CN113122229B - 量子点材料及其制备方法和薄膜、量子点发光二极管 - Google Patents

量子点材料及其制备方法和薄膜、量子点发光二极管 Download PDF

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Abstract

本发明属于显示材料技术领域，具体涉及一种量子点材料及其制备方法和薄膜、量子点发光二极管。该量子点材料包括量子点和结合在所述量子点表面的至少一个给电子基团取代的立方烷类化合物；其中，所述立方烷类化合物为碳原子数不小于8的立方烷类化合物，所述立方烷类化合物中至少有一个给电子基团与所述量子点表面结合。该量子点材料不仅具有很好的电荷传输性能，而且具有很好的分散性，可以很好地分散在非极性溶剂或墨水中，因此提高了其溶液加工性能。

Description

量子点材料及其制备方法和薄膜、量子点发光二极管
技术领域
本发明属于显示材料技术领域，具体涉及一种量子点材料及其制备方法和薄膜、量子点发光二极管。
背景技术
量子点(QD)材料因具有独特的光学特性而被广泛应用于发光领域，用其作发光层可制成量子点发光二极管(QLED)。与有机电致发光二极管(OLED)相比，量子点发光二极管具有发光光谱窄、色域广、稳定性好、寿命长、制作成本低等优势。
量子点由于其尺寸小、比表面积大，且表面缺陷、悬挂键较多等原因，在合成和应用时需要在其表面添加配体来提高量子点材料的应用性能。常用的油性量子点表面往往在合成时附有长链的表面配体如油酸、油胺等，虽然这些表面配体可以提高量子点在非极性溶剂中的分散性，但成膜后同时会出现量子点间距较大、空间位阻较大等缺陷，从而影响量子点的电荷传输性能。
因此，现有技术有待改进。
发明内容
本发明旨在解决现有量子点之间因间距较大、空间位阻较大，从而影响量子点的电荷传输性能的技术问题。
为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：
本发明一方面提供一种量子点材料，包括量子点和结合在所述量子点表面的至少一个给电子基团取代的立方烷类化合物；其中，所述立方烷类化合物为碳原子数不小于8的立方烷类化合物，所述立方烷类化合物中至少有一个给电子基团与所述量子点表面结合。
本发明提供的量子点材料包括量子点和结合在量子点表面的给电子基团取代的立方烷类化合物配体，该立方烷类化合物通过给电子基团以配位键的方式与量子点表面连接，该立方烷类化合物可以提供丰富的电子云，从而提高量子点之间的电荷传输效率，具有很好的发光性能；因立方烷结构是苯环的电子等排体，具有与苯环近似的电学性能可以替代苯环，同时其立体构型可以获得更好的脂溶性和稳定性，该立方烷类化合物作为配体附着在量子点表面时，可以比苯环拥有更好的分散性，因此本发明的量子点材料可以更好地分散在非极性溶剂或墨水中，提高了其溶液加工性能。
本发明另一方面提供一种量子点材料的制备方法，包括如下步骤：
配制初始量子点溶液，所述初始量子点溶液中的量子点表面结合有初始配体；
将至少一个给电子基团取代的立方烷类化合物加入到所述初始量子点溶液中，进行配体交换反应，然后固液分离，得到量子点材料；
其中，所述立方烷类化合物为碳原子数不小于8的立方烷类化合物。
本发明提供的量子点材料的制备方法，以配体交换的方式，在量子点表面结合给电子基团取代的立方烷类化合物配体，该立方烷类化合物通过给电子基团以配位键的方式结合在量子点表面，该立方烷类化合物可以提供丰富的电子云，而且作为配体附着在量子点表面时，可以比苯环拥有更好的分散性，因此本发明的制备方法得到的量子点材料不仅具有很好的电荷传输性能，而且可以具有很好的分散性，提高了其溶液加工性能。
以及，一种薄膜，所述薄膜为量子点薄膜，所述量子点薄膜由本发明所述的量子点材料或本发明所述的量子点材料的制备方法得到的量子点材料组成。
本发明提供的薄膜由本发明特有的量子点材料或本发明的量子点材料的制备方法得到的特有量子点材料组成，该薄膜中的量子点表面结合有给电子基团取代的立方烷类化合物配体，通过给电子基团以配位键的方式结合在量子点表面，该立方烷类化合物可以提供丰富的电子云，而且作为配体附着在量子点表面时，可以比苯环拥有更好的分散性，因此本发明的特有量子点材料组成的薄膜具有很好的电荷传输性能，而且膜层致密、均匀，可以显著提高薄膜的发光性能。
本发明的另一目的在于提供一种量子点发光二极管，旨在解决现有量子点发光二极管中的量子点发光层因量子点之间间距较大、空间位阻较大，从而影响器件发光效率的技术问题。
为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：
一种量子点发光二极管，包括阳极、阴极、以及位于所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，所述量子点发光层由本发明所述的量子点材料或本发明所述的量子点材料的制备方法得到的量子点材料组成。
本发明提供的量子点发光二极管的量子点发光层由本发明特有的量子点材料或本发明的量子点材料的制备方法得到的特有量子点材料组成，因此该量子点发光层具有很好的电荷传输性能，而且膜层致密、均匀，可以显著提高器件的发光性能。
附图说明
图1为本发明实施例提供的量子点材料的制备方法流程示意图；
图2为本发明实施例提供的量子点发光二极管的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
一方面，本发明实施例提供了一种量子点材料，包括量子点和结合在所述量子点表面的至少一个给电子基团取代的立方烷类化合物；其中，所述立方烷类化合物为碳原子数不小于8的立方烷类化合物，所述立方烷类化合物中至少有一个给电子基团与所述量子点表面结合。
本发明实施例提供的量子点材料包括量子点和结合在量子点表面的给电子基团取代的立方烷类化合物配体，该立方烷类化合物通过给电子基团以配位键的方式与量子点表面连接，该立方烷类化合物可以提供丰富的电子云，从而提高量子点之间的电荷传输效率，具有很好的发光性能；因立方烷结构是苯环的电子等排体，具有与苯环近似的电学性能可以替代苯环，同时其立体构型可以获得更好的脂溶性和稳定性，该立方烷类化合物作为配体附着在量子点表面时，可以比苯环拥有更好的分散性，因此本发明的量子点材料可以更好地分散在非极性溶剂或墨水中，提高了其溶液加工性能。
在一个实施例中，立方烷类化合物配体上的所述给电子基团选自巯基(-SH)、羧基(-COOH)、胺基(-NH2)和膦基(-PxOy)中的至少一种。上述给电子基团可以与量子点表面形成配位键，以碳原子数等于8的立方烷(即五环辛烷)为例，巯基、羧基或胺基结合在立方烷的碳上，如下所示：
Figure BDA0002349128080000041
当然，上述给电子基团可以在立方烷类化合物上的一个或多个碳原子连接，具体地，每个所述立方烷类化合物有1-6个所述给电子基团取代；给电子基团在立方烷类化合物中的8碳立方体的主体结构上进行不同位置的取代。
进一步地，所述碳原子数不小于8的立方烷类化合物包括：碳原子数为8的立方烷、碳原子数大于8的有碳支链的立方烷和碳元素大于8的无碳支链或有碳支链的高立方烷中的至少一种。其中，所述碳原子数大于8的有碳支链的立方烷中，碳支链为1-4个碳的支链，即碳原子数为8的立方烷上连接1-4个碳的支链，如1-乙基-立方烷；所述碳原子数大于8的无碳支链的高立方烷选自9-20个碳的高立方烷：如9个碳的无碳支链的高立方烷、10个碳的无碳支链的高立方烷、12个碳的无碳支链的高立方烷等；而所述碳原子数大于8的有碳支链的高立方烷中，碳支链为1-4个碳的支链，即在上述无碳支链的高立方烷上连接1-4个碳的支链。总之，上述立方烷类化合物上可以取代上述给电子基团，从而结合在量子点表面。
进一步地，所述量子点选自IV族量子点、II-VI族量子点、III-V族量子点、IV-VI族量子点和钙钛矿量子点中的至少一种。具体地，量子点为油溶性量子点包括二元相、三元相、四元相量子点；其中二元相量子点包括CdS、CdSe、CdTe、InP、AgS、PbS、PbSe、HgS等不限于此，三元相量子点包括ZnXCd1-XS、CuXIn1-XS、ZnXCd1-XSe、ZnXSe1-XS、ZnXCd1-XTe、PbSeXS1-X等不限于此，四元相量子点包括，ZnXCd1-XS/ZnSe、CuXIn1-XS/ZnS、ZnXCd1-XSe/ZnS、CuInSeS、ZnXCd1-XTe/ZnS、PbSeXS1-X/ZnS等不限于此。常见的红、绿、蓝三种的任意一种量子点或者其它黄光均可以，可以为含镉或者不含镉。
另一方面，本发明实施例还提供了一种量子点材料的制备方法，如图1所示，包括如下步骤：
S01：配制初始量子点溶液，所述初始量子点溶液中的量子点表面结合有初始配体；
S02：将至少一个给电子基团取代的立方烷类化合物加入到所述初始量子点溶液中，进行配体交换反应，然后固液分离，得到量子点材料；
其中，所述立方烷类化合物为碳原子数不小于8的立方烷类化合物。
具体地，上述制备得到的量子点材料包括量子点和结合在所述量子点表面的至少一个给电子基团取代的立方烷类化合物，立方烷类化合物中至少有一个给电子基团与所述量子点表面结合。
本发明实施例提供的量子点材料的制备方法，以配体交换的方式，在量子点表面结合给电子基团取代的立方烷类化合物配体，该立方烷类化合物通过给电子基团以配位键的方式结合在量子点表面，该立方烷类化合物可以提供丰富的电子云，而且作为配体附着在量子点表面时，可以比苯环拥有更好的分散性，因此本发明的制备方法得到的量子点材料不仅具有很好的电荷传输性能，而且可以具有很好的分散性，提高了其溶液加工性能(如打印性、成膜性等)。
在一个实施例中，本发明实施例上述提供的量子点材料即由上述以配体交换方式的量子点材料的制备方法得到。
步骤S01中，本发明实施例中用到的量子点为油性量子点，表面连接的初始配体选自脂肪酸配体、硫醇配体、脂肪胺配体、有机膦配体、磷脂配体和聚乙烯基吡啶等中的至少一种，易溶于极性较低溶剂；具体地，所述脂肪酸配体包括十烷酸、十一烯酸、十四烷酸、油酸、硬脂酸中的至少一种；所述硫醇配体包括八烷基硫醇、十二烷基硫醇、十八烷基硫醇中的至少一种；所述脂肪胺配体包括油胺、十八胺、八胺中的至少一种；所述有机膦配体为(氧)膦配体，包括三辛基膦、三辛基氧膦的至少一种。所述初始量子点溶液的量子点浓度范围为10～100mg/ml，优选为20～50mg/mL，在此浓度范围内，量子点的溶液加工性能较好，分散性较好。
步骤S02中，所述立方烷类化合物中的给电子基团选自巯基、羧基、胺基和膦基中的至少一种；每个所述立方烷类化合物有1-6个所述给电子基团取代；所述碳原子数不小于8的立方烷类化合物包括：碳原子数为8的立方烷、碳原子数大于8的有碳支链的立方烷和碳元素大于8的无碳支链或有碳支链的高立方烷中的至少一种；具体种类上文已详细阐述。
上述制备过程中，将立方烷类化合物加入到所述初始量子点溶液中的步骤中，所述立方烷类化合物配体的添加量为所述初始量子点溶液中量子点质量的0.5％～5％。若加入的量低于0.5％，立方烷类化合物的配体交换会因浓度过低难以在动态配体交换平衡中成为优势配体，从而影响配体附着率；若加入的量高于5％，立方烷类化合物结合的太多，可能会影响量子点的部分表面功能缺失或者能级变化，降低性能。为了使配体交换反应充分，在将至少一个给电子基团取代的立方烷类化合物加入到所述初始量子点溶液中后，搅拌30分钟以上。
上述固液分离可以是用沉淀剂进行沉降后干燥，也可以是直接退火去溶剂。
在一具体实施例中，上述制备方法包括以下步骤：
S1、在惰性气氛中，将一定量的量子点溶解于非极性溶剂中，完全分散后加入一定量的给电子基团取代的立方烷类化合物配体，在一定的温度搅拌一段时间；
S2、反应结束后，用乙酸乙酯、乙醇、丙酮沉淀并清洗，可以直接固液分离得到固体量子点材料；也可以随后重新分散于溶剂或者墨水中，直接打印成膜得到量子点薄膜，或将该量子点溶液或量子点墨水制备出QLED器件的量子点发光层。
本发明实施例还提供一种薄膜，所述薄膜为量子点薄膜，所述量子点薄膜由本发明实施例所述的量子点材料或本发明实施例所述的量子点材料的制备方法得到的量子点材料组成。
本发明实施例提供的薄膜由本发明实施例特有的量子点材料或本发明实施例的量子点材料的制备方法得到的特有量子点材料组成，该薄膜中的量子点表面结合有给电子基团取代的立方烷类化合物配体，通过给电子基团以配位键的方式结合在量子点表面，该立方烷类化合物可以提供丰富的电子云，而且作为配体附着在量子点表面时，可以比苯环拥有更好的分散性，因此本发明的特有量子点材料组成的薄膜具有很好的电荷传输性能，而且膜层致密、均匀，可以显著提高薄膜的发光性能。
最后，本发明实施例还提供一种量子点发光二极管，包括阳极、阴极、以及位于所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，所述量子点发光层由本发明实施例所述的量子点材料或本发明实施例所述的量子点材料的制备方法得到的量子点材料组成。
本发明实施例提供的量子点发光二极管的量子点发光层由本发明实施例特有的量子点材料或本发明实施例的量子点材料的制备方法得到的特有量子点材料组成，因此该量子点发光层具有很好的电荷传输性能，而且膜层致密、均匀，可以显著提高器件的发光性能。
在一实施例中，量子点发光层与阴极之间还设置有电子功能层，如电子传输层，或者层叠的电子注入层和电子传输层，其中电子注入层与阴极相邻。在另一实施例中，量子点发光层与阳极之间设置有空穴功能层，如空穴传输层，或层叠的空穴注入层和空穴传输层，其中空穴注入层与阳极相邻。
本发明实施例提供的量子点发光二极管包括正置结构和倒置结构。
在一种实施方式中，正置结构量子点发光二极管包括相对设置的阳极和阴极的层叠结构，设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，设置在所述阴极和所述量子点发光层之间的电子传输层，且所述阳极设置在衬底上。进一步的，在所述阴极和所述电子传输层之间还可以设置电子注入层，所述阴极和所述量子点发光层之间还可以设置空穴阻挡层等电子功能层；在所述阳极和所述量子点发光层之间还可以设置空穴传输层、空穴注入层和电子阻挡层等空穴功能层。在一些正置结构器件的实施例中，所述量子点发光二极管包括衬底，设置在所述衬底表面的阳极，设置在阳极表面的所述空穴注入层，设置在所述空穴注入层表面的空穴传输层，设置在所述空穴传输层表面的量子点发光层，设置在量子点发光层表面的电子传输层和设置在电子传输层表面的阴极。
在一种实施方式中，倒置结构量子点发光二极管包括相对设置的阳极和阴极的叠层结构，设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，设置在所述阴极和所述量子点发光层之间的电子传输层，且所述阴极设置在衬底上。进一步的，在所述阴极和所述电子传输层之间还可以设置电子注入层，所述阴极和所述量子点发光层之间还可以设置空穴阻挡层等电子功能层；在所述阳极和所述量子点发光层之间还可以设置空穴传输层、空穴注入层和电子阻挡层等空穴功能层。在一些倒置结构器件的实施例中，所述量子点发光二极管包括衬底，设置在所述衬底表面的阴极，设置在阴极表面的所述电子传输层，设置在所述电子传输层表面的量子点发光层，设置在所述量子点发光层表面的空穴传输层，设置在空穴传输层表面的空穴注入层和设置在空穴注入层表面的阳极。
上述量子点发光层由本发明实施例特有的量子点材料或本发明实施例的量子点材料的制备方法得到的特有量子点材料组成，因此该量子点发光层具有很好的电荷传输性能，而且膜层致密、均匀，可以显著提高器件的发光性能。浸具体制备方法可以是将配制好一定浓度的量子点材料溶液旋涂成膜，通过调节溶液的浓度、旋涂速度和旋涂时间来控制发光层的厚度，约20～60nm，在适当温度下干燥。
所述空穴传输层可采用本领域常规的空穴传输材料制成，包括但不限于TFB、PVK、Poly-TPD、TCTA、PEDOT：PSS、CBP等或者为其任意组合的混合物，亦可以是其它高性能的空穴传输材料。空穴传输层：将ITO基板置于匀胶机上，用配制好的空穴传输材料的溶液旋涂成膜；通过调节溶液的浓度、旋涂速度和旋涂时间来控制膜厚，然后在适当温度下热退火处理。
所述电子传输层可采用本领域常规的电子传输材料制成，包括但不限于为ZnO、TiO2、CsF、LiF、CsCO3和Alq3中的一种。电子传输层的制备：将已旋涂上发光层的的基板置于真空蒸镀腔室内，蒸镀一层约80nm厚的电子传输层，蒸镀速度约为0.01～0.5nm/s，在适当温度下退火。
进一步的，将得到的QLED进行封装处理，所述封装处理可采用常用的机器封装，也可以采用手动封装。优选的，所述封装处理的环境中，氧含量和水含量均低于0.1ppm，以保证器件的稳定性。
本发明先后进行过多次试验，现举一部分试验结果作为参考对发明进行进一步详细描述，下面结合具体实施例进行详细说明。
实施例1
量子点薄膜的制备：
提供原材料：量子点为绿色核壳型CdSe/ZnS量子点，立方烷类化合物配体为1-巯基-立方烷；在氩气气氛中，将绿色核壳型CdSe/ZnS量子点溶解于正辛烷溶剂中，在溶剂中的浓度为20mg/mL，在室温下搅拌30分钟至量子点完全溶解，并按1.0mg/mL的比例加入1-巯基-立方烷，继续搅拌30分钟进行配体交换反应。反应结束后，用乙酸乙酯、乙醇、丙酮沉淀并清洗，随后重新分散于溶剂或者墨水中，打印成膜，得到量子点薄膜。
一种量子点发光二极管，如图2所示：从下到上依次包括：阳极基板(ITO)、空穴传输层(材料为PEDOT：PSS)、量子点发光层(上述制备的量子点薄膜)、电子传输层(材料为ZnO)、阴极(材料为Ag)。
实施例2：
量子点薄膜的制备：
提供原材料：量子点为绿色核壳型CdSe/ZnS量子点，立方烷类化合物配体为1-氨基-立方烷；在氩气气氛中，将绿色核壳型CdSe/ZnS量子点溶解于正辛烷溶剂中，在溶剂中的浓度为30mg/mL，在室温下搅拌30分钟至量子点完全溶解，并按1.5mg/mL的比例加入1-氨基-立方烷，继续搅拌30分钟进行配体交换反应。反应结束后，用乙酸乙酯、乙醇、丙酮沉淀并清洗，随后重新分散于溶剂或者墨水中，打印成膜，得到量子点薄膜。
一种量子点发光二极管，如图2所示：从下到上依次包括：阳极基板(ITO)、空穴传输层(材料为PEDOT：PSS)、量子点发光层(上述制备的量子点薄膜)、电子传输层(材料为ZnO)、阴极(材料为Ag)。
实施例3
量子点薄膜的制备：
提供原材料：量子点为蓝色核壳型CdZnSe/ZnS量子点，立方烷类化合物配体为1,2-二巯基-立方烷；在氩气气氛中，将蓝色核壳型CdZnSe/ZnS量子点溶解于正辛烷溶剂中，在溶剂中的浓度为30mg/mL，在室温下搅拌30分钟至量子点完全溶解，并按1.5mg/mL的比例加入1,2-二巯基-立方烷，继续搅拌30分钟进行配体交换反应。反应结束后，用乙酸乙酯、乙醇、丙酮沉淀并清洗，随后重新分散于溶剂或者墨水中，打印成膜，得到量子点薄膜。
一种量子点发光二极管，如图2所示：从下到上依次包括：阳极基板(ITO)、空穴传输层(材料为PEDOT：PSS)、量子点发光层(上述制备的量子点薄膜)、电子传输层(材料为ZnO)、阴极(材料为Ag)。
对比例1：
一种量子点发光二极管，如图2所示：从下到上依次包括：阳极基板(ITO)、空穴传输层(材料为PEDOT：PSS)、量子点发光层(绿色核壳型CdSe/ZnS量子点薄膜)、电子传输层(材料为ZnO)、阴极(材料为Ag)。
本对比例与实施例1的区别在于：量子点没有经过立方烷类化合物配体改性。
对比例2：
一种量子点发光二极管，如图2所示：从下到上依次包括：阳极基板(ITO)、空穴传输层(材料为PEDOT：PSS)、量子点发光层(蓝色核壳型CdZnSe/ZnS量子薄膜)、电子传输层(材料为ZnO)、阴极(材料为Ag)。
本对比例与实施例3的区别在于：量子点没有经过立方烷类化合物配体改性。
性能测试
将实施例1-3以及对比例1、对比例2中的量子点发光二极管进行性能测试，测试指标和测试方法如下：
(1)电子迁移率：测试量子点发光二极管的电流密度(J)-电压(V)，绘制曲线关系图，对关系图中空间电荷限制电流(SCLC)区的进行拟合，然后根据著名的Child,s law公式计算电子迁移率：
J＝(9/8)εrε0μeV2/d3
其中，J表示电流密度，单位mAcm-2；εr表示相对介电常数，ε0表示真空介电常数；μe表示电子迁移率，单位cm2V-1s-1；V表示驱动电压，单位V；d表示膜厚度，单位m。
(2)电阻率：采用同一电阻率测试仪器测定量子点发光二极管电阻率。
(3)外量子效率(EQE)：采用EQE光学测试仪器测定。
注：电子迁移率、电阻率测试和外量子效率测试为所述QLED器件，即：阳极/空穴传输层/量子点发光层/电子传输层/阴极，或者阴极/电子传输层/量子点发光层/空穴传输层/阳极。
测试结果如下表1所示：
表1
项目 <![CDATA[电子迁移率/(cm<sup>2</sup>/(V.s))]]> 电阻率/(Ω.cm) 外量子效率(EQE)/(％)
对比例1 <![CDATA[3.15×10<sup>2</sup>]]> <![CDATA[2.32×10<sup>-4</sup>]]> 4.75
对比例2 <![CDATA[3.62×10<sup>2</sup>]]> <![CDATA[2.10×10<sup>-4</sup>]]> 5.21
实施例1 <![CDATA[4.53×10<sup>2</sup>]]> <![CDATA[1.57×10<sup>-4</sup>]]> 6.92
实施例2 <![CDATA[4.87×10<sup>2</sup>]]> <![CDATA[1.63×10<sup>-4</sup>]]> 7.12
实施例3 <![CDATA[4.92×10<sup>2</sup>]]> <![CDATA[1.70×10<sup>-4</sup>]]> 6.75
从上表1可见，本发明实施例1-3提供的量子点发光二极管，电阻率明显低于对比例1中的电阻率，而电子迁移率明显高于对比例1。本发明实施例1-3提供的量子点发光二极管的外量子效率，明显高于对比例1中的量子点发光二极管的外量子效率，说明本发明实施例得到的量子点发光二极管具有更好的发光效率。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种量子点材料，其特征在于，包括量子点和结合在所述量子点表面的至少一个给电子基团取代的立方烷类化合物；其中，所述立方烷类化合物为碳原子数不小于8的立方烷类化合物，所述立方烷类化合物中至少有一个给电子基团与所述量子点表面结合，所述给电子基团选自巯基、羧基、胺基和膦基中的至少一种。
2.如权利要求1所述的量子点材料，其特征在于，所述碳原子数不小于8的立方烷类化合物包括：碳原子数为8的立方烷、碳原子数大于8的有碳支链的立方烷和碳原子数大于8的无碳支链或有碳支链的高立方烷中的至少一种。
3.如权利要求2所述的量子点材料，其特征在于，所述碳原子数大于8的有碳支链的立方烷中，碳支链为1-4个碳的支链；和/或，
所述碳原子数大于8的无碳支链的高立方烷选自9-20个碳的高立方烷；和/或，
所述碳原子数大于8的有碳支链的高立方烷中，碳支链为1-4个碳的支链。
4.如权利要求1-3任一项所述的量子点材料，其特征在于，所述量子点选自IV族量子点、II-VI族量子点、III-V族量子点、IV-VI族量子点和钙钛矿量子点中的至少一种；和/或，
每个所述立方烷类化合物有1-6个所述给电子基团取代。
5.一种量子点材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
配制初始量子点溶液，所述初始量子点溶液中的量子点表面结合有初始配体；
将至少一个给电子基团取代的立方烷类化合物加入到所述初始量子点溶液中，进行配体交换反应，然后固液分离，得到量子点材料；
其中，所述立方烷类化合物为碳原子数不小于8的立方烷类化合物，所述给电子基团选自巯基、羧基、胺基和膦基中的至少一种。
6.如权利要求5所述的量子点材料的制备方法，其特征在于，所述碳原子数不小于8的立方烷类化合物包括：碳原子数为8的立方烷、碳原子数大于8的有碳支链的立方烷和碳原子数大于8的无碳支链或有碳支链的高立方烷中的至少一种；和/或，
每个所述立方烷类化合物有1-6个所述给电子基团取代。
7.如权利要求6所述的量子点材料的制备方法，其特征在于，所述碳原子数大于8的有碳支链的立方烷中，碳支链为1-4个碳的支链；和/或，
所述碳原子数大于8的无碳支链的高立方烷选自9-20个碳的高立方烷；和/或，
所述碳原子数大于8的有碳支链的高立方烷带碳支链的立方烷中，碳支链为1-4个碳的支链。
8.如权利要求5所述的量子点材料的制备方法，其特征在于，所述初始量子点溶液的量子点浓度范围为10~100mg/ml；和/或，
所述初始配体选自脂肪酸配体、硫醇配体、脂肪胺配体、有机膦配体、磷脂配体和聚乙烯基吡啶中的至少一种；和/或，
将立方烷类化合物加入到所述初始量子点溶液中的步骤中，所述立方烷类化合物配体的添加量为所述初始量子点溶液中量子点质量的0.5%~5%。
9.一种薄膜，所述薄膜为量子点薄膜，其特征在于，所述量子点薄膜由权利要求1-4任一项所述的量子点材料或权利要求5-8任一项所述的量子点材料的制备方法得到的量子点材料组成。
10.一种量子点发光二极管，包括阳极、阴极、以及位于所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，其特征在于，所述量子点发光层由权利要求1-4任一项所述的量子点材料或权利要求5-8任一项所述的量子点材料的制备方法得到的量子点材料组成。
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