KR101294427B1 - 광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치 - Google Patents

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Abstract

광학 부재 및 표시장치가 개시된다. 광학 부재는 수용부; 상기 수용부 내에 배치되는 호스트; 및 상기 호스트 내에 배치되는 다수 개의 파장 변환 입자들을 포함하고, 상기 수용부는 상기 호스트에 접촉하는 입광부; 상기 입광부와 함께 상기 호스트를 샌드위치하는 출광부; 및 상기 입광부 또는 상기 출광부에 식별부를 포함한다.

Description

광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치{DISPLAY DEVICE AND MRTHOD OF FABRICATING THE SAME}
실시예는 광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치에 관한 것이다.
최근 종래의 CRT를 대신하여 액정표시장치(LCD), PDP(plasma display panel), OLED(organic light emitting diode) 등의 평판표시장치가 많이 개발되고 있다.
이 중 액정표시장치는 박막트랜지스터 기판, 컬러필터 기판 그리고 양 기판 사이에 액정이 주입되어 있는 액정표시패널을 포함한다. 액정표시패널은 비발광소자이기 때문에 박막트랜지스터 기판의 하면에는 빛을 공급하기 위한 백라이트 유닛이 위치한다. 백라이트 유닛에서 조사된 빛은 액정의 배열상태에 따라 투과량이 조정된다.
백라이트 유닛은 광원의 위치에 따라 에지형과 직하형으로 구분된다. 에지형은 도광판의 측면에 광원이 설치되는 구조이다.
직하형은 액정표시장치의 크기가 대형화되면서 중점적으로 개발된 구조로서, 액정표시패널의 하부면에 하나 이상의 광원을 배치시켜 액정표시패널에 전면적으로 빛을 공급하는 구조이다.
이러한 직하형 백라이트 유닛은 에지형 백라이트 유닛에 비해 많은 수의 광원을 이용할 수 있어 높은 휘도를 확보할 수 있는 장점이 있는 반면, 휘도의 균일성을 확보하기 위하여 에지형에 비하여 두께가 두꺼워지는 단점이 있다.
이를 극복하기 위해, 백라이트 유닛을 구성하는 청색 광을 발진하는 블루 LED의 전방에 청색 광을 받으면 적색파장 또는 녹색파장으로 변환되는 다수의 양자점이 분산된 양자점바를 구비시켜, 상기 양자점바에 청색 광을 조사함으로써, 양자점바에 분산된 다수의 양자점들에 의해 청색광, 적색 광 및 녹색 광이 혼합된 광이 도광판으로 입사되어 백색광을 제공한다.
이때, 상기 양자점바를 이용하여 도광판에 백색광을 제공할 경우 고색재현을 구현할 수 있다.
상기 백라이트 유닛은 청색 광을 발진하는 블루 LED의 일측에 LED와 신호를 전달하고, 전원공급하기 위한 FPCB(Flexible Printed Circuits Board)가 구비되며, FPCB의 하면에는 접착부재가 더 구비될 수 있다.
이와 같이, 블루 LED로부터 발진하는 광이 누출되면 양자점바를 통해 도광판에 제공되는 백색광을 사용하여 다양한 형태로 영상을 표시하는 표시장치가 널리 사용되고 있다.
이와 같은 양자점이 적용된 표시장치에 관하여, 한국 특허 공개 공보 10-2011-0068110 등에 개시되어 있다.
실시예는 향상된 휘도, 휘도 균일성, 신뢰성 및 색 재현성을 가지고, 용이하게 제조될 수 있는 광학 부재 및 표시장치를 제공하고자 한다.
실시예에 따른 광학 부재는 수용부; 상기 수용부 내에 배치되는 호스트; 및 상기 호스트 내에 배치되는 다수 개의 파장 변환 입자들을 포함하고, 상기 수용부는 상기 호스트에 접촉하는 입광부; 상기 입광부와 함께 상기 호스트를 샌드위치하는 출광부; 및 상기 입광부 또는 상기 출광부에 식별부를 포함한다.
실시예에 따른 표시장치는 광원; 상기 광원의 출사면에 배치되는 파장 변환 부재; 및 상기 파장 변환 부재로부터 출사되는 광이 입사되는 표시패널을 포함하고, 상기 파장 변환 부재는 상기 광원의 출사면에 배치되는 수용부; 상기 수용부 내에 배치되는 호스트; 및 상기 호스트 내에 배치되는 다수 개의 파장 변환 입자들을 포함하고, 상기 수용부는 상기 호스트에 접촉하는 입광부; 상기 입광부와 함께 상기 호스트를 샌드위치하는 출광부; 및 상기 입광부 또는 상기 출광부에 식별부를 포함한다.
또한, 일 실시예에서는 상기 입광부의 두께는 상기 출광부의 두께보다 더 클 수 있다.
실시예에 따른 광학 부재 및 표시장치는 상기 입광부의 두께가 상기 출광부의 두께보다 더 크다. 특히, 상기 입광부의 두께는 약 100㎛ 내지 약 1000㎛일 수 있다. 이에 따라서, 상기 광원으로부터 출사되는 광은 상기 입광부를 통하여 충분히 확산된 후, 상기 호스트에 입사된다.
이에 따라서, 실시예에 따른 광학 부재 및 표시장치는 상기 광원으로부터 출사되는 광이 특정 부분에 집중되어, 상기 파장 변환 입자들이 열화되는 현상을 방지할 수 있다.
따라서, 실시예에 따른 광학 부재 및 표시장치는 향상된 신뢰성을 가질 수 있다. 또한, 실시예에 따른 광학 부재 및 표시장치는 열화에 의한 색 재현성 저하를 방지하고, 상기 파장 변환 입자들을 전체적으로 사용할 수 있다. 이에 따라서, 실시예에 따른 광학 부재 및 표시장치는 향상된 색 재현성을 가진다.
또한, 상기 광원으로부터 출사되는 광은 상기 입광부를 통하여 충분히 확산되므로, 실시예에 따른 광학 부재 및 표시장치는 향상된 휘도 및 휘도 균일성을 가질 수 있다.
또한, 상기 입광부 또는 상기 출광부에 상기 식별부가 형성된다. 이에 따라서, 상기 입광부 및 상기 출광부는 용이하게 구별될 수 있다. 특히, 상기 수용부의 폭 또는 직경은 약 1㎜보다 작을 수 있고, 상기 입광부의 두께 및 상기 출광부의 두께도 약 1㎜보다 작을 수 있다.
이에 따라서, 상기 입광부 및 상기 출광부는 육안으로 구별되지 않을 수 있다. 이때, 상기 입광부 또는 상기 출광부에 상기 식별부가 형성되므로, 상기 입광부 및 상기 출광부는 용이하게 식별될 수 있다.
이에 따라서, 상기 입광부는 상기 광원에 대향되어 배치되고, 상기 출광부는 도광판 등에 용이하게 배치될 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해 사시도이다.
도 2는 도 1에서 A-A`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 3은 실시예에 따른 파장 변환 부재를 도시한 사시도이다.
도 4는 도 3에서 B-B`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 5 및 도 6은 다른 실시예에 따른 파장 변환 부재를 도시한 사시도 및 단면도이다.
도 7 및 도 8은 또 다른 실시예에 따른 파장 변환 부재를 도시한 사시도 및 단면도이다.
도 9 및 도 10은 또 다른 실시예에 따른 파장 변환 부재를 도시한 사시도 및 단면도이다.
도 11은 실시예에 따른 발광다이오드, 연성인쇄회로기판, 파장 변환 부재 및 도광판 등을 도시한 단면도이다.
도 12는 연성인쇄회로기판을 도시한 평면도이다.
실시 예의 설명에 있어서, 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등이 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
도 1은 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해 사시도이다. 도 2는 도 1에서 A-A`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다. 도 3은 실시예에 따른 파장 변환 부재를 도시한 사시도이다. 도 4는 도 3에서 B-B`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다. 도 5 및 도 6은 다른 실시예에 따른 파장 변환 부재를 도시한 사시도 및 단면도이다. 도 7 및 도 8은 또 다른 실시예에 따른 파장 변환 부재를 도시한 사시도 및 단면도이다. 도 9 및 도 10은 또 다른 실시예에 따른 파장 변환 부재를 도시한 사시도 및 단면도이다. 도 11은 실시예에 따른 발광다이오드, 연성인쇄회로기판, 파장 변환 부재 및 도광판 등을 도시한 단면도이다. 도 12는 연성인쇄회로기판을 도시한 평면도이다.
도 1 내지 도 12를 참조하면, 실시예에 따른 액정표시장치는 몰드 프레임(10), 백라이트 어셈블리(20) 및 액정패널(30)을 포함한다.
상기 몰드 프레임(10)은 상기 백라이트 어셈블리(20) 및 상기 액정패널(30)을 수용한다. 상기 몰드 프레임(10)은 사각 틀 형상을 가지며, 상기 몰드 프레임(10)으로 사용하는 물질의 예로서는 플라스틱 또는 강화 플라스틱 등을 들 수 있다.
또한, 상기 몰드 프레임(10) 아래에는 상기 몰드 프레임(10)을 감싸며, 상기 백라이트 어셈블리(20)를 지지하는 샤시가 배치될 수 있다. 상기 샤시는 상기 몰드 프레임(10)의 측면에도 배치될 수 있다.
상기 백라이트 어셈블리(20)는 상기 몰드 프레임(10) 내측에 배치되며, 광을 발생시켜 상기 액정패널(30)을 향하여 출사한다. 상기 백라이트 어셈블리(20)는 반사시트(100), 도광판(200), 광원, 예를 들어, 발광다이오드(300), 파장 변환 부재(400), 열 전달부(700), 열 방출부(800), 다수 개의 광학 시트들(500) 및 연성인쇄회로기판(flexible printed circuit board;FPCB)(600)을 포함한다.
상기 반사시트(100)는 상기 발광다이오드(300)로부터 발생하는 광을 상방으로 반사시킨다.
상기 도광판(200)은 상기 반사시트(100) 상에 배치되며, 상기 발광다이오드(300)로부터 출사되는 광을 입사받아, 반사, 굴절 및 산란 등을 통해서 상방으로 반사시킨다.
상기 도광판(200)은 상기 발광다이오드(300)를 향하는 입사면을 포함한다. 즉, 상기 도광판(200)의 측면들 중 상기 발광다이오드(300)를 향하는 면이 입사면이다.
상기 발광다이오드(300)는 상기 도광판(200)의 측면에 배치된다. 더 자세하게, 상기 발광다이오드(300)는 상기 도광판의 입사면(202)에 배치된다.
상기 발광다이오드(300)는 광을 발생시키는 광원이다. 더 자세하게, 상기 상기 발광다이오드(300)는 상기 파장 변환 부재(400)를 향하여 광을 출사한다.
상기 발광다이오드(300)는 제 1 광을 발생시킨다. 예를 들어, 상기 제 1 광은 청색 광일 수 있다. 즉, 상기 발광다이오드(300)는 청색 광을 발생시키는 청색 발광다이오드(300)일 수 있다. 상기 제 1 광은 주로 약 430㎚ 내지 약 470㎚ 사이의 파장대를 가지는 청색 광일 수 있다. 또한, 상기 발광다이오드(300)는 자외선을 발생시킬 수 있다.
상기 발광다이오드(300)는 상기 연성인쇄회로기판(600)에 실장된다. 상기 발광다이오드(300)는 상기 연성인쇄회로기판(600) 아래에 배치된다. 상기 발광다이오드(300)는 상기 연성인쇄회로기판(600)을 통하여 구동신호를 인가받아 구동된다.
상기 파장 변환 부재(400)는 상기 발광다이오드(300) 및 상기 도광판(200) 사이에 개재된다. 상기 파장 변환 부재(400)는 상기 도광판(200)의 측면에 접착된다. 더 자세하게, 상기 파장 변환 부재(400)는 상기 도광판(200)의 입사면(202)에 부착된다. 또한, 상기 파장 변환 부재(400)는 상기 발광다이오드(300)의 입사면(302)에 배치된다. 더 자세하게, 상기 파장 변환 부재(400)는 상기 발광다이오드(300)에 접착될 수 있다.
상기 파장 변환 부재(400)는 상기 발광다이오드(300)로부터 출사되는 광을 입사받아, 파장을 변환시킨다. 예를 들어, 상기 파장 변환 부재(400)는 상기 발광다이오드(300)로부터 출사되는 제 1 광을 제 2 광 및 제 3 광으로 변환시킬 수 있다.
이때, 상기 제 2 광은 적색 광이고, 상기 제 3 광은 녹색 광일 수 있다. 즉, 상기 파장 변환 부재(400)는 상기 제 1 광의 일부를 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색 광으로 변환시킬 수 있고, 상기 제 1 광의 다른 일부를 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색 광으로 변환시킬 수 있다.
이에 따라서, 상기 파장 변환 부재(400)를 통과하는 제 1 광 및 상기 파장 변환 부재(400)에 의해서 변환된 제 2 광 및 제 3 광은 서로 혼합되어, 백색 광이 형성될 수 있다. 즉, 상기 제 1 광, 상기 제 2 광 및 제 3 광이 혼합되어, 상기 도광판(200)에는 백색 광이 입사될 수 있다.
도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 파장 변환 부재(400)는 튜브(410), 밀봉부(420), 다수 개의 파장 변환 입자들(430) 및 호스트(440)를 포함한다.
상기 튜브(410)는 상기 밀봉부(420), 상기 파장 변환 입자들(430) 및 상기 호스트(440)를 수용한다. 즉, 상기 튜브(410)는 상기 밀봉부(420), 상기 파장 변환 입자들(430) 및 상기 호스트(440)를 수용하는 수용부이다. 또한, 상기 튜브(410)는 일 방향으로 길게 연장되는 형상을 가진다.
상기 튜브(410)는 파이프 형상을 가질 수 있다. 즉, 상기 튜브(410)의 길이 방향에 대하여 수직한 단면은 사다리꼴 형상을 가질 수 있다. 또한, 상기 튜브(410)의 폭은 약 0.6㎜이고, 상기 튜브(410)의 높이는 약 0.2㎜일 수 있다. 즉, 상기 튜브(410)는 모세관일 수 있다.
상기 튜브(410)는 투명하다. 상기 튜브(410)로 사용되는 물질의 예로서는 유리 등을 들 수 있다. 더 자세하게, 상기 튜브(410)는 유리로 형성될 수 있다. 즉, 상기 튜브(410)는 유리 모세관일 수 있다.
상기 튜브(410)는 비대칭 구조를 가질 수 있다. 즉, 상기 호스트(440)는 상기 튜브(410) 내에 편심되어 배치될 수 있다. 더 자세하게, 상기 호스트(440)는 상기 발광다이오드(300)보다 상기 도광판(200)에 더 가깝게 치우칠 수 있다. 상기 호스트(440)는 입광부(411), 출광부(412), 제 2 연장부(414) 및 제 2 연장부(414)를 포함한다.
상기 입광부(411)는 상기 발광다이오드(300)에 대향된다. 상기 입광부(411)는 상기 발광다이오드(300)의 입사면(302)에 인접한다. 상기 입광부(411)는 상기 발광다이오드(300) 및 상기 호스트(440) 사이에 개재된다. 상기 입광부(411)는 상기 발광다이오드(300)의 입사면(302)에 접착될 수 있다.
또한, 상기 입광부(411)는 상기 호스트(440)와 직접 접촉될 수 있다. 상기 입광부(411)는 상기 출광부(412)와 상기 호스트(440)를 샌드위치한다. 즉, 상기 호스트(440)는 상기 입광부(411) 및 상기 출광부(412) 사이에 배치된다.
상기 입광부(411)는 상기 파장 변환 부재(400)가 연장되는 방향으로 연장될 수 있다. 즉, 상기 입광부(411)는 상기 튜브(410)가 연장되는 방향으로 연장되는 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 입광부(411)는 상기 튜브(410)가 연장되는 방향으로 연장되는 바(bar) 형상을 가질 수 있다.
상기 입광부(411)의 두께(T1)는 상기 출광부(412)의 두께(T2)보다 더 크다. 즉, 상기 입광부(411)의 외부 표면(411a) 및 상기 입광부(411)의 내부 표면(411b) 사이의 거리는 상기 출광부(412)의 외부 표면(412a) 및 상기 출광부(412)의 내부 표면(412b) 사이의 거리보다 더 크다. 예를 들어, 상기 입광부(411)의 두께(T1)는 약 100㎛이상 일 수 있다. 더 자세하게, 상기 입광부(411)의 두께(T1)는 약 100㎛ 내지 약 1000㎛일 수 있다. 더 자세하게, 상기 입광부(411)의 두께(T1)는 약 150㎛ 내지 약 300㎛일 수 있다.
상기 입광부(411)의 외부 표면(411a) 및 내부 표면은 평면일 수 있다. 이와는 다르게, 상기 입광부(411)의 외부 표면(411a) 및/또는 내부 표면은 곡면일 수 있다. 상기 입광부(411)가 곡면을 포함하는 경우, 상기 입광부(411)의 평균 두께는 약 100㎛ 내지 약 1000㎛일 수 있다. 또한, 상기 입광부(411)가 곡면을 포함하는 경우, 상기 입광부(411)의 최소 두께는 약 100㎛ 내지 약 1000㎛일 수 있다.
예를 들어, 상기 발광다이오드(300)의 출력이 약 50mW 내지 약 80mW이더라도, 상기 입광부(411)의 두께가 약 100㎛일 경우에, 상기 파장 변환 입자들(430)은 거의 열화되지 않는다.
상기 출광부(412)는 상기 입광부(411)에 대향한다. 또한, 상기 출광부(412)는 상기 도광판(200)에 대향한다. 더 자세하게, 상기 출광부(412)는 상기 도광판(200)의 입사면(202)에 대향한다. 즉, 상기 출광부(412)는 상기 도광판(200)에 인접한다. 상기 출광부(412)는 상기 발광다이오드(300)보다 상기 도광판(200)에 더 가까이에 배치된다.
상기 출광부(412)는 상기 파장 변환 부재(400)가 연장되는 방향으로 연장될 수 있다. 즉, 상기 출광부(412)는 상기 튜브(410)가 연장되는 방향으로 연장되는 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 출광부(412)는 상기 튜브(410)가 연장되는 방향으로 연장되는 바(bar) 형상을 가질 수 있다.
상기 출광부(412)의 두께(T2)는 상기 입광부(411)의 두께(T1)보다 더 작다. 즉, 상기 출광부(412)의 외부 표면(412a) 및 상기 호스트(440) 거리는 상기 출광부(412)의 외부 표면(412a) 및 상기 호스트(440) 사이의 거리보다 더 작다. 예를 들어, 상기 출광부(412)의 두께(T2)는 약 10㎛ 내지 약 70㎛일 수 있다. 더 자세하게, 상기 입광부(411)의 두께(T1)는 약 20㎛ 내지 약 50㎛일 수 있다.
상기 출광부(412)의 외부 표면(412a) 및 내부 표면은 평면일 수 있다. 이와는 다르게, 상기 출광부(412)의 외부 표면(412a) 및/또는 내부 표면은 곡면일 수 있다.
상기 제 1 연장부(413)는 상기 입광부(411)로부터 상기 출광부(412)로 연장된다. 상기 제 1 연장부(413)는 상기 입광부(411)의 상단으로부터 상기 출광부(412)의 상단으로 연장된다. 상기 제 1 연장부(413)는 상기 호스트(440) 상에 배치된다.
상기 제 2 연장부(414)는 상기 입광부(411)로부터 상기 출광부(412)로 연장된다. 상기 제 2 연장부(414)는 상기 입광부(411)의 하단으로부터 상기 출광부(412)의 하단으로 연장된다. 상기 제 2 연장부(414)는 상기 호스트(440) 아래에 배치된다.
상기 제 1 연장부(413) 및 상기 제 2 연장부(414)는 상기 호스트(440)를 샌드위치한다. 즉, 상기 호스트(440)는 상기 제 1 연장부(413) 및 상기 제 2 연장부(414) 사이에 배치된다. 즉, 상기 제 1 연장부(413) 및 상기 제 2 연장부(414)는 상기 호스트(440)를 사이에 두고 서로 마주본다.
상기 입광부(411), 상기 출광부(412), 상기 제 1 연장부(413) 및 상기 제 2 연장부(414)는 상기 호스트(440)의 주위를 둘러싼다. 상기 입광부(411), 상기 출광부(412), 상기 제 1 연장부(413) 및 상기 제 2 연장부(414)에 의해서 형성된 공간에 상기 호스트(440)가 배치된다. 또한, 상기 제 입광부(411), 상기 출광부(412), 상기 제 1 연장부(413) 및 상기 제 2 연장부(414)는 서로 일체로 형성될 수 있다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 상기 튜브(410)에는 식별부(460)가 형성된다. 더 자세하게, 상기 입광부(411)에 상기 식별부(460)가 형성된다. 도면과 다르게, 상기 식별부(460)는 상기 출광부(412)에 형성될 수 있다.
상기 식별부(460)는 상기 튜브(410)의 끝단에 형성될 수 있다. 더 자세하게, 상기 식별부(460)는 상기 입광부(411)의 끝단 또는 상기 출광부(412)의 끝단에 형성될 수 있다. 더 자세하게, 상기 식별부(460)는 상기 튜브(410)의 입구 부분에 형성될 수 있다. 더 자세하게, 상기 식별부(460)는 상기 밀봉부(420)가 배치되는 영역에 대응하여 형성될 수 있다. 즉, 상기 식별부(460)는 상기 밀봉부(420)와 대응되는 위치에 형성될 수 있다.
따라서, 상기 식별부(460)는 상기 발광다이오드(300)가 배치되는 영역 바깥에 형성될 수 있다. 즉, 상기 식별부(460)는 상기 발광다이오드(300)가 배치되는 영역 옆에 배치될 수 있다. 이에 따라서, 상기 식별부(460)는 상기 파장 변환 부재(400)의 광학적 특성에 영향을 미치지 않을 수 있다.
또한, 상기 식별부(460)는 상기 튜브(410)의 외부면에 형성될 수 있다. 더 자세하게, 상기 식별부(460)는 상기 입광부(411)의 외부면(411a) 또는 상기 출광부(412)의 외부면(412a)에 형성될 수 있다.
상기 식별부(460)는 단차부(461)를 포함할 수 있다. 상기 식별부(460)는 상기 입광부(411)에 형성되는 단차부(461)를 포함한다. 상기 단차부(461)의 폭은 약 0.5㎜ 내지 약 2㎜일 수 있다. 또한, 상기 단차부(461)의 단차는 약 50㎛ 내지 약 500㎛일 수 있다.
이와는 다르게, 도 5 및 도 6을 참조하면, 상기 식별부(460)는 경사면(462)을 포함할 수 있다. 상기 경사면(462)은 상기 입광부(411)의 외부면(411a)에 대해서 경사질 수 있다. 상기 경사면(462)은 상기 입광부(411)의 외부면(411a)으로부터 연장될 수 있다.
또한, 도면들과 다르게, 상기 경사면(462)은 상기 출광부(412) 측에 형성될 수 있다. 이때, 상기 경사면(462)은 상기 출광부(412)의 외부면(412a)에 대해서 경사질 수 있다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 상기 식별부(460)는 상기 튜브(410)의 외부면에 형성되는 홈(463)을 포함할 수 있다. 더 자세하게, 상기 홈(463)은 상기 입광부(411)의 외부면(411a)에 형성될 수 있다. 이와는 다르게, 상기 홈(463)은 상기 출광부(412)의 외부면(412a)에 형성될 수 있다.
도 9 및 도 10을 참조하면, 상기 식별부(460)는 상기 튜브(410)의 외부면에 형성되는 돌기(464)를 포함할 수 있다. 더 자세하게, 상기 돌기(464)는 상기 출광부(412)의 외부면(412a)에 형성될 수 있다. 이와는 다르게, 상기 돌기(464)는 상기 입광부(411)의 외부면(411a)에 형성될 수 있다.
상기 식별부(460)에 의해서, 상기 입광부(411) 및 상기 출광부(412)의 위치가 구별될 수 있다. 더 자세하게, 상기 식별부(460)는 작업자의 촉감에 의해서, 감지될 수 있다. 이에 따라서, 작업자는 상기 식별부(460)를 감지하여, 상기 입광부(411) 및 상기 출광부(412)의 위치를 구별할 수 있다.
상기 밀봉부(420)는 상기 튜브(410)의 내부에 배치된다. 상기 밀봉부(420)는 상기 튜브(410)의 끝단에 배치된다. 상기 밀봉부(420)는 상기 튜브(410)의 내부를 밀봉한다. 상기 밀봉부(420)는 에폭시계 수지(epoxy resin)를 포함할 수 있다.
상기 파장 변환 입자들(430)은 상기 튜브(410)의 내부에 배치된다. 더 자세하게, 상기 파장 변환 입자들(430)은 상기 호스트(440)에 균일하게 분산되고, 상기 호스트(440)는 상기 튜브(410)의 내부에 배치된다.
상기 파장 변환 입자들(430)은 상기 발광다이오드(300)로부터 출사되는 광의 파장을 변환시킨다. 상기 파장 변환 입자들(430)은 상기 발광다이오드(300)로부터 출사되는 광을 입사받아, 파장을 변환시킨다. 예를 들어, 상기 파장 변환 입자들(430)은 상기 발광다이오드(300)로부터 출사되는 청색 광을 녹색 광 및 적색 광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 파장 변환 입자들(430) 중 일부는 상기 청색 광을 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색 광으로 변환시키고, 상기 파장 변환 입자들(430) 중 다른 일부는 상기 청색 광을 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색 광으로 변환시킬 수 있다.
이와는 다르게, 상기 파장 변환 입자들(430)은 상기 발광다이오드(300)로부터 출사되는 자외선을 청색 광, 녹색 광 및 적색 광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 파장 변환 입자들(430) 중 일부는 상기 자외선을 약 430㎚ 내지 약 470㎚ 사이의 파장대를 가지는 청색 광으로 변환시키고, 상기 파장 변환 입자들(430) 중 다른 일부는 상기 자외선을 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색 광으로 변환시킬 수 있다. 또한, 상기 파장 변환 입자들(430) 중 또 다른 일부는 상기 자외선을 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색 광으로 변환시킬 수 있다.
즉, 상기 발광다이오드(300)가 청색 광을 발생시키는 청색 발광다이오드(300)인 경우, 청색 광을 녹색 광 및 적색 광으로 각각 변환시키는 파장 변환 입자들(430)이 사용될 수 있다. 이와는 다르게, 상기 발광다이오드(300)가 자외선을 발생시키는 UV 발광다이오드(300)인 경우, 자외선을 청색 광, 녹색 광 및 적색 광으로 각각 변환시키는 파장 변환 입자들(430)이 사용될 수 있다.
상기 파장 변환 입자들(430)은 양자점(QD, Quantum Dot)일 수 있다. 상기 양자점은 코어 나노 결정 및 상기 코어 나노 결정을 둘러싸는 껍질 나노 결정을 포함할 수 있다. 또한, 상기 양자점은 상기 껍질 나노 결정에 결합되는 유기 리간드를 포함할 수 있다. 또한, 상기 양자점은 상기 껍질 나노 결정을 둘러싸는 유기 코팅층을 포함할 수 있다.
상기 껍질 나노 결정은 두 층 이상으로 형성될 수 있다. 상기 껍질 나노 결정은 상기 코어 나노 결정의 표면에 형성된다. 상기 양자점은 상기 코어 나오 결정으로 입광되는 빛의 파장을 껍질층을 형성하는 상기 껍질 나노 결정을 통해서 파장을 길게 변환시키고 빛의 효율을 증가시길 수 있다.
상기 양자점은 반도체 화합물을 포함한다. 더 자세하게, Ⅱ족 화합물 반도체, Ⅲ족 화합물 반도체, Ⅴ족 화합물 반도체 그리고 VI족 화합물 반도체 중에서 적어도 한가지 물질을 포함할 수 있다. 보다 상세하게, 상기 코어 나노 결정은 Cdse, InGaP, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe 또는 HgS를 포함할 수 있다. 또한, 상기 껍질 나노 결정은 CuZnS, CdSe, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe 또는 HgS를 포함할 수 있다. 상기 양자점의 지름은 1 nm 내지 10 nm일 수 있다.
상기 양자점에서 방출되는 빛의 파장은 상기 양자점의 크기에 따라 조절이 가능하다. 상기 유기 리간드는 피리딘(pyridine), 메르캅토 알콜(mercapto alcohol), 티올(thiol), 포스핀(phosphine) 및 포스핀 산화물(phosphine oxide) 등을 포함할 수 있다. 상기 유기 리간드는 합성 후 불안정한 양자점을 안정화시키는 역할을 한다. 합성 후에 댕글링 본드(dangling bond)가 외곽에 형성되며, 상기 댕글링 본드 때문에, 상기 양자점이 불안정해 질 수도 있다. 그러나, 상기 유기 리간드의 한 쪽 끝은 비결합 상태이고, 상기 비결합된 유기 리간드의 한 쪽 끝이 댕글링 본드와 결합해서, 상기 양자점을 안정화 시킬 수 있다.
특히, 상기 양자점은 그 크기가 빛, 전기 등에 의해 여기되는 전자와 정공이 이루는 엑시톤(exciton)의 보어 반경(Bohr raidus)보다 작게 되면 양자구속효과가 발생하여 띄엄띄엄한 에너지 준위를 가지게 되며 에너지 갭의 크기가 변화하게 된다. 또한, 전하가 양자점 내에 국한되어 높은 발광효율을 가지게 된다.
이러한 상기 양자점은 일반적 형광 염료와 달리 입자의 크기에 따라 형광파장이 달라진다. 즉, 입자의 크기가 작아질수록 짧은 파장의 빛을 내며, 입자의 크기를 조절하여 원하는 파장의 가시광선영역의 형광을 낼 수 있다. 또한, 일반적 염료에 비해 흡광계수(extinction coefficient)가 100~1000배 크고 양자효율(quantum yield)도 높으므로 매우 센 형광을 발생한다.
상기 양자점은 화학적 습식방법에 의해 합성될 수 있다. 여기에서, 화학적 습식방법은 유기용매에 전구체 물질을 넣어 입자를 성장시키는 방법으로서, 화학적 습식방법에 의해서, 상기 양자점이 합성될 수 있다.
상기 호스트(440)는 상기 파장 변환 입자들(430)을 둘러싼다. 즉, 상기 호스트(440)는 상기 파장 변환 입자들(430)을 균일하게 내부에 분산시킨다. 상기 호스트(440)는 폴리머로 구성될 수 있다. 상기 호스트(440)는 투명하다. 즉, 상기 호스트(440)는 투명한 폴리머로 형성될 수 있다.
상기 호스트(440)는 상기 튜브(410) 내부에 배치된다. 즉, 상기 호스트(440)는 전체적으로 상기 튜브(410) 내부에 채워진다. 상기 호스트(440)는 상기 튜브(410)의 내면에 밀착될 수 있다.
상기 밀봉부(420) 및 상기 호스트(440) 사이에는 공기층(450)이 형성된다. 상기 공기층(450)에는 질소로 채워진다. 상기 공기층(450)은 상기 밀봉부(420) 및 상기 호스트(440) 사이에서 완충 기능을 수행한다.
상기 파장 변환 부재(400)는 다음과 같은 방법에 의해서 형성될 수 있다.
먼저, 수지 조성물에 상기 파장 변환 입자들(430)이 균일하게 분산된다. 상기 수지 조성물은 투명하다. 상기 수지 조성물은 광 경화성을 가질 수 있다.
이후, 튜브(410)의 내부는 감압되고, 상기 파장 변환 입자들(430)이 분산된 수지 조성물에 상기 튜브(410)의 입구가 잠기고, 주위의 압력이 상승된다. 이에 따라서, 상기 파장 변환 입자들(430)이 분산된 수지 조성물은 상기 튜브(410) 내부로 유입된다.
이후, 상기 튜브(410) 내로 유입된 수지 조성물의 일부가 제거되고, 상기 튜브(410)의 입구 부분이 비워진다.
이후, 상기 튜브(410) 내로 유입된 수지 조성물은 자외선 등에 의해서 경화되고, 상기 호스트(440)가 형성된다.
이후, 상기 튜브(410)의 입구 부분에 에폭시계 수지 조성물이 유입된다. 이후, 유입된 에폭시계 수지 조성물은 경화되고, 상기 밀봉부(420)가 형성된다. 상기 밀봉부(420)가 형성되는 공정은 질소 분위기에서 진행되고, 이에 따라서, 질소를 포함하는 공기층(450)이 상기 밀봉부(420) 및 상기 호스트(440) 사이에 형성될 수 있다.
상기 파장 변환 부재(400)는 제 1 밀착 부재(201)에 의해서, 상기 도광판(200)에 밀착될 수 있다. 상기 제 1 밀착 부재(201)는 상기 도광판(200)의 입사면(202) 및 상기 출광부(412)의 외부 표면(412a)에 접착된다.
또한, 상기 파장 변환 부재(400)는 제 2 밀착 부재(301)에 의해서, 상기 발광다이오드(300)에 밀착될 수 있다. 상기 제 2 밀착 부재(301)는 상기 발광다이오드(300)의 입사면(302) 및 상기 입광부(411)의 외부 표면(411a)에 접착된다.
상기 열 방출부(800)는 상기 파장 변환 부재(400)에 연결된다. 더 자세하게, 상기 열 방출부(800)는 상기 튜브(410)에 직접 또는 간접적으로 연결될 수 있다. 더 자세하게, 상기 열 방출부(800)는 상기 입광부(411)에 직접 또는 간접적으로 연결될 수 있다. 상기 열 방출부(800)는 상기 파장 변환 부재(400)로부터 전달되는 열을 방출한다.
도 1, 도 11 및 도 12를 참조하면, 상기 열 방출부(800)는 제 1 열 방출부(800) 및 제 2 열 방출부(800)를 포함한다.
상기 제 1 열 방출부(800)는 상기 연성인쇄회로기판(600)에 배치된다. 더 자세하게, 상기 제 1 열 방출부(800)는 상기 연성인쇄회로기판(600) 내에 배치된다. 상기 제 1 열 방출부(800)는 상기 연성인쇄회로기판(600)에 포함될 수 있다. 즉, 상기 제 1 열 방출부(800)는 상기 연성인쇄회로기판(600)의 일부일 수 있다.
상기 제 1 열 방출부(800)는 상기 파장 변환 부재(400) 상에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제 1 열 방출부(800)는 상기 파장 변환 부재(400)가 연장되는 방향으로 연장될 수 있다. 또한, 상기 제 1 열 방출부(800)는 상기 파장 변환 부재(400)에 연결된다. 더 자세하게, 상기 제 1 열 방출부(800)는 상기 파장 변환 부재(400)에 직접 접촉될 수 있다.
상기 제 1 열 방출부(800)로 높은 열 전도율을 가지는 물질이 사용될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 열 방출부(800)로 구리 등과 같은 금속이 사용될 수 있다.
도 11에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 열 방출부(800)는 접촉부(811), 연결 비아(812) 및 방열 패드(813)를 포함한다.
상기 접촉부(811)는 상기 파장 변환 부재(400)에 직접 또는 간접적으로 접촉된다. 상기 열결 비아는 상기 접촉부(811) 및 상기 방열 패드(813)에 연결된다. 즉, 상기 연결 비아(812)는 상기 접촉부(811) 및 상기 방열 패드(813)를 서로 연결시킨다.
상기 방열 패드(813)는 상기 연결 비아(812)에 연결된다. 상기 방열 패드(813)는 외부에 노출될 수 있다. 상기 방열 패드(813)는 상기 파장 변환 부재(400)로부터 전달되는 열을, 외부에, 특히, 공기 중으로 방출하는 기능을 수행할 수 있다.
상기 제 2 열 방출부(800)는 상기 파장 변환 부재(400) 아래에 배치된다. 더 자세하게, 상기 제 2 열 방출부(800)는 상기 발광다이오드(300) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제 2 열 방출부(800)는 상기 파장 변환 부재(400)에 연결된다. 더 자세하게, 상기 제 2 열 방출부(800)는 상기 파장 변환 부재(400)에 직접 접촉될 수 있다.
상기 제 2 열 방출부(800)는 상기 파장 변환 부재(400)가 연장되는 방향으로 연장되는 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 열 방출부(800)는 상기 파장 변환 부재(400)가 연장되는 방향으로 연장되는 바(bar) 또는 띠 형상을 가질 수 있다.
상기 제 2 열 방출부(800)로 높은 열 전도율을 가지는 물질이 사용될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 열 방출부(800)로 알루미늄 또는 구리 등과 같은 금속이 사용될 수 있다.
상기 제 2 열 방출부(800)는 상기 파장 변환 부재(400)로부터 전달되는 열을, 외부에, 특히 공기 중으로 방출하는 기능을 수행할 수 있다.
상기 광학 시트들(500)은 상기 도광판(200) 상에 배치된다. 상기 광학 시트들(500)은 통과하는 광의 특성을 향상시킨다.
상기 연성인쇄회로기판(600)은 상기 발광다이오드(300)에 전기적으로 연결된다. 상기 발광다이오드(300)를 실장할 수 있다. 상기 연성인쇄회로기판(600)은 연성인쇄회로기판(600)이며, 상기 몰드 프레임(10) 내측에 배치된다. 상기 연성인쇄회로기판(600)은 상기 도광판(200) 상에 배치된다.
도 11을 참조하면, 상기 연성인쇄회로기판(600)은 상기 제 1 열 방출부(800)를 포함할 수 있다. 상기 연성인쇄회로기판(600)은 지지층(610), 제 1 배선층(620), 제 2 배선층(630), 제 1 보호막(640) 및 제 2 보호막(650)을 포함할 수 있다.
상기 지지층(610)은 상기 제 1 배선층(620), 상기 제 2 배선층(630), 상기 제 1 보호막(640) 및 상기 제 2 보호막(650)을 지지한다. 상기 지지층(610)은 절연층이다. 상기 지지층(610)은 플렉서블 할 수 있다. 상기 지지층(610)으로 사용되는 물질의 예로서는 폴리이미드계 수지 등과 같은 폴리머 등을 들 수 있다.
상기 제 1 배선층(620)은 상기 지지층(610) 상에 배치된다. 상기 제 1 배선층(620)은 상기 지지층(610)의 상면에 직접 배치될 수 있다. 상기 제 1 배선층(620)으로 사용되는 물질의 예로서는 구리 등을 들 수 있다.
상기 제 2 배선층(630)은 상기 지지층(610) 아래에 배치된다. 상기 제 2 배선층(630)은 상기 지지층(610)의 하면에 직접 배치될 수 있다. 상기 제 2 배선층(630)으로 사용되는 물질의 예로서는 구리 등을 들 수 있다. 상기 제 1 배선층(620) 및 상기 제 2 배선층(630)은 상기 지지층(610)을 관통하는 비아 등을 통해서, 서로 연결될 수 있다.
상기 제 2 배선층(630)은 상기 발광다이오드(300)에 연결된다. 더 자세하게, 상기 발광다이오드(300)는 솔더 또는 범프 등을 통하여, 상기 제 2 배선층(630)에 전기적으로 접속될 수 있다.
상기 제 1 보호막(640)은 상기 제 1 배선층(620) 상에 배치된다. 상기 제 1 보호막(640)은 상기 제 1 배선층(620)을 덮는다. 상기 제 1 보호막(640)은 상기 제 1 배선층(620)을 보호한다. 상기 제 1 보호막(640)으로 사용되는 물질의 예로서는 폴리머 등과 같은 절연체일 수 있다.
상기 제 2 보호막(650)은 상기 제 2 배선층(630) 아래에 배치된다. 상기 제 2 보호막(650)은 상기 제 2 배선층(630)을 덮는다. 상기 제 2 보호막(650)은 상기 제 2 배선층(630)을 보호한다. 상기 제 2 보호막(650)으로 사용되는 물질의 예로서는 폴리머 등과 같은 절연체일 수 있다.
상기 제 1 열 방출부(800)는 상기 연성인쇄회로기판(600)에 포함될 수 있다. 즉, 상기 방열 패드(813)는 상기 제 1 배선층(620)과 동일한 층에 형성될 수 있다. 또한, 상기 연결 비아(812)는 상기 지지층(610)을 관통할 수 있다. 또한, 상기 제 2 배선층(630)과 동일한 층에 형성될 수 있다. 또한, 상기 제 1 보호막(640)은 상기 방열 패드(813)의 상면을 외부에 노출시키는 제 1 오픈 영역(OR1)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제 2 보호막(650)은 상기 접촉부(811)를 상기 파장 변환 부재(400)에 노출시키는 제 2 오픈 영역(OR2)을 포함할 수 있다.
상기 몰드 프레임(10) 및 상기 백라이트 어셈블리(20)에 의해서 백라이트 유닛이 구성된다. 즉, 상기 백라이트 유닛은 상기 몰드 프레임(10) 및 상기 백라이트 어셈블리(20)를 포함한다.
상기 액정패널(30)은 상기 몰드 프레임(10) 내측에 배치되고, 상기 광학시트들(500)상에 배치된다.
상기 액정패널(30)은 통과하는 광의 세기를 조절하여 영상을 표시한다. 즉, 상기 액정패널(300)은 영상을 표시하는 표시패널이다. 상기 액정패널(30)은 TFT기판, 컬러필터기판, 두 기판들 사이에 개재되는 액정층 및 편광필터들을 포함한다.
앞서 설명한 바와 같이, 상기 입광부(411)의 두께(T1)가 상기 출광부(412)의 두께(T2)보다 더 크다. 특히, 상기 입광부(411)의 두께(T1)는 약 100㎛ 내지 약 1000㎛일 수 있다. 이에 따라서, 상기 발광다이오드(300)로부터 출사되는 광은 상기 입광부(411)를 통하여 충분히 확산된 후, 상기 호스트(440)에 입사된다.
이에 따라서, 실시예에 따른 액정표시장치는 상기 발광다이오드(300)로부터 출사되는 광이 특정 부분에 집중되어, 상기 파장 변환 입자들(430)이 열화되는 현상을 방지할 수 있다.
또한, 상기 입광부(411)는 두껍게 형성되기 때문에, 상기 발광다이오드(300)로부터 발생되는 열을 상기 열 방출부(800)에 용이하게 전달할 수 있다. 즉, 상기 입광부(411)는 열 전달 부재 기능을 수행할 수 있다. 즉, 상기 입광부(411)는 상기 발광다이오드(300)로부터 발생되는 열이 상기 파장 변환 입자들(430)로 전달되는 것을 방지하고, 이와 같은 열을 상기 열 방출부(800)로 대부분 전달시킬 수 있다. 따라서, 상기 입광부(411) 및 상기 열 방출부(800)에 의해서, 상기 파장 변환 입자들(430)의 온도가 감소될 수 있다.
따라서, 실시예에 따른 액정표시장치는 향상된 신뢰성을 가질 수 있다. 또한, 실시예에 따른 액정표시장치는 열화에 의한 색 재현성 저하를 방지하고, 상기 파장 변환 입자들(430)을 전체적으로 사용할 수 있다. 이에 따라서, 실시예에 따른 액정표시장치는 향상된 색 재현성을 가진다.
또한, 상기 발광다이오드(300)로부터 출사되는 광은 상기 입광부(411)를 통하여 충분히 확산되므로, 실시예에 따른 액정표시장치는 향상된 휘도 및 휘도 균일성을 가질 수 있다.
또한, 상기 입광부(411) 또는 상기 출광부(412)에 상기 식별부(460)가 형성되어, 상기 입광부(411) 및 상기 출광부(412)는 용이하게 구별될 수 있다. 특히, 상기 튜브(410)의 폭 또는 직경은 약 1㎜보다 작을 수 있고, 상기 입광부(411)의 두께 및 상기 출광부(412)의 두께도 약 1㎜보다 작을 수 있다.
이에 따라서, 상기 입광부(411) 및 상기 출광부(412)는 육안으로 구별되지 않을 수 있다. 이때, 상기 입광부(411) 또는 상기 출광부(412)에 상기 식별부(460)가 형성되므로, 상기 입광부(411) 및 상기 출광부(412)는 용이하게 식별될 수 있다.
이에 따라서, 상기 입광부(411)는 상기 발광다이오드(300)에 대향되어 배치되고, 상기 출광부(412)는 상기 도광판(200) 등에 용이하게 배치될 수 있다. 즉, 상기 식별부(460)에 의해서, 상기 입광부(411)이 상기 도광판(200) 측에 배치되는 불량이 방지될 수 있다.
또한, 이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (12)

  1. 튜브형상의 수용부;
    상기 수용부 내에 배치되는 호스트;
    상기 호스트 내에 배치되는 다수 개의 파장 변환 입자들; 및
    상기 수용부 내에 배치되어, 상기 수용부의 내부를 밀봉하는 밀봉부를 포함하고,
    상기 수용부는
    상기 호스트에 접촉하는 입광부;
    상기 입광부와 함께 상기 호스트를 샌드위치하는 출광부; 및
    상기 입광부 또는 상기 출광부에서 상기 밀봉부에 대응되는 영역에 형성되는 식별부를 포함하고,
    상기 식별부는 상기 입광부와 상기 출광부를 구분하는 광학 부재.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 입광부 및 상기 출광부는 서로 다른 두께를 가지는 광학 부재.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 입광부의 두께는 100㎛ 내지 1000㎛이고,
    상기 출광부의 두께는 20㎛ 내지 50㎛인 광학 부재.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 수용부는 일방향으로 연장되는 형상을 가지고,
    상기 입광부, 상기 호스트 및 상기 출광부는 상기 수용부가 연장되는 방향으로 연장되는 형상을 가지고,
    상기 식별부는 상기 입광부의 끝단 또는 상기 출광부의 끝단에 형성되는 광학 부재.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 식별부는 상기 입광부의 외부면 또는 상기 출광부의 외부면에 형성되는 돌기를 포함하는 광학 부재.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 식별부는 상기 입광부의 외부면 또는 상기 출광부의 외부면에 형성되는 홈을 포함하는 광학 부재.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 식별부는 상기 입광부의 외부면 또는 상기 출광부의 외부면에 대하여 경사지는 경사면을 포함하는 광학 부재.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 식별부는 상기 입광부 또는 상기 출광부의 끝 단에 형성되는 단차부를 포함하는 광학 부재.
  9. 광원;
    상기 광원의 출사면에 배치되는 파장 변환 부재; 및
    상기 파장 변환 부재로부터 출사되는 광이 입사되는 표시패널을 포함하고,
    상기 파장 변환 부재는
    상기 광원의 출사면에 배치되는 튜브형상의 수용부;
    상기 수용부 내에 배치되는 호스트;
    상기 호스트 내에 배치되는 다수 개의 파장 변환 입자들; 및
    상기 수용부 내에 배치되어, 상기 수용부의 내부를 밀봉하는 밀봉부를 포함하고,
    상기 수용부는
    상기 호스트에 접촉하는 입광부;
    상기 입광부와 함께 상기 호스트를 샌드위치하는 출광부; 및
    상기 입광부 또는 상기 출광부에서 상기 밀봉부에 대응되는 영역에 형성되는 식별부를 포함하고,
    상기 식별부는 상기 입광부와 상기 출광부를 구분하는 표시장치.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 입광부의 두께는 상기 출광부의 두께보다 더 두꺼운 표시장치.
  11. 제 9 항에 있어서, 상기 식별부는 상기 광원이 배치되는 영역 옆에 배치되는 표시장치.
  12. 삭제
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