半導体チップを搭載するヒートシンク（放熱板）２０６ｃの、後述する冷却器（冷却体）２１０との接合面がほぼ全面的に露出されている。ヒートシンク２０６ｃは、少なくとも一部分だけが露出する構成であっても良い。
また、パワーモジュール２００は、図５（ｂ）および図５（ｃ）に示すように、冷却器２１０と対峙するパッケージ２０１の底面の、ヒートシンク２０６ｃの露出面（接合面）の凹部２０７の周囲に、その露出面よりも突出するようにして、凸部状の厚さ制御用突起部（規制部）２０１ａが設けられている。
すなわち、厚さ制御用突起部２０１ａは、パッケージ２０１の底面において、ヒートシンク２０６ｃの露出面が凹部２０７となるように、パッケージ２０１の底面の周囲をより肉厚に形成するようにしたものであって、その高さ（厚み）に基づいて、ヒートシンク２０６ｃと冷却器２１０との間に、所定の容量の熱伝導材２２０を埋設させるための空間領域が形成される。要するに、ヒートシンク２０６ｃと冷却器２１０との相互間において、厚さ制御用突起部２０１ａのモールド面より落ち込むようにして、ヒートシンク２０６ｃの露出面に形成される凹部２０７が所定の容量の熱伝導材２２０を埋設させるための空間領域となる。
厚さ制御用突起部２０１ａとしては、ヒートシンク２０６ｃの露出面をほぼ矩形状（角形状）に取り囲み、その厚みは例えば０．１ｍｍ〜１．０ｍｍ程度の範囲とされている。
また、接合時には、ヒートシンク２０６ｃと冷却器２１０との間の空間領域（凹部２０７）内が充分な量の熱伝導材２２０によって空隙なく均一な高さで埋め込まれるが、厚さ制御用突起部２０１ａには、その際に余剰となった熱伝導材２２１を空間領域外へ排出するための排出溝２０５が設けられている。
排出溝２０５は、冷却器２１０と対峙する方向と直交する水平方向の、例えば矩形状のパッケージ２０１の長手方向の両辺の中央付近における厚さ制御用突起部２０１ａのほぼ同一の位置に、パッケージ２０１の短手方向（第１の方向）に沿って設けられ、余剰な熱伝導材２２１を排出するためのものであって、熱伝導材２２０中に含まれる気泡を抜き取る効果もある。
第２の実施の形態に係るパワーモジュール２００の構成によれば、ヒートシンク２０６ｃを冷却器２１０に接合する際の、ヒートシンク２０６ｃと冷却器２１０との間の距離（熱伝導材２２０の厚さ）を、厚さ制御用突起部２０１ａのモールド面までの高さに応じて制御できるようになるため、熱伝導材２２０の塗布量のばらつきや接合時の加圧のアンバランスなどによって熱伝導材２２０の厚さが不均一になるのを簡単に防止できる。
その他の構成は、上記した第１の実施の形態に係るパワーモジュール１００と基本的に同様であり、ほぼ同等の効果が期待できる。
（放熱構造／接合方法）
第２の実施の形態に係るパワーモジュール２００を冷却器２１０に接合した放熱構造は、図６（ａ）および図６（ｂ）に示すように表わされる。
すなわち、第２の実施の形態に係るパワーモジュール２００は、図６（ａ）および図６（ｂ）に示すように、パッケージ２０１の冷却器２１０と対峙する底面の、表面側に半導体チップが搭載されたヒートシンク２０６ｃの裏面側の露出面を囲むように設けられた厚さ制御用突起部２０１ａの内側の、ヒートシンク２０６ｃ上の空間領域（凹部２０７）内に、所定の容量よりも少しだけ多めの熱伝導材２２０が埋設された状態で、冷却器２１０と接合される。
厚さ制御用突起部２０１ａのモールド面が冷却器２１０の接合面に当接されることにより、ヒートシンク２０６ｃと冷却器２１０との間の空間領域（凹部２０７）内は、充分な量の熱伝導材２２０によって空隙なく均一な高さで埋め込まれ、また余剰となった熱伝導材２２１は排出溝２０５から外部（空間領域外）へと排出される。
このように、第２の実施の形態に係るパワーモジュール２００は、半導体チップから発生した熱がヒートシンク２０６ｃから熱伝導材２２０を介して冷却器２１０へと効率的に伝導されることにより、効果的に放熱（冷却）される。
すなわち、第２の実施の形態に係るパワーモジュール２００によれば、図６（ａ）および図６（ｂ）に示すように、ヒートシンク２０６ｃと冷却器２１０との間の距離を、厚さ制御用突起部２０１ａのモールド面までの高さに応じて均一に制御できるようになる。これにより、パッケージ２０１の冷却器２１０と対峙する底面より露出するヒートシンク２０６ｃの接合面に熱伝導材２２０を埋設し、この熱伝導材２２０を介してヒートシンク２０６ｃを冷却器２１０に接合する場合にも、熱伝導材２２０の厚さが不均一になり、冷却性能が低下するのを防止できる。したがって、冷却（放熱）が充分に行われることとなり、チップが過熱により破壊されたり、配線が溶断されたりするのを抑制でき、より信頼性の高いパワーモジュール２００とすることができる。
厚さ制御用突起部２０１ａおよび排出溝２０５を備えるパッケージ２０１は、モールド金型に簡単な細工を施す程度のことにより、容易に得ることができる。
なお、凹部２０７は、図６（ａ）および図６（ｂ）に示すように、パッケージ２０１の底面における、ヒートシンク２０６ｃの露出面側の開口部２０７ａと厚さ制御用突起部２０１ａのモールド面側の開口部２０７ｂとの間に所定の傾斜部を設けるようにしても良い。
また、厚さ制御用突起部２０１ａとしては、ヒートシンク２０６ｃの露出面側の周囲を四角形状に取り囲むように配置する場合に限らず、ヒートシンク２０６ｃの露出面側の周囲を楕円などのリング状（円形状）に取り囲むようにしても良い。
排出溝２０５は、冷却器２１０と対峙する方向と直交する水平方向の、例えば矩形状のパッケージ２０１の長手方向の両辺の中央付近のほぼ同一の位置に、パッケージ２０１の短手方向（第１の方向）に沿って１組だけ設ける場合に限らない。
（変形例）
（第１変形例）
第２の実施の形態の第１変形例に係るパワーモジュール２００Ａの底面構造は、図７（ａ）に示すように表わされる。すなわち、パワーモジュール２００Ａは、冷却器２１０と対峙する方向と直交する水平方向の、例えば矩形状のパッケージ２０１の長手方向の両辺のヒートシンク２０６ｃの端部付近における厚さ制御用突起部２０１ａのほぼ同一の位置に、パッケージ２０１の短手方向（第１の方向）に沿って、ヒートシンク２０６ｃ上の空間領域に達する２組の排出溝２０５が配置されている。
（第２変形例）
第２の実施の形態の第２変形例に係るパワーモジュール２００Ｂの底面構造は、図７（ｂ）に示すように表わされる。すなわち、パワーモジュール２００Ｂは、冷却器２１０と対峙する方向と直交する水平方向の、例えば矩形状のパッケージ２０１の長手方向の両辺の中央付近およびヒートシンク２０６ｃの端部付近における厚さ制御用突起部２０１ａのほぼ同一の位置に、パッケージ２０１の短手方向（第１の方向）に沿って、ヒートシンク２０６ｃ上の空間領域に達する３組の排出溝２０５が配置されている。
なお、パッケージ２０１の長手方向の両辺に配置される排出溝２０５を一組(一対）とし、それぞれ同数の排出溝２０５を配置する場合に限らず、長手方向の各辺に沿って配置する排出溝２０５の位置や個数は任意に異ならせることが可能である。
（第３変形例）
第２の実施の形態の第３変形例に係るパワーモジュール２００Ｃの底面構造は、図７（ｃ）に示すように表わされる。すなわち、パワーモジュール２００Ｃは、冷却器２１０と対峙する方向と直交する水平方向の、例えば矩形状のパッケージ２０１の短手方向の両辺の中央付近における厚さ制御用突起部２０１ａのほぼ同一の位置に、パッケージ２０１の長手方向（第２の方向）に沿って、ヒートシンク２０６ｃ上の空間領域に達する１組の排出溝２０５が配置されている。
（第４変形例）
第２の実施の形態の第４変形例に係るパワーモジュール２００Ｄの底面構造は、図８（ａ）に示すように表わされる。すなわち、パワーモジュール２００Ｄは、冷却器２１０と対峙する方向と直交する水平方向の、例えば矩形状のパッケージ２０１の短手方向の両辺のヒートシンク２０６ｃの端部付近における厚さ制御用突起部２０１ａのほぼ同一の位置に、パッケージ２０１の長手方向（第２の方向）に沿って、ヒートシンク２０６ｃ上の空間領域に達する２組の排出溝２０５が配置されている。
（第５変形例）
第２の実施の形態の第５変形例に係るパワーモジュール２００Ｅの底面構造は、図８（ｂ）に示すように表わされる。すなわち、パワーモジュール２００Ｅは、冷却器２１０と対峙する方向と直交する水平方向の、例えば矩形状のパッケージ２０１の短手方向の両辺の中央付近およびヒートシンク２０６ｃの端部付近における厚さ制御用突起部２０１ａのほぼ同一の位置に、パッケージ２０１の長手方向（第２の方向）に沿って、ヒートシンク２０６ｃ上の空間領域に達する３組の排出溝２０５が配置されている。
なお、排出溝２０５は、パッケージ２０１の長手方向または短手方向のいずれか一方にだけ配置する場合に限らず、長手方向および短手方向の各辺に配置する構成とすることも可能である。
（第６変形例）
第２の実施の形態の第６変形例に係るパワーモジュール２００Ｆの底面構造は、図８（ｃ）に示すように表わされる。すなわち、パワーモジュール２００Ｆは、冷却器２１０と対峙する方向と直交する水平方向の、例えば矩形状のパッケージ２０１の長手方向の両辺の中央付近および短手方向の両辺の中央付近における厚さ制御用突起部２０１ａのほぼ同一の位置に、パッケージ２０１の短手方向（第１の方向）および長手方向（第２の方向）に沿って、ヒートシンク２０６ｃ上の空間領域に達する排出溝２０５が１組ずつの配置されている。
（第７変形例）
第２の実施の形態の第７変形例に係るパワーモジュール２００Ｇの底面構造は、図９（ａ）に示すように表わされる。すなわち、パワーモジュール２００Ｇは、冷却器２１０と対峙する方向と直交する水平方向の、例えば矩形状のパッケージ２０１の長手方向の両辺のヒートシンク２０６ｃの端部付近および短手方向の両辺のヒートシンク２０６ｃの端部付近における厚さ制御用突起部２０１ａのほぼ同一の位置に、パッケージ２０１の短手方向（第１の方向）および長手方向（第２の方向）に沿って、ヒートシンク２０６ｃ上の空間領域に達する排出溝２０５が２組ずつ配置されている。
なお、排出溝２０５は、パッケージ２０１の長手方向や短手方向に配置する場合に限らず、長手方向および短手方向とは異なる斜め方向（第３の方向）に配置する構成とすることも可能である。
（第８変形例）
第２の実施の形態の第８変形例に係るパワーモジュール２００Ｈの底面構造は、図９（ｂ）に示すように表わされる。すなわち、パワーモジュール２００Ｈは、冷却器２１０と対峙する方向と直交する水平方向の、例えば矩形状のパッケージ２０１における厚さ制御用突起部２０１ａの四隅のほぼ同一の位置に、ヒートシンク２０６ｃ上の空間領域の四隅にそれぞれ達するように斜め方向に４つの排出溝２０５が配置されている。
なお、排出溝２０５は、パッケージ２０１の長手方向または短手方向または斜め方向のいずれかに配置する場合に限らず、長手方向および短手方向および斜め方向に配置する構成とすることも可能である。
（第９変形例）
第２の実施の形態の第９変形例に係るパワーモジュール２００Ｉの底面構造は、図９（ｃ）に示すように表わされる。すなわち、パワーモジュール２００Ｉは、冷却器２１０と対峙する方向と直交する水平方向の、例えば矩形状のパッケージ２０１の長手方向の両辺の中央付近と短手方向の両辺の中央付近と四隅とにおける厚さ制御用突起部２０１ａのほぼ同一の位置に、ヒートシンク２０６ｃ上の空間領域にそれぞれ達するように、長手方向と短手方向と斜め方向の排出溝２０５が配置されている。
これら第１〜第９変形例に係るパワーモジュール２００Ａ〜２００Ｉは、その他の構成において、上記した第２の実施の形態に係るパワーモジュール２００と同様の構成を有しており、ほぼ同等の効果を得ることができる。
なお、排出溝２０５をヒートシンク２０６ｃの角部に配置する場合には、角部に熱伝導材２２０が入りきらずに空気溜りを生ずるというような恐れが殆どなくなる。
[第３の実施の形態]
第３の実施の形態に係るパワーモジュール３００であって、ツーインワンモジュール（２in１Module：ハーフブリッジ内蔵モジュール）において、樹脂層（封止体）１１５を形成前の平面パターン構成は図１０に示すように表わされ、樹脂層１１５を形成後の鳥瞰構成は図１２に示すように表わされる。また、第３の実施の形態に係るパワーモジュール３００であって、半導体デバイスとして、ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴを適用した図１０に対応したツーインワンモジュール（ハーフブリッジ内蔵モジュール）の回路構成は、図１１に示すように表わされる。
第３の実施の形態に係るパワーモジュール３００は、２個のＭＯＳＦＥＴ Ｑ１・Ｑ４が１つのモジュールに内蔵されたハーフブリッジ内蔵モジュールの構成を備える。
ここで、モジュールは、１つの大きなトランジスタとみなすことができるが、内蔵されているトランジスタ（チップ）が１個または複数個の場合がある。すなわち、モジュールには、１in１、２in１、４in１、６in１などがあり、例えば、１つのモジュール上において、２個分のトランジスタを内蔵したモジュールは２in１、２in１を２組み内蔵したモジュールは４in１、２in１を３組み内蔵したモジュールは６in１と呼ばれている。
図１０においては、ＭＯＳＦＥＴ Ｑ１・Ｑ４は、それぞれ４チップ並列に配置されている例が示されている。
第３の実施の形態に係るパワーモジュール３００は、図１２に示すように、樹脂層１１５に被覆されたセラミックス基板９の第１の辺に配置された正側電力端子Ｐおよび負側電力端子Ｎと、第１の辺に隣接する第２の辺に配置されたゲート端子ＧＴ１・ソースセンス端子ＳＳＴ１と、第１の辺に対向する第３の辺に配置された出力端子Ｏと、第２の辺に対向する第４の辺に配置されたゲート端子ＧＴ４・ソースセンス端子ＳＳＴ４とを備える。
図１０に示すように、ゲート端子ＧＴ１・ソースセンス端子ＳＳＴ１は、ＭＯＳＦＥＴ Ｑ１のゲート信号電極パターンＧＬ１・ソース信号電極パターンＳＬ１に接続され、ゲート端子ＧＴ４・ソースセンス端子ＳＳＴ４は、ＭＯＳＦＥＴ Ｑ４のゲート信号電極パターンＧＬ４・ソース信号電極パターンＳＬ４に接続される。
図１０に示すように、ＭＯＳＦＥＴ Ｑ１・Ｑ４から信号基板１２４1 ・１２４4 上に配置されたゲート信号電極パターンＧＬ１・ＧＬ４およびソースセンス信号電極パターンＳＬ１・ＳＬ４に向けて、ゲート用分割リードフレーム２４1 ・２４4 およびソース信号用分割リードフレーム２６1 ・２６4 が接続される。また、ゲート信号電極パターンＧＬ１・ＧＬ４およびソース信号電極パターンＳＬ１・ＳＬ４には、外部取り出し用のゲート端子ＧＴ１・ＧＴ４およびソースセンス端子ＳＳＴ１・ＳＳＴ４が半田付けなどによって接続される。
図１０に示すように、信号基板１２４1 ・１２４4 は、セラミックス基板９上に、半田付けなどによって接続される。
また、図１０〜図１２においては、図示していないが、ＭＯＳＦＥＴ Ｑ１・Ｑ４のドレインＤ１・ソースＳ１間およびドレインＤ４・ソースＳ４間に逆並列にダイオードが接続されていても良い。
図１０〜図１２に示された例では、４チップ並列に配置されたＭＯＳＦＥＴ Ｑ１・Ｑ４のソースＳ１・Ｓ４は、ソース用分割リードフレーム２０1 （Ｓ１）・２０4 （Ｓ４）によって共通に接続されている。
正側電力端子Ｐ・負側電力端子Ｎ、外部取り出し用のゲート端子ＧＴ１・ＧＴ４およびソースセンス端子ＳＳＴ１・ＳＳＴ４は、例えば、Ｃｕで形成可能である。
信号基板１２４1 ・１２４4 は、セラミックス基板で形成可能である。セラミックス基板は、例えば、Ａｌ2 Ｏ3 、ＡｌＮ、ＳｉＮ、ＡｌＳｉＣ、もしくは少なくとも表面が絶縁性のＳｉＣなどで形成されていても良い。
主配線導体（電極パターン）３２1 ・３２4 ・３２n は、例えば、Ｃｕ、Ａｌなどで形成可能である。
ＭＯＳＦＥＴ Ｑ１・Ｑ４のソースＳ１・Ｓ４と接続されるソース用分割リードフレーム２０1 （Ｓ１）・２０4 （Ｓ４）は、例えば、Ｃｕ、ＣｕＭｏなどで形成されていても良い。
ここで、線熱膨張係数（ＣＴＥ：Coefficient of Thermal Expansion）の値が同等である同じ大きさの材料を比較すると、発生応力は、ヤング率の値が大きい材料の方が大きくなる。このため、ヤング率×ＣＴＥの数値が、より小さい材料を選定することによって、発生応力の値の小さな部材を達成することができる。ＣｕＭｏは、このような利点を有している。また、ＣｕＭｏは、Ｃｕには劣るが、電気抵抗率も相対的に低い。また、ソース用分割リードフレーム２０1 （Ｓ１）・２０4 （Ｓ４）間の表面に沿った離隔距離は、沿面距離と呼ばれる。沿面距離の値は、例えば、約２ｍｍである。
ゲート用分割リードフレーム２４1 ・２４4 およびソース信号用分割リードフレーム２６1 ・２６4 は、例えば、Ａｌ、ＡｌＣｕなどで形成可能である。
ＭＯＳＦＥＴ Ｑ１・Ｑ４としては、ＳｉＣ ＤＩ（Double Implanted） ＭＯＳＦＥＴ、ＳｉＣ Ｔ（Trench） ＭＯＳＦＥＴなどのＳｉＣ系パワーデバイス、あるいはＧａＮ系高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ: High Electron Mobility Transistor）などのＧａＮ系パワーデバイスを適用可能である。また、場合によっては、Ｓｉ系ＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴなどのパワーデバイスも適用可能である。
第３の実施の形態に係るパワーモジュール３００においては、４チップ構成のＭＯＳＦＥＴ Ｑ１は、主配線導体（電極パターン）３２1 上にチップ下半田層を介して配置されている。同様に、４チップ構成のＭＯＳＦＥＴ Ｑ４は、主配線導体（電極パターン）３２4 上にチップ下半田層を介して配置されている。
さらに詳細には、第３の実施の形態に係るパワーモジュール３００の主要部は、図１０に示すように、セラミックス基板９と、セラミックス基板９上に配置されたソース電極パターン３２n 、ドレイン電極パターン３２1 ・３２4 、ソース信号電極パターンＳＬ１・ＳＬ４およびゲート信号電極パターンＧＬ１・ＧＬ４と、ドレイン電極パターン３２1 ・３２4 上に配置され、表面側にソースパッド電極およびゲートパッド電極を有する半導体デバイスＱ１・Ｑ４と、ソース電極パターン３２n ・ドレイン電極パターン３２4 およびソースパッド電極に接合されたソース用分割リードフレーム２０1 (Ｓ１)・２０4 (Ｓ４)と、ゲートパッド電極と接合されたゲートパッド電極用分割リードフレームとを備える。
ここで、ゲートパッド電極用分割リードフレームは、ゲート用分割リードフレーム２４1 ・２４4 の下に配置されるため、図１０では、図示が省略されている。また、ドレイン電極パターン３２4 は、半導体デバイスＱ４のドレイン電極であると同時に、半導体デバイスＱ１のソース電極となるため、ソース用分割リードフレーム２０1 (Ｓ１)とも接続される。
さらに、第３の実施の形態に係るパワーモジュール３００は、図１０に示すように、ソース用分割リードフレーム２０1 (Ｓ１)・２０4 (Ｓ４)と電気的に接続され、かつソース信号電極パターンＳＬ１・ＳＬ４上に配置されたソース信号用分割リードフレーム２６1 ・２６4 と、ゲートパッド電極用分割リードフレームと電気的に接続され、かつゲート信号電極パターンＧＬ１・ＧＬ４上に配置されたゲート用分割リードフレーム２４1 ・２４4 とを備える。ゲート用分割リードフレーム２４1 ・２４4 は、例えばソース用分割リードフレーム２０1 (Ｓ１)・２０4 (Ｓ４)に対して、図示していない絶縁部（分離部）を介してアセンブル接続されている。
ゲート用分割リードフレーム２４1 ・２４4 は、ゲート用分割リードフレーム下半田層を介して、ゲート信号電極パターンＧＬ１・ＧＬ４と接合される。
ソース信号用分割リードフレーム２６1 ・２６4 は、ソース信号用分割リードフレーム下半田層を介して、ソース信号電極パターンＳＬ１・ＳＬ４と接合される。
なお、ソース信号用分割リードフレーム２６1 ・２６4 は、ソース用分割リードフレーム２０1 (Ｓ１)・２０4 (Ｓ４)と同一材料を備えていても良い。
また、ゲート用分割リードフレーム２４1 ・２４4 は、ゲートパッド電極用分割リードフレームと同一材料を備えていても良い。
第３の実施の形態に係るパワーモジュール３００においても、図１０に示すように、ゲートパッド電極用分割リードフレームを延伸させて、ゲート信号線を兼ねたゲート用分割リードフレーム２４1 ・２４4 と一体化接続させている。
同様に、第３の実施の形態に係るパワーモジュール３００においては、図１０に示すように、ソース用分割リードフレーム２０1 (Ｓ１)・２０4 (Ｓ４)を延伸させて、ソースセンス信号線を兼ねたソース信号用分割リードフレーム２６1 ・２６4 と一体化接続させている。
第３の実施の形態に係るパワーモジュール３００においては、このような分割リードフレーム構造（２０1 ・２０4 、２６1 ・２６4 、２４1 ・２４4 ）を採用することによって、ソース信号ボンディングワイヤ・ゲート信号ボンディングワイヤを不要とすることができる。
なお、第３の実施の形態に係るパワーモジュール３００においても、応力緩和層をソース用分割リードフレーム２０1 (Ｓ１)・２０4 (Ｓ４)とソースパッド電極間に配置しても良い。
このような構成の第３の実施の形態に係るパワーモジュール３００において、４チップ構成のＭＯＳＦＥＴ Ｑ１・Ｑ４が搭載されるセラミックス基板９の裏面側には、図１２に示すように、例えば主配線導体（電極パターン）によって構成されるヒートシンク（放熱板）３２が設けられている。ヒートシンク３２は、セラミックス基板９の裏面側の主配線導体に接合された放熱板であっても良く、図示していない冷却器との接合面の全部または一部が、樹脂層１１５よりパワーモジュール３００の底面側に露出するように配置されている。
また、第３の実施の形態に係るパワーモジュール３００においては、上述した第２の実施の形態と同様に、冷却器と対峙する樹脂層１１５の底面の、ヒートシンク３２の露出面（接合面）の周囲に、その露出面よりも突出するようにして、凸部状の厚さ制御用突起部（規制部）２０１ａが設けられている。
厚さ制御用突起部２０１ａは、樹脂層１１５の底面において、ヒートシンク３２の露出面が凹部となるように、その高さ（厚み）に基づいて、冷却器との接合時に所定の容量の熱伝導材（図示省略）を埋設させるための空間領域を形成するものであって、接合の際に、余剰となった熱伝導材を空間領域外へ排出するための排出溝２０５が設けられている。
排出溝２０５は、第２の実施の形態およびその第１〜第９変形例に示したように、配置の方向や個数が制限されるものではない。
このように、第３の実施の形態に係るパワーモジュール３００によっても、ＭＯＳＦＥＴ（半導体デバイス）Ｑ１・Ｑ４の各チップから発生した熱がヒートシンク３２から熱伝導材を介して冷却器へと効率的に伝導されることにより、効果的に放熱（冷却）される。
すなわち、第３の実施の形態に係るパワーモジュール３００によれば、ヒートシンク３２と冷却器との間の距離（熱伝導材の厚さ）を、厚さ制御用突起部２０１ａの厚みに応じて均一に制御できるようになる。これにより、ヒートシンク３２を冷却器に接合する場合にも、熱伝導材の厚さが不均一になり、冷却性能が低下するのを防止できる。したがって、冷却（放熱）が充分に行われることとなり、チップが過熱により破壊されたり、配線が溶断されたりするのを抑制でき、より信頼性の高いパワーモジュール３００とすることができる。
なお、構造が簡単で、大電流を導通可能なツーインワンモジュール（ハーフブリッジ内蔵モジュール）３００としては、第１の実施の形態およびその第１〜第３変形例に示したような、少なくとも３つの厚さ制御用突起部１０４を設けることにより、熱伝導材の厚さを制御する構成とした場合にも同様の効果が期待できる。
（パワーモジュールの具体例）
以下、実施の形態に係るパワーモジュールの具体例について説明する。
実施の形態に係るパワーモジュール３２０であって、ワンインワンモジュールのＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴの回路表現は、図１３（ａ）に示すように表わされ、ワンインワンモジュールのＩＧＢＴの回路表現は、図１３（ｂ）に示すように表わされる。
図１３（ａ）には、ＭＯＳＦＥＴ Ｑに逆並列接続されるダイオードＤＩが示されている。ＭＯＳＦＥＴ Ｑの主電極は、ドレイン端子ＤＴおよびソース端子ＳＴで表わされる。同様に、図１３（ｂ）には、ＩＧＢＴ Ｑに逆並列接続されるダイオードＤＩが示されている。ＩＧＢＴ Ｑの主電極は、コレクタ端子ＣＴおよびエミッタ端子ＥＴで表わされる。
また、実施の形態に係るパワーモジュール３２０であって、ワンインワンモジュールのＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴの詳細回路表現は、図１４に示すように表わされる。
実施の形態に係るパワーモジュール３２０は、例えば、ワンインワンモジュールの構成を備える。すなわち、１個のＭＯＳＦＥＴ Ｑが１つのモジュールに内蔵されている。一例として、図１４に示すように、５チップ（ＭＯＳＦＥＴ×５）搭載可能であり、それぞれのＭＯＳＦＥＴ Ｑは、５個まで並列接続可能である。なお、５チップの内、一部をダイオードＤＩ用として搭載することも可能である。
図１４には、ＭＯＳＦＥＴ Ｑのソースとドレインとの間に逆並列接続されるダイオードＤＩが示されている。ダイオードＤＩは、ボディダイオードまたは別個のチップから構成される。
図１４において、ＭＯＳＦＥＴ Ｑの主電極は、電力系端子としてのドレイン端子ＤＴおよびソース端子ＳＴで表わされる。また、ＳＳはソースセンス端子、ＤＳはドレインセンス端子、Ｇはゲート信号端子であり、いずれも信号系端子を構成している。
また、実施の形態に係るパワーモジュール３００Ｔであって、ツーインワンモジュールのＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴの回路表現は、図１５（ａ）に示すように表わされる。
図１５（ａ）に示すように、２個のＭＯＳＦＥＴ Ｑ１・Ｑ４と、ＭＯＳＦＥＴ Ｑ１・Ｑ４に逆並列接続されるダイオードＤＩ１・ＤＩ４が１つのモジュールに内蔵されている。Ｇ１は、ＭＯＳＦＥＴ Ｑ１のゲート信号端子であり、Ｓ１は、ＭＯＳＦＥＴ Ｑ１のソース端子である。Ｇ４は、ＭＯＳＦＥＴ Ｑ４のゲート信号端子であり、Ｓ４は、ＭＯＳＦＥＴ Ｑ４のソース端子である。Ｐは、正側電源入力端子であり、Ｎは、負側電源入力端子であり、Ｏは、出力端子である。
また、実施の形態に係るパワーモジュール３００Ｔであって、ツーインワンモジュールのＩＧＢＴの回路表現は、図１５（ｂ）に示すように表わされる。図１５（ｂ）に示すように、２個のＩＧＢＴ Ｑ１・Ｑ４と、ＩＧＢＴ Ｑ１・Ｑ４に逆並列接続されるダイオードＤＩ１・ＤＩ４が１つのモジュールに内蔵されている。Ｇ１は、ＩＧＢＴ Ｑ１のゲート信号端子であり、Ｅ１は、ＩＧＢＴ Ｑ１のエミッタ端子である。Ｇ４は、ＩＧＢＴ Ｑ４のゲート信号端子であり、Ｅ４は、ＩＧＢＴ Ｑ４のエミッタ端子である。Ｐは、正側電源入力端子であり、Ｎは、負側電源入力端子であり、Ｏは、出力端子である。
（半導体デバイスの構成例）
実施の形態に係るパワーモジュールに適用可能な半導体デバイスの例であって、ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴの模式的断面構造は、図１６（ａ）に示すように表わされ、ＩＧＢＴの模式的断面構造は、図１６（ｂ）に示すように表わされる。
実施の形態に係るパワーモジュールに適用可能な半導体デバイス（Ｑ）３１０の例として、ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴの模式的断面構造は、図１６（ａ）に示すように、ｎ- 高抵抗層からなる半導体基板３２６と、半導体基板３２６の表面側に形成されたｐボディ領域３２８と、ｐボディ領域３２８の表面に形成されたソース領域３３０と、ｐボディ領域３２８間の半導体基板３２６の表面上に配置されたゲート絶縁膜３３２と、ゲート絶縁膜３３２上に配置されたゲート電極３３８と、ソース領域３３０およびｐボディ領域３２８に接続されたソース電極３３４と、半導体基板３２６の表面と反対側の裏面に配置されたｎ+ ドレイン領域３２４と、ｎ+ ドレイン領域３２４に接続されたドレイン電極３３６とを備える。
図１６（ａ）では、半導体デバイス３１０は、プレーナゲート型のｎチャネル縦型ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴで構成されているが、後述する図２０に示すように、ｎチャネル縦型ＳｉＣ Ｔ ＭＯＳＦＥＴなどで構成されていても良い。
また、実施の形態に係るパワーモジュールに適用可能な半導体デバイス（Ｑ）３１０には、ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴの代わりに、ＧａＮ系ＦＥＴなどを採用することもできる。
実施の形態に係るパワーモジュールに適用可能な半導体デバイス３１０には、ＳｉＣ系、ＧａＮ系のいずれかのパワーデバイスを採用可能である。
さらには、実施の形態に係るパワーモジュールに適用可能な半導体デバイス３１０には、バンドギャップエネルギーが、例えば、１．１ｅＶ〜８ｅＶの半導体を用いることができる。
同様に、実施の形態に係るパワーモジュールに適用可能な半導体デバイス（Ｑ）３１０Ａの例として、ＩＧＢＴは、図１６（ｂ）に示すように、ｎ- 高抵抗層からなる半導体基板３２６と、半導体基板３２６の表面側に形成されたｐボディ領域３２８と、ｐボディ領域３２８の表面に形成されたエミッタ領域３３０Ｅと、ｐボディ領域３２８間の半導体基板３２６の表面上に配置されたゲート絶縁膜３３２と、ゲート絶縁膜３３２上に配置されたゲート電極３３８と、エミッタ領域３３０Ｅおよびｐボディ領域３２８に接続されたエミッタ電極３３４Ｅと、半導体基板３２６の表面と反対側の裏面に配置されたｐ+ コレクタ領域３２４Ｐと、ｐ+ コレクタ領域３２４Ｐに接続されたコレクタ電極３３６Ｃとを備える。
図１６（ｂ）では、半導体デバイス３１０Ａは、プレーナゲート型のｎチャネル縦型ＩＧＢＴで構成されているが、トレンチゲート型のｎチャネル縦型ＩＧＢＴなどで構成されていても良い。
実施の形態に係るパワーモジュールに適用可能な半導体デバイス３１０の例であって、ソースパッド電極ＳＰ、ゲートパッド電極ＧＰを含むＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴの模式的断面構造は、図１７に示すように表わされる。ゲートパッド電極ＧＰは、ゲート絶縁膜３３２上に配置されたゲート電極３３８に接続され、ソースパッド電極ＳＰは、ソース領域３３０およびｐボディ領域３２８に接続されたソース電極３３４に接続される。
また、ゲートパッド電極ＧＰおよびソースパッド電極ＳＰは、図１７に示すように、半導体デバイス３１０の表面を覆うパッシベーション用の層間絶縁膜３４４上に配置される。なお、ゲートパッド電極ＧＰおよびソースパッド電極ＳＰの下方の半導体基板３２６内には、図示していないが、図１６（ａ）の中央部と同様に、微細構造のトランジスタ構造が形成されていても良い。
さらに、図１７に示すように、中央部のトランジスタ構造においても、パッシベーション用の層間絶縁膜３４４上にソースパッド電極ＳＰが延在して配置されていても良い。
実施の形態に係るパワーモジュール３００・３００Ｔに適用する半導体デバイス３１０Ａの例であって、ソースパッド電極ＳＰ、ゲートパッド電極ＧＰを含むＩＧＢＴの模式的断面構造は、図１８に示すように表わされる。ゲートパッド電極ＧＰは、ゲート絶縁膜３３２上に配置されたゲート電極３３８に接続され、エミッタパッド電極ＥＰは、エミッタ領域３３０Ｅおよびｐボディ領域３２８に接続されたエミッタ電極３３４Ｅに接続される。
また、ゲートパッド電極ＧＰおよびエミッタパッド電極ＥＰは、図１８に示すように、半導体デバイス３１０Ａの表面を覆うパッシベーション用の層間絶縁膜３４４上に配置される。なお、ゲートパッド電極ＧＰおよびエミッタパッド電極ＥＰの下方の半導体基板３２６内には、図示していないが、図１６（ｂ）の中央部と同様に、微細構造のＩＧＢＴ構造が形成されていても良い。
さらに、図１８に示すように、中央部のＩＧＢＴ構造においても、パッシベーション用の層間絶縁膜３４４上にエミッタパッド電極ＥＰが延在して配置されていても良い。
―ＳｉＣ ＤＩ ＭＯＳＦＥＴ―
実施の形態に係るパワーモジュールに適用可能な半導体デバイス３１０の例であって、ＳｉＣ ＤＩ ＭＯＳＦＥＴの模式的断面構造は、図１９に示すように表わされる。
実施の形態に係るパワーモジュールに適用可能なＳｉＣ ＤＩ ＭＯＳＦＥＴは、図１９に示すように、ｎ- 高抵抗層からなる半導体基板３２６と、半導体基板３２６の表面側に形成されたｐボディ領域３２８と、ｐボディ領域３２８の表面に形成されたｎ+ ソース領域３３０と、ｐボディ領域３２８間の半導体基板３２６の表面上に配置されたゲート絶縁膜３３２と、ゲート絶縁膜３３２上に配置されたゲート電極３３８と、ソース領域３３０およびｐボディ領域３２８に接続されたソース電極３３４と、半導体基板３２６の表面と反対側の裏面に配置されたｎ+ ドレイン領域３２４と、ｎ+ ドレイン領域３２４に接続されたドレイン電極３３６とを備える。
図１９では、半導体デバイス３１０は、ｐボディ領域３２８と、ｐボディ領域３２８の表面に形成されたｎ+ ソース領域３３０が、ダブルイオン注入（ＤＩ）で形成され、ソースパッド電極ＳＰは、ソース領域３３０およびｐボディ領域３２８に接続されたソース電極３３４に接続される。ゲートパッド電極ＧＰ（図示省略）は、ゲート絶縁膜３３２上に配置されたゲート電極３３８に接続される。また、ソースパッド電極ＳＰおよびゲートパッド電極ＧＰ（図示省略）は、図１９に示すように、半導体デバイス３１０の表面を覆うパッシベーション用の層間絶縁膜３４４上に配置される。
ＳｉＣ ＤＩ ＭＯＳＦＥＴは、図１９に示すように、ｐボディ領域３２８に挟まれたｎ- 高抵抗層からなる半導体基板３２６内に、破線で示されるような空乏層が形成されるため、接合型ＦＥＴ（ＪＦＥＴ）効果に伴うチャネル抵抗ＲJFETが形成される。また、ｐボディ領域３２８／半導体基板３２６間には、図１９に示すように、ボディダイオードＢＤが形成される。
―ＳｉＣ Ｔ ＭＯＳＦＥＴ―
実施の形態に係るパワーモジュールに適用可能な半導体デバイス３１０の例であって、ＳｉＣ Ｔ ＭＯＳＦＥＴの模式的断面構造は、図２０に示すように表わされる。
実施の形態に係るパワーモジュールに適用可能なＳｉＣ Ｔ ＭＯＳＦＥＴは、図２０に示すように、ｎ層からなる半導体基板３２６Ｎと、半導体基板３２６Ｎの表面側に形成されたｐボディ領域３２８と、ｐボディ領域３２８の表面に形成されたｎ+ ソース領域３３０と、ｐボディ領域３２８を貫通し、半導体基板３２６Ｎまで形成されたトレンチ内にゲート絶縁膜３３２および層間絶縁膜３４４Ｕ・３４４Ｂを介して形成されたトレンチゲート電極３３８ＴＧと、ソース領域３３０およびｐボディ領域３２８に接続されたソース電極３３４と、半導体基板３２６Ｎの表面と反対側の裏面に配置されたｎ+ ドレイン領域３２４と、ｎ+ ドレイン領域３２４に接続されたドレイン電極３３６とを備える。
図２０では、半導体デバイス３１０は、ｐボディ領域３２８を貫通し、半導体基板３２６Ｎまで形成されたトレンチ内にゲート絶縁膜３３２および層間絶縁膜３４４Ｕ・３４４Ｂを介して形成されたトレンチゲート電極３３８ＴＧが形成され、ソースパッド電極ＳＰは、ソース領域３３０およびｐボディ領域３２８に接続されたソース電極３３４に接続される。ゲートパッド電極ＧＰ（図示省略）は、ゲート絶縁膜３３２上に配置されたトレンチゲート電極３３８ＴＧに接続される。また、ソースパッド電極ＳＰおよびゲートパッド電極ＧＰ（図示省略）は、図２０に示すように、半導体デバイス３１０の表面を覆うパッシベーション用の層間絶縁膜３４４Ｕ上に配置される。
ＳｉＣ Ｔ ＭＯＳＦＥＴでは、ＳｉＣ ＤＩ ＭＯＳＦＥＴのような接合型ＦＥＴ（ＪＦＥＴ）効果に伴うチャネル抵抗ＲJFETは形成されない。また、ｐボディ領域３２８／半導体基板３２６Ｎ間には、図１９と同様に、ボディダイオードＢＤが形成される。
本実施の形態に係るパワーモジュールは、ワンインワン、ツーインワン、フォーインワン、シックスインワンもしくはセブンインワン型のいずれにも形成可能である。
以上説明したように、本実施の形態によれば、ヒートシンクと冷却器とを接合する熱伝導材の厚さを、厚さ制御用突起部の厚みに応じて規制できるようになる結果、充分な冷却性能を確保でき、過熱による劣化を抑えることが可能な、信頼性の高いパワーモジュール、パワーモジュールの放熱構造、およびパワーモジュールの接合方法を提供することができる。
[その他の実施の形態]
上記のように、本実施の形態を変形例と共に記載したが、この開示の一部をなす論述および図面は例示的なものであり、限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例および運用技術が明らかとなろう。
このように、本実施の形態はここでは記載していない様々な実施の形態などを含む。
本実施の形態のパワーモジュールは、ＩＧＢＴモジュール、ダイオードモジュール、ＭＯＳモジュール（Ｓｉ、ＳｉＣ、ＧａＮ）などの半導体モジュール作製技術に利用することができ、ＨＥＶ／ＥＶ向けのインバータ、産業向けのインバータ、コンバータなど幅広い応用分野に適用可能である。
９…セラミックス基板
２０1 （Ｓ１）・２０4 （Ｓ４）…ソース用分割リードフレーム
２４1 ・２４4 …ゲート用分割リードフレーム
２６1 ・２６4 …ソース信号用分割リードフレーム
３２…ヒートシンク（電極パターン、放熱板）
３２1 ・３２4 …主配線導体（ドレイン電極パターン）
３２n …主配線導体（ソース電極パターン）
１００、１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ、２００、２００Ａ、２００Ｂ、２００Ｃ、２００Ｄ、２００Ｅ、２００Ｆ、２００Ｇ、２００Ｈ、２００Ｉ、３００、３００Ｔ、３２０…パワーモジュール
１０１、２０１…パッケージ（封止体）
１０２、２０２…リード端子
１０３…位置決め用突起部
１０４…厚さ制御用突起部（凸部、規制部）
１０６ｃ、２０６ｃ…ヒートシンク（放熱板）
１１０、２１０…冷却器（冷却体）
１１５…樹脂層（封止体）
１２０、１２１、２２０、２２１…熱伝導材
１２４1 ・１２４4 …信号基板
２０１ａ…厚さ制御用突起部（規制部）
２０５…排出溝
３１０、３１０Ａ、Ｑ、Ｑ１、Ｑ４…半導体デバイス（ＭＯＳＦＥＴ、ＩＧＢＴ）
３２４…ｎ+ ドレイン領域
３２４Ｐ…ｐ+ コレクタ領域
３２６、３２６Ｎ…半導体基板（ｎ- 高抵抗層）
３２８…ｐボディ領域
３３０…ソース領域
３３０Ｅ…エミッタ領域
３３２…ゲート絶縁膜
３３４…ソース電極
３３４Ｅ…エミッタ電極
３３６…ドレイン電極
３３６Ｃ…コレクタ電極
３３８…ゲート電極
３３８ＴＧ…トレンチゲート電極
３４４、３４４Ｕ、３４４Ｂ…層間絶縁膜

Claims (21)

  1. 半導体デバイスが接合された放熱板と、
    前記放熱板の少なくとも一部を露出させるようにして、前記半導体デバイスの外囲を封止する封止体と、
    前記封止体に設けられ、前記放熱板を、熱伝導材を用いて冷却体に接合する際の、前記熱伝導材の厚さを規制する規制部と
    を備え、
    前記封止体は、前記冷却体に接合する側の第１面と、前記第１面とは反対側を向く第２面とを備え、
    前記放熱板の前記少なくとも一部は、前記封止体の前記第１面から露出されており、前記規制部は、前記封止体の前記第１面上に形成されており、
    前記封止体の、前記放熱板の露出面側の周囲には、少なくとも３つの位置決め用突起部がさらに設けられ、
    前記少なくとも３つの位置決め用突起部は、前記規制部を貫通するようにして設けられることを特徴とするパワーモジュール。
  2. 前記規制部は、前記冷却体と対峙する前記封止体の、前記放熱板の露出面側の周囲に設けられることを特徴とする請求項１に記載のパワーモジュール。
  3. 前記規制部は、前記冷却体と対峙する前記封止体の、前記放熱板の露出面側の４つの隅に配置されることを特徴とする請求項１または２に記載のパワーモジュール。
  4. 前記規制部は、少なくとも３つの凸部であることを特徴とする請求項１または２に記載のパワーモジュール。
  5. 前記規制部は、円柱状または角柱状を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のパワーモジュール。
  6. 前記規制部は、前記放熱板の露出面上に所定の容量の前記熱伝導材を介在させるための空間領域を形成することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のパワーモジュール。
  7. 半導体デバイスが接合された放熱板と、
    前記放熱板の少なくとも一部を露出させるようにして、前記半導体デバイスの外囲を封止する封止体と、
    前記封止体に設けられ、前記放熱板を、熱伝導材を用いて冷却体に接合する際の、前記熱伝導材の厚さを規制する規制部と
    を備え、
    前記封止体は、前記冷却体に接合する側の第１面と、前記第１面とは反対側を向く第２面とを備え、
    前記放熱板の前記少なくとも一部は、前記封止体の前記第１面から露出されており、前記規制部は、前記封止体の前記第１面上に形成されており、
    前記規制部は、前記放熱板の露出面よりも突出するように配置された凸部であり、
    前記凸部は、前記放熱板の周囲を取り囲む平面視角形状または円形状を有し、
    前記凸部は、前記放熱板の露出面上に所定の容量の前記熱伝導材を埋設するための空間領域を形成し、
    前記凸部は、前記空間領域内で余剰となった前記熱伝導材を、前記空間領域外へと排出する排出溝を備えるパワーモジュール。
  8. 前記排出溝は、前記封止体の前記冷却体と対峙する方向とそれぞれ直交する第１の方向、前記第１の方向とは異なる第２の方向、もしくは前記第１の方向および前記第２の方向とは異なる第３の方向の、少なくともいずれか一方向に設けられることを特徴とする請求項７に記載のパワーモジュール。
  9. 前記半導体デバイスは、銅、銅合金、アルミニウム、もしくはアルミニウム合金のいずれかを配線の主成分とする回路基板に搭載されていることを特徴とする請求項１または請求項７に記載のパワーモジュール。
  10. 前記半導体デバイスは、金属とセラミックスと金属との接合体からなる回路基板に搭載されていることを特徴とする請求項１または請求項７に記載のパワーモジュール。
  11. 前記熱伝導材は、０．５Ｗ／ｍＫ〜３００Ｗ／ｍＫの熱伝導率を有することを特徴とする請求項１または請求項７に記載のパワーモジュール。
  12. 前記熱伝導材は、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコ−ン樹脂、ウレタン樹脂、もしくはポリイミドのいずれかの有機物であることを特徴とする請求項１１に記載のパワーモジュール。
  13. 前記熱伝導材は、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコ−ン樹脂、ウレタン樹脂、もしくはポリイミドのいずれかの有機物に、金属粉またはセラミックス粉が混合された合成樹脂であることを特徴とする請求項１１に記載のパワーモジュール。
  14. 前記熱伝導材は、加熱硬化型の半田または焼成銀であることを特徴とする請求項１１に記載のパワーモジュール。
  15. 前記半導体デバイスは、ＩＧＢＴ、ダイオード、Ｓｉ系ＭＯＳＦＥＴ、ＳｉＣ系ＭＯＳＦＥＴ、ＧａＮ系ＦＥＴのいずれか、または、複数の素子を備えることを特徴とする請求項１〜１４のいずれか１項に記載のパワーモジュール。
  16. 半導体デバイスと、
    前記半導体デバイスが接合された放熱板と、
    前記放熱板の少なくとも一部を露出させるようにして、前記半導体デバイスの外囲を封止する封止体と、
    前記封止体より露出する前記放熱板が、熱伝導材を介して接合される冷却体と、
    前記封止体に設けられ、前記熱伝導材の厚さを規制する規制部と
    を備え、
    前記封止体は、前記冷却体に接合する側の第１面と、前記第１面とは反対側を向く第２面とを備え、
    前記放熱板の前記少なくとも一部は、前記封止体の前記第１面から露出されており、前記規制部は、前記封止体の前記第１面上に形成されており、
    前記規制部は、前記放熱板の周囲を取り囲むように配置された角形状または円形状を有する凸部であって、前記放熱板の露出面上に所定の容量の前記熱伝導材を埋設するための空間領域を形成し、
    前記凸部は、前記空間領域内で余剰となった前記熱伝導材を、前記空間領域外へと排出する排出溝を備えることを特徴とするパワーモジュールの放熱構造。
  17. 前記規制部は、その厚みに応じて、前記熱伝導材の厚さが均一になるように制御することを特徴とする請求項１６に記載のパワーモジュールの放熱構造。
  18. 前記規制部は、前記冷却体と対峙する前記封止体の、前記放熱板の露出面側の周囲に設けられることを特徴とする請求項１６または１７に記載のパワーモジュールの放熱構造。
  19. 半導体デバイスと、前記半導体デバイスが接合された放熱板と、前記放熱板の少なくとも一部を露出させるようにして、前記半導体デバイスの外囲を封止する封止体とを備えるパワーモジュールを、熱伝導材を介して冷却体に接合するパワーモジュールの接合方法であって、
    前記封止体は、前記冷却体に接合する側の第１面と、前記第１面とは反対側を向く第２面とを備え、
    前記封止体の前記第１面から露出された前記放熱板を、前記熱伝導材を介して前記冷却体に接合する時、前記熱伝導材の厚さを前記封止体の前記第１面上に形成、または前記封止体で前記第１面上に形成された規制部によって規制し、
    前記規制部は、前記放熱板の周囲を取り囲むように配置された平面視角形状または円形状を有する凸部であって、前記放熱板の露出面上に所定の容量の前記熱伝導材を埋設するための空間領域を形成するものであり、
    前記凸部は、前記空間領域内で余剰となった前記熱伝導材を、前記空間領域外へと排出する排出溝を備えていることを特徴とするパワーモジュールの接合方法。
  20. 前記規制部は、その厚みに応じて、前記熱伝導材の厚さが均一になるように制御することを特徴とする請求項１９に記載のパワーモジュールの接合方法。
  21. 前記規制部は、前記冷却体と対峙する前記封止体の、前記放熱板の露出面側の周囲に設けられていることを特徴とする請求項１９または２０に記載のパワーモジュールの接合方法。
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