KR101018111B1 - 양자점-금속산화물 복합체, 양자점-금속산화물 복합체의 제조방법 및 양자점-금속산화물 복합체를 포함하는 발광장치 - Google Patents

양자점-금속산화물 복합체, 양자점-금속산화물 복합체의 제조방법 및 양자점-금속산화물 복합체를 포함하는 발광장치 Download PDF

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Abstract

본 발명에서는 양자점과 3차원 네트워크를 이루는 금속산화물을 포함하는 양자점-금속산화물 복합체가 제안된다. 본 발명에 따르는 양자점-금속산화물 복합체에서 양자점은 발광파장대의 변화없이 광학적으로 안정하고 발광성능이 향상된다.
양자점, 금속산화물, 파장변환

Description

양자점-금속산화물 복합체, 양자점-금속산화물 복합체의 제조방법 및 양자점-금속산화물 복합체를 포함하는 발광장치{Quantum dot-matal oxide complex, preparing method of the same and light-emitting device comprising the same}
본 발명은 양자점-금속산화물 복합체, 양자점-금속산화물 복합체의 제조방법 및 양자점-금속산화물 복합체를 포함하는 발광장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 발광파장대의 변화없이 광학적으로 안정하고 발광성능이 향상된 양자점을 포함하는 양자점-금속산화물 복합체, 양자점-금속산화물 복합체의 제조방법 및 양자점-금속산화물 복합체를 포함하는 발광장치를 제공하는 데 있다.
양자점은 나노 크기의 반도체 물질로서 양자제한(quantum confinement) 효과를 나타내는 물질이다. 양자점은 통상의 형광체보다 강한 빛을 좁은 파장대에서 발생시킨다. 양자점의 발광은 전도대에서 가전자대로 들뜬 상태의 전자가 전이하면서 발생되는데 같은 물질의 경우에도 입자 크기에 따라 파장이 달리지는 특성을 나타낸다. 양자점의 크기가 작아질수록 짧은 파장의 빛을 발광하기 때문에 크기를 조절하여 원하는 파장 영역의 빛을 얻을 수 있다.
양자점은 여기파장(excitation wavelength)을 임의로 선택해도 발광하므로 여러 종류의 양자점이 존재할 때 하나의 파장으로 여기시켜 여러가지 색의 빛을 한번에 관찰할 수 있다. 또한, 양자점은 전도대의 바닥진동상태에서 가전자대의 바닥진동상태로만 전이하므로 발광파장이 거의 단색광이다.
양자점은 10 nm 이하의 직경을 갖는 반도체 물질의 나노결정이다. 양자점으로서 나노결정을 합성하는 방법으로는 MOCVD(metal organic chemical vapor deposition)나 MBE(molecular beamepitaxy)와 같은 기상 증착법으로 양자점을 제조하거나, 유기 용매에 전구체 물질을 넣어 결정을 성장시키는 화학적 습식 방법이 이용된다.
화학적 습식 방법은 결정이 성장될 때 유기 용매가 자연스럽게 양자점 결정 표면에 배위되어 분산제 역할을 하게 함으로써 결정의 성장을 조절하는 방법으로, MOCVD또는 MBE와 같은 기상 증착법보다 더 쉽고 저렴한 공정을 통하여 나노결정의 크기와 형태의 균일도를 조절할 수 있는 장점을 갖는다.
화학적 습식 공정으로 제조된 양자점은 원액 그대로 사용하지 않고 저장 또는 사용시의 편이를 위하여 도 1과 같이 양자점(10) 주변에 소정의 리간드(20)를 배위시킨다. 양자점의 리간드로 사용되는 물질로는 예를 들면, 트리옥틸포스핀 옥사이드(trioctylphosphine oxide, TOPO)가 있다.
이러한 리간드(20)가 배위된 양자점(10)을 발광장치에 사용하는 경우에는 수지 등의 봉지물질에 첨가함으로써 원하는 파장 영역의 단색광을 안정적으로 발광할 수 있다. 그러나, 리간드가 다른 물질에 쉽게 녹거나 결합하는 문제점이 있고, LED의 발광측면에서는 여전히 발광효율의 증대가 요청되고 있다. 따라서, 더욱 안정적이고 발광성능도 향상된 양자점을 이용할 수 있는 방법의 개발이 요청되고 있다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 발광파장대의 변화없이 광학적으로 안정하고 발광성능이 향상된 양자점을 포함하는 양자점-금속산화물 복합체 및 양자점-금속산화물 복합체의 제조방법을 제공하는 데 있다.
또한, 본 발명의 다른 측면은 양자점-금속산화물을 이용하여 신뢰성이 향상된 발광장치를 제공하는 데 있다.
이상과 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 양자점-금속산화물 복합체는 양자점 및 양자점과 3차원 네트워크를 이루는 금속산화물을 포함한다.
양자점은 Si계 나노결정, II-VI족계 화합물 반도체 나노결정, III-V족계 화합물 반도체 나노결정 및 이들의 혼합물 중 어느 하나의 나노결정을 포함할 수 있다. 이 중, II-VI족계 화합물 반도체 나노결정은 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HggZnTe, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe 및 HgZnSTe로 구성된 군으로부터 선택될 수 있고, III-V족계 화합물 반도체 나노결정은 GaN, GaP, GaAs, AlN, AlP, AlAs, InN, InP, InAs, GaNP, GaNAs, GaPAs, AlNP, AlNAs, AlPAs, InNP, InNAs, InPAs, GaAlNP, GaAlNAs, GaAlPAs, GaInNP, GaInNAs, GaInPAs, InAlNP, InAlNAs, 및 InAlPAs로 구성된 군으로부터 선택될 수 있다. 또한, SbTe로 이루어진 나노결정일 수 있다.
양자점과 3차원 네트워크를 이루는 금속 산화물은 SiO2, TiO2, Al2O3, 및 이들의 혼합물로 구성된 군으로부터 선택될 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 양자점 표면을 아미노-알코올 또는 옥틸아민 모디파이드 폴리로 처리하는 처리단계; 및 처리된 양자점을 금속산화물과 반응시키는 반응단계;를 포함하는 3차원 네트워크가 형성된 양자점-금속산화물 복합체 제조방법이 제공된다. 반응단계는 처리된 양자점과 금속산화물을 혼합하는 혼합단계; 및 혼합단계에서 생성된 혼합물을 가열하는 가열단계;를 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명의 또다른 측면에 따르면, 발광원; 및 발광원의 발광방향 상부에 형성되며, 발광원으로부터 방사되는 광을 흡수하여 발광하는 양자점 및 양자점과 3차 원 네트워크를 이루는 금속산화물을 포함하는 양자점-금속산화물 복합체를 포함하는 파장변환부;를 포함하는 발광장치가 제공된다. 발광원은 발광 다이오드 및 레이저 다이오드 중 어느 하나일 수 있다.
파장변환부는 복수개로 구비될 수 있는데, 복수의 파장변환부 중 적어도 2이상의 층은 서로 다른 파장변환 양자점을 포함하는 것이 바람직하다. 따라서, 발광원은 청색광을 발광하고, 복수의 파장변환부 중 어느 하나의 제1파장변환부는 적색광을 방출하며, 복수의 파장변환부 중 제1파장변환부와 다른 제2파장변환부는 녹색광을 방출하여 발광장치가 백색을 발광할 수 있다.
발광장치는 발광원이 실장될 바닥면 및 반사부가 형성된 측면을 포함하는 홈부; 및 홈부를 지지하고, 발광원과 전기적으로 연결된 리드프레임이 형성된 지지부;를 더 포함할 수 있다. 홈부는 봉지물질로 봉지될 수 있는데, 봉지물질은 에폭시, 실리콘, 아크릴계 고분자, 유리, 카보네이트계 고분자 및 이들의 혼합물 중 적어도 어느 하나일 수 있다. 이때, 파장변환부는 발광원이 실장된 홈부 내에 형성될 수 있다.
본 발명에 따른 양자점-금속산화물 복합체는 무기물인 금속산화물과의 안정적인 네트워크로 양자점이 둘러싸이게 되므로 외부의 불리한 환경과 양자점이 차단 되어 광학적 안정성이 상승하는 효과가 있다. 따라서, 양자점의 발광성능이 우수해지는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따른 양자점-금속산화물 복합체 제조방법에 따라 양자점-금속산화물 복합체를 형성하면, 양자점의 크기나 종류에 무관하게 양자점을 포함하는 복합체를 형성할 수 있으므로 여러 다양한 분야에 편리하게 사용할 수 있으며, 사용하는 양자점의 농도 조절을 통해서 복합체내의 양자점의 농도를 결정하여 고농도의 양자점 복합체를 형성할 수 있다.
아울러, 본 발명에 따른 양자점-금속산화물 복합체를 발광원으로부터 발광된 빛의 파장변환부로서 사용하여 백색 발광장치 제작이 용이하다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 설명한다. 그러나 본 발명의 실시형태는 여러가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시형태는 당업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 또한, 본 명세서에 첨부된 도면의 구성요소들은 설명의 편의를 위하여 확대 또는 축소되어 도시되어 있을 수 있음이 고려되어야 한다.
본 발명에 따른 양자점-금속산화물 복합체는 양자점 및 양자점과 3차원 네트워크를 이루는 금속산화물을 포함한다.
양자점은 전술한 바와 같이 나노크기의 발광체로서, 반도체 나노결정일 수 있다. 양자점으로는, Si계 나노결정, II-VI족계 화합물 반도체 나노결정, III-V족계 화합물 반도체 나노결정을 예로 들 수 있는데, 본 발명에서 양자점으로는 이들 각각을 단독으로 사용하거나 이들의 혼합물을 사용할 수 있다. 또한, SbTe로 이루어진 나노결정일 수 있다.
이 중, II-VI족계 화합물 반도체 나노결정은 예를 들면, CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HggZnTe, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe 또는 HgZnSTe가 있는데, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, III-V족계 화합물 반도체 나노결정은 예를 들면, GaN, GaP, GaAs, AlN, AlP, AlAs, InN, InP, InAs, GaNP, GaNAs, GaPAs, AlNP, AlNAs, AlPAs, InNP, InNAs, InPAs, GaAlNP, GaAlNAs, GaAlPAs, GaInNP, GaInNAs, GaInPAs, InAlNP, InAlNAs, 또는 InAlPAs가 있는데, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
양자점과 3차원 네트워크를 이루는 금속 산화물은 SiO2, TiO2, Al2O3, 및 이들의 혼합물로 구성된 군으로부터 선택될 수 있는데, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 아미노-알코올(amino-alcohol) 처리한 양자점을 이용하여 형성된 양자점-금속산화물 복합체를 나타낸 도면이다. 양자점과 금속산화물은 도 2에서와 같이 3차원 네트워크를 형성한다. 양자점 주변에는 소정 관능기를 갖는 분자들이 부착되어 있는데, 이들이 금속산화물의 산소와 결합을 형성하여 3차원 네트워크를 형성한다.
도 2b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 옥틸아민 모디파이드 폴리(Octylamine modified poly) 처리한 양자점을 이용하여 형성된 양자점-금속산화물 복합체를 나타낸 도면이다. 여기서, 옥틸아민 모디파이드 폴리는 예를 들어, 옥틸아민을 붙인 PAA, 즉, 아크릴산(acrylic acid)이다. 하지만, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 양자점-금속산화물 복합체를 형성할 수 있는 관능기를 가지는 리간드라면 어떠한 형태로든 사용할 수 있다.
도 2a와 마찬가지로, 양자점과 금속산화물은 도 2b에서와 같이 3차원 네트워크를 형성한다. 양자점에 배위된 리간드 주변에는 상기 리간드를 감싸면서 소정 관 능기를 갖는 분자들이 부착되어 있는데, 이들이 금속산화물의 산소와 결합을 형성하여 3차원 네트워크를 형성한다.
도 2a 및 도 2b와 같이, 양자점-금속산화물 복합체를 이용한 3차원 네트워크를 형성하는 경우, 양자점이 단순히 리간드가 배위되어 있는 상태가 아니라, 금속산화물 내부에 단단히 고정되어 있는 상태와 같은 효과를 갖는다. 따라서, 양자점은 무기물인 금속산화물로 둘러싸이게 되어 외부환경으로부터 보호되므로 광학적 안정성이 향상된다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 양자점을 아미노-알코올 또는 옥틸아민 모디파이드 폴리로 처리하는 처리단계; 및 처리된 양자점을 금속산화물과 반응시키는 반응단계;를 포함하는 3차원 네트워크가 형성된 양자점-금속산화물 복합체 제조방법이 제공된다. 반응단계는 처리된 양자점과 금속산화물을 혼합하는 혼합단계; 및 혼합단계에서 생성된 혼합물을 가열하는 가열단계;를 포함하는 것이 바람직하다.
도 3a 및 도 3b에서는 양자점의 주위에 소정의 관능기를 갖는 분자가 위치하여 금속산화물과 결합한 상태를 나타낸 도면이다.
먼저, 도 3a는 본 발명의 일 실시예에 따라 양자점 표면을 아미노-알코올(amino-alcohol) 처리된 상태를 도시하는 도면이다. 도 3a에서와 같이 3차원 네 트워크를 형성하기 위하여는 양자점과 금속산화물이 직접결합하기 보다는, 양자점의 리간드를 아미노-알코올 처리를 통해 아민기 및 수산기를 갖는 분자로 치환한 후, 도 2a와 같이 금속산화물과의 3차원 네트워크를 형성시킨다. 여기서, 아민기의 경우, 양자점의 광학적 특성 향상을 위한 관능기이고, 수산기는 금속산화물과의 3차원 네트워크를 위한 관능기이다.
구체적으로, 양자점과 금속산화물을 반응시켜 양자점-금속산화물 복합체를 제조하기 위하여, 먼저 양자점을 아미노-알코올로 처리하는 경우, 양자점의 결합되어 있는 리간드를 아민기 및 수신기를 갖는 물질과 반응시켜 양자점 표면을 아미노-알코올 처리한다. 그에 따라 양자점 근처는 아민기가 위치하고, 아민기의 반대편, 즉 외부방향으로는 수산기가 위치하는 도 3a과 같은 양자점을 얻을 수 있다. 이렇게 표면처리된 양자점은 에탄올과 같은 알코올용액에 용해된다.
그런 다음, 아미노-알코올 처리된 양자점을 금속산화물과 혼합한다. 금속산화물로는 예를 들어, 그 전구체로서 Ti(OBu)4를 사용할 수 있다. 금속산화물과 혼합하면, 3차원 네트워크 형성을 위하여 혼합물을 가열하여 양자점-금속산화물 복합체를 얻는다.
도 3b는 본 발명의 일 실시예에 따라 양자점을 옥틸아민 모디파이드 폴 리(octylamine modified poly)로 처리된 상태를 도시하는 도면이다. 도 3b에서와 같이 3차원 네트워크를 형성하기 위하여는 양자점과 금속산화물이 직접결합하기 보다는, 양자점의 리간드를 카르복시RL(R-COOH)를 갖는 분자로 감싼 후, 도 2b와 같이 금속산화물과의 3차원 네트워크를 형성시킨다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광장치이다. 본 발명에 따르면, 발광원(140); 및 발광원의 발광방향 상부에 형성되며, 발광원(140)으로부터 방사되는 광을 흡수하여 발광하는 양자점 및 양자점과 3차원 네트워크를 이루는 금속산화물을 포함하는 양자점-금속산화물 복합체를 포함하는 파장변환부(160);를 포함하는 발광장치가 제공된다.
도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 발광 장치(100)에서 발광원(140)은 발광원(140)이 실장될 바닥면 및 반사부(120)가 형성된 측면을 포함하는 홈부 및 홈부를 지지하고, 발광원(140)과 전기적으로 연결된 리드프레임(130)이 형성된 지지부(110);를 더 포함할 수 있다. 리드프레임(130)은 2개로 형성되어 서로 전기적으로 분리된다.
발광원(140)은 발광 다이오드 및 레이저 다이오드 중 어느 하나일 수 있다. 발광원(140)으로는 청색 LED를 사용할 수 있는데, 청색 LED로는 420 내지 480nm의 청색광을 발하는 갈륨질화물계 LED를 사용할 수 있다. 지지부(110)에는 단자 전 극(130)은 와이어를 통해서 발광원(140)과 접속하게 된다. 발광원(140) 상에는 발광원(140)을 봉지하는 봉지물질(150)이 채워져 있다. 봉지물질은 에폭시, 실리콘, 아크릴계 고분자, 유리, 카보네이트계 고분자 및 이들의 혼합물 중 적어도 어느 하나일 수 있다.
이때, 발광원(140)이 실장된 후, 홈부가 봉지물질(150)로 채워지기 전에 발광원(140)상에 파장변환부(160)가 형성된다. 파장변환부(160)는 발광장치(100)로부터 얻고자 하는 빛의 파장에 따라 적절한 양자점을 포함하는 양자점-금속산화물 복합체를 포함할 수 있다. 본 도면에서, 파장변환부(160)는 층(layer) 형태로 형성되어 있으나, 발광원(140)의 표면을 덮는 형태로 구현될 수도 있고, 발광원(140)으로부터 발광된 빛이 입사되어 파장변환부(160)에서 파장변환될 수 있다면 어떠한 형태로든 위치할 수 있다.
이때, 발광원(140)이 청색광을 발광하고, 파장변환부(160)의 양자점-금속산화물 복합체에서, 양자점이 황색광을 발광하면 발광장치(100)는 백색광을 발광할 수 있다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광장치이다. 도 5에 도시된 발광장치(200)에서, 파장변환부가 2층(260, 270)으로 구현된 것을 제외하고는 도 4에서 지지부(210), 리드프레임(230), 반사부(220), 발광원(240) 및 봉지물질(250)의 기 능은 동일하므로 동일한 설명은 생략하기로 한다.
본 발명의 일실시예의 발광장치(200)에서 파장변환부는 복수개로 구비될 수 있다. 복수개의 파장변환부 중 도 5에서 발광원(240)에 더 근접한 것을 제1파장변환부(260)라 하고, 다른 하나를 제2파장변환부(270)로 한다.
복수의 파장변환부들 중 적어도 2이상의 층은 서로 다른 파장변환 양자점을 포함하는 것이 바람직하다. 따라서, 제1파장변환부(260)와 제2파장변환부(270)는 서로 다른 파장변환이 가능한 양자점을 포함하는 양자점-금속산화물 복합체를 포함하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 발광원(240)은 청색광을 발광하고, 제1파장변환부(260)는 적색광을 방출하며, 제2파장변환부(270)는 녹색광을 방출하면 발광장치가 최종적으로 백색을 발광할 수 있다.
또는, 도 5에서 파장변환부가 2층으로 구성된 예를 도시하였으나, 예를 들어, 파장변환부는 3층으로 구성될 수 있다. 즉, 발광원은 자외선을 발광하고, 3층의 파장변환부가 각각 청색, 녹색 및 적색을 발광하는 경우에도 발광장치가 최종적으로 백색을 발광할 수 있다. 아울러, 백색발광장치를 구성하기 위하여 파장변환부에 어느 한 색상의 파장변환 양자점을 사용하는 대신, 봉지물질에 형광체를 추가하여 양자점-금속산화물 복합체를 포함하는 파장변환부층과 함께 사용할 수 있다.
도 4 및 도 5에서는 발광장치가 각각 패키지 형태로 도시되어 있으나, 반드시 이러한 형태에 한정되는 것은 아니고, 예를 들면, 램프형 발광장치일 수 있다.
본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 따라 한정되는 것이 아니고, 첨부된 청구범위에 따라 한정하고자 하며, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게 자명할 것이다.
도 1은 종래기술에서 양자점 표면에 리간드가 배위된 상태를 도시하는 도면이다.
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 실시예에 따라 양자점-금속산화물 복합체를 나타낸 도면이다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 실시예에 따른 양자점의 표면이 아미노-알코올 및 옥틸아민 모디파이드 폴리로 각각 처리된 상태를 도시하는 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광장치이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광장치이다.

Claims (24)

  1. 양자점 및 상기 양자점과 3차원 네트워크를 이루는 금속산화물 및 상기 양자점 표면에 형성된 옥틸아민 모디파이드 폴리를 포함하는 양자점-금속산화물 복합체.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 양자점은 Si계 나노결정, II-VI족계 화합물 반도체 나노결정, III-V족계 화합물 반도체 나노결정, IV-VI족계 화합물 반도체 나노결정 및 이들의 화합물 중 어느 하나의 나노결정을 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점-금속산화물 복합체.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 II-VI족계 화합물 반도체 나노결정은 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HggZnTe, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe 및 HgZnSTe로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 양자점-금속산화물 복합체.
  4. 제 2항에 있어서,
    상기 III-V족계 화합물 반도체 나노결정은 GaN, GaP, GaAs, AlN, AlP, AlAs, InN, InP, InAs, GaNP, GaNAs, GaPAs, AlNP, AlNAs, AlPAs, InNP, InNAs, InPAs, GaAlNP, GaAlNAs, GaAlPAs, GaInNP, GaInNAs, GaInPAs, InAlNP, InAlNAs, 및 InAlPAs로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 양자점-금속산화물 복합체.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 양자점은 SbTe로 이루어진 나노결정을 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점-금속산화물 복합체.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 금속 산화물은 SiO2, TiO2, Al2O3, 및 이들의 혼합물로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 양자점-금속산화물 복합체.
  7. 양자점 표면을 아미노-알코올 또는 옥틸아민 모디파이드 폴리로 처리하는 처리단계; 및
    상기 처리된 양자점을 금속산화물과 반응시키는 반응단계;를 포함하는 3차원 네트워크가 형성된 양자점-금속산화물 복합체 제조방법.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 반응단계는 상기 처리된 양자점과 금속산화물을 혼합하는 혼합단계; 및 상기 혼합단계로부터의 혼합물을 가열하는 가열단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점-금속산화물 복합체 제조방법.
  9. 발광원; 및
    상기 발광원의 발광방향 상부에 형성되며, 상기 발광원으로부터 방사되는 광을 흡수하여 발광하는 양자점, 상기 양자점과 3차원 네트워크를 이루는 금속산화물 및 상기 양자점 표면에 형성된 옥틸아민 모디파이드 폴리를 포함하는 양자점-금속산화물 복합체를 구비한 파장변환부;를 포함하는 발광장치.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 양자점은 Si계 나노결정, II-VI족계 화합물 반도체 나노결정, III-V족계 화합물 반도체 나노결정, IV-VI족계 화합물 반도체 나노결정 및 이들의 화합물 중 어느 하나의 나노결정을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 II-VI족계 화합물 반도체 나노결정은 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HggZnTe, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe 및 HgZnSTe로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 발광장치.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 III-V족계 화합물 반도체 나노결정은 GaN, GaP, GaAs, AlN, AlP, AlAs, InN, InP, InAs, GaNP, GaNAs, GaPAs, AlNP, AlNAs, AlPAs, InNP, InNAs, InPAs, GaAlNP, GaAlNAs, GaAlPAs, GaInNP, GaInNAs, GaInPAs, InAlNP, InAlNAs, 및 InAlPAs로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 발광장치.
  13. 제 9항에 있어서,
    상기 양자점은 SbTe로 이루어진 나노결정을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광장치.
  14. 제 9항에 있어서,
    상기 금속 산화물은 SiO2, TiO2, Al2O3, 및 이들의 혼합물로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 발광장치.
  15. 제9항에 있어서,
    상기 발광원은 발광 다이오드 및 레이저 다이오드 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 발광장치.
  16. 제9항에 있어서,
    상기 파장변환부는 복수개인 것을 특징으로 하는 발광장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 복수의 파장변환부 중 적어도 2이상의 층은 적어도 2이상의 층은 상기 발광원으로부터 발광된 광을 서로 다른 파장으로 변환할 수 있는 양자점들을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광장치.
  18. 제16항에 있어서,
    상기 발광원은 청색광을 발광하고,
    상기 복수의 파장변환부 중 어느 하나의 제1파장변환부는 적색광을 방출하며,
    상기 복수의 파장변환부 중 상기 제1파장변환부와 다른 제2파장변환부는 녹색광을 방출하는 것을 특징으로 하는 발광장치.
  19. 제9항에 있어서,
    상기 발광원이 실장될 바닥면 및 반사부가 형성된 측면을 포함하는 홈부; 및
    상기 홈부를 지지하고, 상기 발광원과 전기적으로 연결된 리드프레임이 형성된 지지부;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광장치.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 홈부는 봉지물질로 봉지된 것을 특징으로 하는 발광장치.
  21. 제 20항에 있어서,
    상기 봉지물질은 에폭시, 실리콘, 아크릴계 고분자, 유리, 카보네이트계 고분자 및 이들의 혼합물 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 발광장치.
  22. 제19항에 있어서,
    상기 파장변환부는 상기 발광원이 실장된 홈부 내에 형성된 것을 특징으로 하는 발광장치.
  23. 제9항에 있어서,
    상기 옥틸아민 모디파이드 폴리는, 옥틸 아민과 결합된 폴리아크릴산인 것을 특징으로 하는 발광장치.
  24. 제1항에 있어서,
    상기 옥틸아민 모디파이드 폴리는, 옥틸 아민과 결합된 폴리아크릴산인 것을 특징으로 하는 양자점-금속산화물 복합체.
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