CN113046056B - 量子点材料及其制备方法、量子点发光二极管和发光装置 - Google Patents

量子点材料及其制备方法、量子点发光二极管和发光装置 Download PDF

Info

Publication number
CN113046056B
CN113046056B CN201911384736.2A CN201911384736A CN113046056B CN 113046056 B CN113046056 B CN 113046056B CN 201911384736 A CN201911384736 A CN 201911384736A CN 113046056 B CN113046056 B CN 113046056B
Authority
CN
China
Prior art keywords
quantum dot
benzyl pyridine
zns
particles
cdse
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201911384736.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113046056A (zh
Inventor
何斯纳
吴龙佳
吴劲衡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TCL Technology Group Co Ltd
Original Assignee
TCL Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TCL Technology Group Co Ltd filed Critical TCL Technology Group Co Ltd
Priority to CN201911384736.2A priority Critical patent/CN113046056B/zh
Publication of CN113046056A publication Critical patent/CN113046056A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113046056B publication Critical patent/CN113046056B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • C09K11/025—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor non-luminescent particle coatings or suspension media
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/56—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing sulfur
    • C09K11/562—Chalcogenides
    • C09K11/565—Chalcogenides with zinc cadmium
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots

Abstract

本发明提供了一种量子点材料，包括量子点颗粒和结合在所述量子点颗粒表面的苄基吡啶，且所述苄基吡啶通过氮原子与所述量子点颗粒配位结合。苄基吡啶修饰后的量子点，可以提高量子点的发光效率，从而提高量子点发光二极管的发光性能。

Description

量子点材料及其制备方法、量子点发光二极管和发光装置
技术领域
本发明属于量子点材料技术领域，尤其涉及一种量子点材料及其制备方法，一种量子点发光二极管，以及一种发光装置。
背景技术
LCD(Liquid Crystal Display的简称，液晶显示器)显示技术是现今主流的显示技术。由于LCD显示需要用背光源，导致其存在结构工艺复杂，成本高以及功耗居高不下等诸多局限。研究发现：采用量子点(QDs)取代传统的荧光粉，可极大地提升显示屏的色域。量子点在背光源模组中的应用表明，显示屏色域可从72％NTSC提升至110％NTSC。然而，当量子点摆脱背光源技术，利用有源矩阵量子点发光二极管显示器件时，相较于传统的背光源LCD，自发光的QLED(量子点发光二极管)在黑色表现、高亮度条件等场景下的显示效果更加突出、功耗更小、可适应的温度范围更宽广，并可以制备色域高达130％NTSC的显示屏。
量子点具有优异的光学性质，包括全光谱发光峰位连续可调、色纯度高、稳定性好,是一种优异的发光和光电材料。量子点显示是利用量子点的特殊性能来实现高性能、低成本的显示技术，其色域值可以高达130％NTSC色域左右，超过传统的显示技术色域的覆盖率，展现出极致画质，从而更加自然原色的展现画面。然而，量子点表面包覆着较长的油酸碳链形成势垒阻碍载流子的运动，导致器件中载流子的运输能力低，限制了其在光电子器件上的应用。
发明内容
本发明的目的在于提供一种量子点材料及其制备方法，旨在解决量子点表面包覆的较长油酸碳链形成势垒阻碍载流子的运动，降低量子点发光二极管中载流子的运输能力的问题。
本发明的另一目的在于提供一种以上述量子点材料作为量子点发光层材料的量子点发光二极管，以及一种含有上述量子点发光二极管的发光装置。
为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：
本发明第一方面提供一种量子点材料，包括量子点颗粒和结合在所述量子点颗粒表面的苄基吡啶，且所述苄基吡啶通过氮原子与所述量子点颗粒配位结合。
本发明第二方面提供一种量子点材料的制备方法，包括以下步骤：
提供初始量子点溶液和苄基吡啶，在所述初始量子点溶液中添加所述苄基吡啶，加热反应，使量子点颗粒与所述苄基吡啶中的氮原子配位结合，制备量子点材料。
本发明第三方面提供一种量子点发光二极管，包括相对设置的阴极和阳极，在所述阴极和所述阳极之间设置的量子点发光层，所述量子点发光层至少含有量子点材料，且所述量子点材料包括量子点颗粒和结合在所述量子点颗粒表面的苄基吡啶，且所述苄基吡啶通过氮原子与所述量子点颗粒配位结合。
本发明第四方面提供一种发光装置，包括上述的量子点发光二极管。
本发明提供的量子点材料包括量子点颗粒和苄基吡啶，苄基吡啶分子是强还原性的有机电子给体，其中的苯环作为供电子基团与吡啶环共轭，且吡啶环上的氮原子的电负性较大，使π电子云向氮原子上偏移，在氮原子周围电子云密度高。因此，苄基吡啶的氮原子通过孤对电子与量子点颗粒表面的金属原子配位成键，从而实现量子点的表面修饰。苄基吡啶修饰后的量子点，苄基吡啶作为强电子给体与量子点纳米颗粒的表面发生电子迁移反应，可以有效地吸引周围的电荷并传递给量子点，从而有效地抵消量子点发光层和功能层之间的界面损失，促进电子-空穴在QDs有效地复合，降低激子累积对量子点发光二极管性能的影响，提高量子点的发光效率，从而提高量子点发光二极管的发光性能。
本发明提供的量子点材料的制备方法，将所述量子点颗粒和所述苄基吡啶在液相介质中混合即可反应制备得到所述量子点颗粒和所述苄基吡啶中的氮原子配位结合的量子点材料。该方法操作简单，条件温和易于控制，有利于实现大规模生产。更重要的是，通过该方法制备得到的量子点材料，有利于抵消量子点发光层和功能层之间的界面损失，促进电子-空穴在QDs有效地复合，降低激子累积对量子点发光二极管性能的影响，提高量子点的发光效率，从而提高量子点发光二极管的发光性能。
本发明提供的量子点发光二极管，量子点发光层的材料含有上述量子点材料，由此形成的量子点发光二极管，量子点发光层和功能层之间的界面损失，电子-空穴在QDs复合增强，降低了激子累积对量子点发光二极管性能的影响，可以提高量子点的发光效率，从而提高量子点发光二极管的发光性能。
本发明实施例提供的发光装置，含有上述量子点发光二极管，由于上述量子点发光二极管中量子点发光层的材料含有上述量子点材料，由此形成的量子点发光二极管，量子点发光层和功能层之间的界面损失，电子-空穴在QDs复合增强，降低了激子累积对量子点发光二极管性能的影响，可以提高量子点的发光效率，从而提高量子点发光二极管的发光性能。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的量子点材料的制备工艺流程图；
图2是本发明实施例提供的量子点发光二极管的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
本发明实施例说明书中所提到的相关成分的重量不仅仅可以指代各组分的具体含量，也可以表示各组分间重量的比例关系，因此，只要是按照本发明实施例说明书相关组分的含量按比例放大或缩小均在本发明实施例说明书公开的范围之内。具体地，本发明实施例说明书中所述的重量可以是μg、mg、g、kg等化工领域公知的质量单位。
表面化学修饰可以通过对超导、金属态、半金属态及半导体态等电子结构形态进行改变，从而引发电子转移或晶格变化来改变其本征物理性质。更为重要的是，这类引发表面电子转移或局部晶格畸变的化学修饰方式不会破坏材料结构的完整性，因此成为调控量子点材料本征物理性质的有效方法。鉴于此，本发明实施例提供了表面化学修改的量子点材料。具体的，
本发明实施例第一方面提供一种量子点材料，包括量子点颗粒和结合在所述量子点颗粒表面的苄基吡啶，且所述苄基吡啶通过氮原子与所述量子点颗粒配位结合。
本发明实施例提供的量子点材料包括量子点颗粒和苄基吡啶，苄基吡啶分子是强还原性的有机电子给体，其中的苯环作为供电子基团与吡啶环共轭，且吡啶环上的氮原子的电负性较大，使π电子云向氮原子上偏移，在氮原子周围电子云密度高。因此，苄基吡啶的氮原子通过孤对电子与量子点颗粒表面的金属原子配位成键，从而实现量子点的表面修饰。苄基吡啶修饰后的量子点，苄基吡啶作为强电子给体与量子点纳米颗粒的表面发生电子迁移反应，可以有效地吸引周围的电荷并传递给量子点，从而有效地抵消量子点发光层和功能层之间的界面损失，促进电子-空穴在QDs有效地复合，降低激子累积对量子点发光二极管性能的影响，提高量子点的发光效率，从而提高量子点发光二极管的发光性能。
本申请实施例中，所述量子点颗粒是指能够用作量子点发光二极管中发光层材料的量子点。在一些实施例中，所述量子点颗粒选自CdSe、ZnSe、PbSe、CdTe、InP、GaN、GaP、AlP、InN、ZnTe、InAs、GaAs、CaF2、Cd1-xZnxS、Cd1-xZnxSe、CdSeyS1-y、PbSeyS1-y、ZnXCd1-XTe、CdS/ZnS、Cd1-xZnxS/ZnS、Cd1-xZnxSe/ZnSe、CdSe1-xSx/CdSeyS1-y/CdS、CdSe/Cd1-xZnxSe/CdyZn1-ySe/ZnSe、Cd1-xZnxSe/CdyZn1-ySe/ZnSe、CdS/Cd1-xZnxS/CdyZn1-yS/ZnS、NaYF4、NaCdF4、Cd1-xZnxSeyS1-y、CdSe/ZnS、Cd1-xZnxSe/ZnS、CdSe/CdS/ZnS、CdSe/ZnSe/ZnS、Cd1-xZnxSe/CdyZn1-yS/ZnS、InP/ZnS，但不限于此。
在一些实施例中，所述苄基吡啶选自2-苄基吡啶、3-苄基吡啶、4-苄基吡啶中的至少一种。
在一些实施例中，所述量子点材料中，所述量子点颗粒和所述苄基吡啶的摩尔比为1:0.8～1:2。此时，所述苄基吡啶可以很好地修饰在所述量子点颗粒表面。最优选的，当所述量子点颗粒和所述苄基吡啶的摩尔比为1:1时，苄基吡啶在量子点颗粒表面的结合趋于饱和，此时，得到的量子点材料能够最大限度地抵消量子点发光层和功能层之间的界面损失，促进电子-空穴在QDs有效地复合，降低激子累积对量子点发光二极管性能的影响，提高量子点的发光效率，从而提高量子点发光二极管的发光性能。当所述苄基吡啶与所述量子点颗粒的摩尔比较小时，会降低苄基吡啶与量子点纳米颗粒的表面之间的电子迁移反应，是苄基吡啶吸引周围的电荷并传递给量子点的能力弱化，相应的，抵消量子点发光层和功能层之间的界面损失的功能降低。当所述苄基吡啶与所述量子点颗粒的摩尔比低至0.8:1时，随着所述苄基吡啶与所述量子点颗粒之间的配合反应的进行，苄基吡啶的浓度越来越小，反应变的很慢，且不能完全吸附在量子点颗粒表面。若所述苄基吡啶与所述量子点颗粒的摩尔比过大，高于2:1时，所述苄基吡啶与所述量子点颗粒之间的吸附与脱吸附反应均太快，容易导致包覆不均匀。此外，所述苄基吡啶的添加量过多会导致量子点颗粒包覆的苄基吡啶过多，形成的配体层过厚。由于量子点在发光过程中，光必须透过配体层传递，配体会吸收部分光能，因此，当配体层过厚时，会增加光能的损失，降低量子点的发光效率。
本发明实施例提供的量子点材料，可以通过下述方法制备获得。
相应的，如图1所示，本发明实施例第二方面提供一种量子点材料的制备方法，包括以下步骤：
S01.提供初始量子点溶液和苄基吡啶，在所述初始量子点溶液中添加所述苄基吡啶，加热反应，使量子点颗粒与所述苄基吡啶中的氮原子配位结合，制备量子点材料。
本发明实施例提供的量子点材料的制备方法，将所述量子点颗粒和所述苄基吡啶在液相介质中混合即可反应制备得到所述量子点颗粒和所述苄基吡啶中的氮原子配位结合的量子点材料。该方法操作简单，条件温和易于控制，有利于实现大规模生产。更重要的是，通过该方法制备得到的量子点材料，有利于抵消量子点发光层和功能层之间的界面损失，促进电子-空穴在QDs有效地复合，降低激子累积对量子点发光二极管性能的影响，提高量子点的发光效率，从而提高量子点发光二极管的发光性能。
具体的，本发明实施例中，苄基吡啶作为改性材料，用于提高所述量子点颗粒的发光效率。在一些实施例中，所述苄基吡啶选自2-苄基吡啶、3-苄基吡啶、4-苄基吡啶中的至少一种。
所述初始量子点溶液中的初始量子点为常规的量子点，可以为市场购入的量子点产品，也可以为自行制备得到的量子点。通常，量子点的表面会含有配体。在后续步骤中，初始量子点中表面配体被具有强给电子能力的苄基吡啶置换。应当理解的是，所述初始量子点中的量子点颗粒为上文所指的能够用作量子点发光二极管中发光层材料的量子点。在一些实施例中，所述量子点颗粒选自CdSe、ZnSe、PbSe、CdTe、InP、GaN、GaP、AlP、InN、ZnTe、InAs、GaAs、CaF2、Cd1-xZnxS、Cd1-xZnxSe、CdSeyS1-y、PbSeyS1-y、ZnXCd1-XTe、CdS/ZnS、Cd1- xZnxS/ZnS、Cd1-xZnxSe/ZnSe、CdSe1-xSx/CdSeyS1-y/CdS、CdSe/Cd1-xZnxSe/CdyZn1-ySe/ZnSe、Cd1-xZnxSe/CdyZn1-ySe/ZnSe、CdS/Cd1-xZnxS/CdyZn1-yS/ZnS、NaYF4、NaCdF4、Cd1-xZnxSeyS1-y、CdSe/ZnS、Cd1-xZnxSe/ZnS、CdSe/CdS/ZnS、CdSe/ZnSe/ZnS、Cd1-xZnxSe/CdyZn1-yS/ZnS、InP/ZnS，但不限于此。
在一些实施例中，所述初始量子点溶液中的初始量子点为表面含有有机配体的量子点颗粒。在一些实施例中，所述初始量子点溶液中的初始量子点为表面含有有机胺配体的量子点颗粒。当所述初始量子点表面配体为有机胺配体时，由于不含有其他配体，在后续步骤的加热反应过程中，苄基吡啶与表面配体之间的交换相对简单，不需要根据不同配体的类型调整反应温度和反应时间；且苄基吡啶与有机胺配体的交换更充分，有利于苄基吡啶将量子点表面的有机胺充分置换。
在一些实施例中，当所述初始量子点表面配体为有机胺配体时，所述初始量子点溶液的制备方法为：配置量子点颗粒的胶体溶液；在惰性气氛下，将所述量子点颗粒的胶体溶液进行加热处理，加入油胺保温反应，制备得到初始量子点溶液。
在一些实施例中，所述量子点颗粒的胶体溶液的配置方法为：将所述量子点颗粒分散于有机溶剂A中，即可得到量子点胶体溶液。所述有机溶剂A选自对量子点溶解性相对较好的1-十八烯(ODE)、1-十六烯、1-二十烯等高沸点烯烷烃，从而在后续高温反应过程中，仍然能够作为良好的分散介质。
在一些实施例中，所述量子点颗粒的胶体溶液中量子点颗粒的浓度为20mg/mL～50mg/mL。在此浓度范围内，量子点颗粒在有机溶剂A中不易团聚，可以获得较佳的分散效果，从而可以在配体交换反应的时候获得最佳的接触面积。若所述量子点的浓度过低，会引起在有机溶剂A中的分散度过大，颗粒间的间距过大，引起配体的过量嫁接，最终影响量子点发光层性能；若量子点的浓度过高，则容易形成团聚物，无法与配体形成良好的接触环境。
进一步的，为了避免高温条件下含氧气体与量子点颗粒的胶体溶液反应引入副产物，本发明实施例在惰性气氛下，将所述量子点颗粒的胶体溶液进行加热处理，使量子点颗粒的胶体溶液处于良好的溶液状态，然后加入油胺后保温反应，将量子点颗粒表面原有的配体置换为油胺配体。其中，所述惰性气氛包括但不限于氩气气氛。
在一些实施例中，按照量子点颗粒与油胺的体积比为(100～120)：1的比例，将所述量子点颗粒的胶体溶液进行加热处理后加入油胺。在此范围下，油胺可以在溶剂中较好地分散，且可以与量子点颗粒充分接触，并在量子点颗粒表面以合适的比例附着。若所述油胺的用量过少，使油胺与量子点颗粒的体积比小于1:120，则无法保证量子点颗粒与油胺形成的前驱体胶体溶液中量子点被充分包裹；若所述油胺的用量过量，使油胺与量子点颗粒的体积比大于1:100，则与苄基吡啶进行配体交换的过程中，需大幅增加苄基吡啶才能引发配体置换反应，不利于正向配体交换的平衡。
在一些实施例中，所述保温反应的温度为200℃～250℃，反应时间为0.5小时～1小时。在高温环境下，油胺可以在量子点颗粒表面包覆，胺基可以与量子点颗粒形成配位键，形成量子点-油胺前驱体胶体溶液，即初始量子点溶液。通过该方式在量子点颗粒表面修饰油胺，去除量子点颗粒表面的其他杂质物质，为下一步的苄基吡啶的配体交换提供有利环境。
本发明实施例中，在所述初始量子点溶液中添加所述苄基吡啶时，优选的，所述初始量子点溶液中初始量子点也即量子点颗粒的浓度为20mg/mL～50mg/mL。在此浓度范围内，量子点颗粒不易团聚，可以获得较佳的分散效果，从而可以在苄基吡啶与初始量子点表面配体的交换反应时获得最佳的接触面积。若所述量子点颗粒的浓度过低，量子点颗粒在溶液中的分散度过大，颗粒间的间距过大，引起配体的过量嫁接，最终影响量子点发光层性能(量子点在发光过程中，光的传递必须经过配体层，配体会吸收一部分光能，从而减少发光效率)；若量子点颗粒的浓度过高，则容易形成团聚物，无法与配体形成良好的接触环境。
在一些实施例中，在所述初始量子点溶液中添加所述苄基吡啶的步骤中，按照所述量子点颗粒和所述苄基吡啶的摩尔比为1:0.8～1:2的比例，在所述初始量子点溶液中添加所述苄基吡啶。此时，所述苄基吡啶可以很好与量子点颗粒表面的初始配体交换，修饰在所述量子点颗粒表面。最优选的，当所述量子点颗粒和所述苄基吡啶的摩尔比为1:1时，苄基吡啶在量子点颗粒表面的结合趋于饱和，此时，得到的量子点材料能够最大限度地抵消量子点发光层和功能层之间的界面损失，促进电子-空穴在QDs有效地复合，降低激子累积对量子点发光二极管性能的影响，提高量子点的发光效率，从而提高量子点发光二极管的发光性能。当所述苄基吡啶与所述量子点颗粒的摩尔比较小时，会降低苄基吡啶与量子点纳米颗粒的表面之间的电子迁移反应，是苄基吡啶吸引周围的电荷并传递给量子点的能力弱化，相应的，抵消量子点发光层和功能层之间的界面损失的功能降低。当所述苄基吡啶与所述量子点颗粒的摩尔比低至0.8:1时，随着所述苄基吡啶与所述量子点颗粒之间的配合反应的进行，苄基吡啶的浓度越来越小，反应变的很慢，且不能完全吸附在量子点颗粒表面。若所述苄基吡啶与所述量子点颗粒的摩尔比过大，高于2:1时，所述苄基吡啶与所述量子点颗粒之间的吸附与脱吸附反应均太快，容易导致包覆不均匀。此外，所述苄基吡啶的添加量过多会导致量子点颗粒包覆的苄基吡啶过多，形成的配体层过厚。由于量子点在发光过程中，光必须透过配体层传递，配体会吸收部分光能，因此，当配体层过厚时，会增加光能的损失，降低量子点的发光效率。
在一些实施例中，在所述初始量子点溶液中添加所述苄基吡啶，加热反应，所述加热反应在温度为200℃～250℃的条件下进行，使量子点颗粒与所述苄基吡啶中的氮原子配位结合，反应时间为0.5小时～1小时。若反应温度过低或时间过短，则配体置换反应不充分，苄基吡啶增强量子点颗粒发光效率的作用降低甚至没有明显的作用。若所述反应过高，反应时间过长，则可能导致量子点表面配体发生降解或其他杂副反应，从而丧失苄基吡啶修饰量子定的目的。
进一步的，在反应结束后，将反应溶液温度降至室温，然后用乙酸乙酯、乙醇、丙酮分步沉淀并清洗，随后重新分散于有机溶剂中，制备出苄基吡啶改性的量子点溶液。其中，所述有机溶剂选自正己烷、正辛烷、正癸烷、氯仿、ODE等非极性溶剂。
如图2所示，本发明实施例第三方面提供一种量子点发光二极管，包括相对设置的阴极和阳极，在所述阴极和所述阳极之间设置的量子点发光层，所述量子点发光层至少含有量子点材料，且所述量子点材料包括量子点颗粒和结合在所述量子点颗粒表面的苄基吡啶，且所述苄基吡啶通过氮原子与所述量子点颗粒配位结合。
本发明实施例提供的量子点发光二极管，量子点发光层的材料含有上述量子点材料，由此形成的量子点发光二极管，量子点发光层和功能层之间的界面损失，电子-空穴在QDs复合增强，降低了激子累积对量子点发光二极管性能的影响，可以提高量子点的发光效率，从而提高量子点发光二极管的发光性能。
本发明实施例中所述电子传输层的材料中包含的量子点材料材料即为上述的量子点材料。具体的，所述量子点材料包括量子点颗粒和结合在所述量子点颗粒表面的苄基吡啶，且所述苄基吡啶通过氮原子与所述量子点颗粒配位结合。量子点发光层的材料含有上述量子点材料，由此形成的量子点发光二极管，苄基吡啶作为强电子给体与量子点纳米颗粒的表面发生电子迁移反应，可以有效地吸引周围的电荷并传递给量子点，从而有效地抵消量子点发光层和功能层之间的界面损失，提高发光效率。
在优选实施例中，所述量子点发光层的材料为所述量子点材料，即所述量子点。
在一些实施例中，所述量子点材料中，所述量子点颗粒和所述苄基吡啶的摩尔比为1:0.8～1:2。此时，所述苄基吡啶可以很好与量子点颗粒表面的初始配体交换，修饰在所述量子点颗粒表面。最优选的，当所述量子点颗粒和所述苄基吡啶的摩尔比为1:1时，苄基吡啶在量子点颗粒表面的结合趋于饱和，此时，得到的量子点材料能够最大限度地抵消量子点发光层和功能层之间的界面损失，促进电子-空穴在QDs有效地复合，降低激子累积对量子点发光二极管性能的影响，提高量子点的发光效率，从而提高量子点发光二极管的发光性能。当所述苄基吡啶与所述量子点颗粒的摩尔比较小时，会降低苄基吡啶与量子点纳米颗粒的表面之间的电子迁移反应，是苄基吡啶吸引周围的电荷并传递给量子点的能力弱化，相应的，抵消量子点发光层和功能层之间的界面损失的功能降低。当所述苄基吡啶与所述量子点颗粒的摩尔比低至0.8:1时，随着所述苄基吡啶与所述量子点颗粒之间的配合反应的进行，苄基吡啶的浓度越来越小，反应变的很慢，且不能完全吸附在量子点颗粒表面。若所述苄基吡啶与所述量子点颗粒的摩尔比过大，高于2:1时，所述苄基吡啶与所述量子点颗粒之间的吸附与脱吸附反应均太快，容易导致包覆不均匀。此外，所述苄基吡啶的添加量过多会导致量子点颗粒包覆的苄基吡啶过多，形成的配体层过厚。由于量子点在发光过程中，光必须透过配体层传递，配体会吸收部分光能，因此，当配体层过厚时，会增加光能的损失，降低量子点的发光效率。
本发明实施例中，所述量子点发光层的厚度为20～60nm。
具体的，本发明实施例所述量子点发光二极管分正型结构和反型结构。
在一种实施方式中，正型结构量子点发光二极管包括包括相对设置的阳极和阴极，设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，且所述阳极设置在衬底上。进一步的，在所述阴极和所述电子传输层之间还可以设置电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层等电子功能层；在所述阳极和所述量子点发光层之间还可以设置空穴传输层、空穴注入层和电子阻挡层等空穴功能层。在一些正型结构器件的实施例中，所述量子点发光二极管包括衬底，设置在所述衬底表面的阳极，设置在阳极表面的所述空穴注入层，设置在所述空穴注入层表面的空穴传输层，设置在所述空穴传输层表面的量子点发光层，设置在量子点发光层表面的电子传输层和设置在电子传输层表面的阴极。
在一种实施方式中，反型结构量子点发光二极管包括包括相对设置的阳极和阴极的叠层结构，设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，且所述阴极设置在衬底上。进一步的，在所述阴极和所述电子传输层之间还可以设置电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层等电子功能层；在所述阳极和所述量子点发光层之间还可以设置空穴传输层、空穴注入层和电子阻挡层等空穴功能层。在一些反型结构器件的实施例中，所述量子点发光二极管包括衬底，设置在所述衬底表面的阴极，设置在阴极表面的所述电子传输层，设置在所述电子传输层表面的量子点发光层，设置在所述量子点发光层表面的空穴传输层，设置在空穴传输层表面的电子注入层和设置在电子注入层表面的阳极。
具体的，所述阳极的选择没有严格的限定，可以选择ITO，但不限于此。所述阳极的厚度为15～30nm。
所述阴极的选择可以采用常规的阴极材料，可以为金属银或者金属铝，也可以为纳米Ag线或者纳米Cu线，上述材料具有较小的电阻使得载流子能顺利的注入。所述阴极的厚度为15～30nm。
所述空穴传输层的材料可采用本领域常规的空穴传输材料制成，可以为TFB、PVK、Poly-TPD、TCTA、PEDOT：PSS、CBP中的一种，但不限于此。
所述电子传输层的材料可采用本领域常规的电子传输材料制成，包括但不限于为ZnO、Ca、Ba、CsF、LiF、CsCO3和Alq3中的一种。
在一些实施例中，所述量子点发光二极管还可以包括封装层。所述封装层可以设置在顶电极(远离衬底的电极)表面，也可以设置在整个量子点发光二极管表面。
本发明实施例提供的量子点发光二极管，可以通过下述方法制备获得。
本发明实施例第四方面提供量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：
E01.提供基板；
E02.提供初始量子点溶液和苄基吡啶，在所述初始量子点溶液中添加所述苄基吡啶，加热反应，使量子点颗粒与所述苄基吡啶中的氮原子配位结合，制备量子点材料；
E03.在所述基板表面沉积所述量子点材料，退火处理，得到量子点发光层。
具体的，上述步骤E01中，对于正型结构量子点发光二极管而言，设置在衬底上的底电极为阳极，即所述基板至少含有阳极基板。在本发明的一些实施方式中，所述基板为衬底上设置阳极的阳极基板。在本发明的一些实施方式中，所述基板还可以为衬底上设置阳极、在阳极表面设置空穴注入层的叠层基板。在本发明的一些实施方式中，所述基板还可以为衬底上设置阳极、在阳极表面设置空穴注入层、在空穴注入层表面设置空穴传输层的叠层基板。应当理解的是，本发明并不限于上述实施方式的结构。
对于反型结构量子点发光二极管而言，设置在衬底上的底电极为阴极，即所述基板至少含有阴极基板。在本发明的一些实施方式中，所述基板为衬底上设置阴极的阴极基板。在本发明的又一些实施方式中，所述基板还可以为在衬底上设置阴极、在阴极表面设置电子注入层的叠层基板。在本发明的又一些实施方式中，所述基板还可以为在衬底上设置阴极、在阴极表面设置电子注入层、在电子注入层表面设置电子传输层的叠层基板。应当理解的是，本发明并不限于上述实施方式的结构。
本发明实施例提供的量子点发光二极管的制备方法，在所述阳极基板或所述阴极基板表面制备功能层之前，优选将所述阳极基板或所述阴极基板进行预处理。在优选实施例中，所述预处理的步骤包括：将所述阳极基板或所述阴极基板用清洁剂清洗，初步去除表面存在的污渍，随后依次在去离子水、丙酮、无水乙醇、去离子水中分别超声清洗10～30min，优选20min，以除去表面存在的杂质；最后用高纯氮气吹干，即可得到所述阳极基板或所述阴极基板表面。
上述步骤E02中，所述量子点材料的制备如上文所述，为了节约篇幅此处不再赘述。
上述步骤E03中，在所述基板表面沉积所述量子点材料材料，可以采用常规的溶液加工法实现，包括但不限于旋涂、喷墨打印等方式。在一些实施例中，将所述基片置于匀胶机上，将配制好一定浓度的量子点材料溶液旋涂成膜，通过调节溶液的浓度、旋涂速度和旋涂时间来控制发光层的厚度，约20～60nm，在适当温度下干燥。
本申请实施例除阳极和阴极外的各功能层(包括但不限于空穴注入层、空穴传输层、电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层、电子阻挡层)的制备可以采用常规的溶液加工法制备，包括但不限于喷墨打印、旋涂、滴涂、浸泡、涂布、蒸镀。同样的，可以通过调节溶液的浓度、打印或旋涂速度和沉积时间来控制各层膜厚；并在沉积完溶液后进行热退火处理。
在一些实施例中，所述基板为阳极基板，所述空穴传输层的制备方法为：将阳极基板置于匀胶机上，用配制好的空穴传输材料的溶液旋涂成膜；通过调节溶液的浓度、旋涂速度和旋涂时间来控制膜厚，然后在适当温度下热退火处理。在一些实施例中，电子传输层的制备：将阴极基板或已经沉积量子点发光层的阳极基板置于真空蒸镀腔室内，蒸镀一层约80nm厚的电子传输层，蒸镀速度约为0.01～0.5nm/s。
在一些实施例中，还包括对得到的量子点发光二极管进行封装处理。所述封装处理可采用常用的机器封装，也可以采用手动封装。优选的，所述封装处理的环境中，氧含量和水含量均低于0.1ppm，以保证器件的稳定性。
本发明实施例第五方面提供一种发光装置，包括上述的量子点发光二极管。
本发明实施例提供的发光装置，含有上述量子点发光二极管，由于上述量子点发光二极管中量子点发光层的材料含有上述量子点材料，由此形成的量子点发光二极管，量子点发光层和功能层之间的界面损失，电子-空穴在QDs复合增强，降低了激子累积对量子点发光二极管性能的影响，可以提高量子点的发光效率，从而提高量子点发光二极管的发光性能。
下面结合具体实施例进行说明。
实施例1
一种2-苄基吡啶修饰的量子点材料，其制备方法如下：
1)将适量的CdS/ZnS加入到20ml ODE中形成总浓度为20mg/mL的量子点胶体溶液。随后在氩气氛围中升温到200℃，接着按照量子点与油胺的体积比为100：1的比例注入油胺，保温反应30min，形成量子点溶液。
2)按照量子点与2-苄基吡啶的摩尔比为1:1的比例将2-苄基吡啶加入到量子点溶液中，继续在200℃下搅拌30min。反应结束后，待反应溶液降至室温后，用乙酸乙酯和乙醇的混合溶剂、丙酮和乙醇的混合溶剂分步沉淀并清洗，随后重新分散于正己烷，制备出2-苄基吡啶修饰的CdS/ZnS量子点。
实施例2
一种3-苄基吡啶修饰的量子点材料，其制备方法如下：
1)将适量的Cd1-xZnxS加入到20ml 1-十六烯中形成总浓度为30mg/mL的量子点胶体溶液。随后在氩气氛围中升温到200℃，接着按照量子点与油胺的体积比为120：1的比例注入油胺，保温反应30min，形成量子点溶液。
2)按照量子点与3-苄基吡啶的摩尔比为1:1.5的比例将3-苄基吡啶加入到量子点溶液中，继续在200℃下搅拌1h。反应结束后，待反应溶液降至室温后，用乙酸乙酯和乙醇的混合溶剂、丙酮和乙醇的混合溶剂分步沉淀并清洗，随后重新分散于正辛烷，制备出3-苄基吡啶修饰的Cd1-xZnxS量子点。
实施例3
一种4-苄基吡啶修饰的量子点材料，其制备方法如下：
1)将适量的Cd1-xZnxS/ZnS加入到20ml 1-二十烯中形成总浓度为50mg/mL的量子点胶体溶液。随后在氩气氛围中升温到250℃，接着按照量子点与油胺的体积比为110：1的比例注入油胺，保温反应30min，形成前驱体溶液A。
2)按照量子点与4-苄基吡啶的摩尔比为1:2的比例将4-苄基吡啶加入到量子点溶液中，继续在250℃下搅拌1h。反应结束后，待反应溶液降至室温后，用乙酸乙酯和乙醇的混合溶剂、丙酮和乙醇的混合溶剂分步沉淀并清洗，随后重新分散于正己烷，制备出4-苄基吡啶修饰的Cd1-xZnxS/ZnS量子点。
实施例4
一种量子点发光二极管，包括相对设置的阳极和阴极的叠层结构，设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，设置在所述阴极和所述量子点发光层之间的电子传输层，设置在所述阳极和所述量子点发光层之间的空穴传输层，且所述阳极设置在衬底上。其中，衬底的材料为玻璃片，阳极的材料为ITO基板，空穴传输层材料为TFB，电子传输层材料为ZnO，量子点材料为2-苄基吡啶修饰的CdS/ZnS量子点材料，阴极的材料为Al。
所述量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：
提供ITO基板，在ITO基板上制备空穴传输层；
在所述空穴传输层上沉积量子点发光层，量子点发光层为实施例1所述方法中得到的2-苄基吡啶修饰的CdS/ZnS量子点；
在所述量子点发光层上制备电子传输层；
在所述电子传输层上制备阴极。
实施例5
一种量子点发光二极管，包括相对设置的阳极和阴极的叠层结构，设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，设置在所述阴极和所述量子点发光层之间的电子传输层，设置在所述阳极和所述量子点发光层之间的空穴传输层，且所述阳极设置在衬底上。其中，衬底的材料为玻璃片，阳极的材料为ITO基板，空穴传输层材料为TFB，电子传输层材料为ZnO，量子点材料为3-苄基吡啶修饰的Cd1-xZnxS量子点材料，阴极的材料为Al。
所述量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：
提供ITO基板，在ITO基板上制备空穴传输层；
在所述空穴传输层上沉积量子点发光层，量子点发光层为实施例2所述方法中得到的3-苄基吡啶修饰的Cd1-xZnxS量子点；
在所述量子点发光层上制备电子传输层；
在所述电子传输层上制备阴极。
实施例6
一种量子点发光二极管，包括相对设置的阳极和阴极的叠层结构，设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，设置在所述阴极和所述量子点发光层之间的电子传输层，设置在所述阳极和所述量子点发光层之间的空穴传输层，且所述阳极设置在衬底上。其中，衬底的材料为玻璃片，阳极的材料为ITO基板，空穴传输层材料为TFB，电子传输层材料为ZnO，量子点材料为4-苄基吡啶修饰的Cd1-xZnxS/ZnS量子点材料，阴极的材料为Al。
所述量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：
提供ITO基板，在ITO基板上制备空穴传输层；
在所述空穴传输层上沉积量子点发光层，量子点发光层为实施例3所述方法中得到的4-苄基吡啶修饰的Cd1-xZnxS/ZnS量子点；
在所述量子点发光层上制备电子传输层；
在所述电子传输层上制备阴极。
实施例7
一种量子点发光二极管，包括相对设置的阳极和阴极的叠层结构，设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，设置在所述阴极和所述量子点发光层之间的电子传输层，设置在所述阳极和所述量子点发光层之间的空穴传输层，且所述阴极设置在衬底上。其中，衬底的材料为玻璃片，阴极的材料为ITO基板，空穴传输层的材料TFB，电子传输层材料为ZnO，量子点材料为2-苄基吡啶修饰的CdS/ZnS量子点材料，阳极的材料为Al。
所述量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：
提供阴极基板，在阴极基板上制备电子传输层；
在电子传输层上制备量子点发光层，量子点发光层为实施例1所述方法中得到的2-苄基吡啶修饰的CdS/ZnS量子点；
在量子点发光层上制备空穴传输层；
在所述空穴传输层上制备阳极。
实施例8
一种量子点发光二极管，包括相对设置的阳极和阴极的叠层结构，设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，设置在所述阴极和所述量子点发光层之间的电子传输层，设置在所述阳极和所述量子点发光层之间的空穴传输层，且所述阴极设置在衬底上。其中，衬底的材料为玻璃片，阴极的材料为ITO基板，空穴传输层的材料TFB，电子传输层材料为ZnO，量子点材料为3-苄基吡啶修饰的Cd1-xZnxS量子点材料，阳极的材料为Al。
所述量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：
提供阴极基板，在阴极基板上制备电子传输层；
在电子传输层上制备量子点发光层，量子点发光层为实施例2所述方法中得到的3-苄基吡啶修饰的Cd1-xZnxS量子点；
在量子点发光层上制备空穴传输层；
在所述空穴传输层上制备阳极。
实施例9
一种量子点发光二极管，包括相对设置的阳极和阴极的叠层结构，设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，设置在所述阴极和所述量子点发光层之间的电子传输层，设置在所述阳极和所述量子点发光层之间的空穴传输层，且所述阴极设置在衬底上。其中，衬底的材料为玻璃片，阴极的材料为ITO基板，空穴传输层的材料TFB，电子传输层材料为ZnO，量子点材料为4-苄基吡啶修饰的Cd1-xZnxS/ZnS量子点材料，阳极的材料为Al。
所述量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：
提供阴极基板，在阴极基板上制备电子传输层；
在电子传输层上制备量子点发光层，量子点发光层为实施例3所述方法中得到的4-苄基吡啶修饰的Cd1-xZnxS/ZnS量子点；
在量子点发光层上制备空穴传输层；
在所述空穴传输层上制备阳极。
对比例1
一种量子点发光二极管，包括相对设置的阳极和阴极的叠层结构，设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，设置在所述阴极和所述量子点发光层之间的电子传输层，设置在所述阳极和所述量子点发光层之间的空穴传输层，且所述阴极设置在衬底上。其中，衬底的材料为玻璃片，阳极的材料为ITO基板，空穴传输层的材料为TFB，电子传输层的材料为ZnO材料，量子点材料为CdS/ZnS量子点，阴极的材料为Al。
对比例2
一种量子点发光二极管，包括相对设置的阳极和阴极的叠层结构，设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，设置在所述阴极和所述量子点发光层之间的电子传输层，设置在所述阳极和所述量子点发光层之间的空穴传输层，且所述阴极设置在衬底上。其中，衬底的材料为玻璃片，阳极的材料为ITO基板，空穴传输层的材料TFB，电子传输层的材料为ZnO材料，量子点材料为Cd1-xZnxS量子点，阴极的材料为Al。
对比例3
一种量子点发光二极管，包括相对设置的阳极和阴极的叠层结构，设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，设置在所述阴极和所述量子点发光层之间的电子传输层，设置在所述阳极和所述量子点发光层之间的空穴传输层，且所述阴极设置在衬底上。其中，衬底的材料为玻璃片，阳极的材料为ITO基板，空穴传输层的材料TFB，电子传输层的材料为ZnO材料，量子点材料为Cd1-xZnxS/ZnS量子点，阴极的材料为Al。
对实施例4-9以及对比例1-3制备得到的量子点发光二极管进行性能测试，测试指标和测试方法如下：
(1)外量子效率(EQE)：采用EQE光学测试仪器测定。
注：外量子效率测试为所述的QLED器件，即：阳极/空穴传输薄膜/量子点/电子传输薄膜/阴极，或者阴极/电子传输薄膜/量子点/空穴传输薄膜/阳极。
测试结果如下表1所示：
表1
Figure BDA0002343258280000201
Figure BDA0002343258280000211
从上表1可见，本发明实施例4-9提供的量子点发光二极管(量子点材料为苄基吡啶修饰的量子点材料)的外量子效率，明显高于对比例1-3中未修饰的量子点材料的量子点发光二极管的外量子效率，说明实施例得到的量子点发光二极管具有更好的发光效率。
值得注意的是，本发明提供的具体实施例均以蓝光量子点(CdS/ZnS、Cd1-xZnxS、Cd1-xZnxS/ZnS)作为发光层材料，是基于蓝光发光体系是使用较多的体系(此外基于蓝光量子点的发光二极管的制作相对较难，因此更具参考价值)，并不代表本发明仅用于蓝光发光体系。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (11)

1.一种量子点材料，其特征在于，包括量子点颗粒和结合在所述量子点颗粒表面的苄基吡啶，且所述苄基吡啶通过氮原子与所述量子点颗粒配位结合；
所述苄基吡啶选自2-苄基吡啶、3-苄基吡啶、4-苄基吡啶中的至少一种；
所述量子点材料的制备方法，包括以下步骤：
提供初始量子点溶液和苄基吡啶，在所述初始量子点溶液中添加所述苄基吡啶，加热反应，使量子点溶液中量子点颗粒与所述苄基吡啶中的氮原子配位结合，制备所述量子点材料；其中，所述初始量子点溶液中的初始量子点为表面含有有机胺配体的量子点颗粒，所述加热反应在温度为200℃～250℃的条件下进行，反应时间为0.5小时～1小时；
所述苄基吡啶选自2-苄基吡啶、3-苄基吡啶、4-苄基吡啶中的至少一种；
其中，所述初始量子点溶液的制备方法为：配置量子点颗粒的胶体溶液；在惰性气氛下，将所述量子点颗粒的胶体溶液进行加热处理，加入油胺保温反应，制备得到初始量子点溶液。
2.如权利要求1所述的量子点材料，其特征在于，所述量子点材料中，所述量子点颗粒和所述苄基吡啶的摩尔比为1:0.8～1:2。
3.如权利要求1或2所述的量子点材料，其特征在于，所述量子点颗粒选自CdSe、ZnSe、PbSe、CdTe、InP、GaN、GaP、AlP、InN、ZnTe、InAs、GaAs、CaF2、Cd1-xZnxS、Cd1-xZnxSe、CdSeyS1-y、PbSeyS1-y、ZnXCd1-XTe、CdS/ZnS、Cd1-xZnxS/ZnS、Cd1-xZnxSe/ZnSe、CdSe1-xSx/CdSeyS1-y/CdS、CdSe/Cd1-xZnxSe/CdyZn1-ySe/ZnSe、Cd1-xZnxSe/CdyZn1-ySe/ZnSe、CdS/Cd1-xZnxS/CdyZn1-yS/ZnS、NaYF4、NaCdF4、Cd1-xZnxSeyS1-y、CdSe/ZnS、Cd1-xZnxSe/ZnS、CdSe/CdS/ZnS、CdSe/ZnSe/ZnS、Cd1-xZnxSe/CdyZn1-yS/ZnS、InP/ZnS。
4.一种量子点材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供初始量子点溶液和苄基吡啶，在所述初始量子点溶液中添加所述苄基吡啶，加热反应，使量子点溶液中量子点颗粒与所述苄基吡啶中的氮原子配位结合，制备所述量子点材料；其中，所述初始量子点溶液中的初始量子点为表面含有有机胺配体的量子点颗粒，所述加热反应在温度为200℃～250℃的条件下进行，反应时间为0.5小时～1小时；
所述苄基吡啶选自2-苄基吡啶、3-苄基吡啶、4-苄基吡啶中的至少一种；
其中，所述初始量子点溶液的制备方法为：配置量子点颗粒的胶体溶液；在惰性气氛下，将所述量子点颗粒的胶体溶液进行加热处理，加入油胺保温反应，制备得到初始量子点溶液。
5.如权利要求4所述的量子点材料的制备方法，其特征在于，所述量子点颗粒选自CdSe、ZnSe、PbSe、CdTe、InP、GaN、GaP、AlP、InN、ZnTe、InAs、GaAs、CaF2、Cd1-xZnxS、Cd1- xZnxSe、CdSeyS1-y、PbSeyS1-y、ZnXCd1-XTe、CdS/ZnS、Cd1-xZnxS/ZnS、Cd1-xZnxSe/ZnSe、CdSe1- xSx/CdSeyS1-y/CdS、CdSe/Cd1-xZnxSe/CdyZn1-ySe/ZnSe、Cd1-xZnxSe/CdyZn1-ySe/ZnSe、CdS/Cd1-xZnxS/CdyZn1-yS/ZnS、NaYF4、NaCdF4、Cd1-xZnxSeyS1-y、CdSe/ZnS、Cd1-xZnxSe/ZnS、CdSe/CdS/ZnS、CdSe/ZnSe/ZnS、Cd1-xZnxSe/CdyZn1-yS/ZnS、InP/ZnS。
6.如权利要求4所述的量子点材料的制备方法，其特征在于，在所述初始量子点溶液中添加所述苄基吡啶的步骤中，按照所述量子点颗粒和所述苄基吡啶的摩尔比为1:0.8～1:2的比例，在所述初始量子点溶液中添加所述苄基吡啶。
7.一种量子点发光二极管，其特征在于，包括相对设置的阴极和阳极，在所述阴极和所述阳极之间设置的量子点发光层，所述量子点发光层至少含有量子点材料，且所述量子点材料包括量子点颗粒和结合在所述量子点颗粒表面的苄基吡啶，且所述苄基吡啶通过氮原子与所述量子点颗粒配位结合；
所述苄基吡啶选自2-苄基吡啶、3-苄基吡啶、4-苄基吡啶中的至少一种；
所述量子点材料的制备方法，包括以下步骤：
提供初始量子点溶液和苄基吡啶，在所述初始量子点溶液中添加所述苄基吡啶，加热反应，使量子点溶液中量子点颗粒与所述苄基吡啶中的氮原子配位结合，制备所述量子点材料；其中，所述初始量子点溶液中的初始量子点为表面含有有机胺配体的量子点颗粒，所述加热反应在温度为200℃～250℃的条件下进行，反应时间为0.5小时～1小时；
所述苄基吡啶选自2-苄基吡啶、3-苄基吡啶、4-苄基吡啶中的至少一种；
其中，所述初始量子点溶液的制备方法为：配置量子点颗粒的胶体溶液；在惰性气氛下，将所述量子点颗粒的胶体溶液进行加热处理，加入油胺保温反应，制备得到初始量子点溶液。
8.如权利要求7所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点颗粒选自CdSe、ZnSe、PbSe、CdTe、InP、GaN、GaP、AlP、InN、ZnTe、InAs、GaAs、CaF2、Cd1-xZnxS、Cd1-xZnxSe、CdSeyS1-y、PbSeyS1-y、ZnXCd1-XTe、CdS/ZnS、Cd1-xZnxS/ZnS、Cd1-xZnxSe/ZnSe、CdSe1-xSx/CdSeyS1-y/CdS、CdSe/Cd1-xZnxSe/CdyZn1-ySe/ZnSe、Cd1-xZnxSe/CdyZn1-ySe/ZnSe、CdS/Cd1- xZnxS/CdyZn1-yS/ZnS、NaYF4、NaCdF4、Cd1-xZnxSeyS1-y、CdSe/ZnS、Cd1-xZnxSe/ZnS、CdSe/CdS/ZnS、CdSe/ZnSe/ZnS、Cd1-xZnxSe/CdyZn1-yS/ZnS、InP/ZnS。
9.如权利要求7所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光层的材料为所述量子点材料。
10.如权利要求7或9所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点材料中，所述量子点颗粒和所述苄基吡啶的摩尔比为1:0.8～1:2。
11.一种发光装置，其特征在于，包括权利要求7至10任一项所述的量子点发光二极管。
CN201911384736.2A 2019-12-28 2019-12-28 量子点材料及其制备方法、量子点发光二极管和发光装置 Active CN113046056B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911384736.2A CN113046056B (zh) 2019-12-28 2019-12-28 量子点材料及其制备方法、量子点发光二极管和发光装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911384736.2A CN113046056B (zh) 2019-12-28 2019-12-28 量子点材料及其制备方法、量子点发光二极管和发光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113046056A CN113046056A (zh) 2021-06-29
CN113046056B true CN113046056B (zh) 2023-06-16

Family

ID=76507891

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201911384736.2A Active CN113046056B (zh) 2019-12-28 2019-12-28 量子点材料及其制备方法、量子点发光二极管和发光装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113046056B (zh)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170044052A (ko) * 2015-10-14 2017-04-24 한국과학기술원 양자점 나노구조체 제조 방법 및 양자점 패턴 제조 방법 및 블록공중합체-결합(conjugated) 발광양자점
CN109868139A (zh) * 2017-12-01 2019-06-11 Tcl集团股份有限公司 一种颗粒及其制备方法
CN109868135A (zh) * 2017-12-01 2019-06-11 Tcl集团股份有限公司 一种颗粒及其制备方法
WO2019114829A1 (zh) * 2017-12-15 2019-06-20 Tcl集团股份有限公司 量子点薄膜及其制备方法和量子点发光二极管的制备方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101018111B1 (ko) * 2008-10-07 2011-02-25 삼성엘이디 주식회사 양자점-금속산화물 복합체, 양자점-금속산화물 복합체의 제조방법 및 양자점-금속산화물 복합체를 포함하는 발광장치
WO2015105027A1 (ja) * 2014-01-09 2015-07-16 株式会社村田製作所 発光デバイス、及び発光デバイスの製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170044052A (ko) * 2015-10-14 2017-04-24 한국과학기술원 양자점 나노구조체 제조 방법 및 양자점 패턴 제조 방법 및 블록공중합체-결합(conjugated) 발광양자점
CN109868139A (zh) * 2017-12-01 2019-06-11 Tcl集团股份有限公司 一种颗粒及其制备方法
CN109868135A (zh) * 2017-12-01 2019-06-11 Tcl集团股份有限公司 一种颗粒及其制备方法
WO2019114829A1 (zh) * 2017-12-15 2019-06-20 Tcl集团股份有限公司 量子点薄膜及其制备方法和量子点发光二极管的制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN113046056A (zh) 2021-06-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2020134151A1 (zh) 一种量子点发光二极管及其制备方法
WO2020108073A1 (zh) 一种量子点发光二极管及其制备方法
CN113046056B (zh) 量子点材料及其制备方法、量子点发光二极管和发光装置
CN113122241A (zh) 量子点材料及其制备方法、量子点发光二极管和发光装置
CN113046064A (zh) 量子点材料及其制备方法、量子点发光二极管和发光装置
CN114686209B (zh) 复合材料、量子点发光二极管及其制备方法
CN113046077B (zh) 一种复合材料、量子点发光二极管及其制备方法
CN112300781B (zh) 复合材料及其制备方法和量子点发光二极管
CN114686204A (zh) 量子点复合材料及其制备方法、量子点发光二极管
CN114672314A (zh) 核壳结构量子点及其制备方法，量子点发光薄膜和二极管
CN112279949A (zh) 一种复合材料及其制备方法与量子点发光二极管
CN113122226A (zh) 量子点的制备方法及量子点复合材料、量子点发光二极管
CN113122229B (zh) 量子点材料及其制备方法和薄膜、量子点发光二极管
CN113755157A (zh) 复合材料及其制备方法、量子点发光二极管
WO2023142556A1 (zh) 氧化锌纳米晶体的制备方法、光电器件及显示装置
CN113122223B (zh) 纳米复合材料及其制备方法、溶液组合物、发光层和发光二极管
WO2023165240A1 (zh) 一种纳米氧化锌溶液的制备方法、光电器件、显示装置
CN113130825B (zh) 复合薄膜及其制备方法、量子点发光二极管
CN113130809B (zh) 复合电极及其制备方法、量子点发光二极管
CN114203940B (zh) 薄膜的制备方法和发光二极管
CN113130784B (zh) 复合材料及其制备方法和应用、量子点发光二极管
CN111354854A (zh) 一种复合材料及其制备方法及量子点发光二极管
US20230380203A1 (en) Quantum dot light-emitting device, display apparatus and manufacturing method
WO2022143558A1 (zh) 量子点发光二极管的制备方法
CN114656967A (zh) 量子点及其制备方法、量子点发光二极管

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information

Address after: 516006 TCL science and technology building, No. 17, Huifeng Third Road, Zhongkai high tech Zone, Huizhou City, Guangdong Province

Applicant after: TCL Technology Group Co.,Ltd.

Address before: 516006 Guangdong province Huizhou Zhongkai hi tech Development Zone No. nineteen District

Applicant before: TCL Corp.

CB02 Change of applicant information
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant