DE102009013569A1 - Quantenpunkt-Wellenlängenwandler, Verfahren zum Herstellen desselben und Lichtemissionsvorrichtung einschließlich desselben - Google Patents
Quantenpunkt-Wellenlängenwandler, Verfahren zum Herstellen desselben und Lichtemissionsvorrichtung einschließlich desselben Download PDFInfo
- Publication number
- DE102009013569A1 DE102009013569A1 DE102009013569A DE102009013569A DE102009013569A1 DE 102009013569 A1 DE102009013569 A1 DE 102009013569A1 DE 102009013569 A DE102009013569 A DE 102009013569A DE 102009013569 A DE102009013569 A DE 102009013569A DE 102009013569 A1 DE102009013569 A1 DE 102009013569A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- quantum dot
- wavelength
- light
- wavelength converter
- light emission
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 title claims abstract description 165
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 35
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 25
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims abstract description 12
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 18
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 claims description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 9
- 239000004054 semiconductor nanocrystal Substances 0.000 claims description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 6
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 4
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910004611 CdZnTe Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910004262 HgTe Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 241000764773 Inna Species 0.000 claims description 3
- 229910000661 Mercury cadmium telluride Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910018321 SbTe Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 claims description 3
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 claims description 3
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 239000002775 capsule Substances 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 4
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 3
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 2
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- ZMBHCYHQLYEYDV-UHFFFAOYSA-N trioctylphosphine oxide Chemical compound CCCCCCCCP(=O)(CCCCCCCC)CCCCCCCC ZMBHCYHQLYEYDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N (2r,3r,4s,5r)-2-[6-[[2-(3,5-dimethoxyphenyl)-2-(2-methylphenyl)ethyl]amino]purin-9-yl]-5-(hydroxymethyl)oxolane-3,4-diol Chemical compound COC1=CC(OC)=CC(C(CNC=2C=3N=CN(C=3N=CN=2)[C@H]2[C@@H]([C@H](O)[C@@H](CO)O2)O)C=2C(=CC=CC=2)C)=C1 BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 210000003608 fece Anatomy 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/56—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing sulfur
- C09K11/562—Chalcogenides
- C09K11/565—Chalcogenides with zinc cadmium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/62—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing gallium, indium or thallium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/64—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing aluminium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/70—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing phosphorus
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/74—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing arsenic, antimony or bismuth
- C09K11/7492—Arsenides; Nitrides; Phosphides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/88—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing selenium, tellurium or unspecified chalcogen elements
- C09K11/881—Chalcogenides
- C09K11/883—Chalcogenides with zinc or cadmium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/89—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing mercury
- C09K11/892—Chalcogenides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/005—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
- H01S5/0087—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping for illuminating phosphorescent or fluorescent materials, e.g. using optical arrangements specifically adapted for guiding or shaping laser beams illuminating these materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0225—Out-coupling of light
- H01S5/02257—Out-coupling of light using windows, e.g. specially adapted for back-reflecting light to a detector inside the housing
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Optical Filters (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Abstract
Description
- Die vorliegende Anmeldung beansprucht die Priorität der
koreanischen Patentanmeldung Nr. 2008-086984 - Die vorliegende Erfindung betrifft einen Quantenpunkt-Wellenlängenwandler, ein Verfahren zum Herstellen desselben und eine Lichtemissionsvorrichtung einschließlich des Quantenpunkt-Wellenlängenwandlers sowie insbesondere einen Quantenpunkt-Wellenlängenwandler mit einem Quantenpunkt, der optisch stabil ist, das Emissionswellenlängenband nicht ändert und eine verbesserte Emissionsfähigkeit aufweist, ein Verfahren zum Herstellen desselben und eine Lichtemissionsvorrichtung, die den Quantenpunkt-Wellenlängenwandler verwendet, um die Emissionswellenlänge und die Emissionsintensität einfacher einzustellen.
- Quantenpunkte sind ein Halbleitermaterial mit Nanogröße, das Quanteneinschränkungseffekte aufweist. Die Quantenpunkte erzeugen ein stärkeres Licht in einem schmalen Wellenlängenband als ein allgemeiner Leuchtstoff. Die Quantenpunkte emittieren Licht, wenn erregte Elektronen von einem Leitungsband zu einem Valenzband übergehen. Auch im gleichen Material weisen die Quantenpunkte eine Wellenlänge auf, die in Übereinstimmung mit der Größe der Partikeln variiert. Bei einer kleineren Größe der Quantenpunkte emittierten die Quantenpunkte Licht mit einer kürzeren Wellenlänge. Diese Quantenpunkte können also in der Größe eingestellt werden um Licht mit einem gewünschten Wellenlängenbereich zu erhalten.
- Quantenpunkte emittieren Licht auch dann, wenn eine Erregungswellenlänge willkürlich gewählt wird. Wenn also mehrere Arten von Quantenpunkten zu einer Wellenlänge erregt werden, kann Licht in verschiedenen Farben gleichzeitig wahrgenommen werden. Weiterhin gehen die Quantenpunkte nur von einem unteren Schwingungszustand eines Leitungsbandes zu einem unteren Schwingungszustand eines Valenzbandes über und weisen deshalb eine Emissionswellenlänge des Lichts von im wesentlichen einer einzelnen Farbe auf.
- Quantenpunkte sind ein Nanokristall aus einem Halbleitermaterial mit einem Durchmesser von ungefähr 10 nm oder weniger. Um einen Nanokristall als einen Quantenpunkt zu synthetisieren, können Quantenpunkte durch Dampfabscheidung wie etwa eine metallorganische Gasphasenabscheidung (MOCVD) oder eine Molekularstrahlepitaxie (MBE) vorbereitet werden, wobei aber auch eine chemische Benetzung angewendet werden kann, in der ein Kristall durch das Zusetzen eines Ausgangsstoffes zu einer organischen Lösung gezüchtet wird.
- Wenn in der chemischen Benetzung en ein Kristall gezüchtet wird, wird ein organisches Lösungsmittel natürlich auf eine Quantenpunktfläche aufgetragen, um als Dispersant zu dienen und dadurch das Wachstum des Kristalls zu regeln. Die chemische Benetzung ermöglicht also, dass der Nanokristall einfacher und kostengünstiger hinsichtlich einer gleichmäßigen Größe und Form kontrolliert werden kann also bei einer Dampfabscheidung wie etwa einer metallorganischen Gasphasenabscheidung (MOCVD) oder einer Molekularstrahlepitaxie (MBE).
- Die durch die chemische Benetzung vorbereiteten Quantenpunkte werden nicht als unverdünnte Lösung verwendet, sondern es wird ein vorbestimmter Ligand um die Quantenpunkte herum vorgesehen, um eine einfachere Lagerung und Nutzung sicherzustellen. Als Ligand für die Quantenpunkte kann zum Beispiel Trioctylphosphinoxid (TOPO) verwendet werden. Wenn diese Quantenpunkte in einer Lichtemissionsvorrichtung verwendet werden, sollten die Quantenpunkte gereinigt werden, um den Ligand zu entfernen, bevor ein Versiegeler wie etwa Kunstharz zugesetzt wird.
- Wenn die Quantenpunkte gereinigt sind, verursachen sie Nebeneffekte wie etwa eine geringere Lichtemission, eine Ausfällung in einer Lösung, die durch die Entfernung des Liganden verursacht wird, oder eine Änderung in dem Emissionswellenlängenband aufgrund einer Oberflächenoxidation. Um diese Probleme zu lösen, werden die Quantenpunkte mit einem organischen Material bedeckt oder in einem Material eingeschlossen, das eine größere Bandlücke aufweist als die Quantenpunkte.
- Das Verfahren zum Bedecken der Quantenpunkte mit einem organischen Material oder zum Einschließen der Quantenpunkte in einem Material, das eine größere Bandlücke aufweist, bringt jedoch das Problem hinsichtlich der Prozessbedingungen oder der Kosten mit sich. Deshalb besteht ein Bedarf für die Entwicklung eines Verfahrens zum Verwenden von Quantenpunkten, die stabiler sind und eine verbesserte Emissionsfähigkeit aufweisen.
- Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Quantenpunkt-Wellenlängenwandler mit Quantenpunkten angegeben, die optisch stabil sind, ohne dass eine Änderung im Emissionswellenlängenband auftritt, und ein verbessertes Emissionswellenlängenband aufweisen, sowie ein entsprechendes Verfahren zum Herstellen derselben.
- Gemäß einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung wird eine Lichtemissionsvorrichtung angegeben, die einen Quantenpunkt-Wellenlängenwandler verwendet, um die Emissionswellenlänge und die Emissionsintensität unter Verwendung des Quantenpunkt-Wellenlängenwandlers einzustellen.
- Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Quantenpunkt-Wellenlängenwandler angegeben, der umfasst: einen Wellenlängenwandlungsteil, der einen Quantenpunkt zum Wandeln der Wellenlänge eines Erregungslichts und zum Erzeugen eines in der Wellenlänge gewandelten Lichts und ein dispersives Medium zum Dispergieren des Quantenpunkts enthält; und einen Versiegeler zum Versiegeln des Wellenlängenwandlungsteil.
- Der Quantenpunkt kann einen Si-basierten Nanokristal, einen Nanokristall aus einem Verbundhalbleiter der Gruppe II–VI, einen Nanokristall aus einem Verbundhalbleiter der Gruppe III–V, einen Nanokristall aus einem Verbundhalbleiter der Gruppe IV–VI oder eine Mischung aus denselben. Der Nanokristall aus einem Verbundhalbleiter der Gruppe II–VI kann aus der Gruppe gewählt werden, die Cds, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HggZnTe, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe und HgZnSTe umfasst. Der Nanokristall aus einem Verbundhalbleiter der Gruppe III–V kann aus der Gruppe gewählt werden, die GaN, GaP, GaAs, AlN, AlP, AlAs, InN, InP, InAs, GaNP, GaNAs, GaPAs, AlNP, AlNAs, AlPAs, InNP, InNAs, InPAs, GaAlNP, GaAlNAs, GaAlPAs, GaInNP, GaInNAs, GaInPAs, InAlNP, InAlNAs und InAlPAs umfasst. Der Nanokristall aus einem Verbundhalbleiter der Gruppe IV–VI kann SbTe sein.
- Das dispersive Medium kann eine Flüssigkeit sein. Das dispersive Medium kann ein Epoxidharz oder Silikon sein.
- Der Versiegeler kann Silikon enthalten.
- Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zum Herstellen eines Quantenpunkt-Wellenlängenwandlers angegeben, das folgende Schritte umfasst: Dispergieren eines Quantenpunkts zum Wandeln der Wellenlänge eines Erregungslichts und zum Erzeugen eines in der Wellenlängen gewandelten Lichts in einem dispersiven Medium, um einen Wellenlängenwandlungsteil vorzubereiten; und Versiegeln des Wellenlängenwandlungsteils mit einem Versiegeler. Das Versiegeln kann das Schichten einer ersten und einer zweiten Versiegelungsschicht, das Einspritzen des Wellenlängenwandlungsteils in einen Bereich zwischen der ersten und der zweiten Versiegelungsschicht und das Erwärmen und Heißkleben des Wellenlängenwandlungsteils an der ersten und der weiten Versiegelungsschicht umfassen.
- Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung ist eine Lichtemissionsvorrichtung angegeben, die umfasst: eine Lichtemissionsquelle; und einen Quantenpunkt-Wellenlängenwandler, der über der Lichtemissionsquelle in einer Lichtemissionsrichtung angeordnet ist, wobei der Quantenpunkt-Wellenlängenwandler umfasst: einen Wellenlängenwandlungsteil, der einenQuantenpunkt zum Wandeln der Wellenlänge eines Erregungslichts und zum Erzeugen eines in der Wellenlänge gewandelten Lichts und ein dispersives Medium zum Dispergieren des Quantenpunkts enthält; und einen Versiegeler zum Versiegeln des Wellenlängenwandlungsteils. Die Lichtemissionsquelle kann eine LED oder einer Laserdiode sein.
- Der Quantenpunkt-Wellenlängenwandler kann eine Vielzahl von Quantenpunkt-Wellenlängenwandlern umfassen. Wenigstens zwei aus der Vielzahl von Quantenpunkt-Wellenlängenwandlern können jeweils Quantenpunkte enthalten, die das aus der Lichtquelle emittierte Licht zu einem Licht mit einer anderen Wellenlänge wandeln können. Die Lichtemissionsquelle kann blaues Licht emittieren, ein erster Quantenpunkt-Wellenlängenwandler aus der Vielzahl von Wellenlängenwandlern kann rotes Licht emittieren und ein zweiter aus der Vielzahl von Wellenlängenwandlern Quantenpunkt-Wellenlängenwandler kann grünes Licht emittieren.
- Die Lichtemissionsvorrichtung kann weiterhin umfassen: eine Vertiefung, die eine Bodenfläche, auf der die Lichtemissionsquelle montiert ist, und eine Seitenfläche mit einem darauf ausgebildeten Reflexionsteil aufweist; und eine Halterung, die die Vertiefung hält und einen Elektrodenteil aufweist, der elektrisch mit der Lichtemissionsquelle verbunden ist. Die Vertiefung kann mit dem Versiegeler versiegelt werden. Der Versiegeler kann aus Epoxidharz, Silikon, Acrylpolymer, Glas, Carbonatpolymer oder einer Mischung aus denselben bestehen.
- Die oben genannten sowie andere Aspekte, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden durch die folgende ausführliche Beschreibung mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen verdeutlicht.
-
1 zeigt einen Quantenpunkt-Wellenlängenwandler gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung. -
2A bis2C zeigen ein Verfahren zum Herstellen eines Quantenpunkt-Wellenlängenwandlers gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung. -
3 zeigt eine Lichtemissionsvorrichtung mit einem Quantenpunkt-Wellenlängenwandler gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung. -
4 zeigt eine Lichtemissionsvorrichtung mit einem Quantenpunkt-Wellenlängenwandler gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der Erfindung. - Im Folgenden werden beispielhafte Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben. Die Erfindung kann jedoch auch in anderer Form umgesetzt werden und ist nicht auf die hier beschriebenen Ausführungsformen beschränkt. Die beschriebenen Ausführungsformen dienen dazu, die Erfindung für den Fachmann zu verdeutlichen. In den Zeichnungen können bestimmte Formen und Abmessungen der Deutlichkeit halber vergrößert dargestellt werden. In den Zeichnungen werden durchgehend gleiche Bezugszeichen verwendet, um gleiche oder ähnliche Komponenten anzugeben.
-
1 zeigt einen Quantenpunkt-Wellenlängenwandler gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung. Der Quantenpunkt-Wellenlängenwandler100 der vorliegenden Erfindung enthält einen Wellenlängenwandlungsteil110 und einen Versiegeler120 . Der Wellenlängenwandlungsteil110 enthält Quantenpunkte111 , die die Wellenlänge eines Erregungslichts wandeln und ein in der Wellenlänge gewandeltes Licht erzeugen, und ein dispersives Medium112 , das die Quantenpunkte dispergiert. Der Versiegeler120 versiegelt den Wellenlängenwandlungsteil110 . - Der Quantenpunkt-Wellenlängenwandler
100 emittiert ein in der Wellenlänge gewandeltes Licht aus den Quantenpunkten (nachfolgend als in der Wellenlänge gewandeltes Licht bezeichnet), wenn von außen einfallendes Licht (nachfolgend als einfallendes Licht bezeichnet) auf die Quantenpunkte111 trifft. Deshalb dient der Quantenpunkt-Wellenlängenwandler100 dazu, die Wellenlänge des Lichts mittels der Quantenpunkte zu wandeln. Im Folgenden wird der Teil des einfallenden Lichts, der eine kürzere Wellenlänge aufweist als das Emissionslicht der Quantenpunkte111 , als Erregungslicht bezeichnet. - Die Quantenpunkte
111 sind wie weiter oben genannt Leuchtkörper in einer Nanogröße, wobei es sich um einen Halbleiter-Nanokristall handeln kann. Die Quantenpunkte können in der vorliegenden Ausführungsform einen Si-Nanokristall, einen Nanokristall aus einem Verbundhalbleiter der Gruppe II–VI, einen Nanokristall aus einem Verbundhalbleiter der Gruppe III–V, einen Nanokristall aus einem Verbundhalbleiter der Gruppe IV–VI oder eine Mischung aus denselben verwenden. - Dabei kann der Nanokristall aus einem Verbundhalbleiter der Gruppe II–VI aus der Gruppe gewählt werden, die CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HggZnTe, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe und HgZnSTe umfasst, wobei die vorliegende Erfindung jedoch nicht darauf beschränkt ist.
- Weiterhin kann der Nanokristall aus einem Verbundhalbleiter der Gruppe III–V aus der Gruppe gewählt werden, die GaN, GaP, GaAs, AlN, AlP, AlAs, InN, InP, InAs, GaNP, GaNAs, GaPAs, AlNP, AlNAs, InNP, InNAs, InPAs, GaAlNP, GaAlNAs, GaAlPAs, GaInNP, GalnAs, GaInPAs, InAlNP, InAlNAs und InAlPAs umfasst, wobei die vorliegende Erfindung jedoch nicht darauf beschränkt ist.
- Weiterhin kann als Nanokristall aus einem Verbundhalbleiter der Gruppe IV–VI SbTe gewählt werden, wobei die vorliegende Erfindung jedoch nicht hierauf beschränkt ist.
- In der vorliegenden Ausführungsform sind die Quantenpunkte
111 in dem dispersiven Medium112 dispergiert. Das dispersive Medium112 kann eine Flüssigkeit sein. Wenn das dispersive Medium112 als Flüssigkeit mit den Quantenpunkten111 gemischt und durch den Versiegeler120 versiegelt wird, ist der Zustand des dispersiven Medium112 einer in einem Kunststoffpack eingeschlossenen Flüssigkeit ähnlich. Das dispersive Medium112 ist also nicht in seiner Form beschränkt und kann einfach genutzt und gehandhabt werden. Das dispersive Medium12 kann zum Beispiel aus Epoxidharz oder Silikon bestehen. Der Quantenpunkt-Wellenlängenwandler100 sollte das Erregungslicht empfangen und das in der Wellenlänge gewandelte Licht emittieren. Dementsprechend kann das dispersive Medium112 aus einem Material bestehen, das durch das Erregungslicht nicht gefärbt oder verändert wird. - Der Versiegeler
120 zum Versiegeln des Wellenlängenwandlungsteils kann eine Art von Polymerpack verwenden, der nicht durch den Wellenlängenwandlungsteil110 korrodiert wird, in dem die Quantenpunkte dispergiert sind. Außerdem kann der Versiegeler120 ein Silikon verwenden. Das Polymerkunstharz kann erwärmt und verklebt werden, sodass ein Polymerkunstharz und eine Schicht als Versiegeler verwendet werden können, um einen Pack vorzusehen, in dem der Wellenlängenwandlungsteil110 durch Heißkleben vorgesehen ist. Das Verfahren zum Herstellen des Quantenpunkt-Wellenlängenwandlers110 wird im Folgenden mit Bezug auf2 beschrieben. - Die Quantenpunkte
111 sind in dem dispersiven Medium112 in einem unverdünnten, flüssigen Zustand dispergiert, ohne nach der Synthese gereinigt worden zu sein, und werden durch den Versiegeler120 versiegelt. Deshalb weisen die Quantenpunkte111 eine hohe Emissionsfähigkeit auf, ohne unter Problemen wie etwa einer geringen Lichtemission oder einer Änderung in der Emissionswellenlänge in einem Reinigungsprozess zu leiden. -
2A bis2C zeigen ein Verfahren zum Herstellen eines Quantenpunkt-Wellenlängenwandlers gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung. - Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung werden für die Herstellung des Quantenpunkt-Wellenlängenwandlers Quantenpunkte
211 in einem dispersiven Medium212 dispergiert, um einen Wellenlängenwandlungsteil210 vorzubereiten. Dann wird der Wellenlängenwandlungsteil210 durch die Versiegeler221 und222 versiegelt. - Der Wellenlängenwandlungsteil
210 kann auf verschiedene Weise versiegelt werden. Um in der vorliegenden Ausführungsform den Wellenlängenwandlungsteil210 zu versiegeln, werden zuerst eine erste und eine zweite Versiegelungsschicht221 und222 übereinander geschichtet (siehe2A ). Dabei werden die erste Versiegelungsschicht221 und die zweite Versiegelungsschicht222 nur übereinander geschichtet, aber nicht miteinander verklebt. - Dann wird der Wellenlängenwandlungsteil
210 zwischen der ersten und der zweiten Versiegelungsschicht221 ,222 eingespritzt (siehe2B ). Die erste und die zweite Versiegelungsschicht221 und222 sind nicht miteinander verklebt, sondern erst nach dem Einspritzen des Wellenlängenwandlungsteils210 werden die Umfangsteile230 des Wellenlängenwandlungsteils210 erhitzt und heißgeklebt (siehe2C ). Deshalb wird der Wellenlängenwandlungsteil210 zwischen der ersten Versiegelungsschicht221 und der zweiten Versiegelungsschicht222 angeordnet und wird der Wellenlängenwandlungsteil versiegelt, um einen Quantenpunkt-Wellenlängenwandler200 zu erzeugen. - Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung umfasst eine Lichtemissionsvorrichtung eine Lichtemissionsquelle und einen Quantenpunkt-Wellenlängenwandler.
3 zeigt eine Lichtemissionsvorrichtung einschließlich eines Quantenpunkt-Wellenlängenwandlers gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung. - Gemäß der vorliegenden Erfindung umfasst die Lichtemissionsvorrichtung
300 eine Lichtemissionsquelle340 und einen Quantenpunkt-Wellenlängenwandler360 . Der Quantenpunkt-Wellenlängenwandler360 umfasst einen Wellenlängenwandlungsteil und einen Versiegeler363 zum Verseigeln des Wellenlängenwandlungsteils. Dabei enthält der Wellenlängenwandlungsteil Quantenpunkte und ein dispersives Medium362 zum Dispergieren der Quantenpunkte361 . - Wie in
3 gezeigt, umfasst die Lichtemissionsquelle340 in der Lichtemissionsvorrichtung300 der vorliegenden Erfindung eine Vertiefung und eine Halterung310 . Die Vertiefung umfasst eine Bodenfläche, auf der die Lichtemissionsquelle340 angeordnet ist, und eine Seitenfläche, an der ein Reflexionsteil320 ausgebildet ist. Die Halterung310 hält die Vertiefung und weist einen Elektrodenteil330 auf, der elektrisch mit der Lichtquelle verbunden ist. Der Elektrodenteil330 umfasst zwei Elektrodenteile mit verschiedenen Polaritäten, die elektrisch voneinander isoliert sind. - Die Lichtemissionsquelle
340 kann eine LED oder eine Laserdiode sein. die Lichtemissionsquelle340 kann Licht mit einer kürzeren Wellenlänge emittieren als die Quantenpunkte361 des Quantenpunkt-Wellenlängenwandlers360 . Die Lichtemissionsquelle340 kann zum Beispiel eine blaue LED verwenden. Es kann eine Galliumnitrid-LED verwendet werden, die blaues Licht mit einer Wellenlänge von 420 bis 480 nm emittiert. - Die Halterung
310 weist eine daran ausgebildete Anschlusselektrode330 auf, die über einen Draht mit der Lichtemissionsquelle340 verbunden werden kann. Eine Kapsel351 , die mit einem Kapselmaterial gefüllt ist, ist an der Lichtemissionsquelle340 ausgebildet, um die Lichtemissionsquelle340 einzukapseln. Wenn weiterhin der Quantenpunkt-Wellenlängenwandler360 auf der ersten Kapsel351 angeordnet ist, kann weiterhin eine zweite Kapsel352 ausgebildet sein, um die erste Kapsel351 zu schützen und zu fixieren. Das Kapselmaterial kann aus Epoxidharz, Silikon, Acrylpolymer, Glas, Carbonatpolymer oder aus einer Mischung derselben bestehen. - Der Quantenpunkt-Wellenlängenwandler
360 kann Quantenpunkte in Entsprechung zu der Wellenlänge des für die Lichtemissionsvorrichtung300 gewünschten Lichts enthalten. In den Zeichnungen ist der Quantenpunkt-Wellenlängenwandler360 auf der ersten Kapsel351 angeordnet gezeigt. Der Quantenpunkt-Wellenlängenwandler360 kann jedoch auch derart konfiguriert sein, dass er um eine Fläche der Lichtemissionsquelle340 herum angeordnet ist, ohne dass hierfür eine erste Kapsel351 verwendet wird. Der Quantenpunkt-Wellenlängenwandler360 kann verschieden konfiguriert sein, solange das aus der Lichtemissionsquelle340 emittierte Licht auf ihn einfallen kann und in der Wellenlänge gewandelt werden kann. - Wenn die Lichtemissionsquelle
340 blaues Licht emittiert und die Quantenpunkte361 des Quantenpunkt-Wellenlängenwandlers360 gelbes Licht emittieren, kann die Lichtemissionsvorrichtung300 weißes Licht emittieren. -
4 zeigt eine Lichtemissionsvorrichtung mit einem Quantenpunkt-Wellenlängenwandler gemäß einer anderen beispielhaften Ausführungsform der Erfindung. In der vorliegenden Ausführungsform umfasst die Lichtemissionsvorrichtung400 einen ersten Quantenpunkt-Wellenlängenwandler460 und einen zweiten Quantenpunkt-Wellenlängenwandler470 . In der Lichtemissionsvorrichtung400 von4 funktionieren eine Halterung410 , ein Elektrodenteil430 , ein Reflexionsteil420 , eine Lichtemissionsquelle440 und ein Kapselmaterial genauso wie in der vorausgehenden Ausführungsform und werden deshalb hier nicht nochmals näher beschrieben. - In der Lichtemissionsvorrichtung
400 der vorliegenden Ausführungsform kann der Quantenpunkt-Wellenlängenwandler eine Vielzahl von Quantenpunkt-Wellenlängenwandlern umfassen. Wie in4 gezeigt, wird einer von wenigstens zwei Quantenpunkt-Wellenlängenwandlern, der der Lichtemissionsquelle440 näher ist, als erster Quantenpunkt-Wellenlängenwandler460 bezeichnet, während der andere Quantenpunkt-Wellenlängenwandler als zweiter Quantenpunkt-Wellenlängenwandler470 bezeichnet wird. Die Lichtemissionsquelle440 ist im montierten Zustand in einer ersten Kapsel451 eingeschlossen, wobei der erste Quantenpunkt-Wellenlängenwandler460 darauf angeordnet ist und in der zweiten Kapsel452 eingeschlossen ist. Weiterhin ist der weite Quantenpunkt-Wellenlängenwandler470 auf der zweiten Kapsel452 angeordnet und in einer dritten Kapsel453 eingeschlossen. Die Lichtemissionsvorrichtung mit den wenigstens zwei Quantenpunkt-Wellenlängenwandlern kann weißes Licht oder Licht in verschiedenen Farben einfacher emittieren. - Wenigstens zwei aus der Vielzahl von Quantenpunkt-Wellenlängenwandlers können jeweils verschiedene die Wellenlänge wandelnde Quantenpunkte enthalten. So kann der erste Quantenpunkt-Wellenlängenwandler
460 erste Quantenpunkte461 enthalten und kann der zweite Quantenpunkt-Wellenlängenwandler470 zweite Quantenpunkte462 enthalten. Die ersten und die zweiten Quantenpunkte461 und462 können jeweils verschiedene Wellenlängenwandlungen vorsehen. Wenn die Lichtemissionsquelle440 zum Beispiel blaues Licht emittiert, der erste Quantenpunkt-Wellenlängenwandler460 rotes Licht emittiert und der zweite Quantenpunkt-Wellenlängenwandler470 grünes Licht emittiert, kann die Lichtemissionsvorrichtung insgesamt weißes Licht emittieren. Auch wenn die Lichtemissionsquelle440 , der erste Quantenpunkt-Wellenlängenwandler460 und der zweiten Quantenpunkt-Wellenlängenwandler470 blaues Licht, rotes und grünes Licht in einer anderen Kombination emittieren, kann die Lichtemissionsvorrichtung insgesamt weißes Licht emittieren. der erste Quantenpunkt-Wellenlängenwandler460 und der zweite Quantenpunkt-Wellenlängenwandler470 können eine Vielzahl von Quantenpunkten enthalten, die jeweils verschiedene Emissionswellenlängenbänder aufweisen. - Die in
4 gezeigte Lichtemissionsvorrichtung umfasst zwei Quantenpunkt-Wellenlängenwandler, kann aber zum Beispiel auch drei Quantenpunkt-Wellenlängenwandler umfassen. Wenn also die Lichtemissionsquelle in einer anderen Ausführungsform einen ultravioletten Strahl emittiert und die drei Quantenpunkt-Wellenlängenwandler jeweils blaues Licht, grünes Licht und rotes Licht emittieren, kann die Lichtemissionsvorrichtung insgesamt weißes Licht emittieren. Um die weißes Licht emittierende Lichtemissionsvorrichtung zu erzeugen, kann anstelle der Verwendung von die Wellenlänge wandelnden Quantenpunkte einer Farbe in dem Quantenpunkt-Wellenlängenwandler ein Farbstoff zu dem Kapselmaterial zugesetzt werden, das in Verbindung mit dem Quantenpunkt-Wellenlängenwandler verwendet wird. - Die in
3 und4 gezeigten Lichtemissionsvorrichtungen sind in einer Packungskonfiguration gezeigt, wobei sie jedoch nicht darauf beschränkt sind. Zum Beispiel kann die Lichtemissionsvorrichtung auch als Lichtemissionsvorrichtung des Lampentyps ausgebildet sein. - Wie vorstehend erläutert, werden in beispielhaften Ausführungsformen der Erfindung Quantenpunkte in einem Quantenpunkt-Wellenlängenwandler als unverdünnte Lösung versiegelt, ohne gereinigt zu werden. Es ist also kein zusätzlicher Reinigungsprozess erforderlich, wodurch eine Änderung des Emissionswellenlängenbandes aufgrund einer Oberflächenoxidation während der Reinigung des Liganden verhindert wird.
- In einem Verfahren zum Herstellen eines Quantenpunkt-Wellenlängenwandlers kann ein Wellenlängenwandler des Packungstyps mit darin enthaltenen Quantenpunkten unabhängig von der Größe oder der Art der Quantenpunkte konfiguriert werden. Deshalb können die Wellenlängenwandler in einem einfachen Prozess hergestellt und bequem für verschiedene Zwecke genutzt werden. Außerdem kann die Dichte der Quantenpunkte in einer Zusammensetzung bestimmt werden, indem die Dichte der verwendeten Quantenpunkte entsprechend vorgesehen wird, um eine Quantenpunktzusammensetzung mit hoher Quantendichte zu erzeugen.
- Weiterhin wird der Quantenpunkt-Wellenlängenwandler als Wellenlängenwandler für das aus einer Lichtemissionsquelle emittierte Licht verwendet, um sicherzustellen, dass eine weißes Licht emittierende Lichtemissionsvorrichtung einfach hergestellt werden kann.
- Die vorliegende Erfindung wurde anhand von beispielhaften Ausführungsformen gezeigt und beschrieben, wobei dem Fachmann deutlich sein sollte, dass verschiedene Modifikationen und Variationen an den beschriebenen Ausführungsformen vorgenommen werden können, ohne dass deshalb der durch die beigefügten Ansprüche definierte Erfindungsumfang verlassen wird.
- ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
- Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
- Zitierte Patentliteratur
-
- - KR 2008-086984 [0001]
Claims (17)
- Quantenpunkt-Wellenlängenwandler, der umfasst: einen Wellenlängenwandlungsteil (
110 ;210 ), der einen Quantenpunkt (111 ;211 ) zum Wandeln der Wellenlänge eines Erregungslichts und zum Erzeugen eines in der Wellenlänge gewandelten Lichts und ein dispersives Medium (112 ;212 ) zum Dispergieren des Quantenpunkts (111 ;211 ) enthält, und einen Versiegeler (120 ;220 ) zum Versiegeln des Wellenlängenwandlungsteils (110 ;210 ). - Quantenpunkt-Wellenlängenwandler nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Quantenpunkt (
111 ;211 ) einen Si-basierten Nanokristall, einen Nanokristall aus einem Verbundhalbleiter der Gruppe II–VI, einen Nanokristall aus einem Verbundhalbleiter der Gruppe III–V, einen Nanokristall aus einem Verbundhalbleiter der Gruppe IV–VI oder eine Mischung aus denselben umfasst. - Quantenpunkt-Wellenlängenwandler nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Nanokristall aus einem Verbundhalbleiter der Gruppe II–VI aus der Gruppe gewählt ist, die Cds, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HggZnTe, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe und HgZnSTe umfasst.
- Quantenpunkt-Wellenlängenwandler nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Nanokristall aus einem Verbundhalbleiter der Gruppe III–V aus der Gruppe gewählt ist, die GaN, GaP, GaAs, AlN, AlP, AlAs, InN, InP, InAs, GaNP, GaNAs, GaPAs, AlNP, AlNAs, AlPAs, InNP, InNAs, InPAs, GaAlNP, GaAlNAs, GaAlPAs, GaInNP, GaInNAs, GaInPAs, InAlNP, InAlNAs und InAlPAs umfasst.
- Quantenpunkt-Wellenlängenwandler nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Nanokristall aus einem Verbundhalbleiter der Gruppe IV–VI SbTe umfasst.
- Quantenpunkt-Wellenlängenwandler nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das dispersive Medium (
112 ;212 ) eine Flüssigkeit ist. - Quantenpunkt-Wellenlängenwandler nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das dispersive Medium (
112 ;212 ) ein Epoxidharz oder Silikon ist. 8 Quantenpunkt-Wellenlängenwandler nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Versiegeler (120 ;220 ) Silikon umfasst. - Verfahren zum Herstellen eines Quantenpunkt-Wellenlängenwandlers, wobei das Verfahren folgende Schritte umfasst: Dispergieren einer Quantenpunkts zum Wandeln der Wellenlänge eines Erregungslichts und zum Erzeugen eines in der Wellenlänge gewandelten Lichts in einem dispersiven Medium, um einen Wellenlängenwandlungsteil vorzubereiten, und Versiegeln des Wellenlängenwandlungsteils mit einem Versiegeler.
- Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass das Versiegeln umfasst: Schichten einer ersten und einer zweiten Versiegelungsschicht, Einspritzen des Wellenlängenwandlungsteils in einen Bereich zwischen der ersten und der zweiten Versiegelungsschicht, und Erwärmen und Heißkleben des Wellenlängenwandlungsteils an die erste und die zweite Versiegelungsschicht.
- Lichtemissionsvorrichtung, die umfasst: eine Lichtemissionsquelle (
340 ;440 ), und einen Quantenpunkt-Wellenlängenwandler (360 ;460 ,470 ), der über der Lichtemissionsquelle (340 ;440 ) in einer Lichtemissionsrichtung angeordnet ist, wobei der Quantenpunkt-Wellenlängenwandler (340 ;440 ) umfasst: einen Wellenlängenwandlungsteil, der einen Quantenpunkt (361 ;461 ,462 ) zum Wandeln der Wellenlänge eines Erregungslichts und zum Erzeugen eines in der Wellenlänge gewandelten Lichts und ein dispersives Medium (362 ;462 ,472 ) zum Dispergieren des Quantenpunkts (361 ;461 ,462 ) enthält, und einen Versiegeler (363 ;463 ,473 ) zum Versiegeln des Wellenlängenwandlungsteils. - Lichtemissionsvorrichtung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Lichtemissionsquelle (
340 ;440 ) eine LED oder eine Laserdiode ist. - Lichtemissionsvorrichtung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass der Quantenpunkt-Wellenlängenwandler (
360 ;460 ,470 ) eine Vielzahl von Quantenpunkt-Wellenlängenwandlern umfasst. - Lichtemissionsvorrichtung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens zwei aus der Vielzahl von Quantenpunkt-Wellenlängenwandlern (
360 ;460 ,470 ) jeweils Quantenpunkte (361 ;461 ,462 ) enthalten, die das aus der Lichtequelle (340 ;440 ) emittiere Licht zu einem Licht mit einer anderen Wellenlänge wandeln können. - Lichtemissionsvorrichtung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass die Lichtemissionsvorrichtung (
340 ;440 ) blaues Licht emittiert, ein erster Quantenpunkt-Wellenlängenwandler aus der Vielzahl von Quantenpunkt-Wellenlängenwandlern (360 ;460 ,470 ) rotes Licht emittiert, und ein zweiter Quantenpunkt-Wellenlängenwandler aus der Vielzahl von Quantenpunkt-Wellenlängenwandlern (360 ;460 ,470 ) grünes Licht emittiert. - Lichtemissionsvorrichtung nach Anspruch 9, weiterhin gekennzeichnet durch: eine Vertiefung mit einer Bodenfläche, auf der die Lichtemissionsquelle (
340 ;440 ) montiert wird, und mit einer Seitenfläche, die einen darauf ausgebildeten Reflexionsteil (320 ;420 ) aufweist, und eine Halterung (310 ;410 ), die die Vertiefung hält und einen Elektrodenteil (330 ;430 ) aufweist, der elektrisch mit der Lichtemissionsquelle (340 ;440 ) verbunden ist. - Lichtemissionsvorrichtung nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass die Vertiefung durch einen Versiegeler (
363 ;463 ,473 ) versiegelt ist. - Lichtemissionsvorrichtung nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass der Versiegeler (
363 ;463 ,473 ) aus der Gruppe gewählt wird, die Epoxidharz, Silikon, Acrylpolymer, Glas, Carbonatpolymer oder eine Mischung aus denselben umfasst.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080086984A KR100982991B1 (ko) | 2008-09-03 | 2008-09-03 | 양자점 파장변환체, 양자점 파장변환체의 제조방법 및 양자점 파장변환체를 포함하는 발광장치 |
KR10-2008-0086984 | 2008-09-03 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102009013569A1 true DE102009013569A1 (de) | 2010-03-04 |
Family
ID=41606273
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102009013569A Withdrawn DE102009013569A1 (de) | 2008-09-03 | 2009-03-17 | Quantenpunkt-Wellenlängenwandler, Verfahren zum Herstellen desselben und Lichtemissionsvorrichtung einschließlich desselben |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US20100051898A1 (de) |
JP (3) | JP2010061098A (de) |
KR (1) | KR100982991B1 (de) |
CN (1) | CN101666952B (de) |
DE (1) | DE102009013569A1 (de) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012012202A1 (en) * | 2010-07-21 | 2012-01-26 | Abl Ip Holding Llc | Solid state light emitter with phosphors dispersed in a liquid or gas for producing high cri white light |
WO2014085424A1 (en) * | 2012-11-30 | 2014-06-05 | Corning Incorporated | Led lighting devices with quantum dot glass containment plates |
WO2014159894A1 (en) * | 2013-03-14 | 2014-10-02 | Corning Incorporated | Led lighting devices |
DE102014118351A1 (de) * | 2014-12-10 | 2016-06-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Licht emittierende Vorrichtung |
US10158057B2 (en) | 2010-10-28 | 2018-12-18 | Corning Incorporated | LED lighting devices |
EP3540300A1 (de) * | 2010-11-10 | 2019-09-18 | Nanosys, Inc. | Quantenpunktfilme, beleuchtungsvorrichtungen und beleuchtungsverfahren |
US11198270B2 (en) | 2008-12-30 | 2021-12-14 | Nanosys, Inc. | Quantum dot films, lighting devices, and lighting methods |
Families Citing this family (150)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8718437B2 (en) * | 2006-03-07 | 2014-05-06 | Qd Vision, Inc. | Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products |
US9297092B2 (en) | 2005-06-05 | 2016-03-29 | Qd Vision, Inc. | Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products |
US9874674B2 (en) | 2006-03-07 | 2018-01-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products |
US8849087B2 (en) * | 2006-03-07 | 2014-09-30 | Qd Vision, Inc. | Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products |
EP2041478B1 (de) * | 2006-03-07 | 2014-08-06 | QD Vision, Inc. | Halbleiternanokristalle enthaltender artikel |
US9951438B2 (en) | 2006-03-07 | 2018-04-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products |
US8836212B2 (en) * | 2007-01-11 | 2014-09-16 | Qd Vision, Inc. | Light emissive printed article printed with quantum dot ink |
JP5399923B2 (ja) | 2007-01-24 | 2014-01-29 | レイブンブリック,エルエルシー | 温度応答切換型光ダウンコンバーティングフィルタ |
US8363307B2 (en) * | 2007-02-28 | 2013-01-29 | Ravenbrick, Llc | Multicolor light emitting device incorporating tunable quantum confinement devices |
US7936500B2 (en) * | 2007-03-02 | 2011-05-03 | Ravenbrick Llc | Wavelength-specific optical switch |
KR101672553B1 (ko) | 2007-06-25 | 2016-11-03 | 큐디 비젼, 인크. | 조성물 및 나노물질의 침착을 포함하는 방법 |
CN101802679B (zh) | 2007-07-11 | 2012-12-12 | 雷文布里克有限责任公司 | 热开关反射型光闸 |
WO2009014707A2 (en) | 2007-07-23 | 2009-01-29 | Qd Vision, Inc. | Quantum dot light enhancement substrate and lighting device including same |
US8128249B2 (en) * | 2007-08-28 | 2012-03-06 | Qd Vision, Inc. | Apparatus for selectively backlighting a material |
WO2009039423A1 (en) * | 2007-09-19 | 2009-03-26 | Ravenbrick, Llc | Low-emissivity window films and coatings incoporating nanoscale wire grids |
US8169685B2 (en) | 2007-12-20 | 2012-05-01 | Ravenbrick, Llc | Thermally switched absorptive window shutter |
WO2009145813A1 (en) | 2008-03-04 | 2009-12-03 | Qd Vision, Inc. | Particles including nanoparticles, uses thereof, and methods |
US8634137B2 (en) * | 2008-04-23 | 2014-01-21 | Ravenbrick Llc | Glare management of reflective and thermoreflective surfaces |
JP2011524064A (ja) | 2008-05-06 | 2011-08-25 | キユーデイー・ビジヨン・インコーポレーテツド | 量子閉じ込め半導体ナノ粒子を含有する固体照明装置 |
US9207385B2 (en) | 2008-05-06 | 2015-12-08 | Qd Vision, Inc. | Lighting systems and devices including same |
WO2009137053A1 (en) | 2008-05-06 | 2009-11-12 | Qd Vision, Inc. | Optical components, systems including an optical component, and devices |
US9116302B2 (en) * | 2008-06-19 | 2015-08-25 | Ravenbrick Llc | Optical metapolarizer device |
KR101331058B1 (ko) | 2008-08-20 | 2013-11-20 | 라벤브릭 엘엘씨 | 열변색 필터를 제조하는 방법 |
US8343575B2 (en) | 2008-12-30 | 2013-01-01 | Nanosys, Inc. | Methods for encapsulating nanocrystals and resulting compositions |
US10214686B2 (en) | 2008-12-30 | 2019-02-26 | Nanosys, Inc. | Methods for encapsulating nanocrystals and resulting compositions |
US20100264371A1 (en) * | 2009-03-19 | 2010-10-21 | Nick Robert J | Composition including quantum dots, uses of the foregoing, and methods |
US8284336B2 (en) | 2009-04-10 | 2012-10-09 | Ravenbrick Llc | Thermally switched optical filter incorporating a guest-host architecture |
WO2010129374A2 (en) | 2009-04-28 | 2010-11-11 | Qd Vision, Inc. | Optical materials, optical components, and methods |
EP2465147B1 (de) | 2009-08-14 | 2019-02-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Beleuchtungsvorrichtungen, optische komponente für eine beleuchtungsvorrichtung und verfahren dafür |
WO2011031876A1 (en) | 2009-09-09 | 2011-03-17 | Qd Vision, Inc. | Formulations including nanoparticles |
KR101865888B1 (ko) | 2009-09-09 | 2018-06-08 | 삼성전자주식회사 | 나노입자들을 포함하는 입자, 그의 용도, 및 방법 |
WO2011047385A1 (en) | 2009-10-17 | 2011-04-21 | Qd Vision, Inc. | An optical, component, products including same, and methods for making same |
US8867132B2 (en) * | 2009-10-30 | 2014-10-21 | Ravenbrick Llc | Thermochromic filters and stopband filters for use with same |
JP5734993B2 (ja) | 2009-11-17 | 2015-06-17 | レイブンブリック,エルエルシー | 屈折性光学構造を組み込んだ温度応答切換型光学フィルタ |
US8217406B2 (en) | 2009-12-02 | 2012-07-10 | Abl Ip Holding Llc | Solid state light emitter with pumped nanophosphors for producing high CRI white light |
ES2748829T3 (es) * | 2010-03-29 | 2020-03-18 | Ravenbrick Llc | Dispositivo de cristal líquido termotrópico estabilizado por polímero |
EP2576934A4 (de) | 2010-06-01 | 2014-01-01 | Ravenbrick Llc | Multifunktionelles konstruktionsteil |
WO2011153034A1 (en) * | 2010-06-04 | 2011-12-08 | 3M Innovative Properties Company | Light converting and emitting device with minimal edge recombination |
US8294168B2 (en) * | 2010-06-04 | 2012-10-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light source module using quantum dots, backlight unit employing the light source module, display apparatus, and illumination apparatus |
KR101718066B1 (ko) * | 2010-06-04 | 2017-03-20 | 삼성전자 주식회사 | 양자점을 이용한 광원모듈, 이를 채용한 백라이트장치, 디스플레이장치, 및 조명장치 |
US20110303940A1 (en) * | 2010-06-14 | 2011-12-15 | Hyo Jin Lee | Light emitting device package using quantum dot, illumination apparatus and display apparatus |
KR20110136676A (ko) * | 2010-06-14 | 2011-12-21 | 삼성엘이디 주식회사 | 양자점을 이용한 발광소자 패키지, 조광 장치 및 디스플레이 장치 |
KR101154368B1 (ko) * | 2010-09-27 | 2012-06-15 | 엘지이노텍 주식회사 | 광변환부재 제조방법 및 그 제조방법으로 제조된 광변환부재를 포함하는 백라이트 유닛 |
CN106935576A (zh) * | 2010-09-29 | 2017-07-07 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 波长转换的发光器件 |
KR101219953B1 (ko) * | 2010-11-03 | 2013-01-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 광 변환 부재, 이를 포함하는 표시장치 및 이의 제조방법 |
KR101210101B1 (ko) * | 2010-11-23 | 2012-12-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 표시장치 |
EP2655961A4 (de) | 2010-12-23 | 2014-09-03 | Qd Vision Inc | Optisches element mit quantenpunkten |
CN102559191A (zh) * | 2010-12-27 | 2012-07-11 | 中国科学院深圳先进技术研究院 | 多元量子点及其水相合成方法 |
KR101199064B1 (ko) * | 2011-01-21 | 2012-11-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 광 변환 부재, 이를 포함하는 표시장치 및 이의 제조방법 |
KR20120085103A (ko) | 2011-01-21 | 2012-07-31 | 엘지이노텍 주식회사 | 표시장치 및 광 변환 부재의 제조방법 |
KR101210066B1 (ko) | 2011-01-31 | 2012-12-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 광 변환 부재 및 이를 포함하는 표시장치 |
KR101223671B1 (ko) * | 2011-02-19 | 2013-01-17 | 충남대학교산학협력단 | 양자점 나노입자가 분산된 에폭시 고분자 복합체 제조방법 |
KR101262634B1 (ko) | 2011-03-14 | 2013-05-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 표시장치 |
AU2015213403B2 (en) * | 2011-03-17 | 2017-04-13 | Valoya Oy | Plant illumination device and method for dark growth chambers |
EP2499900A1 (de) * | 2011-03-17 | 2012-09-19 | Valoya Oy | Verfahren und Mittel zur Verbesserung von Gewächshauslichtern |
ES2894833T3 (es) | 2011-03-17 | 2022-02-16 | Valoya Oy | Dispositivo y método de iluminación de plantas para cámaras de crecimiento oscuras |
DE11158693T8 (de) * | 2011-03-17 | 2013-04-25 | Valoya Oy | Pflanzenbeleuchtungsvorrichtung und Verfahren |
KR20120107793A (ko) * | 2011-03-22 | 2012-10-04 | 엘지이노텍 주식회사 | 표시장치 및 광 변환 부재 |
CN103443941A (zh) * | 2011-03-31 | 2013-12-11 | 松下电器产业株式会社 | 半导体发光装置 |
KR101327085B1 (ko) | 2011-05-24 | 2013-11-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치 |
EP2721652B1 (de) * | 2011-06-20 | 2019-05-08 | Crystalplex Corporation | Quantenpunkt mit einem lichtmodul |
WO2013001686A1 (ja) * | 2011-06-29 | 2013-01-03 | パナソニック株式会社 | 発光装置 |
KR101305696B1 (ko) | 2011-07-14 | 2013-09-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 표시장치 및 광학 부재 |
KR20130009020A (ko) * | 2011-07-14 | 2013-01-23 | 엘지이노텍 주식회사 | 광학 부재, 이를 포함하는 표시장치 및 이의 제조방법 |
KR101241549B1 (ko) | 2011-07-18 | 2013-03-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 광학 부재, 이를 포함하는 표시장치 및 이의 제조방법 |
KR101893494B1 (ko) | 2011-07-18 | 2018-08-30 | 엘지이노텍 주식회사 | 광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치 |
KR101262520B1 (ko) * | 2011-07-18 | 2013-05-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치 |
KR101294415B1 (ko) | 2011-07-20 | 2013-08-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치 |
CA2847185A1 (en) | 2011-09-01 | 2013-03-07 | Ravenbrick, Llc | Thermotropic optical shutter incorporating coatable polarizers |
KR101644050B1 (ko) * | 2011-09-09 | 2016-08-01 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 나노결정을 포함하는 케이스 및 이를 포함하는 광전자 소자 |
KR101219984B1 (ko) * | 2011-09-16 | 2013-01-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치 |
KR101294427B1 (ko) * | 2011-09-30 | 2013-08-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치 |
CN103048861A (zh) * | 2011-10-13 | 2013-04-17 | 宏碁股份有限公司 | 可提高发光效率的图像产生装置 |
RU2616080C2 (ru) * | 2011-10-20 | 2017-04-12 | Конинклейке Филипс Н.В. | Источник света с квантовыми точками |
KR101275803B1 (ko) * | 2011-10-27 | 2013-06-18 | 연세대학교 산학협력단 | 발광 장치 및 발광 시스템 |
IN2014CN00426A (de) * | 2011-10-31 | 2015-04-03 | Koninkl Philips Nv | |
KR101251815B1 (ko) | 2011-11-07 | 2013-04-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 광학 시트 및 이를 포함하는 표시장치 |
CN102368583B (zh) * | 2011-11-15 | 2013-01-23 | 浙江工业大学 | 一种提高固体激光器泵浦利用效率的方法及其产品 |
WO2013078251A1 (en) | 2011-11-22 | 2013-05-30 | Qd Vision, Inc. | Stress-resistant component for use with quantum dots |
KR101349426B1 (ko) * | 2011-11-28 | 2014-01-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 광학 부재 및 표시장치 |
KR101326905B1 (ko) * | 2011-12-01 | 2013-11-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치 |
CN102403426B (zh) * | 2011-12-09 | 2014-08-13 | 江苏康纳思光电科技有限公司 | 一种制造宽色域白光led的方法 |
US9701897B2 (en) | 2012-02-03 | 2017-07-11 | Koninklijke Philips N.V. | Materials and methods for dispersing nano particles in matrices with high quantum yields and stability |
WO2013122819A1 (en) * | 2012-02-15 | 2013-08-22 | Qd Vision, Inc. | Method of making components including quantum dots, methods, and products |
CN103258942A (zh) * | 2012-02-20 | 2013-08-21 | 联胜(中国)科技有限公司 | 光学结构体以及发光装置 |
JP6192897B2 (ja) * | 2012-04-11 | 2017-09-06 | サターン ライセンシング エルエルシーSaturn Licensing LLC | 発光装置、表示装置および照明装置 |
EP2837041B1 (de) | 2012-04-13 | 2019-07-03 | Lumileds Holding B.V. | Lichtkonversionsanordnung, lampe und leuchte |
KR101393748B1 (ko) * | 2012-04-27 | 2014-05-12 | 엘지이노텍 주식회사 | 광 변환 부재 및 광 변환 부재 제조 방법 |
KR101338678B1 (ko) * | 2012-04-27 | 2013-12-06 | 엘지이노텍 주식회사 | 광 변환 부재 및 광 변환 부재 제조 방법 |
KR101417271B1 (ko) * | 2012-05-09 | 2014-07-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 광 변환 부재의 제조 방법, 광 변환 부재 및 표시장치 |
KR102072769B1 (ko) | 2012-05-14 | 2020-02-03 | 루미리즈 홀딩 비.브이. | 원격 나노구조 형광체를 갖는 발광 장치 |
US9929325B2 (en) | 2012-06-05 | 2018-03-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Lighting device including quantum dots |
JP2014056896A (ja) * | 2012-09-11 | 2014-03-27 | Ns Materials Kk | 半導体を利用した発光デバイス及びその製造方法 |
CN104755585A (zh) * | 2012-10-25 | 2015-07-01 | 皇家飞利浦有限公司 | 用于硅酮中的量子点的基于pdms的配体 |
CN104755586B (zh) | 2012-10-25 | 2018-02-06 | 皇家飞利浦有限公司 | 用于硅酮中的量子点的基于pdms的配体 |
JP6623157B2 (ja) | 2013-08-16 | 2019-12-18 | 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. | 光学部品を作製する方法、光学部品、および光学部品を含む製品 |
KR102108994B1 (ko) * | 2013-08-30 | 2020-05-12 | 삼성전자주식회사 | 광 변환 소자 및 그 제조 방법, 그리고 이를 포함하는 광원 유닛 |
JP6469108B2 (ja) * | 2013-11-19 | 2019-02-13 | 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. | ルミネッセンス粒子、これを含む材料および製品、ならびに方法 |
KR101571047B1 (ko) | 2013-11-21 | 2015-11-23 | ㈜에코플럭스 | 나노형광체를 포함하는 필름 |
CN103681990B (zh) * | 2013-12-11 | 2017-09-01 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Led封装件及其制作方法 |
CN103672732A (zh) * | 2013-12-11 | 2014-03-26 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种量子点透镜及其制造方法 |
CN103943733B (zh) * | 2014-03-24 | 2016-08-17 | 上海交通大学 | 一种基于垂直纳米线的led超平行光源的制备方法 |
US9708532B2 (en) * | 2014-03-28 | 2017-07-18 | Nanoco Technologies Ltd. | Quantum dot compositions |
KR101555954B1 (ko) | 2014-04-01 | 2015-09-30 | 코닝정밀소재 주식회사 | 발광 다이오드의 색변환용 기판 및 그 제조방법 |
KR101549406B1 (ko) * | 2014-04-04 | 2015-09-03 | 코닝정밀소재 주식회사 | 발광 다이오드의 색변환용 기판 및 그 제조방법 |
KR20150116986A (ko) * | 2014-04-08 | 2015-10-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 퀀텀 도트 시트 및 이를 포함하는 라이트 유닛과 액정 표시 장치 |
KR20160009720A (ko) * | 2014-07-16 | 2016-01-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 백라이트 유닛 |
US10756241B2 (en) | 2014-07-22 | 2020-08-25 | Lumileds Llc | Siloxane ligands to be used for dispersing quantum dots in silicone hosts to obtain color converters for LED lighting |
WO2016016134A1 (en) * | 2014-07-28 | 2016-02-04 | Koninklijke Philips N.V. | Silica coated quantum dots with improved quantum efficiency |
KR102404563B1 (ko) * | 2014-08-06 | 2022-06-02 | 엔에스 마테리얼스 아이엔씨. | 수지 성형품 및 그 제조방법, 그리고 파장 변환 부재, 조명 부재 |
JP6323299B2 (ja) * | 2014-10-31 | 2018-05-16 | 日本電気硝子株式会社 | 波長変換部材及び発光デバイス |
KR101643052B1 (ko) * | 2014-11-06 | 2016-07-27 | 포항공과대학교 산학협력단 | 파장변환입자, 파장변환입자의 제조방법, 및 파장변환입자를 포함하는 발광 소자 |
US11205757B2 (en) | 2014-11-06 | 2021-12-21 | Sn Display Co., Ltd. | Core-shell structured perovskite particle light-emitter, method of preparing the same and light emitting device using the same |
WO2016072810A1 (ko) | 2014-11-06 | 2016-05-12 | 포항공과대학교 산학협력단 | 엑시톤 버퍼층을 포함하는 페로브스카이트 발광 소자 및 이의 제조방법 |
KR101724210B1 (ko) | 2014-11-06 | 2017-04-07 | 포항공과대학교 산학협력단 | 페로브스카이트 발광소자용 발광층 및 이의 제조방법과 이를 이용한 페로브스카이트 발광소자 |
KR101660167B1 (ko) * | 2015-02-04 | 2016-09-26 | 엘지전자 주식회사 | 광 변환 부재, 이를 포함하는 백라이트 유닛 및 표시장치 |
KR101662437B1 (ko) * | 2015-03-26 | 2016-10-04 | 한국광기술원 | 지향각 가변형 발광 패키지 |
KR102319111B1 (ko) | 2015-03-30 | 2021-11-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 소자 |
JP6729568B2 (ja) * | 2015-05-25 | 2020-07-22 | コニカミノルタ株式会社 | ガスバリアーフィルム、波長変換部材及びバックライトユニット |
JP6433592B2 (ja) | 2015-06-17 | 2018-12-05 | 富士フイルム株式会社 | 積層フィルムおよび積層フィルムの製造方法 |
CN107708992B (zh) | 2015-06-18 | 2019-07-09 | 富士胶片株式会社 | 层叠膜 |
CN107921737B (zh) | 2015-08-10 | 2019-10-18 | 富士胶片株式会社 | 层叠膜 |
JP6556240B2 (ja) | 2015-08-10 | 2019-08-07 | 富士フイルム株式会社 | 蛍光体含有フィルムおよびバックライトユニット |
WO2017026349A1 (ja) | 2015-08-12 | 2017-02-16 | 富士フイルム株式会社 | 積層フィルム |
US10261330B2 (en) | 2015-08-25 | 2019-04-16 | Christie Digital Systems Usa, Inc. | System for producing an output light beam of a given spectrum |
CN105116629A (zh) * | 2015-09-16 | 2015-12-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种封框胶组合物、显示面板及其制备方法、显示装置 |
CN105093382A (zh) * | 2015-09-25 | 2015-11-25 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种偏光片 |
CN105226146A (zh) * | 2015-09-28 | 2016-01-06 | 吉林大学 | 液态量子点led及其制备方法 |
US9881955B2 (en) | 2015-10-14 | 2018-01-30 | Omnivision Technologies, Inc. | Quantum dot image sensor |
JP6509091B2 (ja) | 2015-10-20 | 2019-05-08 | 富士フイルム株式会社 | 波長変換積層フィルム |
TWI567124B (zh) * | 2015-11-16 | 2017-01-21 | 財團法人工業技術研究院 | 波長轉換組成物、波長轉換結構及其應用 |
WO2017111099A1 (ja) * | 2015-12-22 | 2017-06-29 | 富士フイルム株式会社 | 波長変換フィルム |
CN105739012A (zh) * | 2016-02-18 | 2016-07-06 | 青岛海信电器股份有限公司 | 光传输结构 |
DE102016103463A1 (de) | 2016-02-26 | 2017-08-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements |
WO2018043543A1 (ja) | 2016-09-02 | 2018-03-08 | 富士フイルム株式会社 | 蛍光体含有フィルムおよびバックライトユニット |
JP6758387B2 (ja) | 2016-09-02 | 2020-09-23 | 富士フイルム株式会社 | 蛍光体含有フィルムおよびバックライトユニット |
JP6846756B2 (ja) * | 2016-09-27 | 2021-03-24 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 光源装置および表示装置 |
JP6676184B2 (ja) | 2016-11-07 | 2020-04-08 | 富士フイルム株式会社 | 蛍光体含有フィルムおよびバックライトユニット |
WO2018084289A1 (ja) | 2016-11-07 | 2018-05-11 | 富士フイルム株式会社 | 蛍光体含有フィルムおよびバックライトユニット |
KR102689844B1 (ko) * | 2017-01-23 | 2024-07-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 파장 변환 부재 및 이를 포함하는 백라이트 유닛 |
CN107658385B (zh) * | 2017-02-23 | 2019-07-19 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 量子点薄膜及其制备方法 |
WO2018186300A1 (ja) | 2017-04-04 | 2018-10-11 | 富士フイルム株式会社 | 蛍光体含有フィルムおよびバックライトユニット |
WO2019065193A1 (ja) | 2017-09-28 | 2019-04-04 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 波長変換部材及び光源 |
TWI650398B (zh) * | 2017-12-08 | 2019-02-11 | Chi Mei Corporation | 發光材料與應用之顯示裝置 |
TWI794127B (zh) * | 2018-02-20 | 2023-02-21 | 晶元光電股份有限公司 | 發光元件及其製作方法 |
CN108832473B (zh) * | 2018-06-07 | 2019-10-11 | 东南大学 | 一种毛细管力驱动制备的微腔量子点激光器及制备方法 |
TWI744583B (zh) | 2018-12-21 | 2021-11-01 | 奇美實業股份有限公司 | 量子點及其製造方法與應用 |
KR102301723B1 (ko) | 2019-07-30 | 2021-09-13 | 서울대학교산학협력단 | 하이브리드 파장변환체, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 발광장치 |
CN110951478A (zh) * | 2019-11-13 | 2020-04-03 | 华南农业大学 | 双发射荧光材料及其制备方法和其在led器件中的应用 |
EP4012003B1 (de) | 2020-12-09 | 2024-02-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Farbfilter und vorrichtungen damit |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20080086984A (ko) | 2006-01-05 | 2008-09-29 | 마이크로소프트 코포레이션 | 메타데이터의 문서 적용 방법 및 컴퓨터 판독가능 매체 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0783784B1 (de) * | 1994-09-29 | 2000-11-08 | BRITISH TELECOMMUNICATIONS public limited company | Optische faser mit quatenpunkten |
US6501091B1 (en) * | 1998-04-01 | 2002-12-31 | Massachusetts Institute Of Technology | Quantum dot white and colored light emitting diodes |
JP2002053150A (ja) * | 2000-08-10 | 2002-02-19 | Daiwa Gravure Co Ltd | 詰め替え用パッケージ |
JP2003026192A (ja) * | 2001-05-10 | 2003-01-29 | Hosokawa Yoko Co Ltd | 液体収容袋 |
US6734465B1 (en) * | 2001-11-19 | 2004-05-11 | Nanocrystals Technology Lp | Nanocrystalline based phosphors and photonic structures for solid state lighting |
US7054513B2 (en) * | 2003-06-09 | 2006-05-30 | Virginia Tech Intellectual Properties, Inc. | Optical fiber with quantum dots |
US7226953B1 (en) * | 2003-11-17 | 2007-06-05 | Los Alamos National Security, Llc | Nanocrystal/sol-gel nanocomposites |
TWI236162B (en) | 2003-12-26 | 2005-07-11 | Ind Tech Res Inst | Light emitting diode |
JP2005228996A (ja) * | 2004-02-13 | 2005-08-25 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置 |
TWI229465B (en) * | 2004-03-02 | 2005-03-11 | Genesis Photonics Inc | Single chip white light component |
US7235792B2 (en) * | 2004-05-19 | 2007-06-26 | Carl Scott Elofson | Color-tuned volumetric light using high quantum yield nanocrystals |
JP2006213334A (ja) * | 2005-02-01 | 2006-08-17 | Lion Corp | 詰め替え用パウチ |
EP1861876A1 (de) * | 2005-03-24 | 2007-12-05 | Tir Systems Ltd. | Halbleiter-beleuchtungseinrichtungs-gehäuse |
CN101138104B (zh) * | 2005-06-23 | 2011-08-24 | 伦斯勒工业学院 | 利用短波长led和下变频材料产生白光的封装设计 |
US7342277B2 (en) * | 2005-11-21 | 2008-03-11 | Intel Corporation | Transistor for non volatile memory devices having a carbon nanotube channel and electrically floating quantum dots in its gate dielectric |
JP4771837B2 (ja) | 2005-11-28 | 2011-09-14 | 京セラ株式会社 | 波長変換器および発光装置 |
US20080173886A1 (en) * | 2006-05-11 | 2008-07-24 | Evident Technologies, Inc. | Solid state lighting devices comprising quantum dots |
KR100819337B1 (ko) | 2006-06-14 | 2008-04-02 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 양자점을 이용한 백색광 led 구조 및 그 제조 방법 |
KR100901947B1 (ko) * | 2006-07-14 | 2009-06-10 | 삼성전자주식회사 | 반도체 나노결정을 이용하는 백색 발광 다이오드 및 그의제조방법 |
-
2008
- 2008-09-03 KR KR1020080086984A patent/KR100982991B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2009
- 2009-02-27 JP JP2009045793A patent/JP2010061098A/ja not_active Withdrawn
- 2009-03-03 US US12/397,102 patent/US20100051898A1/en not_active Abandoned
- 2009-03-17 DE DE102009013569A patent/DE102009013569A1/de not_active Withdrawn
- 2009-03-20 CN CN200910128665XA patent/CN101666952B/zh not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-06-28 JP JP2010146175A patent/JP2010258469A/ja active Pending
-
2011
- 2011-06-14 US US13/160,140 patent/US20110240960A1/en not_active Abandoned
-
2014
- 2014-03-12 JP JP2014048818A patent/JP2014143431A/ja not_active Withdrawn
- 2014-04-25 US US14/262,092 patent/US20140230992A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20080086984A (ko) | 2006-01-05 | 2008-09-29 | 마이크로소프트 코포레이션 | 메타데이터의 문서 적용 방법 및 컴퓨터 판독가능 매체 |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10899105B2 (en) | 2008-12-30 | 2021-01-26 | Nanosys, Inc. | Quantum dot films, lighting devices, and lighting methods |
US11198270B2 (en) | 2008-12-30 | 2021-12-14 | Nanosys, Inc. | Quantum dot films, lighting devices, and lighting methods |
US11396158B2 (en) | 2008-12-30 | 2022-07-26 | Nanosys, Inc. | Quantum dot films, lighting devices, and lighting methods |
US11420412B2 (en) | 2008-12-30 | 2022-08-23 | Nanosys, Inc. | Quantum dot films, lighting devices, and lighting methods |
WO2012012202A1 (en) * | 2010-07-21 | 2012-01-26 | Abl Ip Holding Llc | Solid state light emitter with phosphors dispersed in a liquid or gas for producing high cri white light |
US10158057B2 (en) | 2010-10-28 | 2018-12-18 | Corning Incorporated | LED lighting devices |
EP3540300A1 (de) * | 2010-11-10 | 2019-09-18 | Nanosys, Inc. | Quantenpunktfilme, beleuchtungsvorrichtungen und beleuchtungsverfahren |
WO2014085424A1 (en) * | 2012-11-30 | 2014-06-05 | Corning Incorporated | Led lighting devices with quantum dot glass containment plates |
US9202996B2 (en) | 2012-11-30 | 2015-12-01 | Corning Incorporated | LED lighting devices with quantum dot glass containment plates |
WO2014159894A1 (en) * | 2013-03-14 | 2014-10-02 | Corning Incorporated | Led lighting devices |
DE102014118351A1 (de) * | 2014-12-10 | 2016-06-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Licht emittierende Vorrichtung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010258469A (ja) | 2010-11-11 |
JP2010061098A (ja) | 2010-03-18 |
KR20100027892A (ko) | 2010-03-11 |
CN101666952A (zh) | 2010-03-10 |
US20110240960A1 (en) | 2011-10-06 |
CN101666952B (zh) | 2013-05-29 |
JP2014143431A (ja) | 2014-08-07 |
KR100982991B1 (ko) | 2010-09-17 |
US20100051898A1 (en) | 2010-03-04 |
US20140230992A1 (en) | 2014-08-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE102009013569A1 (de) | Quantenpunkt-Wellenlängenwandler, Verfahren zum Herstellen desselben und Lichtemissionsvorrichtung einschließlich desselben | |
KR101018111B1 (ko) | 양자점-금속산화물 복합체, 양자점-금속산화물 복합체의 제조방법 및 양자점-금속산화물 복합체를 포함하는 발광장치 | |
RU2616080C2 (ru) | Источник света с квантовыми точками | |
KR102648400B1 (ko) | 양자점 컬러 필터 및 이를 구비하는 표시 장치 | |
US8251528B2 (en) | Wavelength conversion plate and light emitting device using the same | |
KR100901947B1 (ko) | 반도체 나노결정을 이용하는 백색 발광 다이오드 및 그의제조방법 | |
JP2006322001A (ja) | コーティングされたナノ粒子およびそれを利用した電子素子 | |
CN103229318A (zh) | 利用量子点的植物生长用led | |
US9410082B2 (en) | Semiconductor phosphor nanoparticle and light-emitting device including the same | |
CN109001932A (zh) | 显示设备 | |
KR102108994B1 (ko) | 광 변환 소자 및 그 제조 방법, 그리고 이를 포함하는 광원 유닛 | |
US20200127174A1 (en) | Light emitting diode package with enhanced quantum dot reliability | |
KR20150072848A (ko) | 파장 변환체 및 이를 포함하는 액정표시장치 | |
US11742462B2 (en) | Display device and manufacturing method thereof | |
US20220298410A1 (en) | Quantum dot microcapsule and display panel including the same | |
US11282987B2 (en) | Display device and manufacturing method thereof | |
KR20220008551A (ko) | 전자 소자 및 이를 포함하는 표시 장치 | |
KR102303927B1 (ko) | 블록 공중합체로 형성되는 마이셀 고분자 보호막의 제조방법 및 이에 의해 제조된 마이셀 고분자 보호막으로 둘러싸인 양자점 | |
KR102402197B1 (ko) | 그레이디드-멀티쉘 구조 기반의 양자점 및 그 제조방법 | |
US20230126029A1 (en) | Display device and electronic device | |
KR101921611B1 (ko) | 반도체 나노결정 필름 | |
KR100990303B1 (ko) | 나노결정 발광 소자 | |
CN118401059A (zh) | 颜色转换面板和显示装置 | |
KR20230013694A (ko) | 다원계 반도체 나노결정의 제조 방법, 다원계 반도체 나노 결정 및 이를 포함한 양자점 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: SAMSUNG LED CO.,LTD., SUWON, KYONGGI, KR |
|
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD., SUWON-SI, KR Free format text: FORMER OWNER: SAMSUNG ELECTRO - MECHANICS CO., LTD., SUWON, KYONGGI, KR Effective date: 20110228 |
|
R079 | Amendment of ipc main class |
Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: H01L0031160000 Ipc: H01L0033500000 Effective date: 20110603 Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: H01L0031160000 Ipc: H01L0033500000 |
|
R016 | Response to examination communication | ||
R082 | Change of representative |
Representative=s name: GRUENECKER, KINKELDEY, STOCKMAIR & SCHWANHAEUS, DE |
|
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD., SUWON-SI, KR Free format text: FORMER OWNER: SAMSUNG LED CO.,LTD., SUWON, KYONGGI, KR Effective date: 20121204 Owner name: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD., KR Free format text: FORMER OWNER: SAMSUNG LED CO.,LTD., SUWON, KR Effective date: 20121204 |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: GRUENECKER PATENT- UND RECHTSANWAELTE PARTG MB, DE Effective date: 20121204 Representative=s name: GRUENECKER, KINKELDEY, STOCKMAIR & SCHWANHAEUS, DE Effective date: 20121204 |
|
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |