KR20100027892A - 양자점 파장변환체, 양자점 파장변환체의 제조방법 및 양자점 파장변환체를 포함하는 발광장치 - Google Patents

양자점 파장변환체, 양자점 파장변환체의 제조방법 및 양자점 파장변환체를 포함하는 발광장치 Download PDF

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Abstract

발광파장대의 변화없이 광학적으로 안정하고 발광성능이 향상된 양자점을 포함하는 양자점 파장변환체가 제안된다. 본 발명의 양자점 파장변환체는, 양자점 및 상기 양자점을 분산시키는 분산매질을 포함하는 파장변환부; 및 파장변환부를 밀봉하는 밀봉부재;를 포함한다.
양자점, 파장변환, 밀봉부재

Description

양자점 파장변환체, 양자점 파장변환체의 제조방법 및 양자점 파장변환체를 포함하는 발광장치{Quantum dot-wavelength conversion device, preparing method of the same and light-emitting device comprising the same}
본 발명은 양자점 파장변환체, 양자점 파장변환체의 제조방법 및 양자점 파장변환체를 포함하는 발광장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 발광파장대의 변화없이 광학적으로 안정하고 발광성능이 향상된 양자점을 포함하는 양자점 파장변환체, 양자점 파장변환체의 제조방법 및 양자점 파장변환체를 이용하여 보다 간단하게 발광파장과 발광세기 조절이 가능한 발광장치를 제공하는데 있다.
양자점은 나노 크기의 반도체 물질로서 양자제한(quantum confinement) 효과를 나타내는 물질이다. 양자점은 통상의 형광체보다 강한 빛을 좁은 파장대에서 발생시킨다. 양자점의 발광은 전도대에서 가전자대로 들뜬 상태의 전자가 전이하면서 발생되는데 같은 물질의 경우에도 입자 크기에 따라 파장이 달리지는 특성을 나타낸다. 양자점의 크기가 작아질수록 짧은 파장의 빛을 발광하기 때문에 크기를 조절하여 원하는 파장 영역의 빛을 얻을 수 있다.
양자점은 여기파장(excitation wavelength)을 임의로 선택해도 발광하므로 여러 종류의 양자점이 존재할 때 하나의 파장으로 여기시켜도 여러가지 색의 빛을 한번에 관찰할 수 있다. 또한, 양자점은 전도대의 바닥진동상태에서 가전자대의 바닥진동상태로만 전이하므로 발광파장이 거의 단색광이다.
양자점은 약 10nm 이하의 직경을 갖는 반도체 물질의 나노결정이다. 양자점으로서 나노결정을 합성하는 방법으로는 MOCVD(metal organic chemical vapor deposition)나 MBE(molecular beamepitaxy)와 같은 기상 증착법으로 양자점을 제조하거나, 유기 용매에 전구체 물질을 넣어 결정을 성장시키는 화학적 습식 방법이 이용된다.
화학적 습식 방법은 결정이 성장될 때 유기 용매가 자연스럽게 양자점 결정 표면에 배위되어 분산제 역할을 하게 함으로써 결정의 성장을 조절하는 방법으로, MOCVD또는 MBE와 같은 기상 증착법보다 더 쉽고 저렴한 공정을 통하여 나노결정의 크기와 형태의 균일도를 조절할 수 있는 장점을 갖는다.
화학적 습식 공정으로 제조된 양자점은 원액 그대로 사용하지 않고 저장 또는 사용시의 편이를 위하여 양자점 주변에 소정의 리간드를 배위시킨다. 양자점의 리간드로 사용되는 물질로는 예를 들면, 트리옥틸포스핀 옥사이드(trioctylphosphine oxide, TOPO)가 있다. 이러한 양자점을 발광장치에 사용하는 경우에는 수지 등의 봉지물질에 첨가하기 전, 양자점은 리간드를 제거하기 위한 정제과정을 거쳐야 한다.
양자점을 정제하면, 발광성 감소, 표면 리간드 제거로 인한 용액 내 침전 또는 표면산화현상으로 인한 발광파장대 변경과 같은 부작용이 발생하게 된다. 이러한 문제점을 해결하기 위하여, 양자점을 유기물로 캡핑(capping)하거나, 양자점을 양자점의 밴드갭보다 큰 물질로 표면을 감싸는 방법이 개발되었다.
그러나, 양자점 자체를 유기물로 캡핑하거나 다른 밴드갭이 더 큰 물질로 감싸는 방법은 공정면에서나 비용면에서 그 효용성에 문제가 제기되었다. 따라서, 더욱 안정적이고 발광성능도 향상된 양자점을 이용할 수 있는 방법의 개발이 요청되었다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 발광파장대의 변화없이 광학적으로 안정하고 발광성능이 향상된 양자점을 포함하는 양자점 파장변환체 및 그의 제조방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 측면은 양자점 파장변환체를 이용하여 보다 간단하게 발광파장과 발광세기 조절이 가능한 발광장치를 제공하는데 있다.
이상과 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 양자점 파장변환체는 여기광을 파장변환하여 파장변환광을 발생시키는 양자점 및 양자점을 분산시키는 분산매질을 포함하는 파장변환부; 및 파장변환부를 밀봉하는 밀봉부재;를 포함한다.
양자점은 Si계 나노결정, II-VI족계 화합물 반도체 나노결정, III-V족계 화합물 반도체 나노결정, IV-VI족계 화합물 반도체 나노결정 및 이들의 혼합물 중 어느 하나의 나노결정을 포함할 수 있다. 이 중, II-VI족계 화합물 반도체 나노결정은 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HggZnTe, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe 및 HgZnSTe로 구성된 군으로부터 선택될 수 있고, III-V족계 화합물 반도체 나노결정은 GaN, GaP, GaAs, AlN, AlP, AlAs, InN, InP, InAs, GaNP, GaNAs, GaPAs, AlNP, AlNAs, AlPAs, InNP, InNAs, InPAs, GaAlNP, GaAlNAs, GaAlPAs, GaInNP, GaInNAs, GaInPAs, InAlNP, InAlNAs, 및 InAlPAs로 구성된 군으로부터 선택될 수 있으며, IV-VI족계 화합물 반도체 나노결정은 SbTe일 수 있다.
본 발명에서 분산매질은 액체상태이고, 예를 들면, 분산매질은 에폭시 수지 또는 실리콘(silicone)일 수 있다. 파장변환부를 밀봉하는 밀봉부재는 예를 들면, 실리콘(silicone)일 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 분산매질에 여기광을 파장변환하여 파장변환광을 발생시키는 양자점을 분산시켜 파장변환부를 준비하는 단계; 및 파장변환부를 밀봉부재로 밀봉하는 단계;를 포함하는 양자점 파장변환체 제조방법이 제공된다. 여기서, 밀봉하는 단계는, 제1 밀봉시트 및 제2 밀봉시트를 준비하여 적층하는 단계; 제1 및 제2 밀봉시트 사이에 파장변환부를 주입하는 단계; 및 제1 및 제2 밀봉시트의 파장변환부 주위를 가열하여 열점착시키는 단계;를 포함할 수 있다.
본 발명의 또다른 측면에 따르면, 발광원; 및 발광원의 발광방향 상부에 형 성되며, 여기광을 파장변환하여 파장변환광을 발생시키는 양자점 및 양자점을 분산시키는 분산매질을 포함하는 파장변환부 및 파장변환부를 밀봉하는 밀봉부재를 포함하는 양자점 파장변환체;를 포함하는 발광장치가 제공된다. 발광원은 발광 다이오드 및 레이저 다이오드 중 어느 하나일 수 있다.
양자점 파장변환체는 복수개로 구비될 수 있는데, 복수의 양자점 파장변환체 중 적어도 2이상의 층은 서로 다른 파장변환 양자점을 포함하는 것이 바람직하다. 따라서, 발광원은 청색광을 발광하고, 복수의 양자점 파장변환체 중 어느 하나의 제1양자점 파장변환체는 적색광을 방출하며, 복수의 파장변환부 중 제1양자점 파장변환체와 다른 제2양자점 파장변환체는 녹색광을 방출하여 발광장치가 백색을 발광할 수 있다.
발광장치는 발광원이 실장될 바닥면 및 반사부가 형성된 측면을 포함하는 홈부; 및 홈부를 지지하고, 발광원과 전기적으로 연결된 전극부가 형성된 지지부;를 더 포함할 수 있다. 홈부는 봉지물질로 봉지될 수 있는데, 봉지물질은 에폭시, 실리콘, 아크릴계 고분자, 유리, 카보네이트계 고분자 및 이들의 혼합물 중 적어도 어느 하나일 수 있다.
본 발명에 따른 양자점 파장변환체는 양자점이 정제되지 않고 원액상태로 밀 봉되므로 별도의 정제과정이 불필요하여, 리간드 정제 시의 표면 산화로 인한 발광파장대의 변화를 억제할 수 있다.
양자점 파장변환체 제조방법에 따라 양자점 파장변환체를 형성하면, 양자점의 크기나 종류에 무관하게 양자점을 포함하는 팩 형태의 파장변환체를 형성할 수 있으므로 간단한 공정으로 제조하여 여러 다양한 분야에 편리하게 사용할 수 있는 효과가 있다. 또한, 사용하는 양자점의 농도 조절을 통해서 복합체내의 양자점의 농도를 결정하여 고농도의 양자점 복합체를 형성할 수 있다.
아울러, 양자점 파장변환체를 발광원으로부터 발광된 빛의 파장변환체로서 사용하여 백색 발광장치 제작이 용이하다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 설명한다. 그러나 본 발명의 실시형태는 여러가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시형태는 당업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 또한, 본 명세서에 첨부된 도면의 구성요소들은 설명의 편의를 위하여 확대 또는 축소되어 도시되어 있을 수 있음이 고려되어야 한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 양자점 파장변환체를 도시하는 도면이다. 본 발명의 일실시예에 따른 양자점 파장변환체(100)는 여기광을 파장변환하여 파장변환광을 발생시키는 양자점(111) 및 양자점을 분산시키는 분산매질(112)을 포함하는 파장변환부(110); 및 파장변환부(110)를 밀봉하는 밀봉부재(120);를 포함한다.
양자점 파장변환체(100)는 외부로부터 입사된 광(이하, 입사광이라 한다)이 양자점(111)에 도달하면, 양자점(111)에서 파장변환된 광(이하, 파장변환광이라 한다)을 발광한다. 따라서, 양자점 파장변환체(100)는 양자점에 의하여 광의 파장을 변환시키는 기능을 하는 장치이다. 이하, 입사광 중 양자점(111)의 발광파장보다 짧은 파장을 갖는 광을 여기광이라 한다.
양자점(111)은 전술한 바와 같이 나노크기의 발광체로서, 반도체 나노결정일 수 있다. 양자점으로는, Si계 나노결정, II-VI족계 화합물 반도체 나노결정, III-V족계 화합물 반도체 나노결정, IV-VI족계 화합물 반도체 나노결정을 예로 들 수 있는데, 본 발명에서 양자점으로는 이들 각각을 단독으로 사용하거나 이들의 혼합물을 사용할 수 있다.
이 중, II-VI족계 화합물 반도체 나노결정은 예를 들면, CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HggZnTe, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe 또는 HgZnSTe가 있는데, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, III-V족계 화합물 반도체 나노결정은 예를 들면, GaN, GaP, GaAs, AlN, AlP, AlAs, InN, InP, InAs, GaNP, GaNAs, GaPAs, AlNP, AlNAs, AlPAs, InNP, InNAs, InPAs, GaAlNP, GaAlNAs, GaAlPAs, GaInNP, GaInNAs, GaInPAs, InAlNP, InAlNAs, 또는 InAlPAs가 있는데, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
아울러, IV-VI족계 화합물 반도체 나노결정은 예를 들면, SbTe일 수 있는데, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명에서 분산매질(112)에는 양자점(111)이 분산되어 있다. 분산매질(112)은 액체상태일 수 있다. 분산매질(112)이 액체상태인 경우, 양자점(111)과 혼합되어 밀봉부재(120)에 의해 밀봉되면, 예를 들어 플라스틱 팩에 액체가 담긴 상태와 유사하게 되어 그 형상에 제약을 받지 않아 사용이나 관리가 용이하다. 분산매질(112)은 예를 들면, 에폭시 수지 또는 실리콘(silicone)일 수 있다. 양자점 파장변환체(100)는 여기광을 받아 파장변환광을 발광해야 하므로 분산매질(112)은 여기광 등에 의하여 변색되거나 변질되지 않는 재질인 것이 바람직하다.
파장변환부를 밀봉하는 밀봉부재(120)는 양자점이 분산된 파장변환부(110)에 의하여 부식되지 않는 종류의 고분자 팩을 이용할 수 있다. 또는 밀봉부재(120)는 실리콘(silicone)을 사용할 수 있다. 고분자 수지는 가열하여 점착이 가능하므로 이를 이용하면 시트 상태의 고분자 수지를 밀봉재로로 하여 열점착방법으로 파장변환부(110)가 내부에 위치하는 팩을 형성할 수 있다. 양자점 파장변환체(100) 제조방법에 대하여는 이하 도 2를 참조하여 더 설명하기로 한다.
양자점(111)은 합성 후 정제과정없이 원액상태로 분산매질(112)에 분산되어 밀봉부재(120)에 의해 밀봉된다. 따라서, 양자점(111)은 정제과정에서의 발광성 감소나 발광파장대 변경과 같은 문제점 없이 높은 수준의 발광성능을 나타낸다.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 일 실시예에 따른 양자점 파장변환체 제조방법의 설명에 제공되는 도면이다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 분산매질(212)에 양자점(211)을 분산시켜 파장변환부(210)를 준비하는 단계; 및 파장변환부(210)를 밀봉부재(221, 222)로 밀봉하는 단계;를 포함하는 양자점 파장변환체 제조방법이 제공된다.
파장변환부(210)를 밀봉부재로 밀봉하는 것은 다양한 방법이 있을 수 있다. 본 발명의 일실시예에 따르면, 준비된 파장변환부(210)를 밀봉하는 단계는, 먼저, 제1 밀봉시트(221) 및 제2 밀봉시트(222)를 준비하여 적층한다(도 2a참조). 이 때, 제1 밀봉시트(221) 및 제2 밀봉시트(222)는 적층되어 있을 뿐, 접착되어있는 상태 가 아닌 것이 바람직하다.
그 다음, 적층된 제1 밀봉시트(221) 및 제2 밀봉시트(222) 사이에, 파장변환부(210)를 주입한다(도 2b참조). 제1 밀봉시트(221) 및 제2 밀봉시트(222)는 접착되어 있지 않기 때문에 파장변환부(110)를 주입한 후에, 파장변환부(210)가 위치하는 영역의 주위영역(230)을 가열하여 열점착시킨다(도 2c참조). 따라서, 제1 밀봉시트(221) 및 제2 밀봉시트(222) 사이에 파장변환부(110)가 위치하고, 파장변환부(110)는 밀봉되어 양자점 파장변환체(100)가 제조된다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 발광원 및 양자점 파장변환체를 포함하는 발광장치가 제공된다. 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 양자점 파장변환체를 포함하는 발광장치를 도시하는 도면이다.
본 발명에 따르면, 발광원(340); 및 발광원(340)의 발광방향 상부에 형성되며, 양자점(361) 및 양자점(361)을 분산시키는 분산매질(362)을 포함하는 파장변환부 및 파장변환부를 밀봉하는 밀봉부재(363)를 포함하는 양자점 파장변환체(360);를 포함하는 발광장치(300)가 제공된다.
도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 발광 장치(300)에서 발광원(340)은 발광원(340)이 실장될 바닥면 및 반사부(320)가 형성된 측면을 포함하는 홈부 및 홈부 를 지지하고, 발광원(340)과 전기적으로 연결된 전극부(330)가 형성된 지지부(310);를 더 포함할 수 있다. 전극부(330)은 극성이 서로 다른 2개로 형성되어 전기적으로 분리된다.
발광원(340)은 발광 다이오드 및 레이저 다이오드 중 어느 하나일 수 있다. 발광원(340)은 양자점 파장변환체(360)의 양자점(361)의 발광파장보다 짧은 파장을 갖는 광을 발광하는 것이 바람직하다. 발광원(340)으로는 예를 들어, 청색 LED를 사용할 수 있는데, 청색 LED로는 420 내지 480nm의 청색광을 발하는 갈륨질화물계 LED를 사용할 수 있다.
지지부(110)에는 단자 전극(130)이 형성되어 와이어를 통해서 발광원(340)와 접속하게 된다. 발광원(340) 상에는 발광원(340)를 봉지하는 봉지물질이 채워져 형성된 제1봉지부(351)가 구비된다. 또한, 양자점 파장변환체(360)가 제1봉지부(351)상에 위치하면, 이를 보호 및 고정하기 위하여 제2봉지부(352)를 더 형성할 수 있다. 봉지물질은 에폭시, 실리콘, 아크릴계 고분자, 유리, 카보네이트계 고분자 및 이들의 혼합물 중 적어도 어느 하나일 수 있다.
양자점 파장변환체(360)는 발광장치(300)로부터 얻고자 하는 빛의 파장에 따라 적절한 양자점을 포함할 수 있다. 본 도면에서, 양자점 파장변환체(360)는 제1봉지부(351)상에 놓여있는 형태로 도시되어 있으나, 제1봉지부(351) 없이 발광 원(340)의 표면을 덮는 형태로 구현될 수도 있고, 발광원(340)으ㄹ로부터 발광된 빛이 입사되어 파장변환될 수 있다면 어떠한 형태로든 위치할 수 있다.
이 때, 발광원(340)이 청색광을 발광하고, 양자점 파장변환체(360)의 양자점(361)이 황색광을 발광하면 발광장치(300)는 백색광을 발광할 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 양자점 파장변환체를 포함하는 발광장치를 도시하는 도면이다. 본 실시예에서는 발광장치(400)가 2개의 양자점 파장변환체인 제1양자점 파장변환체(460) 및 제2양자점 파장변환체(470)를 구비한다. 도 4에 도시된 발광장치(400)에서, 양자점 파장변환체가 2개로 구현된 것을 제외하고는 도 4에서 설명한 지지부(410), 전극부(430), 반사부(420), 발광원(440), 및 봉지물질의 기능은 동일하므로 동일한 설명은 생략하기로 한다.
본 발명의 일실시예의 발광장치(400)에서 양자점 파장변환체는 복수개로 구비될 수 있다. 복수개의 양자점 파장변환체 중 도 4에서 발광원(440)에 더 근접한 것을 제1양자점 파장변환체(460)라 하고, 다른 하나를 제2양자점 파장변환체(470)로 한다. 발광원(440)을 실장하면, 이를 제1봉지부(451)로 봉지하고, 그 위에 제1양자점 파장변환체(460)를 위치시키고, 이를 제2봉지부(452)로 봉지하고, 그 위에 제2양자점 파장변환체(470)을 위치시키고, 이를 제3봉지부(453)로 봉지한다. 2개 이상의 양자점 파장변환체를 포함하는 발광장치는 백색 또는 다양한 발광을 얻기가 보다 용이하다.
복수의 양자점 파장변환체들 중 적어도 2이상의 층은 서로 다른 파장변환 양자점을 포함하는 것이 바람직하다. 따라서, 제1양자점 파장변환체(460)와 제2양자점 파장변환체(470)는 서로 다른 파장변환이 가능한 제1양자점(461) 및 제2양자점(462)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 발광원(440)은 청색광을 발광하고, 제1양자점 파장변환체(460)는 적색광을 방출하며, 제2양자점 파장변환체(470)는 녹색광을 방출하면 발광장치가 최종적으로 백색을 발광할 수 있다. 이와 달리, 발광원(440), 제1양자점 파장변환체(460), 및 제2양자점 파장변환체(470)는 각각 청색, 적색 및 녹색 중 어느 하나의 색상을 발광하여 최종적으로 백색을 발광하도록 할 수 있다. 또한, 제1양자점 파장변환체(460) 및 제2양자점 파장변환체(470)는 각각 서로 다른 발광파장대를 갖는 복수의 양자점을 포함할 수 있다.
또는, 도 4에서는 양자점 파장변환체를 2개 구비한 발광장치가 도시되었으나, 예를 들어, 양자점 파장변환체를 3개 포함할 수 있다. 따라서, 본 실시예와 다른 예에서, 발광원은 자외선을 발광하고, 3개의 양자점 파장변환체가 각각 청색, 녹색 및 적색을 발광하는 경우에도 발광장치가 최종적으로 백색을 발광할 수 있다. 아울러, 백색발광장치를 구성하기 위하여 양자점 파장변환체에 어느 한 색상의 파장변환 양자점을 사용하는 대신, 봉지부에 형광체를 추가하여 양자점 파장변환체와함께 사용할 수 있다.
도 3 및 도 4에서는 발광장치가 각각 패키지 형태로 도시되어 있으나, 반드시 이러한 형태에 한정되는 것은 아니고, 예를 들면, 램프형 발광장치일 수 있다.
본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 따라 한정되는 것이 아니고, 첨부된 청구범위에 따라 한정하고자 하며, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게 자명할 것이다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 양자점 파장변환체를 도시하는 도면이다.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 일 실시예에 따른 양자점 파장변환체 제조방법의 설명에 제공되는 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 양자점 파장변환체를 포함하는 발광장치를 도시하는 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 양자점 파장변환체를 포함하는 발광장치를 도시하는 도면이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
100 양자점 파장변환체 110 파장변환부
111 양자점 112 분산매질
120 밀봉부재

Claims (18)

  1. 여기광을 파장변환하여 파장변환광을 발생시키는 양자점 및 상기 양자점을 분산시키는 분산매질을 포함하는 파장변환부; 및
    상기 파장변환부를 밀봉하는 밀봉부재;를 포함하는 양자점 파장변환체.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 양자점은 Si계 나노결정, II-VI족계 화합물 반도체 나노결정, III-V족계 화합물 반도체 나노결정, IV-VI족계 화합물 반도체 나노결정 및 이들의 혼합물 중 어느 하나의 나노결정을 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 파장변환체.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 II-VI족계 화합물 반도체 나노결정은 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HggZnTe, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe 및 HgZnSTe로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 양자점 파장변환체.
  4. 제 2항에 있어서,
    상기 III-V족계 화합물 반도체 나노결정은 GaN, GaP, GaAs, AlN, AlP, AlAs, InN, InP, InAs, GaNP, GaNAs, GaPAs, AlNP, AlNAs, AlPAs, InNP, InNAs, InPAs, GaAlNP, GaAlNAs, GaAlPAs, GaInNP, GaInNAs, GaInPAs, InAlNP, InAlNAs, 및 InAlPAs로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 양자점 파장변환체.
  5. 제 2항에 있어서,
    상기 IV-VI족계 화합물 반도체 나노결정은 SbTe인 것을 특징으로 하는 양자점 파장변환체.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 분산매질은 액체상태인 것을 특징으로 하는 양자점 파장변환체.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 분산매질은 에폭시 수지 또는 실리콘(silicone)인 것을 특징으로 하는 양자점 파장변환체.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 밀봉부재는 실리콘(silicone)을 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 파장변환체.
  9. 분산매질에 여기광을 파장변환하여 파장변환광을 발생시키는 양자점을 분산시켜 파장변환부를 준비하는 단계; 및
    상기 파장변환부를 밀봉부재로 밀봉하는 단계;를 포함하는 양자점 파장변환체 제조방법.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 밀봉하는 단계는, 제1 밀봉시트 및 제2 밀봉시트를 준비하여 적층하는 단계;
    상기 공간에 상기 파장변환부를 주입하는 단계; 및
    상기 제1 및 제2 밀봉시트의 파장변환부 주위를 가열하여 열점착시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 파장변환체 제조방법.
  11. 발광원; 및
    상기 발광원의 발광방향 상부에 형성되며, 여기광을 파장변환하여 파장변환광을 발생시키는 양자점 및 상기 양자점을 분산시키는 분산매질을 포함하는 파장변환부 및 상기 파장변환부를 밀봉하는 밀봉부재를 포함하는 양자점 파장변환체;를 포함하는 발광장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 발광원은 발광 다이오드 및 레이저 다이오드 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 발광장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 양자점 파장변환체는 복수개인 것을 특징으로 하는 발광장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 복수의 양자점 파장변환체 중 적어도 2이상의 층은 상기 발광원으로부터 발광된 광을 서로 다른 파장으로 변환할 수 있는 양자점들을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광장치.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 발광원은 청색광을 발광하고,
    상기 복수의 파장변환부 중 어느 하나의 제1 양자점 파장변환체는 적색광을 방출하며,
    상기 복수의 파장변환부 중 상기 제1 양자점 파장변환체와 다른 제2 양자점 파장변환체는 녹색광을 방출하는 것을 특징으로 하는 발광장치.
  16. 제9항에 있어서,
    상기 발광원이 실장될 바닥면 및 반사부가 형성된 측면을 포함하는 홈부; 및
    상기 홈부를 지지하고, 상기 발광원과 전기적으로 연결된 전극부가 형성된 지지부;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 홈부는 봉지물질로 봉지된 것을 특징으로 하는 발광장치.
  18. 제 17항에 있어서,
    상기 봉지물질은 에폭시, 실리콘, 아크릴계 고분자, 유리, 카보네이트계 고분자 및 이들의 혼합물 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 발광장치.
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CN200910128665XA CN101666952B (zh) 2008-09-03 2009-03-20 量子点波长转换器及其制造方法以及包括其的发光装置
JP2010146175A JP2010258469A (ja) 2008-09-03 2010-06-28 量子点波長変換体、量子点波長変換体の製造方法及び量子点波長変換体を含む発光装置
US13/160,140 US20110240960A1 (en) 2008-09-03 2011-06-14 Quantum dot-wavelength converter, manufacturing method of the same and light emitting device including the same
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Cited By (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110133398A (ko) * 2010-06-04 2011-12-12 삼성엘이디 주식회사 양자점을 이용한 광원모듈, 이를 채용한 백라이트장치, 디스플레이장치, 및 조명장치
KR101219984B1 (ko) * 2011-09-16 2013-01-09 엘지이노텍 주식회사 광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치
KR101223671B1 (ko) * 2011-02-19 2013-01-17 충남대학교산학협력단 양자점 나노입자가 분산된 에폭시 고분자 복합체 제조방법
WO2013009007A2 (en) * 2011-07-14 2013-01-17 Lg Innotek Co., Ltd. Optical member, display device having the same and method of fabricating the same
WO2013012171A1 (en) * 2011-07-18 2013-01-24 Lg Innotek Co., Ltd. Optical member, display device having the same, and method of fabricating the same
WO2013012173A1 (en) * 2011-07-18 2013-01-24 Lg Innotek Co., Ltd. Optical member and display device having the same
KR20130028487A (ko) * 2011-09-09 2013-03-19 삼성전자주식회사 반도체 나노결정을 포함하는 케이스 및 이를 포함하는 광전자 소자
KR101294427B1 (ko) * 2011-09-30 2013-08-07 엘지이노텍 주식회사 광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치
WO2013122819A1 (en) * 2012-02-15 2013-08-22 Qd Vision, Inc. Method of making components including quantum dots, methods, and products
KR101326905B1 (ko) * 2011-12-01 2013-11-11 엘지이노텍 주식회사 광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치
KR101338678B1 (ko) * 2012-04-27 2013-12-06 엘지이노텍 주식회사 광 변환 부재 및 광 변환 부재 제조 방법
KR101349426B1 (ko) * 2011-11-28 2014-01-08 엘지이노텍 주식회사 광학 부재 및 표시장치
KR101393748B1 (ko) * 2012-04-27 2014-05-12 엘지이노텍 주식회사 광 변환 부재 및 광 변환 부재 제조 방법
KR101417271B1 (ko) * 2012-05-09 2014-07-08 엘지이노텍 주식회사 광 변환 부재의 제조 방법, 광 변환 부재 및 표시장치
WO2015152535A1 (ko) * 2014-04-01 2015-10-08 코닝정밀소재 주식회사 발광 다이오드의 색변환용 기판 및 그 제조방법
WO2016072803A1 (ko) * 2014-11-06 2016-05-12 포항공과대학교 산학협력단 파장변환입자, 파장변환입자의 제조방법, 및 파장변환입자를 포함하는 발광 소자
KR20160095999A (ko) * 2015-02-04 2016-08-12 엘지전자 주식회사 광 변환 부재, 이를 포함하는 백라이트 유닛 및 표시장치
KR101662437B1 (ko) * 2015-03-26 2016-10-04 한국광기술원 지향각 가변형 발광 패키지
KR20160132964A (ko) * 2014-03-28 2016-11-21 나노코 테크놀로지스 리미티드 양자점 조성물
US9557467B2 (en) 2011-03-14 2017-01-31 Lg Innotek Co., Ltd. Display device
KR20170038032A (ko) * 2014-07-28 2017-04-05 코닌클리케 필립스 엔.브이. 개선된 퀀텀 효율을 갖는 실리카 코팅된 퀀텀 닷들
US9715055B2 (en) 2011-07-14 2017-07-25 Lg Innotek Co., Ltd. Display device and optical member
US9720159B2 (en) 2011-01-31 2017-08-01 Lg Innotek Co., Ltd. Optical member and display device including the same
US9829621B2 (en) 2011-07-20 2017-11-28 Lg Innotek Co., Ltd. Optical member and display device having the same
US9851602B2 (en) 2011-07-18 2017-12-26 Lg Innotek Co., Ltd. Optical member and display device having the same
KR20180034228A (ko) * 2016-09-27 2018-04-04 엘지디스플레이 주식회사 광원 장치 및 표시 장치
US10247871B2 (en) 2011-11-07 2019-04-02 Lg Innotek Co., Ltd. Optical sheet, display device and light emitting device having the same
US10964896B2 (en) 2014-11-06 2021-03-30 Postech Academy-Industry Foundation Perovskite light-emitting device
WO2021020695A3 (ko) * 2019-07-30 2021-04-01 서울대학교산학협력단 하이브리드 파장변환체, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 발광장치
US11205757B2 (en) 2014-11-06 2021-12-21 Sn Display Co., Ltd. Core-shell structured perovskite particle light-emitter, method of preparing the same and light emitting device using the same
US11283035B2 (en) 2014-11-06 2022-03-22 Sn Display Co., Ltd. Perovskite light emitting device containing exciton buffer layer and method for manufacturing same
US11808960B2 (en) 2020-12-09 2023-11-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Color filters and devices including the same

Families Citing this family (125)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007103310A2 (en) * 2006-03-07 2007-09-13 Qd Vision, Inc. An article including semiconductor nanocrystals
US8718437B2 (en) * 2006-03-07 2014-05-06 Qd Vision, Inc. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
US9297092B2 (en) 2005-06-05 2016-03-29 Qd Vision, Inc. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
US9874674B2 (en) 2006-03-07 2018-01-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
US9951438B2 (en) 2006-03-07 2018-04-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
US8849087B2 (en) * 2006-03-07 2014-09-30 Qd Vision, Inc. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
US8836212B2 (en) * 2007-01-11 2014-09-16 Qd Vision, Inc. Light emissive printed article printed with quantum dot ink
ES2634506T3 (es) 2007-01-24 2017-09-28 Ravenbrick, Llc Filtro óptico de conversión descendente conmutado térmicamente
US8363307B2 (en) * 2007-02-28 2013-01-29 Ravenbrick, Llc Multicolor light emitting device incorporating tunable quantum confinement devices
US7936500B2 (en) * 2007-03-02 2011-05-03 Ravenbrick Llc Wavelength-specific optical switch
KR101672553B1 (ko) 2007-06-25 2016-11-03 큐디 비젼, 인크. 조성물 및 나노물질의 침착을 포함하는 방법
KR101265393B1 (ko) 2007-07-11 2013-05-20 라벤브릭 엘엘씨 열적 절환식 반사형 광학 셔터
WO2009014707A2 (en) 2007-07-23 2009-01-29 Qd Vision, Inc. Quantum dot light enhancement substrate and lighting device including same
US8128249B2 (en) * 2007-08-28 2012-03-06 Qd Vision, Inc. Apparatus for selectively backlighting a material
EP2195689A4 (en) * 2007-09-19 2012-05-02 Ravenbrick Llc WINDOW FILMS AND COATINGS WITH LOW EMISSIONS WITH NANOMASS BAR WIRE GRILES
US8169685B2 (en) 2007-12-20 2012-05-01 Ravenbrick, Llc Thermally switched absorptive window shutter
WO2009145813A1 (en) 2008-03-04 2009-12-03 Qd Vision, Inc. Particles including nanoparticles, uses thereof, and methods
US8634137B2 (en) * 2008-04-23 2014-01-21 Ravenbrick Llc Glare management of reflective and thermoreflective surfaces
US9207385B2 (en) 2008-05-06 2015-12-08 Qd Vision, Inc. Lighting systems and devices including same
WO2009137053A1 (en) 2008-05-06 2009-11-12 Qd Vision, Inc. Optical components, systems including an optical component, and devices
JP2011524064A (ja) 2008-05-06 2011-08-25 キユーデイー・ビジヨン・インコーポレーテツド 量子閉じ込め半導体ナノ粒子を含有する固体照明装置
US9116302B2 (en) * 2008-06-19 2015-08-25 Ravenbrick Llc Optical metapolarizer device
CN102187262B (zh) * 2008-08-20 2013-06-19 雷文布里克有限责任公司 用于制作热致变色滤光器的方法
US10214686B2 (en) 2008-12-30 2019-02-26 Nanosys, Inc. Methods for encapsulating nanocrystals and resulting compositions
US8343575B2 (en) 2008-12-30 2013-01-01 Nanosys, Inc. Methods for encapsulating nanocrystals and resulting compositions
US11198270B2 (en) 2008-12-30 2021-12-14 Nanosys, Inc. Quantum dot films, lighting devices, and lighting methods
US20100264371A1 (en) * 2009-03-19 2010-10-21 Nick Robert J Composition including quantum dots, uses of the foregoing, and methods
CA2760838C (en) 2009-04-10 2015-06-02 Ravenbrick, Llc Thermally switched optical filter incorporating a guest-host architecture
US8947760B2 (en) 2009-04-23 2015-02-03 Ravenbrick Llc Thermotropic optical shutter incorporating coatable polarizers
WO2010129374A2 (en) 2009-04-28 2010-11-11 Qd Vision, Inc. Optical materials, optical components, and methods
JP2013502047A (ja) 2009-08-14 2013-01-17 キユーデイー・ビジヨン・インコーポレーテツド 照明装置、照明装置用光学部品および方法
WO2011031876A1 (en) 2009-09-09 2011-03-17 Qd Vision, Inc. Formulations including nanoparticles
EP2475717A4 (en) 2009-09-09 2015-01-07 Qd Vision Inc PARTICLES WITH NANOPARTICLES, USES THEREOF AND METHOD THEREFOR
KR101791580B1 (ko) 2009-10-17 2017-10-30 삼성전자주식회사 광학 요소, 이를 포함한 제품, 및 그 제조 방법
WO2011053853A2 (en) * 2009-10-30 2011-05-05 Ravenbrick Llc Thermochromic filters and stopband filters for use with same
WO2011062708A2 (en) 2009-11-17 2011-05-26 Ravenbrick Llc Thermally switched optical filter incorporating a refractive optical structure
US20110127555A1 (en) * 2009-12-02 2011-06-02 Renaissance Lighting, Inc. Solid state light emitter with phosphors dispersed in a liquid or gas for producing high cri white light
US8217406B2 (en) 2009-12-02 2012-07-10 Abl Ip Holding Llc Solid state light emitter with pumped nanophosphors for producing high CRI white light
ES2748829T3 (es) * 2010-03-29 2020-03-18 Ravenbrick Llc Dispositivo de cristal líquido termotrópico estabilizado por polímero
CA2801399C (en) 2010-06-01 2016-03-29 Ravenbrick, Llc Multifunctional building component
WO2011153034A1 (en) * 2010-06-04 2011-12-08 3M Innovative Properties Company Light converting and emitting device with minimal edge recombination
US8294168B2 (en) * 2010-06-04 2012-10-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Light source module using quantum dots, backlight unit employing the light source module, display apparatus, and illumination apparatus
US20110303940A1 (en) * 2010-06-14 2011-12-15 Hyo Jin Lee Light emitting device package using quantum dot, illumination apparatus and display apparatus
KR20110136676A (ko) * 2010-06-14 2011-12-21 삼성엘이디 주식회사 양자점을 이용한 발광소자 패키지, 조광 장치 및 디스플레이 장치
KR101154368B1 (ko) * 2010-09-27 2012-06-15 엘지이노텍 주식회사 광변환부재 제조방법 및 그 제조방법으로 제조된 광변환부재를 포함하는 백라이트 유닛
WO2012042452A2 (en) * 2010-09-29 2012-04-05 Koninklijke Philips Electronics N.V. Wavelength converted light emitting device
US10158057B2 (en) 2010-10-28 2018-12-18 Corning Incorporated LED lighting devices
KR101219953B1 (ko) * 2010-11-03 2013-01-08 엘지이노텍 주식회사 광 변환 부재, 이를 포함하는 표시장치 및 이의 제조방법
KR20200039806A (ko) 2010-11-10 2020-04-16 나노시스, 인크. 양자 도트 필름들, 조명 디바이스들, 및 조명 방법들
KR101210101B1 (ko) * 2010-11-23 2012-12-07 엘지이노텍 주식회사 표시장치
EP2655961A4 (en) 2010-12-23 2014-09-03 Qd Vision Inc OPTICAL ELEMENT CONTAINING QUANTUM POINTS
CN102559191A (zh) * 2010-12-27 2012-07-11 中国科学院深圳先进技术研究院 多元量子点及其水相合成方法
KR101199064B1 (ko) * 2011-01-21 2012-11-07 엘지이노텍 주식회사 광 변환 부재, 이를 포함하는 표시장치 및 이의 제조방법
KR20120085103A (ko) * 2011-01-21 2012-07-31 엘지이노텍 주식회사 표시장치 및 광 변환 부재의 제조방법
EP2500951A1 (en) 2011-03-17 2012-09-19 Valoya Oy Plant illumination device and method
EP2499900A1 (en) * 2011-03-17 2012-09-19 Valoya Oy Method and means for enhancing greenhouse lights
AU2015213403B2 (en) * 2011-03-17 2017-04-13 Valoya Oy Plant illumination device and method for dark growth chambers
ES2616308T3 (es) * 2011-03-17 2017-06-12 Valoya Oy Método para cámaras de crecimiento oscuras
KR20120107793A (ko) * 2011-03-22 2012-10-04 엘지이노텍 주식회사 표시장치 및 광 변환 부재
WO2012132232A1 (ja) * 2011-03-31 2012-10-04 パナソニック株式会社 半導体発光装置
KR101327085B1 (ko) 2011-05-24 2013-11-07 엘지이노텍 주식회사 광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치
US10539297B2 (en) 2011-06-20 2020-01-21 Crystalplex Corporation Quantum dot containing light module
WO2013001686A1 (ja) * 2011-06-29 2013-01-03 パナソニック株式会社 発光装置
CN103048861A (zh) * 2011-10-13 2013-04-17 宏碁股份有限公司 可提高发光效率的图像产生装置
WO2013057702A1 (en) 2011-10-20 2013-04-25 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light source with quantum dots
KR101275803B1 (ko) * 2011-10-27 2013-06-18 연세대학교 산학협력단 발광 장치 및 발광 시스템
IN2014CN00426A (ko) * 2011-10-31 2015-04-03 Koninkl Philips Nv
CN102368583B (zh) * 2011-11-15 2013-01-23 浙江工业大学 一种提高固体激光器泵浦利用效率的方法及其产品
US9864121B2 (en) 2011-11-22 2018-01-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Stress-resistant component for use with quantum dots
CN102403426B (zh) * 2011-12-09 2014-08-13 江苏康纳思光电科技有限公司 一种制造宽色域白光led的方法
KR102043269B1 (ko) 2012-02-03 2019-11-12 루미리즈 홀딩 비.브이. 높은 양자 수율과 안정성으로 매트릭스 내에 나노 입자를 분산시키는 신규 방법 및 물질
CN103258942A (zh) * 2012-02-20 2013-08-21 联胜（中国）科技有限公司 光学结构体以及发光装置
JP6192897B2 (ja) 2012-04-11 2017-09-06 サターン ライセンシング エルエルシーＳａｔｕｒｎ Ｌｉｃｅｎｓｉｎｇ ＬＬＣ 発光装置、表示装置および照明装置
US9404627B2 (en) * 2012-04-13 2016-08-02 Koninklijke Philips N.V. Light conversion assembly, a lamp and a luminaire
CN104272479A (zh) * 2012-05-14 2015-01-07 皇家飞利浦有限公司 具有远程纳米结构磷光体的发光设备
US9929325B2 (en) 2012-06-05 2018-03-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Lighting device including quantum dots
JP2014056896A (ja) * 2012-09-11 2014-03-27 Ns Materials Kk 半導体を利用した発光デバイス及びその製造方法
WO2014064555A1 (en) 2012-10-25 2014-05-01 Koninklijke Philips N.V. Pdms-based ligands for quantum dots in silicones
BR112015009085B1 (pt) * 2012-10-25 2021-06-15 Lumileds Holding B.V. Processo para a produção de um conversor de luz; conversor de luz; dispositivo de iluminação; e dispositivo de exibição de cristal líquido
US9202996B2 (en) 2012-11-30 2015-12-01 Corning Incorporated LED lighting devices with quantum dot glass containment plates
KR20150132354A (ko) * 2013-03-14 2015-11-25 코닝 인코포레이티드 Ｌｅｄ 조명 디바이스들
US9685628B2 (en) 2013-08-16 2017-06-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods for making optical components, optical components, and products including same
KR102108994B1 (ko) * 2013-08-30 2020-05-12 삼성전자주식회사 광 변환 소자 및 그 제조 방법, 그리고 이를 포함하는 광원 유닛
JP6469108B2 (ja) 2013-11-19 2019-02-13 三星電子株式会社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． ルミネッセンス粒子、これを含む材料および製品、ならびに方法
KR101571047B1 (ko) 2013-11-21 2015-11-23 ㈜에코플럭스 나노형광체를 포함하는 필름
CN103672732A (zh) * 2013-12-11 2014-03-26 深圳市华星光电技术有限公司 一种量子点透镜及其制造方法
CN103681990B (zh) * 2013-12-11 2017-09-01 深圳市华星光电技术有限公司 Led封装件及其制作方法
CN103943733B (zh) * 2014-03-24 2016-08-17 上海交通大学 一种基于垂直纳米线的led超平行光源的制备方法
KR101549406B1 (ko) * 2014-04-04 2015-09-03 코닝정밀소재 주식회사 발광 다이오드의 색변환용 기판 및 그 제조방법
KR20150116986A (ko) * 2014-04-08 2015-10-19 삼성디스플레이 주식회사 퀀텀 도트 시트 및 이를 포함하는 라이트 유닛과 액정 표시 장치
KR20160009720A (ko) * 2014-07-16 2016-01-27 삼성디스플레이 주식회사 백라이트 유닛
CN106715643B (zh) 2014-07-22 2019-08-30 亮锐控股有限公司 用于在有机硅主体中分散量子点以获得用于led照明的颜色转换器的硅氧烷配体
KR102404563B1 (ko) * 2014-08-06 2022-06-02 엔에스 마테리얼스 아이엔씨. 수지 성형품 및 그 제조방법, 그리고 파장 변환 부재, 조명 부재
JP6323299B2 (ja) * 2014-10-31 2018-05-16 日本電気硝子株式会社 波長変換部材及び発光デバイス
DE102014118351A1 (de) * 2014-12-10 2016-06-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Licht emittierende Vorrichtung
KR102319111B1 (ko) 2015-03-30 2021-11-01 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자
CN107660180B (zh) * 2015-05-25 2021-07-02 柯尼卡美能达株式会社 阻气膜、波长变换部件以及背光单元
WO2016204231A1 (ja) 2015-06-17 2016-12-22 富士フイルム株式会社 積層フィルムおよび積層フィルムの製造方法
CN107708992B (zh) 2015-06-18 2019-07-09 富士胶片株式会社 层叠膜
KR102030491B1 (ko) 2015-08-10 2019-10-10 후지필름 가부시키가이샤 형광체 함유 필름 및 백라이트 유닛
CN107921737B (zh) 2015-08-10 2019-10-18 富士胶片株式会社 层叠膜
CN107921738A (zh) 2015-08-12 2018-04-17 富士胶片株式会社 层叠膜
US10261330B2 (en) 2015-08-25 2019-04-16 Christie Digital Systems Usa, Inc. System for producing an output light beam of a given spectrum
CN105116629A (zh) * 2015-09-16 2015-12-02 京东方科技集团股份有限公司 一种封框胶组合物、显示面板及其制备方法、显示装置
CN105093382A (zh) * 2015-09-25 2015-11-25 深圳市华星光电技术有限公司 一种偏光片
CN105226146A (zh) * 2015-09-28 2016-01-06 吉林大学 液态量子点led及其制备方法
US9881955B2 (en) 2015-10-14 2018-01-30 Omnivision Technologies, Inc. Quantum dot image sensor
JP6509091B2 (ja) 2015-10-20 2019-05-08 富士フイルム株式会社 波長変換積層フィルム
TWI567124B (zh) * 2015-11-16 2017-01-21 財團法人工業技術研究院 波長轉換組成物、波長轉換結構及其應用
JP6600013B2 (ja) * 2015-12-22 2019-10-30 富士フイルム株式会社 波長変換フィルム
CN105739012A (zh) * 2016-02-18 2016-07-06 青岛海信电器股份有限公司 光传输结构
DE102016103463A1 (de) * 2016-02-26 2017-08-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
WO2018043616A1 (ja) 2016-09-02 2018-03-08 富士フイルム株式会社 蛍光体含有フィルムおよびバックライトユニット
WO2018043543A1 (ja) 2016-09-02 2018-03-08 富士フイルム株式会社 蛍光体含有フィルムおよびバックライトユニット
CN109964155B (zh) 2016-11-07 2021-07-09 富士胶片株式会社 含荧光体膜及背光单元
JP6676184B2 (ja) 2016-11-07 2020-04-08 富士フイルム株式会社 蛍光体含有フィルムおよびバックライトユニット
KR20180087487A (ko) * 2017-01-23 2018-08-02 삼성디스플레이 주식회사 파장 변환 부재 및 이를 포함하는 백라이트 유닛
CN107658385B (zh) * 2017-02-23 2019-07-19 广东聚华印刷显示技术有限公司 量子点薄膜及其制备方法
KR102216415B1 (ko) 2017-04-04 2021-02-18 후지필름 가부시키가이샤 형광체 함유 필름 및 백라이트 유닛
JPWO2019065193A1 (ja) 2017-09-28 2020-11-26 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 波長変換部材及び光源
TWI650398B (zh) * 2017-12-08 2019-02-11 Chi Mei Corporation 發光材料與應用之顯示裝置
TWI794127B (zh) * 2018-02-20 2023-02-21 晶元光電股份有限公司 發光元件及其製作方法
CN108832473B (zh) * 2018-06-07 2019-10-11 东南大学 一种毛细管力驱动制备的微腔量子点激光器及制备方法
TWI744583B (zh) 2018-12-21 2021-11-01 奇美實業股份有限公司 量子點及其製造方法與應用
CN110951478A (zh) * 2019-11-13 2020-04-03 华南农业大学 双发射荧光材料及其制备方法和其在led器件中的应用

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0783784B1 (en) * 1994-09-29 2000-11-08 BRITISH TELECOMMUNICATIONS public limited company Optical fibre with quantum dots
US6501091B1 (en) * 1998-04-01 2002-12-31 Massachusetts Institute Of Technology Quantum dot white and colored light emitting diodes
JP2002053150A (ja) * 2000-08-10 2002-02-19 Daiwa Gravure Co Ltd 詰め替え用パッケージ
JP2003026192A (ja) * 2001-05-10 2003-01-29 Hosokawa Yoko Co Ltd 液体収容袋
US6734465B1 (en) * 2001-11-19 2004-05-11 Nanocrystals Technology Lp Nanocrystalline based phosphors and photonic structures for solid state lighting
US7054513B2 (en) * 2003-06-09 2006-05-30 Virginia Tech Intellectual Properties, Inc. Optical fiber with quantum dots
US7226953B1 (en) * 2003-11-17 2007-06-05 Los Alamos National Security, Llc Nanocrystal/sol-gel nanocomposites
TWI236162B (en) 2003-12-26 2005-07-11 Ind Tech Res Inst Light emitting diode
JP2005228996A (ja) * 2004-02-13 2005-08-25 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
TWI229465B (en) * 2004-03-02 2005-03-11 Genesis Photonics Inc Single chip white light component
US7235792B2 (en) * 2004-05-19 2007-06-26 Carl Scott Elofson Color-tuned volumetric light using high quantum yield nanocrystals
JP2006213334A (ja) * 2005-02-01 2006-08-17 Lion Corp 詰め替え用パウチ
US20080296589A1 (en) * 2005-03-24 2008-12-04 Ingo Speier Solid-State Lighting Device Package
BRPI0613822A2 (pt) * 2005-06-23 2011-02-15 Rensselaer Polytech Inst método e fonte de luz de largura de faixa ampla para a produção de luz visìvel e que tem um valor de cromaticidade próximo de um locus de corpo negro e um ìndice de renderização de cor de mais de aproximadamente 80 e fonte de luz de largura de faixa ampla
US7342277B2 (en) * 2005-11-21 2008-03-11 Intel Corporation Transistor for non volatile memory devices having a carbon nanotube channel and electrically floating quantum dots in its gate dielectric
JP4771837B2 (ja) 2005-11-28 2011-09-14 京セラ株式会社 波長変換器および発光装置
US7797638B2 (en) 2006-01-05 2010-09-14 Microsoft Corporation Application of metadata to documents and document objects via a software application user interface
US20080173886A1 (en) * 2006-05-11 2008-07-24 Evident Technologies, Inc. Solid state lighting devices comprising quantum dots
KR100819337B1 (ko) 2006-06-14 2008-04-02 재단법인서울대학교산학협력재단 양자점을 이용한 백색광 ｌｅｄ 구조 및 그 제조 방법
KR100901947B1 (ko) * 2006-07-14 2009-06-10 삼성전자주식회사 반도체 나노결정을 이용하는 백색 발광 다이오드 및 그의제조방법

Cited By (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110133398A (ko) * 2010-06-04 2011-12-12 삼성엘이디 주식회사 양자점을 이용한 광원모듈, 이를 채용한 백라이트장치, 디스플레이장치, 및 조명장치
US9720159B2 (en) 2011-01-31 2017-08-01 Lg Innotek Co., Ltd. Optical member and display device including the same
KR101223671B1 (ko) * 2011-02-19 2013-01-17 충남대학교산학협력단 양자점 나노입자가 분산된 에폭시 고분자 복합체 제조방법
US10042103B2 (en) 2011-03-14 2018-08-07 Lg Innotek Co., Ltd. Display device
US9557467B2 (en) 2011-03-14 2017-01-31 Lg Innotek Co., Ltd. Display device
US9335459B2 (en) 2011-07-14 2016-05-10 Lg Innotek Co., Ltd. Optical member, display device having the same and method of fabricating the same
WO2013009007A2 (en) * 2011-07-14 2013-01-17 Lg Innotek Co., Ltd. Optical member, display device having the same and method of fabricating the same
US9766392B2 (en) 2011-07-14 2017-09-19 Lg Innotek Co., Ltd. Optical member, display device having the same and method of fabricating the same
WO2013009007A3 (en) * 2011-07-14 2013-03-07 Lg Innotek Co., Ltd. Optical member, display device having the same and method of fabricating the same
US9720160B2 (en) 2011-07-14 2017-08-01 Lg Innotek Co., Ltd. Display device and optical member
US9715055B2 (en) 2011-07-14 2017-07-25 Lg Innotek Co., Ltd. Display device and optical member
US10054730B2 (en) 2011-07-18 2018-08-21 Lg Innotek Co., Ltd. Optical member, display device having the same, and method of fabricating the same
WO2013012173A1 (en) * 2011-07-18 2013-01-24 Lg Innotek Co., Ltd. Optical member and display device having the same
US9766386B2 (en) 2011-07-18 2017-09-19 Lg Innotek Co., Ltd. Optical member and display device having the same
WO2013012171A1 (en) * 2011-07-18 2013-01-24 Lg Innotek Co., Ltd. Optical member, display device having the same, and method of fabricating the same
US9851602B2 (en) 2011-07-18 2017-12-26 Lg Innotek Co., Ltd. Optical member and display device having the same
US9835785B2 (en) 2011-07-18 2017-12-05 Lg Innotek Co., Ltd. Optical member, display device having the same, and method of fabricating the same
US9829621B2 (en) 2011-07-20 2017-11-28 Lg Innotek Co., Ltd. Optical member and display device having the same
KR20130028487A (ko) * 2011-09-09 2013-03-19 삼성전자주식회사 반도체 나노결정을 포함하는 케이스 및 이를 포함하는 광전자 소자
KR101219984B1 (ko) * 2011-09-16 2013-01-09 엘지이노텍 주식회사 광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치
KR101294427B1 (ko) * 2011-09-30 2013-08-07 엘지이노텍 주식회사 광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치
US10247871B2 (en) 2011-11-07 2019-04-02 Lg Innotek Co., Ltd. Optical sheet, display device and light emitting device having the same
KR101349426B1 (ko) * 2011-11-28 2014-01-08 엘지이노텍 주식회사 광학 부재 및 표시장치
KR101326905B1 (ko) * 2011-12-01 2013-11-11 엘지이노텍 주식회사 광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치
WO2013122819A1 (en) * 2012-02-15 2013-08-22 Qd Vision, Inc. Method of making components including quantum dots, methods, and products
KR101338678B1 (ko) * 2012-04-27 2013-12-06 엘지이노텍 주식회사 광 변환 부재 및 광 변환 부재 제조 방법
KR101393748B1 (ko) * 2012-04-27 2014-05-12 엘지이노텍 주식회사 광 변환 부재 및 광 변환 부재 제조 방법
KR101417271B1 (ko) * 2012-05-09 2014-07-08 엘지이노텍 주식회사 광 변환 부재의 제조 방법, 광 변환 부재 및 표시장치
KR20160132964A (ko) * 2014-03-28 2016-11-21 나노코 테크놀로지스 리미티드 양자점 조성물
KR20180073724A (ko) * 2014-03-28 2018-07-02 나노코 테크놀로지스 리미티드 양자점 조성물
KR20190042776A (ko) * 2014-03-28 2019-04-24 나노코 테크놀로지스 리미티드 양자점 조성물
US9893245B2 (en) 2014-04-01 2018-02-13 Corning Precision Materials Co., Ltd. Color-converting substrate for light-emitting diode and method for producing same
WO2015152535A1 (ko) * 2014-04-01 2015-10-08 코닝정밀소재 주식회사 발광 다이오드의 색변환용 기판 및 그 제조방법
KR20170038032A (ko) * 2014-07-28 2017-04-05 코닌클리케 필립스 엔.브이. 개선된 퀀텀 효율을 갖는 실리카 코팅된 퀀텀 닷들
US10424696B2 (en) 2014-11-06 2019-09-24 Postech Academy-Industry Foundation Wavelength converting particle, method for manufacturing wavelength converting particle, and light emitting diode containing wavelength converting particle
US11283035B2 (en) 2014-11-06 2022-03-22 Sn Display Co., Ltd. Perovskite light emitting device containing exciton buffer layer and method for manufacturing same
WO2016072803A1 (ko) * 2014-11-06 2016-05-12 포항공과대학교 산학협력단 파장변환입자, 파장변환입자의 제조방법, 및 파장변환입자를 포함하는 발광 소자
US11877460B2 (en) 2014-11-06 2024-01-16 Sn Display Co., Ltd. Perovskite optoelectronic devices and method for manufacturing same
US11730051B2 (en) 2014-11-06 2023-08-15 Sn Display Co., Ltd. Perovskite light-emitting device
US11588079B2 (en) 2014-11-06 2023-02-21 Postech Academy-Industry Foundation Wavelength converting particle, method for manufacturing wavelength converting particle, and light-emitting diode containing wavelength converting particle
US10923636B2 (en) 2014-11-06 2021-02-16 Postech Academy-Industry Foundation Wavelength converting particle, method for manufacturing wavelength converting particle, and light-emitting diode containing wavelength converting particle
US10964896B2 (en) 2014-11-06 2021-03-30 Postech Academy-Industry Foundation Perovskite light-emitting device
KR20160054735A (ko) * 2014-11-06 2016-05-17 포항공과대학교 산학협력단 파장변환입자, 파장변환입자의 제조방법, 및 파장변환입자를 포함하는 발광 소자
US11205757B2 (en) 2014-11-06 2021-12-21 Sn Display Co., Ltd. Core-shell structured perovskite particle light-emitter, method of preparing the same and light emitting device using the same
KR20160095999A (ko) * 2015-02-04 2016-08-12 엘지전자 주식회사 광 변환 부재, 이를 포함하는 백라이트 유닛 및 표시장치
KR101662437B1 (ko) * 2015-03-26 2016-10-04 한국광기술원 지향각 가변형 발광 패키지
KR20180034228A (ko) * 2016-09-27 2018-04-04 엘지디스플레이 주식회사 광원 장치 및 표시 장치
WO2021020695A3 (ko) * 2019-07-30 2021-04-01 서울대학교산학협력단 하이브리드 파장변환체, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 발광장치
US11808960B2 (en) 2020-12-09 2023-11-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Color filters and devices including the same

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